CN102161635B - 光活性化合物 - Google Patents
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 23
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 86
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 59
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 28
- -1 perfluoro Chemical group 0.000 claims description 165
- RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-O phenylsulfanium Chemical compound [SH2+]C1=CC=CC=C1 RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 69
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 55
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 51
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 46
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 27
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 27
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 25
- VMODAALDMAYACB-UHFFFAOYSA-N 2-methyladamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC1C(C)C2C3 VMODAALDMAYACB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 17
- XAYCNCYFKLSMGR-UHFFFAOYSA-N 4-phenylsulfanylphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1SC1=CC=CC=C1 XAYCNCYFKLSMGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 10
- BDSLFDHCFJHMLI-UHFFFAOYSA-N fluoro methanesulfonate Chemical compound CS(=O)(=O)OF BDSLFDHCFJHMLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 9
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 114
- 239000002585 base Substances 0.000 description 105
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 73
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 73
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 37
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 32
- JHPBZFOKBAGZBL-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)=C JHPBZFOKBAGZBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 29
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 29
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 28
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 19
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 18
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 17
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- WDAXFOBOLVPGLV-UHFFFAOYSA-N isobutyric acid ethyl ester Natural products CCOC(=O)C(C)C WDAXFOBOLVPGLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N acrylic acid methyl ester Natural products COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 12
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000004390 alkyl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- ZICQBHNGXDOVJF-UHFFFAOYSA-N diamantane Chemical compound C1C2C3CC(C4)CC2C2C4C3CC1C2 ZICQBHNGXDOVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical compound CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 9
- BHIWKHZACMWKOJ-UHFFFAOYSA-N methyl isobutyrate Chemical compound COC(=O)C(C)C BHIWKHZACMWKOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 9
- UZPUXLRDLVOKTB-UHFFFAOYSA-N trifluoromethyl benzenesulfonate Chemical compound FC(F)(F)OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 UZPUXLRDLVOKTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 235000019439 ethyl acetate Nutrition 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 description 7
- 125000004448 alkyl carbonyl group Chemical group 0.000 description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000005078 alkoxycarbonylalkyl group Chemical group 0.000 description 6
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 6
- LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N diisopropanolamine Chemical compound CC(O)CNCC(C)O LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229940043276 diisopropanolamine Drugs 0.000 description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 6
- LGRLWUINFJPLSH-UHFFFAOYSA-N methanide Chemical compound [CH3-] LGRLWUINFJPLSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical group CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UXTFKIJKRJJXNV-UHFFFAOYSA-N 1-$l^{1}-oxidanylethanone Chemical compound CC([O])=O UXTFKIJKRJJXNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 5
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 5
- 125000001118 alkylidene group Chemical group 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 5
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 5
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 229940057061 mevalonolactone Drugs 0.000 description 5
- 125000005574 norbornylene group Chemical group 0.000 description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 4
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 4
- 229960004063 propylene glycol Drugs 0.000 description 4
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 description 4
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 4
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 4
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical group C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 3
- SUFLCRUMRGPECP-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,5-pentafluorobenzene;sulfuryl dichloride Chemical compound ClS(Cl)(=O)=O.FC1=CC(F)=C(F)C(F)=C1F SUFLCRUMRGPECP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IDQBJILTOGBZCR-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-1-ol Chemical compound CCCCOC(O)CC IDQBJILTOGBZCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-ol Chemical compound CCCOCC(C)O FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SJYUYNVSHPLMHY-UHFFFAOYSA-N 4-butylbicyclo[2.2.1]hept-2-ene-5-carboxylic acid Chemical group C1C2CC(C(O)=O)C1(CCCC)C=C2 SJYUYNVSHPLMHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101100215341 Arabidopsis thaliana ACT12 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100435268 Caenorhabditis elegans arf-1.2 gene Proteins 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241000630665 Hada Species 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical group OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XYVQFUJDGOBPQI-UHFFFAOYSA-N Methyl-2-hydoxyisobutyric acid Chemical class COC(=O)C(C)(C)O XYVQFUJDGOBPQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 3
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 3
- 125000000000 cycloalkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 3
