CN102041002A - 磷光体及其制备方法、发光装置封装件、表面光源设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种磷光体及其制备和使用方法、一种发光装置封装件、一种表面光源设备、一种利用磷光体的照明设备和一种显示设备。所述磷光体包括由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物，其中，M是金属元素，0＜x＜4并且y＝2x/3。

Description

磷光体及其制备方法、发光装置封装件、表面光源设备
本申请要求于2009年10月23日在韩国知识产权局提交的第10-2009-0101439号韩国专利申请的优先权，该申请的公开通过引用被包含于此。
技术领域
本发明涉及一种磷光体及其制备方法、产生白光的方法、一种发光装置封装件、包括该发光装置封装件的表面光源设备、照明设备、用于交通工具的前灯以及一种显示设备。
背景技术
通常，使用磷光体材料(或者磷光体、荧光材料)将来自各种类型光源的特定波长的光转变为期望波长的光。具体地讲，在各种光源中，采用低功耗驱动并且具有良好的光效率的发光二极管(LED)趋于被用作液晶显示器(LCD)的背光或者作为路灯、交通工具或汽车以及房子的照明设备。根据这种趋势，磷光体作为制造白色LED的核心技术而备受关注。此外，磷光体的效率对于驱动显示器来说是必须的，是作为与包括显示器的光源产品的效率直接相关的关键因素。近来，正在开发用于实现与CIE色坐标中定义的自然光类似的白光的技术，并且对白色LED的生产的研究也正在积极地进行。
用于制造白色LED的方法包括采用黄色磷光体和绿色磷光体包覆蓝色LED以及采用红色磷光体、绿色磷光体和蓝色磷光体包覆紫外LED等。由于前一种方法的结构简单、制造容易并且能够获得高亮度的白光，所以目前主要针对前一种方法进行积极地研究。在这种方法中，经常使用YAG(Y3Al5O12)基或TAG基黄色磷光体，但是由于红色分量不足、显色性下降，所以发射的光为带蓝色的白光，并且当由于长时间使用导致操作温度上升时出现变黄。后一种方法通过使紫外光透射穿过三原色的荧光材料而产生三波长白光。这种方法的优点在于变黄减少、显色指数(CRI)优良，并且能够实现宽的颜色分布。
然而，与绿色磷光体或蓝色磷光体相比，红色磷光体的效率低，所以必须以相对更大的比率(60wt％或更多)混合红色磷光体。红色磷光体的这种低效率是由于：与其它磷光体的激发光谱相比，红色磷光体在期望的紫外波长段或蓝色波长段处的激发光谱相对低。因此，需要开发可以具有高效率和稳定性并且在使用蓝色LED或紫外LED作为激发源的白色发光LED中可以提高显色性的红色磷光体的组成。
发明内容
本发明的一方面提供了一种红色磷光体及其制备方法，所述红色磷光体通过利用蓝色和紫外波长区域作为激发源而发射红光，并且具有高亮度以及热稳定性和化学稳定性。
本发明的另一方面提供了一种发光装置封装件、一种表面光源设备和一种照明设备，上述发光装置封装件、表面光源设备和发光设备通过利用使用蓝色和紫外波长区域作为激发源而发射红光的红色磷光体而能够发射接近自然光并且具有良好的显色性的白光。
根据本发明的一方面，提供了一种红色磷光体，所述红色磷光体包括由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物，其中，M是金属元素，0＜x＜4并且y＝2x/3。
通过采用蓝色或者紫外波长区域作为激发源，所述红色磷光体可以具有从大约600nm至大约700nm范围内的波长段的发射峰，优选地，所述红色磷光体可以具有从大约600nm至大约650nm范围内的波长段的发射峰，更加优选地，所述红色磷光体可以具有从大约600nm至大约620nm范围内的波长段的发射峰。在上述式子中，x可以满足条件0.15≤x≤3，并且可以为0.43或1.56。
在上述式子中，M可以包括从由Be、Mg、Ca、Sr和Ba组成的第二族元素中选择的至少一种，或者可以包括从由Li、Na、K、Rb和Cs组成的第一族元素中选择的至少一种，所述实验式中的一部分Si可以被从由B、Al、Ga和In组成的组中选择的至少一种代替，或者可以被从由Ti、Zr、Hf、Sn和Pb组成的组中选择的至少一种代替，被所述元素代替的Si的比率可以是1/10。
所述红色磷光体还可以包括Mn，并且还可以包括与该无机化合物不同的晶体混合物，该无机化合物的含量可为50wt％或更多，红色磷光体的晶体结构可以为正交晶系。
根据本发明的另一方面，还提供了一种制备红色磷光体的方法，所述方法包括以下步骤：将包括含Sr化合物和含M化合物中的至少一种、含Eu化合物、含Si氧化物和含Si氮化物的原材料进行混合；加热混合物，以获得由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物，其中，M是一价和二价元素中的至少一种，0＜x＜4并且y＝2x/3。
含Eu化合物可以是氧化铕(Eu2O3)，在混合原材料的过程中，可以另外地与其混合碳酸锰、从由B、Al、Ga和In组成的组中选择的至少一种元素的化合物或从由Ti、Zr、Hf、Sn和Pb组成的组中选择的至少一种元素的化合物。
含Sr化合物可以是金属Sr、Sr的水溶金属盐、氧化物、硝酸盐、氧化物盐、硫酸盐或碳酸盐，含M化合物可以是金属M、M的水溶金属盐、氧化物、硝酸盐、氧化物盐、硫酸盐或碳酸盐，含Si氧化物可以是氧化硅(SiO2)，含Si氮化物可以是氮化硅(Si3N4)。
在混合原材料的过程中，可以通过利用溶剂将原材料湿法混合。制备红色磷光体的方法还可以包括：干燥通过湿法混合得到的混合物。加热混合物可以在1000℃至1800℃的温度范围内执行1小时至24小时。所述加热可以在氮气气氛下执行。
根据本发明的另一方面，还提供了一种发光装置封装件，所述封装件包括：发光装置，发射激发光；波长转换单元，吸收所述激发光以发射可见光，其中，波长转换单元至少包含一种红色磷光体，所述红色磷光体具有由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物，其中，M是一价和二价元素中的至少一种，0＜x＜4并且y＝2x/3。
所述红色磷光体受到所述激发光的激发可以发射具有在大约600nm和大约700nm之间的发射峰的光，优选地在大约600nm和大约650nm之间，更加优选地在大约600nm和大约620nm之间。发光装置可以是紫外LED，发光装置封装件还可以包含蓝色磷光体和绿色磷光体，所述发光装置封装件的最终输出光可以是白光。波长转换单元可以包括：第一磷光体层，形成在发光装置上或上方，并且包含用来发射红光的红色磷光体；第二磷光体层，堆叠在第一磷光体层上或上方，并且发射绿光；第三磷光体层，堆叠在第二磷光体层上或上方，并且发射蓝光。另外，所述波长转换单元可以包括：第一磷光体层，形成在发光装置上或上方，并且包含用来发射红光的红色磷光体；第二磷光体层，堆叠在第一磷光体层上或上方并且发射绿光和蓝光。以上层的顺序可以改变。此外，发光装置可以为能够产生紫外光的非LED装置。
所述发光装置可以为蓝色LED，并且所述发光装置封装件还可以包括绿色磷光体和黄色磷光体，所述发光装置封装件最终输出的光可以为白光。所述波长转换单元可以包括：第一磷光体层，形成在发光装置上或上方并且包含发射红光的红色磷光体；第二磷光体层，堆叠在第一磷光体层上或上方并且发射绿光。此外，所述波长转换单元可以包括：第一磷光体层，形成在发光装置上或上方并且包含发射红光的红色磷光体；第二磷光体层，堆叠在第一磷光体层上或上方并且发射黄光。以上层的顺序可以改变。此外，发光装置可以为能够产生蓝光的非LED装置。
波长转换单元可以形成为用包含红色磷光体的树脂材料均匀地覆盖发光装置的外表面。波长转换单元可以仅形成在发光装置的上表面上，或者可以形成在发光装置的上表面和侧表面上。波长转换单元还可以形成在远离发光装置的位置处。
波长转换单元还可以包括包封发光装置的树脂封装单元。红色封装单元可以具有分布在其中的红色磷光体。波长转换单元还可以包括蓝色磷光体、绿色磷光体和黄色磷光体中的两种或多于两种的磷光体。发光装置封装件的最终输出光是白光，或者是结合红色可产生的任何颜色。
根据本发明的另一方面，还提供了一种具有发光装置封装件的表面光源设备，所述设备包括：导光板；光源，设置在导光板的侧表面上，并且将光照射到导光板，其中，所述光源包括：发光装置，发射激发光；波长转换单元，吸收所述激发光以发射可见光，其中，波长转换单元至少包含一种红色磷光体，所述红色磷光体具有由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物，其中，M是一价和二价元素中的至少一种，0＜x＜4并且y＝2x/3。
波长转换单元还可以包括蓝色磷光体、绿色磷光体和黄色磷光体中的两种或多于两种的磷光体，以提供白光或者结合红色可产生的其他颜色。表面光源设备还可以包括：反射板，设置在导光板下方。表面光源设备还可以包括：光学片，设置在导光板上方。
根据本发明的另一方面，还提供了一种照明设备，所述照明设备包括：基底；多个光源，安装在所述基底上；漫射片，设置在所述多个光源上方，并且将从光源入射的光均匀地漫射，其中，每个光源包括：发光装置，发射激发光；波长转换单元，吸收所述激发光以发射可见光，其中，波长转换单元至少包含一种红色磷光体，所述红色磷光体具有由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物，其中，M是一价和二价元素中的至少一种，0＜x＜4并且y＝2x/3。
照明设备还可以包括：反射层，设置在所述基底的上表面上，并且将从发光装置发射的光向上反射，其中，波长转换单元还可以包括蓝色磷光体、绿色磷光体和黄色磷光体中的两种或多于两种的磷光体。发光装置封装件的最终输出光是白光。
根据本发明的另一方面，还提供了一种用于交通工具的前灯，所述前灯包括：发光装置封装件，包括波长转换单元和至少一个发光装置，波长转换单元吸收从发光装置发射的光以发射可见光，并且至少包含一种红色磷光体，所述红色磷光体具有由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物，其中，M是一价和二价元素中的至少一种，0＜x＜4并且y＝2x/3；反射单元，设置在发光装置封装件上方，以反射从发光装置封装件输出的光；透镜单元，在从反射单元反射的光的路径上向外部辐射光。
用于交通工具的前灯还可以包括：散热单元，具有设置在其上的发光装置封装件，并且散发由发光装置封装件产生的热。
波长转换单元还可以包括蓝色磷光体、绿色磷光体和黄色磷光体中的两种或多于两种的磷光体，以提供白光或者是结合红色可产生的其他颜色。
根据本发明的实施例，提供了一种利用红色磷光体将较短波长的光转换为较长波长的光的方法，所述红色磷光体具有由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu(其中，M是一价和二价元素中的至少一种，0＜x＜4并且y＝2x/3)表示的无机化合物。
在本发明的另一方面中，提供了一种具有实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Ln的磷光体。M是金属元素，优选地，M是Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Li、Na、K、Rb和Cs中的至少一种，Ln镧系金属中的一种或多种，优选地是Ce、Pr、Eu、Tb、Yb和Lu，更优选地是Eu或Ce，更加优选地是Eu。X大于0小于4，优选地是0.15或更大并且是3或更小，更加优选地是0.43或更大并且是1.86或更小。Sr的量可以为零。
附图说明
从结合附图进行的以下详细描述中，本发明的以上和其它方面、特征和其它优点将变得更容易理解，在附图中：
图1至图3是示出根据本发明第一示例性实施例的(Sr，M)2SiO4-xNy磷光体的发射光谱、XRD光谱和EDX成分分析的结果的曲线图；
图4和图5是示出根据本发明第二和第三示例性实施例的(Sr，M)2SiO4-xNy磷光体的发射光谱和EDX成分分析结果的曲线图；
图6是示出根据本发明第四至第六示例性实施例的(Sr，M)2SiO4-xNy磷光体的发射光谱的曲线图；
图7是示出根据本发明第一、第七、第八、第九和第十示例性实施例的(Sr，M)2SiO4-xNy磷光体的发射光谱的曲线图；
图8是示出根据本发明第五和第七实施例的(Sr，M)2SiO4-xNy磷光体的发射光谱的曲线图；
图9是根据本发明第一示例性形式的发光装置封装件的侧面剖视图；
图10至图28是根据本发明第一和第二示例性实施例的发光装置的侧面剖视图；
图29和图30是根据本发明第三示例性实施例的具有垂直和水平结构的发光装置的平面图和剖视图；
图31是根据本发明第四示例性实施例的具有垂直和水平结构的发光装置的剖视图；
图32和图33是示出根据本发明第五和第六示例性实施例的制造发光装置的方法的过程的连续剖视图；
图34是示意性示出根据本发明第七示例性实施例的发光装置的剖视图；
图35是示意性示出利用本发明第七示例性实施例的发光装置的第四示例性形式的发光装置封装件的剖视图；
图36和图37是示意性示出根据本发明第八和第九示例性实施例的发光装置的剖视图；
图38和图39是示出以根据本发明第五和第六示例性形式的灯和芯片的形式实现的发光装置封装件的结构的剖视图；
图40和图41示出了根据本发明第七和第八示例性形式的发光装置封装件的部分结构；
图42是示意性地示出图41中示出的根据本发明第八示例性形式的发光装置封装件的概念图；
图43是用于详细解释根据本发明第八示例性实施例的发光装置封装件的操作原理的示意图；
图44是示出在用于本发明的第八示例性形式的发光装置封装件的绿色磷光体(第二磷光体)和红色磷光体(第一磷光体)之间的能量传递的示意图；
图45是示出根据本发明第九示例性形式的发光装置封装件的剖视图；
图46是用于解释在图45中示出的根据本发明第九示例性实施例的发光装置封装件的光提取机制的示意图；
图47至图49是根据本发明第十至第十二示例性形式的发光装置封装件的剖视图；
图50是根据本发明第十三示例性形式的发光装置封装件的示意性剖视图；
图51是示意性示出在图50中示出的发光装置封装件的波长转换单元和控制器的透视图；
图52和图53是用于解释通过对在图50中示出的波长转换单元和控制器进行操作来改变色温的方法的剖视图；
图54是示意性示出根据本发明第一示例性形式的表面光源设备的发光模块的布置结构的平面图；
图55示出了图54的发光模块的旋转布置图示；
图56是示意性示出根据本发明第二示例性形式的表面光源设备的发光模块的布置结构的平面图；
图57是示意性示出根据本发明第三示例性形式的表面光源设备的发光模块的布置结构的平面图；
图58是示意性示出根据本发明第四示例性形式的表面光源设备的发光模块的布置结构的平面图；
图59是示意性示出根据本发明第五示例性形式的表面光源设备的发光模块的布置结构的平面图；
图60是采用根据本发明第一至第五示例性形式的表面光源设备的第一示例性形式的背光单元的剖视图；
图61是根据本发明第六示例性形式的表面光源设备的透视图；
图62是用于解释根据本发明第七示例性形式的表面光源设备的示意性剖视图；
图63是用于解释在图62中示出的平面型导光板的示意性透视图；
图64是根据本发明第二示例性实施例的背光设备的分解透视图；
图65是在图64中示出的背光设备堆叠之后沿着线I-I′截取的剖视图；
图66是根据本发明第三示例性形式的LED背光设备的平面图；
图67是在将基底固定之前图66中示出的区域‘A’的示意性透视图；
图68是在将基底固定之后图66中示出的区域‘A’的示意性透视图；
图69是沿着图68中的线II-II′截取的剖视图；
图70是示意性示出根据本发明第四示例性形式的背光单元的平面图；
图71是示出安装在图70中示出的LED模块上的LED组合的示例的透视图；
图72是示出根据正向电压的LED分布的曲线图；
图73和图74是示出在图70中示出的背光单元的驱动器和LED模块的各种连接结构的示例的平面图；
图75至图79是示出根据本发明各种示例性形式的发光装置驱动电路的示意图；
图80是根据本发明示例性实施例的LED自动照明设备的示意性框图；
图81是在图80中示出的LED自动照明设备的操作流程图；
图82是示出图80中示出的LED自动照明设备的发光的外部强度—检测电压关系的曲线图；
图83是示出在自动点亮图80中示出的发光装置的设备中，根据敏感性的设置，发光的各种外部强度—检测电压关系的曲线图；
图84是根据本发明示例性实施例的用于交通工具的前灯的分解透视图；
图85是在图84中示出的交通工具的前灯的组装结构的剖视图；
图86至图88是用于解释发光装置封装件的视图，其中，所述发光装置封装件具有在图84中示出的交通工具的前灯所采用的树脂层包含磷光体的结构；
图89中的(a)是示出图87中的(a)中示出的发光装置封装件的另一示例的平面图；
图89中的(b)是图89中的(a)中示出的发光装置封装件的剖视图；
图89中的(c)是示出图89中的(b)的改进的剖视图。
具体实施方式
现在，将参照附图详细描述本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，而不应被理解为限于在此阐述的实施例。然而，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为了清晰起见，可以夸大形状和尺寸，相同的标号始终用来表示相同或相似的组件。
根据本发明的示例性实施例，包括作为母体的实验式为(Sr，M)2SiO4-xNy的无机晶体的红色磷光体通过采用Eu作为产生红色能级的活化剂，可以发射具有从大约600nm至大约700nm范围内的发射峰的长波长的红色光。这里，构成母体的基本金属元素是锶(Sr)，可以代替锶(Sr)的金属元素M是一价和二价元素中的一种或多种。被M代替的Sr的百分比为90％或更少；优选地，所述百分比为50％或更少；更加优选地，所述百分比为30％或更少；更加优选地，所述百分比为10％或更少。由于发射的颜色和亮度根据Eu周围的电极的状态而改变，所以可以通过改变无机晶体母体的组成来改变红色磷光体的中心发射元素、发光特性和物理性质。
红色磷光体包括用实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的有机化合物。在这种情况下，M是至少一种金属元素，x在满足条件0＜x＜4的范围内选择，因为(Sr，M)2SiO4-xNy的总电荷必须为0，所以注意的是y应该满足条件y＝2x/3。优选地，为了得到高亮度的红色光，x应该满足条件0.15≤x≤3。如果x小于0.15或者大于3，则会难以得到具有期望亮度和发射峰的红色光。
这里，为了调节红色磷光体的发射峰，M可以包括从由Li、Na、K、Rb和Cs组成的第一族元素中选择的至少一种，或者包括从由Be、Mg、Ca、Sr和Ba组成的第二族元素中选择的至少一种。另外，为了调节红色磷光体的发射峰，实验式中的一部分Si可以用从由B、Al、Ga和In组成的组中选择的至少一种来代替，或者用从由Ti、Zr、Hf、Sn和Pb组成的组中选择的至少一种来代替，用以上元素代替的Si的比率可以为1/10或更少。
即，在本发明的示例性实施例中，红色磷光体采用氮化硅(与传统的氧化硅不同的晶体)和氧氮化硅作为母体，并且通过采用这样的晶体来形成母体，能够获得具有红色波长(即，具有从大约600nm至大约700nm范围内的发射峰的长波长)的红色磷光体。优选地，能够获得具有波长在大约600nm至大约650nm范围内，更加优选地在大约600nm至大约620nm范围内的发射峰的高亮度红色磷光体。
另外，与现有技术的氧化物磷光体(荧光材料)相比，根据本发明实施例的红色磷光体具有高的发光特性以及良好的热稳定性和化学稳定性，这是由于氮形成共价键的性质所致，这种性质与氧不同。即，本发明的红色磷光体通过刚性晶体结构能够具有优良的热稳定性。通过这种刚性的氮晶体结构，与氧化物磷光体相比，可以增加晶体中的镧系元素的能级***，从而发射长波长的光。即，因为根据本发明示例性实施例的红色磷光体可以具有高的发光特性以及良好的热稳定性和化学稳定性，所以能够制造具有高输出和高可靠性的白色LED封装件。
在制造上述红色磷光体的过程中，制备含Sr化合物和含M化合物中的至少一种、含Eu化合物、含Si氧化物和含Si氮化物作为原材料。根据期望的化学计量对各种原材料进行称重。可以通过湿法或干法将原材料混合。
首先，根据湿法，将称重后的混合物以及辅助原材料混合工序并粉碎原材料的球体、溶剂加入容器中并进行混合。所述球体可以由例如氮化硅(Si3N4)或氧化锆(ZrO2)之类的材料制成，或者可以使用在混合原材料的过程中通常采用的任何球体。对于溶剂，可以使用去离子水、包括乙醇等的醇、或者包括正己烷的有机溶剂等。将原材料、溶剂和球体加入容器中之后，容器被密封，然后通过采用例如研磨机等的装置使原材料均匀地混合1小时至24小时。混合工艺完成之后，将混合后的原材料和球体分开，通过在烘箱中执行1小时至48小时的干燥工艺，干燥掉大部分溶剂。通过利用由金属或聚合物制成的筛，将完成干燥工艺之后得到的粉末均匀地分布为尺寸为100微米或更小的颗粒。
此外，根据干法，将原材料加入容器中，而不使用溶剂，然后通过研磨机器进行均匀地混合。在这种情况下，混合工艺执行1小时至24小时，并且在这种情况下，可以将球体与原材料一起加入，从而便于混合工艺，因此缩短了混合操作的时间。与湿法相比，干混合法不需要溶剂干燥过程，从而可以有利地缩短总工艺时间。当完成原材料的混合时，与湿混合方法类似，通过利用金属或聚合物制成的筛，混合工艺完成时得到的粉末均匀地分布为尺寸为100微米或更小的颗粒。
最后，分布后的混合粉末被放入到氮化硼(BN)坩埚中，并且执行烧结或加热工艺。在这种情况下，通过利用加热炉，烧结或加热工艺在1000摄氏度至1800摄氏度下执行1小时至24小时。在包含100％氮气(N2)的气氛下或者在包含10％氢气的氮气混合物的气氛下执行所述烧结或加热工艺。通过利用研磨混合器或者破碎机将合成的磷光体粉末均匀地破碎，为了改进磷光体的亮度，与以上描述的合成工艺类似，可以对破碎后的磷光体粉末重复执行一次到三次后热处理(post-thermal process)。
通过这种工艺，最终制备了包含用实验式(Sr，M)2SiO4-xNy表示的无机化合物的红色磷光体。这里，M是一价和二价元素中的至少一种，0＜x＜4，并且y＝2x/3。
通过利用研磨混合器或者破碎机将最终烧结后的磷光体粉末破碎，从而得到优选的粒径(粒度)，通过分级工艺来控制粒径。在这种情况下，通常通过利用尺寸为16微米的筛来得到16微米或更小的均匀尺寸的红色磷光体。这里，可以通过利用去离子水、无机酸、有机酸和/或碱对得到的磷光体粉末进行后处理，从而去除磷光体中包含的杂质，例如，额外的玻璃体、未反应的金属材料等。例如，可以将浓度为百分之零点一至百分之六十的硝酸应用到磷光体粉末中，然后搅拌1小时至10小时以洗提并去除额外的杂质。除了硝酸之外，硫酸、盐酸、氢氟酸或者这些无机酸的混合溶液可以用作所述无机酸。此外，可以通过利用碱来去除通过酸处理未被去除的杂质。可以采用无机碱例如氢氧化钠、氢氧化钾等或者这些无机碱的混合溶液作为所述碱。在酸处理或碱处理之后，可以利用去离子水洗除磷光体浆料中残留的酸或碱，然后执行湿法分级、过滤和干燥，从而最终得到期望的磷光体粉末。在这种情况下，在50摄氏度至150摄氏度的温度范围内充分地执行干燥。
在本发明的示例性实施例中，含Sr化合物可以为SrCO3，含Eu化合物可以为氧化铕(Eu2O3)，含Si氧化物可以为氧化硅(SiO2)，含Si氮化物可以为氮化硅(Si3N4)。在这种情况下，通过将Eu2O3添加到组成SrCO3-SiO2-Si3N4中，根据本发明示例性实施例的红色磷光体具有用实验式EuzSr2-zSiO4-xNy表示的无机化合物。在这种情况下，z选自于满足条件0.01≤z≤0.2的值。如果z值在浓度方面大于0.2，则由于浓度淬灭现象而导致发光强度下降，如果z值在浓度方面小于0.01，则由于缺少用作中心发射元素的活化剂的浓度而导致发光强度下降。
现在将通过本发明的各种示例性实施例来更详细地描述本发明，但是并不意味着本发明的技术构思由这些示例性实施例限制。
(实施例1)
根据期望的化学计量，通过利用球磨机将作为原材料的SrCO3、SiO2、Eu2O3、Si3N4与乙醇类溶剂混合。通过利用干燥器将原料混合物中的乙醇溶剂挥发，并且将干燥后的原料混合物放入到氮化硼坩埚中。将填充有原料混合物的氮化硼坩埚放入加热炉中，并且在N2气氛的气体状态下在1600摄氏度烧结十小时，以制备磷光体(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu。在这种情况下，磷光体(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu的基本晶体结构是硅酸锶(Sr2SiO4)，并且在这种情况下，可以通过用金属元素M代替锶来改变母体的组成。图1至图3示出了磷光体(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu的发射光谱、XRD光谱和EDX成分分析的结果。根据本发明的红色磷光体通过采用具有在从200nm至500nm范围的区域内的波长的光作为激发源而显示出发射峰为613nm的红光发射特性(①)，并且具有与传统的硅酸锶(Sr2SiO4)磷光体的正交晶体结构相同的晶体结构。根据EDX成分分析结果，注意到以44.91At％∶04.58At％的比例包含氧元素和氮元素，并且一些氧元素被氮元素所代替。
(实施例2和实施例3)
除了改变氮的含量之外，按照与第一实施例相同的方式制备磷光体(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu。图4和图5示出了通过利用范围在从200nm至599nm的波长区域中的激发光源并且通过测量由此制备的(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu磷光体而获得的发射光谱和EDX成分分析结果。如在图4和图5中注意到的，②示出了当氧和氮的At％为56.82∶4.58(x＝0.43)时(实施例2)的发射光谱，③示出了氧和氮的At％为42.91∶25(x＝1.86)时(实施例3)的发射光谱。当被氮代替的氧的值x是0.43时，实施例2中的发射峰为610nm，当被氮代替的氧的值x为1.86时，实施例3中的发射峰为620nm。注意到，根据本发明的一个实施例制备的(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu磷光体的发射峰随着氮含量的增加而具有更长的波长。
(实施例4至实施例6)
除了通过将Eu含量以0.01为单位从0.04增加到0.06来改变铕的含量(z)之外，按照与实施例1的方式相同的方式来制备(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu磷光体。在这种情况下，用实验式EuzSr2-zSi04-xNy来表示该红色磷光体，其中，铕代替锶成为中心发射元素。图6示出了采用200nm至500nm范围的波长区域作为激发光源时通过测量(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu磷光体得到的发射光谱。如在图6中注意到的，④示出了当z＝0.04(实施例4)时的发射光谱，⑤示出了当z＝0.05(实施例5)时的发射光谱，⑥示出了当z＝0.06(实施例6)时的发射光谱。实施例4中的发射峰为610nm，实施例5中的发射峰为612nm，实施例6中的发射峰为614nm。根据本发明一个实施例的红色磷光体随着铕含量增加而具有更长的波长。
(实施例7和实施例8)
除了选择性地添加包含诸如Ba、Ca等的二价金属元素的至少一种化合物之外，按照与实施例1的方式相同的方式来制备(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu磷光体。因此，锶(Sr)可以部分地被二价金属元素例如Ba和Ca代替，在这种情况下，代替程度即添加比例Sr∶(Ba，Ca)为9∶1。
图7中的(a)示出了通过利用从200nm到500nm范围的波长区域的激发光源测量的由此制备的(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu磷光体的发射光谱。如在图7的(a)中注意到的，当锶(Sr)是100％(①)时，磷光体的发射峰为613nm；当按照90％∶10％的比例添加Sr∶Ba(⑦)时，磷光体的发射峰为610nm；当按照90％∶10％的比例添加Sr∶Ca(⑧)时，磷光体的发射峰为615nm。
(实施例9和实施例10)
除了选择性地添加包含诸如Al、Ga等的三价金属元素的至少一种化合物之外，按照与实施例1的方式相同的方式制备(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu磷光体。因此，硅(Si)可以部分地被三价金属元素例如Al和Ga代替，并且在这种情况下，代替程度即添加比例Si∶(Al，Ga)为9∶1。
图7中的(b)示出了通过利用200nm到500nm范围的波长区域的激发光源测量的由此制备的(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu磷光体的发射光谱。如在图7的(b)中注意到的，当Si∶Ga按照90％∶10％的比例添加时(⑨)，磷光体的发射峰为610nm；当Si∶Al按照90％∶10％的比例添加时(⑩)，磷光体的发射峰为615nm。
因此，如在实施例7至实施例10中注意到的，当在铕元素周围用具有小的原子半径的元素Ca和Al代替时，磷光体具有较大的波长；当在铕元素周围用具有大的原子半径的元素Ba和Ga代替时，磷光体具有较小的波长。
(实施例11)
除了与铕一起进一步添加锰(Mn)之外，按照与实施例1的方式相同的方式制备(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu磷光体。在这种情况下，铕的含量(z)被固定在0.05，Mn的含量为0.1。图8示出了通过利用从200nm到500nm范围的波长区域的激发光源测量的由此制备的(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu磷光体的发射光谱。如在图8中注意到的，当铕的含量(z)为0.05并且不添加Mn时(⑤)以及当铕的含量(z)为0.05并且Mn的含量为0.1时(⑦)，两种情况的发射峰均为613nm。然而，注意到，与仅添加铕的情况(⑤)相比，在添加了Mn的情况下(⑦)，更加提高了发射强度。
在本申请中，所述磷光体可以包括由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Ln表示的无机化合物，其中，M可以是金属元素，0＜x＜4，y＝2x/3，并且Ln是镧系金属中的一种或多种。例如，Ln是从Ce、Pr、Eu、Tb、Yb和Lu中选择的至少一种。x可以满足条件0.15≤x≤3，并且M可以是从Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Li、Na、K、Rb和Cs中选择的至少一种，Sr的量可以为零。当Ln是除了Eu之外的一种或者多种镧系元素时，这样的技术方案能够产生与具有Eu的技术方案的技术效果相同的技术效果。
现在将参照附图描述采用根据实施例1至实施例11的红色磷光体的发光装置封装件、表面光源设备和照明设备。
图9是根据本发明第一示例性形式的发光装置封装件的侧面剖视图。如图9中所示，发光装置封装件900包括：封装体910；引线框架920，模铸到封装体910并且形成为彼此分离；发光装置930，安装在至少一个引线框架上；接合线940，电连接发光装置930和引线框架920；树脂封装单元950，包封发光装置930。发光装置封装件900可以包括基于引线框架的位置而形成在封装体910的上部上并且具有围绕发光装置930的凹陷的反射杯970。反射杯970在封装体910上形成为环形形状，发光装置930的安装区域由反射杯970的凹陷限定，至少一个引线框架从所述凹陷的底部暴露出来，以提供安装区域。此外，反射杯970的侧壁可以形成为倾斜的反射表面，从而按照期望的方向反射来自发射装置930的光。这里，封装体910可以与反射杯970一体地形成。
发光装置930可以通过粘结剂等接合在引线框架920上，并且在从外部电源经过接合线940接收电流时产生预定波长的光。发光装置930可以发射200nm到500nm范围内的波长的光。例如，发光装置930可以为蓝色LED或紫外LED，所述蓝色LED或紫外LED具有发射蓝色光或者紫外线的半导体堆叠结构。现在将参照图10至19来描述发光装置的半导体堆叠结构的各种示例性形式。
在反射杯的内侧填充树脂封装单元950，以覆盖发光装置930、接合线940和引线框架920。另外，树脂封装单元950可以包括磷光体960，磷光体960将发光装置的发射波长转换为不同波长的光。可以通过将红色磷光体与黄色磷光体、蓝色磷光体和绿色磷光体中的一种或多种混合来使用磷光体960，以发射白色光。通过适当地混合磷光体混合物并且将例如环氧树脂、硅树脂或硅/环氧混合树脂的透明树脂硬化来使用树脂封装单元950。
这里，可以使用包括根据本发明实施例1至实施例11合成的由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物的氮化物基磷光体作为用于输出白光的红色磷光体，其中，M是一价和二价元素中的至少一种，0＜x＜4，并且y＝2x/3。与硫化物基磷光体相比，这种氮化物基红色磷光体相对于外部环境例如热、潮气等具有良好的可靠性，并且与硫化物基磷光体的变色可能性相比具有较小的变色可能性。具体地讲，氮化物基红色磷光体在蓝色LED芯片的主波长处具有高的磷光体激发效率，其中，所述蓝色LED芯片被设计成获得特定波长范围(例如，430nm至465nm)的高的色再现性。
