CN102124352B - 加速度传感器及其构造体 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种加速度传感器，具备呈矩形形状的可动电极(4、5)、连接在可动电极(4、5)的对置的两边的中央并且支撑可动电极(4、5)并使该可动电极自由摆动的一对横梁(6a、6b、7a、7b)、和分别设置在以连结所述一对横梁(6a、6b、7a、7b)的直线为分界线的所述分界线的一侧及另一侧，且相对于所述可动电极(4、5)的表面空出规定的间隔对置地配置的第1及第2固定电极(20a、20b、21a、21b)。并且，在所述可动电极(4、5)的背面，在所述分界线的一侧及另一侧分别形成有第1及第2凹部(11a、11b、11c、11d、13a、13b、13c、13d、12、14)。

Description

加速度传感器及其构造体
技术领域
本发明涉及通过检测伴随可动电极的摆动而产生的可动电极和固定电极之间的静电电容的变化，来检测施加给可动电极的加速度的加速度传感器。 
背景技术
以往，公知的加速度传感器具备：锤部，其具有可动电极且呈矩形形状；横梁(beams)，其支撑所述锤部可自由摆动；和第1及第2固定电极，其相对于锤部对置地配置(例如，参照专利文献1)。在这样的加速度传感器中，在被施加了加速度之际，为使在锤部产生以连结一对横梁的直线(横梁轴)为旋转轴的转矩，而在锤部形成了凹部。据此，在以横梁轴为分界线的锤部的一侧和另一侧，重量不同。 
专利文献1：美国专利申请公开第2007/0000323号说明书 
在这里，仅在以锤部中的横梁轴为分界线的一侧形成了凹部的情况下，一侧的可动电极容易受变形的影响。其结果是，可动电极发生变形，要精密地控制可动电极和固定电极之间的距离就变得困难了。根据这样的背景，在专利文献1所记载的加速度传感器中，通过在凹部设置加强构件来抑制可动电极的变形。但是，在凹部设置了加强构件的情况下，在检测x方向和z方向两个方向的加速度时，在两个方向之间检测灵敏度产生差异。因此，在专利文献1所记载的加速度传感器中，通过加厚锤部的厚度使得在两个方向之间检测灵敏度变得相同。但是，在加厚了锤部的厚度的情况下，凹部的形成需要更多的制造时间(蚀刻时间)。 
发明内容
本发明是鉴于这样的现有技术所具有的课题而进行的。而且，其目的在于，提供一种无需更多的制造时间就能使两个方向之间的检测灵敏度等 同的加速度传感器。 
本发明的方式所涉及的加速度传感器具备：可动电极，其呈矩形形状；一对横梁，其连接在所述可动电极的对置的两边的中央，支撑该可动电极并使该可动电极自由摆动；和第1及第2固定电极，其分别被设置在以连结所述一对横梁的直线为分界线的所述分界线的一侧及另一侧，且相对于所述可动电极的表面空出规定的间隔对置地配置。并且，在所述可动电极的背面，在所述分界线的一侧及另一侧分别形成有第1及第2凹部。 
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式所涉及的加速度传感器的构成的分解立体图。 
图2是表示所述加速度传感器中的传感器芯片的底视图。 
图3是所述加速度传感器的部分剖视图。 
图4是表示将第一实施方式所涉及的加速度传感器设置多个的加速度传感器构造体的一例的概略图。 
图5是表示将第一实施方式所涉及的加速度传感器设置多个的加速度传感器构造体的其他例子的概略图。 
图6是表示第一实施方式所涉及的加速度传感器的制造工序的概略图。 
图7是表示本发明的第二实施方式所涉及的加速度传感器的构成的部分剖视图。 
图8是表示第二实施方式所涉及的加速度传感器的制造工序的概略图。 
符号说明： 