- LRFKWQGGENFBFO-UHFFFAOYSA-N fingolimod phosphate Chemical compound CCCCCCCCC1=CC=C(CCC(N)(CO)COP(O)(O)=O)C=C1 LRFKWQGGENFBFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 229940017219 methyl propionate Drugs 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N triflic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- JYVXNLLUYHCIIH-UHFFFAOYSA-N (+/-)-mevalonolactone Natural products CC1(O)CCOC(=O)C1 JYVXNLLUYHCIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRPLSAWATHBYFB-UHFFFAOYSA-N (2-methyl-2-adamantyl) prop-2-enoate Chemical compound C1C(C2)CC3CC1C(C)(OC(=O)C=C)C2C3 YRPLSAWATHBYFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LHENQXAPVKABON-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-1-ol Chemical compound CCC(O)OC LHENQXAPVKABON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UHOPWFKONJYLCF-UHFFFAOYSA-N 2-(2-sulfanylethyl)isoindole-1,3-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)N(CCS)C(=O)C2=C1 UHOPWFKONJYLCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-1-butanol Chemical compound COC(C)CCO JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FFWSICBKRCICMR-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-hexanone Chemical compound CC(C)CCC(C)=O FFWSICBKRCICMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZJPLYNZGCXSJM-UHFFFAOYSA-N 5-valerolactone Chemical compound O=C1CCCCO1 OZJPLYNZGCXSJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical class CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YZGQDNOIGFBYKF-UHFFFAOYSA-N Ethoxyacetic acid Natural products CCOCC(O)=O YZGQDNOIGFBYKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical class CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JYVXNLLUYHCIIH-ZCFIWIBFSA-N R-mevalonolactone, (-)- Chemical compound C[C@@]1(O)CCOC(=O)C1 JYVXNLLUYHCIIH-ZCFIWIBFSA-N 0.000 description 2
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 2
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 2
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- GFUIDHWFLMPAGY-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxy-2-methylpropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)(C)O GFUIDHWFLMPAGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 125000004216 fluoromethyl group Chemical group [H]C([H])(F)* 0.000 description 2
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLSMFKSTNGKWQX-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetone Chemical compound CC(=O)CO XLSMFKSTNGKWQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- JSLCOZYBKYHZNL-UHFFFAOYSA-N isobutyric acid butyl ester Natural products CCCCOC(=O)C(C)C JSLCOZYBKYHZNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N isophorone Chemical compound CC1=CC(=O)CC(C)(C)C1 HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical group O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940043265 methyl isobutyl ketone Drugs 0.000 description 2
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 2
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N oxalic acid Substances OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 235000015320 potassium carbonate Nutrition 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- RGFNRWTWDWVHDD-UHFFFAOYSA-N sec-butyl ester of butyric acid Natural products CCCC(=O)OCC(C)C RGFNRWTWDWVHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 2
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000002769 thiazolinyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001889 triflyl group Chemical group FC(F)(F)S(*)(=O)=O 0.000 description 2
- QVINPSQORHCFEX-UHFFFAOYSA-N $l^{1}-oxidanylsulfonylbenzene Chemical compound [O]S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 QVINPSQORHCFEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZEFPSJCRLPUDJQ-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxy-1-adamantyl) prop-2-enoate Chemical compound C1C(C2)CC3CC1C(O)C2(OC(=O)C=C)C3 ZEFPSJCRLPUDJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PLVOEKQNBIXHDI-SBSPUUFOSA-N (2R)-2-amino-3-[(7-hydroxy-2-oxochromene-3-carbonyl)amino]propanoic acid hydrochloride Chemical compound Cl.N[C@H](CNC(=O)c1cc2ccc(O)cc2oc1=O)C(O)=O PLVOEKQNBIXHDI-SBSPUUFOSA-N 0.000 description 1
- FRULOWHFMKCMSZ-UHFFFAOYSA-N (3-methyl-2-oxooxolan-3-yl) prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OC1(C)CCOC1=O FRULOWHFMKCMSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAXXETNIOYFMLW-UHFFFAOYSA-N (4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl) 2-methylprop-2-enoate Chemical compound C1CC2(C)C(OC(=O)C(=C)C)CC1C2(C)C IAXXETNIOYFMLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJWLARPZQVTJRY-UHFFFAOYSA-N (4-methyl-2-oxooxolan-3-yl) prop-2-enoate Chemical compound CC1COC(=O)C1OC(=O)C=C QJWLARPZQVTJRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JGTNAGYHADQMCM-UHFFFAOYSA-M 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F JGTNAGYHADQMCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWROXSBGGDBUPG-UHFFFAOYSA-N 1-(chloromethoxy)nonane Chemical compound CCCCCCCCCOCCl KWROXSBGGDBUPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVNVAWHJIKLAGL-UHFFFAOYSA-N 2-(cyclohexen-1-yl)cyclohexan-1-one Chemical compound O=C1CCCCC1C1=CCCCC1 GVNVAWHJIKLAGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMEAFEGUMLZXBN-UHFFFAOYSA-N 2-butoxybutanoic acid Chemical compound CCCCOC(CC)C(O)=O ZMEAFEGUMLZXBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEEFZVUVFWOFBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyhexanoic acid Chemical compound CCCCOC(C(O)=O)CCCC JEEFZVUVFWOFBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXSVWFRZICUOLU-UHFFFAOYSA-N 2-butoxypropanoic acid Chemical compound CCCCOC(C)C(O)=O LXSVWFRZICUOLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRQZJRDOZAJRTN-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2,3-dimethylbutanoic acid Chemical compound CC(C)C(C)(O)C(O)=O JRQZJRDOZAJRTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUMACXVDVNRZJZ-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(C)COC(=O)C(C)=C RUMACXVDVNRZJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- BTWSDELVRHNNLR-UHFFFAOYSA-N 2-propoxyethyl propanoate Chemical compound CCCOCCOC(=O)CC BTWSDELVRHNNLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBWCITVBZLTEKW-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethyladamantan-1-ol Chemical compound C1C(C2)CC3(C)CC1(C)CC2(O)C3 LBWCITVBZLTEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003469 3-methylhexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 3-methylideneoxolane-2,5-dione Chemical compound C=C1CC(=O)OC1=O OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006201 3-phenylpropyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- CWOGZIWRGNFSBS-UHFFFAOYSA-N 3-phenylsulfanylbenzene-1,2-diol Chemical compound OC1=CC=CC(SC=2C=CC=CC=2)=C1O CWOGZIWRGNFSBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHGIMAJUMPMTFZ-UHFFFAOYSA-N 3-propoxybutyl propanoate Chemical compound CCCOC(C)CCOC(=O)CC VHGIMAJUMPMTFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOOOYSCXEXMXGY-UHFFFAOYSA-N 3-propoxypropyl propanoate Chemical compound CCCOCCCOC(=O)CC VOOOYSCXEXMXGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQRONKZLYKUEMO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-(2,4,6-trimethylphenyl)pent-4-en-2-one Chemical group CC(=C)CC(=O)Cc1c(C)cc(C)cc1C UQRONKZLYKUEMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N Benzyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N Butyl lactate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)O MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SKXAQHQAHFOFLZ-UHFFFAOYSA-N C(C(=O)C)(=O)OC.C(C)(=O)OCCCC