可以选择性地采用(Ba，Sr，Ca)5(PO4)3Cl:(Eu2+，Mn2+)或Y2O3:(Bi3+，Eu2+)作为蓝色磷光体。绿色磷光体可以包括硅酸盐基磷光体、硫化物基磷光体和氮化物基磷光体中的一种。硅酸盐基绿色磷光体可以包括具有2、1、4组成的A2SiO4硅酸盐基绿色磷光体和具有3、1、5组成的A3SiO5硅酸盐基绿色磷光体中的一种，硫化物基磷光体可以包括具有SrGa2S4:Eu组成的硫化物基绿色磷光体，氮化物基磷光体可以包括具有β-SiAlON组成的氮化物基绿色磷光体。这里，A可以为Sr、Ba、Ca或Mg，Sr是必需的成分，如果需要，可以选择性地包括Ba、Ca和Mg(0≤Ba，Ca，Mg≤1)。氮化物基绿色磷光体可以包括在具有β型Si3N4晶体结构的晶体中采用Eu的氮化物或氧氮化物晶体，并且可以包括由Si6-zAlzOzN8-z:Euy，Srx(0.009＜x＜0.011，0.018＜y＜0.025，0.23＜z＜0.35)或者Si6-zAlzOzN8-z(0.24≤y≤0.42，Eu的含量为0.05at％～0.25at％)表示的磷光体。黄色磷光体可以包括石榴石基YAG或TAG磷光体、具有2、1、4组成的A2SiO4硅酸盐基磷光体、具有3、1、5组成的A3SiO5硅酸盐基磷光体和具有α-SiAlON组成的氮化物基磷光体(这里，A可以为Sr、Ba、Ca和/或Mg，Si是必要组分，根据需要，可以选择性地包含Ba、Ca和Mg(0≤Ba，Ca，Mg≤1))中的任何一种。可以采用表示为CaXSi12-(m+2)Al(m+n)OnN16-n:Euy(0.01＜y＜0.7，0.6＜m＜3.0并且0≤n＜1.5)的Ca-α-sialon磷光体作为氮化物基磷光体。
现在将参照图10至图19来描述根据本发明的发光装置的各种示例性形式。
首先，如图10中所示，根据本发明第一示例性实施例的发光装置100可以具有如下半导体堆叠结构：基底101，由Si-Al合金制成(在下文中称作‘Si-Al合金基底’)；保护层120，形成在Si-Al合金基底101的上表面和下表面上；接合金属层102，位于保护层120上；反射金属层103、p型半导体层104、有源层105和n型半导体层106，顺序堆叠。p型半导体层104和n型半导体层106以及有源层105可以由GaN基半导体材料，即，AlxGayIn(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)半导体材料等制成，并且形成发光结构。
n侧电极107形成在n型半导体层106上。设置在接合金属层102和p型半导体层104之间的反射金属层103将从半导体层入射的光向上反射，从而增加发光装置的亮度。反射金属层103可以由具有高反射率的金属制成，例如，可以由从Au、Ag、Al、Rh以及它们中的两种或更多种合金组成的组中选择的金属制成。然而，根据需要可以不形成反射金属层103。接合金属层102用来将Si-Al合金基底101接合到发光结构，并且可以由Au等制成。这里，根据本发明示例性实施例的发光装置100包括接合金属层102。然而，在这种情况下，Si-Al合金基底101可以直接接合到p型半导体层104。因此，根据本发明示例性实施例的发光装置100利用Si-Al合金基底101作为导电基底。
Si-Al合金在热膨胀系数、导热性、机械可加工性和成本方面存在优势。Si-Al合金基底101的热膨胀系数与蓝宝石基底的热膨胀系数相似。因此，在通过利用Si-Al合金基底101制造发光装置100的情况下，可以显著减小在执行现有技术中的接合由Si制成的导电基底的工艺以及通过激光照射将蓝宝石基底分离的工艺时出现的发光结构中的基底下垂现象和破碎现象，从而得到瑕疵较少并且高质量的发光装置100。
另外，Si-Al合金基底101的导热率为大约120W/m·K到180W/m·K，具有良好的热释放特性。此外，因为Si-Al合金基底101可以通过在高压下熔化Si和Al而容易地制造，所以可以以低成本容易地获得Si-Al合金基底101。
具体地讲，根据本发明示例性实施例的发光装置100另外包括形成在Si-Al合金基底101的上表面和下表面上的保护层120，从而防止在清洗工艺过程中向Si-Al合金基底101的化学渗透。这里，保护层120可以由金属、导电的电介质等制成。当保护层120由金属制成时，它可以由Ni、Au、Cu、W、Cr、Mo、Pt、Ru、Rh、Ti和Ta中的一种或者该金属组中的两种或更多种元素的合金制成。在这种情况下，可以通过无电镀方法、金属沉积、化学气相沉积(CVD)等制成保护层120。在这种情况下，可以将用作种子的种子金属层110另外形成在Si-Al合金基底101和由金属制成的保护层120之间。种子金属层110可以由Ti/Au等制成。另外，当保护层120由导电电介质制成时，所述导电电介质可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟铜(CIO)等制成。在这种情况下，可以通过沉积、溅射方法等来形成保护层120。优选地，保护层120形成为具有从0.01μm至20μm范围内的厚度，更优选地，保护层120形成为具有从1μm至10μm范围内的厚度。
现在将参照图11至图18来描述根据本发明第一示例性实施例的制造发光装置的方法。图11至图18是顺序示出根据本发明第一示例性实施例的制造发光装置的方法的工艺的剖视图。
首先，如图11中所示，制备作为生长基底的蓝宝石基底150。接着，如图12中所示，在蓝宝石基底150上顺序形成n型半导体层106、有源层105和p型半导体层104。然后，如图13中所示，通过利用具有高反射率的金属材料，例如通过利用Au、Al、Ag、Rh等，在p型半导体层104上形成反射金属层103。这里，根据需要可以不形成反射金属层103。此后，如图14中所示，在Si-Al合金基底101的表面上形成保护层120。可以通过利用金属或导电电介质来形成保护层120。
这里，在保护层120由金属制成的情况下，保护层120可以由Ni、Au、Cu、W、Cr、Mo、Pt、Ru、Rh、Ti和Ta中的一种制成，或者由该金属组中的两种或更多种元素的合金制成。可以根据无电镀、溅射方法、CVD等形成保护层120。在这种情况下，当根据无电镀方法制成由金属材料形成的保护层120时，可以在Si-Al合金基底101的表面上形成保护层120之前，另外地形成在镀保护层120的工艺过程中作为种子的种子金属层110。
此外，在保护层120由导电电介质制成的情况下，保护层120可以由ITO、IZO、CIO等制成，并且可以根据沉积或溅射方法来形成保护层120。优选地，保护层120形成为在Si-Al合金基底101的整个表面上方具有从0.01μm至20μm范围内的厚度，更优选地，保护层120形成为具有从1μm至10μm范围内的厚度。如果保护层120形成为具有小于0.01μm的厚度，则保护层120不能适当地用来防止HCl、HF、KOH等的化学渗透(将在后面描述)；如果保护层120形成为具有大于20μm的厚度，则Si-Al合金基底101的热膨胀系数可能发生变化。因此，优选地，保护层120形成为具有上述范围的厚度。
尽管未示出，但是在形成保护层120之后，可以使保护层120的表面经历化学机械抛光(CMP)工艺，以改善表面粗糙度。
如上所述，在制备了其上形成具有保护层120的Si-Al合金基底101之后，如图15中所示，通过利用接合金属层102，将其上形成有保护层120的Si-Al合金基底101接合到反射金属层103上。这里，如上所述，可以通过利用接合金属层102将Si-Al合金基底101接合到反射金属层103上，或者可选地，可以不使用接合金属层102而将其上形成有保护层120的Si-Al合金基底101直接接合到反射金属层103上。
接下来，如图16中所示，根据激光剥离(LLO)工艺将蓝宝石基底150与n型半导体层106拆分开。在将蓝宝石基底150拆下之后，可以执行利用化学物质例如HCl、HF、KOH等的清洗工艺。
此后，如图17中所示，在由于拆下蓝宝石基底150而被暴露的n型半导体层106上形成多个n侧电极107。这里，在形成n侧电极107之前，可以对n型半导体层106的表面执行利用KOH等的纹理化工艺，从而提高元件的光提取效率。
接下来，如图18中所示，n型电极107之间的n型半导体层106、有源层105、p型半导体层104、反射金属层103、接合金属层102、保护层120、种子金属层110和Si-Al合金基底101被切成小块，从而以小块为单位被分开。因此能够获得根据本发明第一示例性实施例的发光装置100。
在根据本发明第一示例性实施例的发光装置中，由于在合金基底101的表面上另外形成了例如Ni的保护层120，所以可以防止Si-Al合金基底101中的Al金属被化学物质例如HCl、HF、KOH等蚀刻，或者被KOH蚀刻，其中，在将蓝宝石基底150拆下之后执行的清洗工艺中使用上述HCl、HF、KOH，在对n型半导体层106执行的表面纹理化工艺中使用上述KOH。因此，在根据本发明第一示例性实施例的发光装置中，可以防止Si-Al合金基底101具有不规则的部分(即，突起和凹陷或者不平的部分)，从而防止接合到Si-Al合金基底101的发光结构分离或者剥离。
此外，使用例如Ni等的金属作为保护层120的材料有利地改进了Si-Al合金基底101的表面粗糙度，使得Si-Al合金基底101和发光结构之间的接合牢固。在现有技术中，在形成接合金属层102之前，Si-Al合金基底101经历使用例如酸等的化学材料的清洗工艺，以去除原来的氧化物层，使得Si-Al合金基底101表面上的Al金属被蚀刻，从而形成高度上平均为从200nm到500nm的不规则表面。然而，在本发明的第一示例性实施例中，例如Ni的金属在Si-Al合金基底101的表面上形成为保护层120，然后经历Ni的CMP工艺，从而不规则的表面减小到5nm或更小，从而得到像镜面一样改进的表面粗糙度。
因为改进了Si-Al合金基底101的表面粗糙度，所以Si-Al合金基底101和发光结构可以牢固地接合，因此可以提高接合良率。
现在将描述根据本发明第二示例性实施例的发光装置。如图19中所示，除了保护层120形成在Si-Al合金基底101的上表面上，使得保护层120暴露部分Si-Al合金基底101，而不是形成在Si-Al合金基底101的整个上表面和下表面上，导电层122形成在保护层120上和被保护层120暴露的Si-Al合金基底101的上表面上，并且接触金属层123形成在Si-Al合金基底101的下表面上之外，根据本发明第二示例性实施例的发光装置100具有与根据本发明第一示例性实施例的发光装置的结构实质上相同的结构。具体地讲，优选地，保护层120由绝缘材料形成，而不是由金属或者导电电介质制成。即，在根据本发明第二示例性实施例的发光装置中，保护层120由绝缘材料形成，而不是由金属或者导电电介质制成，保护层120形成在Si-Al合金基底101的上表面上，暴露Si-Al合金基底101的部分，从而使得其上形成有保护层120的Si-Al合金基底101与保护层120上方的发光结构电连接，并且在包括保护层120的Si-Al合金基底101的上表面上另外地形成导电层122。这里，导电层122可以由金属等制成。
现在将详细描述根据本发明的第二示例性实施例的制造化合物半导体发光装置的方法。将省略对本发明第二示例性实施例中的与本发明第一示例性实施例中的元件相同的元件的描述，并且仅描述第二示例性实施例中不同的元件。
首先，往回参照图11至图13，n型半导体层106、有源层105、p型半导体层104和反射金属层103顺序地形成在蓝宝石基底150上。这里，根据需要也可以不形成反射金属层103。
接下来，如图20所示，保护层120形成在Si-Al合金基底101的整个表面上。这里，保护层120可由绝缘材料制成。根据CVD或涂覆法，由绝缘材料制成的保护层120可形成为具有0.1μm至1μm的厚度。尽管未示出，在形成保护层120之后，可对保护层120的表面进行CMP。
随后，如图21所示，通过蚀刻法等去除保护层120的部分，以暴露Si-Al合金基底101的上表面的部分。之后，如图22所示，导电层122形成在Si-Al合金基底101的包括保护层120的上表面上。随后，如图23所示，通过使用接合金属层102将形成在Si-Al合金基底101上的导电层122接合到反射金属层103。
随后，如图24所示，通过激光剥离工艺使蓝宝石基底150与n型半导体层106分离。这里，在蓝宝石基底150分离之后，可进行使用如HCl、HF、KOH等之类的化学品的清洗工艺。在这种情况下，在根据本发明的第二示例性实施例的发光装置中，由于在Si-Al合金基底101的表面上形成了保护层120和导电层122，所以可以防止Si-Al合金基底101中的Al金属被清洗工艺中使用的化学品蚀刻。
然后，如图25所示，在因蓝宝石基底150分离而暴露的n型半导体层106上形成多个n侧电极107。这里，在形成n侧电极107之前，可对n型半导体层106的表面执行使用KOH等的纹理化工艺，以改善元件的光提取效率。在这种情况下，根据本示例性实施例，由于在Si-Al合金基底101的表面上形成了保护层120和导电层122，所以可以防止Si-Al合金基底101中的Al金属被纹理化工艺中使用的化学品蚀刻。
之后，如图26所示，执行研磨工艺(lapping process)以将Si-Al合金基底101的包括保护层120的下表面去除一定的厚度。然后，如图27所示，在通过研磨工艺暴露的Si-Al合金基底101的下表面上形成接触金属层123。
随后，如图28所示，将n侧电极107之间的n型半导体层106、有源层105、p型半导体层104、反射金属层103、接合金属层102、导电层122、保护层120、Si-Al合金基底101和接触金属层123切成块，以小块为单位将它们分隔开。因此，可以得到根据本发明的第二示例性实施例的发光装置100。
同时，与根据本发明的第一和第二示例性实施例的具有垂直结构的发光装置不同，可以改变电极设置结构，以使具有垂直和水平结构的发光装置适于高电流操作。图29和图30是根据本发明的第三示例性实施例的具有垂直和水平结构的发光装置的平面图和剖视图。图30是沿图29中的线I-I′截取的剖视图。
参照图29和图30，根据本发明的第三示例性实施例的发光装置200包括导电基底210、第一电极层220、绝缘层230、第二电极层240、第二半导体层250、有源层260和第一半导体层270。各个层被顺序地堆叠。
导电基底210可由允许电流流过的材料制成。例如，导电基底210可为包括Au、Ni、Cu和W中的任意一种的金属基底，或者可为包括Si、Ge和GaAs中的任意一种的半导体基底。第一电极层220堆叠在导电基底210上。由于第一电极层220与导电基底210和有源层260电连接，所以第一电极层220可由可使与导电基底210和有源层260的接触电阻最小化的材料制成。
第一电极层220堆叠在导电基底210上。如图30所示，第一电极层220的部分穿过绝缘层230、第二电极层240、第二半导体层250和有源层260，并且还通过接触孔280延伸穿入到第一半导体层270的一定区域中，以电连接第一半导体层270和导电基底210。第一电极层220经接触孔280电连接导电基底210和第一半导体层270。在这种情况下，即，导电基底210和第一半导体层270通过接触孔280的尺寸电连接，具体地讲，通过接触区域290(第一电极层220和第一半导体层270通过接触孔280彼此接触的区域)电连接。
同时，绝缘层230被设置在第一电极层220上，以使第一电极层220与除了导电基底210和第一半导体层270之外的层电绝缘。即，绝缘层230设置在通过接触孔280暴露的第二电极层240、第二半导体层250和有源层260的侧面与第一电极层220之间以及第一电极层220和第二电极层240之间。此外，优选地，绝缘层230还设置在接触孔280穿过的第一半导体层270的一定区域的侧面处。
第二电极层240设置在绝缘层230上。当然，如上所述，在接触孔280穿过的特定区域中不存在第二电极层240。在这种情况下，如图30所示，第二电极层240包括至少一个暴露的区域245，即，第二半导体层250和第二电极层240之间的界面区的暴露区域。电极焊盘部件247可形成在暴露的区域245上，以将外部电源连接到第二电极层240。同时，在暴露的部分245上没有设置第二半导体层250、有源层260和第一半导体层270(将描述)。此外，如图29所示，优选地，暴露的区域245形成在半导体发光装置200的中心处，以使半导体发光装置200的光发射面积最大化。优选地，第二电极层240包含Ag、Al和Pt中的一种。这是因为对第二电极层240来说，由于第二电极层240与第二半导体层250电接触，所以第二电极层240优选地具有使第二半导体层250的接触电阻最小化并通过将有源层260产生的光反射到外部来提高发光效率的特性。
第二半导体层250设置在第二电极层240上，有源层260设置在第二半导体层250上，第一半导体层270设置在有源层260上。在这种情况下，优选地，第一半导体层270为n型氮化物半导体层，第二半导体层250为p型氮化物半导体层。根据用于形成第一半导体层270和第二半导体层250的材料，有源层260可由不同的材料制成。即，由于有源层260将电子空穴复合产生的能量转换成光以发射光，因此优选地，有源层260由能带隙小于第一半导体层270和第二半导体层250的能带隙的材料制成。
根据本发明的第四示例性实施例的发光装置是根据本发明的第三示例性实施例的发光装置的结构的变形。即，在根据本发明的第四示例性实施例的发光装置中，与接触孔连接的第一电极层被暴露。
图31是根据本发明的第四示例性实施例的具有垂直和水平结构的发光装置的剖视图。根据本发明的第四示例性实施例的发光装置300包括形成在导电基底310上的第二半导体层350、有源层360和第一半导体层370。在这种情况下，第二电极层340可设置在第二半导体层350和导电基底310之间。然而，与前面的示例性实施例不同，第二电极层340不是必需的。在本示例性实施例中，具有与第一半导体层370接触的接触面积390的接触孔380与第一电极层320连接，第一电极层320被暴露以具有电连接部分345。电极焊盘部件347可形成在电连接部件345上。第一电极层可通过绝缘层330与有源层360、第二半导体层350、第二电极层340和导电基底310电分离。与根据本发明的第三示例性实施例的发光装置200(其中，接触孔与导电基底连接)不同，在根据本发明的第四示例性实施例的发光装置300中，接触孔380与导电基底310电分离，并且与接触孔380连接的第一电极层320被暴露。因此，导电基底310与第二半导体层340电连接，以具有与根据本发明的第三示例性实施例的发光装置中的极性不同的极性。
因此，在垂直和水平发光装置中，第一电极的部分可被设置在光发射表面上，而其它的剩余部分可被设置在有源层360的下方，以确保发射面积保持在最大水平。此外，电极被均匀地设置在光发射表面上，使得即使对电极施加高操作电流，电流也可以被均匀地散布，从而减少高电流操作中的电流聚集现象。
根据本发明的第一至第四示例性实施例的发光装置可包括覆盖发光装置的外表面的波长转换单元，从而提供了芯片涂覆型发光装置。
图32和图33是示出了根据本发明的第五和第六示例性实施例的用于制造发光装置的方法的过程的连续剖视图。
首先，参照图32，在发光装置410的上表面上形成与接合线425电连接的接合焊盘402。可根据水平或垂直裸芯片(chip die)401的结构设置一个或两个接合焊盘402。即，要形成的接合焊盘402的数量根据裸芯片401的结构改变。当裸芯片401具有垂直结构或者垂直和水平结构(在其中，P极和N极分别形成在裸芯片401的上表面和下表面上)时，接合焊盘402被单个地设置以与形成在裸芯片401的上表面上的P极电连接。
另外，当裸芯片401具有水平结构或者垂直和水平结构(在其中，P极和N极均形成在裸芯片401的上表面上)时，设置两个接合焊盘以分别与形成在裸芯片401的上表面上的P极和N极电连接。通过将磷光体混合在如环氧树脂或硅等的透明树脂材料中来形成波长转换部件403，以覆盖附于底载具(sub-mount)404的裸芯片401的外表面。在这种情况下，通过将混合有磷光体的透明树脂(如硅、环氧树脂等)印刷一定的厚度来形成波长转换部件403。波长转换部件403可形成为覆盖整个裸芯片401，并通过人工提供的热或UV光进行硬化。
这里，波长转换部件403包含荧光材料(磷光体)，即YAG、TAG和硅酸盐基波长转换物质中的一种，用于将裸芯片401产生的光转换成白光。具体地讲，红色磷光体包括在本发明的示例性实施例1至11中合成的由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物，其中，M为一价和二价元素中的至少一种，0＜x＜4，y＝2x/3。引线框架420依靠接合线425与从波长转换部件403的上表面暴露的至少一个接合焊盘402电连接。
接下来，参照图33，根据本发明的第六示例性实施例的发光装置包括仅形成在裸芯片401′的上表面上的波长转换部件403′。
因此，如图32中的(g)所示，根据本发明的第二示例性形式的发光装置封装件可包括：引线框架421，一体地形成在封装件主体(未示出)的内部；树脂结构，用树脂材料注射成型；金属线425，其一端与根据本发明的第五示例性实施例的发光装置410的接合焊盘402引线接合，另一端与引线框架421引线接合。此外，如图33中的(f)所示，根据本发明的第三示例性形式的发光装置封装件形成为：根据本发明的第六示例性实施例的发光装置410′安装在具有阴极引线和阳极引线的引线框架421的上表面上，引线框架421一体地设置在用树脂材料注射成型以形成上面开口的腔的封装件主体(未示出)中，并且发光芯片410′通过一端接合到接合焊盘402′的金属线425与引线框架421电连接。
当高输出发光装置封装件采用具有垂直光结构或垂直和水平结构的发光装置时，磷光体层与垂直发光装置中的或者垂直和水平发光装置中的光发射表面直接接触，导致发光装置产生的热使磷光体劣化。然而，与现有技术的硫化物基磷光体相比，根据本发明的示例性实施例的氮化物基红色磷光体的化学性质稳定，从而当暴露于诸如热或潮气的外部环境条件时氮化物基红色磷光体非常可靠并且变色的可能性很小。因此，根据本发明的示例性实施例的红色磷光体允许波长转换部件直接形成在发光装置的光发射表面上，因此可以制造高输出/高可靠性的白光发光装置。
图34是示意性地示出根据本发明的第七示例性实施例的发光装置的剖视图。参照图34，根据本发明的第七示例性实施例的发光装置500包括LED芯片501和波长转换部件502，其中，波长转换部件502形成为覆盖LED芯片501的表面并转换LED芯片501发射的光的波长。为此，波长转换部件502可采用磷光体(P)分布在透明树脂部件中的结构。当波长转换部件502转换的光与LED芯片501发射的光混合时，发光元件500可发射白光。LED芯片501可具有n型半导体层、发光层和p型半导体层堆叠的结构，并且第一电极503a和第二电极503b形成在LED芯片501的一个表面上。
如图34所示，当LED芯片501的形成有第一电极503a和第二电极503b的表面为第一表面时，第一表面的相对表面为第二表面，位于第一表面和第二表面之间的表面被定义为侧面，波长转换部件502可形成为覆盖LED芯片501的第一表面(形成有电极的表面)和侧面。这样使得LED芯片501发射的光沿向上的方向并沿侧面方向(基于图34)被发射。在本发明的第七示例性实施例中，波长转换部件502被构造成沿LED芯片501的表面被薄薄地涂覆，与磷光体被喷射到封装件主体的杯中的方法相比，可以获得整体均匀的光。此外，可以减小装置的尺寸，使得波长转换部件502直接应用到LED芯片501的表面，而无需单独地或额外地形成封装件主体。
对于LED芯片的电连接结构，在本示例性实施例中，使用具有镀层的第一电连接部件504a和第二电连接部件504b来替代引线框架。详细地说，第一电连接部件504a和第二电连接部件504b形成为与第一电极503a和第二电极503b连接，并分别包括镀层。第一电连接部件504a和第二电连接部件504b通过波长转换部件502暴露并被设置成用于引线接合等的区域。按照这种方式，与传统的封装件相比，发光元件500具有简化的结构，并且可被灵活地用于诸如COB(板上芯片)或封装件形式等的发光设备。
图35是示意性地示出了使用图34中的本发明第七示例性实施例的发光装置的第四示例性形式中的发光装置封装件的剖视图。可通过将如上所述的根据本发明的第七示例性实施例的发光装置安装在基底505上来实现图35中示出的第四示例性形式的发光装置封装件。在这种情况下，在图35中省略了表示发光装置的标号。作为基底505，可使用具有形成在绝缘基体材料上的电路图案的电路板，并且形成线(W)以连接发光装置和电路图案。如上所述，由于通过发光装置的第一表面和侧面发射光，所以发光装置按照这样的方式安装，即，LED芯片的第二表面面向基底505。尽管这里没有具体地描述其它的安装方法，但是发光装置也可以安装在引线框架上以用于传统的封装件中。这种发光装置的封装去除了将磷光体喷射到封装件主体的杯中的必要性，并获得了相对于全部发光方向的均匀的色温。
图36和图37是示意性地示出了根据本发明的第八和第九示例性实施例的发光装置的剖视图。首先，参照图36，如在本发明的第七示例性实施例中，根据本发明的第八示例性实施例的发光装置600包括具有第一电极603a和第二电极603b的LED芯片601、波长转换部件602以及第一电连接部件604a和第二电连接部件604b。发光装置600与图34中示出的发光装置500在结构方面的差别为：设置在LED芯片601的侧面的树脂部件607由不含有磷光体的透明树脂形成。这是因为与发射到LED芯片601的第一表面的光相比，发射到LED芯片601侧面的光具有较低的强度。
与本发明的第七示例性实施例中一样，图37中示出的发光装置700包括具有第一电极703a和第二电极703b的LED芯片701、波长转换部件702以及第一电连接部件704a和第二电连接部件704b。发光装置700与图34中示出的发光装置500在结构方面的差别为：底部填充的树脂部件706由不含有磷光体的透明树脂形成，其中，底部填充的树脂部件706位于LED芯片701的第一表面上且设置在覆盖第一电极703a和第二电极703b的侧面的区域处。
现在将参照图38至图41来描述波长转换部件的结构，在所述结构中，根据本发明的不同的示例性实施例，磷光体层以多层形式堆叠在UV LED芯片上或蓝色LED芯片上。
首先，图38和图39为示出了根据本发明的第二和第三示例性实施例的以灯和芯片的形式实现的发光装置封装件的结构的剖视图。
如图38所示，在根据本发明的第五示例性实施例的以灯的形式实现的发光装置封装件中，可用多层的磷光体层820覆盖具有大约410nm的波长或更小波长的UV LED芯片810，其中，多层的磷光体层820包括含有三种类型的磷光体的第一至第三磷光体层821、822和823，每个磷光体层被紫外线激发以发射不同颜色的光。
如图39所示，在根据本发明的第六示例性形式的以芯片形式实现的发光装置封装件中，UV LED芯片1010安装在基底1005上的壳体1006的凹进中。含有三种类型的磷光体的第一至第三磷光体层1021、1022和1023形成在壳体1006的凹进中，它们构成了覆盖UV LED芯片1010的多层的磷光体层1020。UV LED芯片1010的n电极和p电极通过线1003与形成在基底1005上的金属线1007电连接。
详细地讲，第一磷光体层1021形成在UV LED芯片1010上，并可通过混合发射红光(R)的磷光体和树脂形成。作为发射红光(R)的磷光体，可使用被紫外线激发后发射具有范围在大约600nm至大约700nm的发射峰的光的磷光体(或荧光材料)，即，包括根据本发明合成的用实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物的磷光体，其中，M为一价和二价元素中的至少一种，0＜x＜4，y＝2x/3。
第二磷光体层1022堆叠在第一磷光体层1021上，并可通过将发射绿光(G)的磷光体和树脂混合而形成。作为发射绿光的磷光体，可使用被紫外线激发后发射波长范围为大约500nm至大约550nm的光的磷光体。第三磷光体层1023堆叠在第二磷光体层1022上，并可通过将发射蓝光(B)的磷光体和树脂混合而形成。作为发射蓝光的磷光体，可使用被紫外线激发后发射波长范围为大约420nm至大约480nm的光的磷光体。
UV LED芯片发射的紫外光激发包含在第一至第三磷光体层1021、1022和1023中的磷光体。因此，第一至第三磷光体层1021、1022和1023分别发射红光(R)、绿光(G)和蓝光(B)，并且三种各个颜色的光束混合而形成白光(W)。
具体地讲，用于转换紫外光的磷光体层可由多层形成，其中，发射最长波长的光的磷光体层首先堆叠在UV LED芯片上，其余的磷光体层基于它们发射的光的波长从较长波长到较短波长顺序地堆叠。根据需要，上述多层可由两层、三层、四层或更多层制成。例如，在这个实施例中，使用红色、绿色和蓝色三个磷光体层，并且这三层按照红色、绿色和蓝色的顺序堆叠。按照这种方式，由于含有具有最低的光转换效率的发射红光(R)的磷光体的第一磷光体层最靠近UV LED芯片设置，所以可相对提高第一磷光体层的光转换效率，以提高LED芯片的整体光转换效率。
图40和图41示出了根据本发明的第七和第八示例性形式的发光装置封装件的局部结构。这些附图仅示出了LED芯片和多层的磷光体层的结构，其它构造与图38和图39中的构造相同。即，根据本发明的第七和第八示例性形式的发光装置封装件可以以灯或芯片的形式实现。
根据图40中示出的第七示例性形式的发光装置封装件1100包括多层的磷光体1120，该多层的磷光体1120形成为覆盖具有410nm或更小波长的UVLED芯片1110，并且在这种情况下，多层的磷光体层1120形成为双层的磷光体层。具体地讲，通过将发射红光(R)的磷光体和树脂混合来形成在UVLED芯片1110上形成的磷光体层1121。在这种情况下，作为发射红光(R)的磷光体，使用被紫外线激发后发射具有范围在大约600nm至大约700nm的发射峰的光的磷光体(或荧光材料)，即，包括根据本发明合成的用实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物的磷光体，其中，M为一价和二价元素中的至少一种，0＜x＜4，y＝2x/3。通过将发射绿光(G)的磷光体和发射蓝光(B)的磷光体一起混合在树脂中来形成堆叠在第一磷光体层1121上的第二磷光体层1122。
通过这样的构造，UV LED芯片发射的紫外光激发包含在第一磷光体层1121中的磷光体，以发射红光(R)，并激发混合在第二磷光体层1122中的两种类型的磷光体以发射绿光(G)和蓝光(B)。当三种各个颜色的光混合时，人眼看到白光(W)。在这个实施例中，用于转换紫外光的磷光体层由两层形成，其中，发射最长波长的光的磷光体首先堆叠，然后发射较短波长的光的其它磷光体的混合物直接位于第一层上或者位于第一层上方。采用多层的磷光体层的这种堆叠结构，可以获得改善的光转换效率。
根据如图41所示的本发明的第八示例性形式的发光装置封装件1200具有多层的磷光体层1220，该多层的磷光体层1220由两层制成并覆盖发射峰值发射波长范围为大约420nm至大约480nm的蓝光(B)的LED芯片1210。在这种情况下，通过将发射红光(R)的磷光体和树脂混合，第一磷光体层1221形成在LED芯片1210上。发射红光(R)的磷光体是被蓝光激发后发射具有范围在大约600nm至大约700nm的发射峰的光的磷光体(或荧光材料)，即，包括根据本发明合成的用实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物的磷光体，其中，M为一价和二价元素中的至少一种，0＜x＜4，y＝2x/3。第二磷光体层1222通过将发射绿光(G)或黄光(Y)的磷光体混合在树脂中而形成，并堆叠在第一磷光体层1221上。
通过这种构造，LED芯片发射的蓝光(B)激发包含在第一磷光体层1221中的磷光体以发射红光(R)，并激发包含在第二磷光体层1222中的磷光体以发射绿光(G)或黄光(Y)。按照这种方式，从多层的磷光体层发射的红光(R)和绿光(G)(或黄光(Y))与LED芯片发射的蓝光(B)混合以形成白光(W)。
这里，将更详细地描述图41中示出的根据本发明的第八示例性形式的白光发光装置封装件。
图42是示意性地示出图41中示出的根据本发明的第八示例性形式的发光装置封装件的概念图。参照图42，从蓝光源发射蓝光。蓝光源具有范围为大约420nm至大约480nm的峰值发射波长。具体地讲，蓝光源是具有范围为大约420nm至大约480nm的峰值发射波长的蓝色LED。绿色和红色磷光体被从蓝光源发射的蓝光激发，以分别发射绿色和红色的可见光。发射的绿色和红色可见光与透射穿过磷光体的蓝光(即，从蓝光源发射的光)混合，以输出白光。绿色磷光体可具有范围为大约490nm至大约550nm的峰值发射波长。红色磷光体是具有范围在大约600nm至大约700nm的发射峰的磷光体(或荧光材料)，即，包括根据本发明合成的用实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物的磷光体，其中，M为一价和二价元素中的至少一种，0＜x＜4，y＝2x/3。优选地，磷光体在蓝光源的特定发射波长处具有高的量子效率。另外，优选地，每种磷光体相对其它磷光体发射的可见光具有相当大的半透明度。红色磷光体被绿色磷光体发射的光(绿光)激发以及被蓝光源发射的蓝光激发，以发射红光。优选地，红色磷光体具有范围为大约420nm至大约500nm的峰值激发波长，从而足以有效地被蓝光和绿光激发。此外，由于红色磷光体被包括绿色磷光体发射的光以及蓝光源发射的光的宽谱带的光激发(即，红色磷光体被双重激发)，所以可以改善红色磷光体的量子产率，从而改善总发光效率、亮度和显色指数。此外，从输出表面的后侧发射并释放的绿光(这部分绿光在传统装置中被剩下不再使用)，被用于激发红色磷光体，从而可进一步提高总发光效率。由于提高了量子产率，从而提高了白光发光装置的整体亮度和显色指数。
图43是用于详细解释根据本发明的第八示例性实施例的发光装置封装件的操作原理的示意图。参照图43，诸如蓝色LED的蓝光源1301发射蓝光1302，然后蓝光1302入射在磷光体1330上，即，第一磷光体1332和第二磷光体1331上。优选地，磷光体1330形成为具有彼此分离的结构。这是因为与使用磷光体的混合物相比，使用分离的层结构的磷光体更适于有效地利用从输出表面的后侧发射的光。
从蓝光源1301发射的蓝光1302对肉眼来说是可察觉的，并可具有例如范围为大约420nm至大约480nm的波长。优选地，蓝光源1301是具有范围为大约420nm至大约480nm的峰值发射波长的蓝色LED。在第二磷光体1331吸收蓝光1302之后，它发射具有范围为大约490nm至大约550nm的峰值发射波长的绿光1304和1305。第一磷光体1332吸收蓝光1302和从第二磷光体1331发射的光(绿光1305)，并发射具有范围为大约600nm至大约700nm的发射峰的红光1306和1307。具体地讲，当第一磷光体1332具有范围为大约420nm至大约500nm的峰值激发波长时，它可有效地吸收蓝光1302和绿光1305。基于吸收的从第二磷光体1331发射的光1305，第一磷光体1332发射红光1306。基于吸收的从蓝光源1301发射的光1302，第一磷光体1332发射红光1307。观察者1309察觉到绿光1304、蓝光1302和红光束1306、1307的混合作为白光1308。
如上所述，第一磷光体1332被蓝光源1301和第二磷光体1331双重激发，以发射红光。因此，红色磷光体(第一磷光体1332)的量子产率提高。因此，提高了发光装置的整体亮度并提高了显色指数。只要第二磷光体1331可响应蓝光源1301发射的光1302发射具有范围为大约490nm至大约550nm的峰值发射波长的绿光，第二磷光体1331就可为任意的磷光体。当使用具有范围为大约420nm至大约480nm的峰值发射波长的蓝色LED作为蓝光源1301时，第二磷光体1331可为相对从蓝色LED发射的光(即，具有范围为420nm至480nm的峰值发射波长的蓝光)具有高量子效率并且具有范围为490nm至550nm的峰值发射波长的磷光体。
第一磷光体1332为响应从蓝光源1301发射的光1302和从第二磷光体1331发射的光1305而发射具有范围为大约600nm至大约700nm的发射峰的光的磷光体。所述磷光体包括根据本发明合成的用实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物，其中，M为一价和二价元素中的至少一种，0＜x＜4，y＝2x/3。优选地，第一磷光体1332可吸收从具有范围为大约490nm至大约550nm的峰值发射波长的第二磷光体1331发射的光以及从具有范围为大约420nm至大约480nm的峰值发射波长的蓝色LED发射的光，以发射具有范围为大约600nm至大约700nm的发射峰的红光。这些磷光体可被蓝光1302和绿光1305双重激发。因此，可以提高红色磷光体(即，第一磷光体1332)的量子产率，并可改善显色指数、总发光效率和亮度。
图44是示出了用于本发明的第八示例性形式的发光装置封装件的绿色磷光体(第二磷光体)和红色磷光体(第一磷光体)之间的能量传递的示意图。参照图44，第二磷光体被大约460nm的蓝光激发，从而发射大约530nm的绿光。此外，第一磷光体吸收从第二磷光体发射的光(绿光)以及大约460nm的蓝光的一部分，以发射大约620nm的红光。按照这种方式，第一磷光体被双重激发，从而发射红光。即，第一磷光体层1332被设置在蓝光源1301(如蓝色LED或其它蓝光源等)的上部，并且第二磷光体层1331设置在第一磷光体层1332的上部。根据这种结构，从第二磷光体1331的后侧发射的光1305容易被第一磷光体1332吸收，以发射红光1306。因此，从第一磷光体1332发射的额外的光1306进一步提高了发光装置的整体亮度，并进一步改善了显色指数。另外，通过第一磷光体1332可以有效地利用光1305，否则光1305会被从后侧释放并被浪费。通过形成分层的分布有每种磷光体的模制树脂，可以容易地实现层结构中的磷光体的布置。
图45是示出了根据本发明的第九示例性实施例的发光装置封装件的剖视图。参照图45，发光装置封装件1400包括封装件基底1431和安装在封装件基底1431上的LED芯片1435。封装件基底1431可包括上面形成有两个引线框架1432a和1432b的下封装件基底1431a以及具有腔的上封装件基底1431b。LED芯片1435安装在腔区域中。LED芯片1435的阳极(未示出)分别通过线连接到引线框架1432a和1432b的上端。
设置低折射系数区域1436以覆盖LED芯片1435。低折射系数区域1436可为空的空间，或者可为填充有折射系数相对低的透明树脂的区域。当低折射系数区域1436为空的空间时，它具有与空气的折射系数相似的折射系数(n＝1)。同时，当低折射系数区域1436形成有透明树脂时，可使用普通的环氧树脂、硅树脂或它们的混合物。在这种情况下，低折射系数区域1436的折射系数将根据使用的材料而改变，优选地为大约1.7或更低。然而，如果高折射系数层具有足够高的折射系数值，则该折射系数可高于1.7。
高折射系数层1437形成在低折射系数区域1436上。高折射系数层1437至少具有高于低折射系数区域1436的折射系数的折射系数，并且包括形成在其上表面上的凸出和凹陷(即，不规则的图案)的图案1437a。包括用于转换从LED 1435发射的光的波长的磷光体1439的波长转换层1438形成在高折射系数层1437上。波长转换层1438为含有磷光体的树脂层并具有至少低于高折射系数层1437的折射系数的折射系数。
波长转换层1438至少包括红色磷光体，所述红色磷光体具有根据本发明合成的由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu(其中，M为一价和二价元素中的至少一种，0＜x＜4，y＝2x/3)表示的无机化合物并吸收从LED芯片发射的光以发射具有范围为大约600nm至大约700nm的发射峰的光。
在本示例性实施例中采用的高折射系数层1437可由本身具有高折射系数的树脂制成，或者可实现为含有高折射系数颗粒的普通透明树脂层。在这种情况下，可从由GaP、Si、TiO2、SrTiO3、SiC、立方碳或无定形碳、碳纳米管、AlGaInP、AlGaAs、SiN、SiON、ITO、SiGe、AlN、GaN和它们的混合物组成的组中选择高折射系数颗粒。
高折射系数层1437具有高折射系数，从而从磷光体颗粒1439漫射的光子可被与低折射系数区域1436的界面反射。优选地，高折射系数层1437具有大约1.8或更大的折射系数，但是如果低折射系数区域1436由具有特定的折射系数的树脂制成，则高折射系数层1437可由具有足够高的折射系数的材料制成，以使得其折射系数与该特定树脂的折射系数具有显著的差异。
尽管与波长转换层1438的界面具有相对大的光提取阈值角，但是通过形成在高折射系数层1437上的凸出和凹陷1437a的图案可容易地实现光提取到波长转换层1438。优选地，凸出和凹陷1437a的成型间隔可在0.001μm至500μm的范围内。如果高折射系数层1437的折射系数和波长转换层1438的折射系数之间的差太大，则通过凸出和凹陷1437a会难以实现足够的光提取。因此，高折射系数层1437的折射系数优选地为10或更小。
图46是用于解释图45中示出的根据本发明的第九示例性实施例的发光装置封装件的光提取机理的示意图。参照图45和图46，从LED芯片1435发射的光(①)穿过低折射系数区域1436和高折射系数层1437，并向波长转换层1438行进。通常，低折射系数区域1436具有比构成LED芯片1435的氮化物的折射系数低的折射系数。在这方面，然而，由于存在形成在LED表面上的凸出和凹陷的图案，所以LED 1435产生的光可有效地被提取到低折射系数区域1436。此外，从低折射系数区域1436向高折射系数层1437前进的光利用高折射系数材料继续行进，因此可被有效地提取。波长转换层1438的折射系数低于高折射系数层1437的折射系数，因此具有有限的光提取阈值角，但是由于形成在高折射系数层1437的上表面上的凸出和凹陷，所以光可被有效地提取。
接下来，从LED发射的光(①)在磷光体颗粒1439处被激发，激发的光的一部分(②)可沿期望的方向(例如，向封装件的上部)被提取。同时，激发的光的另一部分(③)可从波长转换层1438向封装件的内部行进到高折射系数层1437。由于波长转换层1438的折射系数比高折射系数层1437的折射系数低，所以向着封装件的内部行进的光(③)可基本进入高折射系数层1437而没有损失。由于折射系数的差异大，所以已经进入高折射系数层1437的光(③)大部分从与低折射系数区域1436的界面反射。反射的光(④)进行到高折射系数层1437的上部并穿过高折射系数层1437与波长转换层1438之间的界面以沿期望的方向被提取。如上所述，由于高折射系数层1437和波长转换层1438的折射系数的差异，所以高折射系数层1437和波长转换层1438在它们的界面处具有有限的光提取阈值角，但是可通过形成在高折射系数层1437的上表面上的凸出和凹陷1437a而容易地提取光。
按照这种方式，通过其上形成有凸出和凹陷1437a的高折射系数层1437和低折射系数区域1436，可沿期望的向上的方向有效地反射被磷光体颗粒1439漫射后行进到封装件内部的光(③)。
在本示例性实施例中，由于含有磷光体颗粒的波长转换层设置在包括其上形成有凸出和凹陷的高折射系数层的光学结构的上部，并且低折射系数区域被设置在波长转换层的下部，所以从磷光体颗粒沿每个方向漫射的光的行进方向可被重新调节成向上的方向，从而提高光提取效率。
图47至图49为根据本发明的第十至第十二示例性实施例的发光装置封装件的剖视图。具体地讲，图47示出了图45中示出的根据第九示例性实施例的发光装置封装件的结构，在该结构中，改进了波长转换层。图48示出了改进的封装基底的结构，图49示出了改进的高折射系数层的结构，在该结构中，通过在形成凸出和凹陷的图案的过程中使用自身高折射系数层的结构来形成高折射系数层，而无需使用普通的模制工艺或蚀刻工艺。
首先，图47中示出的发光装置封装件1540包括封装件基底1541和安装在封装件基底1541上的LED 1545，发光装置封装件1540与图45中示出的发光装置封装件相似。封装件基底1541可包括其上形成有两个引线框架1542a和1542b的下封装件基底1541a以及具有腔的上封装件基底1541b。LED芯片1545的阳极(未示出)分别通过引线连接到引线框架1542a和1542b的上端。
设置低折射系数区域1546以覆盖LED芯片1545。低折射系数区域1546可为空的空间，或者可为填充有折射系数相对低的透明树脂(如环氧树脂或硅树脂)的区域。低折射系数区域1546可形成为空的空间区域，在该区域中，设置由具有低折射系数的树脂制成的透镜(未示出)以覆盖LED芯片1545。
高折射系数层1547形成在低折射系数区域1546上，高折射系数层1547至少具有高于低折射系数层1546的折射系数的折射系数，并包括形成在其上表面上的凸出和凹陷(即，不规则图案)的图案。形成在高折射系数层1547上的凸出和凹陷1547a的图案可有助于光提取到具有相对低的折射系数的波长转换层1548。优选地，凸出和凹陷1547a的成型间隔可在0.001μm至500μm的范围内，更优选地，在0.001μm至300μm的范围内。
此外，在本示例性实施例中，抗反射层1547b可形成在高折射系数层1547的下表面上，即，形成在高折射系数层1547和低折射系数区域1546之间的界面上。抗反射层1547b可由在LED芯片1545的光学波长带具有抗反射性的材料制成，并促进从LED芯片1545产生的光行进到高折射系数层1547。
含有用于转换从LED 1545发射的光的波长的磷光体1549的波长转换层1548形成在高折射系数层1547上。波长转换层1548的折射系数至少低于高折射系数层1547的折射系数。
在本示例性实施例中，波长转换层1548以这样的方式形成，即，形成透明的树脂区域，然后在透明的树脂区域的上表面上涂覆磷光体1549。此外，在这种结构中，包括磷光体颗粒1549的层位于包括高折射系数层1547和低折射系数区域1546的光学结构上，从而可充分地改善光提取效率。
高折射系数层1547本身可由具有高折射系数的树脂或者含有高折射系数颗粒的透明树脂制成。优选地，高折射系数层1547具有至少1.8或更大但小于等于10的折射系数，以使得从磷光体颗粒1549扩散的光子(例如，光量子)从与低折射系数区域1546的界面反射，以有助于光提取到波长转换层1548。
根据本示例性实施例的有助封装件的工艺并不受限，但是当低折射系数区域1546由诸如环氧树脂或硅树脂的透明树脂制成时，可通过连续的涂覆和硬化工艺来形成高折射系数层1547和波长转换层1548。在这种情况下，可通过在硬化工艺后应用机械或化学蚀刻来形成高折射系数层1547的凸出和凹陷1547a，或者通过在硬化工艺之前使用模制框架来形成高折射系数层1547的凸出和凹陷1547a。
图48中示出的发光装置封装件1600包括封装件基底1651和安装在封装件基底1651上的LED 1655。封装件基底1651可包括形成在其上表面上的两个引线框架1652a和1652b、形成在其下表面上的两个连接焊盘1654a和1654b以及连接引线框架1652a、1652b和连接焊盘1654a、1654b的导电通孔1653a和1653b；然而，封装件基底1651不限于此。
与其它的示例性实施例相同，发光装置封装件1600包括覆盖LED 1655的半球形的低折射系数区域1656、形成在低折射系数区域1656上的高折射系数层1657和形成在高折射系数层1657上的波长转换层1658。高折射系数层1657至少具有高于低折射系数区域1656的折射系数的折射系数，并包括凸出和凹陷1657a的图案。波长转换层1658的折射系数低于高折射系数层1657的折射系数。
在本示例性实施例中，当半球形低折射系数区域1656形成为透明的树脂层时，通过利用传统的模制工艺(如转印模制工艺)可容易地形成低折射系数区域1656。在这种情况下，也可以通过相似的模制工艺来形成其它层1657和1658。当低折射系数区域1656被设置成空的空间时，高折射系数层1657和/或波长转换层1658可通过模制工艺被制造成具有期望的形状，然后附于封装件基底1651。尽管高折射系数层1657和波长转换层1658被示出为具有半球形状，但是本发明不限于此，它们可被制造成它们各自的截面具有各种其它的形状，如立方体形状、金字塔形状等。
这些不同的形状可类似地应用于图47中的结构。例如，在图47的示例性形式中，高折射系数层1547具有平板形状，但是也可以更改为具有类似于图48中的形状的半球形状或任何其它的形状。
参照图49，与图45中示出的示例性实施例相似，图49中示出的发光装置封装件1700包括封装件基底1761和安装在封装件基底1761上的LED芯片1765。封装件基底1761可包括其上形成有两个引线框架1762a和1762b的下封装件基底1761b以及具有腔的上封装件基底1761a。
LED芯片1765安装在腔区域中。LED芯片1765的阳极(未示出)分别通过引线连接到引线框架1762a和1762b的上端。提供低折射系数区域1766来覆盖LED 1765。
低折射系数区域1766可为空的空间或可为填充有具有相对低的折射系数的透明树脂的区域。当低折射系数区域1766为空的空间时，它具有类似于空气的折射系数的折射系数(n＝1)。同时，当用透明树脂形成低折射系数区域1766时，可使用普通的环氧树脂、硅或它们的混合物。在这种情况下，低折射系数区域1766的折射系数可为低于下面讨论的高折射系数层的折射系数值的任意值。低折射系数值优选地为大约1.7。
高折射系数层1767形成在低折射系数区域1766上。高折射系数层1767包括折射系数高于低折射系数区域1766的折射系数的高折射系数颗粒。因此，在本示例性实施例中，通过具有高折射系数的颗粒的晶体尺寸或形状来确定凸出和凹陷1767a的图案的形状或循环(cycle)。具有高折射系数的颗粒可由从由GaP、Si、TiO2、SrTiO3、SiC、立方碳或无定形碳、碳纳米管、AlGaInP、AlGaAs、SiN、SiON、ITO、SiGe、AlN、GaN和它们的混合物组成的组中选择的材料制成。
可通过在腔区域中设置具有高折射系数颗粒的层来至少形成根据本示例性实施例的高折射系数层1767的上表面。不同的是，当低折射系数区域1766由树脂制成时，高折射系数颗粒可被致密地涂覆在树脂的上表面上。
含有磷光体1769的波长转换层1768形成在高折射系数层1767上，以转换从LED 1765发射的光的波长。波长转换层1768的折射系数可低于高折射系数层1767的折射系数。
形成在高折射系数层1767上的凸出和凹陷1767a的图案有助于光提取到具有相对低的折射系数的波长转换层1768。此外，如果高折射系数层1767和波长转换层1768之间的折射系数的差太大，则即使有凸出和凹陷1767a也将会难以实现足够的光提取，因此高折射系数层1767的折射系数优选地为10或更小。
图50是根据本发明的第十三示例性实施例的发光装置封装件的示意性剖面图，图51是示意性地示出图50中示出的发光装置封装件的波长转换单元和控制器的透视图。
首先，参照图50和图51，发光装置封装件1801包括主体1810、发光装置1820、波长转换单元1830和控制器1840。主体1810可由塑性树脂或陶瓷材料制成，并包括腔1811，所述腔1811具有开口的一侧以允许发光装置1820(将描述)容纳在其中。腔1811具有内圆周表面向前倾斜的结构，以漫射从发光装置1820产生的光。内圆周表面的尺寸随着其向前表面的外侧的延伸逐渐变大。
因此，如果腔1811具有水平截面为圆形或椭圆形的圆柱结构，则腔1811具有圆锥形状，从而内部侧面的内径大于外部侧面的内径。然而，本发明不限于此，并且腔1811可具有四边形的水平截面，在这种情况下，腔1811可具有金字塔形状的结构，在该结构中，外部截面大于内部截面。
主体1810可具有安装部分1812，所述安装部分1812具有允许波长转换单元1830(将描述)安装在腔的开口附近的台阶结构。安装部分1812的台阶结构形成在靠近主体1810的前表面的上端，使得可安装波长转换部件1830。优选地，安装部分1812沿腔1811的外圆周形成。
主体1810包括一对主端子1814和1815，主端子1814和1815具有从腔1811的下表面暴露的一端以与安装在主体1810上的发光装置1820电连接，主端子1814和1815还具有从主体1810暴露的另一端。发光装置1820为通过从外部源施加的功率而发射特定波长的光的一种半导体装置，根据本发明第十三示例性实施例的发光装置封装件不同于使用多个发光装置的现有技术而具有使用单独的发光装置的结构特性来改变色温。发光装置1820容纳在腔1811中并安装在主体1810上，使得其与设置在主体1810内的一对主端子1814和1815电连接。
同时，波长转换部件1830安装在主体1810的安装部分1812上来覆盖腔1811，以转换从发光装置1820发射的光的波长。波长转换部件1830包括液体容纳部分1831、透明液体1832和磷光体(或荧光物质)1833，液体容纳部分1831设置在从发光装置1820发射的光的通路上，透明液体1832被注入到液体容纳部分1831中，磷光体1833分散在透明液体1832中。包含磷光体1833的波长转换部件1830转换被引入到液体容纳部分1831中的透明液体1832的体积，从而调整液体容纳部分1831的体积来控制色温。波长转换部件1830包括红色磷光体，红色磷光体具有根据本发明合成的由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物并通过吸收从LED芯片发射的光而具有在600nm至700nm范围内的发射峰的光，其中，M为一价元素和二价元素中的至少一种，0＜x＜4且y＝2x/3。
液体容纳部分1831可以由能够变形(即，收缩或膨胀)的硅或橡胶材料制成，并具有具有优异的恢复力的弹性。优选地，液体容纳部分1831具有光透射性以免影响色温。液体容纳部分1831可以形成为具有一定体积的空管(hollow tube)结构以容纳被注入到液体容纳部分1831中的透明液体1832。在图50中，液体容纳部分1831具有圆盘状结构，但本发明不限于此，根据腔1811的外剖面的形状，液体容纳部分1831可以具有诸如四边形结构的多边形形状。被注入到弹性管1831中的透明液体1832可以包含水、油或树脂等以具有流动性，并在其中包含均匀分散的磷光体1833。
控制器1840与波长转换部件1830连接，并通过改变透明液体的体积来调整液体容纳部分1831的容积来控制光的色温。控制器1840包括贮液器1841和制动器1842，贮液器1841与液体容纳部分1831连接以容纳透明液体1832，制动器1842与贮液器1841连接以调节包含在液体容纳部分1831中的透明液体1832的体积。贮液器1841与液体容纳部分1831连接以容纳填充在液体容纳部分1831中的部分透明液体1832。因此，具有流动性的透明液体1832在液体容纳部分1831和贮液器1841之间移动，而不是被完全固定在液体容纳部分1831中，因此，液体容纳部分1831中的透明液体1832的体积可以改变。贮液器1841由与液体容纳部分1831的材料相同的材料形成，优选地，与液体容纳部分1831整体地形成。
制动器1842与贮液器1841连接以调整被填充在液体容纳部分1831中的透明液体1832的体积。即，通过制动器1842的膨胀和收缩操作，在与制动器1842连接的贮液器1841中的透明液体1832可以移动到液体容纳部分1831或可以从液体容纳部分1831移动到贮液器1841，从而调整在液体容纳部分1831中的透明液体1832的体积。制动器1842可以包括压电制动器(PZT)和MEMS元件等，但本发明不限于此。制动器1842通过从外部源施加的功率驱动，为此，设置了多个辅助端子1844和1845。一对辅助端子1844和1845的一端与制动器1842电连接，另一端从主体1810暴露。
可以设置电子装置(未示出)以控制制动器1842的操作。连接制动器1842及辅助端子1844和1845的详细结构被省略。在图50中，辅助端子1844和1845从主体1810的下表面暴露，但本发明不限于此，辅助端子1844和1845可以从主体1840的侧表面暴露。贮液器1841和制动器1842可以设置为埋在主体1810的内部，使得它们与腔1811邻近。在这种情况下，优选地，用于容纳贮液器1841和制动器1842的容纳凹进(未示出)可以形成在主体1810中。因此，贮液器1841和制动器1842可以***地安装在容纳凹进中。
在根据本发明的第十三示例性实施例的发光装置封装件中，贮液器1841和制动器1842示出为沿着主体1810的短轴方向的与光轴平行地设置。然而，不限于此，贮液器1841和制动器1842可以设置为沿主体1810的长轴方向与光轴垂直，在这种情况下，主体1810的厚度可以减小且贮液器1841和制动器1842可以更有效地安装。
液体容纳部分1831安装在安装部分1812的台阶上以覆盖腔1811，在这种情况下，主体1810的腔1811可以由透明树脂填充以密封设置在腔1811中的发光装置1820。另外，腔1811可以由空气填充来覆盖设置在腔1811中的发光装置1820，在这种情况下，发光装置通过安装为覆盖腔1811的液体容纳部分1831密封。
现在将参照图52和图53来描述通过操作波长转换部件1830和控制器1840来改变色温的方法。首先，如图52中所示，当通过一对辅助端子1844和1845施加外部电源而使制动器1842膨胀时，与制动器1842连接的贮液器1841在制动器1842的作用下收缩从而具有更小的容积。在这种情况下，储存在贮液器1841中的透明液体1832移向液体容纳部分1831，从而使填充液体容纳部分1831的透明液体1832增多。因此，液体容纳部分1831因增多的透明液体1932而膨胀，同样，磷光体层的厚度增加。结果，由发光装置1820产生的光透过更厚的磷光体液体层，因此，可以降低发射的光的色温。
如图53中所示，当制动器1842收缩时，与制动器1842连接的贮液器1841根据制动器1842的收缩而膨胀，从而具有增大的容积。在这种情况下，储存在液体容纳部分1831中的透明液体1832移动到贮液器1841中，使得填充液体容纳部分1831的透明液体1832的量减少。因此，液体容纳部分1831因已移动到贮液器1841中的透明液体1832而收缩，从而具有减小的容积，且磷光体液体层减小同样多的厚度。结果，由发光装置120产生的光透过厚度减小的磷光体液体层，从而提高了发射的光的色温。
在图53中，液体容纳部分1831的平的前表面或上表面膨胀和收缩，但本发明不限于此。液体容纳部分1831的前表面可以为凸起或凹入的穹顶形状。可以通过控制制动器1842的电子装置(未示出)更精确地调节色温的改变。因此，不同于传统技术，可以仅通过单独的发光装置容易地调节色温，并且因为不需要确保用于颜色混合的距离，所以可以将照明装置或设备制造得更小。
现在将描述根据本发明不同的示例性实施例的具有发光装置封装件的表面光源设备。根据本发明示例性实施例的表面光源设备包括根据本发明的如上所述的发光装置封装件。发光装置封装件可以用于背光设备，也可以用于像一般照明设备、用于车辆的前灯等其他应用。
图54为示意性地示出根据本发明示例性实施例的表面光源设备的发光模块的布置结构的平面图，图55示出了图54中的发光模块的旋转布置方案。
首先，参照图54，表面光源设备1900包括第一发光模块1901a至第四发光模块1901d。第一发光模块1901a至第四发光模块1901d包括多个发光装置1903以及连接件1904a至1904d。多个发光装置1903按行和列二维地布置以形成发光区域，具体地讲，当表面光源设备1900使用LED时，其可以用于背光单元和照明设备等。第一发光模块1901a至第四发光模块1901d可以具有如规则正方形的相同的形状并可以具有在绝缘基底上设置有多个发光装置1903以及连接件1904a至1904d的结构。
连接件1904a与第一发光模块1901a的一个顶点邻近地设置。在这种情况下，第一发光模块1901a的顶点与由第一发光模块1901a至第四发光模块1901d形成规则正方形的中心点(即，整个表面光源设备1900的中心点，在下文中将称作“中心点”)对应。在这种情况下，“邻近”可以理解成是指连接件1904a设置为与第一发光模块1901a的四个顶点中的特殊顶点最近，且该特殊顶点位于发光模块的旋转的中心点处或附近。
第二发光模块1901b至第四发光模块1901d具有与第一发光模块1901a的结构等价的结构，第一发光模块1901a通过使用旋转的中心点作为轴顺序地旋转90度的角度。例如，当第一发光模块顺时针旋转90度时，第二发光模块1901b的多个发光装置1903和连接件1904b具有第一发光模块1901a的多个发光装置1903和连接件1904a的布置。同样，当第二发光模块顺时针旋转90度时，第三发光模块1901c的多个发光装置1903和连接件1904c具有第二发光模块1901b的多个发光装置1903和连接件1904b的布置。第四发光模块1901d也可以以相同的方式布置。图55中的(a)中示出了这样的旋转布置方法。在图55中的(b)中，示出了逆时针的旋转方向，而非顺时针的旋转方向。
如图54中所示，分别包括在第一发光模块1901a至第四发光模块1901d中的连接件1904a至1904d设置为与中心点邻近且彼此非常接近。因此，用于功率连接的配线结构可以是简单的。另外，由于第一发光模块1901a至第四发光模块1901d具有顺序的90度旋转布置结构，所以根据本示例性实施例的表面光源设备1900可以仅使用一种类型的发光模块来构造。如果不使用旋转的布置结构，则第一发光模块1901a至第四发光模块1901d应该具有不同的结构以允许连接件1904a至1904d设置为邻近中心点，因此，需要四种类型的发光模块。因此，在根据本示例性实施例的表面光源设备的情况下，由于连接件1904a至1904d之间的距离短，所以电配线结构可以更简单且仅需要单独的发光模块，从而因发光模块的标准化以及生产率的提高可以降低制造成本。
图56为示意性地示出根据本发明另一示例性实施例的表面光源设备的发光模块的布置结构的平面图。
参照图56，根据本发明第二示例性形式的表面光源设备包括第一发光模块2001a至第四发光模块2001d，第一发光模块2001a包括多个发光装置2003和连接件2004a，第二发光模块2001b包括多个发光装置2003和连接件2004b，第三发光模块2001c包括多个发光装置2003和连接件2004c，第四发光模块2001d包括多个发光装置2003和连接件2004d。在根据本发明的该示例性实施例的表面光源设备的情况下，不同于图54中示出的另一示例性实施例的情况，连接件2004a至2004d形成在相对于发光装置2003的单独区域中。即，图56示出了从连接件2004a至2004d设置方向观察的表面光源设备2000。连接件2004a至2004d可以形成在第一发光模块2001a至第四发光模块2001d中的发光装置2003的相对侧上，因此，发光装置2003可以不受连接件2004a至2004d限制地设置。
图57为示意性地示出根据本发明第三示例性形式的表面光源设备的发光模块的布置结构的平面图。
参照图57，根据本发明第三示例性形式的表面光源设备2100包括第一发光模块2101a至第三发光模块2101c。由第一发光模块2101a至第三发光模块2010c的外边界线形成的形状(即，发光区域)为圆形。正像图54中示出的实施例，第一发光模块2101a至第三发光模块2101c具有相同的构造，并具有因由通过第一发光模块2101a至第三发光模块2101c共分顶点(即，旋转中心点)形成的角而具有扇形形状，该扇形形状的角设置为120度(360度/3)。包括在第一发光模块2101a中的多个发光装置2103沿第一方向和第二方向二维地布置，第一方向和第二方向以120度的角度设置。在这种情况下，第一方向为与第一发光模块2101a和第二发光模块2101b之间的边界线的方向相同的方向，第二方向为与第一发光模块2101a和第三发光模块2101c之间的边界线的方向相同的方向。
当第一发光模块围绕作为轴的中心点顺时针旋转120度时，第二发光模块2101b的多个发光装置2103和连接件2104具有第一发光模块2101a的多个发光装置2103和连接件2104a的布置。同样，当第二发光模块围绕作为轴的中心点顺时针旋转120度时，第三发光模块2101c的多个发光装置2103和连接件2104c具有第二发光模块2101b的多个发光装置2103和连接件2104b的布置。在本发明的另一示例性实施例中，圆形的表面光源设备2100具有三个等分的部分的结构，但本发明不限于此，表面光源设备2100可以具有诸如等边三角形形状和正五边形形状等的n边形形状(n为大于等于3的自然数)，在这种情况下，n个发光模块的可以以1/n×360度的旋转角度布置。
图58为示意性地示出根据本发明第四示例性形式的表面光源设备的发光模块的布置结构的平面图。
参照图58，表面光源设备2200具有与上面参照图54描述的表面光源设备1900的结构类似的结构。也就是说，根据本发明该示例性实施例的表面光源设备2200包括第一发光模块2201a至第四发光模块2201d。第一发光模块2201a包括多个发光装置2203和连接件2204a，第二发光模块2201b包括多个发光装置2203和连接件2204b，第三发光模块2201c包括多个发光装置2203和连接件2204c，第四发光模块2201d包括多个发光装置2203和连接件2204d，第二发光模块2201b至第四发光模块2201d可以通过顺序地旋转第一发光模块2201a 90度而得到。
多个发光装置2203以行和列(即，沿x和y方向)布置，在这种情况下，沿x方向的间距(x)和沿y方向的间距(y)不同。在本示例性实施例中，沿y方向的间距(y)大于沿x方向的间距(x)，这可以通常被使用，因此，可以减少总的使用的发光装置2203的数量。具体地讲，在本示例中的沿x方向的间距(x)为大约26mm-27mm，沿y方向的间距(y)为大约29mm-37mm。虽然在本实施例中沿y方向的间距(y)大于沿x方向的间距(x)，但沿x方向的间距(x)可以大于沿y方向的间距(y)。简单地讲，沿x方向的间距(x)和沿y方向的间距(y)只要不同即可。同时，在本发明中使用的间距与沿一个方向分开的相邻的发光装置2203的中心之间的距离对应。
在x方向和y方向的间距不同的发光装置布置结构的情况下，由于沿y方向的间距增大，所以亮度的不均性可以最小化。在第一发光模块2201a中，沿y方向的间距(y)大于沿x方向的间距(x)，但第二发光模块2201b具有的间距与第一发光模块2201a相反，第三发光模块2201c具有的间距与第二发光模块2201b相反。通过将第三发光模块2201c顺时针旋转90度形成的第四发光模块2201d具有与第二发光模块2201b的间距结构相同的间距结构。以这样的方式，由于发光模块具有与它们相邻的发光模块的布置结构相反的布置结构，所以在沿x方向和y方向的间距不同的情况下造成的亮度不均匀性可以最小化。结果，表面光源设备2200可以具有数量减少的发光装置2203，同时保持了亮度分布的均匀性。
