CN102057573A - 负载电路的过电流保护装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种负载电路的过电流保护装置，其能够进行高精度过电流检测而不受放大器(AMP1)的偏移电压(Voff)的影响。如果在放大器(AMP1)中存在偏移电压(Voff)并且该偏移电压(Voff)具有正值(Voff＞0)的时候，电流源(IA)将从流经电阻器(R1)的电流(I1)中减去了电流(Ia)的电流供给到电阻器(R3)。此外，如果偏移电压(Voff)具有负值(Voff＜0)，那么电流源(IB)引起电阻器(R2)中的电压降，并且控制使得电压(Vds)成为等于在电阻器(R1)中产生的电压。结果，在电阻器(R3)中产生的电压(V3)成为从中消除了偏移电压(Voff)的影响的电压，从而使得能够进行从中消除了偏移电压(Voff)的影响的高精度过电流判定。

Description

负载电路的过电流保护装置
技术领域
本发明涉及一种在过电流流经负载电路时检测过电流并保护负载电路的过电流保护装置，并且特别涉及一种避免由运算放大器的偏移电压所带来的影响的技术。
背景技术
例如，安装在车辆上的诸如各种车灯、电机等的负载经由各半导体元件连接到蓄电池(电源)，从而通过切换对应的半导体元件的开/关状态来分别控制负载的工作。由于负载电路或连接于该负载电路的各种回路的故障或操作不当等，过电流可能流入到由蓄电池、半导体元件和负载所构成的负载电路中。当过电流流动时，引起了半导体元件过热以及连接在负载与电源之间的线束也过热的问题。因而，已经提出了各种过电流保护装置，每种过电流保护装置都设置为当过电流产生时立即检测过电流从而切断流入到负载电路中的电流。
图2是示出了设置有现有技术的过电流保护装置的负载电路的构造的电路图(参见专利文献1)。如图2所示，该负载电路包括由蓄电池VB、作为半导体元件的MOSFET(T101)、例如车灯或电机的负载RL所构成的串联电路。MOSFET(T101)的栅极经由电阻器R110连接于驱动器电路101。因而，该MOSFET(T101)针对从驱动器电路101输出的驱动信号而被导通和关断，以从而使负载RL在驱动状态和停止状态之间切换。
MOSFET(T101)的漏极经由电阻器R104和R105的串联电路而接地，并且还经由电阻器R101、晶体管T102和电阻器R103的串联电路而接地。晶体管T102和电阻器R101之间的连接点连接于放大器AMP101的反相输入端子，并且放大器AMP101的非反相输入端子连接于MOSFET(T101)的源极。此外，放大器AMP101的输出端子连接于晶体管T102的栅极。
晶体管(T2)与电阻器R103之间的连接点(电压V3)连接于比较器CMP101的反相输入端子，而电阻器R104和R105之间的连接点(电压V4)连接于比较器CMP101的非反相输入端子。
当MOSFET(T101)导通并且电流ID流入负载电路的时候，电流I1流入电阻器R101、晶体管T102和电阻器R103的串联电路中。在这种情况下，放大器AMP101控制流入晶体管T102中的电流I1，使得MOSFET(T101)的漏-源电压Vds成为与电阻器R101两端之间产生的电压相等。
从而，在电阻器R103处产生的电压V3变成通过使电压Vds乘以m(m＝R103/R101)所得到的值。被放大的电压V3输入到比较器CMP101的反相输入端子。通过由电阻器R104和电阻器R105将电压V1分压所得到的电压V4输入到比较器CMP101的非反相输入端子来作为过电流判定电压。当负载电流ID变为过电流状态时，电压Vds变大，所以电压V3变得比电压V4大。从而，由于比较器CMP 101的输出状态被反相，所以检测出过电流状态。
假设MOSFET(T101)的漏极电压是V1，其源极电压是V2，并且其导通电阻是Ron，那么由下面表达式(1)来表示电压Vds。