Chemical compound C(C(=O)C)(=O)OC.C(C)(=O)OCCCC SKXAQHQAHFOFLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWBHYNWCEIEGRC-UHFFFAOYSA-N C1CC2(CC1C3C2(OC3)C(F)(F)F)OCCl Chemical compound C1CC2(CC1C3C2(OC3)C(F)(F)F)OCCl PWBHYNWCEIEGRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 101150065749 Churc1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N Ethyl pyruvate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=O XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VKEQTYQDKIQRPF-UHFFFAOYSA-N FC(C1(C(F)(F)F)OC(C2CC2)C1C(C1)CC1OCOc(cc1)ccc1S(C1CCCCC1)c(cc1)ccc1OCOC(CC(C1)C23)C1C2OC3(C(F)(F)F)C(F)(F)F)(F)F Chemical compound FC(C1(C(F)(F)F)OC(C2CC2)C1C(C1)CC1OCOc(cc1)ccc1S(C1CCCCC1)c(cc1)ccc1OCOC(CC(C1)C23)C1C2OC3(C(F)(F)F)C(F)(F)F)(F)F VKEQTYQDKIQRPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHNHBDERVRNFV-UHFFFAOYSA-N Oc(cc1)ccc1S(c1ccccc1)c(cc1)ccc1O Chemical compound Oc(cc1)ccc1S(c1ccccc1)c(cc1)ccc1O PCHNHBDERVRNFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010748 Photoabsorption Effects 0.000 description 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 102100038239 Protein Churchill Human genes 0.000 description 1
- 208000034189 Sclerosis Diseases 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004902 Softening Agent Substances 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 1
- OPLYDSLPKIFDAA-UHFFFAOYSA-M [F-].[S+](=O)(=O)=O Chemical compound [F-].[S+](=O)(=O)=O OPLYDSLPKIFDAA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001346 alkyl aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 235000019445 benzyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- 229960004217 benzyl alcohol Drugs 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- KDOLGPLJUMQYBO-UHFFFAOYSA-N butyl 2-hydroxy-2-methylpropanoate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)(C)O KDOLGPLJUMQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MENWVOUYOZQBDM-UHFFFAOYSA-N butyl 3-hydroxypropanoate Chemical compound CCCCOC(=O)CCO MENWVOUYOZQBDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930188620 butyrolactone Natural products 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000002592 cumenyl group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)C(C)C 0.000 description 1
- 150000005676 cyclic carbonates Chemical class 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- QYMFNZIUDRQRSA-UHFFFAOYSA-N dimethyl butanedioate;dimethyl hexanedioate;dimethyl pentanedioate Chemical class COC(=O)CCC(=O)OC.COC(=O)CCCC(=O)OC.COC(=O)CCCCC(=O)OC QYMFNZIUDRQRSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000003754 ethoxycarbonyl group Chemical group C(=O)(OCC)* 0.000 description 1
- UKDLORMZNPQILV-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)CCO UKDLORMZNPQILV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940093499 ethyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 125000006125 ethylsulfonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- XMWSUKJNPRAXAU-UHFFFAOYSA-N fluoro benzenesulfonate Chemical compound FOS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 XMWSUKJNPRAXAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004407 fluoroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 229940051250 hexylene glycol Drugs 0.000 description 1
- 125000003707 hexyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N isobutyric acid Chemical compound CC(C)C(O)=O KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940024423 isopropyl isobutyrate Drugs 0.000 description 1
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical class CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000003863 metallic catalyst Substances 0.000 description 1
- HZVOZRGWRWCICA-UHFFFAOYSA-N methanediyl Chemical compound [CH2] HZVOZRGWRWCICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005525 methide group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001160 methoxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC(*)=O 0.000 description 1
- 125000004184 methoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 1
- YVWPDYFVVMNWDT-UHFFFAOYSA-N methyl 2-ethoxypropanoate Chemical class CCOC(C)C(=O)OC YVWPDYFVVMNWDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSDFKDZBJMDHFF-UHFFFAOYSA-N methyl 3-ethoxypropanoate Chemical class CCOCCC(=O)OC HSDFKDZBJMDHFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N n,n-dioctyloctan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN(CCCCCCCC)CCCCCCCC XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N n-Propyl acetate Natural products CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940017144 n-butyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004923 naphthylmethyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C* 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical group C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004115 pentoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005003 perfluorobutyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000011165 process development Methods 0.000 description 1
- OVARTBFNCCXQKS-UHFFFAOYSA-N propan-2-one;hydrate Chemical compound O.CC(C)=O OVARTBFNCCXQKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTNKPINVMZDAHQ-UHFFFAOYSA-N propan-2-yl 2-hydroxy-2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)OC(=O)C(C)(C)O UTNKPINVMZDAHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFKFCNLAMLYNCQ-UHFFFAOYSA-N propoxymethyl propanoate Chemical compound CCCOCOC(=O)CC GFKFCNLAMLYNCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILVGAIQLOCKNQA-UHFFFAOYSA-N propyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCCOC(=O)C(C)O ILVGAIQLOCKNQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KNCDNPMGXGIVOM-UHFFFAOYSA-N propyl 3-hydroxypropanoate Chemical compound CCCOC(=O)CCO KNCDNPMGXGIVOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940090181 propyl acetate Drugs 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 238000006462 rearrangement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007634 remodeling Methods 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 238000007152 ring opening metathesis polymerisation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 1
- LXMSZDCAJNLERA-ZHYRCANASA-N spironolactone Chemical compound C([C@@H]1[C@]2(C)CC[C@@H]3[C@@]4(C)CCC(=O)C=C4C[C@H]([C@@H]13)SC(=O)C)C[C@@]21CCC(=O)O1 LXMSZDCAJNLERA-ZHYRCANASA-N 0.000 description 1
- 229960002256 spironolactone Drugs 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- SJGSVFXEXGQCCY-UHFFFAOYSA-N sulfuryl dichloride;trifluoromethylbenzene Chemical compound ClS(Cl)(=O)=O.FC(F)(F)C1=CC=CC=C1 SJGSVFXEXGQCCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 229920001059 synthetic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEZYFYMYMKUAHY-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,4-dibenzylpiperazine-1-carboxylate Chemical compound C1C(CC=2C=CC=CC=2)N(C(=O)OC(C)(C)C)CCN1CC1=CC=CC=C1 WEZYFYMYMKUAHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012745 toughening agent Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- JSPLKZUTYZBBKA-UHFFFAOYSA-N trioxidane Chemical class OOO JSPLKZUTYZBBKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002948 undecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 1
