CN102163973A - 电容阵列型逐次逼近模数转换器的校准装置及校准方法 - Google Patents
电容阵列型逐次逼近模数转换器的校准装置及校准方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102163973A CN102163973A CN2011101246274A CN201110124627A CN102163973A CN 102163973 A CN102163973 A CN 102163973A CN 2011101246274 A CN2011101246274 A CN 2011101246274A CN 201110124627 A CN201110124627 A CN 201110124627A CN 102163973 A CN102163973 A CN 102163973A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- capacitor array
- digital converter
- calibrated
- analog
- electric capacity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 13
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 4
- 238000013507 mapping Methods 0.000 abstract 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Analogue/Digital Conversion (AREA)
Abstract
本发明涉及电容阵列型逐次逼近模数转换器的校准装置及校准方法,属于混合信号集成电路设计领域;该方法包括一个电容测量电路,一个静态存储器和相应控制电路;还包括一个连接在电容测量电路和静态存储器之间的逻辑运算单元;该方法包括:用电容测量电路测得待校准电容阵列中各对电容真实值;根据电容阵列实际结构,逻辑运算单元根据测得的真实电容值计算各对电容的真实权重值,并将该权重值映射成n位二进制的权重码,将该权重码存到静态存储器中作为最终权重码表;将待校准的模数转换器的输出码用最终权重码表做相应修正得到最终校准后的输出码。本发明无论是硬件代价还是转换速率都存在优势。
Description
技术领域
本发明属于混合信号集成电路设计领域,特别涉及一种电容阵列型逐次逼近模数转换器的校准方法,可以补偿由于工艺偏差带来的电容失配。
背景技术
随着信息产业的发展,数字信号处理技术日新月异,作为连接模拟与数字世界桥梁的模数/数模(A/D、D/A)转换器也得到了越来越广泛的应用。伴随数字信号处理速度的提升,其必然对模数/数模转换器提出高速、高精度的要求;同时便携式消费类电子产品、医疗器械等的蓬勃发展,也对模数/数模转换器提出了低功耗的要求。Flash A/D、Δ∑A/D分别代表高速、高精度的两个极端,相比该两者,中等速度中等精度的电容阵列型逐次逼近模数转换器(SAR ADC)以其极低功耗逐渐受到人们青睐,其在医疗仪器、工业控制及微机接口等领域应用越来越广泛。更诱人的是,随着工艺的进步,SAR ADC的转换速度也得到极大提升,在8~12位精度范围内,采样率也提高到100MHz到GHz。
图1示为逐次逼近模数转换器框图,其通常包含一个偏置及时钟电路、采样保持电路(S/H)、一个比较器(CMP)、一个逐次逼近逻辑(SAR Logic)电路及一个数模转换器(DAC),其中Vi为输入信号,Vref为参考信号,Dout为模数转换器输出码。S/H及DAC的输出作为CMP的输入;CMP依据其双端输入电压的大小给出比较结果,并作为SARLogic的输入;SAR Logic由此给出DAC控制信号及最终输出码;偏置及时钟电路负责为芯片各模块提供时钟及电压、电流偏置。其工作过程简单总结为:先将Vi与比较,视比较结果,再将Vi与或比较,依此类推逐次逼近,比较n次,得到n位输出。
据内嵌数模转换器的不同,逐次逼近模数转换器又可划分为许多类,其中电容阵列型数模转换器得到广泛采用。如图2所示:约定VRP为正的参考电压,VRN为负的参考电压,Vcm为共模电压,Vip为正的输入电压,Vin为负的输入电压;电容阵列分为P和N两端,P端有共n+1个电容,下极板由SAR Logic控制通过三端开关选择接VRP、VRN或Vip,所有n+1个电容上极板接到一起,其输出电压为VP;N端有
共n+1个电容,下极板由SAR Logic控制通过三端开关选择接VRP、VRN或Vin,所有n+1个电容上极板接到一起,其输出电压为VN;输出电压VP、VN分别与后级比较器正端输入和负端输入相连。其主要存在如下两优势:一、电容阵列本身具有采样保持功能;二、相比电阻型或电流型数模转换器,电容阵列型数模转换器不存在静态功耗,其能耗主要体现在电容充放电。
