CN102067303A - 晶片搬送用托盘以及在该托盘上固定晶片的方法 - Google Patents

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CN102067303A CN2010800018880A CN201080001888A CN102067303A CN 102067303 A CN102067303 A CN 102067303A CN 2010800018880 A CN2010800018880 A CN 2010800018880A CN 201080001888 A CN201080001888 A CN 201080001888A CN 102067303 A CN102067303 A CN 102067303A
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Abstract

本发明提供一种晶片搬送用托盘，可以在加工时进行晶片的温度管理，不会减少晶片面内的有效区域，并且无需晶片的粘附工作、后处理，而可以容易地固定晶片，该晶片搬送用托盘(302)包括由绝缘体构成的基体、和在基体中埋设的静电吸附电极(306)，针对静电吸附电极的供电部分的端子是弹簧式端子(305a)，弹簧式端子构成为其前端部分可以接触到静电吸附电极，在供电部分的周边设置有密封部件(305b)，使得温度交换介质不蔓延到弹簧式端子的前端部分与静电吸附电极的接触部，而且可以将晶片(S)通过静电吸附固定到托盘上。于是，可以在该晶片搬送用托盘上通过静电吸附固定晶片。

Description

晶片搬送用托盘以及在该托盘上固定晶片的方法
技术领域
本发明涉及晶片搬送用托盘以及在该托盘上固定晶片的方法，特别涉及埋入了静电吸附电极的晶片搬送用托盘以及在该托盘上静电地固定晶片的方法。
背景技术
以往，在制造半导体器件时，通过等离子体处理对多个晶片等进行一并处理的情况下，一般使用晶片搬送用托盘。此时，仅通过将晶片等放置于托盘上、或者通过按压器具、或利用薄板、带以及油脂等实现的粘接来固定而进行等离子体处理。
例如，已知在制造半导体器件、液晶设备时，为了对多个晶片等进行一并处理，使用按压单元将晶片等固定到搬送用托盘上，并且作为搬送用托盘，将由保护基板和半导体基板构成的托盘设置到静电吸盘上并移送的技术(参照专利文献1)。
另外，已知将半导体晶片等通过起泡剥离性板粘接保持于加工台上而进行加工的技术(例如，参照专利文献2)、使用起泡剥离性板等热剥离粘接部件来粘接基板等被处理材料而进行等离子体处理的技术(例如，参照专利文献3)。
以下，参照图1进行说明，图1示出使用作为所述按压单元的按压器具将晶片固定在托盘上，并且通过机械夹具将托盘固定在处理台上的方式的一个例子。
根据图1，在托盘支撑台101中，设置有温度交换介质(例如，He气体)的流路101a。被导入到该流路101a的温度交换介质经由托盘支撑台101内，被供给到在托盘支撑台101上载置的托盘102的背面，并且还被供给到晶片S的背面，而可以对托盘102以及晶片S进行冷却。在托盘102上设置的晶片S的外周缘部通过按压器具103被固定在托盘102上，并且，托盘102通过机械夹具部件104被固定在托盘支撑台101上。在该方式的情况下，固定晶片S变得麻烦，并且，固定的稳定性不可靠，无法对晶片S的周缘部的与按压器具对应的部分进行加工，所以存在晶片面内的可以加工的有效区域减少、即在按压部分中产生死区这样的问题。
另外，以下，参照图2进行说明，图2示出使用所述起泡剥离性板等粘着板将晶片粘接固定到托盘上，并且通过机械夹具或者静电吸附将托盘固定到处理台上的方式的一个例子。
根据图2，在托盘支撑台201中设置有温度交换介质(例如，He气体)的流路201a。导入到该流路201a的温度交换介质被供给到在托盘支撑台201上载置的托盘202的背面，而可以对托盘202进行冷却。在托盘202上设置的晶片S隔着热传导粘着板204被固定到托盘202上，并且，托盘202通过机械夹具部件203或者托盘支撑台201内埋入的静电吸附单元(未图示)被固定在托盘支撑台201上。在该方式的情况下，存在固定晶片S变得麻烦，固定的稳定性不可靠，并且冷却效率恶化这样的问题。
专利文献1：日本特开2006-59853号公报
专利文献2：日本特开平5-245967号公报
专利文献3：日本特开2007-201404号公报
发明内容
如上所述仅通过将晶片等放置到托盘上，在必需进行其温度管理的情况下，存在温度控制变得困难这样的问题。
存在如下问题：在如所述专利文献1那样，为了固定晶片而使用按压单元的情况下，晶片面内的可以加工的有效区域减少所按压的部分，并且，在如专利文献2以及3那样，将晶片等通过粘接固定到托盘上的情况下，需要晶片的粘附工作、拆卸晶片后的后处理。
本发明的课题是为了解决上述的以往技术的问题而完成的，其目的在于提供一种可以在加工时进行晶片等的温度管理，不会减少晶片面内的可以加工的有效区域，并且无需晶片的粘附工作、后处理，而可以容易地固定晶片的晶片搬送用托盘以及将晶片通过静电吸附固定在托盘上的固定方法。
本发明提供一种晶片搬送用托盘，其特征在于，包括由绝缘体构成的基体、和在该基体中埋设的静电吸附电极，针对该静电吸附电极的供电部分的端子是弹簧式端子，该弹簧式端子的前端部分能够接触到该静电吸附电极，在通电时能够通过静电吸将晶片附固定到该托盘上，而且在该供电部分的周边设置有密封部件，使得温度交换介质不蔓延到该弹簧式端子的前端部分与该静电吸附电极的接触部。
可以提供如下晶片搬送用托盘：通过在晶片搬送用托盘中搭载静电吸附，可以在加工时进行晶片的温度管理，不会减少晶片面内的可以加工的有效区域，并且无需晶片的粘附工作、后处理，而可以容易地固定晶片。