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Abstract
本发明涉及新的光产酸剂。本发明涉及新的光活性化合物，其在缩微平版印刷术领域用于光刻组合物，尤其用于半导体元件生产中的阴性成像和阳性图像，以及用于光刻胶成像中的光刻胶组合物和工艺。
Description
技术领域
本申请是中国专利申请200680042913.3的分案申请。本发明涉及新的光活性化合物，其在缩微平版印刷术领域用于光刻组合物，尤其用于半导体元件生产中的阴性成像和阳性图像，以及用于光刻胶成像中的光刻胶组合物和工艺。
背景技术
光刻胶组合物用于制造小型化电子元件的缩微平版印刷工艺，例如用于制造电脑芯片和集成电路。通常，在这些工艺中，首先将光刻胶组合物的薄膜涂层施加于基底材料上，例如用来制作集成电路的硅片。然后将涂覆的基底烘烤，蒸发光刻胶组合物中的任何溶剂，并将涂层固定在基底上。紧接着，使涂在基底上的光刻胶对于辐射进行成像方式的曝光。
辐射曝光导致涂覆表面的曝露面中的化学转变。可见光、紫外(UV)光、电子束和X射线辐射能是当今在微光刻技术中通常使用的辐射类型。这种成像方式的曝光之后，将涂覆基底用显影液处理，以溶解并去掉光刻胶的辐射曝光或未曝光的区域。半导体元件的小型化倾向，导致了在越来越低辐射波长处可以感光的新的光刻胶的使用，并且也导致了复杂多级***的使用，以克服与这种小型化有关的困难。
有两种类型的光刻胶组合物：负性作用和正性作用。在光刻技术中的特定点使用的光刻胶类型是由半导体器件的设计所决定的。当负性作用光刻胶组合物辐射曝光成像时，暴露于辐射中的光刻胶组合物的区域变得不易溶解于显影液中(例如发生交联反应)，而光致抗蚀涂层的未曝光区域相对可溶解于这种溶液中。因而，用显像剂处理曝光的负型抗蚀剂，可导致光刻胶涂层的非曝光区的除去，并在涂层中产生负像，由此暴露出底层基底表面的所需部分，光刻胶组合物沉积在该表面上。
另一方面，当正性作用感光胶组合物以成像方式对于辐射曝光时，暴露于辐射中的光刻胶组合物的区域变得更易溶解于显影液中(例如发生重排反应)，而未曝光区域变得相对不能溶解于显影液中。因而，用显像剂处理曝光的正性感光胶，可以除去涂层的曝光区域，并在光刻胶涂层中产生正像。此外，露出下面表面的所需部分。
将光刻胶分辨率定义为：抗蚀剂组合物能够在曝光和显像之后以高度成像边缘锐度从光掩模转移到基底中的最小特征。在当今的许多前沿制造应用中，大约小于二分之一μm(微米)的光刻胶分辨率是必要的。另外，显像的光刻胶壁面轮廓接近垂直于基底通常是合乎需要的。在抗蚀剂涂层的显像和未显像区域之间的这种界线，可以在基底上转化成掩模图像的精确图型传递。因为推行小型化可降低器件的临界尺寸，这变得甚至更关键。如果光刻胶尺寸已经降低到低于150纳米，光刻胶图像的粗糙度变成关键性的问题。边缘粗糙度，通常被称为线边缘粗糙度，对于线条和空间图形典型地以沿着光刻胶线的粗糙度加以观察，和对于接触孔典型地以侧壁粗糙度加以观察。边缘粗糙度在光刻胶的平版印刷特性上具有反效果，特别是在可以降低临界尺寸幅度方面，以及在将光刻胶的线边缘粗糙度转移至基底方面。因此，具有最小边缘粗糙度的光刻胶是非常合乎需要的。
对短波长(在大约100纳米和大约300纳米之间)敏感的光刻胶，常常用于要求亚半微米几何图形的地方。特别优选的是包含非芳族聚合物、光产酸剂、任选溶解抑制剂和溶剂的光刻胶。
高分辨率、化学增幅、深紫外(100-300纳米)的正和负性色调光刻胶可用于具有小于四分之一微米的几何图形的图像的图案形成。迄今为止，有三种主要的深紫外(UV)曝光技术，其在小型化方面提供了有效的改进，并且这些技术使用在248纳米、193纳米和157纳米发射辐射的激光器。用于深UV的光刻胶典型地包含聚合物，这种聚合物具有酸基团并且其在酸存在的情况下能够去保护、光吸收时产生酸的光活性成分和溶剂。
用于248纳米的光刻胶典型地是基于取代的聚羟基苯乙烯和它的共聚物，例如在US 4,491,628和US 5,350,660中描述的那些。另一方面，用于193纳米曝光的光刻胶要求非芳族聚合物，因为芳族化合物在该波长处不透明。US 5,843,624和GB 2,320,718公开了可用于193纳米曝光的光刻胶。通常，包含脂环族烃的聚合物可用于200纳米以下曝光的光刻胶。由于种种理由将脂环族烃结合进聚合物中，主要因为它们具有比较高的碳∶氢比例，这可以提高抗蚀性，它们也在低波长处提供透明性，并且它们具有比较高的玻璃化转变温度。在157纳米处敏感的光刻胶基于氟化聚合物，已知其在该波长处是透明的。源于聚合物(其包含氟化基团)的光刻胶描述在WO00/67072和WO 00/17712中。
在光刻胶中使用的聚合物被设计成对成像波长是透明的，但另一方面，已经典型地将光活性成分设计成在成像波长处吸收以达到最佳感光性。光刻胶的感光性取决于光活性成分的吸收特性，吸收越高、产生酸所需的能量越小，光刻胶越具有感光性。
发明内容
本发明涉及具有下式的化合物
其中RA、RB各自独立地是OR1，RC独立地是氢或OR1，其中每个R1独立地是氢，烷基，烷氧基烷基，烷氧羰基烷基，烷基羰基，其中环烷基环任选包含一个或多个O原子的单环烷基-或多环烷基氧基羰基烷基，其中环烷基环任选包含一个或多个O原子的单环烷基-或多环烷基氧基烷基，SO2R4和SiR4 3，其中R4是烷基，芳基，或其中环烷基环任选包含一个或多个O原子的单环烷基或多环烷基，所述烷基，烷氧基烷基，烷氧羰基烷基，烷基羰基，芳基，其中环烷基环任选包含一个或多个O原子的单环烷基-或多环烷基氧基羰基烷基，其中环烷基环包含一个或多个O原子的单环烷基-或多环烷基氧基烷基，和其中环烷基环包含一个或多个O原子的单环烷基或多环烷基是未取代的或被一或多个如下基团取代：卤素，烷基，单环烷基或多环烷基取代，烷氧基，环烷氧基，二烷基氨基，双环二烷基氨基，羟基，氰基，硝基，三氟代乙烷磺酰基(tresyl)，氧代，芳基，芳烷基，氧原子，CF3SO3，芳氧基，芳基硫基和式(II)至(VI)的基团：
其中R10和R11每个独立地表示氢原子，任选包含一个或多个O原子的直链或支链烷基链，或单环烷基或多环烷基，或R10和R11能够一起表示亚烷基以形成五或六元环，
R12表示任选包含一个或多个O原子的直链或支链烷基链，单环烷基或多环烷基，或芳烷基，或R10和R12一起表示亚烷基，与***的-C-O-基团一起形成五或六元环，环中的碳原子任选被氧原子取代，
R13表示任选包含一个或多个O原子的直链或支链烷基链，或单环烷基或多环烷基，
R14和R15每个独立地表示氢原子，任选包含一个或多个O原子的直链或支链烷基链，或单环烷基或多环烷基，
R16表示任选包含一个或多个O原子的直链或支链烷基链，单环烷基或多环烷基，芳基或芳烷基，
R17表示任选包含一个或多个O原子的C1-20直链或支链烷基链，单环烷基或多环烷基，芳基，芳烷基，基团-SiR16 2R17，或基团-O-SiR16 2R17，任选包含一个或多个O原子的C1-20直链或支链烷基链、单环烷基或多环烷基、芳基和芳烷基是未被取代的或按照上面的方式被取代；和
X-是阴离子。
本发明也涉及用于深UV成像的光刻胶组合物，其包含聚合物和本发明的化合物，聚合物包含酸不稳定基团。本发明还涉及使光刻胶成像的方法，该方法包括下列步骤：用本发明的组合物涂覆基底，烘焙基底以基本上除去溶剂，使光刻胶涂层以成像方式曝光，曝光后烘焙光刻胶涂层，和用碱性水溶液使光刻胶涂层显影。
具体实施方式
本发明涉及具有下式的化合物
其中RA、RB各自独立地是OR1，RC独立地是氢或OR1，其中每个R1独立地是氢，烷基，烷氧基烷基，烷氧羰基烷基，烷基羰基，其中环烷基环任选包含一个或多个O原子的单环烷基-或多环烷基氧基羰基烷基，其中环烷基环任选包含一个或多个O原子的单环烷基-或多环烷基氧基烷基，SO2R4和SiR4 3，其中R4是烷基，芳基，或其中环烷基环任选包含一个或多个O原子单环烷基或多环烷基，所述烷基，烷氧基烷基，烷氧羰基烷基，烷基羰基，芳基，其中环烷基环任选包含一个或多个O原子的单环烷基-或多环烷基氧基羰基烷基，其中环烷基环包含一个或多个O原子的单环烷基-或多环烷基氧基烷基，和其中环烷基环包含一个或多个O原子的单环烷基或多环烷基是未取代的或被一或多个如下基团取代：卤素，烷基，单环烷基或多环烷基取代，烷氧基，环烷氧基，二烷基氨基，双环二烷基氨基，羟基，氰基，硝基，三氟代乙烷磺酰基(tresyl)，氧代，芳基，芳烷基，氧原子，CF3SO3，芳氧基，芳基硫基和式(II)至(VI)的基团：
其中R10和R11每个独立地表示氢原子，任选包含一个或多个O原子的直链或支链烷基链，或单环烷基或多环烷基，或R10和R11能够一起表示亚烷基以形成五或六元环，
R12表示任选包含一个或多个O原子的直链或支链烷基链，单环烷基或多环烷基，或芳烷基，或R10和R12一起表示亚烷基，与***的-C-O-基团一起形成五或六元环，环中的碳原子任选被氧原子取代，
R13表示任选包含一个或多个O原子的直链或支链烷基链，或单环烷基或多环烷基，
R14和R15每个独立地表示氢原子，任选包含一个或多个O原子的直链或支链烷基链，或单环烷基或多环烷基，
R16表示任选包含一个或多个O原子的直链或支链烷基链，单环烷基或多环烷基，芳基或芳烷基，和
R17表示任选包含一个或多个O原子的C1-20直链或支链烷基链，单环烷基或多环烷基，芳基，芳烷基，基团-SiR16 2R17，或基团-O-SiR16 2R17，任选包含一个或多个O原子的C1-20直链或支链烷基链、单环烷基或多环烷基、芳基和芳烷基是未被取代的或按照上面的方式被取代；和
X-是阴离子，优选在光刻胶应用中可接受的阴离子。
本发明也涉及用于远UV成像的光刻胶组合物，其包含聚合物和本发明的化合物，聚合物包含酸不稳定基团。本发明还涉及使光刻胶成像的方法，该方法包括下列步骤：用本发明的组合物涂覆基底，烘焙基底以基本上除去溶剂，使光刻胶涂层以成像方式曝光，曝光后烘焙光刻胶涂层，和用碱性水溶液使光刻胶涂层显影。
本文中使用的术语烷基是指直链或支链烃，其优选具有1至20个碳原子。烷基的典型例子包括但是不局限于：甲基，乙基，正丙基，异丙基，正丁基，仲丁基，异丁基，叔丁基，正戊基，异戊基，新戊基，正己基，3-甲基己基，2，2-二甲基戊基，2，3-二甲基戊基，正庚基，正辛基，正壬基，和正癸基。
亚烷基指的是二价烷基，其可以是直链或支链的，例如亚甲基，亚乙基，亚丙基，亚丁基等等。
羰基是指-C(O)-。
本文中使用的术语单环烷基是指任选取代的、饱和或部分不饱和的单环烷基环状体系，优选具有3至8个碳原子，其中如果环是部分不饱和的，则其是单环烯基。这种单环烷基环的例子包括环丙基，环丁基，环戊基，环己基或环庚基。
本文中使用的术语多环烷基是指任选取代的、饱和或部分不饱和的多环烷基环状体系，包含两个或多个环，优选具有5至20个碳原子，其中如果环体系是部分不饱和的，则其是多环烯基。这种多环烷基环的例子包括但是不局限于：3-氧杂三环[4.2.1.02，5]壬基，四环[5.2.2.0.0]十一烷基，冰片基，异冰片基，降冰片基和金刚烷基。
本文中使用的术语芳基是指通过除去一个氢原子而衍生自芳烃(优选具有6至14个碳原子)的原子团，并且可以是取代或未取代的。芳烃可以是单核或多核的。单核类型的芳基的例子包括苯基，甲苯基，二甲苯基，2，4，6-三甲苯基，枯烯基等等。多核类型的芳基的例子包括萘基，蒽基，菲基等等。
本文中使用的术语烯基是指衍生自直链或支链烃，优选具有2至20个碳原子，并且包含至少一个双键的基团。
术语烷氧基是指基团烷基-O-，其中烷基如本文所定义。烷氧基的典型例子包括但是不局限于：甲氧基，乙氧基，丙氧基，2-丙氧基，丁氧基，叔丁氧基，戊氧基，和己氧基。
术语芳氧基是指芳基-O-基团，其中芳基如本文所定义。
术语烷氧羰基烷基是指被本文定义的烷氧羰基取代的烷基。烷氧羰基烷基的例子包括：甲氧羰基甲基[CH3O-C(＝O)-CH2-]，乙氧羰基甲基[CH3CH2O-C(＝O)-CH2-]，甲氧羰基乙基[CH3O-C(＝O)-CH2CH2-]，和乙氧羰基乙基[CH3CH2O-C(＝O)-CH2CH2-]。
术语环烷氧基是指基团单环烷基-O-或多环烷基-O-，其中单环烷基或多环烷基如本文所定义。
本文中使用的术语烷基羰基是指通过本文所定义的羰基附加到母分子部分上的本文所定义的烷基，其一般可以表示为烷基-C(O)-。烷基羰基的典型例子包括但是不局限于：乙酰基(甲基羰基)，丁酰基(丙基羰基)，辛酰基(庚基羰基)，十二烷酰基(十一基羰基)，等等。
烷氧羰基是指烷基-O-C(O)-，其中烷基如先前所描述。非限制性例子包括：甲氧羰基[CH3O-C(O)-]和乙氧羰基[CH3CH2O-C(O)-]，苄氧羰基[C6H5CH2O-C(O)-]等等。
烷氧基烷基是指末端烷基是通过醚氧原子与烷基部分连接的，其一般可以表示为烷基-O-烷基，其中烷基可以是直链或支链的。烷氧基烷基的例子包括但是不局限于：甲氧基丙基，甲氧基丁基，乙氧基丙基，甲氧基甲基。
单环烷基-或多环烷基氧基羰基烷基是指末端单环烷基或多环烷基是通过-O-C(＝O)-与烷基部分连接的，一般表示为单环烷基-或多环烷基-O-C(＝O)-烷基。
单环烷基-或多环烷基氧基烷基是指末端单环烷基或多环烷基是通过醚氧原子与烷基部分连接的，一般表示为单环烷基-或多环烷基-O-烷基。
术语芳烷基是指其中氢原子被芳基取代的烷基，其中芳基和烷基如上面所定义。芳烷基的例子包括(非限制性)：苄基，2-苯基乙基，3-苯基丙基，4-苯基丁基，5-苯基戊基，4-苯基环己基，4-苄基环己基，4-苯基环己基甲基，4-苄基环己基甲基，萘基甲基等等。
阴离子X-的例子包括通常用光产酸剂得到的那些，可以包括例如，CF3SO3 -，CHF2SO3 -，CH3SO3 -，CCl3SO3 -，C2F5SO3 -，C2HF4SO3 -，C4F9SO3 -，五氟苯磺酸根，(Rf1SO2)3C-和(Rf1SO2)2N-，其中每个Rf1独立地选自高度氟化或完全氟化的烷基或氟化芳基，并且可以是环状的，当任何两个Rf1基团的组合连接形成桥时，进一步的，Rf1烷基链包含1-20个碳原子，任选包含悬链氧，并且可以是直链、支链或环状的，这样二价氧、三价氮或六价硫可以间隔骨架链，进一步的，当Rf1包含环状结构时，这种结构具有5或6个环员，任选其中1或2个是杂原子，Rg-O-Rf2-SO3 -，其中Rf2选自直链或支链(CF2)j，其中j是从4至10的整数，和C1-C12全氟环烷基二价基，其任选被全氟代C1-10烷基取代。
Rg选自C1-C20直链、支链的单环烷基或多环烷基，C1-C20直链、支链的单环烯基或多环烯基，芳基和芳烷基，烷基、烯基、芳烷基和芳基是未取代的、取代的，任选包含一或多个悬链氧原子，部分氟化或完全氟化。例子包括(C2F5SO2)2N-，(C4F9SO2)2N-，(C8F17SO2)3C-，(CF3SO2)3C-，(CF3SO2)2N-，(SO2C8F17)2N-，(SO2CF3)(SO2C8F17)N-，(CF3SO2)(C4F9SO2)N-，(SO2C3F7)2N-，(C2F5SO2)3C-，(C4F9SO2)3C-，(CF3SO2)2(C2F5SO2)C-，(C4F9SO2)(C2F5SO2)2C-，(CF3SO2)(C4F9SO2)N-，[(CF3)2NC2F4SO2]2N-，(CF3)2NC2F4SO2C-(SO2CF3)2，(3，5-二(CF3)C6H3)SO2N-SO2CF3，C6F5SO2C-(SO2CF3)2，C6F5SO2N-SO2CF3，