在这种情况下，通过增大注入电流可以解决因发光装置的数量减少而导致的亮度劣化问题。以这样的方式，当第一发光模块2201a的布置方法和在整个发光区域中被第一发光模块2201a占据的区域确定时，通过顺时针或逆时针旋转第一发光模块2201a可以确定其他剩下的发光模块的布置方法，在这种情况下，不论第一发光模块2201a沿哪个方向旋转，都可以获得亮度均匀性并可以减少发光装置的数量。
在本发明的第一至第四示例性形式中，表面光源设备的整体形状为四边形形状或圆形形状，但本发明还可以应用到如图59所示的矩形形状或任何其他形状。
图59为示意性地示出根据本发明第五示例性形式的表面光源设备的发光模块的布置结构的平面图。在本发明的第五示例性形式中，表面光源设备2300具有矩形形状，并可以通过将四个图54中示出的根据本发明的第一示例性形式的表面光源设备1900以并排的方式连接而形成。根据本发明设置的表面光源设备可以用于诸如300×1200或600×1200等尺寸，以及用于诸如300×300或600×600的尺寸。另外，具有上述结构的表面光源设备可以用在从LCD面板或其他的显示装置的后表面照射光的背光单元等中。
上述的表面光源设备采用了根据本发明的发光装置封装件，每个发光装置封装件包括至少包含红色磷光体的波长转换部件，红色磷光体具有根据本发明合成的由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物并吸收由LED芯片发射的光而发射具有在大约600nm至大约700nm范围内的发射峰的光，其中，M为一价元素和二价元素中的至少一种，0＜x＜4且y＝2x/3。
图60为第一示例性形式中的采用根据本发明的第一至第五示例性形式的表面光源设备的背光单元的剖视图。
参照图60，背光单元2400可以包括具有上述结构的表面光源设备，下面将描述作为示例的表面光源设备之一。表面光源设备包括多个设置在基底2401上的以不同间距P1和P2布置的发光装置2402。虽然未详细地示出，但表面光源设备的发光区域平均分为n个部分以形成第一至第n发光模块，第二至第n发光模块通过将第一发光模块顺时针或逆时针旋转360度/n而形成。虽然未示出，但连接件设置成与第一至第n发光模块的旋转中心相邻，从而得到电配线效率。
光学片2414设置在表面光源设备的上部。光学片2414包括漫射片(或漫射器)和光收集片等，漫射片或漫射器用于均匀地漫射入射光，光收集片设置在漫射片或漫射器上用来沿垂直方向收集入射光。光学片2414可以额外地包括设置在光收集片上来保护下面的光学结构的保护片。沿设置发光装置2402的方向具有倾斜面的侧壁2413形成在基底2401的上表面的边缘处以围绕发光装置2402。反射层2411可以形成在基底2401上，以向上反射从发光装置2402发射的光。优选地，发光装置2402之间的布置空间即间距P1和P2比光学距离(l)短。如果未满足该条件，则表面光源设备的亮度均匀性会劣化，且热点会被看到。这里，光学距离(l)可以理解为从发光装置2402的发光表面到光学片2414的距离，即，光沿垂直方向传播的距离。
图61为根据本发明另一示例性实施例的表面光源设备的透视图。如图61中所示，表面光源设备2500包括下框架2510、发光装置封装件2520、导光板2530和光学片2540。在这种情况下，表面光源设备2500可以与通过调整光透射而显示图像的液晶面板2550一起用于液晶显示器(LCD)装置中。光学片2540安装在导光板2530上，并可包括漫射器、漫射片、棱镜片和/或保护片。
导光板2530分为多个部分，多个导光板平行地设置在下框架2510的容纳空间处。发光装置封装件2520设置在导光板2530的侧面。这里，多个导光板2530可以分开设置，或可以整体地连接并设置。
发光装置封装件2520包括波长转换部件，波长转换部件包含在树脂材料中适当地混合的红色磷光体、蓝色磷光体、绿色磷光体和黄色磷光体，其中，红色磷光体具有根据本发明合成的由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物，其中，M为一价元素和二价元素中的至少一种，0＜x＜4且y＝2x/3。虽然未示出，但反射板可以额外地设置在导光板2530的下部，根据本示例性形式的表面光源设备可以固定地安装在下框架的内部空间中。
图62为用于解释根据本发明另一示例性实施例的表面光源设备的示意性剖视图。
如图62中的(a)所示，表面光源设备为具有n个LED光源和n个平板式导光板的串联式(tandem-type)表面光源设备。在LED光源中，多个LED封装件2601和2604按行布置在基底2600和2603上由此形成的n个LED光源彼此平行地布置。平板式导光板2602和2605布置并安装在n个LED光源的一侧。
另外，表面光源设备包括设置在LED封装件2601和2604的下部以及平板式导光板2602和2605的下部的反射构件(未示出)，以反射从LED光源输出的光。另外，诸如漫射片或棱镜片的光学片形成在平板式导光板的上部。漫射片使被反射构件反射且被平板式导光板折射后朝着液晶面板输出的光沿各个方向漫射。棱镜片用于将已经穿过漫射片的光收集到前视角的内侧。
具体地讲，LED光源构造为多个安装有顶视LED的LED封装件。平板式导光板2602和2605沿光从LED光源发射的方向设置，并且由透明材料形成。与楔形式(wedge type)导光板相比，平面类型导光板2602和2605具有更简单的形状而易于大量生产，也易于调整导光板在LED光源上的位置。
另外，平板式导光板2602和2605包括光接收部分、光输出部分和前端部分，从LED光源发射的光入射到光接收部分，光输出部分形成为平坦的且厚度均匀，并且具有光输出面，所述光输出面将从LED光源入射的光朝着液晶面板输出为照明光，前端部分形成在基于光输出部分的光输入部分的相对侧并具有比光接收部分的厚度薄的厚度。平板式导光板2602的前端部分设置为覆盖LED封装件2604。即，第(n+1)LED光源位于第n平板式导光板的前端部分的下部。平板式导光板2602的前端部分在其下表面具有棱镜形状。
如图62中的(b)中所示，来自LED封装件2604的光不是直接输出到导光板2602，而是被设置在平板式导光板2602前端部分的下表面上的棱镜形状漫射。因此，在LED光源上方的导光板上不产生热点。
图63为用于解释图62中示出的平板式导光板的示意性透视图。如图63中所示，平板式导光板2700包括光接收部分2701、光输出部分和前端部分2702，从包括多个LED封装件的LED光源发射的光入射到光接收部分2701，光输出部分形成为平坦的且具有均匀厚度，并且具有光输出面2704，所述光输出面2704将入射到光接收部分2701的光朝着液晶面板输出为照明光，前端部分2702形成在基于光输出部分的光输入部分2701的相对侧并具有比光接收部分2701的入射部分的厚度薄的厚度。
前端部分2702具有棱镜形状2703以分散来自布置在其下部的LED封装件的部分光。棱镜形状2703可以为能够分散和漫射入射光的三角形棱镜、圆锥形棱镜和半球状棱镜中的至少一种。另外，前端部分2702的棱镜形状可以形成在整个前端部分2702处，或可以仅部分地形成在LED封装件的上部处。由于棱镜形状，在LED封装件的上方的导光板上不产生热点。
因此，在根据本发明示例性实施例的平板式导光板中，由于平板式导光板2700的前端部分被加工成具有棱镜形状，所以在LED封装件和导光板之间加工漫射片和棱镜片以分散由来自LED封装件的部分光在LED封装件上方的导光板上产生热点的工艺不是必需的，因此，简化了制造工艺。
图64为根据本发明第二示例性实施例的背光设备的分解透视图，图65为在图64中示出的背光设备堆叠之后沿线Ⅰ-Ⅰ′截取的剖视图。
参照图64和图65，背光设备包括下盖2810、导光板2820、光源装置2830和固定单元2840。下盖2810具有容纳空间。例如，容纳空间可以通过形成下盖2810的底表面的板和从板的边缘弯曲的侧壁而形成。下盖2810可以包括紧固固定单元2840(将进行描述)的紧固孔或紧固部分2811。这里，紧固孔或紧固部分2811可以为固定单元2840穿过的通孔部分或可以为固定单元2840***的凹入部分。
导光板2820可以分为多个部分。多个被划分的导光板2820平行地设置在下盖2810的容纳空间中。每个导光板2820具有穿透主体的通孔2821。然而，在本发明中，通孔2821的位置和数量不限于此。通孔2821设置为与紧固部分2811对应。导光板2820示出为具有矩形形状，但本发明不限于此，导光板2820可以具有诸如三角形形状和六边形形状等各种形状。
多个光源设备2830设置在每个导光板2820的一侧，以将光提供给导光板2820。每个光源设备2830可以包括用于形成光的光源(即，LED封装件2831)和基底2832，基底2832具有用于施加LED封装件2831的驱动电压的多个电路图案。例如，LED封装件括2831可以包括子LED，每个子LED实现蓝、绿和红颜色。在这种情况下，子LED可以包括蓝LED和用于将从蓝LED发射的部分蓝光转换为红色和绿色的磷光体。在这种情况下，蓝色、绿色和红色可以混合以实现白光。这里，红色磷光体包括根据本发明合成的由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物，其中，M为一价元素和二价元素中的至少一种，0＜x＜4且y＝2x/3。
从光源设备2830发射的光入射到导光板2820的一侧，然后通过在导光板2820内的全反射而输出到上侧。固定单元2840用于将导光板2820固定到下盖2810，以防止导光板2820移动。固定单元2840***到导光板2820的通孔2821中，以将导光板2820固定到下盖2810。另外，固定单元2840在穿过通孔2821之后可以***到导光板2820的紧固部分2811(例如，通孔部分或凹入部分)中。每个固定单元2840包括主体部分2842和从主体部分2842延伸的头部分2841。
主体部分2842穿过导光板2820的通孔，以紧固到紧固部分2811。即，主体部分2842用于结合导光板2820和下盖2810，以将导光板2820固定到下盖2810上。头部分2841具有比主体部分2842的宽度宽的宽度，从而防止固定单元2840完全进入导光板2820的通孔2821。头部分2842可以具有各种截面形状中的一种，例如，半圆截面形状、半椭圆截面形状、四边形截面形状和三角形截面形状。这里，当头部分2841具有三角形截面形状时，固定单元2840和光学构件2860(将进行描述)之间的接触可以最小，因此，将因固定单元2840产生的黑点最少化。
光学构件2860设置为与导光板2820分隔开，从而从导光板2820输出的光可以均匀地提供到光学构件2860上。这里，由于头部分2841支撑光学构件2860，所以头部分2841用来维持导光板2820和光学构件2860之间的空间。这里，可以通过调整头部分2841的高度来调整导光板2820和光学构件2860之间的空间。固定构件2840可以由允许光透过的材料(即，透明塑料)制成，以将对画面质量的潜在负面影响最小化。
另外，反射构件2850可以设置在导光板2820之下。反射构件2850反射输向导光板2820下部的光，使该光再次入射在导光板2820上，从而提高背光设备的光效率。反射构件2850可以包括与通孔2821和紧固部分2811对应的通过部分(through portion)2851。固定单元2840可以经由通孔2821和通过部分2851紧固到紧固部分2811。因此，当反射构件2850像导光板2820一样分为多个部分时，所述多个部分可以通过固定单元2840固定在下盖2810上。
另外，背光设备还可以包括光学构件2860。光学构件2860可以包括例如设置在导光板2820上的漫射器、漫射片、棱镜片和/或保护片。因此，在本示例性实施例中，因为背光设备包括多个被分开的导光板，所以可以通过部分驱动来进一步提高局部调光效果。此外，由于多个被分开的导光板通过使用固定单元固定到下盖，所以可以防止因导光板在附近移动导致的照明不足。另外，由于导光板和光学构件之间的空间可以通过固定单元均匀地保持，所以可以将均匀的光提供给液晶面板。
图66为根据本发明示例性实施例的LED背光设备的平面视图。图67为在基底紧固之前在图66中示出的区域‘A’的剖视透视图，图68为在基底紧固之后在图66中示出的区域‘A’的剖视透视图。图69为沿图68中的线Ⅱ-Ⅱ′截取的剖视图。
如图66至图69中所示，根据本发明第三示例性形式的LED背光设备包括下盖2910、多个导光板2920、基底2931、多个LED封装件2932和固定单元2940，下盖2910具有构造为第一通孔2910a或凹进的紧固孔或紧固部分，多个导光板2920设置在下盖2910上，基底2931设置为在每个导光板2920的一侧与下盖2910的底表面水平，基底2931包括被施加电压的配线并具有与第一通孔2910a对应(或面对第一通孔2910a)的第二通孔2931a，多个LED封装件2932安装在设置导光板2920一侧处的基底2931上并提供光，固定单元2940紧固到基底2931的第二通孔2931a和/或下盖2910的第一通孔2910a以按压导光板2920的一侧的边缘部分。
这里，具有第一通孔2910a(或形成为在板上凹入的(紧固)凹进)的下盖2910由诸如铁素体(Fe)或电镀锌铁(EGI)等材料制成并构成了下框架，其中，第一通孔2910a穿透形成容纳空间的底表面的板，并具有圆形、矩形或椭圆形等形状。下盖2910可以包括侧壁(即，侧框架)，侧壁形成为从形成底表面的板的边缘部分沿向上方向垂直地延伸。在这种情况下，下框架的底表面可以分为多个按行形成的区域，以构造分离式(separation type)背光设备。在这种情况下，多个区域可以由例如形成在一个区域处的凹进划分界限。当然，划分多个区域的界限的凹进与基底2931的容纳凹进(将进行描述)对应。
第一通孔2910a可以具有除了圆形、椭圆形或矩形形状之外的各种形状。另外，第一通孔2910a可以具有沿长度方向的宽度。也就是说，具体地讲，第一通孔2910a可以包括彼此平行的两个长边以及具有一定曲率的形成为与两个长边的两端连接的两个短边，在这种情况下，优选地，第一通孔2910a形成在下盖2910上使得长轴方向(y轴)与光传播的方向一致。(紧固)凹进具有相同的结构特征。
反射板(未示出)可以形成在下盖2910的整个底表面上，或如果下盖2910包括形成在下盖2910的底表面上的容纳基底2931的容纳凹进，则多个反射板(未示出)可以附着到除容纳凹进之外的底表面上。白色聚酯膜或涂覆有金属(Ag、Al)的膜等用作反射板。反射板对可见光的反射率为大约90％至97％，且涂覆的膜越厚，反射率越高。
设置在下盖2910的底表面上的多个反射板可以形成为在提供光的LED封装件2932和位于LED封装件2932的后表面附近的导光板2920之间延伸。在这种情况下，从导光板2920的一侧提供后而被引入的光可以在不受设置在导光板2920另一侧的LED封装件2932的干扰下被反射板反射，然后提供给设置在上侧的光学构件(未示出)，因此，提高了光的反射效率。
LED光源2930设置在下盖2910的容纳凹进中或导光板2920的一侧处。LED光源2930包括基底2931(即，PCB)和LED封装件2932，基底2931设置在例如容纳凹进中使得基底2930与下盖2910的底表面水平，基底2931包括从外部源向其施加电压的配线并具有与下盖2910的第一通孔2910a对应的第二通孔2931a，LED封装件2932安装在基底2931上。
这里，基底2931包括LED封装件2932和形成在LED封装件2932之间的第二通孔2931a。具有第二通孔2931a的基底2931可以设置在下盖2910的底表面上，使得第二通孔2931a与下盖2910的第一通孔2910a对应(或对准)，通孔2931a可以具有诸如第一通孔2910a的形状的圆形或椭圆形形状，但在本发明中，第二通孔2931a包括彼此平行的两个长边和具有一定曲率的形成为与两个长边的两端连接的两个短边，第二通孔2931a的长轴方向(X轴)与光传播的方向垂直。结果，基底2931的第二通孔2931a的长轴方向(X轴)与下盖2910的第一通孔2910a的长轴方向(Y轴)交叉。
在这种情况下，形成在基底2931上的第二通孔2931a的尺寸(具体地讲，两个长边之间的空间(或距离))可以与具有螺纹的固定单元2940的主体的直径相关。这是由于第二通孔2931a的尺寸可以影响具有导光板2920(从LED封装件2932提供的光入射而被引导到导光板2920)的空间。这在随后将进行详细的描述。
另外，LED封装件2932包括封装件主体2933、LED芯片2935以及一对第一电极结构和第二电极结构(未示出)，封装件主体2933固定在基底2931上以形成外部框架并且封装件主体2933具有容纳凹进，LED芯片2935安装在封装件主体2933的容纳凹进中并提供光，这对第一电极结构和第二电极结构形成为从容纳凹进暴露，具有安装在其上的LED芯片2935并与在基底2931上的配线电连接。
在这种情况下，当LED芯片2935为蓝色LED芯片时，LED封装件2932还可以包括形成在容纳凹进中的树脂封装单元2936。在这种情况下，树脂封装单元2936可以包括红色和绿色的磷光体。例如，树脂封装单元2936可以通过将包含红色和绿色磷光体的凝胶体形式的环氧树脂或硅树脂注入到封装件主体2933的容纳凹进中，然后对其执行UV(紫外线)硬化或热固化而形成。
当然，这里，本发明不意图局限于包括蓝色LED芯片和黄色磷光体的LED封装件2932。也即是说，LED封装件2932可以包括近紫外芯片及设置在近紫外芯片上且包括红色磷光体、绿色磷光体和蓝色磷光体的混合物的树脂封装单元或含有顺序地堆叠的红色磷光体、绿色磷光体和蓝色磷光体的树脂封装单元。这里，红色磷光体包括根据本发明合成的由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物，其中，M为一价元素和二价元素中的至少一种，0＜x＜4且y＝2x/3。
多个导光板2920设置在下盖2910的被多个区域划分的底表面上。优选地，导光板2920的侧面可以紧紧地附着到封装件主体2933，使得从安装在封装件主体2933的容纳凹进中的LED芯片2935提供的光可以在未损失的情况下引入到导光板2920。导光板2920由材料PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)形成，由于在可见光谱中具有最低的光吸收水平的PMMA提供有利的高透明度和光泽。另外，PMMA具有高机械强度、不易断裂或变形、轻且具有强的化学抵抗性。另外，PMMA具有高达90％至91％的可见光透过率、显著低水平的内部光损失、诸如抗拉强度和弯曲强度等的机械特性以及强的化学抵抗性和耐受性。
固定单元2940紧固到在导光板2920之间的基底2931。固定单元2940形成为由透明材料制成的螺杆等，固定单元2940通过穿透基底2931的第二通孔2931a和下盖2910的与第二通孔2931a对应的第一通孔2910a而被紧固，以在均匀地保持设置在LED封装件2932两侧处(即，在LED封装件2932的输出光的前表面和LED封装件2932的位于前表面的相对侧的后表面处)的导光板2920之间的空间的同时固定相邻的导光板2920。在这种情况下，固定单元可以由透明材料制成，以允许从导光板2920内引入的光在不受干扰的情况下提供给设置在上侧处的光学构件。优选地，固定单元2940由与导光板2920的材料相同的材料形成。
根据本示例性实施例的固定单元2940包括头部分和主体部分，头部分具有各种形状，大体上具有诸如圆形或四边形形状的形状，主体部分从头部分延伸并具有圆柱形形状或类圆柱形形状。固定单元可以通过形成在固定单元2940的主体部分的外表面上的螺纹固定到基底2931的第二通孔2931a和/或下盖2910的第一通孔2910a。当然，这里，固定单元2940的主体部分可以具有类似于正方形柱的形状。头部分的尺寸设计为覆盖导光板2920之间的空间和导光板2920的一个边缘部分的一部分，因此，其可以根据导光板2920之间的空间可略微改变。优选地，主体部分的直径与基底2931的第二通孔2931a和/或下盖2910的第一通孔2910a的两个平行长边之间的空间或距离相等。
如上所提到的，固定单元2940的头部分的尺寸或主体部分的直径大小可以根据基底2931的第二通孔2931a的尺寸而略微改变。例如，如果基底2931的第二通孔2931a的尺寸小，则固定单元2940的主体部分的直径相应地变小，这意味着LED封装件2932和导光板2920之间的空间可以减小。当固定单元2940以螺纹方式紧固到基底2931和/或下盖2910时，固定单元2940的头部分按压设置为与固定有LED封装件2932的基底2931邻近的导光板2920的上角部分，从而即使在向导光板2920施加外部撞击的情况下也可防止导光板2920移动。在这种情况下，螺母可以紧固到固定单元2940的从下盖2910的第一通孔2910a暴露的部分，加强所得的强度。
结果，紧固到基底2931的固定单元2940用作LED封装件2932和导光板2920之间的空间，均匀地保持LED封装件2932和导光板2920之间的空间，从而可以适当地控制(处理)导光板2920的收缩和/或膨胀。当然，固定单元2920并非必须具有螺纹形式。例如，如上参照图65所提到的，固定单元可以在穿过基底2931的第二通孔2931a和下盖2910的第一通孔29410a之后通过在与螺杆的头部分对应的端部处形成的钩状部分而紧固，然后通过下盖2910而固定。
光学构件(未示出)设置在多个导光板2920的上部，以补充通过导光板2920提供的光的光学特性。在这种情况下，光学构件可以包括漫射器和棱镜片等，漫射器具有漫射图案以降低已经透过导光板2920的光的不均匀性，棱镜片具有光收集图案以增强光的前部亮度。通过这样的构造，导光板2920之间的空间可以通过固定单元2940得到均匀地维持，由此固定导光板2920，可以防止因外部冲击等导致的导光板2920的移动，并可以适当地应付(处理)导光板2920沿与光传播的方向垂直的方向(x轴)的收缩。另外，即使基底2931因第二通孔2931a而沿基底2931的第二通孔2931a的长轴方向(X轴)收缩形成为具有长轴方向和短轴方向，也可对此适当地控制。
另外，通过下盖2910的具有沿光传播方向形成的长轴方向(Y轴)的第一通孔2910a以及固定到第一通孔2910a的固定单元2940，当导光板2920膨胀和/或收缩时，导光板2920、固定单元2940和/或基底2931可以沿着下盖2910的第一通孔2910a的长轴方向(Y轴)一起移动，从而可以保持导光板2920和LED封装件2932之间的空间均匀，与传统技术相比，减少了斑点或贝克线(Becke line)现象的发生。
根据本发明示例性实施例的液晶显示器(LCD)装置包括上述的根据示例性实施例的LED背光设备和设置在光学构件上的液晶面板(未示出)。在这种情况下，LCD装置还可以包括主支撑件的成型结构以防止LCD受外部冲击等而扭曲，在这种情况下，背光设备设置在主支撑件的下侧，液晶面板位于主支撑件的上部。液晶面板通过附着薄膜晶体管(TFT)阵列基底和滤色器基底而形成，液晶面板包括注入在两个基底之间的液晶层。
诸如栅极线和数据线等的信号配线在TFT阵列基底上形成为彼此交叉，TFT形成在数据线和栅极线的每个交叉处。TFT切换视频信号，即，将响应于通过栅极线提供的扫描信号从数据线传输到液晶层的液晶胞的红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的数据信号。另外，像素电极形成在数据线和栅极线之间的像素区域。
在滤色器基底上设置有黑色矩阵、滤色器和共电极等，黑色矩阵形成为与TFT阵列基底的栅极线和数据线对应，滤色器形成在通过黑色矩阵划分的区域上以提供红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)，共电极设置在黑色矩阵和滤色器上。
从数据线延伸的数据焊盘和从栅极线延伸的栅极焊盘形成在TFT阵列基底的附着有滤色器基底的边缘部分上。栅极驱动器和数据驱动器分别与数据垫和栅极垫连接，以提供信号。上盖设置在液晶面板上，覆盖液晶面板的四条边边缘部分并固定到下盖2910或主支撑件的侧壁。上盖由与下盖2910的材料相同的材料形成。
图70为示意性地示出根据本发明第四实施例形式的背光单元的平面视图，图71为示出安装在图70中示出的LED模块上的LED组合的示例的透视图，图72为示出根据正向电压的LED分布。
参照图70至图72，根据本发明第四示例性形式的背光单元包括多个LED模块3010和一个或多个驱动器3030，多个LED模块3010具有多个LED 3020，一个或多个驱动器3030用于调整设置在多个LED模块3010中的多个LED3020的亮度。在下文中，作为参照将描述LED模块3010沿着框架3040的内侧设置为面向导光板3050的一侧或多侧的线光源的边缘式背光单元。然而，本发明不限于此，也可使用直下式背光单元，直下式背光单元为与边缘式背光单元的区别仅在于LED模块的布置的装置，因此，将省略其详细的描述。
包括多个发射白光的LED 3020的LED模块3010可以为用作自身具有特定面积的表面光源或线光源的单元，并且可以包括诸如基底的子托架和安装在子托架上的多个LED 3020。这里，优选地，多个LED 3020为白色LED，但本发明不必局限于此。例如，可以实现发射蓝光的LED，且磷光体可以位于滤色器基底上。
如图71中所示，包括在每个LED模块3010中的多个LED 3020安装在基底上并且彼此电连接，在这种情况下，设置在每个LED模块中的多个LED 3020形成LED串联连接的LED阵列。本发明的特征在于，LED特征分为相组合而形成设置在每个LED模块3010中的LED阵列的特定部件。通常，通过封装LED芯片而制造的单个LED产品具有与一部分特定范围对应的色坐标、亮度、正向电压(Vf)和波长等特性，对于每个LED单个产品特性的值不是相同而是略微有所不同，从而表现出分散。即，每个单个LED产品的色坐标的范围部分和正向电压的范围部分不是全部一致，而可以具有不同的上限值或下限值。因此，在通过安装多个LED 3020来形成LED阵列的过程中，如果只安装具有仅与特定范围部分对应的特性的LED，例如，如果只安装具有高正向电压(Vf)的LED来形成LED阵列，或者如果只安装具有低正向电压(Vf)的LED来形成LED阵列，则会具有大的电压差值(ΔV)，从而劣化亮度均匀性而在屏幕上引起模糊。
因此，在本发明的示例性实施例中，在LED的特性中，多个LED的正向电压(Vf)根据LED的分布分为多个部分，具有与每个部分对应的正向电压的LED按部分交替地安装而形成LED阵列。这里，正向电压(Vf)是指施加到LED端子的沿正向方向连接的两端的电压。
图72中的(a)和(b)为示出根据正向电压(Vf)的LED分布的曲线图。如图72中的(a)中所示，当LED 3020的正向电压(Vf)的范围窄时，该范围可以根据分布的中心分为两个部分(A部分和B部分)。在这种情况下，安装的LED 3020分为两种类型：具有与A部分对应的正向电压的一种类型和具有与B部分对应的正向电压的另一种类型，交替地安装这两种类型从而形成LED阵列。图72中的(a)示出了LED按ABAB的顺序组合的LED阵列，但本发明不限于此，LED也可以根据诸如AABB、ABBA等的各种其他组合方法来安装，从而形成LED阵列。
参照图72中的(b)，当LED的正向电压(Vf)的范围宽时，该范围可以被分为三个部分(A部分、B部分、C部分)。在这样的情况下，安装的LED 3020的类型可以分为正向电压与A部分对应的一种类型的LED 3020、正向电压与B部分对应的一种类型的LED 3020、正向电压与C部分对应的一种类型的LED 3020，交替地安装这些类型的LED 3020以形成LED阵列。图72示出这样的LED阵列，其中，LED按ABCABC……的顺序组合，但是本发明不限于此，可以根据各种其他的组合方案(诸如ABAC和ABBC等)来安装LED，以形成LED阵列。此外，在图71和图72中，正向电压(Vf)的范围被分为两个或三个部分，但是本发明不限于此，正向电压(Vf)的范围可以被分为各种其他的部分。
因为交替地安装分别具有与每个部分对应的正向电压(Vf)的LED 3020，所以可以估计包括LED 3020的LED模块3010的正向电压的平均值，并可以将减小分散(dispersion)，以将分散设置为具有特定的值的范围。此外，因为减小了在模块内串联连接的LED 3020之间的正向电压(Vf)的偏差(deviation)，所以可以减小LED模块3010之间的电压差(ΔV)，以得到总体上均匀的亮度。
设置一个或多个驱动器3030以调节设置在多个LED模块3010中的每个LED模块中的多个LED 3020的亮度，一个或多个驱动器3030与LED模块3010电连接。虽然没有示出，但是可以设置用于感测从LED发射的光的传感器，以比较预定的亮度和颜色感测与检测出的亮度和颜色感测，从而通过补偿差异来调节LED的亮度。此外，还可以将控制器设置为与驱动器3030连接，以控制驱动器3030。如所示出的，LED模块3010与一个驱动器3030连接，驱动器3030与两个或更多个LED模块3010连接。在这样的情况下，与相同的驱动器3030连接的LED模块3010的正向电压具有在它们之间的小电压差，或者与相同的驱动器3030连接的LED模块3010具有相同范围的正向电压。这可以由根据与安装在每个LED模块3010上的多个LED 3020相关的正向电压的划分的部分而组合LED来调节。因此，每个LED模块3010具有这样的连接结构，其中，一个LED模块3010与连接到相同的驱动器3030的另一LED模块3010并联连接。
参照图70，具有小电压差的第一LED模块3010a和第二LED模块3010b与第一驱动器3030a连接，从而形成连接结构。第三LED模块3010c和第四LED模块3010d与第三驱动器3030c连接，从而形成连接结构。第五LED模块3010e和第六LED模块3010f与第二驱动器3030b连接，从而形成连接结构。即，可以通过单个驱动器3030来一体地驱动具有小电压差的两个或更多个LED模块3010。因此，与每个LED模块具有独立的驱动器的现有技术的背光单元相比，在根据本示例性实施例的背光单元中，驱动器的总数减少，使得背光单元更紧凑纤薄，并使得背光单元所需的电子电器元件的数量减少。此外，因为驱动器的数量减少，所以可以容易地控制用于补偿背光单元的光学特性的驱动器，从而实现改善画面品质的效果。
图73和图74是示出LED模块和驱动器的各种连接结构的示例的平面图。在图73中示出的本发明的示例性实施例中，第一驱动器3030a与第一LED模块3010a和第五LED模块3010e连接，从而形成连接结构；第二驱动器3030b与第二LED模块3010b和第六LED模块3010f连接，从而形成连接结构；第三驱动器3030c与第三LED模块3010c和第四LED模块3010d连接，从而形成连接结构。
在图74中示出的本发明的示例性实施例中，第一LED模块3010a和第四LED模块3010d连接到第一驱动器3030a，从而形成连接结构；第五LED模块3010e和第六LED模块3010f连接到第二驱动器3030b，从而形成连接结构；第二LED模块3010b和第三LED模块3010c连接到第三驱动器3030c，从而形成连接结构。然而，本发明不限于此，连接到各个驱动器3030的LED模块3010可以具有各种其他的组合的连接结构。此外，仅共同地连接到驱动器3030的LED模块彼此电连接，且连接到不同的驱动器的LED模块没有电连接。
根据本发明示例性实施例的表面光源设备和背光单元可以包括LED驱动电路，LED驱动电路可以在没有将AC电源转换为DC电源的转换单元的情况下直接用于AC电源，根据本发明示例性实施例的表面光源设备和背光单元可以包括根据这样的LED驱动电路而实现的LED阵列装置。现在将参照图75至图79来详细描述LED驱动电路和LED阵列装置。
首先，图75示出根据本发明示例性形式的LED驱动电路。图75中示出的LED驱动电路包括梯形网络(trapezoid network)LED电路。即，根据本示例性实施例的梯形网络LED电路包括：三个第一分支，在第一接触点a和第二接触点b之间通过第一中间接触点c1和c2连接；三个第二分支，在第一接触点a和第二接触点b之间通过第二中间接触点d1和d2连接。LED驱动电路包括按顺序连接在第一中间接触点c1和第二中间接触点d1之间以及按顺序在第一中间接触点c2和第二中间接触点d2之间的两个中间分支。这里，在第一分支、第二分支、中间分支处分别公开了LED 3108、3109、3110、3111、3112、3113、3114、3115。
LED驱动电路具有两个电流环路L1和L2。第一电流环路L1包括串联连接的LED 3108、3109、3110、3111、3112，从而在AC电压的第一个半周期驱动。第二电流环路L2包括串联连接的LED 3113、3111、3114、3109、3115，从而在AC电压的第二个半周期驱动。按照这样的方式，在AC电压施加状态下的电路中，可以沿两个方向驱动LED 3109和LED 3111。
当将从第一接触点(a)开始至第一分支和第二分支以及中间分支的顺序定义为m时，可以将梯形网络电路中的LED布置描述如下。可以根据AC电压的驱动可用周期来将LED 3108、3109、3110、3111、3112、3113、3114、3115分为第一LED组和第二LED组。第一LED组包括属于奇数序号的第(2m-1)第一分支、每个中间分支、偶数序号的第2m第二分支并彼此串联连接的LED 3108、3109、3110、3111、3112。第二LED组包括属于偶数序号的第2m第一分支、每个中间分支、奇数序号的第(2m-1)第二分支并沿反向极性方向(reverse polarity direction)彼此串联连接的LED 3113、3111、3114、3109、3115。