本发明提供一种晶片搬送用托盘，其特征在于，由导电性材料和覆盖其表面的绝缘体构成，针对作为静电吸附电极而发挥功能的导电性材料的供电部分的端子是弹簧式端子，该弹簧式端子的前端部分能够接触到该导电性材料，在通电时能够通过静电吸附将晶片固定到该托盘上，而且在该供电部分的周边设置有密封部件，使得温度交换介质不蔓延到该弹簧式端子的前端部分与该静电吸附电极的接触部。
如上所述，所述基体也可以是由导电性材料构成，表面被绝缘体覆盖的基体。在该情况下，具有该托盘的制作成本变低这样的优点。
在所述托盘中，进而，开设有从其背面侧向表面侧贯通的温度交换介质的多个流路，这些多个流路在将该托盘载置于晶片支撑台上时，将供给到在该托盘背面与该晶片支撑台表面之间形成的空间中的温度交换介质供给到晶片背面。
所述静电吸附是单极静电吸附或者双极静电吸附。
所述晶片是绝缘性基板，静电吸附是单极静电吸附。
在通常的静电吸附方式中绝缘性基板的吸附是困难的，但如果是搭载了单极静电吸附的托盘，则可以实现绝缘性基板的吸附。
本发明提供一种晶片的固定方法，其特征在于，
在晶片搬送用托盘上载置晶片，其中该晶片搬送用托盘包括由绝缘体构成的基体、和在该基体中埋设的静电吸附电极，并且针对该静电吸附电极的供电部分的端子是弹簧式端子，该弹簧式端子的前端部分能够接触到该静电吸附电极，在通电时能够通过静电吸附将晶片固定到该托盘上，而且在该供电部分的周边设置有密封部件，使得温度交换介质不蔓延到该弹簧式端子的前端部分与该静电吸附电极的接触部，
将载置了该晶片的托盘搬送到等离子体处理室内而将该托盘载置于托盘支撑台上，通过机械吸附或者静电吸附将该托盘固定到托盘支撑台上，然后对该弹簧式端子进行供电，从而通过静电吸附将该晶片固定到该托盘上。
在所述晶片的固定方法中，也可以代替由绝缘体构成的基体，而使用由导电性材料构成，表面被绝缘体覆盖的基体。在该情况下，如上所述，该导电性材料作为静电吸附电极而发挥功能，针对静电性材料的供电部分的端子是弹簧式端子。
在所述晶片的固定方法中，其特征在于，作为在基体中埋设的静电吸附，使用单极静电吸附或者双极静电吸附。
在所述晶片的固定方法中，其特征在于，作为晶片使用绝缘性基板，作为在基体中埋设的静电吸附，使用单极静电吸附，在对弹簧式端子进行供电时，在等离子体处理室内使等离子体点火，从而通过静电吸附固定该晶片。
在通常的静电吸附方式中绝缘性基板的吸附是困难的，但根据单极静电吸附，可以实现吸附。
根据本发明，可以在晶片搬送用托盘中搭载利用静电的吸附方式，仅通过将晶片放置于该托盘上而搬送，可以在等离子体处理室内将晶片通过静电吸附固定到托盘上，所以起到不会减少晶片面内的可以处理的有效区域，并且晶片的温度控制容易，进而可以省略晶片固定前后的工作这样的效果。
附图说明
图1是示出使用以往技术的按压器具将晶片固定到托盘上的方式的一个例子的示意剖面图。
图2是示出使用以往技术的粘着板将晶片粘接固定到托盘上的方式的一个例子的示意剖面图。
图3是用于针对本发明的晶片搬送用托盘的第1实施方式，以将晶片搬送用托盘载置于托盘支撑台上的状态进行说明的示意剖面图。
图4是用于针对本发明的晶片搬送用托盘的第2实施方式，以将晶片搬送用托盘载置于托盘支撑台上的状态进行说明的示意剖面图。
图5是用于针对本发明的晶片搬送用托盘的第3实施方式，以将晶片搬送用托盘载置于托盘支撑台上的状态进行说明的示意剖面图。
图6是用于针对本发明的晶片搬送用托盘的第4实施方式，以将晶片搬送用托盘载置于托盘支撑台上的状态进行说明的示意剖面图。
图7是示意地示出本发明的晶片搬送用托盘上载置的多晶片一并处理的情况下的各晶片的配置例以及覆盖部件的图，(a-1)～(d-1)是俯视图、(a-2)～(d-2)是其剖面图。
(符号说明)
101：托盘支撑台；101a：温度交换介质的流路；102：托盘；102a：温度交换介质的流路；103：按压器具；104：机械夹具部件；201：托盘支撑台；201a：温度交换介质的流路；202：托盘；203：机械夹具部件；204：热传导粘着板；301、401、501、601：托盘支撑台；301a、401a、501a、601a：温度交换介质的流路；301b、401b、501b、601b：密封部件；302、402、502、602：晶片搬送用托盘；302a、402a、502a、602b：温度交换介质的流路；303、403、503、603：覆盖部件；304、404、504、604：机械夹具部件；305、405、505、605：静电吸附用供电电源；305a、405a、505a、605a：弹簧式端子；305b、405b、505b、605b：密封部件；306、406、506：静电吸附电极；602a：绝缘膜；701：托盘基体；701a：晶片载置区域；702：托盘覆盖(覆盖部件)；702a：空间区域；702b：区域；S：晶片；A～D：空间。
具体实施方式
根据本发明的晶片搬送用托盘的实施方式，可以提供一种晶片搬送用托盘，包括由绝缘体构成的基体、和在基体中埋设的由导电体构成的静电吸附电极，其中，针对静电吸附电极的供电部分的端子是弹簧式端子，弹簧式端子构成为，经由载置托盘的托盘支撑台内的通路，其前端部分可以接触到静电吸附电极，在通电时可以将晶片通过静电吸附固定到该托盘上，以不使温度交换介质蔓延到弹簧式端子的前端部分与静电吸附电极的接触部的方式，在供电部分的周边设置密封部件，而且将晶片固定到托盘上的静电吸附是单极静电吸附或者双极静电吸附，进而，开设了从该托盘的背面侧向表面侧贯通的温度交换介质的多个流路，这些流路在将该托盘载置于晶片支撑台上时将供给到在该托盘背面与该台表面之间形成的空间中的温度交换介质供给到晶片背面。在该情况下，可以代替由绝缘体构成的基体，而使用由导电性材料构成，其表面被由绝缘体构成的膜覆盖的基体。
本发明中的由绝缘体构成的基体例如由铝、石英等制作，静电吸附电极例如由Al、Cu、Ti、W等金属材料制作，密封部件也可以是O环，例如由特氟纶((Teflon)注册商标)等制作，由导电性材料构成的基体由通常的导电性材料制作，而且导电性基体的表面的绝缘膜例如使用Al2O3等通过通常的喷镀法形成。