CF3CHFO(CF2)4SO3 -，CF3CH2O(CF2)4SO3 -，CH3CH2O(CF2)4SO3 -，CH3CH2CH2O(CF2)4SO3 -，CH3O(CF2)4SO3 -，C2H5O(CF2)4SO3 -，C4H9O(CF2)4SO3 -，C6H5CH2O(CF2)4SO3 -，C2H5OCF2CF(CF3)SO-，CH2＝CHCH2O(CF2)4SO3 -，CH3OCF2CF(CF3)SO3 -，C4H9OCF2CF(CF3)SO3 -，C8H17O(CF2)2SO3 -，和C4H9O(CF2)2SO3 -。合适阴离子的其它例子可以在美国专利US 6,841,333和美国专利US 5,874,616中得到。
在本发明的一个实施方案中，RC是氢，RA和RB每个独立地是OR1，每个R1独立地是烷基羰基、其中环烷基环任选包含一个或多个O原子的单环烷基-或多环烷基氧基羰基烷基，其中环烷基环任选包含一个或多个O原子的单环烷基-或多环烷基氧基烷基，和SO2R4，其中R4是芳基、烷基羰基、其中环烷基环任选包含一个或多个O原子的单环烷基-或多环烷基氧基羰基烷基，其中环烷基环任选包含一个或多个O原子的单环烷基-或多环烷基氧基烷基，芳基是未取代的或取代的。
在进一步的实施方案中，RC是氢，RA和RB每个独立地是OR1，每个R1独立地是未取代的或取代的烷基羰基。
在进一步的实施方案中，RC是氢，RA和RB每个独立地是OR1，每个R1独立地是未取代的或取代的单环烷基-或多环烷基氧基羰基烷基，其中环烷基环任选包含一个或多个O原子。
在进一步的实施方案中，RC是氢，RA和RB每个独立地是OR1，每个R1独立地是SO2R4，其中R4是未取代的或取代的芳基。
按照本发明的化合物包括，例如，二[4-乙酰基氧基苯基]苯基锍全氟代丁磺酸盐，二[4-乙酰基氧基苯基]苯基锍4-(1，1，1，2-四氟乙氧基)全氟代丁磺酸盐，二[2-甲基金刚烷基-乙酰基氧基甲氧基苯基]苯基锍全氟丁磺酸盐，二[4，4-二(三氟甲基)-3-乙二酸三环[4.2.1.02，5]壬基-甲氧基苯基]苯基锍全氟代丁磺酸盐，二[4，4-二(三氟甲基)-3-乙二酸三环[4.2.1.02，5]壬基-甲氧基苯基]苯基锍全氟代甲磺酸盐，二[4，4-二(三氟甲基)-3-氧杂三环[4.2.1.02，5]-壬基甲氧苯基]苯基锍4-(1，1，1，2-四氟乙氧基)全氟代丁磺酸盐，二[4，4-二(三氟甲基)-3-氧杂三环[4.2.1.02，5]壬基-甲氧苯基]苯基锍二(三氟甲基磺酰基)酰亚胺，二[4，4-二(三氟甲基)-3-氧杂三环-[4.2.1.02，5]-壬基甲氧苯基]苯基锍二(全氟代乙基磺酰基)-酰亚胺，二[4，4-二(三氟甲基)-3-氧杂三环[4.2.1.02，5]-壬基甲氧苯基]苯基锍(全氟代甲基磺酰基)(全氟代丁基磺酰基)酰亚胺，二[4，4-二(三氟甲基)-3-氧杂三环[4.2.1.02，5]-壬基甲氧苯基]苯基锍二(全氟代丙基磺酰基)酰亚胺，二[4，4-二(三氟甲基)-3-氧杂三环[4.2.1.02，5]壬基甲氧基苯基]苯基锍二(全氟代丁基磺酰基)酰亚胺，二[4，4-二(三氟甲基)-3-氧杂三环-[4.2.1.02，5]-壬基甲氧苯基]苯基锍三(三氟甲基-磺酰基)甲基化物，二[4-乙酰基氧基苯基]苯基锍全氟代甲磺酸盐，二[4-乙酰氧基苯基]苯基锍二(三氟甲磺酰基)酰亚胺，二[4-乙酰氧基苯基]苯基锍二(全氟代乙磺酰基)酰亚胺，二[4-乙酰氧基苯基]苯基锍(全氟代甲磺酰基)(全氟代丁磺酰基)酰亚胺，二[4-乙酰氧基苯基]苯基锍二(全氟代丙磺酰基)酰亚胺，二[4-乙酰氧基苯基]苯基锍三(三氟甲磺酰基)甲基化物，二[4-乙酰氧基苯基]苯基锍4-丙氧基全氟代丁磺酸盐，二[4-乙酰氧基苯基]苯基锍二(全氟代丁磺酰基)酰亚胺，二[2-甲基金刚烷基乙酰基氧基甲氧苯基]苯基锍-4-(1，1，1，2-四氟乙氧基)全氟代丁烷-磺酸盐，二[2-甲基金刚烷基乙酰基氧基甲氧苯基]苯基锍全氟代甲磺酸盐，二[2-甲基金刚烷基乙酰基氧基甲氧苯基]苯基锍二(三氟甲磺酰基)酰亚胺，二[2-甲基金刚烷基乙酰基氧基-甲氧基苯基]苯基锍二(全氟代乙磺酰基)酰亚胺，二[2-甲基金刚烷基-乙酰基氧基甲氧苯基]苯基锍(全氟代甲基磺酰基)(全氟代丁磺酰基)酰亚胺，二[2-甲基金刚烷基-乙酰基氧基甲氧基苯基]苯基锍二(全氟代丙磺酰基)酰亚胺，二[2-甲基金刚烷基-乙酰基氧基甲氧苯基]苯基锍4-丙氧基全氟代丁磺酸盐，二[2-甲基金刚烷基乙酰基氧基-甲氧苯基]苯基锍三(三氟甲基-磺酰基)甲基化物，二[2-甲基金刚烷基乙酰基氧基甲氧基苯基]苯基锍二(全氟代丁磺酰基)酰亚胺，二[4，4-二(三氟甲基)-3-氧杂三环-[4.2.1.02，5]壬基甲氧苯基]苯基锍4-丙氧基全氟代丁烷-磺酸盐，二[4-羟基苯基]苯基锍二(全氟代乙磺酰基)酰亚胺，二[4-羟基苯基]苯基锍二(三氟甲磺酰基)酰亚胺，二[4-羟基苯基]苯基锍(全氟代甲磺酰基)(全氟代丁基-磺酰基)酰亚胺，二[4-羟基苯基]-苯基锍二(全氟代丙基磺酰基)酰亚胺，二[4-羟基苯基]-苯基锍二(全氟代丁基-磺酰基)酰亚胺，二[4-羟基苯基]-苯基锍三(三氟甲磺酰基)甲基化物，二[4-羟基苯基]-苯基锍4-(1，1，1，2-四氟乙氧基)全氟代丁磺酸盐，二[4-羟基苯基]-苯基锍4-丙氧基全氟代丁磺酸盐，二[4-羟基苯基]苯基锍全氟代丁磺酸盐，二[4-羟基苯基]-苯基锍全氟代甲烷-磺酸盐，二[4-五氟代苯-磺酰基氧基苯基]苯基锍二(全氟代乙磺酰基)酰亚胺，二[4-五氟代苯-磺酰基氧基苯基]苯基锍二(三氟甲磺酰基)酰亚胺，二[4-五氟苯-磺酰基氧基苯基]苯基锍(全氟代甲磺酰基)(全氟代丁基-磺酰基)酰亚胺，二[4-五氟代-苯磺酰基氧基苯基]苯基锍二(全氟代丙磺酰基)酰亚胺，二[4-五氟代苯磺酰基氧基苯基]苯基锍二(全氟代丁基-磺酰基)酰亚胺，二[4-五氟苯磺酰基-氧基苯基]苯基锍三(三氟甲磺酰基)甲基化物，二[4-五氟代苯-磺酰基氧基苯基]苯基锍4-(1，1，1，2-四氟乙氧基)全氟代丁磺酸盐，二[4-五氟苯磺酰基-氧基苯基]苯基锍4-丙氧基全氟丁磺酸盐，二[4-五氟苯-磺酰基氧基苯基]苯基锍全氟代丁磺酸盐，二[4-五氟苯磺酰基氧基苯基]苯基锍全氟代甲烷-磺酸盐，二[4-(3，5-二(三氟甲基)-苯磺酰基氧基)苯基]苯基锍二(全氟代乙磺酰基)酰亚胺，二[4-(3，5-二(三氟甲基)苯磺酰基氧基)-苯基]苯基锍二(三氟甲磺酰基)酰亚胺，二[4-(3，5-二(三氟-甲基)苯-磺酰基氧基)苯基]苯基锍(全氟代甲磺酰基)(全氟代丁磺酰基)酰亚胺，二[4-(3，5-二(三氟甲基)苯磺酰基-氧基)苯基]苯基锍二(全氟代丙磺酰基)酰亚胺，二[4-(3，5-二(三氟甲基)苯磺酰基氧基)苯基]苯基锍二(全氟代丁基-磺酰基)酰亚胺，二[4-(3，5-二(三氟甲基)苯磺酰基氧基)苯基]苯基锍三(三氟甲磺酰基)甲基化物，二[4-(3，5-二(三氟-甲基)苯磺酰基氧基)苯基]苯基锍4-(1，1，1，2-四氟乙氧基)全氟代丁磺酸盐，二[4-(3，5-二(三氟甲基)-苯磺酰基氧基)苯基]苯基锍4-丙氧基全氟代丁磺酸盐，二[4-(3，5-二(三氟甲基)-苯磺酰基氧基)苯基]苯基锍全氟代丁磺酸盐，二[4-(3，5-二(三氟甲基)苯磺酰基-氧基)苯基]苯基锍全氟代甲烷-磺酸盐，二[4-三氟甲磺酰基氧基)苯基]苯基锍二(全氟乙基磺酰基)酰亚胺，二[4-三氟甲磺酰基氧基)苯基]苯基锍二(三氟甲基-磺酰基)酰亚胺，二[4-三氟甲磺酰基氧基)苯基]苯基锍(全氟代甲磺酰基)(全氟代丁磺酰基)酰亚胺，二[4-三氟甲磺酰基氧基)苯基]苯基锍二(全氟代丙基磺酰基)酰亚胺，二[4-三氟甲磺酰基氧基)苯基]苯基锍二(全氟代丁基-磺酰基)酰亚胺，二[4-三氟甲磺酰基氧基)苯基]苯基锍三(三氟甲磺酰基)甲基化物，二[4-三氟甲基-磺酰基氧基)苯基]苯基锍4-(1，1，1，2-四氟乙氧基)全氟代丁磺酸盐，二[4-三氟甲磺酰基氧基)苯基]苯基锍4-丙氧基全氟代丁磺酸盐，二[4-三氟甲基-磺酰基氧基)苯基]苯基锍全氟代丁磺酸盐，和二[4-三氟甲磺酰基氧基)苯基]苯基锍全氟代甲磺酸盐。
可以按照本领域技术人员公认的方法和例如在下文中描述的方法来合成本发明的化合物：Houben，Weyl，Methoden der OrganischenChemie(有机化学方法)，Thieme Verlag，Stuttgart，纽约。
进一步参考工作实施例中描述的方法，其对于本领域技术人员可以作为进一步制备本发明化合物的准则。
用于光刻胶组合物中的聚合物包括具有酸不稳定基团的那些聚合物，酸不稳定基团可以使聚合物不能溶解在碱性水溶液中，但是这种聚合物在酸存在的情况下可以将聚合物催化去保护，则聚合物变成可溶于碱性水溶液中。优选，聚合物在200纳米以下是透明的，并且基本上是非芳族的，优选丙烯酸酯和/或环烯烃聚合物。这种聚合物是例如但不限于描述在US 5,843,624、US 5,879,857、WO 97/33,198、EP 789,278和GB 2,332,679中的那些。用于200纳米以下照射的优选的非芳香性聚合物是取代的丙烯酸酯、环烯烃、取代的聚乙烯等等。还可以使用基于聚羟基苯乙烯的芳族聚合物和其共聚物，尤其对于248纳米曝光。
基于丙烯酸酯的聚合物通常以聚(甲基)丙烯酸酯为基础，其中至少一个单元含有侧挂脂环基和酸不稳定基团侧挂在聚合物骨架和/或脂环基上。侧挂脂环基的例子可以是金刚烷基，三环癸基，异冰片基，
基和它们的衍生物。还可以将其它侧基结合进聚合物中，例如甲瓦龙酸内酯、γ丁内酯、烷基氧基烷基等等。脂环基的结构的例子包括：
将单体类型和其结合进聚合物中的比例最佳化，以得到最好的平版印刷性能。这种聚合物描述在下列中：R.R.Dammel等人，Advancesin Resist Technology and Processing，SPIE，Vol.3333，p144，(1998)。这些聚合物的例子包括聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-甲瓦龙酸内酯甲基丙烯酸酯)，聚(羧基-四环十二烷基甲基丙烯酸酯-共聚-四氢吡喃基-羧基四环十二烷基甲基丙烯酸酯)，聚(三环癸基丙烯酸酯-共聚-四氢-吡喃基甲基丙烯酸酯-共聚-甲基丙烯酸)，和聚(3-氧代环己基甲基丙烯酸酯-共聚-金刚烷基甲基丙烯酸酯)。
由环烯与降冰片烯和四环十二烯衍生物合成的聚合物，可以通过开环易位、自由基聚合或使用有机金属催化剂进行聚合。环烯衍生物也可以与环酐或与马来酰亚胺或其衍生物共聚合。环酐的例子是马来酸酐(MA)和衣康酸酐。可以将环烯结合进聚合物的骨架中，并且可以是含有不饱和键的任何取代或未取代的多环烃。单体可以连接酸不稳定基团。可以由一或多种具有不饱和键的环烯单体来合成聚合物。环烯单体可以是取代或未取代的降冰片烯或四环十二烷。环烯上的取代基可以是脂族或环脂族烷基、酯、酸、羟基、腈或烷基衍生物。环烯单体的例子非限制性地包括：
在聚合物合成中也可以使用的其它环烯单体是：
这种聚合物描述在下面参考文献中，并将其引入本文：M-D.Rahman等人，Advances in Resist Technology and Processing，SPIE，Vol.3678，p1193，(1999)。这些聚合物的例子包括聚((叔丁基5-降冰片烯-2-羧酸酯-共聚-2-羟乙基5-降冰片烯-2-羧酸酯-共聚-5-降冰片烯-2-羧酸-共聚-马来酸酐)，聚(叔丁基5-降冰片烯-2-羧酸酯-共聚-异冰片基-5-降冰片烯-2-羧酸酯-共聚-2-羟乙基5-降冰片烯-2-羧酸酯-共聚-5-降冰片烯-2-羧酸-共聚-马来酸酐)，聚(四环十二烯-5-羧酸酯-共聚-马来酸酐)，聚(叔丁基5-降冰片烯-2-羧酸酯-共聚-马来酸酐-共聚-2-甲基金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-2-甲瓦龙酸内酯甲基丙烯酸酯)，聚(2-甲基金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-2-甲瓦龙酸内酯甲基丙烯酸酯)等等。
含有(甲基)丙烯酸酯单体、环烯烃单体和环酸酐的聚合物，其中这种单体如上所述，也可以结合到杂化聚合物中。环烯单体的例子包括选自下列的那些：降冰片烯羧酸叔丁基酯(BNC)，降冰片烯羧酸羟乙基酯(HNC)，降冰片烯羧酸(NC)，叔丁基四环[4.4.0.1.2，61.7，10]十二-8-烯-3-羧酸酯，和叔丁氧基羰基甲基四环[4.4.0.1.2，61.7，10]十二-8-烯-3-羧酸酯。在有些情况下，环烯的优选例子包括降冰片烯羧酸叔丁基酯(BNC)，降冰片烯羧酸羟乙基酯(HNC)和降冰片烯羧酸(NC)。(甲基)丙烯酸酯单体的例子尤其包括选自下列的那些：甲瓦龙酸内酯甲基丙烯酸酯(MLMA)，2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯(MAdMA)，2-金刚烷基甲基丙烯酸甲基酯(AdMA)，2-甲基-2-金刚烷基丙烯酸酯(MAdA)，2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯(EAdMA)，3，5-二甲基-7-羟基金刚烷基甲基丙烯酸酯(DMHAdMA)，异金刚烷基甲基丙烯酸酯，羟基-1-甲基丙烯酰基氧基金刚烷(HAdMA；例如，羟基在3-位上)，羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯(HADA；例如，羟基在3-位上)，乙基环戊基丙烯酸酯(ECPA)，乙基环戊基甲基丙烯酸酯(ECPMA)，三环[5，2，1，02，6]癸-8-基甲基丙烯酸酯(TCDMA)，3，5-二羟基-1-甲基丙烯酰基氧基金刚烷(DHAdMA)，β-甲基丙烯酰氧基-γ-丁内酯，α-或β-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯(α-或β-GBLMA)，5-甲基丙烯酰氧基-2，6-降冰片烷苯酚内酯(carbolactone)(MNBL)，5-丙烯酰氧基-2，6-降冰片烷苯酚内酯(ANBL)，甲基丙烯酸异丁酯(IBMA)，α-γ-丁内酯丙烯酸酯(α-GBLA)，2-金刚烷基丙烯酸酯(AdA)，降冰片烯内酯丙烯酸酯(NLA)，螺内酯(甲基)丙烯酸酯，氧基三环癸烷(甲基)丙烯酸酯，金刚烷内酯(甲基)丙烯酸酯，和α-甲基丙烯酰氧基-γ-丁内酯。