因此，第一LED组可以形成在AC电压的第一个半周期驱动的第一电流环路L1，第二LED组可以形成在AC电压的第二个半周期驱动的第二电流环路(L2)。根据这样的驱动，位于中间分支处并共同地属于第一LED组和第二LED组的LED 3109和3111可以在AC电压的整个周期内连续地操作。
因此，由于在包括八个LED 3108、3109、3110、3111、3112、3113、3114、3115的LED驱动电路中，两个LED 3109和3111可以在AC电压的整个周期驱动，所以可以保证在实际的梯形网络电路中连续发光的五个LED(被驱动的LED的数量与采用的LED的数量比为62.5％)。这与作为现有技术的AC驱动型LED布置的反向极性布置的数值(50％)或桥布置的数值(通常为60％)相比数值有所增加。
根据本发明示例性实施例的LED驱动电路与桥结构的显著区别在于LED 3109和3111串联连接而非并联连接。即，在根据本发明示例性实施例的LED驱动电路中，LED 3110和3114设置在LED 3109和3111之间，因此LED 3109和3111串联连接，且在这样的意义上说，LED布置具有与桥结构在本质上不同的梯形网络结构。
在根据本发明示例性实施例的LED驱动电路中，对于全部在AC电压的整个周期(即，沿两个方向)驱动的LED的连接来说，设置LED 3110和3114以连接四个中间接触点c1、c2、d1、d2，从而形成串联连接而不非并联连接。在这样的LED布置连接结构方面，形成单个环路，在实际的驱动操作方面，如上所述，在利用中间接触点构造的环路中，每个LED的电势差不同，没有形成电流环路，且LED按单一的串联形式操作。
在本发明的不同的示例性实施例中，在图75中示出的梯形网络结构中，当将连接第一中间接触点和第二中间接触点的环路作为单个的堆叠时，可以通过连续地连接多个堆叠而设置各种LED驱动电路。即，可以设置三个或更多个的第一中间接触点和三个或更多个的第二中间接触点(第一中间接触点和第二中间接触点数量相同)，且可以设置四个或更多个的第一分支和四个或更多个的第二分支(第一分支和第二分支数量相同)。
图76中的(a)示出根据本发明的另一示例性实施例，以示出包括四个第一中间接触点(c1、c2、c3、c4)和四个第二中间接触点(d1、d2、d3、d4)的LED驱动电路。图76中的(a)示出的LED驱动电路包括将第一中间接触点和第二中间接触点按顺序连接的四个中间分支。这样的驱动电路可以被理解为具有三个堆叠的梯形网络电路。在图76中的(a)中，将一个LED设置在每个分支处。在这样的LED布置中，LED被布置为具有在AC电压的不同的半周期驱动的第一电流环路和第二电流环路。即，在AC电压的第一个半周期，对应的LED被布置为具有沿A1-C1-B2-C2-A3-C3-B4-C4-A5的第一电流环路。在AC电压的第二个半周期，对应的LED被布置为具有沿B1-C1-A2-C2-B3-C3-A4-C4-B5的第二电流环路。
在根据本示例性形式的LED驱动电路中，位于中间分支处并共同地集成在第一电流环路和第二电流环路中的四个LED C1、C2、C3、C4可以在AC电压的整个周期内连续地操作。以这样的方式，因为包括总数为十四个的LED的LED驱动电路的四个LED C1、C2、C3、C4在AC电压的整个周期内驱动，所以可以保证在实际的梯形网络电路中连续发光的九个LED(LED使用效率：大约64％)。在当前的示例性形式中，与前面的示例性形式相比，可以得到更显著的减少使用的LED的数量的效果。
在图75和图76中的(a)中示出的驱动电路中，第一分支、第二分支、中间分支分别包括一个LED。然而，可选择地，第一分支、第二分支、中间分支可以分别包括多个LED。此外，在这样的情况下，属于同一分支的多个LED需要串联连接。具体地讲，当中间分支的LED的数量增加时，沿两个方向驱动的LED的数量相对增加，从而显著地改善了与利用的LED的数量相关的发光效率，结果，可以减小用于以AC电压得到期望水平的亮度的LED的数量。
图76中的(b)中示出的LED驱动电路具有这样的形式，即，使得串联连接的两个LED设置在图76中的(a)中示出的LED驱动电路中的每个中间分支处。在AC电压的第一个半周期，串联地布置对应的LED，以具有沿A1-C1-C1′-B2-C2′-C2-A3-C3-C3′-B4-C4′-C4-A5的第一电流环路，在AC电压的第二个个半周期，串联地布置对应的LED，以具有沿B1-C1′-C1-A2-C2-C2′-B3-C3′-C3-A4-C4-C4′-B5的第二电流环路。在根据本示例性形式的LED驱动电路中，八个LED(C1、C1′、C2、C2′、C3、C3′、C4、C4′)属于中间分支。即，与在图76中的(a)中示出的LED驱动电路相比，共同地包括在第一电流环路和第二电流环路中从而在AC电压的整个周期内连续地操作的LED(C1、C1′、C2、C2′、C3、C3′、C4、C4′)加倍。因此，由于在包括总数为十八个的LED的LED驱动电路中的八个LED(C1、C1′、C2、C2′、C3、C3′、C4、C4′)在AC电压的整个周期期间驱动，所以可以保证在实际的梯形网络电路中连续发光的十三个LED(LED使用效率：大约72％)。在这样的示例性实施例中，甚至可以得到与前面的示例性实施例相比更显著的减少使用的LED的数量的效果。
图76中的(c)中示出的LED驱动电路具有这样的形式，即，使得LED(A1′、B2′、C3′)设置为串联连接在图76中的(a)中示出的LED驱动电路中的第一分支、第二分支、第三中间分支处。在AC电压的第一个半周期，串联地布置对应的LED，以具有沿(A1，A1′)-C1-(B2，B2′)-C2-A3-(C3，C3′)-B4-C4-A5的第一电流环路，在AC电压的第二个半周期，串联地布置对应的LED，以具有沿B1-C1-A2-C2-B3-(C3，C3′)-A4-C4-B5的第二电流环路(在这样的情况下，括号中指示的LED彼此并联连接)。位于中间分支中的LED的数量的增加使得沿两个方向驱动的LED增多，所以其在改善LED使用效率方面是有利的。然而，如果仅位于中间分支处的LED的数量增加，则应升高施加到属于第一分支和第二分支的LED的反向电压，所以当各个LED具有相同标准时，优选地，两个或三个LED选择性地位于中间分支处。
在本发明的特定示例性形式中，可以设置多个梯形网络电路，在这样的情况下，一个梯形网络电路的第二接触点可以与另一梯形网络电路的第一接触点连接，从而串联连接梯形网络电路。在图77中示出了这样的示例性形式。
参照图77，LED驱动电路具有这样的结构，其中，两个梯形网络电路串联连接。即，第一梯形网络电路的第二接触点(b1)和第二梯形网络电路的第一接触点(a2)连接，第一梯形网络电路的第一接触点(a1)和第二梯形网络电路的第二接触点(b2)连接到AC电源级。此外，在本示例性形式中，串联连接的两个LED设置在第一分支、第二分支和中间分支处。
在图77中示出的LED驱动电路的情况下，在AC电压的第一个半周期，串联地布置对应的LED，以具有沿A1-A1′-C1′-C1-B2-B2′-C2-C2′-A3-A3′(第一梯形网络电路)-B4-B4′-C3-C3′-A5-A5′-C4′-C4-B6-B6′(第二梯形网络电路)的第一电流环路，在AC电压的第二个半周期，串联地布置对应的LED，以具有沿B1-B1′-C1-C1′-A2-A2′-C2′-C2-B3-B3′(第一梯形网络电路)-A4-A4′-C3′-C3-B5-B5′-C4-C4′-A6-A6′(第二梯形网络电路)的第二电流环路。
在根据本示例性形式的LED驱动电路中，八个LED(C1、C1′、C2、C2′、C3、C3′、C4、C4′)属于中间分支。即，与图76中的(a)中示出的LED驱动电路相比，共同地包括在第一电流环路和第二电流环路中从而在AC电压的整个周期内连续地操作的LED(C1、C1′、C2、C2′、C3、C3′、C4、C4′)加倍。以这样的方式，可以以各种形式应用根据本发明的以梯形网络结构的AC驱动的LED布置。
在本发明的另一方面中，按如上所述的各种梯形网络结构的LED驱动电路可以实现为具有多个LED的LED阵列装置。即，在根据本发明的LED阵列装置中，K(K≥3，其中，K是整数)个第一LED在第一接触点和第二接触点之间串联连接，以具有n个第一中间接触点，第一LED的连接到同一个第一中间接触点的电极的极性相同。L(L≥3，其中，L是整数)个第二LED在第一接触点和第二接触点之间串联连接，以具有n个第二中间接触点，第二LED的连接到同一个第二中间接触点的电极的极性相同第一LED的连接到第一接触点的电极的极性与第一LED的连接到第二接触点的电极的极性相反，第二LED的连接到第一接触点的电极的极性与第二LED的连接到第二接触点的电极的极性相反，第一LED的连接到第一接触点的电极的极性与第二LED的连接到第一接触点的极性相反，第一LED的连接到第二接触点的电极的极性与第二LED的连接到第二接触点的极性相反。
此外，连接与电路的中间分支对应的M(M≥n，其中，M是整数)个第三LED，从而第三LED的极性与第一LED的连接到第m个第一中间接触点的电极的极性相反的电极连接到第m个第一中间接触点，第三LED的极性与第二LED的连接到第m个第二中间接触点的电极的极性相反的电极连接到第m个第二中间接触点(这里，m是定义n个第一中间接触点和n个第二中间接触点的从第一接触点开始的顺序的正整数)。第一LED和第二LED可以逐一地位于各个中间接触点之间。类似地，第三LED可以逐一地连接在第一中间接触点和第二中间接触点之间。
如果需要，多个第三LED可以连接在至少一个第一中间接触点和至少一个第二中间接触点之间，第三LED可以串联或并联连接在至少一个第一中间接触点和至少一个第二中间接触点之间(见图76中的(b)或图76中的(c))。
为了说明根据本发明的梯形网络LED驱动电路的减小使用的LED的数量的效果，比较为通过使用相同的LED以满足特定的输出条件所需的LED的数量和现有技术的AC驱动型LED电路(双极电路和桥网络电路)的为通过使用相同的LED以满足特定的输出条件所需的LED的数量，以说明在上面的描述中的区别。
图78中的(a)示出根据现有技术的LED驱动电路的示例，图78中的(b)和图78中的(c)示出根据本发明的LED驱动电路的示例。
图78中的(a)示出的LED驱动电路是用于普通的AC驱动的反向并联电路，该LED驱动电路具有这样的结构，其中，按反向并联地布置的LED3130A和3130B串联连接，以具有多个级(S)。如表1中所示，虽然堆叠总体上增加，但是连续驱动的LED的数量与使用的LED的数量的比率(LED使用效率)为50％。
图78中的(b)中示出的LED驱动电路是桥电路，该LED驱动电路具有这样的结构，其中，一个LED设置在每个分支处。单个堆叠包括五个LED(3140A、3140B、3140C、3140D、3140E)，可以连接多个堆叠以具有期望的输出。如表1中所示，桥网络LED电路的使用效率为与堆叠的数量无关的60％。这是因为与反向并联布置不同，设置在中间分支中的LED 3140E可以沿两个方向连续地驱动。
在如图78中的(c)中示出的梯形网络LED驱动电路的情况下，如上面参照图75所述，总数为八个的LED可以用于具有两个堆叠的梯形网络电路，且五个LED连续驱动，从而得到62.5％的高使用效率。此外，如表1中所示，在梯形网络LED驱动电路中，沿两个方向驱动的LED的数量的比率随着堆叠的数量的增加而增加，因此，LED使用效率逐渐增加。
表1
Figure BSA00000335481500611
Figure BSA00000335481500621
Figure BSA00000335481500622
  21 45·ΔVf   68   22   66.2
  30 63·ΔVf   95   31   66.3
  63 -   -   -   -
因此，当需要九个LED的输出时，图78中的(a)中示出的反向并联LED电路需要总数为十八个的LED，桥网络LED电路需要通过连接三个堆叠、总数为十五个的LED。作为比较，根据本发明的梯形网络LED电路可以通过连接三个堆叠、以总数为十四个的LED来提供期望的光量(九个LED)，从而即使当与桥LED电路比较时也可以进一步减少需要的LED的数量。
在更大的输出规格中，这样的改善的效果进一步增加。即，当需要63个LED的输出时，反向并联电路需要126个LED以形成AC驱动电路，桥网络电路需要105个LED以形成AC驱动电路，但是梯形网络LED电路仅需要与现有技术的示例相比分别减少了31个LED和10个LED的95个LED。
这样的改善的原因在于，在桥LED电路的情况下，至少两个或更多个LED位于在沿两个方向被共同驱动的LED之间的电流环路中，而在梯形网络LED电路的情况下，在共同使用的LED之间设置最少的LED(即，一个LED)就足够了。即，在梯形网络LED电路中在沿两个方向共同使用的LED之间需要的LED的最少数量小于在桥网络电路中在沿两个方向共同使用的LED之间需要的LED的最少数量，所以梯形网络LED电路具有这样的结构，其中，与桥LED电路结构相比，在总体上可以沿两个方向共同地使用更大数量的LED。
图79中的(a)示出根据现有技术的LED驱动电路的另一示例，图79中的(b)示出根据本发明的LED驱动电路的另一示例。
图79中的(a)和图79中的(b)与图78中的(b)和图78中的(c)类似，且其区别在于串联连接的两个LED设置在每个中间分支中。即，连续驱动的LED的数量增加至相同的水平。可以参照图76中的(b)中示出的构造来理解图79中的(b)中示出的梯形网络LED驱动电路。
表2
Figure BSA00000335481500631
  2   2·ΔVf   4   0   50
  3   3·ΔVf   6   0   50
  4   4·ΔVf   8   0   50
  5   5·ΔVf   10   0   50
  6   6·ΔVf   12   0   50
  7   7·ΔVf   14   0   50
  8   8·ΔVf   16   0   50
  9   9·ΔVf   18   0   50
  10   10·ΔVf   20   0   50
  13   13·ΔVf   26   0   50
  16   16·ΔVf   32   0   50
  52   52·ΔVf   104   0   50
Figure BSA00000335481500641
因此，当需要十六个LED的输出时，图78中的(a)中示出的反向并联LED电路需要总数为三十二个的LED，图79中的(a)中示出的桥网络LED电路需要总数为二十四个的LED。作为比较，根据本发明的梯形网络LED电路可以以总数为二十二个的LED来提供期望的光量(十六个LED)，所以即使与桥LED电路相比也可以进一步减少LED的数量。
在更大的输出规格中，这样的改善的效果进一步增加。即，当需要52个LED的输出时，反向并联电路需要104个LED以形成AC驱动电路，桥网络电路需要78个LED以形成AC驱动电路，而梯形网络LED电路仅需要与现有技术的示例相比分别减少了34个LED和8个LED的70个LED。
以这样的方式，在AC驱动的条件下，对于与桥结构和现有的反向并联结构的输出相同的输出，梯形网络LED驱动电路可以显著地减少使用的LED的数量。
现在，将描述根据本发明的各种示例性形式的能够通过自动调节采用发光装置封装件的表面光源设备和背光单元中的LED的亮度来减少功耗的LED自动照明设备。
图80是根据本发明示例性实施例的LED自动照明设备的示意性框图。参照图80，根据本发明示例性实施例的LED自动照明设备包括：环境亮度检测单元3200，检测环境亮度；照明控制器3300，根据检测电压Vd的大小来控制驱动，根据通过环境亮度检测单元3200的检测来产生检测电压Vd；照明驱动单元3400，根据照明控制器3300的驱动的控制来产生LED驱动电流。此外，LED自动照明设备包括多个LED，并可以包括根据来自照明驱动单元3400的驱动电流而驱动的LED单元3500。
环境亮度检测单元3200包括：敏感性设置单元3210，设置对于检测环境亮度的检测敏感性；光电传感器单元3220，接收外部光并以通过敏感性设置单元3210设置的检测敏感性来检测环境亮度。光电传感器单元3220可以包括光电晶体管PS，光电晶体管PS具有：集电极，连接到电源级，操作电源Vcc是从电源级接收的；基极，用于接收外部光；发射极，连接到敏感性设置单元3210。敏感性设置单元3210可以与光电晶体管PS的发射极连接，并可以包括可以由用户调节的可变电阻器和与可变电阻器串联连接的电阻器。
环境亮度检测单元3200检测环境亮度并将检测电压Vd输出到照明控制器3300。例如，当环境亮度检测单元3200包括敏感性设置单元3210和光电传感器单元3220时，敏感性设置单元3210可以设置与光电传感器单元3220相关的用于检测环境亮度的检测敏感性。光电传感器单元3220可以接收外部光并以由敏感性设置单元3210设置的检测敏感性来检测环境亮度。在这样的情况下，光电传感器单元3220可以包括光电晶体管PS，光电晶体管PS具有：集电极，连接到电源级，操作电源Vcc是从电源级接收的；基极，用于接收外部光；发射极，连接到敏感性设置单元3210。此外，在这样的情况下，当光电晶体管PS接收外部光时，光电晶体管PS被连通，所以电流(I)从操作电源VCC流到光电晶体管PS和敏感性设置单元3210。即，通过敏感性设置单元3210检测电流(I)以得到检测电压Vd，在这样的情况下，当敏感性设置单元3210与光电晶体管PS的发射极连接并包括可以由用户调节的可变电阻器和电阻器时，可以通过根据可变电阻器的电阻值而流动的电流(I)来改变检测电压Vd的斜率。
照明控制器3300可以包括：A/D转换器3310，将根据通过环境亮度检测单元3200的检测而产生的模拟检测电压Vd转换为数字检测电压；微型计算机3320，根据来自A/D转换器3310的数字检测电压Vd的大小来控制驱动。如果从A/D转换器3310传输的数字检测电压Vd低于预置的第一参考电压，则微型计算机3320根据第一参考电流和数字检测电压Vd之间的差电压的大小产生预置的驱动电流，而如果从A/D转换器3310传输的数字检测电压Vd不低于预置的第一参考电压，则微型计算机3320可以停止照明驱动。
照明控制器3300根据检测电压Vd的大小来控制照明驱动单元3400的驱动，根据通过环境亮度检测单元3200的检测来产生检测电压Vd。例如，当照明控制器3300包括A/D转换器3310和微型计算机3320时，A/D转换器3310将根据通过环境亮度检测单元3200的检测而产生的模拟检测电压Vd转换为数字检测电压，并将数字检测电压输出到微型计算机3320。微型计算机3320可以根据从A/D转换器3310传输的数字检测电压Vd的大小来控制驱动。
照明驱动单元3400根据通过照明控制器3300的驱动的控制来产生LED驱动电流，并将产生的LED驱动电流提供到LED单元3500。结果，当外部光量(即，光的量或辐射强度)大时，照明驱动单元3400产生小的驱动电流，而当光量小时，照明驱动单元3400产生大的驱动电流。因此，LED单元3500可以包括多个LED，该多个LED根据从照明驱动单元3400传输的驱动电流而驱动。在如上所述的本发明的示例性实施例中，可以根据外部光量自动地调节LED的亮度，可以减小功耗。
图81是图80中示出的LED自动照明设备的操作流程图。在图81中，在步骤S 1，接收检测电压Vd。在步骤S2，比较数字检测电压Vd和预置的第一参考电压。当数字检测电压Vd低于预置的第一参考电压时，在步骤S3，产生根据第一参考电压和数字检测电压Vd之间的差电压的大小的预置的驱动电流，以控制照明的亮度。当数字检测电压Vd不低于预置的第一参考电压时，在步骤S4，可以停止照明驱动。在步骤S5，确定是否停止了操作。如果没有停止操作，则重复执行步骤S1至S3，当停止了操作时，终止整个过程。
参照图80和图81，微型计算机3320从A/D转换器3310接收数字检测电压Vd(S1)，并比较数字检测电压Vd和预置的第一参考电压(S2)。如果来自A/D转换器3310的数字检测电压Vd低于预置的第一参考电压，则微型计算机3320根据第一参考电压和数字检测电压Vd之间的差电压的大小来产生预置的驱动电流，以控制照明的亮度(S3)。如果来自A/D转换器3310的数字检测电压Vd不低于预置的第一参考电压，则微型计算机3320可以停止照明驱动(S4)。同时，微型计算机3320确定操作是否停止，如果操作没有停止，则微型计算机3320重复执行步骤S1至S3，如果操作停止，则微型计算机3320终止整个过程(S5)。
图82是示出根据本发明示例性实施例的外部的亮度强度-检测电压关系的曲线图。图82是示出根据本发明示例性实施例的用于说明环境亮度检测单元3200的操作的外部的亮度强度-检测电压关系的曲线图。外部的亮度强度-检测电压曲线图示出检测电压随着外部的亮度强度变得更高而增加。参照图82中示出的外部的亮度强度-检测电压关系曲线图，注意的是，随着外部的亮度强度增加，环境亮度检测单元3200检测到高的检测电压。
图83是示出根据敏感性设置的各种外部的亮度强度-检测电压关系的曲线图。图83示出根据本发明的示例性实施例的外部的亮度强度-检测电压关系的斜率根据通过环境亮度检测单元3200的敏感性设置单元3210设置的敏感性而变化的情况。在图83中，G1是具有中间斜率的外部的亮度强度-检测电压关系曲线，G2是具有最大斜率的外部的亮度强度-检测电压关系曲线，G3是具有最小斜率的外部的亮度强度-检测电压关系曲线。
参照图83，当环境亮度检测单元3200的敏感性设置单元3210通过调节可变电阻来不同地设置敏感性时，外部的亮度强度-检测电压关系曲线的斜率变化，诸如曲线G1、曲线G2、曲线G3。例如，在通常的情况下，可以设置与曲线G1对应的敏感性。当外部光量大且剧烈改变时，可以设置与曲线G2对应的敏感性。当外部光量小且改变较少时，可以设置与曲线G3对应的敏感性。
现在，将参照图84至图89来描述包括发光装置和具有发光装置作为光源的发光装置封装件的用于车辆的头灯(headlight)。
图84是根据本发明示例性实施例的用于车辆的头灯的分解透视图，图85是示出图84中示出的用于车辆的头灯的组装结构的剖视图。
如图84中所示，根据本发明示例性实施例的用于车辆的头灯3600包括发光装置封装件3610(3610-1、3610-2、3610-3)、反射单元3620、镜头单元3630、散热单元3640。发光装置封装件3610安装在散热单元3640的上部处，当发光装置封装件3610与外部电源(未示出)电连接时，发光装置封装件3610用作发光的光源。
现在将详细描述各种结构的发光装置封装件3610(3610-1、3610-2、3610-3)。首先，具有树脂层包含磷光体的结构的发光装置封装件将参照图86至图88进行如下描述。
图86中的(a)是示出根据本发明一个示例性实施例的发光装置封装件的平面图，图86中的(b)是图86中的(a)的发光装置封装件的剖视图，图86中的(c)和图86中的(d)是示出在发光装置芯片安装在图86中的(a)的发光装置封装件中的状态下的修改的平面图。
图87中的(a)是根据本发明另一示例性实施例的发光装置封装件的平面图，图87中的(b)是图87中的(a)的发光装置封装件的剖视图，图87中的(c)和图87中的(d)是示出在发光装置芯片安装在图87中的(a)的发光装置封装件中的状态下的修改的平面图。
如图86和图87中所示，发光装置封装件3610和3610-1包括：一个或多个发光装置芯片3612；基底3611，具有安装在基底3611上的发光装置芯片3612并具有一个或多个连接端3613；树脂层3614，包含磷光体并密封地覆盖发光装置芯片3612和连接端3613。发光装置芯片3612是安装在基底3611的上表面上并通过从外部电源施加的功率而输出特定波长的光的一种半导体装置。如图86中的(a)、图86中的(b)、图87中的(a)、图87中的(b)中所示，多个发光装置芯片3612可以设置在基底3611的中心部分处。在这样的情况下，优选地，发光装置芯片3612按蓝LED、红LED、绿LED的组合来形成阵列，以输出白光。然而，本发明不限于此，如图86中的(c)和图87中的(c)中所示，单个发光装置芯片3612′可以设置在基底3611的中心部分处。在这样的情况下，优选地，发光装置芯片3612′是蓝LED或UVLED，并通过树脂层的磷光体而输出白光(将进行描述)。
此外，如图86中的(d)和图87中的(d)中所示，基于设置在基底3611的中心部分处的较长的发光装置芯片3612″，较短的发光装置芯片3612可以对称地设置在较长的发光装置芯片3612″的两侧处。在这样的情况下，设置在基底3611的中心部分处的发光装置芯片3612″的长度可以是设置在发光装置芯片3612″的两侧处的发光装置芯片3612的长度的1.5倍至2倍。优选地，发光装置芯片3612″是绿LED，但不限于此。根据引线接合方法通过金属线3619将发光装置芯片3612与在基底3611的上表面上图案化的连接端3613电连接。
如示出根据本发明一个示例性实施例的发光装置封装件3600的图86中的(a)和图86中的(b)中所示，基底3611包括腔3618，发光装置芯片3612和连接端3613安装在腔3618中。腔3618形成沿内周表面朝向发光装置芯片3612和连接端3613向下倾斜的反射面3616。腔3618可以由通过激光去除工艺或蚀刻使基底3611的上表面降低为具有特定的尺寸来形成，或者腔3618可以由通过以特定的高度沿基底3611的上表面的边缘使树脂3617成型而突出地形成反射面3616来形成。优选地，具有高反射率的反射膜可以设置在反射面3616的表面上，以有效地实现反射面3616。
腔3618填充有包含磷光体的树脂层3614，以一体化地密封基底3611的上表面以及发光装置芯片3612、金属线3619、连接端3613，从而保护设置在腔3618内的发光装置芯片3612。在这样的情况下，在发光装置封装件3600中，树脂层3614紧密地密封发光装置芯片3612的上表面和侧表面以及发光装置芯片3612之间的空间。
因此，可以解决现有技术的发光装置封装件的问题，在现有技术的发光装置封装件中，磷光体仅涂覆在连续设置的发光装置芯片的上表面上，导致辐射的光被不连续地分开而不是连续的。
同时，如示出根据本发明另一示例性实施例的发光装置封装件3610-1的图87中的(a)和图87中的(b)中所示，树脂层3614以特定的大小和高度在基底3611的平坦的上表面上成型，以一体地紧密密封发光装置芯片3612和连接端3613。此外，在这样的情况下，在发光装置封装件3610-1中，树脂层3614紧密地密封发光装置芯片3612的上表面和侧表面以及发光装置芯片3612之间的空间。
现在将参照图88和图89来描述具有这样的结构的发光装置封装件，其中，磷光体包括在树脂层的上部中，以转换将从发光装置芯片发射的光的波长。图88中的(a)是图86中的(a)中示出的发光装置封装件的另一示例的平面图，图88中的(b)是图88中的(a)的发光装置封装件的剖视图，图88中的(c)是示出图88中的(b)的修改的剖视图。
除了包含磷光体的磷光体层设置在树脂层的上部上之外，图88中示出的发光装置封装件3610-2的构造与图86的构造基本相同。因此，将省略对与图86的实施例的部分相同的部分的描述，且仅将描述图88的实施例中的不同的构造。
如图88中所示，填充腔3618并一体地紧密密封基底3611的上表面以及发光装置芯片3612、金属线3619、连接端3613的树脂层3614不包含磷光体，但与图86的实施例相同，图88的实施例的树脂层3614的功能与图86的实施例的包含磷光体的树脂层3614的功能相同，即，图88的实施例的树脂层3614一体地密封发光装置芯片3612的上表面、侧表面以及连接端3613和发光装置芯片3612之间的空间。包含磷光体的磷光体层3615形成在树脂层3614上，并转换从发光装置芯片3612发射的光的波长。设置在树脂层3614上的磷光体层3614可以涂覆在树脂层3614的外表面上，或者可以以层的形式附着在树脂层3614的外表面上。在这样的情况下，磷光体层3615优选地包括一个或多个堆叠的层。
如图88中的(b)中所示，磷光体分散地包含在磷光体层3615中，以转换光的波长。磷光体可以以混合的方式包含蓝色磷光体、绿色磷光体、红色磷光体、黄色磷光体中的一种或多种。此外，如图88中的(c)中所示，当磷光体层堆叠为多层结构时(图88中的(c)示出堆叠了三层，但是本发明不限于此)，堆叠的磷光体层3615可以在每个层中包含全部相同的磷光体或不同的磷光体。优选地，磷光体层3615根据波长的长度而顺序堆叠，从而较短波长的磷光体层位于上侧处，而较长波长的磷光体层位于下侧处。
例如，当发光装置芯片3612是UV发光装置芯片时，形成在发光装置芯片3612上的第一磷光体层3615′-1可以通过混合发射红光(R)的磷光体和树脂来形成。作为发射红光(R)的磷光体，可以使用在受紫外线激发时发射具有范围从600nm至700nm的发射峰的光的磷光体(或荧光材料)。第二磷光体层3615′-2堆叠在第一磷光体层3615′-1上，并可以通过混合发射绿光(G)的磷光体和树脂来形成。作为发射绿光(G)的磷光体，可以使用在受紫外线激发时发射具有范围从500nm至550nm的波长的光的磷光体(或荧光材料)。第三磷光体层3615′-3堆叠在第二磷光体层3615′-2上，并可以通过混合发射蓝光(B)的磷光体和树脂来形成。作为发射蓝光(B)的磷光体，可以使用在受紫外线激发时发射具有范围从420nm至480nm的波长的光的磷光体(或荧光材料)。
从UV LED芯片发射的穿过上述构造的紫外线激发包含在第一磷光体层3615′-1、第二磷光体层3615′-2、第三磷光体层3615′-3中的不同类型的磷光体。因此，分别从磷光体层发射红光(R)、绿光(G)、蓝光(B)，三种颜色的光束组合以形成白光(W)。具体地讲，用于转换紫外线的磷光体层形成为多层，即，三层，在这样的情况下，发射最长波长的光(即，红光(R))的第一磷光体层3615′-1是堆叠在UV LED芯片3612上的第一层，分别发射较短的波长的光(即，绿光(G)和蓝光(B))的第二磷光体层3615′-2和第三磷光体层3615′-3顺序形成在第一磷光体层3615′-1的顶部上。
以这样的方式，因为光转换效率最低的包含发射红光(R)的磷光体的第一磷光体层3615′-1定位于最靠近于UV LED芯片3612，所以在第一磷光体层处的光转换效率可以变得相对高，因此，可以改善LED芯片3612的总体的光转换效率。
如果LED芯片3612是发射范围从420nm至480nm的波长的蓝光(B)作为激发光的LED芯片，则形成在LED芯片3612上的第一磷光体层3615′-1通过混合发射红光(R)的磷光体和树脂来形成，堆叠在第一磷光体层3615′-1上的第二磷光体层3615′-2和第三磷光体层3615′-3通过在树脂中混合发射绿光(G)的磷光体或发射黄光(Y)的磷光体来形成。
通过这样的构造，从LED芯片3612发射的蓝光(B)激发包含在第一磷光体层3615′-1中的磷光体以发射红光(R)，并激发包含在第二磷光体层3615′-2和第三磷光体层3615′-3中的磷光体以发射绿光(G)或黄光(Y)。以这样的方式，从多层磷光体层发射的红光(R)和绿光(G)(或黄光(Y))与从LED芯片3612产生的蓝光(B)组合，以形成白光(W)。
图89中的(a)是示出图87中的(a)示出的发光装置封装件的另一示例的平面图，图89中的(b)是图89中的(a)中示出的发光装置封装件的剖视图，图89中的(c)是示出图89中的(b)的修改的剖视图。
除了包含磷光体的磷光体层设置在树脂层的外表面上之外，图89中示出的发光装置封装件3610-3的构造与图87中示出的实施例的构造基本相同。因此，将省略对与图87的实施例的部分相同的部分的描述，且仅将描述图89的实施例的不同的构造。
如图89中所示，设置在基底3611的平坦的上表面上以一体地紧密密封基底3611的上表面以及发光装置芯片3612、金属线3619、连接端3613的树脂层3614不包含磷光体。图89中示出的实施例与图88的实施例的相同之处在于设置在树脂层3614的上部处的磷光体层3615包含磷光体。
即，如图89中的(b)所示，包含在磷光体层3615中的磷光体可以以混合的方式包含蓝色磷光体、绿色磷光体、红色磷光体、黄色磷光体中的一种或多种。此外，如图89中的(c)中所示，当磷光体层堆叠为多层结构(图89中的(c)示出堆叠了三层，但是本发明不限于此)时，堆叠的磷光体层3615的每个层可以包含全部相同的磷光体或不同的磷光体。
磷光体层3615可以根据波长的长度而顺序堆叠，从而较短波长的磷光体层位于上侧处，而较长波长的磷光体层位于下侧处。磷光体层3615的详细结构与图88中的(b)和图88中的(c)的磷光体层3615的结构相同，所以将省略对于它们的详细描述。
散热单元3640包括散热器3641和冷却扇3642，并形成在发光装置封装件3610、3610-1、3610-2、3610-3的上部处，以释放从发光装置封装件3610、3610-1、3610-2、3610-3产生的热。
具体地讲，散热器3641具有安装在散热器3641上的发光装置封装件3610(3610-1、3610-2、3610-3)，并释放从发光装置封装件3610(3610-1、3610-2、3610-3)产生的高温的热。散热器3641可以包括形成在散热器3641的下表面上的多个凹进，以具有较大的表面积。冷却扇3642可以安装在散热器3641的下侧处，以增加散热器3641的散热效率。
