CN101944387A - 一种分段式反熔丝编程方法、装置及编程器 - Google Patents
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Abstract
本发明适用于计算机技术领域，提供了一种分段式反熔丝编程方法、装置及编程器，所述方法包括下述步骤：根据预设的寻址函数，计算待编程反熔丝字节存储单元的段地址和偏移量，获取待编程反熔丝字节存储单元的逻辑地址；对所述逻辑地址对应的所述待编程反熔丝字节存储单元进行反熔丝编程，连续反熔丝编程的两个字节存储单元位于不同的段。本发明通过增加寻址函数，将传统的顺序字节存储单元地址依次编程的方式，通过改变编程的次序，使连续被编程的两个字节存储单元地址按一定间隔错开，从而避免了对相邻字节存储单元连续编程而产生持续热量而影响周围存储单元，有效地提高反熔丝编程的成功率和可靠性。
Description
技术领域
本发明属于计算机技术领域，尤其涉及一种分段式反熔丝编程方法、装置及编程器。
背景技术
反熔丝技术是相对于熔丝技术而言的。熔丝技术广泛用于各种可编程逻辑器件中，例如，可编程逻辑阵列PAL，当PAL在编程器被烧录之后，原先短接的点断开。反熔丝技术刚好相反，原来断开的点在烧录之后，短接上了，这种短接是永久性的，所以编程中器件的电流和热量有明显增加。反熔丝技术的特点，决定了反熔丝单元较小，占用芯片面积小，工作频率高。
目前，通过反熔丝技术对可编程只读存储器PROM进行编程时，采用的是对连续字节存储单元进行顺序地址编程的方法，以足够的能量击穿氧化层从而形成互联通路，完成编程，这是一个长时间的过程；对于大于8Mb的大容量PROM进行反熔丝编程则需要更长的时间，这样对存储芯片编程时造成一定的发热量，由于器件封装的原因，热量无法迅速散发，长时间下会影响对周围的存储单元，降低稳定性。另外，为提高存储单元的可靠性，降低存储器面积，要求最大限度减少存储单元可编程余量，这就需要使用位(bit)编程方法对存储器进行编程。位(bit)编程方法就是每次只对存储器的某个字节(byte)的其中一位(bit)编程，跟字节编程相比，编程同样的存储量，位(bit)编程方式需要8倍以上时间。在如此高电压、大电流的长时间编程中，如果采用连续单元顺序地址编程，将导致某些存储单元电路由于周围持续产生热量而无法编程或者可靠性降低，甚至烧断金属连线。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种分段式反熔丝编程方法，旨在解决由于采用连续单元顺序地址编程，导致存储单元电路由于周围持续大量发热而无法编程、可靠性降低，甚至烧断金属连线的问题。
本发明实施例是这样实现的，一种分段式反熔丝编程方法，所述方法包括下述步骤：
根据预设的寻址函数，计算待编程反熔丝字节存储单元的段地址和偏移量，获取待编程反熔丝字节存储单元的逻辑地址；
对所述逻辑地址对应的所述待编程反熔丝字节存储单元进行反熔丝编程，连续反熔丝编程的两个字节存储单元位于不同的段。
本发明实施例的另一目的在于提供一种分段式反熔丝编程装置，所述装置包括：
逻辑地址获取单元，用于根据预设的寻址函数，计算待编程反熔丝字节存储单元的段地址和偏移量，获取待编程反熔丝字节存储单元的逻辑地址；以及
反熔丝编程单元，用于对所述逻辑地址对应的所述待编程反熔丝字节存储单元进行反熔丝编程，连续反熔丝编程的两个字节存储单元位于不同的段。
本发明实施例的另一目的在于提供一种包含分段式反熔丝编程装置的编程器，所述反熔丝编程装置包括：
逻辑地址获取单元，用于根据预设的寻址函数，计算待编程反熔丝字节存储单元的段地址和偏移量，获取待编程反熔丝字节存储单元的逻辑地址；以及
反熔丝编程单元，用于对所述逻辑地址对应的所述待编程反熔丝字节存储单元进行反熔丝编程，连续反熔丝编程的两个字节存储单元位于不同的段。
本发明实施例通过增加寻址函数将连续编程的两个反熔丝字节存储单元分布到不同的段，实现对不同分段的存储单元进行反熔丝编程，从而避免了由于对相邻存储单元连续长时间编程产生大热量而烧坏邻近存储单元，有效地提高反熔丝编程的成功率和可靠性。
附图说明
图1是本发明第一实施例提供的分段式反熔丝编程方法的实现流程图；
图2是本发明第二实施例提供的分段式反熔丝编程装置的结构图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例通过增加寻址函数将顺序编程改成按一定地址间隔编程，使两个连续反熔丝字节存储单元分布在不同的段，实现对字节存储单元进行分段式反熔丝编程，从而避免了由于对相邻字节存储单元连续长时间编程产生热量而影响邻近存储单元，有效地提高反熔丝编程的成功率和可靠性。
本发明实施例提供了一种分段式反熔丝编程方法，所述方法包括下述步骤：
根据预设的寻址函数，计算待编程反熔丝字节存储单元的段地址和偏移量，获取待编程反熔丝字节存储单元的逻辑地址；
对所述逻辑地址对应的所述待编程反熔丝字节存储单元进行反熔丝编程，连续反熔丝编程的两个字节存储单元位于不同的段。
本发明实施例还提供了一种分段式反熔丝编程装置，所述装置包括：
逻辑地址获取单元，用于根据预设的寻址函数，计算待编程反熔丝字节存储单元的段地址和偏移量，获取待编程反熔丝字节存储单元的逻辑地址；以及
反熔丝编程单元，用于对所述逻辑地址对应的所述待编程反熔丝字节存储单元进行反熔丝编程，连续反熔丝编程的两个字节存储单元位于不同的段。
