CN101970589A - 一种化学机械抛光液 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种化学机械抛光液，其含有水，掺杂金属的二氧化硅和下述速率促进剂中的一种或多种：有机酸、氟化物、氨水以及季铵盐及其衍生物。本发明的化学机械抛光液具有较高的TEOS的抛光速率，较高的TEOS对SiN、BD、SiC和SiON中的一种或多种材料的去除速率选择比。本发明的化学机械抛光液在磨料含量较低的情况下，仍可达到较高的TEOS的抛光速率，并且具有较好的缺陷控制能力，极大地降低了成本。

Description

一种化学机械抛光液 技术领域
本发明涉及半导体制造工艺中的一种化学机械抛光液。 技术背景
在集成电路的制造中， 半导体硅晶片上有许多包含多重沟槽的电介质 层， 这些填充有金属导线的沟槽在电介质层内排列形成电路互连图案， 图案 的排列通常具有金属镶嵌结构和双重金属镶嵌结构。这些镶嵌结构先采用阻 挡层覆盖电介质层， 再用金属覆盖阻挡层。这些金属至少需要充满沟槽从而 形成电路互连。 随着集成电路的器件尺寸缩小、布线层数增加， 由于铜具有 比铝更好的抗电迁移能力和高的导电率，现已替代铝成为深亚微米集成电路 的导线材料。而阻挡层主要采用钽或氮化钽， 用以阻止铜扩散至邻近的电介 质层。 在芯片的制造过程中， 化学机械拋光 (CMP)用来平坦化芯片表面。 这些 平坦化的芯片表面有助于多层集成电路的生产，且防止将电介层涂覆在不平 表面上引起的畸变。 铜 CMP工艺通常分为两步： 第一步工艺是用特殊设计 的抛光液迅速去除互连金属铜；第二步工艺是用特殊设计的抛光液去除阻挡 层和少量电介质层， 提供平坦的拋光表面。 为实现抛光表面平坦化的效果， 铜 CMP的第二步抛光工艺中， 抛光液通常需要具有特定的选择性， 在去除 阻挡层和部分电介质层的同时， 不会造成作为互连导线的铜的过度凹陷。 在采用低介电材料（low-k materials)的情况下， 阻挡层和低 k介质层之 间可能有一层、两层或三层覆盖层， 顶部覆盖层可用于形貌修正， 而底部覆 盖层被用来作为拋光终止层， 以保护下面的低 k介质层免受来自化学和机械 的损伤。 顶部覆盖层可以是 TEOS或氮化硅（SiN) ， 而低部覆盖层可以是 TEOS、 碳化硅（SiC) 、 氮氧化硅（SiON) 、 氮碳化硅（SiCN) 、 SiN或 低 k介质层本身。通常， 低 k介质 CDO (carbon doped oxide)被用来作为终 止层。在一些电路设计方案中， 需要对 TEOS层选择性地去除， 但同时最小 限度地去除其他覆盖层。然而， 在另一些电路设计方案中， 却需要全部去除 覆盖层而停止在低 k介质层上。 因此在 CMP抛光液的设计中， 需要获得合 适的 TEOS、 SiN, SiC、 SiON. SiCN和 CDO的抛光速率以及它们之间的选 择比， 从而满足电路设计的各种需求。