Vds＝V1-V2＝Ron*ID    ----------(1)
通过由电阻器R101、R103、晶体管T102和放大器AMP 101构成的放大器电路来放大电压Vbs。在放大器AMP101中存在偏移电压。由于该偏移电压而引起过电流的检测误差。以下，将研究在放大器AMP101具有偏移电压±Voff的情况下的所述检测误差。在图2中，在长短交替的点划线的方框中示出了放大器AMP101，并且与该运算放大器的符号分开地示出了偏移电压±Voff。从而，由三角表示的该运算放大器是具有零伏特偏移电压的理想运算放大器。
从而，流经从电源VB经由电阻器R101、晶体管T102和电阻器R103到地GND的线路的电流I1的大小成为由于通过放大器AMP101和晶体管T2总是将电压Va和电压V2控制为彼此相等所确定的电流值。
假设放大器AMP101的偏移电压是±Voff，则得到下面的表达式。
Vds±Voff＝R101*I1    ----------(2)
假设电阻器R103的电压降V3为通过放大电压Vds所获得的值，并且m是R103/R101，那么由下面的表达式(3)来表示电压V3。
V3＝R103*I1
  ＝R103/R101*R101*I1
  ＝R103/R101*(Vds±Voff)
  ＝m*(Ron*ID±Voff)    ----------(3)
由表达式(3)可知，通过使偏移电压(±Voff)乘以m所得到的电压包含在电压V3中，这导致了差量的起因。
被放大的电压V3输入到比较器CMP101的反相输入端子，并且由电压V1被电阻R104和R105分压所得到的电压V4输入到比较器CMP101的非反相输入端子来作为过电流判定电压。当流入负载RL的电流ID变为过电流状态的时候，电压Vds变大，所以电压V3变得比电压V4更大。从而，由于比较器CMP101的输出信号反相，所以检测出过电流状态。假设当检测为过电流的电流ID的值为I ovc，那么得到下面的表达式(4)。
V3＝m*(Ron*I ovc±Voff)＝V4
I ovc＝V4/m/Ron±Voff/Ron    ----------(4)
当放大器AMP101不具有偏移电压的时候，电流I ovc为通过V4、R101、R103和Ron所确定的恒定值。相反地，当放大器AMP101具有偏移电压(±Voff)的时候，过电流检测值I ovc变化并且其差量为±Voff/Ron。由偏移电压Voff所导致的差量为通过将偏移电压Voff除以导通电阻Ron所得到的恒定值。
在放大器AMP101形成为IC的情况下，该放大器AMP101的偏移电压(±Voff)的差量范围取决于形成IC的过程。假设Ron为3[mΩ]，那么由于通常的IC具有大约±10[mV]的差量范围，所以切断电流值在±3.3[A]的范围内变化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：JP-A-2002-353794
发明内容
发明要解决的问题
如上所述，现有技术的负载电路的保护装置具有这样的问题：当放大器AMP 101具有偏移电压Voff的时候，由于过电流判定值I ovc受偏移电压Voff影响，所以不能基于精确的过电流判定值I ovc来切断电路。
本发明意在解决现有技术的该问题，并且本发明的目的是提供一种负载电路的过电流保护装置，能够避免运算放大器的偏移电压Voff对过电流检测的影响并因此能够基于精确的过电流判定值I ovc来切断负载电路。
解决问题的手段
(1)为了达到该目的，根据本发明的负载电路的过电流保护装置是用于保护负载电路免遭过电流的过电流保护装置，该负载电路包括：电源、负载以及设置在该电源和该负载之间的第一半导体元件(T1)，所述第一半导体元件(T1)的第一主电极连接于所述电源的正电极，而所述第一半导体元件(T1)的第二主电极经由所述负载连接于所述电源的负电极；该过电流保护装置包括：