通过在晶片搬送用托盘中埋设搭载静电吸附，可以提供如下晶片搬送用托盘：可以在加工时进行晶片的温度管理，不会减少晶片面内的可以加工的有效区域，并且无需晶片的粘附工作或后处理，就可以容易地固定晶片。
如此，如果使用本发明的晶片搬送用托盘，则不会减少晶片面内的希望处理的有效区域，并且晶片的温度控制变得容易，进而可以省略固定前后的麻烦。
在绝缘性基板(例如，蓝宝石玻璃、石英玻璃等)以外的晶片的情况下，不管静电吸附是单极静电吸附还是双极静电吸附，都可以将晶片吸附到托盘上，但在绝缘性基板的情况下，静电吸附是单极静电吸附，在对弹簧式端子进行供电时，如果在等离子体处理室内等离子体没有点火，则无法将晶片静电地固定到托盘上。
另外，根据本发明的晶片的固定方法的实施方式，可以提供如下的方法，在晶片搬送用托盘上搭载晶片，其中，该晶片搬送用托盘包括由绝缘体构成的基体、和在基体中埋设的由电介体构成的静电吸附电极，并且针对静电吸附电极的供电部分的端子是弹簧式端子，弹簧式端子构成为，配置在载置托盘的支撑台内设置的通路内，其前端部分可以接触到该静电吸附电极，在通电时可以将晶片通过静电吸附固定到该托盘上，以使温度交换介质不蔓延到弹簧式端子的前端部分与静电吸附电极的接触部的方式，在供电部分的周边设置密封部件，进而开设从该托盘的背面侧向表面侧贯通的温度交换介质的多个流路，这些流路在将该托盘载置于晶片支撑台上时将供给到在该托盘背面与该台表面之间形成的空间中的温度交换介质供给到晶片背面；将载置了该晶片的托盘搬送到等离子体处理室内而将其载置于托盘支撑台上；通过机械吸附或者静电吸附将托盘固定到托盘支撑台上；然后经由支撑台对弹簧式端子进行供电，从而通过单极静电吸附或者双极静电吸附将晶片固定到托盘上。在该情况下，也可以代替由所述绝缘体构成的基体，而使用由导电性材料构成，表面被绝缘体覆盖的基体。
如此，根据本发明的晶片的固定方法，不会减少晶片面内的希望处理的有效区域，并且晶片的温度控制变得容易，进而可以省略固定前后的麻烦。
以下，参照图3～6，针对在托盘支撑台上载置的本发明的晶片搬送用托盘的第1～4实施方式，以将埋设了静电吸附电极的晶片搬送用托盘载置于托盘支撑台上的状态进行说明。
图3所示的第1实施方式是+或者-的单极式的供电方式。如图3所示，在托盘支撑台301中，设置有温度交换介质(例如，He气体等冷却气体)的流路301a，并且，在晶片搬送用托盘302中，也设置有该温度交换介质的多个流路302a。导入到该流路301a中的温度交换介质被供给到在托盘支撑台301的表面侧形成的凹部(设置在该台与托盘之间的空间)A内，经由与该空间连通的多个流路302a被供给到晶片S的背面侧，所以可以高效地冷却托盘302以及晶片S。在图3中，在托盘支撑台301内例示了温度交换介质的2个流路，并且，在晶片搬送用托盘302内例示了温度交换介质的多个流路，但对于流路的数量根据晶片的尺寸、冷却效率等而适宜地选择即可。
晶片S载置于通过在托盘302的外周缘部中设置的覆盖部件303在托盘302表面上划分的凹部内，托盘302通过机械夹具部件304经由覆盖部件303被固定在托盘支撑台301上。在该情况下，虽然未图示，但也可以代替机械夹具部件304，而通过在托盘支撑台301的表面中或者在托盘支撑台301内埋设的静电吸附(ESC)电极，利用静电吸附固定托盘302。
在图3所示的单极式的供电方式的情况下，载置于托盘302上的晶片S在将托盘302设置到等离子体处理室(未图示)内之后，通过利用从静电吸附用供电电源(ESC用供电电源)305经由作为供电端子的弹簧式端子305a向静电吸附电极306施加的电力产生的静电被静电吸附而固定。接下来，对晶片S进行等离子体处理。如果He气体等温度交换介质蔓延到向静电吸附电极306的供电部分，则对供电部分施加高电压，所以有可能产生DC放电而引起吸附不良，所以优选用O环等密封部件305b对供电部分的周边(例如，托盘302的下方的供电端子导入部周边)进行密封。另外，优选用O环等密封部件301b对托盘支撑台301和托盘302进行密封，以使温度交换介质不从托盘支撑台301与托盘302的接触面泄漏。
根据该单极方式，晶片S载置于通过在托盘302的外周缘部中设置的覆盖部件303在托盘302表面上划分的凹部内，所以易于固定晶片S、固定的稳定性优良、并且无需从上面按压晶片S的周缘部，所以具有晶片面内的希望处理的有效区域不会减少、即不产生按压部分的死区等优点。进而，针对晶片的冷却效率也良好。
图4所示的第2实施方式与第1实施方式不同，是双极式(+、-)的供电方式。如图4所示，在托盘支撑台401中，设置有温度交换介质(例如，He气体等)的流路401a，并且，在晶片搬送用托盘402中，也设置有该温度交换介质的多个流路402a。导入到该流路401a中的温度交换介质被供给到在托盘支撑台401的表面侧形成的凹部(设置在该台与托盘之间的空间)B内，经由与该空间连通的多个流路402a被供给到晶片S的背面侧，所以可以高效地冷却托盘402以及晶片S。在图4中，在托盘支撑台401内针对各静电吸附电极406的每一个例示了1个温度交换介质的流路，并且，在晶片搬送用托盘302内例示了温度交换介质的多个流路，但对于流路的数量根据晶片的尺寸、冷却效率等而适宜地选择即可。
晶片S载置于通过在托盘402的外周缘部中设置的覆盖部件403在托盘402表面上划分的凹部内，托盘402通过机械夹具部件404经由覆盖部件403被固定到托盘支撑台401上。在该情况下，虽然未图示，但也可以代替机械夹具，而通过在托盘支撑台401的表面中或者在托盘支撑台401内埋设的静电吸附电极，利用静电吸附固定托盘402。