反射单元3620设置在发光装置封装件3610(3610-1、3610-2、3610-3)和散热单元3640的上侧处，以引导并反射从发光装置封装件3610(3610-1、3610-2、3610-3)输出的光。如图84和图85中所示，反射单元3620在其截面中具有圆顶形状，以将从发光装置芯片3612发射的光引导向车辆的前侧，反射单元3620具有开口的前侧，以允许反射的光被输出到外部。
根据本发明示例性实施例的用于车辆的头灯3600还包括壳3650，壳3650用于固定地支撑散热单元3540和反射单元3620。具体地讲，壳3650包括：中心孔3653，形成在壳3650的一个表面上，以允许散热单元3540被组合并被安装在壳3650中；前孔3652，形成在与所述一个表面一体地连接并以直角弯曲的另一表面上，以允许反射单元3620被固定地定位在发光装置封装件3610(3610-1、3610-2、3610-3)的上侧处。
因此，由于反射单元3620固定到壳3650从而反射单元3620的开口的前侧与前孔3652对应，所以从反射单元3620反射的光穿过前孔3652，从而被向外输出。
包括空心的引导件3632和透镜3631的镜头单元3630向外发散在被反射单元3620反射之后输出的光。具体地讲，引导件3632安装为沿壳3650的前孔3652，并将在被反射单元3620反射之后穿过前孔3652的光引导到前侧。引导件3632具有空心的圆柱体结构，以将透镜3631容纳在引导件3632中，引导件3632是通过注入成型形成的塑料注入成型产品。
透镜3631安装在引导件3632的前部中，以朝向车辆的前侧折射并发散光。优选地，透镜3631由透明材料制成。
根据本发明各种示例性形式的诸如背光单元、车辆的头灯或类似物的照明设备采用根据本发明第一示例性实施例至第十三示例性实施例的发光装置封装件，每个发光装置封装件包括吸收从LED芯片发射的光以发射范围从大约600nm至大约700nm的峰发射波长的光的波长转换单元或树脂封装单元，波长转换单元或树脂封装单元至少包含红色磷光体，红色磷光体包含根据本发明合成的由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物，其中，M是一价和二价元素中的至少一种，0＜x＜4、y＝2x/3。
如上所述，根据本发明示例性实施例，因为红色磷光体包含由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy表示的无机化合物，所以该红色磷光体可以以具有高发光特性及优良的热稳定性和化学稳定性来发射波长长的红光。此外，因为发光装置封装件采用这样的红色磷光体，所以发光装置封装件可以得到高输出和高可靠性，并通过使用该红波长段和作为激发源的紫外波长段来发射接近自然光的白颜色的光。
虽然已经结合本发明的示例性实施例示出并描述了本发明，但是对于本领域技术人员来说明显的是，在不脱离由权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以作出修改和改变。

Claims (83)

1.一种磷光体，所述磷光体包括由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物，其中，M是金属元素，0＜x＜4并且y＝2x/3。
2.根据权利要求1所述的磷光体，其中，通过采用蓝色或者紫外波长区域作为激发源，所述磷光体具有从600nm至700nm范围内的波长段的发射峰。
3.根据权利要求1所述的磷光体，其中，通过采用蓝色或者紫外波长区域作为激发源，所述磷光体具有从600nm至650nm范围内的波长段的发射峰。
4.根据权利要求1所述的磷光体，其中，通过采用蓝色或者紫外波长区域作为激发源，所述磷光体具有从600nm至620nm范围内的波长段的发射峰。
5.根据权利要求1所述的磷光体，其中，x满足条件0.15≤x≤3。
6.根据权利要求4所述的磷光体，其中，x满足条件0.15≤x≤1.86。
7.根据权利要求4所述的磷光体，其中，x满足条件0.43≤x≤1.86。
8.根据权利要求1所述的磷光体，其中，被M代替的Sr的百分比为90％或更少。
9.根据权利要求8所述的磷光体，其中，所述百分比为50％或更少。
10.根据权利要求9所述的磷光体，其中，所述百分比为30％或更少。
11.根据权利要求10所述的磷光体，其中，所述百分比为10％或更少。
12.根据权利要求1所述的磷光体，其中，M包括从由Be、Mg、Ca、Sr和Ba组成的第二族元素中选择的至少一种。
13.根据权利要求1所述的磷光体，其中，M包括从由Li、Na、K、Rb和Cs组成的第一族元素中选择的至少一种。
14.根据权利要求1所述的磷光体，其中，M是从Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Li、Na、K、Rb和Cs中选择的至少一种。
15.根据权利要求1所述的磷光体，其中，所述实验式中的一部分Si被从由B、Al、Ga和In组成的组中选择的至少一种元素代替。
16.根据权利要求15所述的磷光体，其中，用所述至少一种元素代替的Si的比率是1/10或更少。
17.根据权利要求1所述的磷光体，其中，所述实验式中的一部分Si用从由Ti、Zr、Hf、Sn和Pb组成的组中选择的至少一种元素代替。
18.根据权利要求17所述的磷光体，其中，用所述至少一种元素代替的Si的比率为1/10或更少。
19.根据权利要求1所述的磷光体，其中，所述磷光体还包括Mn。
20.根据权利要求19所述的磷光体，其中，Mn的量为0.1或更大。
21.根据权利要求1所述的磷光体，其中，所述磷光体还包括与所述无机化合物不同的晶体混合物，所述无机化合物的含量为50wt％或更多。
22.根据权利要求21所述的磷光体，其中，所述无机化合物的含量为90wt％或更多。
23.根据权利要求1所述的磷光体，其中，所述无机化合物具有正交晶系的晶体结构。
24.一种磷光体，所述磷光体包括由实验式EuzSr2-zSiO4-xNy表示的无机化合物，其中，0.01≤z≤0.2，0＜x＜4并且y＝2x/3。
25.根据权利要求24所述的磷光体，其中，通过采用蓝色或者紫外波长区域作为激发源，所述磷光体具有从600nm至700nm范围内的波长段的发射峰。
26.根据权利要求24所述的磷光体，其中，通过采用蓝色或者紫外波长区域作为激发源，所述磷光体具有从600nm至650nm范围内的波长段的发射峰。
27.根据权利要求24所述的磷光体，其中，通过采用蓝色或者紫外波长区域作为激发源，所述磷光体具有从600nm至620nm范围内的波长段的发射峰。
28.根据权利要求24所述的磷光体，其中，x满足条件0.15≤x≤3。
29.根据权利要求24所述的磷光体，其中，x满足条件0.15≤x≤1.86。
30.根据权利要求24所述的磷光体，其中，x满足条件0.43≤x≤1.86。
31.根据权利要求24所述的磷光体，其中，所述实验式中的一部分Si被从由B、Al、Ga和In组成的组中选择的至少一种元素代替。
32.根据权利要求31所述的磷光体，其中，用所述至少一种元素代替的Si的比率是1/10或更少。
33.根据权利要求24所述的磷光体，其中，所述实验式中的一部分Si用从由Ti、Zr、Hf、Sn和Pb组成的组中选择的至少一种元素代替。
34.根据权利要求33所述的磷光体，其中，用所述至少一种元素代替Si的比率为1/10或更少。
35.根据权利要求34所述的磷光体，其中，所述比率为1/10。
36.根据权利要求24所述的磷光体，其中，所述磷光体还包括Mn。
37.根据权利要求36所述的磷光体，其中，Mn的量为0.1或更大。
38.根据权利要求24所述的磷光体，其中，所述磷光体还包括与所述无机化合物不同的晶体混合物，所述无机化合物的含量为50wt％或更多。
39.根据权利要求38所述的磷光体，其中，所述无机化合物的含量为90wt％或更多。
40.根据权利要求24所述的磷光体，其中，所述无机化合物具有正交晶系的晶体结构。
41.一种制备红色磷光体的方法，所述方法包括以下步骤：
将包括含Sr化合物和含M化合物中的至少一种、含Eu化合物、含Si氧化物和含Si氮化物的原材料进行混合；
加热混合物，以获得由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物，
其中，M是一价和二价元素中的至少一种，0＜x＜4并且y＝2x/3。
42.根据权利要求41所述的方法，其中，含Eu化合物是Eu2O3。
43.根据权利要求41所述的方法，其中，所述原材料还包括碳酸锰。
44.根据权利要求41所述的方法，其中，所述原材料还包括另外与其混合的从由B、Al、Ga和In组成的组中选择的至少一种元素的化合物。
45.根据权利要求41所述的方法，其中，所述原材料还包括另外与其混合的从由Ti、Zr、Hf、Sn和Pb组成的组中选择的至少一种元素的化合物。
46.根据权利要求41所述的方法，其中，含Sr化合物是金属锶、锶的水溶金属盐、氧化物、硝酸盐、氧化物盐、硫酸盐或碳酸盐或者它们的混合物。
47.根据权利要求41所述的方法，其中，含M化合物是金属M、M的水溶金属盐、氧化物、硝酸盐、氧化物盐、硫酸盐或碳酸盐或者它们的混合物。
48.根据权利要求41所述的方法，其中，含Si氧化物是氧化硅，含Si氮化物是氮化硅。
49.根据权利要求41所述的方法，其中，所述方法还包括将溶剂添加到所述原材料中。
50.根据权利要求41所述的方法，其中，所述方法还包括在混合之后干燥混合物。
51.根据权利要求41所述的方法，其中，在1000℃至1800℃的温度范围内执行加热1小时至24小时。
52.根据权利要求41所述的方法，其中，所述加热在氮气气氛下执行。
53.一种将短波长的光转换为长波长的光的方法，所述方法包括以下步骤：
提供能够发射紫外光或者蓝色光的发光装置，并且在发射的光的路径中提供一种磷光体，所述磷光体包括由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物，其中，M是一价和二价元素中的至少一种，0＜x＜4，y＝2x/3。
54.一种产生白光的方法，所述方法包括以下步骤：
提供能够发射紫外光或者蓝色光的发光装置，
在发射的光的路径上提供一种磷光体，所述磷光体包括由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物，其中，M是一价和二价元素中的至少一种，0＜x＜4，y＝2x/3；
将从所述磷光体发射的光与一种或多种不同颜色的光混合以得到白光。
55.一种发光装置封装件，所述封装件包括：
发光装置，发射激发光；
波长转换单元，吸收所述激发光以发射可见光，
其中，波长转换单元至少包含一种磷光体，所述磷光体具有由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物，其中，M是一价和二价元素中的至少一种，0＜x＜4并且y＝2x/3。
56.根据权利要求55所述的发光装置封装件，其中，所述磷光体受到所述激发光的激发而发射具有600nm至700nm的发射峰的光。
57.根据权利要求55所述的发光装置封装件，其中，发光装置是紫外发光二极管，发光装置封装件还包含蓝色磷光体和绿色磷光体，所述发光装置封装件的最终输出光是白光。
58.根据权利要求57所述的发光装置封装件，其中，波长转换单元包括：
第一磷光体层，形成在发光装置上，并且包含用来发射红光的红色磷光体；
第二磷光体层，堆叠在第一磷光体层上，并且发射绿光；
第三磷光体层，堆叠在第二磷光体层上，并且发射蓝光。
59.根据权利要求57所述的发光装置封装件，其中，所述波长转换单元包括：
第一磷光体层，形成在发光装置上，并且包含用来发射红光的红色磷光体；
第二磷光体层，堆叠在第一磷光体层上并且发射绿光和蓝光。
60.根据权利要求57所述的发光装置封装件，其中，所述波长转换单元包括：
第一磷光体层，形成在发光装置上并且包含发射红光的红色磷光体；
第二磷光体层，堆叠在第一磷光体层上并且发射绿光。
61.根据权利要求57所述的发光装置封装件，其中，所述波长转换单元包括：
第一磷光体层，形成在发光装置上并且包含发射红光的红色磷光体；
第二磷光体层，堆叠在第一磷光体层上并且发射黄光。
62.根据权利要求55所述的发光装置封装件，其中，波长转换单元形成为用包含红色磷光体的树脂材料均匀地覆盖发光装置的外表面。
63.根据权利要求62所述的发光装置封装件，其中，波长转换单元仅形成在发光装置的上表面上。
64.根据权利要求62所述的发光装置封装件，其中，波长转换单元形成在发光装置的上表面和侧表面上。
65.根据权利要求55所述的发光装置封装件，其中，波长转换单元还包括包封发光装置的树脂封装单元和其中分布有红色磷光体的红色封装单元。
66.根据权利要求65所述的发光装置封装件，其中，波长转换单元还包括蓝色磷光体、绿色磷光体和黄色磷光体中的两种或多于两种的磷光体，发光装置封装件的最终输出光是白光。
67.一种具有发光装置封装件的表面光源设备，所述设备包括：
导光板；
光源，设置在导光板的侧表面上，并且将光照射到导光板，
其中，所述光源包括：
发光装置，发射激发光；
波长转换单元，吸收所述激发光以发射可见光，
其中，波长转换单元至少包含一种磷光体，所述磷光体具有由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物，其中，M是一价和二价元素中的至少一种，0＜x＜4并且y＝2x/3。
68.根据权利要求67所述的表面光源设备，其中，波长转换单元还包括蓝色磷光体、绿色磷光体和黄色磷光体中的两种或多于两种的磷光体，光源的最终输出光是白光。
69.根据权利要求67所述的表面光源设备，所述设备还包括设置在导光板下方的反射板。
70.根据权利要求67所述的表面光源设备，所述设备还包括设置在导光板上方的光学片。
71.一种照明设备，所述照明设备包括：
基底；
多个光源，安装在所述基底上；
漫射片，设置在所述多个光源上方，并且将从光源入射的光均匀地漫射，
其中，每个光源包括：
发光装置，发射激发光；
波长转换单元，吸收所述激发光以发射可见光，
其中，波长转换单元至少包含一种磷光体，所述磷光体具有由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物，其中，M是一价和二价元素中的至少一种，0＜x＜4并且y＝2x/3。
72.根据权利要求71所述的照明设备，所述设备还包括反射层，所述反射层设置在所述基底的上表面上并且将从发光装置发射的光向上反射。
73.根据权利要求71所述的照明设备，其中，波长转换单元还包括蓝色磷光体、绿色磷光体和黄色磷光体中的两种或多于两种的磷光体，光源的最终输出光是白光。
74.一种用于交通工具的前灯，所述前灯包括：
发光装置封装件，包括波长转换单元和至少一个发光装置，波长转换单元吸收从发光装置发射的光以发射可见光并且至少包含一种磷光体，所述磷光体具有由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物，其中，M是一价和二价元素中的至少一种，0＜x＜4并且y＝2x/3；
反射单元，设置在发光装置封装件上方，以反射从发光装置封装件输出的光；
透镜单元，在从反射单元反射的光的路径上向外部辐射光。
75.根据权利要求74所述的前灯，所述前灯还包括：
散热单元，具有设置在其上的所述发光装置封装件，并且散发由发光装置封装件产生的热。
76.根据权利要求74所述的前灯，其中，波长转换单元还包括蓝色磷光体、绿色磷光体和黄色磷光体中的两种或多于两种的磷光体，发光装置封装件的最终输出光是白光。
77.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底；
多个光源，安装在所述基底上，
其中，每个光源包括：
发光装置，发射激发光；
波长转换单元，吸收所述激发光以发射可见光，
其中，波长转换单元至少包含一种磷光体，所述磷光体具有由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Eu表示的无机化合物，其中，M是一价和二价元素中的至少一种，0＜x＜4并且y＝2x/3。
78.一种磷光体，所述磷光体包括由实验式(Sr，M)2SiO4-xNy:Ln表示的无机化合物，其中，M是金属元素，0＜x＜4，y＝2x/3，并且Ln是镧系金属中的一种或多种。
79.根据权利要求78所述的磷光体，其中，Ln是从Ce、Pr、Eu、Tb、Yb和Lu中选择的至少一种。
80.根据权利要求79所述的磷光体，其中，Ln是Eu或Ce。
81.根据权利要求78所述的磷光体，其中，x满足条件0.15≤x≤3。
82.根据权利要求79所述的磷光体，其中，M是从Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Li、Na、K、Rb和Cs中选择的至少一种。
83.根据权利要求78所述的磷光体，其中，Sr的量为零。
CN2010105340020A 2009-10-23 2010-10-25 磷光体及其制备方法、发光装置封装件、表面光源设备 Pending CN102041002A (zh)

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TW (1) TWI414585B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103883900A (zh) * 2012-12-20 2014-06-25 松下电器产业株式会社 Led照明装置以及led发光模块
CN103931005A (zh) * 2011-09-14 2014-07-16 玛太克司马特股份有限公司 Led制造方法、led制造设备和led
CN105209571A (zh) * 2013-05-16 2015-12-30 欧司朗光电半导体有限公司 用于制备发光材料的方法、发光材料和光电子器件
CN106433622A (zh) * 2015-08-06 2017-02-22 三星电子株式会社 红色磷光体、发白光装置和照明设备
CN109691231A (zh) * 2016-09-09 2019-04-26 Lg 电子株式会社 使用半导体发光元件的显示器件
CN109952651A (zh) * 2016-11-17 2019-06-28 昕诺飞控股有限公司 具有uv led的照明装置
CN114001289A (zh) * 2021-11-24 2022-02-01 固安翌光科技有限公司 形变发光装置
TWI785795B (zh) * 2020-09-16 2022-12-01 南韓商路森特Ｌ＆Ｄ股份有限公司 光源用基板、光源基板陣列、光源用基板陣列下板以及其製造方法

Families Citing this family (292)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009032711A1 (de) * 2009-07-11 2011-01-20 Merck Patent Gmbh Co-dotierte Silicooxynitride
KR101034054B1 (ko) * 2009-10-22 2011-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR101717668B1 (ko) * 2010-03-26 2017-03-17 삼성전자주식회사 복합 결정 형광체, 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
CN102559177B (zh) * 2010-12-28 2014-09-03 北京宇极科技发展有限公司 一种氮氧化合物发光材料、其制备方法以及由其制成的照明光源
KR101214234B1 (ko) * 2011-02-14 2012-12-20 삼성전자주식회사 형광체 및 이의 제조방법
US8754440B2 (en) * 2011-03-22 2014-06-17 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Light-emitting diode (LED) package systems and methods of making the same
JP2012199497A (ja) * 2011-03-23 2012-10-18 Panasonic Corp 発光装置
JP5968674B2 (ja) 2011-05-13 2016-08-10 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ及びこれを備える紫外線ランプ
KR101793518B1 (ko) 2011-05-19 2017-11-03 삼성전자주식회사 적색 형광체 및 이를 포함하는 발광장치
KR20120134375A (ko) * 2011-06-02 2012-12-12 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP6004747B2 (ja) * 2011-06-28 2016-10-12 株式会社小糸製作所 発光モジュール
US8497146B2 (en) * 2011-08-25 2013-07-30 Micron Technology, Inc. Vertical solid-state transducers having backside terminals and associated systems and methods
CN103797596B (zh) * 2011-09-13 2016-11-09 株式会社小糸制作所 发光模块
KR101866228B1 (ko) * 2011-09-21 2018-06-11 엘지이노텍 주식회사 산질화물 형광체 및 그를 포함한 발광소자 패키지
JP2013072905A (ja) * 2011-09-26 2013-04-22 Toshiba Corp 液晶表示装置用バックライト
JP2014532993A (ja) * 2011-11-07 2014-12-08 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ より一様な注入及びより少ない光学的損失を備える改善されたｐ型接点
KR101877423B1 (ko) * 2011-11-28 2018-07-11 엘지이노텍 주식회사 산질화물 형광체 및 그를 포함한 발광소자 패키지
TW201324877A (zh) * 2011-12-07 2013-06-16 Metal Ind Res & Dev Ct 發光二極體封裝結構及其螢光透鏡裝置
KR101886714B1 (ko) * 2011-12-13 2018-08-08 엘지이노텍 주식회사 산질화물 형광체 및 그를 포함한 발광소자 패키지
US8876334B2 (en) * 2012-01-16 2014-11-04 Paragon Semiconductor Lighting Technology Co., Ltd. Light-mixing multichip package structure
WO2013123128A1 (en) * 2012-02-17 2013-08-22 Intematix Corporation Solid-state lamps with improved emission efficiency and photoluminescence wavelength conversion components therefor
EP2637224B1 (en) * 2012-03-09 2019-04-03 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light emitting device, illumination apparatus and system using same
JP2013197530A (ja) * 2012-03-22 2013-09-30 Sharp Corp 光源、発光装置、バックライト用光源、表示装置、および光源の製造方法
CN104247058B (zh) 2012-04-26 2017-10-03 英特曼帝克司公司 用于在远程波长转换中实施色彩一致性的方法及设备
US20140042470A1 (en) * 2012-08-09 2014-02-13 Epistar Corporation Method of making light emitting device and light emitting device made thereof
TWI497167B (zh) * 2012-09-24 2015-08-21 Au Optronics Corp 直下式背光模組及其光源擴散結構
KR20140099399A (ko) * 2013-02-01 2014-08-12 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치
US9565782B2 (en) 2013-02-15 2017-02-07 Ecosense Lighting Inc. Field replaceable power supply cartridge
WO2014189221A1 (ko) * 2013-05-23 2014-11-27 엘지이노텍주식회사 발광 모듈
KR20150025231A (ko) * 2013-08-28 2015-03-10 서울반도체 주식회사 광원 모듈 및 그 제조 방법, 및 백라이트 유닛
US9142733B2 (en) * 2013-09-03 2015-09-22 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light source device including a high energy light source and a wavelength conversion member, illuminating device comprising the same, and vehicle
US9499113B2 (en) 2013-11-21 2016-11-22 Ford Global Technologies, Llc Luminescent grille bar assembly
US9387802B2 (en) 2013-11-21 2016-07-12 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent power distribution box
US9499092B2 (en) 2013-11-21 2016-11-22 Ford Global Technologies, Llc Illuminating molding for a vehicle
US9573517B2 (en) 2013-11-21 2017-02-21 Ford Global Technologies, Llc Door illumination and warning system
US9931991B2 (en) 2013-11-21 2018-04-03 Ford Global Technologies, Llc Rotating garment hook
US9688186B2 (en) 2013-11-21 2017-06-27 Ford Global Technologies, Llc Illuminating decal for a vehicle
US9694743B2 (en) 2013-11-21 2017-07-04 Ford Global Technologies, Llc Dual purpose lighting assembly
US9902320B2 (en) 2013-11-21 2018-02-27 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent color changing dome map lamp
US9764686B2 (en) 2013-11-21 2017-09-19 Ford Global Technologies, Llc Light-producing assembly for a vehicle
US9868387B2 (en) 2013-11-21 2018-01-16 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent printed LED molding
US9464803B2 (en) 2013-11-21 2016-10-11 Ford Global Technologies, Llc Illuminated speaker
US9782504B2 (en) 2013-11-21 2017-10-10 Ford Global Technologies, Inc. Self-disinfecting surface with printed LEDs for a surface of a vehicle
US9487135B2 (en) 2013-11-21 2016-11-08 Ford Global Technologies, Llc Dome light assembly
US9376058B2 (en) 2013-11-21 2016-06-28 Ford Global Technologies, Llc Fluid level indicator using photoluminescent illumination
US9539937B2 (en) 2013-11-21 2017-01-10 Ford Global Technologies, Llc Vehicle step lamp
US9586523B2 (en) 2013-11-21 2017-03-07 Ford Global Technologies, Llc Vehicle lighting assembly
US9905743B2 (en) 2013-11-21 2018-02-27 Ford Global Technologies, Llc Printed LED heat sink double lock
US9961745B2 (en) 2013-11-21 2018-05-01 Ford Global Technologies, Llc Printed LED rylene dye welcome/farewell lighting
US9371033B2 (en) 2013-11-21 2016-06-21 Ford Global Technologies, Llc Vehicle sunshade assembly
US9809160B2 (en) 2013-11-21 2017-11-07 Ford Global Technologies, Llc Tailgate illumination system
US9796325B2 (en) 2013-11-21 2017-10-24 Ford Global Technologies, Llc Exterior light system for a vehicle
US9495040B2 (en) 2013-11-21 2016-11-15 Ford Global Technologies, Llc Selectively visible user interface
US9459453B2 (en) 2013-11-21 2016-10-04 Ford Global Technologies, Llc Windshield display system
US9533613B2 (en) 2013-11-21 2017-01-03 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent fuel filler door
US9434297B2 (en) 2013-11-21 2016-09-06 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent vehicle graphics
US9493113B2 (en) 2013-11-21 2016-11-15 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent cargo area illumination
US9463736B2 (en) 2013-11-21 2016-10-11 Ford Global Technologies, Llc Illuminated steering assembly
US9499096B2 (en) 2013-11-21 2016-11-22 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent vehicle reading lamp
US9849831B2 (en) 2013-11-21 2017-12-26 Ford Global Technologies, Llc Printed LED storage compartment
US9625115B2 (en) 2013-11-21 2017-04-18 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent vehicle graphics