放大部件(AMP1)；
第一电阻器(R1)，该第一电阻器包括连接于所述第一半导体元件(T1)的第一主电极的一端，以及连接于所述放大部件(AMP1)的反相输入端子的另一端；
第二电阻器(R2)，该第二电阻器包括连接于点c的一端，即连接于所述第一半导体元件(T1)的第二主电极的一端，以及连接于所述放大部件(AMP1)的非反相输入端子的另一端；
第三电阻器(R3)；
第二半导体元件(T2)，该第二半导体元件包括第一主电极、第二主电极以及控制电极，该第一主电极经由所述第三电阻器(R3)而接地，该第二主电极连接于所述第一电阻器(R1)与所述放大部件(AMP1)的反相输入端子之间的连接点点a，而该控制电极连接于所述放大部件的输出端子；以及
第一电流源(IA)，该第一电流源设置在点a和地之间，
其中，在电流流经所述负载并且由于所述放大部件(AMP1)的偏移电压而使所述点a处的电压变得低于所述点c处的电压(V2)的情况下，将所述第一电流源(IA)设置为流动这样一个电流，该电流等于通过将所述点c与所述点a之间的电压除以所述第一电阻器(R1)的电阻值所得到的电流。
(2)为了达到该目的，根据本发明的负载电路的过电流保护装置是用于保护负载电路免遭过电流的过电流保护装置，该负载电路包括：电源、负载以及设置在该电源和该负载之间的第一半导体元件(T1)，所述第一半导体元件(T1)的第一主电极连接于所述电源的正电极，而所述第一半导体元件(T1)的第二主电极经由所述负载连接于所述电源的负电极；该过电流保护装置包括：
放大部件(AMP1)；
第一电阻器(R1)，该第一电阻器包括连接于所述第一半导体元件(T1)的第一主电极的一端，以及连接于所述放大部件(AMP1)的反相输入端子的另一端；
第二电阻器(R2)，该第二电阻器包括连接于点c的一端，即连接于所述第一半导体元件(T1)的第二主电极的一端，以及连接于所述放大部件(AMP1)的非反相输入端子的另一端；
第三电阻器(R3)；
第二半导体元件(T2)，该第二半导体元件包括第一主电极、第二主电极以及控制电极，该第一主电极经由所述第三电阻器(R3)而接地，该第二主电极连接于所述第一电阻器(R1)与所述放大部件(AMP1)的反相输入端子之间的连接点点a，而该控制电极连接于所述放大部件的输出端子；以及
第二电流源(IB)，该第二电流源设置在地和点b之间，该点b是所述第二电阻器(R2)与所述放大部件(AMP1)的非反相输入端子之间的连接点，
其中，在电流流经所述负载并且由于所述放大部件(AMP1)的偏移电压而使所述点a处的电压高于所述点c处的电压(V2)的情况下，将所述第二电流源(IB)设置为使电流流入所述第二电阻器(R2)，使得在所述点c和所述点a之间的电压为零。
(3)根据构造(1)的负载电路的过电流保护装置，还包括：
比较部件(CMP1)，该比较部件包括一个输入端子与另一个输入端子，在所述第二半导体元件(T2)和所述第三电阻器(R3)之间的连接点(点e)处的电压(V3)被输入到所述一个输入端子，而通过将所述第一半导体元件(T1)的第一主电极的电压(V1)以电阻比率(R4∶R5)分压而产生的判定电压(V4)被输入到所述另一个输入端子，
其中，当在所述第一半导体元件(T1)的所述第一主电极和第二主电极之间产生电压(V4/m)的情况下，流经所述第一电流源IA的电流的电流值变成用于将所述比较部件(CMP1)的输出信号从低电平改变为高电平的电流的电流值，所述电压(V4/m)是通过将所述判定电压(V4)除以由将所述第三电阻器(R3)的值除以所述第一电阻器(R1)的值得到的值(m)所得到的。
(4)根据构造(2)的负载电路的过电流保护装置，还包括：