2a：上部固定板，2b：下部固定板，3：框架，4、5：可动电极，6a、6b、7a、7b：横梁，8a、8b、9a、9b：检测电极，11、13：第1凹部，12、14：第2凹部，15a、15b、15c、15d、15e、15f、15g：突起，16：加强构件，17：金属材料，23a、23b：附着防止膜。 
具体实施方式
[第一实施方式] 
首先，基于附图，对第一实施方式的加速度传感器进行详细说明。 
<加速度传感器的构成> 
如图1所示，本实施方式的加速度传感器采用通过上部固定板2a和下部固定板2b夹持着由硅SOI基板形成的传感器芯片1的上下面的构成。传感器芯片1具备：具有2个矩形框3a、3b的框架3；以及相对于矩形框3a、3b的侧壁以空出间隙的状态配置于矩形框3a、3b内的呈矩形形状的2个可动电极4、5。另外，传感器芯片1在可动电极4的侧面还具有一对横梁6a、6b，其通过连结对置的两边的大致中央和矩形框3a的侧壁，来支撑可动电极4使其相对于框架3可自由摆动。另外，传感器芯片1在可动电极5的侧面还具有一对横梁7a、7b，其通过连结对置的两边的大致中央和矩形框3b的侧壁，来支撑可动电极5使其相对于框架3可自由摆动。 
上述加速度传感器具备：相对于框架3及可动电极4，空出规定的间隔配置的检测电极8a、8b；以及相对于框架3及可动电极5，空出规定的间隔配置的检测电极9a、9b。另外，上述加速度传感器具备形成在检测电极8b和检测电极9a之间的框架3的表面上的接地电极10。另外，上述检测电极8a、8b是相互间空出规定间隔配置的，另外，上述检测电极9a、9b也是相互间空出规定间隔配置的。再有，检测电极8a、8b及检测电极9a、9b分别与后述的固定电极20a、20b及固定电极21a、21b电连接。 
在本实施方式中，如图2所示，在检测电极8a和检测电极8b之间、检测电极9a和检测电极9b之间、检测电极8a、8b和框架3之间、检测电极9a、9b和框架3之间、检测电极8a、8b和可动电极4之间、以及检测电极9a、9b和可动电极5之间，形成有间隙。根据这样的构成，因为各检测电极分别电绝缘，所以可降低各检测电极的寄生电容或检测电极间的串扰，可进行高精度的电容检测。 
并且，如图2所示，在可动电极4的背面，在以连结横梁6a、6b的直线为分界线的情况下，在所述分界线的一侧形成有作为第1凹部的凹部11。此外，该凹部11被在凹部11内部呈对角线状配置的加强构件16划 分为4部分，形成了凹部11a、11b、11c、11d。而且，在可动电极4的背面，在所述分界线的另一侧形成有作为第2凹部的凹部12。同样地，在可动电极5的背面，在以连结横梁7a、7b的直线为分界线的情况下，在所述分界线的一侧形成有被加强构件16划分出的作为第1凹部的凹部13a、13b、13c、13d。另外，在可动电极5的背面，在所述分界线的另一侧形成有作为第2凹部的凹部14。 
在本实施方式中，虽然将第1凹部和第2凹部形成为不同体，但是例如也可通过让第1凹部越过上述分界线扩大到另一侧，来一体式形成第1凹部和第2凹部。另外，第1凹部的形状并不局限于图2所示的三角形形状，也可以是和第2凹部相同的矩形形状。 
在这里，形成所述第2凹部12的位置如图3所示，优选从所述可动电极4的重心位置O垂到表面4a的垂线和连结所述可动电极4的重心位置O与所述分界线的直线所形成的角度大致成45度。据此，因为x方向和z方向的检测灵敏度等效，所以能提高各个方向的检测灵敏度。其中，因为通过在离分界线更远的一侧形成第2凹部使得转矩变得更大，所以可提高加速度传感器的检测灵敏度。此外，在图3中，所述分界线是连结横梁6a、6b的剖面中的中心位置的直线。另外，在图3的加速度传感器中，在设可动电极4中的所述分界线的另一侧的长度为2a的情况下，为使重心O位于离所述分界线长度为a的地方，而形成有第2凹部12。此外，在图3的加速度传感器中，在可动电极4中，形成有凹部11b、11d的所述分界线的一侧的长度也是2a，高度也是2a。 