US9649877B2 (en) 2013-11-21 2017-05-16 Ford Global Technologies, Llc Vehicle light system with illuminating wheel assembly
US10400978B2 (en) 2013-11-21 2019-09-03 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent lighting apparatus for vehicles
US9469244B2 (en) 2013-11-21 2016-10-18 Ford Global Technologies, Llc Luminescent vehicle seal
US9434302B2 (en) 2013-11-21 2016-09-06 Ford Global Technologies,Llc Photoluminescent bin lamp
US9487127B2 (en) 2013-11-21 2016-11-08 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent vehicle step lamp
US9327643B2 (en) 2013-11-21 2016-05-03 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent lift gate lamp
US9434294B2 (en) 2013-11-21 2016-09-06 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent vehicle badge
US9682651B2 (en) 2013-11-21 2017-06-20 Ford Global Technologies, Llc Vehicle lighting system with improved substrate
US9796304B2 (en) 2013-11-21 2017-10-24 Ford Global Technologies, Llc Vehicle floor lighting system having a pivotable base with light-producing assembly coupled to base
US9950658B2 (en) 2013-11-21 2018-04-24 Ford Global Technologies, Llc Privacy window system
US9771019B2 (en) 2013-11-21 2017-09-26 Ford Global Technologies, Inc. Photoluminescent vehicle illumination
US9481297B2 (en) 2013-11-21 2016-11-01 Ford Global Technologies, Llc Illuminated steering assembly
US10041650B2 (en) 2013-11-21 2018-08-07 Ford Global Technologies, Llc Illuminated instrument panel storage compartment
US9452708B2 (en) 2013-11-21 2016-09-27 Ford Global Technologies, Llc Vehicle badge
US9527438B2 (en) 2013-11-21 2016-12-27 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent blind spot warning indicator
US9464776B2 (en) 2013-11-21 2016-10-11 Ford Global Technologies, Llc Vehicle light system with illuminating exhaust
US9487136B2 (en) 2013-11-21 2016-11-08 Ford Global Technologies, Llc System and method to locate vehicle equipment
US9682649B2 (en) 2013-11-21 2017-06-20 Ford Global Technologies, Inc. Photoluminescent winch apparatus
US9446709B2 (en) 2013-11-21 2016-09-20 Ford Global Technologies, Llc Vehicle backlit assembly with photoluminescent structure
US9463734B2 (en) 2013-11-21 2016-10-11 Ford Global Technologies, Llc Illuminated seatbelt assembly
US9810401B2 (en) 2013-11-21 2017-11-07 Ford Global Technologies, Llc Luminescent trim light assembly
US9969323B2 (en) 2013-11-21 2018-05-15 Ford Global Technologies, Llc Vehicle lighting system employing a light strip
US9393904B2 (en) 2013-11-21 2016-07-19 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent engine compartment lighting
US9463739B2 (en) 2013-11-21 2016-10-11 Ford Global Technologies, Llc Sun visor with photoluminescent structure
US9315145B2 (en) 2013-11-21 2016-04-19 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent tailgate and step
US9821708B2 (en) 2013-11-21 2017-11-21 Ford Global Technologies, Llc Illuminated exterior strip
US10064256B2 (en) 2013-11-21 2018-08-28 Ford Global Technologies, Llc System and method for remote activation of vehicle lighting
US9464886B2 (en) 2013-11-21 2016-10-11 Ford Global Technologies, Llc Luminescent hitch angle detection component
US9586518B2 (en) 2013-11-21 2017-03-07 Ford Global Technologies, Llc Luminescent grille bar assembly
US9409515B2 (en) 2013-11-21 2016-08-09 Ford Global Technologies, Llc Luminescent seating assembly
US9499090B2 (en) 2013-11-21 2016-11-22 Ford Global Technologies, Llc Spoiler using photoluminescent illumination
US9539941B2 (en) 2013-11-21 2017-01-10 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent cupholder illumination
US9989216B2 (en) 2013-11-21 2018-06-05 Ford Global Technologies, Llc Interior exterior moving designs
US9539939B2 (en) 2013-11-21 2017-01-10 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent logo for vehicle trim and fabric
US9539940B2 (en) 2013-11-21 2017-01-10 Ford Global Technologies, Llc Illuminated indicator
US9212809B2 (en) 2013-11-21 2015-12-15 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent dynamic lighting
US9463737B2 (en) 2013-11-21 2016-10-11 Ford Global Technologies, Llc Illuminated seatbelt assembly
US9440583B2 (en) 2013-11-21 2016-09-13 Ford Global Technologies, Llc Vehicle dome lighting system with photoluminescent structure
US9440584B2 (en) 2013-11-21 2016-09-13 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent vehicle console
US9492575B2 (en) 2013-11-21 2016-11-15 Ford Global Technologies, Llc Color changing and disinfecting surfaces
US9613549B2 (en) 2013-11-21 2017-04-04 Ford Global Technologies, Llc Illuminating badge for a vehicle
US10363867B2 (en) 2013-11-21 2019-07-30 Ford Global Technologies, Llc Printed LED trim panel lamp
US9538874B2 (en) 2013-11-21 2017-01-10 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent cupholder illumination
US9797575B2 (en) 2013-11-21 2017-10-24 Ford Global Technologies, Llc Light-producing assembly for a vehicle
US9487126B2 (en) 2013-11-21 2016-11-08 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent puddle lamp
US9464887B2 (en) 2013-11-21 2016-10-11 Ford Global Technologies, Llc Illuminated hitch angle detection component
US9393905B2 (en) 2013-11-21 2016-07-19 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent vehicle compartment light
US9393903B2 (en) 2013-11-21 2016-07-19 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent engine compartment lighting
US9399427B2 (en) 2013-11-21 2016-07-26 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent device holder
US9789810B2 (en) 2013-11-21 2017-10-17 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent vehicle panel
US9688192B2 (en) 2013-11-21 2017-06-27 Ford Global Technologies, Llc Vehicle having interior and exterior lighting on tailgate
US9573516B2 (en) 2013-11-21 2017-02-21 Ford Global Technologies, Llc Rear vehicle lighting system
US9487128B2 (en) 2013-11-21 2016-11-08 Ford Global Technologies, Llc Illuminating running board
US9463738B2 (en) 2013-11-21 2016-10-11 Ford Global Technologies, Llc Seatbelt lighting system
US9434301B2 (en) 2013-11-21 2016-09-06 Ford Global Technologies, Llc Hidden photoluminescent vehicle user interface
US9457712B2 (en) 2013-11-21 2016-10-04 Ford Global Technologies, Llc Vehicle sun visor providing luminescent lighting
US9587800B2 (en) 2013-11-21 2017-03-07 Ford Global Technologies, Llc Luminescent vehicle molding
US9434304B2 (en) 2013-11-21 2016-09-06 Ford Global Technologies, Llc Illuminated vehicle compartment
US9776557B2 (en) 2013-11-21 2017-10-03 Ford Global Technologies, Llc Dual direction light producing assembly
US9598632B2 (en) 2013-11-21 2017-03-21 Ford Global Technologies, Llc Method for depositing photoluminescent material
US9839098B2 (en) 2013-11-21 2017-12-05 Ford Global Technologies, Llc Light assembly operable as a dome lamp
US9583968B2 (en) 2013-11-21 2017-02-28 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent disinfecting and charging bin
US9440579B2 (en) 2013-11-21 2016-09-13 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent step handle
US10374137B2 (en) * 2014-03-11 2019-08-06 Osram Gmbh Light converter assemblies with enhanced heat dissipation
US9302616B2 (en) 2014-04-21 2016-04-05 Ford Global Technologies, Llc Vehicle lighting apparatus with multizone proximity control
TWI565108B (zh) 2014-08-21 2017-01-01 錼創科技股份有限公司 發光模組
US10217918B2 (en) * 2014-08-26 2019-02-26 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting element package
US10477636B1 (en) * 2014-10-28 2019-11-12 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems having multiple light sources
US9869450B2 (en) 2015-02-09 2018-01-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems having a truncated parabolic- or hyperbolic-conical light reflector, or a total internal reflection lens; and having another light reflector
US10801696B2 (en) 2015-02-09 2020-10-13 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems generating partially-collimated light emissions
US11306897B2 (en) 2015-02-09 2022-04-19 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems generating partially-collimated light emissions
JP6156402B2 (ja) * 2015-02-13 2017-07-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9651216B2 (en) 2015-03-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems including asymmetric lens modules for selectable light distribution
US9568665B2 (en) 2015-03-03 2017-02-14 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems including lens modules for selectable light distribution
US9651227B2 (en) 2015-03-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Low-profile lighting system having pivotable lighting enclosure
US9746159B1 (en) 2015-03-03 2017-08-29 Ecosense Lighting Inc. Lighting system having a sealing system
USD785218S1 (en) 2015-07-06 2017-04-25 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
USD782093S1 (en) 2015-07-20 2017-03-21 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
USD782094S1 (en) 2015-07-20 2017-03-21 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
US9651232B1 (en) 2015-08-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting system having a mounting device
US10168039B2 (en) 2015-08-10 2019-01-01 Ford Global Technologies, Llc Illuminated badge for a vehicle
US9663967B2 (en) 2015-09-11 2017-05-30 Ford Global Technologies, Llc Illuminated latch system
US9463735B1 (en) 2015-10-06 2016-10-11 Ford Global Technologies, Llc Vehicle visor assembly with illuminating check assembly
US10081295B2 (en) 2015-10-13 2018-09-25 Ford Global Technologies, Llc Illuminated badge for a vehicle
FR3042905B1 (fr) * 2015-10-23 2018-11-16 Vmicro Dispositif et systeme microelectromecanique avec transducteur resistif a faible impedance
US9694739B2 (en) 2015-11-10 2017-07-04 Ford Global Technologies, Llc Disinfecting handle
US9889791B2 (en) 2015-12-01 2018-02-13 Ford Global Technologies, Llc Illuminated badge for a vehicle
CN205229630U (zh) * 2015-12-10 2016-05-11 乐视致新电子科技（天津）有限公司 一种背光模组、显示模组及显示设备
US10023100B2 (en) 2015-12-14 2018-07-17 Ford Global Technologies, Llc Illuminated trim assembly
US9500333B1 (en) 2015-12-18 2016-11-22 Ford Global Technologies, Llc Phosphorescent lighting assembly
JP6442423B2 (ja) * 2015-12-22 2018-12-19 富士フイルム株式会社 照明装置
WO2017110737A1 (ja) * 2015-12-22 2017-06-29 富士フイルム株式会社 照明装置
US9855799B2 (en) 2016-02-09 2018-01-02 Ford Global Technologies, Llc Fuel level indicator
US10501007B2 (en) 2016-01-12 2019-12-10 Ford Global Technologies, Llc Fuel port illumination device
US10300843B2 (en) 2016-01-12 2019-05-28 Ford Global Technologies, Llc Vehicle illumination assembly
US10235911B2 (en) 2016-01-12 2019-03-19 Ford Global Technologies, Llc Illuminating badge for a vehicle
US10011219B2 (en) 2016-01-18 2018-07-03 Ford Global Technologies, Llc Illuminated badge
US9517723B1 (en) 2016-01-21 2016-12-13 Ford Global Technologies, Llc Illuminated tie-down cleat
US9927114B2 (en) 2016-01-21 2018-03-27 Ford Global Technologies, Llc Illumination apparatus utilizing conductive polymers
US9586519B1 (en) 2016-01-27 2017-03-07 Ford Global Technologies, Llc Vehicle rear illumination
WO2017131697A1 (en) * 2016-01-28 2017-08-03 Ecosense Lighting Inc Systems for providing tunable white light with high color rendering
US9623797B1 (en) 2016-02-04 2017-04-18 Ford Global Technologies, Llc Lift gate lamp
US9499093B1 (en) 2016-02-08 2016-11-22 Ford Global Technologies, Llc Retractable running board with long-persistance phosphor lighting
US9499094B1 (en) 2016-02-08 2016-11-22 Ford Global Technologies, Llc Retractable running board with long-persistence phosphor lighting
US10189401B2 (en) 2016-02-09 2019-01-29 Ford Global Technologies, Llc Vehicle light strip with optical element
US9664354B1 (en) 2016-02-11 2017-05-30 Ford Global Technologies, Llc Illumination assembly
US9656598B1 (en) 2016-02-23 2017-05-23 Ford Global Technologies, Llc Vehicle badge
WO2017146477A1 (ko) 2016-02-26 2017-08-31 서울반도체주식회사 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
US9751458B1 (en) 2016-02-26 2017-09-05 Ford Global Technologies, Llc Vehicle illumination system
US10501025B2 (en) 2016-03-04 2019-12-10 Ford Global Technologies, Llc Vehicle badge
US10118568B2 (en) 2016-03-09 2018-11-06 Ford Global Technologies, Llc Vehicle badge having discretely illuminated portions
US9688189B1 (en) 2016-03-09 2017-06-27 Ford Global Technologies, Llc Illuminated license plate
US9656592B1 (en) 2016-03-11 2017-05-23 Ford Global Technologies, Llc System and method of calibrating a vehicle badge having a number of light sources
US9688190B1 (en) 2016-03-15 2017-06-27 Ford Global Technologies, Llc License plate illumination system
TWI596851B (zh) * 2016-03-24 2017-08-21 國立中央大學 雷射激發之白光照明系統
US9963001B2 (en) 2016-03-24 2018-05-08 Ford Global Technologies, Llc Vehicle wheel illumination assembly using photoluminescent material
US10081296B2 (en) 2016-04-06 2018-09-25 Ford Global Technologies, Llc Illuminated exterior strip with photoluminescent structure and retroreflective layer
US9714749B1 (en) 2016-05-10 2017-07-25 Ford Global Technologies, Llc Illuminated vehicle grille assembly
US9758088B1 (en) 2016-05-10 2017-09-12 Ford Global Technologies, Llc Auxiliary lighting roof rack
US9738219B1 (en) 2016-05-11 2017-08-22 Ford Global Technologies, Llc Illuminated vehicle trim
US9688215B1 (en) 2016-05-11 2017-06-27 Ford Global Technologies, Llc Iridescent vehicle applique
US10064259B2 (en) 2016-05-11 2018-08-28 Ford Global Technologies, Llc Illuminated vehicle badge
US10420189B2 (en) 2016-05-11 2019-09-17 Ford Global Technologies, Llc Vehicle lighting assembly
US9821710B1 (en) 2016-05-12 2017-11-21 Ford Global Technologies, Llc Lighting apparatus for vehicle decklid
US10631373B2 (en) 2016-05-12 2020-04-21 Ford Global Technologies, Llc Heated windshield indicator
CN107403791B (zh) * 2016-05-18 2020-04-10 光宝光电(常州)有限公司 发光显示器以及形成发光显示器的方法
US9821717B1 (en) 2016-05-18 2017-11-21 Ford Global Technologies, Llc Box step with release button that illuminates
US9586527B1 (en) 2016-05-18 2017-03-07 Ford Global Technologies, Llc Wheel well step assembly of vehicle
US9896020B2 (en) 2016-05-23 2018-02-20 Ford Global Technologies, Llc Vehicle lighting assembly
US9994144B2 (en) 2016-05-23 2018-06-12 Ford Global Technologies, Llc Illuminated automotive glazings
US9925917B2 (en) 2016-05-26 2018-03-27 Ford Global Technologies, Llc Concealed lighting for vehicles
US9937855B2 (en) 2016-06-02 2018-04-10 Ford Global Technologies, Llc Automotive window glazings
US9803822B1 (en) 2016-06-03 2017-10-31 Ford Global Technologies, Llc Vehicle illumination assembly