目前电容对阵列型逐次逼近模数转换器存在如下两方面的不足之处:一、电容阵列通常是二进制权的形式,使得总电容随转换精度成幂函数增加;二、电容匹配精度有限。图2中,约定c0为单位电容,为P端阵列第i位电容的失配,为N端阵列第i位电容的失配,和同样为失配系数,考虑到电容失配后,图2所示各电容真实值可表述为和针对第一个问题,目前主流的改进方案是电容对阵列采用分段电容结构,如图3所示:VP、VN、VRP、VRN、Vip、Vin、c0含义与图2一致,电容阵列同样分为P和N两端,约定VP近端为P-MS,VP远端为P-LS,两者通过桥电容CPS相连,为P-MS端阵列第i位电容的失配,为P-LS端阵列第i位电容的失配,εPS为CPS相比单位电容的失配;VN近端为N-MS,VN远端为N-LS,两者通过桥电容CNS相连,为N-MS端阵列第i位电容的失配,为N-LS端阵列第i位电容的失配,εNS为CNS相比单位电容的失配。考虑到失配后,图3所示各电容真实值可表述为和图3所示结构可以成倍减少总电容大小,但每段仍成二进制权的形式,且电容失配的影响仍然存在;而第二个问题,前人从版图及校准等方面提出了不少方案,如版图上加虚拟冗余电容、采用共中心结构等,如图4所示,图中每个小方框代表一个单位电容,相同的数字表示其并联,如所有标识4的四个电容并联产生四倍单位电容,其他同理。这些方法在一定程度上可以克服由于工艺生产条件导致介质板厚度不均带来的固有误差,但也带来了两个问题:一、连线复杂,寄生严重;二、虚拟冗余电容数目可观,面积效率大打折扣。
为抵消由于电容匹配问题引起的误差,除上述版图级方法外,还有形形色色的校准,比较经典,与本发明也最为相近的一种对电容型逐次逼近模数转换器中的电容阵列的校准方法,公开在论文“Self-Calibration Technique for A/D Converters(Circuits and Systems Letters 1983)中,如图5所示,虚线框圈出的部分为校准模块,其包含一个V-M(电压残差测量装置,通常为一个更高精度的模数转换器),SRAM(静态存储器)和相应的控制电路。该校准方法为:将电容失配转化为电压残差,首先测得该残差,将其对应的数字码存到存储器中,在正常的模数转换过程中,根据每次比较结果,用相应的残差修正原电压,使其恢复到无失配情况下的电压值,从而达到校准目的。
该方法存在两大不足:一、其需要一个更高精度的转换器来量化残差电压,而通常情况下该残差电压比较小,这更添加了量化难度;二、其需要在逐次逼近的过程中实时修正原电压,存在影响转换速度的隐患,当残差修正所需稳定时间大于电荷重分配时间时,将不得不延长两次比较之间的间隙,从而降低转换率。
发明内容
本发明的目的是为克服已有技术的不足之处,提出一种电容对阵列型逐次逼近模数转换器的校准装置及其方法。本方法不需要更高精度模数转换器,不需在逐次逼近过程中实时修正电压,不干涉转换过程,无论是硬件代价还是转换速率都存在优势。
本发明提出的一种电容阵列型逐次逼近模数转换器的校准装置,包括一个电容测量电路,一个静态存储器和相应控制电路;其特征在于,还包括一个连接在电容测量电路和静态存储器之间的逻辑运算单元;所述电容测量电路用于测量待校准电容阵列型逐次逼近模数转换器中的各电容对的电容值;所述逻辑运算单元用于由测得的电容值计算各电容对的权重,并将计算结果映射成n位二进制码;所述控制电路用于控制所述待校准的模数转换器在校准态和正常模数转换态之间的切换。
本发明还提出采用上述校准装置的校准方法,其特征在于,该方法包括:用电容测量电路测得待校准电容阵列中各对电容真实值;根据电容阵列实际结构,逻辑运算单元根据测得的真实电容值计算各对电容的真实权重值,并将该权重值映射成n位二进制的权重码,将该权重码存到静态存储器中作为最终权重码表;将待校准的模数转换器的输出码用最终权重码表做相应修正得到最终校准后的输出码。
本发明与各类传统的校准方法不同,本方法不试图测量电容真实值与理想值间的失配,而是把失配当成电容的一部分,通过测量电容值,计算其在电容阵列中的实际权重,并依此修正模数转换器输出码来达到校准输出的目的。
本发明不需要更高精度模数转换器,不需在逐次逼近过程中实时修正电压,不干涉转换过程,无论是硬件代价还是转换速率都存在优势。
附图说明
图1为已有的逐次逼近模数转换器框图;
图2为已有的差分二进制权电容阵列型数模转换器组成图;
图3为已有的分段二进制权电容阵列型数模转换器组成图;
图4为已有的单位电容共中心结构示意图;
图5为已有的电容阵列型SARADC传统校准框图;
图6本发明的电容阵列型逐次逼近模数转换器的校准装置框图;
图7差分方式测电容框图
具体实施方式
本发明提出了一种电容阵列型逐次逼近模数转换器的校准装置及其方法,下面结合图6及图7详细说明该装置工作过程。
本发明提出的一种电容阵列型逐次逼近模数转换器的校准装置(见图6虚线框标示部分),包含一个电容测量电路C-M,一个静态存储器SRAM和相应控制电路;在此基础上还增加一个连接在电容测量电路和静态存储器之间的逻辑运算单元ALU;图6虚线框外示出由电容阵列型数模转换器、偏置时钟电路、比较器CMP及逐次逼近逻辑SAR-Logic组成的待校准电容阵列型逐次逼近模数转换器。
本校准装置各部件的具体实现方式及功能分别说明如下:
电容测量电路C-M如图7所示,包括一个运算放大器及一个比较器,参考电容对CRn和CRp,跨接在运算放大器两端的两个积分电容CIn和CIp;用于测量待校准电容阵列型逐次逼近模数转换器中的各电容对的电容值;
图中,CTn和CTp为待测电容,VRP为正的参考电压,VRN为负的参考电压,Vcm为共模电压,且Vop和Von为运算放大器输出电压;Comp为电压Vop和Von的比较结果,若Vop≥Von,则比较结果Comp为逻辑的高电平,通常为逻辑1;否则若Vop<Von,比较结果Comp为逻辑低电平,通常为逻辑0。
电容测量电路连接关系为:电容CRn下极板通过三端开关选择接电压VRP、VRN或Vcm,电容CTn下极板通过双端开关选择接电压VRN或Vcm,电容CRn和CTn上极板通过单端开关接运算放大器的负输入端;电容CRp下极板通过三端开关选择接电压VRP、VRN或Vcm,电容CTp下极板通过双端开关选择接电压VRP或Vcm,电容CRp和CTp上极板通过单端开关接运算放大器的正输入端;电容CIn跨接在运算放大器负输入输出端;电容CIp跨接在运算放大器正输入输出端;运算放大器的双端输出作为比较器的双端输入;比较器得到的比较结果作为电容CRn和CRp下极板开关控制信号。其工作方式详见步骤一中1.1)~1.4)。
由于校准态与正常模数转换相互独立,即总体电路对校准装置并无速度要求,本发明实施例采用TSMC65nm工艺制作电容测量电路里的运算放大器及比较器。运算放大器增益越高,引起的误差越小,本实施例的运算放大器增益10000(80dB)以上,而可牺牲其带宽。本实施例的比较器至少可以分辨电压(n表示模数转换器的设计精度)。
逻辑运算单元ALU用于由测得的电容值根据公式(2)或公式(3)计算各电容对的权重,并将计算结果映射成n位二进制码。
控制电路用于控制所述待校准的模数转换器在校准态(测电容、计算权重及存储权重值)和正常模数转换态之间切换(校准态时,CMP不工作;正常转换时,C-M及ALU不工作)。本发明实施例的逻辑运算单元ALU和控制电路不在所述待校准的模数转换器芯片内集成,而在片外采用Altera公司的EP2C35F672C8款FPGA实现两者功能。
静态存储器SRAM用于存储真实权重值,本发明实例采用TSMC65nm工艺库中标准单元实现。
本发明提出的采用上述校准装置的校准方法为:用电容测量电路测得待校准电容阵列中各对电容真实值;根据电容阵列实际结构,逻辑运算单元根据测得的真实电容值计算各对电容的真实权重值,并将该权重值映射成n位二进制的权重码,将该权重码存到静态存储器中作为最终权重码表;将待校准的模数转换器的输出码用最终权重码表做相应修正得到最终校准后的输出码。
本发明提出的校准方法具体实施包括以下步骤:
步骤1:利用电容测量电路C-M测量如图2或3中待校准的数模转换器电容阵列中每一对电容的电容值;具体包括以下步骤:
1.1)对待校准的数模转换器的N端电容阵列,用电压VRN对电容CTn充电,用电压Vcm对电容CRn充电;对P端电容阵列,用电压VRP对电容CTp充电,用电压Vcm对电容CRp充电,运算放大器输出电压分别为Von和Vop;
1.2)比较器根据所述N、P两端电压Von与Vop的大小关系,给出比较结果Comp(Comp用逻辑的高低电平表示),并反馈回电容CRn及CRp;
1.3)换用电压Vcm对电容CTn及CTp充电,依据比较结果Comp,电容CRn及CRp分别用电压VRN和VRP充电,若Comp为逻辑高电平,即Comp=1时,用电压VRN对电容CRn充电,用电压VRP对电容CRp充电,否则若Comp为逻辑低电平,用电压VRP对电容CRn充电,用电压VRN对电容CRp充电;
1.4)根据步骤1.3)对电容充电后,运算放大器输出电压将调整为Von′和Vop′,转步骤1.1);
1.5)将步骤1.1)-1.4)过程重复X次,X>2n,n表示模数转换器的设计精度,即可测得满足模数转换器精度要求的电容值;
上式可理解为,通过电容CTn和CRn向运算放大器N端注入的电荷与通过电容CIn注入的电荷大小相等符号相反(P端同理),这是因为运算放大器两输入端没有其他充放电回路及到地支路。
将上述步骤1.1)-1.4)过程重复X次,P端各次充电过程表述如下:
将上述X个式子累加,整理得
同理,对N端的X各式子累加得到
由公式(1)可看出N端和相应的P端待测电容之和与参考电容之和有确定的倍数关系,且该倍数小于1,虽然参考电容的真实值无法得知,但该倍数是可以由测量得出,逐次逼近模数转换器电容阵列里的n对电容可以用该倍数来间接表示,后续的求权重也可只用倍数值来处理。
步骤2:依据步骤1所测得的各电容对的真实值求各对电容在电容阵列中的相应权重,并将各对电容的权重映射成n位二进制的权重码存到SRAM中构成最终权重码表;
图2所示电容阵列中各对电容权重约定如下:
图3所示分段结构,各对电容权重值分MS和LS两部分,可用下式表示:
将由公式2或3求得的权重映射成n位二进制码作为校准后的权重码,并将权重码存到SRAM中(如表一所示),方便起见,此处仍以Wi表示第i位权重映射成的码。
步骤3:将待校准模数转换器输出的码用步骤2生成的最终权重码表做修正,得到最终校准后的输出码。
例如某次待校准模数转换器的输出码为:0000...0011;若不经过校准,最终输出码仍为0000...0011;但用本发明的校准装置及校准方法得到的经修正之后的最终权重码表(如表一)来处理待校准模数转换器的输出码,从最终权重码表中取出输出码0000...0011中位为1对应的权重码W1和W2,相加作为最终校准后的输出码,将输出码修正为0000...0100作为最终输出,即达到了校准目的。
表一校准后最终权重码表
Claims (2)
1.一种电容阵列型逐次逼近模数转换器的校准装置,包括一个电容测量电路,一个静态存储器和相应控制电路;其特征在于,还包括一个连接在电容测量电路和静态存储器之间的逻辑运算单元;所述电容测量电路用于测量待校准电容阵列型逐次逼近模数转换器中的各电容对的电容值;所述逻辑运算单元用于由测得的电容值计算各电容对的权重,并将计算结果映射成n位二进制码;所述控制电路用于控制所述待校准的模数转换器在校准态和正常模数转换态之间的切换。
2.一种采用如权利要求1所述校准装置的校准方法,其特征在于,该方法包括:用电容测量电路测得待校准电容阵列中各对电容真实值;根据电容阵列实际结构,逻辑运算单元根据测得的真实电容值计算各对电容的真实权重值,并将该权重值映射成n位二进制的权重码,将该权重码存到静态存储器中作为最终权重码表;将待校准的模数转换器的输出码用最终权重码表做相应修正得到最终校准后的输出码。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201110124627 CN102163973B (zh) | 2011-05-13 | 2011-05-13 | 电容阵列型逐次逼近模数转换器的校准装置及校准方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201110124627 CN102163973B (zh) | 2011-05-13 | 2011-05-13 | 电容阵列型逐次逼近模数转换器的校准装置及校准方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102163973A true CN102163973A (zh) | 2011-08-24 |
CN102163973B CN102163973B (zh) | 2013-07-24 |
Family
ID=44464984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 201110124627 Expired - Fee Related CN102163973B (zh) | 2011-05-13 | 2011-05-13 | 电容阵列型逐次逼近模数转换器的校准装置及校准方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102163973B (zh) |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102495295A (zh) * | 2011-12-26 | 2012-06-13 | 南开大学 | 一种半导体薄膜材料电容特性的测量方法及装置 |
CN104079298A (zh) * | 2014-06-24 | 2014-10-01 | 复旦大学 | 自校准桥接电容结构的逐次逼近型模数转换器 |
CN104124967A (zh) * | 2014-07-10 | 2014-10-29 | 天津大学 | 一种分段电容阵列型逐次逼近模数转换器校准结构及方法 |
CN104168020A (zh) * | 2014-08-19 | 2014-11-26 | 复旦大学 | 一种逐位逼近型模数转换器的电容非线性校准电路及方法 |
CN104681412A (zh) * | 2015-02-02 | 2015-06-03 | 南京宇都通讯科技有限公司 | 匹配电容及其制造方法 |
CN104734718A (zh) * | 2015-02-03 | 2015-06-24 | 国网重庆市电力公司电力科学研究院 | 混合型dac电容阵列结构 |
CN104753536A (zh) * | 2013-12-27 | 2015-07-01 | 瑞萨电子株式会社 | A/d转换器电路和半导体集成电路 |
WO2016106478A1 (zh) * | 2014-12-29 | 2016-07-07 | 中国科学院半导体研究所 | 用于cmos图像传感器的模拟读出预处理电路及其控制方法 |
CN106372723A (zh) * | 2016-09-26 | 2017-02-01 | 上海新储集成电路有限公司 | 基于神经网络芯片的存储结构及其存储方法 |
CN106656192A (zh) * | 2016-10-10 | 2017-05-10 | 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院 | 基于栅压自举电路和分段全电容阵列的adc芯片电路 |
CN107171667A (zh) * | 2017-06-09 | 2017-09-15 | 江西联智集成电路有限公司 | 逐次逼近型模数转换器及其自检测方法 |
CN110086468A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-08-02 | 成都微光集电科技有限公司 | 一种非二进制逐次逼近型模数转换器的权重校准方法 |
CN110768671A (zh) * | 2019-10-17 | 2020-02-07 | 西安交通大学 | 一种用于逐次逼近型模数转换器的片外校准方法及*** |
CN110768670A (zh) * | 2019-09-26 | 2020-02-07 | 西安交通大学 | 一种用于逐次逼近型模数转换器的数字分段线性校准方法 |
US10686463B1 (en) | 2019-02-14 | 2020-06-16 | United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method for calibration of digital readout with split counter and residual bits |
CN111983328A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-11-24 | 上海美仁半导体有限公司 | 一种电容误差测量电路、测量方法、芯片以及家用电器 |
CN112202448A (zh) * | 2020-09-28 | 2021-01-08 | 上海艾为电子技术股份有限公司 | 逐次逼近型模数转换器及其校准方法、电子设备 |
CN113114258A (zh) * | 2021-05-06 | 2021-07-13 | 浙江大学 | 一种使用单位桥电容的逐次逼近型模数转换器及其量化方法 |
CN113437972A (zh) * | 2021-06-11 | 2021-09-24 | 上海联影微电子科技有限公司 | 电容校准方法和电子设备 |
CN113794475A (zh) * | 2021-11-16 | 2021-12-14 | 杭州深谙微电子科技有限公司 | 电容阵列型逐次逼近模数转换器的校准方法 |
CN114928358A (zh) * | 2022-07-18 | 2022-08-19 | 南京航空航天大学 | 从高位到低位的逐次逼近型adc的电容失配校准方法 |
CN116505946A (zh) * | 2023-06-21 | 2023-07-28 | 江苏润石科技有限公司 | Sar adc的模拟域校准方法、装置及sar adc |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1866749A (zh) * | 2006-06-23 | 2006-11-22 | 清华大学 | 一种基于电容配对的降低模数转换器电容失配误差的方法 |
US7199746B1 (en) * | 2005-12-19 | 2007-04-03 | Silicon Laboratories Inc. | Method for search and matching of capacitors for a digital to analog converter of an SAR analog to digital converter |
-
2011
- 2011-05-13 CN CN 201110124627 patent/CN102163973B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7199746B1 (en) * | 2005-12-19 | 2007-04-03 | Silicon Laboratories Inc. | Method for search and matching of capacitors for a digital to analog converter of an SAR analog to digital converter |
CN1866749A (zh) * | 2006-06-23 | 2006-11-22 | 清华大学 | 一种基于电容配对的降低模数转换器电容失配误差的方法 |
Cited By (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102495295A (zh) * | 2011-12-26 | 2012-06-13 | 南开大学 | 一种半导体薄膜材料电容特性的测量方法及装置 |
CN104753536A (zh) * | 2013-12-27 | 2015-07-01 | 瑞萨电子株式会社 | A/d转换器电路和半导体集成电路 |
CN104753536B (zh) * | 2013-12-27 | 2019-05-07 | 瑞萨电子株式会社 | A/d转换器电路和半导体集成电路 |
CN104079298A (zh) * | 2014-06-24 | 2014-10-01 | 复旦大学 | 自校准桥接电容结构的逐次逼近型模数转换器 |
CN104124967A (zh) * | 2014-07-10 | 2014-10-29 | 天津大学 | 一种分段电容阵列型逐次逼近模数转换器校准结构及方法 |
CN104168020A (zh) * | 2014-08-19 | 2014-11-26 | 复旦大学 | 一种逐位逼近型模数转换器的电容非线性校准电路及方法 |