在图4所示的双极式的供电方式的情况下，载置于托盘402上的晶片S在将托盘402设置于等离子体处理室(未图示)内之后，通过利用从静电吸附用供电电源405经由作为供电端子的弹簧式端子405a向各静电吸附电极406施加的电力产生的静电被静电吸附而固定。接下来，对晶片S进行等离子体处理。如果He气体等温度交换介质蔓延到向各静电吸附电极406的供电部分，则对供电部分施加高电压，所以有可能产生DC放电而引起吸附不良，所以优选用O环等密封部件405b对供电部分的周边(例如，托盘402的下方的供电端子导入部周边)进行密封。另外，优选用O环等密封部件401b对托盘支撑台401和托盘402进行密封，以使温度交换介质不会从托盘支撑台401与托盘402的接触面泄漏。
根据该双极方式，与单极方式的情况同样地，晶片S载置于通过在托盘402的外周缘部中设置的覆盖部件403在托盘402表面上划分的凹部内，所以易于固定晶片S、固定的稳定性优良、并且不用从上面按压晶片S的周缘部，所以具有晶片面内的希望处理的有效区域不会减少、即不会产生按压部分的死区等优点。进而，晶片的冷却效率也优良。
图5所示的第3实施方式是单极式的供电方式，示出对多个晶片进行一并处理的情况。如图5所示，在托盘支撑台501中，设置有与所处理的晶片的个数对应的数量的温度交换介质(例如，He气体等)的流路501a，并且，在晶片搬送用托盘502中，也设置有该温度交换介质的多个流路502a。导入到各流路501a中的温度交换介质被供给到在托盘支撑台501的表面侧形成的凹部(设置在该台与托盘之间的空间)C内，经由与该空间连通的多个流路502a被供给到晶片S的背面侧，所以可以高效地冷却托盘502以及各晶片S。在图5中，在托盘支撑台501内针对各晶片S例示了温度交换介质的1个流路，并且，在晶片搬送用托盘502内例示了温度交换介质的多个流路，但对于流路的数量根据晶片的尺寸、冷却效率等而适宜地选择即可。
各晶片S载置于通过覆盖部件(在图7中说明)503在托盘502表面上划分的各凹部内，托盘502通过机械夹具部件504经由覆盖部件503固定在托盘支撑台501上。在该情况下，虽然未图示，但也可以代替机械夹具，而通过在托盘支撑台501的表面中或者在托盘支撑台501内埋设的静电吸附电极，利用静电吸附固定托盘502。
在通过图5所示的单极式的供电方式进行的多晶片一并处理的情况下，在将托盘502设置于等离子体处理室(未图示)内之后，通过利用从静电吸附用供电电源505经由作为供电端子的各弹簧式端子505a向各静电吸附电极506施加的电力产生的静电，载置于托盘502上的各晶片S被静电吸附而固定。接下来，对各晶片S进行等离子体处理。如果He气体等温度交换介质蔓延到向各静电吸附电极506的供电部分，则对供电部分施加高电压，所以有可能产生DC放电而引起吸附不良，所以优选用O环等密封部件505b对供电部分的周边(例如，托盘502的下方的供电端子导入部周边)进行密封。另外，优选用O环等密封部件501b对托盘支撑台501和托盘502进行密封，以使温度交换介质不会从托盘支撑台501与托盘502的接触面泄漏。
根据图5所示的单极方式，与所述同样地，各晶片S载置于通过在托盘502的外周缘部中设置的覆盖部件503在托盘502表面上划分的凹部内，所以易于固定各晶片S、固定的稳定性优良、可以对多个进行一并处理、并且不从上面按压各晶片S的周缘部，所以具有各晶片面内的希望处理的有效区域不会减少、即不产生按压部分的死区等优点。进而，晶片的冷却效率也良好。
图6所示的第4实施方式是单极式的供电方式，示出对多个晶片进行一并处理的情况，但使用了结构与第3实施方式的托盘不同的托盘。即，图6所示的托盘602是用通过喷镀法制作的由Al2O3等构成的绝缘膜602a覆盖了由Al等导电体材料构成的基体的表面的托盘，与静电吸附用供电电源605连接的弹簧式端子605a接触到由所述导电性材料构成的基体。
在图6中，601、601a、601b、602b、603、604、605、605a、605b、S、以及D分别表示托盘支撑台、温度交换介质的流路、密封部件、温度交换介质的流路、覆盖部件、机械夹具部件、静电吸附用供电电源、作为供电端子的弹簧式端子、密封部件、晶片、以及在托盘支撑台表面中设置的凹部(该台与托盘之间的空间)，由于与在图5中说明的部分相同，所以省略详细的说明。
如上所述，在使用利用绝缘膜覆盖了导电体基体的托盘的情况下，与其他实施方式同样地，易于固定各晶片S、固定的稳定性优良、可以对多个进行一并处理、并且不从上面按压各晶片S的周缘部，所以除了具有各晶片面内的希望处理的有效区域不会减少、即不产生按压部分的死区等优点以外，还具有比用绝缘体制作托盘自身的情况相比可以减小成本这样的优点。进而，晶片的冷却效率也良好。
接下来，针对图5以及6所示的多晶片一并处理的情况下的各晶片的配置例以及所述覆盖部件，参照图7(a-1)、(a-2)、(b-1)、(b-2)、(c-1)、(c-2)、(d-1)、以及(d-2)进行说明。
如图7(a-1)的俯视图以及从线A-A观察的图7(a-2)的剖面图所示，在托盘基体701中，设置有凸部区域即晶片载置区域701a、以及包围晶片载置区域701a的凹部区域701b，该凹部区域701b是嵌入图7(b-1)的俯视图以及从线B-B观察的图7(b-2)的剖面图所示的托盘覆盖(覆盖部件)702的区域。即，托盘覆盖702包括嵌入到晶片载置区域701a中的空间区域702a和嵌入到凹部区域701b中的区域702b。如果组合图7(a-1)以及(a-2)所示的托盘基体701、和图7(b-1)以及(b-2)所示的托盘覆盖702，则如图7(c-1)的俯视图以及从线C-C观察的图7(c-2)的剖面图所示，形成在托盘基体701中具备晶片载置区域701a、和成为隔开各晶片S的区域的区域702b的晶片搬送用托盘。图7(d-1)的俯视图以及从线D-D观察的图7(d-2)的剖面图示出在该晶片搬送用托盘中载置了晶片S的状态。
以下，对以下工艺进行说明：在晶片搬送用托盘上设置晶片，将配置了该晶片的托盘搬送到等离子体处理室内，载置于托盘支撑台上，用机械夹具部件、静电吸附等固定托盘，接下来通过静电吸附将晶片固定到托盘上，实施等离子体处理。
在通过单极方式进行静电吸附的情况下，首先，例如，流入流量：20～100sccm的载流子气体(例如，Ar)，设为工艺压力：5.0～10.0Pa，将天线功率(RF)设定为300W左右，而使等离子体点火。此时，对于来自静电吸附供电电源的静电吸附供电电压(静电吸附电压)，在作为晶片而使用绝缘性基板(此处，蓝宝石基板(sapphire substrate))的情况下，经由弹簧式端子施加1.5～5.0kV，并且，在使用绝缘性基板以外的通常的基板的情况下，经由弹簧式端子施加0.5～1.5kV，使晶片暴露于等离子体3秒左右的期间，由此向托盘上的晶片的吸附完成。之后，在实际处理的工艺条件(例如，公知的等离子体CVD成膜条件、等离子体蚀刻条件等)下处理晶片。
在通过双极方式进行静电吸附的情况下，无需等离子体的点火，只要从静电吸附供电电源对蓝宝石基板以外的通常的晶片施加0.5～1.5kV的静电吸附供电电压(静电吸附电压)，则向托盘上的晶片吸附完成。之后，在实际处理的工艺条件(例如，公知的等离子体CVD成膜条件、等离子体蚀刻条件等)下处理晶片。对于蓝宝石基板，在双极方式下无法进行静电吸附。
在所述等离子体气氛下的成膜、蚀刻等处理结束了之后，从等离子体处理室搬出载置了所处理的晶片的托盘，通过通常的方法使晶片脱离托盘(不吸附(de-chucked))，从托盘上取下晶片。在该拆卸中，使成为非导通状态的托盘中埋设的静电吸附电极的极性反转即可。
作为本发明的晶片载置用托盘的使用例，例如，对蚀刻工序、特别是LED的领域中的绝缘性基板(例如，蓝宝石基板)的多个同时处理是有用的。在通常的静电吸附方式中绝缘性基板(例如，蓝宝石基板)的静电吸附是困难的，但在本发明中的单极式静电吸附方式中可以得到有效的静电吸附。
例如，在LED制造工序中，对绝缘性基板(例如，蓝宝石基板)、或者其上的外延膜进行干蚀刻，但为了提高生产效率一般对多个进行一并处理。因此，通过在该干蚀刻工序中，使用本发明的晶片搬送用托盘，可以降低运行成本，减少操作失误等而提高成品率。另外，即使在其他技术领域中对搬送用托盘上的晶片进行处理的情况下，也可以期待同样的效果。
产业上的可利用性
根据本发明，可以通过利用在晶片搬送用托盘的基体内埋设的静电吸附电极实现的静电吸附方式，容易地将晶片固定到托盘上，所以不会减少晶片面内的有效区域，并且晶片的温度控制变得容易，进而可以省略固定前后的工作，所以可以有效地利用于对晶片实施各种等离子体处理的半导体器件领域等中。

Claims (10)

1.一种晶片搬送用托盘，其特征在于，包括由绝缘体构成的基体、和在该基体中埋设的静电吸附电极，针对该静电吸附电极的供电部分的端子是弹簧式端子，该弹簧式端子的前端部分能够接触到该静电吸附电极，在通电时能够通过静电吸附将晶片附固定到该托盘上，而且在该供电部分的周边设置有密封部件，使得温度交换介质不蔓延到该弹簧式端子的前端部分与该静电吸附电极的接触部，进而开设有从该晶片搬送用托盘的背面侧向表面侧连通的温度交换介质的多个流路，所述多个流路在将该托盘载置于晶片支撑台上时，将供给到在该托盘背面与该晶片支撑台表面之间形成的空间中的温度交换介质供给到晶片背面。
2.一种晶片搬送用托盘，其特征在于，由导电性材料和覆盖其表面的绝缘体构成，针对作为静电吸附电极而发挥功能的导电性材料的供电部分的端子是弹簧式端子，该弹簧式端子的前端部分能够接触到该导电性材料，在通电时能够通过静电吸附将晶片固定到该托盘上，而且在该供电部分的周边设置有密封部件，使得温度交换介质不蔓延到该弹簧式端子的前端部分与该静电吸附电极的接触部，进而开设有从该晶片搬送用托盘的背面侧向表面侧连通的温度交换介质的多个流路，所述多个流路在将该托盘载置于晶片支撑台上时，将供给到在该托盘背面与该晶片支撑台表面之间形成的空间中的温度交换介质供给到晶片背面。
3.根据权利要求1或者2所述的晶片搬送用托盘，其特征在于，
所述静电吸附是单极静电吸附或者双极静电吸附。
4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的晶片搬送用托盘，其特征在于，
所述晶片是绝缘性基板，静电吸附是单极静电吸附。
5.一种晶片的固定方法，其特征在于，
在晶片搬送用托盘上载置晶片，其中该晶片搬送用托盘包括由绝缘体构成的基体、和在该基体中埋设的静电吸附电极，并且针对该静电吸附电极的供电部分的端子是弹簧式端子，该弹簧式端子的前端部分能够接触到该静电吸附电极，在通电时能够通过静电吸附将晶片固定到该托盘上，而且在该供电部分的周边设置有密封部件，使得温度交换介质不蔓延到该弹簧式端子的前端部分与该静电吸附电极的接触部，
将载置了该晶片的托盘搬送到等离子体处理室内而将该托盘载置于托盘支撑台上，通过机械吸附或者静电吸附将该托盘固定到托盘支撑台上，然后对该弹簧式端子进行供电，从而通过静电吸附将该晶片固定到该托盘上。
6.一种晶片的固定方法，其特征在于，
在晶片搬送用托盘上载置晶片，其中，该晶片搬送用托盘包括由导电性材料构成且表面被绝缘体覆盖的基体、和在该基体中埋设的静电吸附电极，并且针对该静电吸附电极的供电部分的端子是弹簧式端子，该弹簧式端子的前端部分能够接触到该静电吸附电极，在通电时能够通过静电吸附将晶片固定该托盘上，而且在该供电部分的周边设置有密封部件，使得温度交换介质不蔓延到该弹簧式端子的前端部分与该静电吸附电极的接触部，
将载置了该晶片的托盘搬送到等离子体处理室内而将该托盘载置于托盘支撑台上，通过机械吸附或者静电吸附将该托盘固定到托盘支撑台上，然后对该弹簧式端子进行供电，从而通过静电吸附将该晶片固定到该托盘上。
7.根据权利要求5或者6所述的晶片的固定方法，其特征在于，