CMP抛光液对半导体器件的抛光机理是： 首先通过化学作用改变抛光基 材表面的组成和电化学特性，然后通过机械研磨作用去除这些已经发生改变 的基材表面。在互连金属铜的抛光过程中，金属铜表面首先被氧化剂所氧化， 然后抛光液中的络合剂吸附在已被氧化的铜的表面， 并形成络合物， 最后这 些铜的氧化层和络合物被磨料去除。 但是， 由于 TEOS层（二氧化硅）具有 较强的化学惰性， 不能被化学试剂氧化和络合， 因此现在的抛光液主要通过 两种方式来提高抛光液对 TEOS层的抛光速率： （ 1 )抛光液的磨料含量较 高，一般磨料含量高于 10wt°/。，以强化拋光液的机械研磨作用去除 TEOS层， 例如专利 US 7253111。但是较高的拋光磨料容易造成对拋光基材表面的机械 损伤； （2)抛光液的 pH较高， 在碱性环境下（pH=10~11.5) ， 抛光液中的 -OH基团在 TEOS基材表面形成较多的 -SiOH基团， 强化抛光磨料与 TEOS 层表面的化学作用， 例如专利 US7276180。但是在碱性环境下， 其他一些金 属离子和磨料颗粒容易吸附在基材表面并难以去除，从而形成较多的表面污 染。
发明概要
本发明所要解决的技术问题是为了满足 Cu的化学机械抛光工艺的阻挡层拋 光阶段中， 对 TEOS需具有较高的去除速率， 以及与其它材料合适的选择比 的要求， 克服现有技术方法因增大磨料含量或 pH易造成的表面划伤， 颗粒 残留的缺陷， 而提供一种够具有较高的 TEOS的拋光速率， 较高的 TEOS对 SiN、 BD、 SiC和 SiON中的一种或多种材料的去除速率选择比， 且可获得 较好的表面形貌的化学机械抛光液。
本发明的化学机械抛光液含有水， 还含有惨杂金属的二氧化硅和下述速 率促进剂中的一种或多种： 有机酸、 氟化物、 氨水以及季铵盐及其衍生物。 掺杂金属的二氧化硅与所述的速率促进剂的配合使用可使得本发明抛光液 具有较高的电介质（TEOS) 的抛光速率。
其中，所述的掺杂金属的二氧化硅为在骨架结构中引入金属元素的二氧 化硅。在二氧化硅的骨架结构中引入金属离子是为了增强二氧化硅的强度和 稳定性。 所述的金属较佳的为铝、 锆、 铈、 金、 银、 铁、 铬或钼， 更佳的为 铝。所述的掺杂金属的二氧化硅的粒径较佳的为 20 80nm。所述的掺杂金属 的二氧化硅的用量较佳的为质量百分比 1〜20%，， 更佳的为质量百分比 3-15%, 最佳为质量百分比 3〜10%。
其中， 所述的有机酸优选草酸、 2-膦酸丁烷 -1， 2， 4-三羧酸、 2-羟基膦 酰基乙酸、氨基三亚甲基膦酸和酒石酸中的一种或多种； 所述的氟化物优选 氟化氢、 氟化铵、氟硅酸铵和氟硼酸铵中的一种或多种； 所述的季铵盐优选 四丁基氢氧化铵、 四甲基氢氧化铵和四丁基氟硼酸铵中的一种或多种。所述 的速率促进剂的用量较佳的为质量百分比 0.05~1%， 更佳的为质量百分比 0.1〜0.6%。本发明所述的速率促进剂可与与掺杂金属的二氧化硅磨料之间形 成氢键， 或者与抛光基材之间形成氢键， 或者同时与掺杂金属的二氧化硅磨 料和抛光基材之间形成氢键。仅含速率促进剂的溶液对拋光基材只具有微弱 的抛光作用，加入掾杂金属的二氧化硅磨料后，能够显著提升抛光液对 TEOS 的抛光速率。
本发明的抛光液的 pH较佳的为 2〜5。
本发明的化学机械抛光液还可进一步本领域常规化学添加剂， 如缓蚀 剂、 氧化剂、 络合剂和表面活性剂等。
本发明的抛光液由上述成分简单均勾混合， 之后采用 pH调节剂调节至 合适 pH值即可制得。 PH调节剂可选用本领域常规 pH调节剂，如氢氧化钾、 氨水和硝酸等。 本发明中， 所用试剂及原料均市售可得。
本发明的积极进步效果在于：本发明的化学机械抛光液适用于抛光二氧 化硅、 渗碳二氧化硅、氮化硅、碳化硅和氮氧化硅等绝缘体材料， 其具有较 高的 TEOS的抛光速率， 较高的 TEOS对 SiN、 BD、 SiC和 SiON中的一种 或多种材料的选择比， 较低的铜的去除速率。本发明的化学机械拋光液在磨 料含量较低的情况下，如磨料含量 1.2〜9%的情况下，仍可达到较高的 TEOS 的抛光速率， 并且具有较好的缺陷控制能力， 极大地降低了成本。 附图说明
图 1为拋光液 1和对比拋光液 1~6对 TEOS、 BD、 SiN、 SiON和 SiC 进行抛光的抛光速率对比图。
图 2为拋光液 9和对比抛光液 7对 Cu进行抛光的抛光速率对比图。 图 3为拋光液 10 13和对比抛光液 2对 TEOS、 BD、 SiN、 SiON和 SiC 进行抛光的抛光速率对比图。
图 4为拋光液 14〜18和对比抛光液 2对 TEOS、 BD、 SiN、 SiON和 SiC 进行抛光的抛光速率对比图。
图 5为抛光液 19 21和对比抛光液 2对 TEOS、 BD、 SiN、 SiON和 SiC 进行抛光的抛光速率对比图。
图 6为拋光液 22〜27对 TEOS、 BD、 SiN、 SiON和 SiC进行抛光的抛光 速率对比图。
图 7为抛光液 28~30对 TEOS、 BD、 SiN、 SiON和 SiC进行抛光的抛光 速率对比图。
图 8为抛光液 31~36对 TEOS、 BD、 SiN、 SiON和 SiC进行抛光的抛光 速率对比图。
图 9为抛光液 37〜39对 TEOS、 BD、 SiN、 SiON和 SiC进行抛光的抛 光速率对比图。
图 10为抛光液 40~49对 TEOS、 BD和 Cu进行抛光的抛光速率对比图。 图 11为抛光液 47对带有结构的芯片进行抛光后的芯片表面的 SEM扫 描图。 发明内容
下面通过实施例的方式进一步说明本发明 ,但并不因此将本发明 P艮制在 所述的实施例范围之中。 以下实施例中， 含量百分比均为质量百分比。
实施例 1 二氧化硅、 糁铝二氧化硅和氧化铝包裹二氧化硅粒子对各种拋光 基材的抛光速率
拋光液 1 :掺铝」二氧化硅（45nm) 10%, HF 0.05%, TBAH 0.3%, pH=3 o 抛光液 2:掺锆」二氧化硅（45nm) 10%, HF 0.05%, TBAH 0.3%, pH=3 o 抛光液 3 :掺饰二氧化硅（45nm) 10%, HF 0.05%, TBAH 0.3%, pH=3 o 抛光液 4:掺金:二氧化硅（45nm) 10%, HF 0.05%, TBAH 0.3%, pH=3 c 抛光液 5:掺银二氧化硅（45nm) 10%， HF 0.05%, TBAH 0.3%, pH=3 o 拋光液 6:掺铁」二氧化硅（45nm) 10%, HF 0.05%, TBAH 0.3%, pH=3 o 抛光液 7:掺铬:二氧化硅（45nm) 10%, HF 0.05%, TBAH 0.3%, pH=3 o 抛光液 8: 掺钼:二氧化硅 (45nm) 10%, HF 0.05%, TBAH 0.3%, pH=3. 对比拋光液 1 : HF 0.05%, 四丁基氢氧化铵 （TBAH) 0.3%, pH=3。 对比抛光液 2: 掺铝二氧化硅 （45nm) 10%, pH=3。
对比抛光液 3: 二氧化硅 (35nm) 10%, pH=3。
对比抛光液 4: 二氧化硅 (35nm) 10%， HF 0.05%, TBAH 0.3%, pH=3。 对比抛光液 5: 二氧化硅包裹二氧化硅 （30nm) 10%, pH=3。
对比抛光液 6: 二氧化硅包裹二氧化硅（30nm) 10%， HF 0.05%, TBAH 0.3%, pH=3。