US10343622B2 (en) 2016-06-09 2019-07-09 Ford Global Technologies, Llc Interior and exterior iridescent vehicle appliques
US10205338B2 (en) 2016-06-13 2019-02-12 Ford Global Technologies, Llc Illuminated vehicle charging assembly
US9604567B1 (en) 2016-06-15 2017-03-28 Ford Global Technologies, Llc Luminescent trailer hitch plug
US10131237B2 (en) 2016-06-22 2018-11-20 Ford Global Technologies, Llc Illuminated vehicle charging system
US9855888B1 (en) 2016-06-29 2018-01-02 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent vehicle appliques
DE102016212078A1 (de) * 2016-07-04 2018-01-04 Osram Gmbh Beleuchtungseinrichtung
US9840191B1 (en) 2016-07-12 2017-12-12 Ford Global Technologies, Llc Vehicle lamp assembly
US9855797B1 (en) 2016-07-13 2018-01-02 Ford Global Technologies, Llc Illuminated system for a vehicle
JP6740762B2 (ja) * 2016-07-13 2020-08-19 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
US9889801B2 (en) 2016-07-14 2018-02-13 Ford Global Technologies, Llc Vehicle lighting assembly
US9840193B1 (en) 2016-07-15 2017-12-12 Ford Global Technologies, Llc Vehicle lighting assembly
US9573518B1 (en) 2016-07-15 2017-02-21 Ford Global Technologies, Llc Floor console IR bin light
US9604569B1 (en) 2016-07-19 2017-03-28 Ford Global Technologies, Llc Window lighting system of a vehicle
US9587967B1 (en) 2016-08-04 2017-03-07 Ford Global Technologies, Llc Vehicle container illumination
US9845047B1 (en) 2016-08-08 2017-12-19 Ford Global Technologies, Llc Light system
US9573519B1 (en) 2016-08-08 2017-02-21 Ford Global Technologies, Llc Engine compartment lighting to moving parts
US9573520B1 (en) 2016-08-09 2017-02-21 Ford Global Technologies, Llc Luminescent console storage bin
US9827903B1 (en) 2016-08-18 2017-11-28 Ford Global Technologies, Llc Illuminated trim panel
US9616823B1 (en) 2016-08-22 2017-04-11 Ford Global Technologies, Llc Illuminated badge for a vehicle
US10173604B2 (en) 2016-08-24 2019-01-08 Ford Global Technologies, Llc Illuminated vehicle console
US10047911B2 (en) 2016-08-31 2018-08-14 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent emission system
US10047659B2 (en) 2016-08-31 2018-08-14 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent engine indicium
US9604568B1 (en) 2016-09-01 2017-03-28 Ford Global Technologies, Llc Vehicle light system
US10308175B2 (en) 2016-09-08 2019-06-04 Ford Global Technologies, Llc Illumination apparatus for vehicle accessory
US10075013B2 (en) 2016-09-08 2018-09-11 Ford Global Technologies, Llc Vehicle apparatus for charging photoluminescent utilities
US10065555B2 (en) 2016-09-08 2018-09-04 Ford Global Technologies, Llc Directional approach lighting
US10043396B2 (en) 2016-09-13 2018-08-07 Ford Global Technologies, Llc Passenger pickup system and method using autonomous shuttle vehicle
US9593820B1 (en) 2016-09-28 2017-03-14 Ford Global Technologies, Llc Vehicle illumination system
US9863171B1 (en) 2016-09-28 2018-01-09 Ford Global Technologies, Llc Vehicle compartment
US10137829B2 (en) 2016-10-06 2018-11-27 Ford Global Technologies, Llc Smart drop off lighting system
US10046688B2 (en) 2016-10-06 2018-08-14 Ford Global Technologies, Llc Vehicle containing sales bins
US9914390B1 (en) 2016-10-19 2018-03-13 Ford Global Technologies, Llc Vehicle shade assembly
US9707887B1 (en) 2016-10-19 2017-07-18 Ford Global Technologies, Llc Vehicle mirror assembly
US10086700B2 (en) 2016-10-20 2018-10-02 Ford Global Technologies, Llc Illuminated switch
US9802534B1 (en) 2016-10-21 2017-10-31 Ford Global Technologies, Llc Illuminated vehicle compartment
US10035473B2 (en) 2016-11-04 2018-07-31 Ford Global Technologies, Llc Vehicle trim components
US9902314B1 (en) 2016-11-17 2018-02-27 Ford Global Technologies, Llc Vehicle light system
KR101961031B1 (ko) * 2016-11-18 2019-03-22 효성화학 주식회사 액정표시장치용 고휘도 필름 및 그 제조방법
KR102650341B1 (ko) * 2016-11-25 2024-03-22 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
US10220784B2 (en) 2016-11-29 2019-03-05 Ford Global Technologies, Llc Luminescent windshield display
US9994089B1 (en) 2016-11-29 2018-06-12 Ford Global Technologies, Llc Vehicle curtain
US10118538B2 (en) 2016-12-07 2018-11-06 Ford Global Technologies, Llc Illuminated rack
US10106074B2 (en) 2016-12-07 2018-10-23 Ford Global Technologies, Llc Vehicle lamp system
US10422501B2 (en) 2016-12-14 2019-09-24 Ford Global Technologies, Llc Vehicle lighting assembly
US10144365B2 (en) 2017-01-10 2018-12-04 Ford Global Technologies, Llc Vehicle badge
US9815402B1 (en) 2017-01-16 2017-11-14 Ford Global Technologies, Llc Tailgate and cargo box illumination
US10173582B2 (en) 2017-01-26 2019-01-08 Ford Global Technologies, Llc Light system
US10053006B1 (en) 2017-01-31 2018-08-21 Ford Global Technologies, Llc Illuminated assembly
US9849830B1 (en) 2017-02-01 2017-12-26 Ford Global Technologies, Llc Tailgate illumination
US9896023B1 (en) 2017-02-09 2018-02-20 Ford Global Technologies, Llc Vehicle rear lighting assembly
US10427593B2 (en) 2017-02-09 2019-10-01 Ford Global Technologies, Llc Vehicle light assembly
US9849829B1 (en) 2017-03-02 2017-12-26 Ford Global Technologies, Llc Vehicle light system
US9758090B1 (en) 2017-03-03 2017-09-12 Ford Global Technologies, Llc Interior side marker
US10240737B2 (en) 2017-03-06 2019-03-26 Ford Global Technologies, Llc Vehicle light assembly
US10195985B2 (en) 2017-03-08 2019-02-05 Ford Global Technologies, Llc Vehicle light system
US10399483B2 (en) 2017-03-08 2019-09-03 Ford Global Technologies, Llc Vehicle illumination assembly
US10150396B2 (en) 2017-03-08 2018-12-11 Ford Global Technologies, Llc Vehicle cup holder assembly with photoluminescent accessory for increasing the number of available cup holders
US10611298B2 (en) 2017-03-13 2020-04-07 Ford Global Technologies, Llc Illuminated cargo carrier
US10166913B2 (en) 2017-03-15 2019-01-01 Ford Global Technologies, Llc Side marker illumination
US10465879B2 (en) 2017-03-27 2019-11-05 Ford Global Technologies, Llc Vehicular light assemblies with LED-excited photoluminescent lightguide
US10483678B2 (en) 2017-03-29 2019-11-19 Ford Global Technologies, Llc Vehicle electrical connector
US10569696B2 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Ford Global Technologies, Llc Vehicle illuminated airflow control device
US10023110B1 (en) 2017-04-21 2018-07-17 Ford Global Technologies, Llc Vehicle badge sensor assembly
US10035463B1 (en) 2017-05-10 2018-07-31 Ford Global Technologies, Llc Door retention system
US10399486B2 (en) 2017-05-10 2019-09-03 Ford Global Technologies, Llc Vehicle door removal and storage
US9963066B1 (en) 2017-05-15 2018-05-08 Ford Global Technologies, Llc Vehicle running board that provides light excitation
KR20180128151A (ko) * 2017-05-23 2018-12-03 현대자동차주식회사 차량용 헤드램프 장치
US10059238B1 (en) 2017-05-30 2018-08-28 Ford Global Technologies, Llc Vehicle seating assembly
US10144337B1 (en) 2017-06-02 2018-12-04 Ford Global Technologies, Llc Vehicle light assembly
EP4322232A3 (en) * 2017-06-27 2024-05-29 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
US10493904B2 (en) 2017-07-17 2019-12-03 Ford Global Technologies, Llc Vehicle light assembly
US10502690B2 (en) 2017-07-18 2019-12-10 Ford Global Technologies, Llc Indicator system for vehicle wear components
US10137831B1 (en) 2017-07-19 2018-11-27 Ford Global Technologies, Llc Vehicle seal assembly
US10160405B1 (en) 2017-08-22 2018-12-25 Ford Global Technologies, Llc Vehicle decal assembly
US10790267B2 (en) * 2017-08-28 2020-09-29 Lumens Co., Ltd. Light emitting element for pixel and LED display module
US10186177B1 (en) 2017-09-13 2019-01-22 Ford Global Technologies, Llc Vehicle windshield lighting assembly
US10137825B1 (en) 2017-10-02 2018-11-27 Ford Global Technologies, Llc Vehicle lamp assembly
US10391943B2 (en) 2017-10-09 2019-08-27 Ford Global Technologies, Llc Vehicle lamp assembly
US10207636B1 (en) 2017-10-18 2019-02-19 Ford Global Technologies, Llc Seatbelt stowage assembly
US10189414B1 (en) 2017-10-26 2019-01-29 Ford Global Technologies, Llc Vehicle storage assembly
US10723258B2 (en) 2018-01-04 2020-07-28 Ford Global Technologies, Llc Vehicle lamp assembly
US10723257B2 (en) 2018-02-14 2020-07-28 Ford Global Technologies, Llc Multi-color luminescent grille for a vehicle
US10627092B2 (en) 2018-03-05 2020-04-21 Ford Global Technologies, Llc Vehicle grille assembly
US10281113B1 (en) 2018-03-05 2019-05-07 Ford Global Technologies, Llc Vehicle grille
US10457196B1 (en) 2018-04-11 2019-10-29 Ford Global Technologies, Llc Vehicle light assembly
US10703263B2 (en) 2018-04-11 2020-07-07 Ford Global Technologies, Llc Vehicle light system
US10778223B2 (en) 2018-04-23 2020-09-15 Ford Global Technologies, Llc Hidden switch assembly
JP6801695B2 (ja) * 2018-08-03 2020-12-16 日亜化学工業株式会社 発光モジュールおよびその製造方法
US10310197B1 (en) 2018-09-17 2019-06-04 Waymo Llc Transmitter devices having bridge structures
DE102018123037A1 (de) * 2018-09-19 2020-03-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kompakte mehrbandige optische messeinheit
US10534143B1 (en) 2018-09-20 2020-01-14 Waymo Llc Methods for optical system manufacturing
US10850462B2 (en) * 2018-10-03 2020-12-01 Visera Technologies Company Limited Optical elements and method for fabricating the same
US10576893B1 (en) 2018-10-08 2020-03-03 Ford Global Technologies, Llc Vehicle light assembly
US10720551B1 (en) 2019-01-03 2020-07-21 Ford Global Technologies, Llc Vehicle lamps
KR20210113870A (ko) * 2020-03-09 2021-09-17 엘지이노텍 주식회사 조명모듈 및 이를 구비한 조명장치
CN114930445A (zh) 2020-12-03 2022-08-19 三星电子株式会社 显示装置及其发光装置
WO2023276328A1 (ja) * 2021-06-28 2023-01-05 ミネベアミツミ株式会社 面状照明装置
WO2023287206A1 (ko) * 2021-07-14 2023-01-19 서울바이오시스주식회사 발광 패키지

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1654593A (zh) * 2003-11-01 2005-08-17 三星电机株式会社 红色荧光粉及制法及发光二极管和活性动态液晶装置
CN101481615A (zh) * 2008-01-07 2009-07-15 三星电子株式会社 荧光混合物、荧光灯、背光组件及显示装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6738068B2 (en) 2000-12-29 2004-05-18 Intel Corporation Entering and exiting power managed states without disrupting accelerated graphics port transactions
US6839846B2 (en) 2001-01-03 2005-01-04 Intel Corporation Embedding digital signatures into digital payloads
EP1413619A1 (en) 2002-09-24 2004-04-28 Osram Opto Semiconductors GmbH Luminescent material, especially for LED application
JP3921545B2 (ja) 2004-03-12 2007-05-30 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法
JP2006213910A (ja) 2005-01-06 2006-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 酸窒化物蛍光体及び発光装置
JP4756261B2 (ja) 2005-01-27 2011-08-24 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法および発光器具
CN101120204A (zh) * 2005-02-14 2008-02-06 三菱化学株式会社 光源、固体发光元件组件、荧光体组件、配光元件组件、照明装置、图像显示装置及光源的调节方法
US7489073B2 (en) * 2005-04-15 2009-02-10 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Blue to yellow-orange emitting phosphor, and light source having such a phosphor
WO2007041563A2 (en) * 2005-09-30 2007-04-12 The Regents Of The University Of California Cerium based phosphor materials for solid-state lighting applications
US20080054793A1 (en) * 2006-08-30 2008-03-06 Everlight Electronics Co., Ltd. White light-emitting apparatus
DE102007025679A1 (de) 2007-06-01 2008-12-04 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Oxidonitridoalumosilikat, strahlungsemittierende Vorrichtung mit dem Oxidonitridoalumosilikat und Verfahren zur Herstellung des Oxidonitridoalumosilikats
CA2669030C (en) 2008-03-13 2013-09-03 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Speed-varying device and wind turbine generator system
KR101717668B1 (ko) 2010-03-26 2017-03-17 삼성전자주식회사 복합 결정 형광체, 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1654593A (zh) * 2003-11-01 2005-08-17 三星电机株式会社 红色荧光粉及制法及发光二极管和活性动态液晶装置
CN101481615A (zh) * 2008-01-07 2009-07-15 三星电子株式会社 荧光混合物、荧光灯、背光组件及显示装置

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
《Journal of The Electrochemical Society》 20071201 Kee-Sun Sohn, et al. "Luminescence of Sr2SiO4−xN2x/3:Eu2+ Phosphors Prepared by Spark Plasma Sintering" J58-J61 1-23 第155卷, 第2期 *
《Materials Science and Engineering B》 20090815 Xiufeng Song， et al. "Luminescence and energy transfer of Mn2+ co-doped SrSi2O2N2:Eu2+ green-emitting phosphors" 12-15 19-20 第164卷, 第1期 *
BONG-GOO YUN, ET AL.: ""Luminescence Properties of (Sr1-uBau)Si2O2N2:Eu2+, Yellow or Orange Phosphors for White LEDs, Synthesized with (Sr1-uBau)SiO4:Eu2+ as a Precursor"", 《JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY》, vol. 154, no. 10, 15 August 2007 (2007-08-15), pages 320 - 325, XP002613545, DOI: 10.1149/1.2767855 *
KEE-SUN SOHN, ET AL.: ""Luminescence of Sr2SiO4−xN2x/3:Eu2+ Phosphors Prepared by Spark Plasma Sintering"", 《JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY》 *
KEE-SUN SOHN, ET AL.: ""Luminescence of Sr2SiO4−xN2x/3:Eu2+ Phosphors Prepared by Spark Plasma Sintering"", 《JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY》, vol. 155, no. 2, 1 December 2007 (2007-12-01), pages 58 - 61 *
XIUFENG SONG， ET AL.: ""Luminescence and energy transfer of Mn2+ co-doped SrSi2O2N2:Eu2+ green-emitting phosphors"", 《MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B》, vol. 164, no. 1, 15 August 2009 (2009-08-15), pages 12 - 15, XP026393825 *

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103931005A (zh) * 2011-09-14 2014-07-16 玛太克司马特股份有限公司 Led制造方法、led制造设备和led
CN103883900B (zh) * 2012-12-20 2016-08-24 松下知识产权经营株式会社 Led照明装置以及led发光模块
US9163790B2 (en) 2012-12-20 2015-10-20 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. LED illumination device and LED light-emission module
CN103883900A (zh) * 2012-12-20 2014-06-25 松下电器产业株式会社 Led照明装置以及led发光模块
US10174245B2 (en) 2013-05-16 2019-01-08 Osram Opto Semiconductor Gmbh Method for producing a luminescent material, luminescent material and optoelectronic component
CN105209571A (zh) * 2013-05-16 2015-12-30 欧司朗光电半导体有限公司 用于制备发光材料的方法、发光材料和光电子器件
CN106433622A (zh) * 2015-08-06 2017-02-22 三星电子株式会社 红色磷光体、发白光装置和照明设备
CN109691231A (zh) * 2016-09-09 2019-04-26 Lg 电子株式会社 使用半导体发光元件的显示器件
US11088301B2 (en) 2016-09-09 2021-08-10 Lg Electronics Inc. Display device using semiconductor light-emitting element
CN109691231B (zh) * 2016-09-09 2021-10-08 Lg 电子株式会社 使用半导体发光元件的显示器件
CN109952651A (zh) * 2016-11-17 2019-06-28 昕诺飞控股有限公司 具有uv led的照明装置
CN109952651B (zh) * 2016-11-17 2023-10-10 昕诺飞控股有限公司 具有uv led的照明装置
TWI785795B (zh) * 2020-09-16 2022-12-01 南韓商路森特Ｌ＆Ｄ股份有限公司 光源用基板、光源基板陣列、光源用基板陣列下板以及其製造方法
CN114001289A (zh) * 2021-11-24 2022-02-01 固安翌光科技有限公司 形变发光装置

Also Published As

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