采用这些单体形成的聚合物的例子包括：聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰基氧基金刚烷-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯)；聚(2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰氧基-金刚烷-共聚-β-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰基氧基金刚烷-共聚-β-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯)；聚(叔丁基降冰片烯羧酸酯-共聚-马来酸酐-共聚-2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-β-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-甲基丙烯酰基氧代降冰片烯丙烯酸甲酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰基氧基金刚烷-共聚-β-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-三环[5，2，1，02，6]癸-8-基甲基丙烯酸酯)；聚(2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-β-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯)；聚(2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-三环[5，2，1，02，6]癸-8-基甲基丙烯酸酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3，5-二羟基-1-甲基丙烯酰基氧基金刚烷-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3，5-二甲基-7-羟基金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰基氧基金刚烷-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰基氧基金刚烷-共聚-β-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-三环[5，2，1，02，6]癸-8-基甲基丙烯酸酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-β-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰基氧基金刚烷-共聚-乙基环戊基丙烯酸酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰基氧基金刚烷-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰基氧基金刚烷-共聚-β-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-三环[5，2，1，02，6]癸-8-基甲基丙烯酸酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-β-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰氧基-金刚烷)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰基氧基金刚烷)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-甲基丙烯酰基氧代降冰片烯丙烯酸甲酯-共聚-β-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯)；聚(乙基环戊基甲基丙烯酸酯-共聚-2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-α-γ-丁内酯丙烯酸酯)；聚(2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-甲基丙烯酸异丁酯-共聚-α-γ-丁内酯丙烯酸酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-β-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-三环[5，2，1，02，6]癸-8-基甲基丙烯酸酯)；聚(2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-α-γ-丁内酯丙烯酸酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-β-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰氧基-金刚烷)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-甲基丙烯酰基氧代降冰片烯丙烯酸甲酯-共聚-β-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰基氧基金刚烷)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-甲基丙烯酰基氧代降冰片烯丙烯酸甲酯-共聚-三环[5，2，1，02，6]癸-8-基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰氧基-金刚烷-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯)；聚(2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-三环[5，2，1，02，6]癸-8-基甲基丙烯酸酯-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯)；聚(2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-α-γ-丁内酯丙烯酸酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰氧基-金刚烷-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-2-乙基-2-金刚烷基-共聚-丙烯酸甲酯)；聚(2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-三环[5，2，1，02，6]癸-8-基甲基丙烯酸酯)；聚(2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-5-丙烯酰基氧代-2，6-降冰片烷苯酚内酯)；聚(2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-α-γ-丁内酯丙烯酸酯)；聚(2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯)；聚(2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-降冰片烯内酯丙烯酸酯-共聚-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯)；聚(2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-降冰片烯内酯丙烯酸酯-共聚-2-金刚烷基丙烯酸酯)；和聚(2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-α-γ-丁内酯丙烯酸酯-共聚-三环[5，2，1，02，6]癸-8-基甲基丙烯酸酯)。
合适聚合物的其它例子包括描述在下列文献中的那些：U.S.Pat.No s.6,610,465，6,120,977，6,136,504，6,013,416，5,985,522，5,843,624，5,693,453，4,491,628，WO 00/25178，WO 00/67072，JP2000-275845，JP 2000-137327，和JP 09-73173，该文献在此引入作为参考。可以使用一或多种光刻胶树脂的混合物。一般使用标准合成方法来制备各种类型的合适聚合物。合适标准方法(例如自由基聚合)的工艺或参考文献可以在上述文献中得到。
认为环烯和环酸酐单体可以形成交替聚合结构，结合进聚合物中的(甲基)丙烯酸酯单体的量可以变化，以得到最适宜的平版印刷性能。相对于环烯/酐单体，在聚合物内的(甲基)丙烯酸酯单体的百分比在大约95摩尔％至大约5摩尔％的范围，进一步从大约75摩尔％至大约25摩尔％，以及进一步从大约55摩尔％至大约45摩尔％。
可用于157纳米曝光的氟化非酚聚合物，也显示出线边缘粗糙度，并且可以受益于本发明所描述的光活性化合物的新混合物的使用。这种聚合物描述在WO 00/17712和WO 00/67072中，并引入本文中作为参考。这种聚合物的一个例子是聚(四氟乙烯-共聚-降冰片烯-共聚-5-六氟异丙醇-取代的2-降冰片烯。
由环烯和含有氰基的烯属单体合成的聚合物描述在US专利6,686,429中，本文引入其内容作为参考，也可以使用。使人感兴趣的其它聚合物包括在US专利申请出版物No.2004/0166433中得到和描述的那些，其内容在此引入作为参考。还可以使用其它聚合物，例如在2003年5月16日申请的US专利申请序列No.10/440,542中公开的那些，其标题为：用于深UV的光刻胶组合物及其方法，本文引入其内容作为参考。
基于使用的化学品类型和想要的平版印刷性能，将聚合物的分子量最佳化。一般地，重均分子量在3,000至30,000范围之内，多分散性在1.1至5范围之内，优选1.5至2.5。
当本发明的光产酸剂在组合物中使用时，将其固体组分溶于有机溶剂中。溶剂或溶剂混合物中的固体的量在大约1重量％至大约50重量％的范围。聚合物可以在固体的5重量％至90重量％范围内，光产酸剂可以在固体的1重量％至大约50重量％范围内。用于这种光刻胶的合适溶剂可以包括例如：酮，例如丙酮，甲基乙基酮，甲基异丁基酮，环己酮，异佛尔酮，甲基异戊酮，2-庚酮4-羟基，和4-甲基-2-戊酮；C1至C10脂族醇，例如甲醇，乙醇，和丙醇；含有芳香基的醇，例如苯甲醇；环状碳酸酯，例如碳酸亚乙酯和碳酸亚丙酯；脂族或芳香族烃(例如，己烷，甲苯，二甲苯，等等)；环醚，例如二
烷和四氢呋喃；乙二醇；丙二醇；己二醇；乙二醇单烷基醚，例如乙二醇单甲醚，乙二醇单***；乙二醇烷基醚乙酸酯，例如甲基溶纤剂乙酸酯和乙基溶纤剂乙酸酯；乙二醇二烷基醚，例如乙二醇二甲醚，乙二醇二***，乙二醇甲基***，二甘醇单烷基醚，例如二甘醇单甲醚，二甘醇单***，和二甘醇二甲醚；丙二醇单烷基醚，例如丙二醇甲醚，丙二醇***，丙二醇丙醚，和丙二醇丁醚；丙二醇烷基醚乙酸酯，例如丙二醇甲醚乙酸酯，丙二醇***乙酸酯，丙二醇丙醚乙酸酯，和丙二醇丁醚乙酸酯；丙二醇烷基醚丙酸酯，例如丙二醇甲醚丙酸酯，丙二醇***丙酸酯，丙二醇丙醚丙酸酯，和丙二醇丁醚丙酸酯；2-甲氧基乙基醚(二甘醇二甲醚)；具有醚和羟基部分两者的溶剂，例如甲氧基丁醇，乙氧基丁醇，甲氧基丙醇，和乙氧基丙醇；酯，例如乙酸甲酯，乙酸乙酯，乙酸丙酯，和乙酸丁酯丙酮酸甲酯，丙酮酸乙酯；2-羟基丙酸乙酯，2-羟基2-甲基丙酸甲酯，2-羟基2-甲基丙酸乙酯，甲基羟基乙酸酯，乙基羟基乙酸酯，丁基羟基乙酸酯，乳酸甲酯，乳酸乙酯，乳酸丙酯，乳酸丁酯，3-羟基丙酸甲酯，3-羟基丙酸乙酯，3-羟基丙酸丙酯，3-羟基丙酸丁酯，甲基2-羟基3-甲基丁酸，甲基甲氧基乙酸酯，乙基甲氧基乙酸酯，丙基甲氧基乙酸酯，丁基甲氧基乙酸酯，甲基乙氧基乙酸酯，乙基乙氧基乙酸酯，丙基乙氧基乙酸酯，丁基乙氧基乙酸酯，甲基丙氧基乙酸酯，乙基丙氧基乙酸酯，丙基丙氧基乙酸酯，丁基丙氧基乙酸酯，甲基丁氧基乙酸酯，乙基丁氧基乙酸酯，丙基丁氧基乙酸酯，丁基丁氧基乙酸酯，2-甲氧基丙酸甲酯，2-甲氧基丙酸乙酯，2-甲氧基丙酸丙酯，2-甲氧基丙酸丁酯，2-乙氧基丙酸甲酯，2-乙氧基丙酸乙酯，2-乙氧基丙酸丙酯，2-乙氧基丙酸丁酯，2-丁氧基丙酸甲酯，2-丁氧基丙酸乙酯，2-丁氧基丙酸丙酯，2-丁氧基丙酸丁酯，3-甲氧基丙酸甲酯，3-甲氧基丙酸乙酯，3-甲氧基丙酸丙酯，3-甲氧基丙酸丁酯，3-乙氧基丙酸甲酯，3-乙氧基丙酸乙酯，3-乙氧基丙酸丙酯，3-乙氧基丙酸丁酯，3-丙氧基丙酸甲酯，3-丙氧基丙酸乙酯，3-丙氧基丙酸丙酯，3-丙氧基丙酸丁酯，3-丁氧基丙酸甲酯，3-丁氧基丙酸乙酯，3-丁氧基丙酸丙酯，和3-丁氧基丙酸丁酯；氧基异丁酸酯，例如，甲基-2-羟基异丁酸酯，α-甲氧基异丁酸甲酯，甲氧基异丁酸乙酯，α-乙氧基异丁酸甲酯，α-乙氧基异丁酸乙酯，β-甲氧基异丁酸甲酯，β-甲氧基异丁酸乙酯，β-乙氧基异丁酸甲酯，β-乙氧基异丁酸乙酯，β-异丙氧基异丁酸甲酯，β-异丙氧基异丁酸乙酯，β-异丙氧基异丁酸异丙酯，β-异丙氧基异丁酸丁酯，β-丁氧基异丁酸甲酯，β-丁氧基异丁酸乙酯，β-丁氧基异丁酸丁酯，α-羟基异丁酸甲酯，α-羟基异丁酸乙酯，α-羟基异丁酸异丙酯，和α-羟基异丁酸丁酯；具有醚和羟基部分两者的溶剂，例如甲氧基丁醇，乙氧基丁醇，甲氧基丙醇，和乙氧基丙醇；及其它溶剂，例如二元酯，和γ-丁内酯；酮醚衍生物，例如双丙酮醇甲醚；酮醇衍生物，例如丙酮醇或双丙酮醇；内酯，例如丁内酯；酰胺衍生物，例如二甲基乙酰胺或二甲基甲酰胺，苯甲醚，和其混合物。
各种其它添加剂例如着色剂、不起光化作用的染料、抗条纹试剂、增塑剂、增粘剂、溶解抑制剂、涂覆助剂、感光度增强剂、其它光产酸剂和溶解增强剂(例如，某些低水平溶剂不用作主要溶剂部分，其例子包括二醇醚和二醇醚乙酸酯，戊内酯，酮，内酯等等)、和表面活性剂可以加入到光刻胶组合物中，而后将溶液涂覆到基底上。可以提高膜厚均匀性的表面活性剂，例如氟化表面活性剂，可以加入到光刻胶溶液中。可以将能量从特定范围波长传递至各种曝光波长的敏化剂，也可以加入到光刻胶组合物中。常常将碱也加入到光刻胶中，以防止在光刻胶成像表面上形成T型顶(t-tops)或桥型。碱的例子是胺、氢氧化铵和能感光的碱。特别优选的碱是三辛胺、二乙醇胺和氢氧化四丁铵。
可以通过光刻胶领域使用的任何常规方法，包括浸渍、喷雾和旋涂，将准备好的光刻胶组合物溶液施加到基底上。当旋涂时，例如，考虑到所使用的旋转装置类型和旋转工艺的允许时间，可以调节光刻胶溶液的固体含量百分比，以便提供想要的涂层厚度。合适基底包括硅，铝，聚合物树脂，二氧化硅，掺杂的二氧化硅，氮化硅，钽，铜，多晶硅，陶瓷，铝/铜混合物；砷化镓及其它这种III/V族化合物。光刻胶也可以涂覆在防反射涂层上。
通过所描述工艺制备的光刻胶涂层特别适合应用于硅/二氧化硅晶片，例如用于制作微处理器及其它小型集成电路零件。还可以使用铝/氧化铝晶片。基底也可以包括各种聚合物树脂，特别是透明聚合物，例如聚酯。
然后将光刻胶组合物溶液涂覆到基底上，在加热板上，从大约70℃至大约150℃的温度下处理(烘焙)基底大约30秒至大约180秒，或在对流加热炉中处理大约15至大约90分钟。选择这种温度处理，以便降低光刻胶中的残余溶剂的浓度，同时不会导致固体组分的大量的热降解。通常，希望溶剂浓度和这种第一个温度最小。进行处理(烘焙)，直到基本上所有溶剂蒸发为止，并且约为半微米(测微计)厚的光刻胶组合物的薄涂层保留在基底上。在优选实施方案中，温度是从大约95℃至大约120℃。进行处理，直到除去溶剂的变化速率变得相对轻微为止。膜厚度、温度和时间选择取决于使用者所要求的光刻胶性能，以及使用的装置和商业上所需要的涂覆时间。然后可以将涂覆的基底以任何所需要的图案成像暴露于光化学辐射，例如紫外辐射(在波长从大约100nm(纳米)至大约300nm处)、X射线、电子束、离子束或激光辐射，所述图案使用合适掩模、阴极、模版、模型等等产生。
然后将光刻胶进行曝光后二次烘干或热处理，而后显影。加热温度可以在大约90℃至大约150℃的范围，更优选从大约100℃至大约130℃。加热可以在加热板上进行大约30秒钟至大约2分钟，更优选从大约60秒钟至大约90秒钟，或利用对流加热炉加热大约30至大约45分钟。
通过在显影液中浸泡或通过喷雾显影工艺进行显影，将曝光的光刻胶涂覆的基底显影，以除去成像曝光区域。优选搅拌溶液，例如利用氮气强烈搅拌。使基底保留在显影剂中，直到所有的或基本上所有的光刻胶涂层从曝光区域溶解为止。显影剂包括铵或碱金属氢氧化物的水溶液。一种优选的显影剂是氢氧化四甲基铵的水溶液。从显影液中除去涂覆晶片之后，可以进行任选的显像后的热处理或烘焙，以增强涂层的粘附和对于浸蚀条件及其它物质的化学耐性。显像后的热处理可以包括涂层和基底在涂层软化点下的烘箱烘焙或UV硬化。在工业应用中，特别在硅/二氧化硅型基底上制备微型电路元件的过程中，可以用缓冲的氢氟酸基蚀刻溶液或干刻蚀来处理显影的基底。在干刻蚀之前，可以用电子束固化来处理光刻胶，以便增强光刻胶的抗蚀刻能力。
本发明进一步提供了制备半导体器件的方法，该方法通过用光刻胶组合物涂覆合适基底而在基底上产生光图像。目标工艺包括：用光刻胶组合物涂覆合适的基底，将涂覆的基底热处理，直到基本上所有光刻胶溶剂除去为止；使组合物曝光成像，用合适显影剂除去这种组合物的成像曝光区域。
2005年11月16日申请的US序列No.11/280,842和2006年2月16日申请的US序列No.11/355/400的内容，本申请根据其内容而要求了优先权，在此引入作为参考。
下列实施例举例说明了制造和使用本发明的方法。然而，无论如何这些实施例不是想要限制或限定本发明的范围，并且不应该将其看作是为了实践本发明所提供的必须唯一使用的条件、参数或数值。除非另作说明，所有的份数和百分比按重量计算。
实施例1：二[4-乙酰氧基苯基]苯基锍全氟代丁磺酸盐的合成。
将二[4-羟基苯基]苯基锍全氟代丁磺酸盐(10克)和丙酮放入反应容器中，反应容器配备有搅拌器、温度计、回流冷凝器和将氮气引入容器的管。在氮气层保护下，将4.6克碳酸钾加入到反应容器中，搅拌混合物一小时。加入3.43克乙酸酐，在室温下搅拌过夜。将二氯甲烷(150毫升)和水加入到反应容器中，搅拌混合物2小时。然后将混合物放入分液漏斗中，并保留有机(二氯甲烷)层。用水将二氯甲烷层洗涤若干次，用无水硫酸钠干燥，过滤，并将保留的挥发性物质蒸发，剩下油。将醚加入到油中，大力搅拌混合物。获得非常粘稠的固体。
实施例2：二[4-乙酰氧基苯基]苯基锍4-(1，1，1，2-四氟乙氧基)全氟代丁磺酸盐的合成。
按照实施例1制备该物质，只是使用二[4-羟基苯基]苯基锍4-(1，1，1，2-四氟乙氧基)全氟代丁磺酸盐来代替二羟基苯基苯基锍全氟代丁磺酸盐。
此外，可以按照实施例2的方法，使用相应的阴离子，制备下列化合物：
实施例2a：其中X＝CF3SO3
实施例2b：其中X＝N(SO2CF3)2
实施例2c：其中X＝N(SO2C2F5)2
实施例2d：其中X＝N(SO2CF3)(SO2C4F9)
实施例2e：其中X＝N(SO2C3F7)2
实施例2f：其中X＝C(SO2CF3)3
实施例2g：其中X＝CH3CH3CH3O(CF2)4SO3
实施例2h：其中X＝C4F9SO3
实施例3：二[2-甲基金刚烷基乙酰氧基甲氧基苯基]苯基锍全氟代丁磺酸盐的合成。
按照实施例1的方法制备该物质，只是使用2-甲基金刚烷基溴乙酸酯代替乙酸酐。
此外，可以按照实施例3的方法，使用相应的阴离子，制备下列化合物：
实施例3a：其中X＝CF3CHFO(CF2)4SO3
实施例3b：其中X＝CF3SO3
实施例3c：其中X＝N(SO2CF3)2
实施例3d：其中X＝N(SO2C2F5)2
实施例3e：其中X＝N(SO2CF3)(SO2C4F9)
实施例3f：其中X＝N(SO2C3F7)2
实施例3g：其中X＝CH3CH3CH3O(CF2)4SO3
实施例3h：其中X＝C(SO2CF3)3
实施例3i：其中X＝C4F9SO3
实施例4：二[4，4-二(三氟甲基)-3-氧杂三环[4.2.1.02，5]-壬基甲氧基苯基]苯基锍全氟代丁磺酸盐的合成。
将二羟基苯基苯基锍全氟代丁磺酸盐(10克)和丙酮放入反应容器中，反应容器配备有搅拌器、温度计、回流冷凝器和将氮气引入容器的管。在氮气层保护下，将4.6克碳酸钾加入到反应容器中，搅拌混合物一小时。将4，4-二(三氟甲基)-3-氧杂三环[4.2.1.02，5]壬基氯甲醚(10.92克)加入到反应混合物中，在室温下搅拌混合物过夜。将二氯甲烷(150毫升)和水加入到反应容器中，搅拌混合物2小时。然后将混合物放入分液漏斗中，并保留有机(二氯甲烷)层。用水将二氯甲烷层洗涤若干次，用无水硫酸钠干燥，过滤，并将保留的挥发性物质蒸发，剩下油。将醚加入到油中，大力搅拌混合物。获得非常粘稠的固体。
实施例4a：二[4，4-二(三氟甲基)-3-氧杂三环[4.2.1.02，5]-壬基甲氧基苯基]苯基锍全氟代甲磺酸盐的合成。
可以按照实施例4的方法，由二羟基苯基苯基锍全氟甲磺酸盐和4，4-二(三氟甲基)-3-氧杂三环[4.2.1.02，5]壬基氯甲醚制备该物质。
实施例4b：二[4，4-二(三氟甲基)-3-氧杂三环[4.2.1.02，5]-壬基甲氧基苯基]苯基锍4-(1，1，1，2-四氟乙氧基)全氟丁基磺酸盐的合成。
可以按照实施例4的方法，由二[4，4-二(三氟甲基)-3-氧杂三环-[4.2.1.02，5]壬基-甲氧基苯基]苯基锍全氟代甲磺酸盐和4-(1，1，1，2-四氟乙氧基)全氟代丁磺酸锂盐制备该物质。
实施例4c：二[4，4-二(三氟甲基)-3-氧杂三环[4.2.1.02，5]-壬基甲氧基苯基]苯基锍二(三氟甲基磺酰基)酰亚胺的合成。
可以按照实施例4的方法，由二[4，4-二(三氟甲基)-3-氧杂三环-[4.2.1.02，5]壬基-甲氧基苯基]苯基锍全氟代甲磺酸盐和二全氟代甲磺酰亚胺酸制备该物质。
此外，可以按照实施例4的方法，使用相应的阴离子，制备下列化合物：
实施例4d：其中X＝N(SO2C2F5)2
实施例4e：其中X＝N(SO2CF3)(SO2C4F9)
实施例4f：其中X＝N(SO2C3F7)2
实施例4g：其中X＝N(SO2C4F9)2
实施例4h：其中X＝C(SO2CF3)3
实施例4i：其中X＝CH3CH3CH3O(CF2)4SO3
实施例5：二[4-羟基苯基]苯基锍二(全氟代乙磺酰基)酰亚胺的合成。
将二[4-羟基苯基]苯基锍全氟代甲磺酸盐(15.0克)和丙酮-水混合物放入反应容器中，反应容器配备有搅拌器、温度计、回流冷凝器和将氮气引入容器的管。在氮气层保护下，将9.6克二全氟代乙磺酰亚胺锂加入到反应容器中，搅拌混合物5小时。将二氯甲烷(150毫升)和水加入到反应容器中，搅拌混合物2小时。然后将混合物放入分液漏斗中，并保留有机(二氯甲烷)层。用水将二氯甲烷层洗涤若干次，用无水硫酸钠干燥，过滤，并将保留的挥发性物质蒸发，剩下油。将醚加入到油中，大力搅拌混合物。获得油。
此外，可以按照实施例5的方法，使用相应的阴离子，制备下列化合物：
实施例5a：其中X＝N(SO2CF3)2
实施例5b：其中X＝N(SO2CF3)(SO2C4F9)
实施例5c：其中X＝N(SO2C3F7)2
实施例5d：其中X＝N(SO2C4F9)2
实施例5e：其中X＝C(SO2CF3)3
实施例5f：其中X＝CF3CHFO(CF2)4SO3
实施例5g：其中X＝CH3CH3CH3O(CF2)4SO3
实施例5h：其中X＝C4F9SO3
实施例5i：其中X＝CF3SO3
实施例6：二[4-五氟苯磺酰基氧基苯基]苯基锍二(全氟代乙磺酰基)酰亚胺的合成
将得自于实施例5的二[4-羟基苯基]苯基锍二(全氟代乙磺酰基)酰亚胺(6.33克)和干燥THF放入反应容器中，反应容器配备有搅拌器、温度计、回流冷凝器和将氮气引入容器的管。围绕反应容器放置干冰-丙酮浴，并在氮气层保护下，将5.09克五氟苯磺酰氯加入到反应容器中，搅拌混合物5小时。将二氯甲烷(150毫升)和水加入到反应容器中，搅拌混合物2小时。然后将混合物放入分液漏斗中，并保留有机(二氯甲烷)层。用水将二氯甲烷层洗涤若干次，用无水硫酸钠干燥，过滤，并将保留的挥发性物质蒸发，剩下油。将醚加入到油中，大力搅拌混合物。回收白色晶体，mp 38℃。
此外，可以按照实施例6的方法，使用相应的阴离子，制备下列化合物：
实施例6a：其中X＝N(SO2CF3)2
实施例6b：其中X＝N(SO2CF3)(SO2C4F9)
实施例6c：其中X＝N(SO2C3F7)2
实施例6d：其中X＝N(SO2C4F9)2
实施例6e：其中X＝C(SO2CF3)3
实施例6f：其中X＝CF3CHFO(CF2)4SO3
实施例6g：其中X＝CH3CH3CH3O(CF2)4SO3
实施例6h：其中X＝C4F9SO3
实施例6i：其中X＝CF3SO3
实施例7：二[4-(3，5-二(三氟甲基)苯磺酰基氧基)苯基]苯基锍二(全氟代乙磺酰基)酰亚胺的合成
可以按照实施例6的方法，使用3，5-二(三氟甲基)苯磺酰氯代替五氟苯磺酰氯，制备该物质。
此外，可以按照实施例7的方法，使用相应的阴离子，制备下列化合物：
实施例7a：其中X＝N(SO2CF3)2
实施例7b：其中X＝N(SO2CF3)(SO2C4F9)
实施例7c：其中X＝N(SO2C3F7)2
实施例7d：其中X＝N(SO2C4F9)2
实施例7e：其中X＝C(SO2CF3)3
实施例7f：其中X＝CF3CHFO(CF2)4SO3
实施例7g：其中X＝CH3CH3CH3O(CF2)4SO3
实施例7h：其中X＝C4F9SO3
实施例7i：其中X＝CF3SO3
实施例8：二[4-三氟甲基磺酰氧基苯基]苯基锍二(全氟代乙磺酰基)酰亚胺的合成
可以按照实施例6的方法，使用三氟甲磺酰氯代替五氟苯磺酰氯，制备该物质。
此外，可以按照实施例8的方法，使用相应的阴离子，制备下列化合物：
实施例8a；其中X＝N(SO2CF3)2
实施例8b：其中X＝N(SO2CF3)(SO2C4F9)
实施例8c：其中X＝N(SO2C3F7)2
实施例8d：其中X＝N(SO2C4F9)2
实施例8e：其中X＝C(SO2CF3)3
实施例8f：其中X＝CF3CHFO(CF2)4SO3
实施例8g：其中X＝CH3CH3CH3O(CF2)4SO3
实施例8h：其中X＝C4F9SO3
实施例8i：其中X＝CF3SO3
实施例9
将2.1625克聚(EAdMA/MAdMA/HAdMA/α-GBLMA；20/20/25/35)聚合物、0.0504克(30μmol/g)得自于实施例2的二[乙酰氧基苯基]苯基锍三氟乙氧基全氟代丁磺酸盐、0.23克二异丙醇胺(10重量％，在PGMEA中)和0.0360克10重量％表面活性剂(氟脂肪族聚合酯，3MCorporation，St.Paul Minnesota提供)的PGMEA溶液溶于27.74克AZ Thinner中，通过0.2μm滤过器，得到30克光刻胶溶液。
实施例10
通过将底部抗反射涂层溶液(
EXP ArF-1，B.A.R.C.，得自于AZ Electronic Materials USA Corp.，Somerville，NJ)旋涂到硅基底上并在215℃烘焙60秒来制备涂有底部抗反射涂层(B.A.R.C.)的硅基底。B.A.R.C膜厚度是29nm。然后将得自于实施例9的光刻胶溶液涂覆在B.A.R.C涂覆的硅基片上。调节旋转速度，以使光刻胶膜厚度是180nm厚，Nikon 306D 0.85NA&4/5环形光照，PAB100℃/60s，PEB 110℃/60s，显影时间：30s(ACT12)，6％PSM。然后使用2.38重量％氢氧化四甲基铵的水溶液，将成像光刻胶显影30秒。然后在扫描电子显微镜上观察线和空间图形。光刻胶具有47.6mJ/cm2的感光度，具有很好的曝光范围(16.8％)，良好的LER和轮廓形状。
实施例11：
使用得自于实施例3的二[2-甲基金刚烷基乙酰基氧基甲氧基-苯基]苯基锍全氟代丁磺酸盐代替二[乙酰氧基苯基]苯基锍三氟乙氧基全氟代丁磺酸盐，重复实施例9。
实施例12
用得自于实施例11的光刻胶溶液重复实施例10，获得类似的结果。
实施例13
使用得自于实施例4的二[4，4-二(三氟甲基)-3-氧杂三环-[4.2.1.02，5]壬基甲氧基苯基]苯基锍全氟代丁磺酸盐代替二[乙酰氧基苯基]苯基锍三氟乙氧基全氟代丁磺酸盐，重复实施例9。
实施例14
用得自于实施例13的光刻胶溶液重复实施例10，获得类似的结果。
实施例15
使用得自于实施例5的[4-羟基苯基]苯基锍二(全氟代乙磺酰基)酰亚胺代替二[乙酰氧基苯基]苯基锍三氟乙氧基全氟代丁磺酸盐，重复实施例9。
实施例16
用得自于实施例15的光刻胶溶液重复实施例10，获得类似的结果。
实施例17
使用得自于实施例6的[4-五氟苯磺酰氧基苯基]苯基锍二(全氟代乙磺酰基)酰亚胺代替二[乙酰氧基苯基]苯基锍三氟乙氧基全氟代丁磺酸盐，重复实施例9。
实施例18
用得自于实施例17的光刻胶溶液重复实施例10，获得类似的结果。
实施例19
将2.1625克聚(EAdMA/HAdA/NLA/AdMA；30/20/40/10)聚合物、0.0504克(30μmol/g)得自于实施例2的二[乙酰氧基苯基]苯基锍三氟乙氧基-全氟代丁磺酸盐、0.23克二异丙醇胺(10重量％，在PGMEA中)和0.0360克10重量％表面活性剂(氟脂肪族聚合酯，3MCorporation，St.Paul Minnesota提供)的PGMEA溶液溶于27.74克AZ Thinner中，通过0.2μm滤过器，得到30克光刻胶溶液。
实施例20
通过将底部抗反射涂层溶液(EXP ArF-1，B.A.R.C.，得自于AZ Electronic Materials USA Corp.，Somerville，NJ)旋涂到硅基片上并在215℃烘焙60秒来制备涂有底部抗反射涂层(B.A.R.C.)的硅基底。B.A.R.C膜厚度是29nm。然后将得自于实施例19的光刻胶溶液涂覆在B.A.R.C涂覆的硅基片上。调节旋转速度，以使光刻胶膜厚度是180nm厚，Nikon 306D 0.85NA&4/5环形光照，PAB100℃/60s，PEB 110℃/60s，显影时间：30s(ACT12)，6％PSM。然后使用2.38重量％氢氧化四甲基铵的水溶液，将成像光刻胶显影30秒。然后在扫描电子显微镜上观察线和空间图形。光刻胶具有55.5mJ/cm2的感光度，具有很好的曝光范围(16.8％)，良好的LER和轮廓形状。
实施例21
将2.1625克聚(EAdMA/HAdA/NLA/AdA；30/20/40/10)聚合物、0.0504克(30μmol/g)得自于实施例2的二[乙酰氧基苯基]苯基锍三氟乙氧基-全氟代丁磺酸盐、0.23克二异丙醇胺(10重量％，在PGMEA中)和0.0360克10重量％表面活性剂(氟脂肪族聚合酯，3MCorporation，St.Paul Minnesota提供)的PGMEA溶液溶于27.74克AZ Thinner中，通过0.2μm滤过器，得到30克光刻胶溶液。
实施例22
通过将底部抗反射涂层溶液(EXP ArF-1，B.A.R.C.，得自于AZ Electronic Materials USA Corp.，Somerville，NJ)旋涂到硅基底上并在215℃烘焙60秒来制备涂有底部抗反射涂层(B.A.R.C.)的硅基底。B.A.R.C膜厚度是29nm。然后将得自于实施例21的光刻胶溶液涂覆在B.A.R.C涂覆的硅基片上。调节旋转速度，以使光刻胶膜厚度是180nm厚，Nikon 306D 0.85NA&4/5环形光照，PAB100℃/60s，PEB 110℃/60s，显影时间：30s(ACT12)，6％PSM。然后使用2.38重量％氢氧化四甲基铵的水溶液，将成像光刻胶显影30秒。然后在扫描电子显微镜上观察线和空间图形。光刻胶具有44.5mJ/cm2的感光度，具有很好的曝光范围(16.0％)，良好的LER和轮廓形状。
实施例23：
通过用下列聚合物中的一种来替代其中的聚合物，可以重复实施例9、11、13、15和17：
聚(2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-α-γ-丁内酯丙烯酸酯-共聚-三环[5，2，1，02，6]癸-8-基甲基丙烯酸酯)；聚(2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-β-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯)；聚(2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-三环[5，2，1，02，6]癸-8-基甲基丙烯酸酯)；聚(2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-β-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-三环[5，2，1，02，6]癸-8-基甲基丙烯酸酯)；聚(2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-甲基丙烯酸异丁酯-共聚-α-γ-丁内酯丙烯酸酯)；聚(2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-α-γ-丁内酯丙烯酸酯)；聚(2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-β-γ-丁内酯丙烯酸酯)；聚(2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-三环[5，2，1，02，6]癸-8-基甲基丙烯酸酯-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯)；聚(2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯)；聚(2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯)；聚(2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰基氧基金刚烷-共聚-β-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰基氧基金刚烷-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰基氧基金刚烷-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-β-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰基氧基金刚烷)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰基氧基金刚烷)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3，5-二羟基-1-甲基丙烯酰基氧基金刚烷-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3，5-二甲基-7-羟基金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰基氧基金刚烷-共聚-β-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰基氧基金刚烷-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-三环[5，2，1，02，6]癸-8-基甲基丙烯酸酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰基氧基金刚烷-共聚-β-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-三环[5，2，1，02，6]癸-8-基甲基丙烯酸酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰基氧基金刚烷-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰基氧基金刚烷-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-2-乙基-2-金刚烷基-共聚-丙烯酸甲酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-甲基丙烯酰基氧代降冰片烯丙烯酸甲酯-共聚-β-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-甲基丙烯酰基氧代降冰片烯丙烯酸甲酯-共聚-β-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰基氧基金刚烷)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-甲基丙烯酰基氧代降冰片烯丙烯酸甲酯-共聚-三环[5，2，1，02，6]癸-8-基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰基氧基金刚烷-共聚-α-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-βγ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰基氧基金刚烷)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-β-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-甲基丙烯酰基氧基金刚烷-共聚-乙基环戊基丙烯酸酯)；聚(2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-β-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-3-羟基-1-金刚烷基丙烯酸酯-共聚-三环[5，2，1，02，6]癸-8-基甲基丙烯酸酯)；聚(乙基环戊基甲基丙烯酸酯-共聚-2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-α-γ-丁内酯丙烯酸酯)；和聚(叔丁基降冰片烯羧酸酯-共聚-马来酸酐-共聚-2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯-共聚-β-γ-丁内酯甲基丙烯酸酯-共聚-甲基丙烯酰基氧代降冰片烯丙烯酸甲酯)，形成光刻胶溶液。可以按照实施例10测试光刻胶溶液，该光刻胶应该具有良好的性能。
上述本发明的描述说明并描述了本发明。另外，本公开仅仅显示并描述了本发明的优选实施方案，但如上所述，应该理解，本发明能够用于各种其它组合、改型和环境中，并且在本文所表达的本发明构思范围内能够变化或改进，这种变化或改进与上述教导和/或相关领域的技术或知识是相称的。上文描述的实施方案进一步用来解释说明已知实践本发明的最佳方式，并且使本领域其它技术人员能够在这样的实施方案或其它实施方案中使用本发明，以及根据本发明的具体应用或用途的需要进行各种改进。因此，本说明书不是用来将本发明限制于本文所公开形式。此外，希望将附加的权利要求解释为包括替代的实施方案。
Claims (7)
1.化合物，选自二[4-乙酰氧基苯基]苯基锍4-(1,1,1,2-四氟乙氧基)全氟代丁磺酸盐，二[2-甲基金刚烷基-乙酰氧基甲氧基苯基]苯基锍全氟丁磺酸盐，二[4,4-二(三氟甲基)-3-氧杂三环[4.2.1.02,5]壬基-甲氧基苯基]苯基锍全氟代丁磺酸盐，二[4,4-二(三氟甲基)-3-氧杂三环[4.2.1.02,5]-壬基甲氧基苯基]苯基锍全氟代甲磺酸盐，二[4,4-二(三氟甲基)-3-氧杂三环[4.2.1.02,5]-壬基甲氧基苯基]苯基锍4-(1,1,1,2-四氟乙氧基)全氟丁磺酸盐，二[4-乙酰氧基苯基]苯基锍4-丙氧基全氟代丁磺酸盐，二[2-甲基金刚烷基乙酰基-氧基甲氧基苯基]苯基锍-4-(1,1,1,2-四氟乙氧基)全氟代丁磺酸盐，二[2-甲基金刚烷基乙酰基-氧基甲氧基苯基]苯基锍全氟代甲磺酸盐，二[2-甲基金刚烷基-乙酰基-氧基甲氧基苯基]苯基锍4-丙氧基全氟代丁磺酸盐，二[4,4-二(三氟甲基)-3-氧杂三环-[4.2.1.02,5]壬基甲氧基苯基]苯基锍4-丙氧基全氟丁-磺酸盐，二[4-羟基苯基]-苯基锍4-(1,1,1,2-四氟乙氧基)全氟代丁磺酸盐，和二[4-羟基苯基]-苯基锍4-丙氧基全氟代丁磺酸盐。
2.用于深UV成像的光刻胶组合物，包括：
a)含有酸不稳定基团的聚合物；和
b)权利要求1的化合物。
3.权利要求2的组合物，其进一步包括其它光产酸剂。
4.使光刻胶成像的方法，包括下列步骤：
a)用权利要求2或3的组合物涂覆基底；
b)烘焙基底以基本上除去溶剂；
c)使光刻胶涂层以成像方式曝光；
d)曝光后，烘焙光刻胶涂层；和
e)用碱性水溶液使光刻胶涂层显影。
5.权利要求4的方法，其中成像方式曝光的波长低于300nm。
6.按照权利要求4或5的方法，其中基底选自微电子器件和液晶显示器基底。
7.按照权利要求1的化合物在光刻胶组合物中作为光产酸剂的用途。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US28084205A | 2005-11-16 | 2005-11-16 | |
| US11/280,842 | 2005-11-16 | ||
| US11/355,400 US7678528B2 (en) | 2005-11-16 | 2006-02-16 | Photoactive compounds |
| US11/355,400 | 2006-02-16 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2006800429133A Division CN101310223A (zh) | 2005-11-16 | 2006-11-15 | 光活性化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102161635A CN102161635A (zh) | 2011-08-24 |
| CN102161635B true CN102161635B (zh) | 2013-01-02 |
Family
ID=37945428
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110042218XA Pending CN102161636A (zh) | 2005-11-16 | 2006-11-15 | 光活性化合物 |
| CN2011100426104A Expired - Fee Related CN102161637B (zh) | 2005-11-16 | 2006-11-15 | 光活性化合物 |
| CN2011100419702A Expired - Fee Related CN102161635B (zh) | 2005-11-16 | 2006-11-15 | 光活性化合物 |
Family Applications Before (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110042218XA Pending CN102161636A (zh) | 2005-11-16 | 2006-11-15 | 光活性化合物 |
| CN2011100426104A Expired - Fee Related CN102161637B (zh) | 2005-11-16 | 2006-11-15 | 光活性化合物 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7678528B2 (zh) |
| EP (1) | EP1963919A2 (zh) |
| JP (1) | JP2009515944A (zh) |
| KR (1) | KR101421743B1 (zh) |
| CN (3) | CN102161636A (zh) |
| TW (1) | TW200730490A (zh) |
| WO (1) | WO2007057773A2 (zh) |
Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP5285897B2 (ja) * | 2007-12-11 | 2013-09-11 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| KR101618896B1 (ko) | 2008-06-27 | 2016-05-09 | 유니버셜 디스플레이 코포레이션 | 가교결합성 이온성 도펀트 |
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-
2006
- 2006-02-16 US US11/355,400 patent/US7678528B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-15 JP JP2008540719A patent/JP2009515944A/ja not_active Withdrawn
- 2006-11-15 WO PCT/IB2006/003315 patent/WO2007057773A2/en active Application Filing
- 2006-11-15 CN CN201110042218XA patent/CN102161636A/zh active Pending
- 2006-11-15 KR KR1020087012503A patent/KR101421743B1/ko active IP Right Grant
- 2006-11-15 EP EP06820954A patent/EP1963919A2/en not_active Withdrawn
- 2006-11-15 CN CN2011100426104A patent/CN102161637B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-15 CN CN2011100419702A patent/CN102161635B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-16 TW TW095142471A patent/TW200730490A/zh unknown
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200730490A (en) | 2007-08-16 |
| CN102161635A (zh) | 2011-08-24 |
| KR20080066819A (ko) | 2008-07-16 |
| WO2007057773A3 (en) | 2007-11-15 |
| JP2009515944A (ja) | 2009-04-16 |
| CN102161637A (zh) | 2011-08-24 |
| KR101421743B1 (ko) | 2014-07-30 |
| WO2007057773A2 (en) | 2007-05-24 |
| CN102161636A (zh) | 2011-08-24 |
| US7678528B2 (en) | 2010-03-16 |
| EP1963919A2 (en) | 2008-09-03 |
| US20070111138A1 (en) | 2007-05-17 |
| CN102161637B (zh) | 2013-03-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: AZ ELECTRONIC MATERIALS IP CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: AZ ELECTRONIC MATERIALS USA CO. Effective date: 20130731 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20130731 Address after: Tokyo, Japan Patentee after: AZ Electronic Materials IP Co., Ltd. Address before: American New Jersey Patentee before: AZ Electronic Materials USA |
|
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: MERCK PATENT GMBH Free format text: FORMER OWNER: AZ ELECTRONIC MATERIALS IP CO., LTD. Effective date: 20150409 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20150409 Address after: Darmstadt Patentee after: Merck Patent GmbH Address before: Tokyo, Japan Patentee before: AZ Electronic Materials IP Co., Ltd. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20130102 Termination date: 20191115 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |