CN102012645A - 一种光刻胶剥离液 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种光刻胶剥离液，特指一种适合于半导体基材上的残留光刻胶剥离液。该光刻胶剥离液的构成原料及重量配比为：水合肼或有机胺化合物1～15份；溶剂10～45份；抗蚀剂0.1～5份；纯水余份。本发明的优点在于：1、本发明适用于集成电路，超大集成电路中，蚀刻后的光刻胶剥离。2、本发明能够容易的清除蚀刻后的光刻胶膜，能对金属布线腐蚀降低到最小化，并且对环境友好。3、本发明对晶圆上的光刻胶及其残留物，能快速的清洗并无残留，而且对基底材料以及金属配线腐蚀率低。

Description

一种光刻胶剥离液

技术领域：

本发明涉及一种光刻胶剥离液，特指一种适合于半导体基材上的残留光刻胶剥离液。

背景技术：

在集成电路以及超大集成电路制造工艺中，光刻步骤一般是将光刻胶涂抹在SiO₂片或金属膜上，然后经过烘烤，曝光，显影后得到所需要的有抗蚀剂保护的图形。接着进行刻蚀工艺，将图形转移到晶圆表面上，然后将覆盖在晶圆上的保护胶膜除去。

通常，在制造半导体器件的工艺中使用十几次光刻工艺，它包括去掉光刻掩膜版没有掩盖部分的光刻胶，在半导体衬底的传导层上形成光刻图形，然后刻蚀掉传导层上光刻胶图形没有掩盖的部分，从而形成传导层的图形，在传导层图形形成后，光刻胶图形必须用光刻胶剥离剂从传导层去除。而刻蚀工艺分为湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺。近来的超大规模集成电路半导体制造业用干法刻蚀工艺来形成传导层的图形，不过，接着的剥离工艺除掉光刻胶就变得困难。

湿法刻蚀是利用特定的化学溶液将待刻蚀薄膜未被光刻胶覆盖的部分分解，并转成可溶于此溶液的化合物后加以排除，而达到可是的目的。干法刻蚀是利用辉光放电方式，产生包含离子、电子等带点粒子及具有高度化学活性的中性原子与分子及自由基的等离子来进行图案的刻蚀技术。在现今的集成电路制造过程中，必须精确的控制各种材料尺寸至次微米大小且具有极高的再制性，而由于等离子刻蚀是现今技术中唯一能极有效率地将此工作在高良率下完成，因此等离子刻蚀便成为集成电路制造过程中的主要技术之一。不过，在干法刻蚀中，等离子体刻蚀气体的离子和自由基引起与光刻胶膜的复杂化学反应，迅速使光刻胶硬化，光刻胶变得难以去除。特别对于金属衬底的干法刻蚀来说，改性及硬化的光刻胶聚合物在金属衬底层上产生，它们难以在剥离时除掉，从而无法满足市场的需求。

发明内容：

本发明所要解决的技术问题就在于克服目上述所存在的不足，提供种适合于半导体基材上的残留光刻胶剥离液。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：该光刻胶剥离液的构成原料及重量配比为：

水合肼或有机胺化合物        1～15份；

溶剂                        10～45份；

抗蚀剂                      0.1～5份；

纯水                        余份。

上述技术方案中，所述光刻胶剥离液的构成原料及重量配比为：

水合肼或有机胺化合物        11份；

溶剂                        31份；

抗蚀剂                      0.8份；

纯水                        57.2份。

或，上述技术方案中，所述光刻胶剥离液的构成原料及重量配比为：

水合肼或有机胺化合物        14.3份；

溶剂                        35.4份；

抗蚀剂                      0.6份；

纯水                        49.7份。

上述技术方案中，所述的有机胺化合物为：甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、异丙胺、仲丁胺、叔丁胺、乙二胺、己胺、己二胺、二亚乙基三胺、三亚乙基二胺、羟胺中的一种或几种。

上述技术方案中，所述的溶剂为：二甲基亚砜、N-甲基吡啶烷酮、一甲基甲酰胺、一甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、乙二醇一甲醚、乙二醇一***、乙二醇二甲醚、N-N-二甲基乙酰胺、环丁砜中的一种或几种。

上述技术方案中，所述的抗蚀剂为：邻苯二酚、苯并***、没食子酸、没食子酸甲酯、乳酸、果糖、柠檬酸中的一种或几种。

上述技术方案中，所述的纯水是经过离子交换树脂过滤的水，其电阻至少是18MΩ。

本发明的优点在于：

1、本发明适用于集成电路，超大集成电路中，蚀刻后的光刻胶剥离。

2、本发明能够容易的清除蚀刻后的光刻胶膜，能对金属布线腐蚀降低到最小化，并且对环境友好。

3、本发明对晶圆上的光刻胶及其残留物，能快速的清洗并无残留，而且对基底材料以及金属配线腐蚀率低。

具体实施方式：

下面结合具体实施例对本发明进一步说明：

实施例一

本实施例一具体原料及重量为：

水合肼                        11千克；

N-甲基吡啶烷酮                31千克；

没食子酸甲酯                  0.8千克；

纯水                          57.2千克。

实施例二

本实施例二具体原料及重量为：

二乙胺                        14.3千克；

N-甲基吡啶烷酮                35.4千克；

邻苯二酚                      0.6千克；

纯水                          49.7千克。

当然，以上所述仅为本发明的几个实例而已，并非来限制本发明实施范围，凡依本发明申请专利范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均应包括于本发明申请专利范围内。

Claims (7)

1.一种光刻胶剥离液，其特征在于：该光刻胶剥离液的构成原料及重量配比为：

水合肼或有机胺化合物         1～15份；

溶剂                                 10～45份；

抗蚀剂                              0.1～5份；

纯水                                 余份。

2.根据权利要求1所述的一种光刻胶剥离液，其特征在于：所述光刻胶剥离液的构成原料及重量配比为：

水合肼或有机胺化合物          11份；

溶剂                                  31份；

抗蚀剂                               0.8份；

纯水                                  57.2份。

3.根据权利要求1所述的一种光刻胶剥离液，其特征在于：所述光刻胶剥离液的构成原料及重量配比为：

水合肼或有机胺化合物          14.3份；

溶剂                                  35.4份；

抗蚀剂                               0.6份；

纯水                                   49.7份。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的一种光刻胶剥离液，其特征在于：所述的有机胺化合物为：甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、异丙胺、仲丁胺、叔丁胺、乙二胺、己胺、己二胺、二亚乙基三胺、三亚乙基二胺、羟胺中的一种或几种。

5.根据权利要求1-3任意一项所述的一种光刻胶剥离液，其特征在于：所述的溶剂为：二甲基亚砜、N-甲基吡啶烷酮、一甲基甲酰胺、一甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、乙二醇一甲醚、乙二醇一***、乙二醇二甲醚、N-N-二甲基乙酰胺、环丁砜中的一种或几种。

6.根据权利要求1-3任意一项所述的一种光刻胶剥离液，其特征在于：所述的抗蚀剂为：邻苯二酚、苯并***、没食子酸、没食子酸甲酯、乳酸、果糖、柠檬酸中的一种或几种。

7.根据权利要求1-3任意一项所述的一种光刻胶剥离液，其特征在于：所述的纯水是经过离子交换树脂过滤的水，其电阻至少是18MΩ。