采用抛光液 1和对比抛光液 1〜6对 TEOS、 BD、 SiN、 SiON和 SiC进行 抛光。 抛光条件： 下压力 2.0psi， 抛光布 Politex, 拋光盘转速 70rpm， 抛光 液流速 lOOml/min,抛光机台 Logitec PM5。对各材料的抛光速率如图 1所示。 由图 1表明， 与对比拋光液 1~6相比， 只有含有掺铝二氧化硅和速率促 进剂 HF和 TBAH的抛光液 1具有较高的 TEOS的抛光速率， 以及较低的 BD、 SiN和 SiC材料的抛光速率。 而 Si02和氧化铝包裹的二氧化硅粒子与 化学组分组合后都不能达到此效果。 由掺铝二氧化硅的结构可以推知， 掺杂 其他金属的二氧化硅与上述速率促进剂组合后， 也能具有相似的效果。
实施例 2 含有掺铝二氧化硅和四丁基氢氧化铵的抛光液对 Cu抛光基材的 抛光速率
抛光液 9:掺铝二氧化硅（45nm) 6%, TBAH 0.3%, BTA 0.15%, pH=3.0。 对比抛光液 7: 掺铝二氧化硅（45nm) 6%， BTA 0.15%， pH=3.0。
抛光条件： 下压力 1.5psi， 抛光布 Politex, 抛光盘转速 70rpm， 抛光液 流速 100ml/min， 抛光机台 Logitec PM5。 对 Cu的抛光速率如图 2所示。
由图 2表明， 与对比拋光液 7相比， 引入速率促进剂 TBAH的抛光液 7 具有较低的 Cu拋光速率。结合实施例 1的结果，引入速率促进剂 TBAH后， 增加 TEOS抛光速率而降低 Cu的抛光速率， 从而能够赋予对带有结构的芯 片表面较强的平面矫正效果。
实施例 3 含速率促进剂、 掺铝二氧化硅的抛光液对各种抛光基材的拋光速 率
拋光液 10: 掺铝二氧化硅 （45nm) 10%, TBAH 0.3%, pH=3。
抛光液 11 :掺铝二氧化硅（45nm) 10%,四甲基氢氧化铵 (TMAH) 0.3%, pH=3 o
抛光液 12: 掺铝二氧化硅 （45nm) 10%, 氨水 0.3%， pEK3。 拋光液 13: 掺铝二氧化硅（45nm) 10%, 氟化铵 0.3%， pH=3。
采用上述抛光液对 TEOS、 BD、 SiN、 SiON和 SiC进行抛光。拋光条件： 下压力 2.0psi， 抛光布 Politex, 抛光盘转速 70rpm， 抛光液流速 100ml/min， 抛光机台 Logitec PM5。 对各材料的抛光速率如图 3所示。
图 3表明， 采用以上速率促进剂与掺铝二氧化硅组合后， 能够增加抛光 液对 TEOS的抛光速率， 且具有较高的 TEOS对 SiN、 BD、 SiC和 SiON中 的一种或多种材料的选择比。
实施例 4 含有机酸、 掺铝二氧化硅的抛光液对各种抛光基材的抛光速率 抛光液 14: 掺铝二氧化硅（45nm) 10%, 草酸 0.3%， pH=3。
抛光液 15: 掺铝二氧化硅（45nm) 10%, 2-膦酸丁烷 -1， 2， 4-三羧酸
0.3%, pH=3。
抛光液 16:掺铝二氧化硅（45nm) 10%, 2-羟基膦酰基乙酸 0.3%， pH=3。 抛光液 17:掺铝二氧化硅（45nm) 10%,氨基三亚甲基膦酸 0.3%, pH=3。 抛光液 18: 掺铝二氧化硅（45nm) 10%, 酒石酸（TA) 0.3%, pH=3。 采用上述抛光液对 TEOS、 BD、 SiN、 SiON和 SiC进行抛光。抛光条件： 下压力 2.0psi, 抛光布 Politex, 抛光盘转速 70rpm， 抛光液流速 100ml/min， 抛光机台 LogiteC PM5。 对各材料的抛光速率如图 4所示。