在和可动电极4、5的上部固定板2a及下部固定板2b对置的面4a、4b上，如图3所示，形成有由硅或硅氧化物组成的多个突起15a～15g。因为通过形成这样的突起15a～15g，即便在对可动电极4、5施加了超过测定范围的大的加速度的情况下，可动电极4、5也不会直接冲撞对置的上部固定板2a及下部固定板2b，故能抑制传感器芯片1的破损。而且，在本实施方式中，虽然在可动电极4、5中的与上部固定板2a及下部固定板2b对置的面上形成了突起，但也可以在上部固定板2a及下部固定板2b中的与可动电极4、5对置的面上形成同样的突起。 
如上述，所述突起15a～15g可由硅或硅氧化物形成。另外，除此以 外，所述突起15a～15g也可以由碳材料形成。作为这样的碳材料，可以使用纳米碳管(carbon nanotube)。 
如图3所示，上部固定板2a相对于所述可动电极4、5的表面空出规定的间隔对置地配置，而且上部固定板2a由玻璃基板形成。并且，在上部固定板2a的与可动电极4对置的面侧，在以连结横梁6a和横梁6b的中心的直线为分界线的情况下，在该分界线的一侧及另一侧分别设置有固定电极20a、20b(第1及第2固定电极)。此外，固定电极20a、20b相对于所述可动电极4的表面4a空出规定的间隔对置地配置。另外，同样地，在上部固定板2a的与可动电极5对置的表面侧，在以连结横梁7a和横梁7b的中心的直线为分界线的情况下，在该分界线的一侧及另一侧分别设置有固定电极21a、21b(第1及第2固定电极)。此外，和固定电极20a、20b同样地，固定电极21a、21b也相对于所述可动电极5的表面空出规定的间隔对置地配置。 
另外，如图1所示，在上部固定板2a中的与检测电极8a、8b、9a、9b及接地电极10对置的位置，形成有通孔(through hole)22a～22e。经由该通孔22a～22e，可获取分别与固定电极20a、20b及固定电极21a、21b相连接的检测电极8a、8b及检测电极9a、9b和接地电极10的输出。 
此外，如图3所示，下部固定板2b相对于所述可动电极4、5的背面空出规定的间隔对置地配置，而且下部固定板2b由玻璃基板形成。并且，在下部固定板2b的与可动电极4、5对置的面侧，配置有附着防止膜23a、23b。附着防止膜23a、23b相对于可动电极4、5的背面空出规定的间隔对置地配置。这样的附着防止膜23a、23b，由于在可动电极4、5动作时防止其附着在下部固定板2b上，并且即便在过大冲击时可动电极4、5和下部固定板2b也不直接接触，所以具有缓和冲击的效果。此外，附着防止膜23a、23b，可由与固定电极20a、20b、21a、21b相同的材料形成，例如可由铝系合金等形成。 
在图1及图2的实施方式中，通过2个加速度传感器被配置在同一芯片面内，一个加速度传感器相对于另一个加速度传感器在芯片面内旋转180度进行配置，构成了加速度传感器构造体。另外，在图1及图2的实施方式中，2个加速度传感器相邻地配置，但是，本发明所涉及的加速度 传感器构造体并不局限于这样的实施方式。例如，如图4所示那样，通过再设置一个相对于与图1同样的传感器芯片1A在xy面内旋转90度的另一个传感器芯片1B，从而除了能检测x方向和z方向两个方向的加速度之外，还能检测y方向的加速度。 
另外，如图5所示，也可在同一芯片面内配置3个加速度传感器，第2及第3加速度传感器(可动电极)4A，4B是相对于第1加速度传感器(可动电极)4C在芯片面内分别旋转90度及180度配置的。这样构造的加速度传感器构造体，可检测x方向、y方向及z方向3轴的加速度。 
<加速度传感器的动作> 
上述加速度传感器如下进行自检测(self test)，并且检测图1所示的x方向及z方向的加速度。 
(自检测) 
在让可动电极4动作的情况下，在固定电极20a或固定电极20b和可动电极4之间产生吸引力。同样地，在让可动电极5动作的情况下，在固定电极21a或固定电极21b和可动电极5之间也产生吸引力。也可在附着防止膜23a、23b和可动电极4、5之间产生吸引力来进行同样的动作确认。据此，因为通过可动电极4、5的摆动使得固定电极20a、20b和可动电极4之间以及固定电极21a、21b和可动电极5之间的静电电容发生了变化，由此可确认加速度传感器是否正常动作。 
(x方向的加速度检测) 
在对可动电极4施加了x方向的加速度的情况下，可动电极4和固定电极20a、20b之间的静电电容C1、C2，分别表示为以下算式(1)、(2)。此外，在算式(1)、(2)中，参数C0表示对可动电极4未施加x方向的加速度的状态下的可动电极4和固定电极20a、20b之间的静电电容。 
C1＝C0-ΔC...(1) 
C2＝C0+ΔC...(2) 
另外，同样地，在对可动电极5施加了x方向的加速度的情况下，可动电极5和固定电极21a、21b之间的静电电容C3、C4，分别表示为以下算式(3)、(4)。此外，在算式(3)、(4)中，参数C0表示对可动电 极5未施加x方向的加速度的状态下的可动电极5和固定电极21a、21b之间的静电电容。 
C3＝C0-ΔC...(3) 
C4＝C0+ΔC...(4) 
而后，首先经由检测电极8a、8b及检测电极9a、9b检测上述电容C1～C4。接着，利用ASIC等计算电容C1和电容C2的差值CA(＝C1-C2)与电容C3和电容C4的差值CB(＝C3-C4)。之后，通过将所计算出的差值CA和差值CB的和(±4ΔC)作为X输出进行输出，从而能够根据静电电容值的变化来检测施加给可动电极4、5的x方向的加速度。 
(z方向的加速度检测) 
在对可动电极4施加了z方向的加速度的情况下，可动电极4和固定电极20a、20b之间的静电电容C1、C2，分别表示为以下算式(5)、(6)。此外，在算式(5)、(6)中，参数C0表示对可动电极4未施加z方向的加速度的状态下的可动电极4和固定电极20a、20b之间的静电电容。 
C1＝C0+ΔC...(5) 
C2＝C0-ΔC...(6) 
另外，同样地，在对可动电极5施加了z方向的加速度的情况下，可动电极5和固定电极21a、21b之间的静电电容C3、C4，分别表示为以下算式(7)、(8)。此外，在算式(7)、(8)中，参数C0表示对可动电极5未施加z方向的加速度的状态下的可动电极5和固定电极21a、21b之间的静电电容。 
C3＝C0-ΔC...(7) 
C4＝C0+ΔC...(8) 
而后，首先经由检测电极8a、8b及检测电极9a、9b检测上述电容C1～C4。接着，利用ASIC等计算电容C1和电容C2的差值CA(＝C1-C2)与电容C3和电容C4的差值CB(＝C3-C4)。之后，通过将所计算出的差值CA和差值CB的和(±4ΔC)作为Z输出进行输出，从而能够根据静电电容值的变化来检测施加给可动电极4、5的z方向的加速度。 
<加速度传感器的制造方法> 
下面，参照图6，对本实施方式的加速度传感器的制造方法进行说明。 
在本实施方式中，首先，准备如图6(a)所示的由支撑基板30a、中间氧化膜30b及活性层30c组成的硅SOI基板。接着，在硅SOI基板的两面形成硅氧化膜或光致抗蚀(photoresist)膜等掩模层31，然后去除与可动电极4、5对应的位置处的掩模层31。之后，通过进行利用了TMAH(四甲基氢氧化铵溶液)或KOH(氢氧化钾溶液)等溶液的湿式蚀刻或反应性离子蚀刻(RIE)等干法蚀刻，从而如图6(b)所示，在硅SOI基板的表面侧及背面侧形成用于可动电极4、5位移的凹部32a、32b。 
接着，如图6(c)所示，通过使硅氧化膜或纳米碳管等附着在凹部32a、32b的底面的规定位置，来形成突起15a～15g。另外，此时，利用溅射技术或蒸镀成膜技术，形成与固定电极电连接的作为检测电极8a、8b及检测电极9a、9b的金属膜33和与金属膜33电连接的金属膜34。 
在这里，在由硅或硅氧化膜这一传感器芯片的主材料形成了突起15a～15g的情况下，可以很容易地制造出突起15a～15g。另外，也可以由碳材料涂敷突起15a～15g的表面。根据这样的构成，增加了突起15a～15g的机械性强度，可以抑制由上部固定板2a及下部固定板2b的冲撞导致的突起15a～15g的破损。另外，这时作为碳材料如果利用纳米碳管的话，因为可使得涂敷厚度变薄，所以可以很容易地将突起15a～15g调整成期望的高度。 
接着，通过以支撑基板30a及中间氧化膜30b的顺序蚀刻硅SOI基板的背面侧，从而如图6(d)所示，形成可动电极和第1及第2凹部。然后，在形成了可动电极和第1及第2凹部之后，将以形成有附着防止膜23的面为对置面的下部固定板2b，在硅SOI基板的背面侧进行阳极接合。 
此外，通过将附着防止膜23采用与固定电极20a、20b、21a、21b相同的材料，从而可以很容易地形成附着防止膜23。另外，通过与固定电极20a、20b、21a、21b同时地形成附着防止膜23，可以高精度地确保固定电极20a、20b、21a、21b和可动电极4、5之间的距离、或下部固定板2b和可动电极4、5之间的距离。 
另外，在通过半导体制造工艺制成附着防止膜23的情况下，因为在 附着防止膜23的表面形成有微小的凹凸，所以可以防止可动电极4、5附着在下部固定板2b上。而且，在由铝系合金形成了附着防止膜23的情况下，因为蚀刻加工变得容易，所以可以很容易地制造出附着防止膜23。另外，通过在附着防止膜23的表面上形成和半导体制造工艺的一致性好且易加工的有机材料薄膜，从而可以防止附着防止膜23和可动电极4、5之间的短路。此外，作为有机材料薄膜，可以使用聚酰亚胺薄膜。 
接着，如图6(e)所示，在将形成有通孔22及固定电极20a、20b的上部固定板2a配置在硅SOI基板上之后，将硅SOI基板和上部固定板2a进行阳极接合。据此，本实施方式的加速度传感器中的一连串制造工序就完成了。 
此外，硅SOI基板和上部固定板2a及下部固定板2b，还可以通过采用了聚酰亚胺树脂等的树脂接合或采用了金锡焊料等的共晶接合来实现接合。另外，作为上部固定板2a及下部固定板2b也可以采用硅基板。其中，在作为上部固定板2a及下部固定板2b采用了硅基板的情况下，优选以固定电极和上部固定板2a电绝缘的方式在固定电极和上部固定板2a之间形成绝缘膜。 
如以上说明可知，本实施方式的加速度传感器具备：可动电极4、5，其呈矩形形状；一对横梁6a、6b及横梁7a、7b，其连接在可动电极4、5的对置的两边的中央，支撑可动电极4、5并使该可动电极自由摆动；固定电极20a、20b及固定电极21a、21b，其分别设置在以连结一对横梁6a、6b及横梁7a、7b的直线为分界线的所述分界线的一侧及另一侧，且相对于所述可动电极4、5的表面空出规定的间隔对置地配置。并且，在所述可动电极4、5的背面，在所述分界线的一侧及另一侧分别形成有凹部11a、11b、11c、11d(13a、13b、13c、13d)及凹部12(14)。根据这样的构成，可不加厚可动电极4、5的厚度，就能使x方向及z方向的加速度的检测灵敏度相同。 
[第二实施方式] 
下面，基于附图，对第二实施方式的加速度传感器进行详细说明。此外，对于和第一实施方式相同的构成标注相同的符号，省略重复说明。 
<加速度传感器的构成> 
本实施方式的加速度传感器和第一实施方式同样地，也采用通过上部固定板2a和下部固定板2b夹持着由硅SOI基板形成的传感器芯片1的上下面的构成。传感器芯片1具备：框架3；和被配置在矩形框3a、3b内的呈矩形形状的2个可动电极4、5。传感器芯片1还具有支撑可动电极4使其相对于框架3自由摆动的一对横梁6a、6b、和支撑可动电极5使其相对于框架3自由摆动的一对横梁7a、7b。另外，上述加速度传感器还具备检测电极8a、8b和检测电极9a、9b。 
而且，本实施方式的加速度传感器与第一实施方式同样地，在可动电极4的背面，在以连结横梁6a、6b的直线为分界线的情况下，在所述分界线的一侧形成有第1凹部。并且，在可动电极4的背面，在所述分界线的另一侧形成有作为第2凹部的凹部12。同样地，在可动电极5的背面，在以连结横梁7a、7b的直线为分界线的情况下，在所述分界线的一侧形成有第1凹部。另外，在可动电极5的背面，在所述分界线的另一侧形成有作为第2凹部的凹部14。 
而且，在本实施方式中，如图7所示，在作为第2凹部的凹部12及凹部14内，嵌入了与形成可动电极4、5的材料相比比重高的金属材料17。如第一实施方式那样，因为在可动电极4、5的背面形成了凹部12，14的情况下，可动电极4、5整体的重量降低了，所以加速度传感器的检测灵敏度有时会下降。但是，在本实施方式中，在凹部12，14内嵌入了与形成可动电极4、5的材料相比比重高的金属材料17，且可动电极4、5的重量不会大幅度地下降。因此，不降低加速度传感器的检测灵敏度，就能使x方向及z方向的加速度的检测灵敏度相同。 
在这里，在由硅形成了可动电极4、5的情况下，因硅的比重为2.33g/cm3，所以作为金属材料17可例示镍(比重8.90g/cm3)，钨(比重19.3g/cm3)，铬(比重7.87g/cm3)，钯(比重12.02g/cm3)，铂(比重21.45g/cm3)，锰(比重7.43g/cm3)。 
另外，金属材料17的重量优选与在第1凹部11的内部形成的、构成第1凹部11外壁的加强构件16的重量大致相等。通过使金属材料17的重量和加强构件16的重量相同，从而不降低可动电极4、5整体的重量，就可将可动电极4、5的大小小型化，进而能得到高灵敏度及高精度的加 速度传感器。 
在这里，与第一实施方式同样地，形成填充有金属材料17的第2凹部12的位置，优选从所述可动电极4的重心位置O垂到表面4a的垂线和连接所述可动电极4的重心位置O与所述分界线的直线所形成的角度大致成45度。据此，因为x方向和z方向的检测灵敏度等效，所以能提高各个方向的检测灵敏度。 
<加速度传感器的制造方法> 
下面，参照图8，对本实施方式的加速度传感器的制造方法进行说明。 
在本实施方式中，首先，准备如图8(a)所示的由支撑基板30a、中间氧化膜30b及活性层30c组成的硅SOI基板。接着，与第一实施方式同样地，在硅SOI基板的两面形成掩模层31，然后去除与可动电极4、5对应的位置处的掩模层31。之后，通过进行上述湿式蚀刻或干法蚀刻，从而如图8(b)所示那样，在硅SOI基板的表面侧及背面侧形成用于可动电极4、5位移的凹部32a、32b。 
接着，如图8(c)所示，与第一实施方式同样地，形成突起15a～15g、作为检测电极8a、8b及检测电极9a、9b的金属膜33、和与金属膜33电连接的金属膜34。 
接着，通过以支撑基板30a及中间氧化膜30b的顺序蚀刻硅SOI基板的背面侧，从而如图8(d)所示，形成可动电极和第1及第2凹部。而且，在所述第2凹部嵌入金属材料17。之后，将以形成有附着防止膜23的面为对置面的下部固定板2b，在硅SOI基板的背面侧进行阳极接合。 
接着，如图8(e)所示，在将形成有通孔及固定电极的上部固定板2a配置在硅SOI基板上之后，将硅SOI基板和上部固定板2a进行阳极接合。据此，本实施方式的加速度传感器中的一连串制造工序就完成了。 
像这样，本实施方式的加速度传感器，在作为第2凹部的凹部12及凹部14内，嵌入了与形成可动电极4、5的材料相比比重高的金属材料17。据此，可将x方向及z方向的加速度的检测灵敏度等效，进而不会大幅度地降低可动电极4、5的重量，故可以提供高灵敏度且高精度的加速度传感器。 
这里引用了特愿2008-299989号(申请日：2008年11月25日)及特 愿2008-300004号(申请日：2008年11月25日)的全部内容。 
以上，虽然按照实施方式及实施例对本发明内容进行了说明，但本发明并不局限于这些记载，还可进行多种变形及改良，对于所属领域的技术人员来说是显而易见的。 
(工业上的可利用性) 
根据本发明的加速度传感器，通过在以连结一对横梁的直线为分界线的可动电极的背面的一侧与另一侧都形成凹部，从而可调整两个方向之间的检测灵敏度。因此，不需要更多的制造时间，就可使两个方向之间的检测灵敏度等同。 

Claims (14)

1.一种加速度传感器，其特征在于，具备：
可动电极，其呈矩形形状；
一对横梁，其连接在所述可动电极的对置的两边的中央，支撑该可动电极并使该可动电极自由摆动；
框架，其内部包含所述可动电极；
第1及第2固定电极，其分别被设置在以连结所述一对横梁的直线为分界线的所述分界线的一侧及另一侧，且相对于所述可动电极的表面空出规定的间隔对置地配置；和
第1及第2检测电极，其形成于所述框架，分别与所述第1及第2固定电极电连接，
在所述可动电极的背面，在所述分界线的一侧及另一侧分别形成有第1及第2凹部，
在所述第1检测电极和第2检测电极之间、第1及第2检测电极和框架之间、以及第1及第2检测电极和所述可动电极之间，形成有间隙。
2.根据权利要求1所述的加速度传感器，其特征在于，
检测施加给所述可动电极的第1方向的加速度和施加给所述可动电极的与所述第1方向的加速度正交的第2方向的加速度。
3.根据权利要求1所述的加速度传感器，其特征在于，
还具备突起，其形成在所述第1及第2固定电极中的与所述可动电极对置的对置面、或所述可动电极中的与所述第1及第2固定电极对置的对置面上。
4.根据权利要求3所述的加速度传感器，其特征在于，
所述突起是由硅、硅氧化物或碳材料形成的。
5.根据权利要求1所述的加速度传感器，其特征在于，
还具备固定板，其相对于所述可动电极的背面空出规定的间隔对置地配置，
在所述固定板中的与所述可动电极对置的面上，形成有用于防止所述可动电极和固定板附着的附着防止膜。
6.根据权利要求5所述的加速度传感器，其特征在于，
所述附着防止膜是由和所述第1及第2固定电极相同的材料形成的。
7.根据权利要求5所述的加速度传感器，其特征在于，
在所述附着防止膜的表面形成有有机材料薄膜。
8.根据权利要求1所述的加速度传感器，其特征在于，
从所述可动电极的重心位置垂到表面的垂线与连结所述可动电极的重心位置和所述分界线的直线所成的角度为大致45度。
9.根据权利要求1所述的加速度传感器，其特征在于，
在所述第2凹部内嵌入了金属材料。
10.根据权利要求9所述的加速度传感器，其特征在于，
所述金属材料是由具有形成所述可动电极的材料的比重以上的比重的金属材料形成的。
11.根据权利要求9所述的加速度传感器，其特征在于，
所述金属材料的重量和构成所述第1凹部的外壁的加强构件的重量大致相同。
12.一种加速度传感器构造体，其特征在于，
具备多个权利要求1至11任意一项所述的加速度传感器，
所述加速度传感器被形成在同一芯片面内。
13.根据权利要求12所述的加速度传感器构造体，其特征在于，
所述加速度传感器在同一芯片面内配置2个，
一个加速度传感器相对于另一个加速度传感器在芯片面内旋转180度配置。
14.根据权利要求12所述的加速度传感器构造体，其特征在于，
所述加速度传感器在同一芯片面内配置3个，
第2及第3加速度传感器相对于第1加速度传感器在芯片面内分别旋转90度及180度配置。
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