比较部件(CMP1)，该比较部件包括一个输入端子与另一个输入端子，在所述第二半导体元件(T2)和所述第三电阻器(R3)之间的连接点(点e)处的电压(V3)被输入到所述一个输入端子，而通过将所述第一半导体元件(T1)的第一主电极的电压(V1)以电阻比率(R4∶R5)分压所产生的判定电压(V4)被输入到所述另一个输入端子，
其中，当在所述第一半导体元件(T1)的所述第一主电极和第二主电极之间产生电压(V4/m)的情况下，流经所述第二电流源(IB)的电流具有用于将所述比较部件(CMP1)的输出信号从高电平改变为低电平的电流值，所述电压(V4/m)是通过将所述判定电压(V4)除以由将所述第三电阻器(R3)的值除以所述第一电阻器(R1)的值得到的值(m)所得到的。
发明的效果
根据具有构造(1)或(2)的本发明，当放大器(AMP1)具有正值的偏移电压Voff(Voff＞0)的时候，通过接通第一电流源(IA)而从流经第一电阻器(R1)的电流I1中减去Ia而得到的电流流入电阻器(R3)中。相反地，当放大器(AMP1)具有负值的偏移电压Voff(Voff＜0)的时候，由于接通第二电流源(IB)而在第二电阻器(R2)处产生电压降，从而控制使得电压Vds变得与在电阻器(R1处)产生的电压相等。从而，由于在第三电阻器(R3)处产生的电压V3变为从中消除了偏移电压Voff的影响的电压，所以可以通过消除该偏移电压Voff的影响来精确地判定过电流。结果，由于不需要针对过电流扩大电线的直径，所以能够使得用于负载电路的电线的直径是小的。
根据具有构造(3)或(4)的本发明，在将由(V4/m)表示的电压施加到第一半导体元件(T1)的第一主电极和第二主电极之间的情况下，当比较部件(CMP1)的输出信号为低电平时设置第一电流源(IA)，然而当比较部件(CMP1)的输出信号为高电平时设置第二电流源(IB)，从而去除了偏移电压Voff的影响。从而，不需要提供两个电流源，能够简化装置的构造。
附图说明
图1是示出了根据本发明的实施例的过电流保护装置的构造的电路图。
图2是示出了现有技术的过电流保护装置的构造的电路。
符号说明
10    驱动器电路
VB    蓄电池(电源)
RL    负载
CMP1  比较器
AMP1  放大器(放大部件)
T1    MOSFET(第一半导体元件)
具体实施方式
以下，将参考附图来说明根据本发明的实施例。图1是示出了设置有根据本发明的实施例的过电流保护装置的负载电路的构造的电路图。如图1所示，负载电路包括由蓄电池(电源)VB、作为半导体元件的MOSFET(T1)和例如车灯或电机的负载RL所构成的串联电路。MOSFET(T1)的栅极经由电阻器R10连接于驱动器电路10。因而，该MOSFET(T1)针对从驱动器电路10输出的驱动信号而被导通和关断，以从而使负载RL在驱动状态和停止状态之间切换。
MOSFET(T1)的漏极(点d：电压V1)经由电阻器R4(例如，112[KΩ])和R5(例如，8[KΩ])的串联电路而接地，并且还经由电阻器R1(例如，5[KΩ])、晶体管T2和电阻器R3(例如，100[KΩ])的串联电路而接地。晶体管T2和电阻器R1之间的连接点(点a：电压Va)连接于放大器AMP1的反相输入端子。该放大器AMP1的非反相输入端子经由电阻器R2(例如5[KΩ])连接于MOSFET(T1)的源极(点c：电压V2)。此外，放大器AMP 1的输出端子连接于晶体管T2的栅极。放大器AMP1具有偏移电压Voff并且与放大器的符号分开地示出了该偏移电压±Voff。即，AMP1所示的的三角形符号表示理想的运算放大器AMP1。
晶体管T2与电阻器R3之间的连接点(点e：电压V3)连接于比较器CMP1的反相输入端子，而电阻器R4与R5之间的连接点(点f：电压V4)连接于比较器CMP1的非反相输入端子。
