CN102024889A - 发光器件、发光器件封装和包括发光器件封装的照明*** - Google Patents

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Abstract

实施方案涉及发光器件、发光器件封装和包括所述发光器件封装的照明***。所述发光器件包括：发光结构，在所述发光结构下的第二电极，和置于至少一个突起之上的绝缘层。所述第二电极包括底部构件和在所述底部构件上的所述至少一个突起，所述突起穿过所述第二导电型半导体层和有源层。所述至少一个突起包含具有不同尺寸的上部和下部。

Description

发光器件、发光器件封装和包括发光器件封装的照明***
相关申请的交叉引用
本申请根据35U.S.C.§119要求在2009年9月10日提交的韩国专利申请No.10-2009-0085317的优先权，通过引用并入本文。
技术领域
实施方案涉及发光器件、发光器件封装和包括所述发光器件封装的照明***。
背景技术
发光器件(LED)可通过p-n结二极管来实现，其特征是将电能转化为光能，并且可通过结合元素周期表的III族元素和V族元素而形成。LED可通过调整化合物半导体的组成比实现不同颜色。
当正偏压施加到p-n结二极管上时，n-型层的电子与p-型层的空穴复合以发射对应于导带和价带之间能隙的能量。能量主要以热或光的形式发射。当能量以光的形式发出时，p-n结二极管变为LED。
例如，由于高热稳定性和宽带隙能，氮化物半导体一直是开发光学器件和高功率电子器件领域中高度关注的对象。具体地，利用氮化物半导体的蓝色LED、绿色LED、UV LED等已经商业化并且广泛应用。
在相关技术的垂直型LED中，n-型电极和p-型电极分别在垂直型LED的上部和下部形成，用于电流注入。此时，从n-型电极下面的层发出的光被n-型电极吸收或者反射，因此发光效率可下降。另外，被n-型电极反射的光被再次吸收，因此可以产生热。
另外，根据相关技术，LED的寿命和可靠性可能由于电流拥挤而下降。
发明内容
实施方案提供可以提高光提取效率和电流扩散效率的发光器件、发光器件封装和包括所述发光器件封装的照明***。
在一个实施方案中，发光器件包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电型半导体层；在所述发光结构下的第二电极，包括底部构件和在所述底部构件上的至少一个突起，所述突起穿过所述第二导电型半导体层和有源层；和设置于所述至少一个突起之上的绝缘层，其中所述至少一个突起包含具有不同尺寸的上部和下部。
在另一个实施方案中，发光器件封装包括：封装体；在封装体上的上述发光器件；和在所述封装体中形成并与所述发光器件电连接的第三电极层。
在另一个实施方案中，照明***包括具有上述发光器件封装的发光模块部。
附图说明
图1是根据第一实施方案的发光器件的剖面图。
图2至5是说明根据第二实施方案制造发光器件的方法的剖面图。
图6是根据第二实施方案的发光器件的剖面图。
图7是根据一个实施方案的发光器件封装的剖面图。
图8是根据一个实施方案的发光单元的立体图。
图9是根据一个实施方案的背光单元的分解立体图。
具体实施方式
本文中，将参考附图描述根据本申请公开的实施方案的发光器件、发光器件封装和包括所述发光器件封装的照明***。
在实施方案的描述中，应理解当层(或膜)称为在另一层或衬底“上”时，其可以直接在所述另一层或衬底上，或者也可以存在中间层。另外，应理解当一层称为在另一层“下”时，其可以直接在所述另一层下，或者也可以存在一个或更多个中间层。另外，也应理解，当一层称为在两层“之间”时，其可以是该两层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。
实施方案
图1是根据第一实施方案的发光器件100的剖面图。
根据一个实施方案的发光器件(LED)100可包括：包括第二导电型半导体层130、有源层120和第一导电型半导体层110的发光结构；在通过移除部分发光结构而限定的腔C上形成的绝缘层140；和在第二导电型半导体层130上的第二电极150。
通过该实施方案的LED，由于可以有效控制电流流动，所以可提高光提取效率。
另外，根据该实施方案，电流扩散可增强LED的可靠性。
另外，根据该实施方案，由于形成反射斜面，可增强光提取效率和光输出功率。
下文中，将参考图2至5描述根据第一实施方案的LED的制造方法。
首先，如图2所示，制备第一衬底105。第一衬底105可包括导电衬底或绝缘衬底。例如，第一衬底105可为蓝宝石(Al2O3)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge和Ga2O3衬底中的至少一种。虽然可在第一衬底105的上表面上形成不规则结构，但本发明不限于此。可对第一衬底105进行湿蚀刻以除去第一衬底105的表面的杂质。