作为所述静电吸附，使用单极静电吸附或者双极静电吸附。
8.根据权利要求5或者6所述的晶片的固定方法，其特征在于，
作为所述晶片使用绝缘性基板，作为静电吸附使用单极静电吸附，在对该弹簧式端子进行供电时，在等离子体处理室内使等离子体点火，从而通过静电吸附固定该晶片。
9.一种晶片搬送用托盘，其特征在于，包括由绝缘体构成的基体、和在该基体中埋设的静电吸附电极，针对该静电吸附电极的供电部分的端子是弹簧式端子，该弹簧式端子的前端部分能够接触到该静电吸附电极，在通电时能够通过静电吸附将晶片固定到该托盘上，而且在该供电部分的周边设置有密封部件，使得温度交换介质不蔓延到该弹簧式端子的前端部分与该静电吸附电极的接触部。
10.一种晶片搬送用托盘，其特征在于，包括导电性材料和覆盖该导电性材料的表面的绝缘体，针对作为静电吸附电极而发挥功能的导电性材料的供电部分的端子是弹簧式端子，该弹簧式端子的前端部分能够接触到该导电性材料，在通电时能够通过静电吸附将晶片固定到该托盘上，而且在该供电部分的周边设置有密封部件，使得温度交换介质不蔓延到该弹簧式端子的前端部分与该静电吸附电极的接触部。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103187348A (zh) * 2011-12-31 2013-07-03 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 晶片固定装置、半导体设备和晶片固定方法
CN103590114A (zh) * 2012-08-17 2014-02-19 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种托盘紧固装置及等离子体加工设备
CN103594315A (zh) * 2012-08-14 2014-02-19 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种等离子体加工设备
CN104342758A (zh) * 2013-07-24 2015-02-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 压环及等离子体加工设备
CN104752129A (zh) * 2013-12-30 2015-07-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 托盘组件和刻蚀设备
CN105448794A (zh) * 2014-08-13 2016-03-30 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种托盘及承载装置
CN106165083A (zh) * 2014-02-07 2016-11-23 离子射线服务公司 高压加热和极化的静电基板托架
CN107431040A (zh) * 2015-04-15 2017-12-01 株式会社爱发科 吸附装置、真空处理装置
CN109643683A (zh) * 2016-08-22 2019-04-16 应用材料公司 双极静电吸盘及其使用方法
CN112133664A (zh) * 2020-09-25 2020-12-25 北京北方华创微电子装备有限公司 静电卡盘装置及半导体工艺设备

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102412176B (zh) * 2010-09-26 2014-08-27 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 托盘及具有其的晶片处理设备
JP5609663B2 (ja) * 2011-01-18 2014-10-22 旭硝子株式会社 ガラス基板保持手段、およびそれを用いたｅｕｖマスクブランクスの製造方法
EP2490073B1 (en) 2011-02-18 2015-09-23 ASML Netherlands BV Substrate holder, lithographic apparatus, and method of manufacturing a substrate holder
NL2008630A (en) 2011-04-27 2012-10-30 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
CN103094166B (zh) * 2011-10-31 2015-04-15 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 晶圆承载装置及具有它的半导体处理设备
JP6058269B2 (ja) * 2012-02-02 2017-01-11 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 基板トレー、およびこれを備えたプラズマ処理装置
KR101652782B1 (ko) 2012-02-03 2016-08-31 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 기판 홀더 및 리소그래피 장치
JP5975755B2 (ja) * 2012-06-28 2016-08-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP6007039B2 (ja) * 2012-09-18 2016-10-12 株式会社アルバック 搬送トレー及び基板保持方法