作为电阻器R1和晶体管T2之间的连接点的点a经由电阻器R6(例如，5[KΩ])和电流源IA而接地。此外，作为放大器AMP 1的非反相输入端子的点b经由电流源IB而接地，在该点b和作为MOSFETT1的源极的点c之间设置电阻器R2(例如，5[KΩ])。
下面，将说明根据本实施例的过电流保护装置的操作。假设流经电流源IA、IB的电流分别是Ia、Ib，那么当在放大器AMP1中没有偏移电压Voff，即，Voff＝0[V]的时候，即使Ia＝Ib＝0[A]，电压Va也为V2。
在这种情况下，假设m＝R3/R1，那么在晶体管T2与电阻器R3之间的连接点点e处的电压V3由下面的表达式(5)表示。
V3＝Vds*R3/R1＝Vds*m    ----------(5)
即，电压V3是通过将MOSFET(T1)的漏-源电压Vds精确地放大了放大系数m所得到的电压。
在放大器AMP1具有正值的偏移电压Voff，即，Voff＞0的情况下，如果Ia＝Ib＝0[A]，假设MOSFET(T1)的源极电压V2与点a处的电压Va之间的电压是V2a(＝V2-Va)，那么V2a等于Voff且大于0。即，由于放大器AMP1以(Va+Voff)等于V2的方式来控制电流I1，所以V2a等于Voff。
此外，通过下面的表达式(6)来表示流经电阻器R1的电流I1。
I1＝(Vds+V2a)/R1    ----------(6)
由于电流I1流经电阻器R3，所以电压V3由下面的表达式(7)来表示。
V3＝R3*(Vds+V2a)/R1
  ＝m*(Vds+V2a)
  ＝m*Vds+m*V2a
  ＝m*Vds+m*Voff    ----------(7)
由该表达式(7)，在电阻器R3处产生的电压V3包含通过将偏移电压Voff放大m倍所得到的电压，该电压引起了误差。
根据本实施例，为了消除该误差，电流Ia＝V2a/R1流经电流源IA。假设电源线与MOSFET(T1)的漏极之间的连接点是d，那么电流Ia从点d经由R1、R6和IA流动到地GND。结果，流经电阻器R3的电流I3与电流I1不一致，而是小于该电流I1。即，电流I3由下面的表达式(8)表示。
I3＝I1-Ia＝I1-V2a/R1    ----------(8)
从而，得到下面的表达式(9)。
V3＝R3*I3
  ＝R3*(I1-V2a/R1)
  ＝R3*((Vds+V2a)/R1-V2a/R1)
  ＝R3*Vds/R1
  ＝m*Vds    ----------(9)
由表达式(9)，当电流Ia(＝V2a/R1)流经电流源IA的时候，电压V3变成电压Vds精确的m倍的电压，所以能够消除偏移电压Voff的影响。
将说明找出电流Ia(＝V2a/R1)的方法。当将电阻器R6设定为具有与电阻器R1相同的电阻值(即，R1＝R6)的时候，通过使电流Ia流经电阻器R6所产生的电压降VR6由下面的表达式(10)来表示。
VR6＝Ia*R6＝V2a/R1*R6＝V2a    ----------(10)
即，为了找出电流Ia＝V2a/R1，电流Ia逐渐从0增加以找出通过其能使在电阻器R6处产生的电压降变成与电压V2a或偏移电压Voff相等的电流值。此时，比较器CMP1的输出信号从低电平改变为高电平。
以这种方式，当放大器AMP1的偏移电压Voff是正值的时候，通过上述方法来确定电流Ia。然后，使当这样确定的电流Ia流经电流源IA的时候，能够消除偏移电压Voff的影响。
下面，将对放大器AMP1具有负值的偏移电压Voff，即，Voff＜0的情况进行说明。在这种情况下，如果Ia＝Ib＝0[A]，那么MOSFET(T1)的源极电压V2与点a处的电压Va之间的V2a等于Voff(＜0)。