然后，可在第一衬底105上形成包括第一导电型半导体层110、有源层120和第二导电型半导体层130的发光结构135。
可在第一衬底105上形成缓冲层(未示出)。缓冲层可缓冲构成发光结构135和第一衬底105的材料之间的晶格失配。例如，缓冲层可由III-V族化合物半导体例如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN中的至少之一形成。在缓冲层上可形成未掺杂的半导体层(未显示)，但是本发明不限于此。
第一导电型半导体层110可通过掺杂有第一导电型掺杂剂的III-V族化合物半导体来实现。在第一导电型半导体层110是N型半导体层的情况下，第一导电型掺杂剂是N型掺杂剂，其可包括Si、Ge、Sn、Se和/或Te作为N型掺杂剂。但是本发明不限于此。
第一导电型半导体层110可包括组成式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。
第一导电型半导体层110可为N-型GaN层，其通过使用化学气相沉积(CVD)、分子束外延(MBE)、溅射或者氢化物气相外延(HVPE)等形成。而且，第一导电型半导体层110可通过注入三甲基镓气体(TMGa)、氨气(NH3)、氮气(N2)和/或包括n型杂质例如硅(Si)的硅烷气体(SiH4)形成。
有源层120是在通过第一导电型半导体层110注入的电子与通过第二导电型半导体层130注入的空穴相遇并复合时发出具有能量的光的层，所述能量由构成有源层(即发光层)的材料的固有能带所决定。
有源层120可形成为单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构或者量子点结构中的至少一种。例如，有源层120可通过注入三甲基镓气体(TMGa)、氨气(NH3)、氮气(N2)和三甲基铟(TMIn)气体形成为MQW结构，但是本发明不限于此。
有源层120的阱层/势垒层可形成为InGaN/GaN、InGaN/InGaN、AlGaN/GaN、InAlGaN/GaN、GaAs/AlGaAs(InGaAs)、GaP/AlGaP(InGaP)中的至少一对结构，但是本发明不限于此。阱层可由能带隙低于势垒层的能带隙的材料形成。
在有源层120上或/和下可形成导电覆层。导电覆层可由AlGaN基半导体形成并且其能带隙可高于有源层120的能带隙。
第二导电型半导体层130可包括III-V族化合物半导体，例如组成式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。在第二导电型半导体层130是P型半导体层的情况下，第二导电型掺杂剂可包括Mg、Zn、Ca、Sr或者Ba等作为P型掺杂剂。第二导电型半导体层130可为P型GaN层，其通过将三甲基镓(TMGa)气体、氨气(NH3)、氮气(N2)和/或包括P型杂质例如Mg的双(乙基环戊二烯基)镁((EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2})注入室中形成，但是本发明不限于此。
在该实施方案中，第一导电型半导体层110可通过N型半导体层实现，第二导电型半导体层130可通过P型半导体层实现，但是本发明不限于此。或者，在第二半导体层130上可形成具有与第二导电型相反的导电类型的半导体层，例如N型半导体层(未显示)。因此，发光结构135可实现为N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构或者P-N-P结结构中的至少之一。
然后，如图3所示，部分移除第二导电型半导体层130、有源层120和第一导电型半导体层110以形成腔C，所述腔C可包括例如凹陷、凹槽、沟渠、沟槽等形式。
例如，为了形成腔C，从第二导电型半导体层130的垂直位于后续将形成的第一电极160的下方的部分开始实施蚀刻，直至暴露出第一导电型半导体层110的一部分。可通过干蚀刻或者湿蚀刻进行形成腔C的蚀刻。
在该实施方案中，腔C可通过部分和依次蚀刻第二导电型半导体层130和有源层120、或者进一步蚀刻第一导电型半导体层110的一部分来形成。
根据该实施方案，因为电流不是平滑地提供给腔形成区域，所以在腔C上不产生发光，因此由位于腔上的第一电极160所引起的光吸收可最小化。
另外，在该实施方案中，腔C的宽度在接近有源层120的部分可小于远离有源层120的部分。因此，后续形成的发光层等发射的光可被有效反射并由此提取到外部。
另外，在该实施方案中，优于绝缘层140在腔C上形成，电流不是平滑地提供给腔形成区域，所以在腔C上的有源层120不产生发光，因此由位于腔上的第一电极160所引起的光吸收可最小化。
然后，如图4所示，在腔C上形成绝缘层140。绝缘层140可包括例如介电层、非晶层等。
例如，可在腔C上形成介电层140如氮化物层(例如SiN)或者氧化物层(例如SiO2)。同时，在该实施方案中，由于绝缘层140包括透明绝缘层，由有源层120发出的光透过绝缘层140然后被后续将形成的第二电极150的反射层152反射，从而可提高光提取效率。
同时，根据该实施方案，当绝缘层140的反射率大于透射率的情况下，绝缘层140可起到反射由有源层120发出的光的作用。
另外，在该实施方案中，具有高动能的质子可注入腔C的表面中，使得质子与晶格发生碰撞以破坏单晶状态，从而能够形成具有高电阻的非晶层。
在该实施方案中，绝缘层140可部分形成在第二导电型半导体层130的底表面以及侧表面和顶面上，从而能够刚性地保持绝缘层。
然后，在第二导电型半导体层130和绝缘层140上形成第二电极层150。
第二电极层150可包括欧姆层(未显示)、反射层152、结层(未显示)、导电衬底154等。第二电极层150可由钛(Ti)、镍(Ni)、铝(Al)、铂(Pt)、金(Au)、钨(W)或者掺杂有杂质的半导体衬底中的至少之一形成。例如，第二电极层150可包括欧姆层，该欧姆层(未显示)可通过多次堆叠单金属层、金属合金层和/或金属氧化物层而形成，使得有效进行空穴注入。例如，欧姆层可形成为包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟铝锌(IAZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化镓锌(GZO)、氮化IZO(IZON)、Al-Ga ZnO(AGZO)、In-Ga ZnO(IGZO)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au或Hf中的至少之一，但是本发明不限于此。
第二电极层150还可包括反射层152或结层(未显示)。例如，在第二电极150包括反射层152的情况下，第二电极150可由包括铝(Al)、银(Ag)或包括Al或Ag的合金的金属材料形成。Al、Ag等可有效反射由有源层产生的光从而大大提高LED的光提取效率。
在该实施方案中，反射层152可在腔C中部分形成。例如，反射层152可在腔C的表面上形成并且不完全填满腔C。因此，根据该实施方案，反射层152的厚度可考虑能够获得最优反射率的反射层152的厚度来决定。
同时，图6是根据第二实施方案的LED 102的剖面图。在LED 102中，反射层153可形成为完全填满腔的结构。在这种情况下，反射层153易于结合后续将形成的导电衬底154。
根据该实施方案，由发光层发出的光透过绝缘层140然后被第二电极150的反射层153反射，从而能够提高光提取效率。另外，根据该实施方案，在腔C形成为腔C的宽度从其上部至下部增加的情况下，由反射层153反射的光沿着发光结构的向上的方向可得到有效反射，因此可提高光提取效率。
而且，在该实施方案中，在第二电极层150包括结层的情况下，反射层用作结层或者结层可由镍(Ni)、金(Au)等形成。
然后，如图5或6所示，在反射层153上可形成导电衬底154。例如导电衬底154可选择性包括铜(Cu)、金(Au)、Cu合金、镍(Ni)、Cu-W、载体晶片(例如GaN、Si、Ge、GaAs、ZnO、SiGe、SiC等)等。
导电衬底154可利用电化学金属沉积方法或者使用共晶金属的接合方法来形成。
然后，如图5所示，可移除第一衬底105。可通过使用高功率激光剥离第一衬底或通过使用化学蚀刻法移除第一衬底105。也可通过物理研磨第一衬底105来移除第一衬底105。
然后，可在通过移除第一衬底105而暴露的第一导电型半导体层110上形成第一电极160。第一电极160可在第一导电型半导体层110上形成以使得第一电极160在空间上与腔C交叠。
在该实施方案中，因为垂直位于第一电极160下方的腔区域不具有有源层120，所以不发生由于载流子(电子和空穴)的复合所导致的光产生。
在该实施方案中，因为作为经蚀刻的区域的腔C覆盖有绝缘层140，所以电流不流过腔C，而是流过到除了腔C之外的区域。即，因为腔覆盖有绝缘层140，所以腔用作电流阻挡层(CBL)。因此，可产生高效的电流流动，使得可提高可靠性并且使得由第一电极吸收的光可最小化，由此提高光量。
根据该实施方案，可同时提高光提取效率和电流扩散效率。
图7是根据实施方案设置有发光器件的发光器件封装200的剖面图。
根据图7，根据该实施方案的发光器件封装200包括主体205、安装于主体205上的第三和第四电极层210和220、安装于主体205上并与第三和第四电极层210和220电连接的LED 100、以及包封LED 100的模制元件240。
主体205可形成为包括硅材料、合成树脂材料或者金属材料，并且可在LED 100周围具有倾斜表面。
第三电极层210和第四电极层220彼此电隔离并可用于对LED 100供电。而且，第三和第四电极层210和220可反射由LED 100产生的光，由此提高光效率，并且可将来自LED 100的热散发至外部。