本发明实施例还提供了一种包含分段式反熔丝编程装置的编程器，所述反熔丝编程装置包括：
逻辑地址获取单元，用于根据预设的寻址函数，计算待编程反熔丝字节存储单元的段地址和偏移量，获取待编程反熔丝字节存储单元的逻辑地址；以及
反熔丝编程单元，用于对所述逻辑地址对应的所述待编程反熔丝字节存储单元进行反熔丝编程，连续反熔丝编程的两个字节存储单元位于不同的段。
本发明实施例通过增加寻址函数将连续编程的两个反熔丝字节存储单元分布到不同的段，实现对不同分段的存储单元进行反熔丝编程，从而避免了由于对相邻存储单元连续长时间编程产生热量而影响邻近存储单元，有效地提高反熔丝编程的成功率和可靠性。
以下结合具体实施例对本发明的具体实现进行详细描述：
实施例一：
图1示出了本发明第一实施例提供的分段式反熔丝编程方法的实现流程，详述如下：
在步骤S101中，根据预设的寻址函数，计算待编程反熔丝字节存储单元的段地址和偏移量，获取待编程反熔丝字节存储单元的逻辑地址；
在本发明实施例中，需要预先配置反熔丝编程的寻址函数，在配置反熔丝编程的寻址函数时，应选择能全面覆盖所有存储单元的函数，即每个位地址都能被覆盖。例如，使用函数z＝a*x+y作为寻址函数，其中a为常数，表示两次编程地址之间的间隔，也就是段的大小；x表明在哪一个段进行编程；y表示段内偏移量，其取值范围为0到a-1之间。第一次编程时，x＝0，y＝0，z＝0接着第二次x＝1，y＝0，z＝a，第三次z＝2a，...，...，x取值遍历所有段后，偏移量y加1，x又从0开始取值，z依次等于
0，a，2a......
1，a+1，2a+1......
2，a+2，2a+2......
如此依次循环，直到z实现相应存储器单元的全覆盖。
在步骤S102中，对逻辑地址对应的待编程反熔丝字节存储单元进行反熔丝编程，连续反熔丝编程的两个字节存储单元位于不同的段。
在本发明实施中，在编程初始，编程写入成功率最高的情况下，连续写入一个字节的编程脉冲宽度因工艺的原因会有所差别。所以，先用芯片手册推荐的最短脉冲宽度T写入，然后读出，比较期望值与实际编程值，如果不一致，则写入失败，增大编程脉冲宽度T的值，再次写入，再读出，如此循环，直到成功写入。如果编程脉冲宽度T超过芯片最大有效编程时间，则通知编程器写入失败，编程操作中止。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，所述的存储介质，如ROM/RAM、磁盘、光盘等。
实施例二：
图2示出了本发明第二实施例提供的分段式反熔丝编程装置的结构，为了便于说明，仅示出了与本发明实施例相关的部分。
寻址函数配置单元21，用于配置反熔丝编程的寻址函数；
逻辑地址获取单元22，用于根据寻址函数配置单元21预设的寻址函数，计算待编程反熔丝字节存储单元的段地址和偏移量，获取待编程反熔丝字节存储单元的逻辑地址；以及
反熔丝编程单元23，用于对待编程反熔丝字节存储单元进行反熔丝编程，连续编程的两个反熔丝字节存储单元位于不同的段。
在本发明实施例中，该分段式反熔丝编程装置可以内置于编程器的软件单元、硬件单元或软硬件结合单元。
本发明实施例通过增加寻址函数将连续编程的两个反熔丝字节存储单元分布到不同的段，从而避免了由于对存储器的相邻字节存储单元长时间连续编程持续产生热量而烧坏其他相邻存储单元的问题，有效地提高了存储器的利用率、以及反熔丝编程的成功率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种分段式反熔丝编程方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：
根据预设的寻址函数，计算待编程反熔丝字节存储单元的段地址和偏移量，获取待编程反熔丝字节存储单元的逻辑地址；
对所述逻辑地址对应的所述待编程反熔丝字节存储单元进行反熔丝编程，连续反熔丝编程的两个字节存储单元位于不同的段。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据预设的寻址函数，计算待编程反熔丝字节存储单元的段地址和偏移量，获取待编程反熔丝字节存储单元的逻辑地址的步骤之前，所述方法进一步包括下述步骤：
配置反熔丝编程的寻址函数。
3.一种分段式反熔丝编程装置，其特征在于，所述装置包括：
逻辑地址获取单元，用于根据预设的寻址函数，计算待编程反熔丝字节存储单元的段地址和偏移量，获取待编程反熔丝字节存储单元的逻辑地址；以及
反熔丝编程单元，用于对所述逻辑地址对应的所述待编程反熔丝字节存储单元进行反熔丝编程，连续反熔丝编程的两个字节存储单元位于不同的段。
4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述装置进一步包括：
寻址函数配置单元，用于配置反熔丝编程的寻址函数。
5.一种包含有分段式反熔丝编程装置的编程器，其特征在于，所述反熔丝编程装置包括：
逻辑地址获取单元，用于根据预设的寻址函数，计算待编程反熔丝字节存储单元的段地址和偏移量，获取待编程反熔丝字节存储单元的逻辑地址；以及
反熔丝编程单元，用于对所述逻辑地址对应的所述待编程反熔丝字节存储单元进行反熔丝编程，连续反熔丝编程的两个字节存储单元位于不同的段。
6.如权利要求5所述的编程器，其特征在于，所述反熔丝编程装置进一步包括：
寻址函数配置单元，用于配置反熔丝编程的寻址函数。
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