图 4表明， 采用以上速率促进剂与掺铝二氧化硅组合后， 能够增加拋光 液对 TEOS的抛光速率，尤其以草酸最为显著，且具有较高的 TEOS对 SiN、
BD、 SiC和 SiON中的一种或多种材料的选择比。
实施例 5 含氟化物、 掺铝二氧化硅的抛光液对各种抛光基材的抛光速率 抛光液 19: 掺铝二氧化硅 （45nm) 10%, 氟化氢 0.3%， pH=3。 抛光液 20: 掺铝二氧化硅（45nm) 10%, 氟硅酸铵 0.3%， pH=3。 抛光液 21 : 掺铝二氧化硅（45nm) 10%， 氟硼酸铵 0.3%, pH=3。 采用上述拋光液对 TEOS、 BD、 SiN、 SiON和 SiC进行抛光。拋光条件: 下压力 2.0psi， 抛光布 Politex, 拋光盘转速 70rpm， 拋光液流速 100ml/min， 抛光机台 Logitec PM5。 对各材料的抛光速率如图 5所示。
图 5表明，采用以上速率促进剂与掺铝二氧化硅组合后， 能够增加抛光 液对 TEOS的拋光速率， 且具有较高的 TEOS对 SiN、 BD、 SiC和 SiON中 的一种或多种材料的选择比。
实施例 6 含不同含量的掺铝二氧化硅的抛光液对各种拋光基材的拋光速率 拋光液 22:掺铝二氧化硅（45nm) 1%, HF 0.05°/。， TBAH 0.3%, pH=3。 抛光液 23:渗铝二氧化硅（45nm) 3%, HF 0.05%, TBAH 0.3%, pH=3。 抛光液 24:掺铝二氧化硅（45nm) 6%, HF 0.05%, TBAH 0.3%, pH=3。 抛光液 25:掺铝二氧化硅（45nm) 10%, HF 0.05%, TBAH 0.3%, pH=3。 拋光液 26:掺铝二氧化硅（45nm) 15%, HF 0.05%, TBAH 0.3%, pH=3。 抛光液 27:掺铝二氧化硅（45nm) 20%， HF 0.05%, TBAH 0.3%, pH=3。 釆用上述抛光液对 TEOS、 BD、 SiN、 SiON和 SiC进行抛光。抛光条件- 下压力 2.0psi, 抛光布 Politex, 抛光盘转速 70rpm， 抛光液流速 100ml/min， 抛光机台 Logitec PM5。 对各材料的抛光速率如图 6所示。
图 6表明，掺铝二氧化硅的用量的较佳的为 1%~20%，更佳的为 3~15%， 最佳的为 3~10%。
实施例 7 含不同粒径的掺铝二氧化硅的抛光液对各种抛光基材的抛光速率 抛光液 28:掺铝二氧化硅（25nm) 6%, HF 0.05%, TBAH 0.3%, pH=3。 抛光液 29:惨铝二氧化硅（45hm) 6%, HF 0.05%, TBAH O.3%, pH=3。 抛光液 30:掺铝二氧化硅（80nm) 6%, HF 0.05%, TBAH O.3%, pH=3。 采用上述抛光液对 TEOS、 BD、 SiN、 SiON和 SiC进行抛光。拋光条件: 下压力 2.0psi， 抛光布 Politex, 抛光盘转速 70rpm， 抛光液流速 100ml/min， 抛光机台 Logitec PM5。 对各材料的抛光速率如图 7所示。
图 7表明， 惨铝二氧化硅的粒径的较佳范围为 20〜80nm。