LED 100可为如图1所示的垂直型LED，但是本发明不限于此。例如，水平型LED可用于发光器件封装200。
LED 100可安装于主体上或者第三电极层210或者第四电极层220上。
LED 100可通过导线230与第三电极层210和/或第四电极层220电连接。虽然本实施方案说明性地显示LED 100是垂直型LED，并且使用单个导线230电连接，但是本发明不限于此。
模制元件240可包封和保护LED 100。而且，在模制元件240中可包含荧光物质以改变由LED 100发射的光的波长。
根据该实施方案，发光器件封装可应用于照明***，照明***可包括如图8所示的照明单元、图9中所示的背光单元、另外还可包括交通信号灯、车辆前灯和标记牌。
图8是根据一个实施方案的发光单元1100的示意图。
根据图8，照明单元1100包括：外壳体1110、设置于外壳体1110中的发光模块部1130、以及设置于外壳体1110中并从外部电源供电的接线端子1120。
外壳体110可优选由具有良好热屏蔽特性的材料例如金属材料或者树脂材料形成。
发光模块部1130可包括衬底1132和安装于衬底1132上的至少一个发光器件封装200。
衬底1132可为其上印刷有电路图案的绝缘体衬底，可包括例如普通印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB等。
另外，衬底1132可由有效反射光的材料形成，并且其表面可形成为能够有效反射光的颜色，例如白色或者银色。
在衬底1132上可安装至少一个发光器件封装200。各个发光器件封装200可包括至少一个发光二极管(LED)100。发光二极管100可包括发射红色光、绿色光或者白色光的彩色LED或者发射紫外线(UV)的UVLED。
发光模块部1130可具有几种LED的组合，以获得期望的颜色和亮度。例如，发光模块部分1130可具有白色LED、红色LED和绿色LED的组合，以获得高的显色指数(CRI)。
接线端子1120可与发光模块部1130电连接以供电。如图8所示，接线端子1120可以以插座型旋入并与外电源连接，但是本发明不限于此。例如，接线端子1120可制成为销型并***外电源中，或者可通过电力线与外部电源连接。
图9是根据一个实施方案的背光单元1200的分解立体图。
根据该实施方案的背光单元1200可包括：导光板1210、为导光板1210提供光的发光模块部1240、在导光板1210下的反射元件1220、以及容纳导光板1210、发光模块部1240和反射元件1220的底盖1230，但是本发明不限于此。
导光板1210用于通过将线性光散射以将线性光转变为平面光。导光板可包括丙烯酰系树脂例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、COC或者聚萘二甲酸乙二醇酯树脂中的一种。
发光模块部1240为导光板1210的至少一个侧表面提供光，并最终用作其中设置背光单元的显示器件的光源。
发光模块部1240可与导光板1210接触，但是本发明不限于此。更具体而言，发光模块部1240包括衬底1242和安装于衬底1242上的多个发光器件封装200。衬底1242可与导光板1210接触，但是本发明不限于此。
衬底1242可为包括电路图案(未显示)的PCB。衬底1242可包括金属芯PCB(MCPCB)、柔性PCB(FPCB)等以及普通PCB，但是本发明不限于此。
所述多个发光器件封装200可安装在衬底1242上，使得多个发光器件封装200的发光表面与导光板1210间隔开预定距离。
在导光板1210下可提供反射元件1220。反射元件1220反射从导光板的底表面入射的光，以使得反射光朝向向上的方向，由此能够提高背光单元的亮度。反射元件1220可由例如PET、PC或者PVC树脂等形成，但是本发明不限于此。
底盖1230可容纳光导板1210、发光模块部1240、反射元件1220等。为此，底盖1230可形成为具有打开的顶表面的盒形，但是本发明不限于此。
底盖1230可由金属材料或者树脂材料形成，并且可使用例如压模或者注模工艺制造。
在本说明书中对″一个实施方案″、″实施方案″、″示例性实施方案″等的任何引用，表示与该实施方案相关描述的具体的特征、结构或特性包含于本发明的至少一个实施方案中。在说明书不同地方出现的这些措词不必都涉及相同的实施方案。此外，当结合任何实施方案描述具体的特征、结构或特性时，认为将这种特征、结构或特性与其它的实施方案相关联均在本领域技术人员的范围之内。
虽然已经参考大量说明性实施方案描述了实施方案，但是应理解本领域技术人员可设计很多的其它改变和实施方案，这些也将落入本公开的原理的精神和范围内。更具体地，在公开、附图和所附的权利要求的范围内，在本发明的组合排列的构件和/或结构中可能具有各种的变化和改变。除构件和/或结构的变化和改变之外，对本领域技术人员而言，可替代的用途也会是显而易见的。