在这种情况下，当电流源IB的电流Ib从0增大的时候，电流源IA的电流保持为0。电流Ib从MOSFET(T1)的源极(点c)经由R2、点b和电流源IB流动到地GND，从而在电阻器R2处产生电压降VR2。从而，通过调节电流Ib的大小能够使电压Va2为0。此时，VR2变为等于Voff，而且比较器CMP1的输出信号从高电平改变为低电平。在这种情况下，电流Ib还流经MOSFET(T1)而在其导通电阻Ron处产生电压降。然而，由于MOSFET(T1)的导通电阻Ron的值与电阻器R6的值相比非常小，所以由电流Ib在导通电阻Ron处产生的电压降是可以忽略的。当将这样得到的电流Ib设定为电流源IB的电流值的时候，消除了偏移电压Voff的影响，并且满足表达式(9)。
以这种方式，即使偏移电压Voff是负值，也能消除偏移电压Voff的影响。
如上所述，依据根据本实施例的负载电路的过电流保护装置，即使放大器AMP1具有偏移电压Voff，也可以通过消除该偏移电压Voff的影响来检测出过电流。从而，当过电流流经负载RL的时候，能够确定地检测过电流，从而保护负载电路。结果，由于不需要针对过电流而增大电线的直径，所以能够使得用于负载电路的电线的直径是小的。
(修改实例的说明)
在该实施例中，以当偏移电压Voff具有正值(Voff＞0)时使电流源IA导通而当偏移电压Voff具有负值(Voff＜0)时使电流源IB导通的方式，来消除放大器AMP1的偏移电压Voff的影响。即，将本实施例构造成依据偏移电压Voff具有正值还是负值而采用电流源IA和IB中的一个。
就此而言，由于放大器AMP1的偏移电压Voff是不会从正值变为负值或从负值变为正值的恒定判定值，所以仅提供电流源IA和IB中的一个即足矣。
从而，根据本发明的修改实例，假设从电路中除去图1中所示的电流源IA和电流源IB，并且电压(V4/m)施加到MOSFET(T1)的漏极和源极之间。在这种情况下，当比较器CMP1的输出信号变为低电平时，由于确定了偏移电压Voff是正值(Voff＞0)。所以，仅提供电流源IA就足够了。
另一方面，当比较器CMP1的输出信号变为高电平时，由于确定了偏移电压Voff是负值(Voff＜0)，所以仅提供电流源IB就足够了。通过利用这种方法，由于无需使用图1中所示的两个电流源IA和IB，所以能够简化电路构造并且能够实现低成本和小空间化。
虽然已经对根据附图中所示的本发明的负载电路的过电流保护装置的实施例进行了说明，但是本发明并不限于此，而是能够由具有同样功能的任意部件来分别替换各部件的构造。
例如，在本实施例中，虽然MOSFET(T1)用作为半导体元件的实例，但是本发明并不限于此，而是可以采用其他半导体元件。
虽然已经参考特定实施例说明了本发明，但是在不脱离本发明的精神和范围的情况下进行各种变化和修改对于本领域技术人员来说是显而易见的。
本申请基于2008年6月4日提交的日本专利申请(日本专利申请No.2008-147255)，其内容通过引用的方式结合于此。
工业实用性
本发明对于意在抑制由于偏移电压而产生的运算放大器的输出的差量来说是很有用的。

Claims (4)

1.一种用于保护负载电路免遭过电流的过电流保护装置，该负载电路包括：电源、负载以及设置在该电源和该负载之间的第一半导体元件(T1)，所述第一半导体元件(T1)的第一主电极连接于所述电源的正电极，而所述第一半导体元件(T1)的第二主电极经由所述负载连接于所述电源的负电极；所述过电流保护装置包括：
放大部件(AMP1)；
第一电阻器(R1)，该第一电阻器包括连接于所述第一半导体元件(T1)的第一主电极的一端，以及连接于所述放大部件(AMP1)的反相输入端子的另一端；
第二电阻器(R2)，该第二电阻器包括连接于点c的一端，即连接于所述第一半导体元件(T1)的第二主电极的一端，以及连接于所述放大部件(AMP1)的非反相输入端子的另一端；
第三电阻器(R3)；
第二半导体元件(T2)，该第二半导体元件包括第一主电极、第二主电极以及控制电极，该第一主电极经由所述第三电阻器(R3)而接地，该第二主电极连接于所述第一电阻器(R1)与所述放大部件(AMP1)的反相输入端子之间的连接点点a，而该控制电极连接于所述放大部件的输出端子；以及