实施例 8 含不同用量的速率增助剂的抛光液对各种抛光基材的抛光速率 抛光液 31 : 掺铝:二氧化硅（45nm) 6%, TBAH 0.02%, pH=3 o 抛光液 32: 掺招:二氧化硅（45nm) 6%, TBAH 0.05%, pH=3 o 抛光液 33: 惨铝:二氧化硅（45nm) 6%, TBAH 0.1%, pH=3 o 拋光液 34: 掺铝:二氧化硅（45nm) 6%, TBAH 0.3%, pH=3 o 抛光液 35: 掺铝:二氧化硅 (45nm) 6%, TBAH 0.6%， pH=3 o 抛光液 36: 掺铝:二氧化硅（45nm) 6%, TBAH 1%, pH=3 o
采用上述抛光液对 TEOS、 BD、 SiN、 SiON和 SiC进行拋光。抛光条件： 下压力 2.0psi， 拋光布 Politex, 拋光盘转速 70rpm， 拋光液流速 100ml/min， 抛光机台 Logitec PM5。 对各材料的抛光速率如图 8所示。
图 8 表明， 速率促进剂的用量较佳的为 0.05〜lwt%， 更佳的为 0.1〜0.6wt%。
实施例 9 不同 pH值的抛光液对各种拋光基材的抛光速率
拋光液 37: 掺铝二氧化硅（45nm) 6%, TBAH 0.1%, pH=2。
抛光液 38: 惨铝二氧化硅（45nm) 6%, TBAH 0.1%, pH=3。
抛光液 39: 掺铝二氧化硅（45nm) 6%, TBAH 0.1%, pH=5。 采用上述抛光液对 TEOS、 BD、 SiN、 SiON和 SiC进行抛光。抛光条件： 下压力 2.0psi， 抛光布 Politex, 抛光盘转速 70rpm， 抛光液流速 100ml/min， 拋光机台 Logitec PM5。 对各材料的抛光速率如图 9所示。
图 9表明， 本发明的抛光液的 pH范围较佳的为 2~5。
实施例 10 含有其他添加剂的抛光液对各种拋光基材的拋光速率
抛光液 40: 惨铝二氧化硅（45nm) 10%, 氢氟酸 0.027%， 四丁基氢氧 化铵 0.3%， 苯并*** 0.15%， pH=2.6。
抛光液 41 : 掺铝二氧化硅（45nm) 10%, 氢氟酸 0.027%， 四丁基氢氧 化铵 0.3%， 2-膦酸丁烷 -1， 2, 4-三羧酸 0.1%，
抛光液 42: 掺铝二氧化硅（45nm) 10%, 氢氟酸 0.027%， 四丁基氢氧 化铵 0.3%, 聚丙烯酸铵 0.1%， pH=2.6。
抛光液 43 : 掺铝二氧化硅（45nm) 1.2%, 氢氟酸 0.003%， 四丁基氢氧 化铵 0.033%， 苯并*** 0.1%， 2-膦酸丁垸 -1， 2, 4-三羧酸 0.044%， 聚丙 烯酸铵 0.01%, pH=2.6。
抛光液 44: 掺铝二氧化硅（45nm) 1.64%, 氢氟酸 0.0045%， 四丁基氢 氧化铵 0.05%， 苯并*** 0.1%， 2-膦酸丁焼 -1 , 2， 4-三羧酸 0.067%， 聚丙 烯酸铵 0.01%， pH=2.6。
拋光液 45 : 掺铝二氧化硅（45nm) 2.00%, 氢氟酸 0.006%， 四丁基氢 氧化铵 0.067%， 苯并*** 0.1%， 2-膦酸丁烷 -1， 2， 4-三羧酸 0.089%， 聚 丙烯酸铵 0.01%， pH=2.6。
抛光液 46: 掺铝二氧化硅（45nm) 3.0%, 氢氟酸 0.009%， 四丁基氢氧 化铵 0.10%, 苯并*** 0.1%, 2-膦酸丁烷 -1， 2, 4-三羧酸 0.13%， 聚丙烯 酸铵 0.01%，
抛光液 47: 惨铝二氧化硅（45nm) 6.0%, 氢氟酸 0.018%， 四丁基氢氧 化铵 0.2%, 苯并*** 0.1%， 2-膦酸丁焼 -1， 2， 4-三羧酸 0.2%， 聚丙烯酸 铵 0.01%， pH=2.6。
抛光液 48: 掺铝二氧化硅（45nm) 9.0%, 氢氟酸 0.027%， 四丁基氢氧 化铵 0.3%， 苯并*** 0.1%， 2-膦酸丁垸 -1， 2， 4-三羧酸 0.2%, 聚丙烯酸 续 0.01%, pH=2.6。
抛光液 49: 掺铝二氧化硅（45nm) 18%, 氢氟酸 0.054%， 四丁基氢氧 化铵 0.6%， 苯并*** 0.2%， 2-膦酸丁烷 -1， 2， 4-三羧酸 0.4%， 聚丙烯酸 铁 0.01%, pH=2.6。
釆用上述抛光液对 TEOS.BD和 Cu进行抛光。抛光条件:下压力 1.5psi， 拋光布 Politex,抛光盘转速 70rpm，抛光液流速 100ml/min，抛光机台 Logitec PM5。 对各材料的抛光速率如图 10所示。
图 10表明，抛光液 40〜49都具有较高的 TEOS的抛光速率和较低的 BD 的去除速率， 抛光液 40、 43〜49都具有较低的 Cu抛光速率。
采用为抛光液 47对带有结构的芯片进行抛光， 效果如图 11所示， 所得 芯片抛光后表面无刮伤、 化学腐蚀和污染等缺陷。

Claims (1)

  1. 权利要求
    1.一种化学机械拋光液， 其含有水， 其特征在于还含有： 掺杂金属 的二氧化硅和下述速率促进剂中的一种或多种： 有机酸、 氟化物、 氨水 以及季铵盐及其衍生物。
    2.如权利要求 1所述的化学机械拋光液， 其特征在于： 所述的金属 为铝、 锆、 铈、 金、 银、 铁、 铬或钼。
    3.如权利要求 1所述的化学机械拋光液， 其特征在于： 所述的掺杂 金属的二氧化硅的粒径为 20~80nm。
    4.如权利要求 1所述的化学机械抛光液， 其特征在于： 所述的掺杂 金属的二氧化硅的用量为质量百分比 1~20%。
    5.如权利要求 4所述的化学机械抛光液， 其特征在于： 所述的掺杂 金属的二氧化硅的用量为质量百分比 3~10%。
    6.如权利要求 1所述的化学机械抛光液， 其特征在于： 所述的有机 酸选自草酸、 2-膦酸丁烷 -1， 2， 4-三羧酸、 2-羟基膦酰基乙酸、 氨基三 亚甲基膦酸和酒石酸中的一种或多种； 所述的氟化物选自氟化氢、 氟化 铵、 氟硅酸铵和氟硼酸铵中的一种或多种； 所述的季铵盐选自四丁基氢 氧化铵、 四甲基氢氧化铵和四丁基氟硼酸铵中的一种或多种。
    7.如权利要求 1所述的化学机械抛光液， 其特征在于： 所述的速率 促进剂的用量为质量百分比 0.05〜1%。
    8.如权利要求 7所述的化学机械抛光液， 其特征在于： 所述的速率 促进剂的用量为质量百分比 0.1~0.6%。
    9.如权利要求 1所述的化学机械拋光液， 其特征在于： 所述的化学 机械抛光液的 pH为 2~5。
    10. 如权利要求 1所述的化学机械拋光液， 其特征在于： 所述的化 学机械拋光液还含有缓蚀剂、 氧化剂、 络合剂和表面活性剂中的一种或 多种。
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