US8945983B2 (en) * 2012-12-28 2015-02-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method to improve package and 3DIC yield in underfill process
KR101812666B1 (ko) * 2013-08-05 2017-12-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 얇은 기판 취급을 위한 정전 캐리어
CN105359265B (zh) * 2013-08-05 2018-12-14 应用材料公司 原位可移除式静电夹盘
US10304713B2 (en) * 2013-09-20 2019-05-28 Applied Materials, Inc. Substrate carrier with integrated electrostatic chuck
CN105917457B (zh) 2014-01-22 2019-05-14 株式会社爱发科 等离子体处理装置以及晶片搬送用托盘
KR101684281B1 (ko) * 2014-02-14 2016-12-08 (주)브이앤아이솔루션 기판처리장치의 기판캐리어
TWI660452B (zh) * 2014-02-17 2019-05-21 優貝克科技股份有限公司 用於乾式蝕刻裝置之基板托盤組
CN106165141B (zh) 2014-05-09 2019-01-15 应用材料公司 基板载体***及使用它的方法
WO2016057848A1 (en) * 2014-10-08 2016-04-14 Parker Robert M Heated shelf apparatus and freeze dry cart using same
CN105702614B (zh) * 2014-11-24 2019-08-23 北京北方华创微电子装备有限公司 基片承载装置和刻蚀设备
KR101910727B1 (ko) * 2015-01-20 2018-10-22 엔지케이 인슐레이터 엘티디 웨이퍼 지지 구조체
KR102192024B1 (ko) * 2015-01-22 2020-12-17 주식회사 원익아이피에스 기판지지대 및 그가 설치된 기판처리장치
CN104681402B (zh) * 2015-03-16 2018-03-16 京东方科技集团股份有限公司 基板加热装置和基板加热方法
JP6710461B2 (ja) * 2016-09-30 2020-06-17 株式会社ディスコ 搬送トレイ、及び搬送トレイの給電装置
JP6824003B2 (ja) * 2016-11-08 2021-02-03 株式会社アルバック 静電チャック付きトレイ
CN106378730A (zh) * 2016-11-24 2017-02-08 南京中电熊猫晶体科技有限公司 一种负压吸附夹具装置
JP6858035B2 (ja) * 2017-02-27 2021-04-14 新光電気工業株式会社 基板固定具及び基板固定装置
WO2018179295A1 (ja) * 2017-03-30 2018-10-04 株式会社ニコン 露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
US11887878B2 (en) * 2019-06-28 2024-01-30 Applied Materials, Inc. Detachable biasable electrostatic chuck for high temperature applications
WO2024070009A1 (ja) * 2022-09-27 2024-04-04 東京エレクトロン株式会社 静電キャリア、処理システム及び処理方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0697676B2 (ja) * 1985-11-26 1994-11-30 忠弘 大見 ウエハサセプタ装置
JPH0478133A (ja) * 1990-07-20 1992-03-12 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP3091304B2 (ja) 1992-03-04 2000-09-25 日東電工株式会社 発泡剥離性シート
KR100260587B1 (ko) * 1993-06-01 2000-08-01 히가시 데쓰로 정전척 및 그의 제조방법
US6081414A (en) * 1998-05-01 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Apparatus for improved biasing and retaining of a workpiece in a workpiece processing system
JP4414072B2 (ja) * 2000-07-27 2010-02-10 キヤノンアネルバ株式会社 真空処理装置用トレー及び真空処理装置
JP3881908B2 (ja) * 2002-02-26 2007-02-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP2006059853A (ja) 2004-08-17 2006-03-02 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 気相工程用トレー
CN2796097Y (zh) * 2005-04-22 2006-07-12 北京中科信电子装备有限公司 一种晶片定位装置
JP4789566B2 (ja) * 2005-09-30 2011-10-12 ミライアル株式会社 薄板保持容器及び薄板保持容器用処理装置
KR101153118B1 (ko) * 2005-10-12 2012-06-07 파나소닉 주식회사 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
JP4905934B2 (ja) 2005-12-27 2012-03-28 サムコ株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ装置
JP2008198739A (ja) * 2007-02-09 2008-08-28 Tokyo Electron Ltd 載置台構造、これを用いた処理装置及びこの装置の使用方法
JP4974873B2 (ja) * 2007-12-26 2012-07-11 新光電気工業株式会社 静電チャック及び基板温調固定装置
US8218284B2 (en) * 2008-07-24 2012-07-10 Hermes-Microvision, Inc. Apparatus for increasing electric conductivity to a semiconductor wafer substrate when exposure to electron beam
US7952851B2 (en) * 2008-10-31 2011-05-31 Axcelis Technologies, Inc. Wafer grounding method for electrostatic clamps

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103187348A (zh) * 2011-12-31 2013-07-03 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 晶片固定装置、半导体设备和晶片固定方法
CN103594315B (zh) * 2012-08-14 2016-04-20 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种等离子体加工设备
CN103594315A (zh) * 2012-08-14 2014-02-19 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种等离子体加工设备
WO2014026593A1 (zh) * 2012-08-14 2014-02-20 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 等离子体加工设备
CN103590114A (zh) * 2012-08-17 2014-02-19 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种托盘紧固装置及等离子体加工设备
CN103590114B (zh) * 2012-08-17 2016-08-31 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种托盘紧固装置及等离子体加工设备
CN104342758A (zh) * 2013-07-24 2015-02-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 压环及等离子体加工设备
CN104342758B (zh) * 2013-07-24 2017-07-21 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 压环及等离子体加工设备
CN104752129A (zh) * 2013-12-30 2015-07-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 托盘组件和刻蚀设备
CN104752129B (zh) * 2013-12-30 2018-01-19 北京北方华创微电子装备有限公司 托盘组件和刻蚀设备
CN106165083A (zh) * 2014-02-07 2016-11-23 离子射线服务公司 高压加热和极化的静电基板托架
CN106165083B (zh) * 2014-02-07 2019-11-01 离子射线服务公司 高压加热和极化的静电基板托架
CN105448794A (zh) * 2014-08-13 2016-03-30 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种托盘及承载装置
CN105448794B (zh) * 2014-08-13 2019-07-19 北京北方华创微电子装备有限公司 一种托盘及承载装置
CN107431040A (zh) * 2015-04-15 2017-12-01 株式会社爱发科 吸附装置、真空处理装置
CN107431040B (zh) * 2015-04-15 2020-10-16 株式会社爱发科 吸附装置、真空处理装置
CN109643683A (zh) * 2016-08-22 2019-04-16 应用材料公司 双极静电吸盘及其使用方法
CN112133664A (zh) * 2020-09-25 2020-12-25 北京北方华创微电子装备有限公司 静电卡盘装置及半导体工艺设备
CN112133664B (zh) * 2020-09-25 2024-03-26 北京北方华创微电子装备有限公司 静电卡盘装置及半导体工艺设备

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