Claims (12)

1.一种发光器件，包括：
发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电型半导体层；
在所述发光结构下的第二电极，所述第二电极包括底部构件和在所述底部构件上的至少一个突起，所述突起穿过所述第二导电型半导体层和所述有源层；和
设置在所述至少一个突起之上的绝缘层，
其中所述至少一个突起包括具有不同尺寸的上部和下部。
2.根据权利要求1的发光器件，还包括在所述第一导电型半导体层上的第一电极。
3.根据权利要求1的发光器件，其中所述至少一个突起的宽度从其所述上部至所述下部增加。
4.根据权利要求1的发光器件，其中所述第二电极包括：
导电层；和
设置在所述绝缘层和所述导电层之间的反射层。
5.根据权利要求4的发光器件，其中所述反射层设置在所述第二导电型半导体层和所述导电层之间。
6.根据权利要求1的发光器件，其中在所述第二电极的至少一个突起上的所述绝缘层与所述第一导电型半导体层接触。
7.根据权利要求2的发光器件，其中所述第一电极设置在所述第一导电型半导体层上并与所述至少一个突起对齐。
8.根据权利要求1的发光器件，其中所述绝缘层包括透明绝缘层。
9.根据权利要求1的发光器件，其中所述绝缘层设置在所述至少一个突起的上表面和侧表面上。
10.根据权利要求9的发光器件，其中在所述底部构件的上表面与设置于所述至少一个突起的侧表面上的所述绝缘层的表面之间的角度和在所述有源层的上表面与设置于所述至少一个突起的所述侧表面上的所述绝缘层的表面之间的角度相同。
11.一种发光器件封装，包括：
封装体；
在所述封装体上的权利要求1所述的发光器件；和
在所述封装体中形成的并与所述发光器件电连接的第三电极层。
12.一种照明***，包括设置有权利要求11所述的发光器件封装的发光模块部。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102842665A (zh) * 2011-06-23 2012-12-26 Lg伊诺特有限公司 发光器件及发光器件封装件
CN105226154A (zh) * 2015-10-27 2016-01-06 天津三安光电有限公司 一种led芯片结构与制造方法
CN112310255A (zh) * 2020-11-04 2021-02-02 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 一种垂直结构深紫外发光二极管及其制备方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI403003B (zh) * 2009-10-02 2013-07-21 Chi Mei Lighting Tech Corp 發光二極體及其製造方法
KR101781051B1 (ko) * 2011-03-28 2017-09-25 엘지이노텍 주식회사 발광소자
TWI437737B (zh) * 2011-09-14 2014-05-11 Lextar Electronics Corp 發光二極體結構及其製造方法
KR101286210B1 (ko) 2012-03-12 2013-07-15 고려대학교 산학협력단 발광 소자 및 그 제조 방법
US8546831B1 (en) * 2012-05-17 2013-10-01 High Power Opto Inc. Reflection convex mirror structure of a vertical light-emitting diode
US8748928B2 (en) 2012-05-17 2014-06-10 High Power Opto, Inc. Continuous reflection curved mirror structure of a vertical light-emitting diode
US8816379B2 (en) 2012-05-17 2014-08-26 High Power Opto, Inc. Reflection curved mirror structure of a vertical light-emitting diode
TWI597863B (zh) * 2013-10-22 2017-09-01 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製造方法
CN107431105B (zh) * 2015-04-15 2019-11-15 亮锐控股有限公司 具有反射器和顶部接触的发光器件
KR102554702B1 (ko) * 2015-08-25 2023-07-13 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
JP7209339B2 (ja) * 2016-06-10 2023-01-20 スージョウ レキン セミコンダクター カンパニー リミテッド 半導体素子