CN104168020B (zh) * | 2014-08-19 | 2017-10-10 | 复旦大学 | 一种逐位逼近型模数转换器的电容非线性校准电路及方法 |
WO2016106478A1 (zh) * | 2014-12-29 | 2016-07-07 | 中国科学院半导体研究所 | 用于cmos图像传感器的模拟读出预处理电路及其控制方法 |
US9930284B2 (en) | 2014-12-29 | 2018-03-27 | Institute Of Semiconductors, Chinese Academy Of Sciences | Analog readout preprocessing circuit for CMOS image sensor and control method thereof |
CN104681412A (zh) * | 2015-02-02 | 2015-06-03 | 南京宇都通讯科技有限公司 | 匹配电容及其制造方法 |
CN104734718A (zh) * | 2015-02-03 | 2015-06-24 | 国网重庆市电力公司电力科学研究院 | 混合型dac电容阵列结构 |
CN106372723A (zh) * | 2016-09-26 | 2017-02-01 | 上海新储集成电路有限公司 | 基于神经网络芯片的存储结构及其存储方法 |
CN106372723B (zh) * | 2016-09-26 | 2019-02-12 | 上海新储集成电路有限公司 | 基于神经网络芯片的存储结构及其存储方法 |
CN106656192A (zh) * | 2016-10-10 | 2017-05-10 | 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院 | 基于栅压自举电路和分段全电容阵列的adc芯片电路 |
CN107171667A (zh) * | 2017-06-09 | 2017-09-15 | 江西联智集成电路有限公司 | 逐次逼近型模数转换器及其自检测方法 |
CN107171667B (zh) * | 2017-06-09 | 2023-07-28 | 江西联智集成电路有限公司 | 逐次逼近型模数转换器及其自检测方法 |
US10686463B1 (en) | 2019-02-14 | 2020-06-16 | United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method for calibration of digital readout with split counter and residual bits |
CN110086468A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-08-02 | 成都微光集电科技有限公司 | 一种非二进制逐次逼近型模数转换器的权重校准方法 |
CN110086468B (zh) * | 2019-05-17 | 2023-04-25 | 成都微光集电科技有限公司 | 一种非二进制逐次逼近型模数转换器的权重校准方法 |
CN110768670B (zh) * | 2019-09-26 | 2021-05-28 | 西安交通大学 | 一种用于逐次逼近型模数转换器的数字分段线性校准方法 |
CN110768670A (zh) * | 2019-09-26 | 2020-02-07 | 西安交通大学 | 一种用于逐次逼近型模数转换器的数字分段线性校准方法 |
CN110768671A (zh) * | 2019-10-17 | 2020-02-07 | 西安交通大学 | 一种用于逐次逼近型模数转换器的片外校准方法及*** |
CN110768671B (zh) * | 2019-10-17 | 2022-04-22 | 西安交通大学 | 一种用于逐次逼近型模数转换器的片外校准方法及*** |
CN111983328A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-11-24 | 上海美仁半导体有限公司 | 一种电容误差测量电路、测量方法、芯片以及家用电器 |
CN112202448A (zh) * | 2020-09-28 | 2021-01-08 | 上海艾为电子技术股份有限公司 | 逐次逼近型模数转换器及其校准方法、电子设备 |
CN112202448B (zh) * | 2020-09-28 | 2023-08-29 | 上海艾为电子技术股份有限公司 | 逐次逼近型模数转换器及其校准方法、电子设备 |
CN113114258A (zh) * | 2021-05-06 | 2021-07-13 | 浙江大学 | 一种使用单位桥电容的逐次逼近型模数转换器及其量化方法 |
CN113114258B (zh) * | 2021-05-06 | 2022-06-14 | 浙江大学 | 使用单位桥电容的逐次逼近型模数转换器及其量化方法 |