第一电流源(IA)，该第一电流源设置在点a和地之间，
其中，在电流流经所述负载并且由于所述放大部件(AMP1)的偏移电压而使所述点a处的电压变得低于所述点c处的电压(V2)的情况下，将所述第一电流源(IA)设置为流动这样一个电流，该电流等于通过将所述点c与所述点a之间的电压除以所述第一电阻器(R1)的电阻值所得到的电流。
2.一种用于保护负载电路免遭过电流的过电流保护装置，该负载电路包括：电源、负载以及设置在该电源和该负载之间的第一半导体元件(T1)，所述第一半导体元件(T1)的第一主电极连接于所述电源的正电极，而所述第一半导体元件(T1)的第二主电极经由所述负载连接于所述电源的负电极；所述过电流保护装置包括：
放大部件(AMP1)；
第一电阻器(R1)，该第一电阻器包括连接于所述第一半导体元件(T1)的第一主电极的一端，以及连接于所述放大部件(AMP1)的反相输入端子的另一端；
第二电阻器(R2)，该第二电阻器包括连接于点c的一端，即连接于所述第一半导体元件(T1)的第二主电极的一端，以及连接于所述放大部件(AMP1)的非反相输入端子的另一端；
第三电阻器(R3)；
第二半导体元件(T2)，该第二半导体元件包括第一主电极、第二主电极以及控制电极，该第一主电极经由所述第三电阻器(R3)而接地，该第二主电极连接于所述第一电阻器(R1)与所述放大部件(AMP1)的反相输入端子之间的连接点点a，而该控制电极连接于所述放大部件的输出端子；以及
第二电流源(IB)，该第二电流源设置在地和点b之间，该点b是所述第二电阻器(R2)与所述放大部件(AMP1)的非反相输入端子之间的连接点，
其中，在电流流经所述负载并且由于所述放大部件(AMP 1)的偏移电压而使所述点a处的电压变得高于所述点c处的电压(V2)的情况下，将所述第二电流源(IB)设置为使一电流流过所述第二电阻器(R2)，使得在所述点c和所述点a之间的电压为零。
3.根据权利要求1所述的过电流保护装置，还包括：
比较部件(CMP1)，该比较部件包括一个输入端子和另一个输入端子，在所述第二半导体元件(T2)与所述第三电阻器(R3)之间的连接点(点e)处的电压(V3)被输入到所述一个输入端子，而通过将所述第一半导体元件(T1)的第一主电极的电压(V1)以电阻比率(R4∶RS)分压而产生的判定电压(V4)被输入到所述另一个输入端子，
其中，当在所述第一半导体元件(T1)的所述第一主电极和第二主电极之间产生电压(V4/m)的情况下，流经所述第一电流源(IA)的电流的电流值变为用于将所述比较部件(CMP1)的输出信号从低电平改变为高电平的电流的电流值，所述电压(V4/m)是通过将所述判定电压(V4)除以由将所述第三电阻器(R3)的值除以所述第一电阻器(R1)的值得到的值(m)所得到的。
4.根据权利要求2所述的过电流保护装置，还包括：
比较部件(CMP1)，该比较部件包括一个输入端子与另一个输入端子，在所述第二半导体元件(T2)和所述第三电阻器(R3)之间的连接点(点e)处的电压(V3)被输入到所述一个输入端子，而通过将所述第一半导体元件(T1)的第一主电极的电压(V1)以电阻比率(R4∶R5)分压而产生的判定电压(V4)被输入到所述另一个输入端子，
其中，当在所述第一半导体元件(T1)的所述第一主电极和第二主电极之间产生电压(V4/m)的情况下，流经所述第二电流源(IB)的电流具有用于将所述比较部件(CMP1)的输出信号从高电平改变为低电平的电流值，所述电压(V4/m)是通过将所述判定电压(V4)除以由将所述第三电阻器(R3)的值除以所述第一电阻器(R1)的值得到的值(m)所得到的。
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