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060145164A1 (en) * 2000-08-08 2006-07-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor chip for optoelectronics
CN1855561A (zh) * 2005-04-30 2006-11-01 三星电机株式会社 发光二极管封装的制造方法
KR20080075368A (ko) * 2007-02-12 2008-08-18 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법
CN101877379A (zh) * 2009-02-25 2010-11-03 Lg伊诺特有限公司 发光器件

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0463478A (ja) * 1990-07-03 1992-02-28 Sanyo Electric Co Ltd ＳｉＣ発光装置
JP2927158B2 (ja) * 1993-09-29 1999-07-28 サンケン電気株式会社 半導体発光素子
TWI220578B (en) * 2003-09-16 2004-08-21 Opto Tech Corp Light-emitting device capable of increasing light-emitting active region
KR100576872B1 (ko) * 2004-09-17 2006-05-10 삼성전기주식회사 정전기 방전 방지기능을 갖는 질화물 반도체 발광소자
KR20060062715A (ko) * 2004-12-06 2006-06-12 삼성전기주식회사 정전방전 보호 다이오드를 구비한 ＧａＮ 계열 반도체발광 소자
JP2007103725A (ja) * 2005-10-05 2007-04-19 Toshiba Corp 半導体発光装置
KR100828891B1 (ko) * 2006-02-23 2008-05-09 엘지이노텍 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
WO2008047923A1 (fr) * 2006-10-20 2008-04-24 Mitsubishi Chemical Corporation Dispositif de diode émettrice de lumière à semi-conducteur à base de nitrure
KR100849826B1 (ko) * 2007-03-29 2008-07-31 삼성전기주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 패키지
KR20090010623A (ko) 2007-07-24 2009-01-30 삼성전기주식회사 발광다이오드 소자
DE102009018603B9 (de) * 2008-04-25 2021-01-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Leuchtvorrichtung und Herstellungsverfahren derselben
US8154042B2 (en) * 2010-04-29 2012-04-10 Koninklijke Philips Electronics N V Light emitting device with trenches and a top contact

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060145164A1 (en) * 2000-08-08 2006-07-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor chip for optoelectronics
CN1855561A (zh) * 2005-04-30 2006-11-01 三星电机株式会社 发光二极管封装的制造方法
KR20080075368A (ko) * 2007-02-12 2008-08-18 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법
CN101877379A (zh) * 2009-02-25 2010-11-03 Lg伊诺特有限公司 发光器件

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102842665A (zh) * 2011-06-23 2012-12-26 Lg伊诺特有限公司 发光器件及发光器件封装件
CN105226154A (zh) * 2015-10-27 2016-01-06 天津三安光电有限公司 一种led芯片结构与制造方法
CN105226154B (zh) * 2015-10-27 2019-03-05 天津三安光电有限公司 一种led芯片结构与制造方法
CN112310255A (zh) * 2020-11-04 2021-02-02 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 一种垂直结构深紫外发光二极管及其制备方法

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Publication number Publication date
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