CN113437972A (zh) * | 2021-06-11 | 2021-09-24 | 上海联影微电子科技有限公司 | 电容校准方法和电子设备 |
CN113794475A (zh) * | 2021-11-16 | 2021-12-14 | 杭州深谙微电子科技有限公司 | 电容阵列型逐次逼近模数转换器的校准方法 |
CN114928358A (zh) * | 2022-07-18 | 2022-08-19 | 南京航空航天大学 | 从高位到低位的逐次逼近型adc的电容失配校准方法 |
CN116505946A (zh) * | 2023-06-21 | 2023-07-28 | 江苏润石科技有限公司 | Sar adc的模拟域校准方法、装置及sar adc |
CN116505946B (zh) * | 2023-06-21 | 2023-10-13 | 江苏润石科技有限公司 | Sar adc的模拟域校准方法、装置及sar adc |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102163973B (zh) | 2013-07-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102163973B (zh) | 电容阵列型逐次逼近模数转换器的校准装置及校准方法 | |
CN102045067B (zh) | 提高逐次逼近adc输出信噪比的转换和校准算法及adc | |
US8842027B2 (en) | Analog to digital converter and method for evaluating capacitor weighting of digital-to-analog converter thereof | |
CN112202448B (zh) | 逐次逼近型模数转换器及其校准方法、电子设备 | |
CN105959006B (zh) | 逐次逼近型模数转换器校准电路 | |
US6720903B2 (en) | Method of operating SAR-type ADC and an ADC using the method | |
CN104079298A (zh) | 自校准桥接电容结构的逐次逼近型模数转换器 | |
CN107346975B (zh) | 一种sar型adc的高精度校准装置 | |
US20100090873A1 (en) | Systems and methods for characterizing component ratios and generating a digital representation of same | |
CN102386921A (zh) | 一种流水线adc多比特子dac电容失配校准方法 | |
CN103873059A (zh) | 一种应用于高精度逐次逼近模数转换器的数字校准方法 | |
WO2018054364A1 (zh) | 一种dac电容阵列、sar型模数转换器及降低功耗的方法 | |
CN104168020A (zh) | 一种逐位逼近型模数转换器的电容非线性校准电路及方法 | |
CN104124967A (zh) | 一种分段电容阵列型逐次逼近模数转换器校准结构及方法 | |
CN106896283B (zh) | 测量电容失配特性的电路结构及测量方法 | |
CN104779954A (zh) | 逐次逼近型模数转换器及其基于误码检测的数字校正方法 | |
CN112803946B (zh) | 应用于高精度逐次逼近型adc的电容失配和失调电压校正方法 | |
US20230198535A1 (en) | Calibration method of capacitor array type successive approximation register analog-to-digital converter | |
CN109412594A (zh) | 一种应用于单端逐次逼近型模数转换器的数字自校准方法 | |
US20120268301A1 (en) | Calibration Scheme for Resolution Scaling, Power Scaling, Variable Input Swing and Comparator Offset Cancellation for Flash ADCs | |
CN102545906B (zh) | 电流型数模转换方法和装置 | |
CN114614821A (zh) | 基于差分结构的sar adc失调误差校正方法及电路 | |
CN108599766A (zh) | 一种sar-adc高位电容阵列的计算、校准方法 | |
CN109818617A (zh) | 一种sar型adc的高精度校准装置 | |
CN114050827A (zh) | 应用于电容三段式逐次逼近型模数转换器的数字校准方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20130724 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |