CN102117861A - 一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法 - Google Patents
一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102117861A CN102117861A CN2009101632629A CN200910163262A CN102117861A CN 102117861 A CN102117861 A CN 102117861A CN 2009101632629 A CN2009101632629 A CN 2009101632629A CN 200910163262 A CN200910163262 A CN 200910163262A CN 102117861 A CN102117861 A CN 102117861A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cleaning
- cadmium telluride
- mercury cadmium
- focal plane
- monolithic integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法,其工艺步骤为:A.衬底清洗;B.沉积金属下电极;C.光刻;D.干法刻蚀(下电极成型);E.去胶清洗;F.磁控溅射(非晶碲镉汞光敏材料生长);G.光刻;H.干法刻蚀(光敏面成型);I.去胶清洗;J.光刻;K.干法刻蚀(表面清洁);L.沉积金属上电极;M.剥离清洗(上电极金属成型)。通过上述制造方法,降低了制造成本,提高了焦平面探测器的可靠性,并使焦平面探测器具有较高的外量子效率,实现了非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造。
Description
技术领域
本发明涉及一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法。
背景技术
现有的混成式焦平面探测器采用铟柱互连技术或者金丝互连技术将探测器芯片和读出电路进行连接,但是混成式互连结构的焦平面探测器,其读出电路和探测器芯片采用不同的材料,晶格常数、热膨胀系数等材料参数不同,导致焦平面探测器工作时由于温度的变化使探测器芯片和读出电路之间产生应力或应变,使焦平面探测器的可靠性降低,并且其制造工艺复杂、制造成本高。
针对现有混成式焦平面探测器互联技术存在的不足,在申请号为200910163261.4的发明专利申请中,申请人公开了一种新的非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器。
发明内容
针对申请人提出的申请号为200910163261.4的非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器,本发明提供一种制造非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法,以实现降低成本,提高可靠性、并使焦平面探测器具有较高外量子效率的目的。
本发明提供的非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法,通过以下工艺步骤来实现:A.衬底清洗;B.沉积金属下电极;C.光刻;D.干法刻蚀(下电极成型);E.去胶清洗;F.磁控溅射(非晶碲镉汞光敏材料生长);G.光刻;H.干法刻蚀(光敏面成型);I.去胶清洗;J.光刻;K.干法刻蚀(表面清洁);L.沉积金属上电极;M.剥离清洗(上电极金属成型)。
本发明的有益效果是:通过上述制造方法,降低了制造成本,提高了焦平面探测器的可靠性,并使焦平面探测器具有较高的外量子效率,实现了非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造。
附图说明
图1为非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的结构图;
图2为非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的工艺流程图;
图3为非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的工艺流程实施例图。
图中,1为读出电路,2为铝电极,3为下电极,4为光敏层,5为上电极。
具体实施方式
以下结合附图,通过实施例对本发明做进一步详细说明,但本发明的保护范围并不限于下面的实施例。
如图2和图3所示,实现本发明的工艺步骤如下:
1.衬底清洗,如图3(a)所示,以读出电路1作为衬底,首先用洗洁精超声清洗衬底,去除表面有机污物;再用丙酮超声清洗衬底,清洗衬底上所带杂质和污物,最后用无水乙醇浸泡,彻底清除硅片上残存的杂质。将清洗后的衬底放在滤纸上,用氮气通过***吹干衬底表面残余的液体;
2.镀金膜,如图3(b)所示,采用磁控溅射方法生长金膜;
3.下电极图形光刻,如图3(c)所示,首先在金膜材料上涂光刻胶,然后匀胶,之后将涂胶的衬底前烘,再然后使用光刻机进行曝光、显影、后烘,下电极图形成型后进行离子束刻蚀,刻成所需图形,完成下电极3的生长和制备;
4.生长光敏层材料,如图3(d)所示,在读出电路1和下电极3上面通过磁控溅射薄膜沉积方式生长非晶碲镉汞光敏层材料4;
5.光敏面成型,如图3(e)所示,在生长的非晶碲镉汞光敏层材料上涂光刻胶,然后匀胶,之后将涂胶的衬底前烘,再然后使用光刻机进行曝光、显影、后烘,光刻图形成型后进行离子束刻蚀,刻成所需图形,光敏面成型;
6.上电极图形光刻,如图3(f)所示,首先在非晶碲镉汞光敏层4上涂光刻胶,然后匀胶,之后将涂胶的衬底前烘,再使用光刻机进行曝光、显影、后烘,形成所需上电极图形;
7.镀金膜,如图3(g)所示,采用离子束刻蚀进行表面清洗,之后利用磁控溅射方法生长金膜;
8.上电极的成型和制备,如图3(h)所示,用丙酮充分浸泡,通过低功率超声清洗,剥离形成上电极图形,完成上电极5的成型和制备。
Claims (1)
1.一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法,其特征在于通过以下工艺步骤来实现:A.衬底清洗;B.沉积金属下电极;C.光刻;D.干法刻蚀;E.去胶清洗;F.磁控溅射;G.光刻;H.干法刻蚀;I.去胶清洗;J.光刻;K.干法刻蚀;L.沉积金属上电极;M.剥离清洗。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2009101632629A CN102117861B (zh) | 2009-12-30 | 2009-12-30 | 一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2009101632629A CN102117861B (zh) | 2009-12-30 | 2009-12-30 | 一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102117861A true CN102117861A (zh) | 2011-07-06 |
CN102117861B CN102117861B (zh) | 2012-07-25 |
Family
ID=44216529
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2009101632629A Active CN102117861B (zh) | 2009-12-30 | 2009-12-30 | 一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102117861B (zh) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102544233A (zh) * | 2012-02-23 | 2012-07-04 | 上海中智光纤通讯有限公司 | 一种氧化铟锡透明导电氧化物薄膜的制备方法 |
CN102903783A (zh) * | 2012-10-23 | 2013-01-30 | 昆明物理研究所 | 非晶态碲镉汞/晶态硅异质结红外探测器及其制造方法 |
CN112652676A (zh) * | 2020-12-02 | 2021-04-13 | 广东省大湾区集成电路与***应用研究院 | 一种探测器的集成结构及集成方法 |
CN112713215A (zh) * | 2020-12-03 | 2021-04-27 | 广东省大湾区集成电路与***应用研究院 | 一种探测器的集成结构及集成方法 |
CN113013288A (zh) * | 2021-02-05 | 2021-06-22 | 广东省大湾区集成电路与***应用研究院 | 一种探测器的集成结构及集成方法 |
CN113013287A (zh) * | 2021-02-02 | 2021-06-22 | 广东省大湾区集成电路与***应用研究院 | 一种探测器的集成结构及集成方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5861626A (en) * | 1996-04-04 | 1999-01-19 | Raytheon Ti System, Inc. | Mercury cadmium telluride infrared filters and detectors and methods of fabrication |
US6054718A (en) * | 1998-03-31 | 2000-04-25 | Lockheed Martin Corporation | Quantum well infrared photocathode having negative electron affinity surface |
US20030102432A1 (en) * | 2001-04-12 | 2003-06-05 | Epir Ltd. | Monolithic infrared focal plane array detectors |
US6657194B2 (en) * | 2001-04-13 | 2003-12-02 | Epir Technologies, Inc. | Multispectral monolithic infrared focal plane array detectors |
WO2005001900A2 (en) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Sirica Corporation | Steady-state-non-equilibrium distribution of free carriers and photon energy up-conversion using same |
-
2009
- 2009-12-30 CN CN2009101632629A patent/CN102117861B/zh active Active
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102544233A (zh) * | 2012-02-23 | 2012-07-04 | 上海中智光纤通讯有限公司 | 一种氧化铟锡透明导电氧化物薄膜的制备方法 |
CN102903783A (zh) * | 2012-10-23 | 2013-01-30 | 昆明物理研究所 | 非晶态碲镉汞/晶态硅异质结红外探测器及其制造方法 |
CN112652676A (zh) * | 2020-12-02 | 2021-04-13 | 广东省大湾区集成电路与***应用研究院 | 一种探测器的集成结构及集成方法 |
CN112713215A (zh) * | 2020-12-03 | 2021-04-27 | 广东省大湾区集成电路与***应用研究院 | 一种探测器的集成结构及集成方法 |
CN113013287A (zh) * | 2021-02-02 | 2021-06-22 | 广东省大湾区集成电路与***应用研究院 | 一种探测器的集成结构及集成方法 |
CN113013288A (zh) * | 2021-02-05 | 2021-06-22 | 广东省大湾区集成电路与***应用研究院 | 一种探测器的集成结构及集成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102117861B (zh) | 2012-07-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102117861B (zh) | 一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法 | |
CN102782869B (zh) | 背结背触点三维薄太阳能电池及其制造方法 | |
CN100594434C (zh) | 制具有纳米尺度的大面积由金属膜覆盖的金属结构的方法 | |
CN103112816B (zh) | 一种在单晶硅衬底上制备金字塔阵列的方法 | |
US9117967B2 (en) | Method of manufacturing glass substrate with concave-convex film using dry etching, glass substrate with concave-convex film, solar cell, and method of manufacturing solar cell | |
CN109216509A (zh) | 一种叉指型背接触异质结太阳电池制备方法 | |
JP2010258456A (ja) | 周期構造を有するシリコン基板 | |
US8381964B2 (en) | Tin-silver bonding and method thereof | |
CN111009496B (zh) | 一种具有高热导率的半导体衬底及其制备方法 | |
CN103311097A (zh) | 在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法 | |
CN109148615A (zh) | 一种异质结太阳能电池电极的制作方法 | |
CN111341875A (zh) | 一种石墨烯/二硒化钯/硅异质结自驱动光电探测器 | |
CN101419092B (zh) | 平面化热绝缘结构的热释电红外探测器的制备方法 | |
CN111863692A (zh) | 一种微型发光二极管显示背板的转移方法 | |
CN204680649U (zh) | 用于高能离子注入的复合掩膜 | |
KR100345677B1 (ko) | 이미지센서의 결함 분석 방법 | |
CN111987195A (zh) | 一种增强共晶推力的led芯片结构及其制作工艺 | |
CN105336796B (zh) | 倒置结构的双面受光GaAs多结太阳电池及其制备方法 | |
CN103303860B (zh) | 一种在Si表面生成0‑50纳米任意高度纳米台阶的方法 | |
JP2006332509A (ja) | 粗面化法 | |
CN100349047C (zh) | 硅基液晶铝反射电极的钝化保护方法 | |
CN106847852A (zh) | 一种电子倍增电荷耦合器件的背面结构及其制作方法 | |
CN114975680A (zh) | 一种基于范德华外延剥离的砷化镓太阳电池及其制备方法 | |
CN104064654B (zh) | 形成芯片的钝化膜的方法、芯片的钝化膜的结构及芯片 | |
CN108987529B (zh) | 一种柔性氧化锌光敏晶体管的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Application publication date: 20110706 Assignee: Kunming North Infrared Technology Co., Ltd. Assignor: Kunming Inst. of Physics Contract record no.: 2013530000086 Denomination of invention: Method for manufacturing amorphous mercury cadmium telluride monolithic integrated focal plane detector Granted publication date: 20120725 License type: Exclusive License Record date: 20130806 |
|
LICC | Enforcement, change and cancellation of record of contracts on the licence for exploitation of a patent or utility model |