CN101911313A - 太阳能电池和制造该太阳能电池的方法 - Google Patents

太阳能电池和制造该太阳能电池的方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电类型的基板；位于所述基板上并与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层；依次地设置在所述发射极层上的第一防反射层和第二防反射层；电连接到所述发射极层的第一电极；依次地设置在所述基板上的第一钝化层到第三钝化层，各个所述第一钝化层到所述第三钝化层包括多个暴露部分；以及电连接到所述基板的由所述多个暴露部分暴露出的部分的多个第二电极。

Description

太阳能电池和制造该太阳能电池的方法
技术领域
本发明的实施方式涉及一种太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。
背景技术
近年来，随着预期诸如石油和煤炭等现有能源即将耗尽，取代这些现有能源的替代能源日益受到关注。在替代能源中，太阳能电池尤其受到公众的注意，这是由于，作为由太阳能产生电能的电池，太阳能电池能够从丰富的来源中提取出能量且不造成环境污染。一般的太阳能电池包括由半导体形成并各自具有诸如p型和n型的不同导电类型的基板和发射极层、以及分别形成在基板和发射极层上的电极。一般的太阳能电池还包括形成在基板与发射极层之间的交界面处的pn结。
当光入射在太阳能电池上时，在半导体中产生了多个电子-空穴对。通过光伏效应将多个电子-空穴对中的每一对都分离为电子和空穴。因此，被分离出的电子移动到n型半导体(例如，发射极层)，而分离出的空穴移动到p型半导体(例如，基板)，并且由分别电连接到发射极层和基板的电极收集电子和空穴。使用电线将电极相互连接起来以获得电能。
发明内容
技术问题
实施方式提供了能够缩短太阳能电池的制造时间的太阳能电池。
技术方案
根据本发明的一个方面，提供了一种形成太阳能电池的电极的方法，该方法包括以下步骤：在包括发射极层的基板的一部分上选择性地形成至少暴露出所述基板的一部分的钝化层，所述钝化层包括至少一层；形成电连接到所述发射极层的第一电极；以及在所述基板的该暴露部分上形成多个第二电极以将该多个第二电极电连接到所述基板。
在所述基板的光未入射的表面上形成所述钝化层。
所述形成所述钝化层的步骤可以包括以下步骤：在所述基板上设置包括多个开口和多个阻挡部的掩模；以及在所述基板的面向所述开口的部分上形成一个层，并且形成所述基板的面向所述阻挡部的多个暴露部分，以形成包括所述多个暴露部分的所述钝化层，其中，所述多个第二电极穿过所述多个暴露部分电连接到所述基板。
根据本发明的另一个方面，提供了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：第一导电类型的基板；位于所述基板上并与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层；依次地设置在所述发射极层上的第一防反射层和第二防反射层；电连接到所述发射极层的第一电极；依次地设置在所述基板上的第一钝化层到第三钝化层，各个所述第一钝化层到所述第三钝化层包括多个暴露部分；以及电连接到所述基板的由所述多个暴露部分暴露出的部分的多个第二电极。
所述第一防反射层可以由硅氮化物(SiNx:H)形成，所述第二防反射层可以由硅氮氧化物(SiOxNy)形成。
所述第一防反射层的折射率可以大于所述第二防反射层的折射率。
所述第一防反射层可以具有大约2.2到2.6的折射率，而所述第二防反射层可以具有大约1.3到1.6的折射率。
所述第一钝化层可以由硅氧化物(SiOx)形成，所述第二钝化层可以由硅氮化物(SiNx:H)形成，所述第三钝化层可以由硅氮氧化物(SiOxNy)形成。
所述第一钝化层可以具有最大折射率，而所述第三钝化层可以具有最小折射率。
所述第一电极的厚度可以大于所述第一防反射层和所述第二防反射层的厚度之和。
根据本发明的又一个发明，提供了一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：在第一导电类型的基板上形成与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层；依次地将所述基板放置在多个室中，以在所述发射极层上形成防反射层，并且在所述基板的与所述基板的入射表面相反的后表面上形成包括至少一个暴露部分的钝化层；在所述防反射层上涂敷第一膏以形成第一电极图案；在所述钝化层上并在所述基板的由所述暴露部分暴露出的部分上涂敷第二膏以形成第二电极导电层图案；以及对具有所述第一电极图案和所述第二电极导电层图案的所述基板执行热处理，以形成电连接到所述发射极层的多个第一电极，并形成包括电连接到所述基板的至少一个第二电极的第二电极导电层。
室的数量可以等于构成所述防反射层的层数与构成所述钝化层的层数之和，其中，可以将不同的源气体注入各个所述多个室中。
所述防反射层可以包括各自具有不同折射率的第一防反射层和第二防反射层。
所述第一防反射层可以由硅氮化物(SiNx:H)形成，所述第二防反射层可以由硅氮氧化物(SiOxNy)形成。
所述钝化层可以包括各自具有不同折射率的第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层。
被设置得距所述基板最近的所述第一钝化层可以具有最大折射率，而被设置得距所述基板最远的所述第三钝化层可以具有最小折射率。
所述第一钝化层可以由硅氧化物(SiOx)形成，所述第二钝化层可以由硅氮化物(SiNx:H)形成，而所述第三钝化层可以由硅氮氧化物(SiOxNy)形成。
所述形成所述防反射层和所述钝化层的步骤可以包括以下步骤：在各个所述多个室中独立地执行层形成处理。
所述形成所述防反射层和所述钝化层的步骤可以包括以下步骤：在所述基板上设置包括至少一个开口和至少一个阻挡部的掩模，并且使用所述掩模对所述基板执行所述层形成处理，以形成所述第一钝化层、所述第二钝化层和所述第三钝化层，其中，可以使用相同的掩模形成所述第一钝化层、所述第二钝化层和所述第三钝化层。
所述层形成处理可以使用化学汽相沉积(CVD：chemical vapordeposition)方法。
有益效果
根据这些方面，缩短了太阳能电池的制造时间。
附图说明
附图被包括在本说明书中以提供对本发明的进一步理解，并结合到本说明书中且构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施方式，且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是根据本发明的一个示例性实施方式的太阳能电池的局部立体图；
图2是沿图1中的直线II-II截取的截面图；
图3到图8是依次地示出了在根据本发明的示例性实施方式的制造太阳能电池的方法中的各个步骤的截面图；以及
图9和图10示出了根据本发明的示例性实施方式的掩模的示例。
具体实施方式
下文中，将参照附图更加全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例实施方式。但是，本发明可以通过不同形式实现，不应将本发明理解为限于本文中阐述的实施方式。
在附图中，为了清晰起见，夸大了层、膜、板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的要素。应当理解，当诸如层、膜、区域、或基板的一个要素被表示为“在另一个要素上”时，该要素可以直接地位于该另一个要素上，或者也可以存在中间要素。相反，当一个要素被表示为“直接位于另一个要素上”时，不存在中间要素。
现在，参考附图，将对根据本发明的示例性实施方式的太阳能电池和制造太阳能电池的方法进行描述。
首先，将参照图1和图2来描述根据本发明的一个示例性实施方式的太阳能电池。
图1是根据本发明的一个示例性实施方式的太阳能电池的局部立体图，而图2是沿图1中的直线II-II截取的截面图。
参照图1，根据一个示例性实施方式的太阳能电池1包括基板110、位于基板110的光入射的入射表面(下文中，将其称为“前表面”)上的发射极层120、位于发射极层120上的防反射层130、位于基板110的与基板110的前表面相反的后表面上的钝化层190、电连接到发射极层120的多个前电极141、多个前电极集流器142、后电极导电层155、以及多个背表面场(BSF)171。该多个前电极集流器142连接到该多个前电极141，并且在与前电极141交叉的方向上延伸。后电极导电层155设置在钝化层190上并且包括电连接到基板110的多个后电极151。该多个BSF 171设置在基板110与该多个后电极151之间。
在该示例实施方式中，尽管没有要求，但是基板110可以由掺杂了第一导电类型(例如，p型)杂质的硅形成。硅的例子包括单晶硅、多晶硅和非晶硅。当基板110是p型时，基板110包含诸如硼(B)、镓(Ga)、铟(In)的III族元素的杂质。或者，基板10可以是n型，并且/或者可以由硅以外的材料制成。当基板110是n型时，基板110可以包含诸如磷(P)、砷(As)和锑(Sb)的V族元素的杂质。
使基板110的表面纹理化(textured)以形成对应于不平坦表面的纹理化表面。
发射极层120设置在基板110的入射表面和侧部上。发射极层120是具有与基板110的第一导电类型相对的第二导电类型(例如，n型)的杂质部。发射极层120与基板110形成pn结。
通过由pn结产生的内在的电势差将由于光入射在基板110上而产生的多个电子-空穴对分离成电子和空穴。随后，分离出的电子向n型半导体移动，而分离出的空穴向p型半导体移动。因此，当基板110是p型而发射极层120是n型时，分离出的空穴移动到基板110而分离出的电子移动到发射极层120。因此，基板110中的空穴和发射极层120中的电子成为主载流子。
由于基板110与发射极层120形成了pn结，因此与上述实施方式不同当基板110是n型时，发射极层120可以是p型。在该情况下，分离出的电子移动到基板110，而分离出的空穴移动到发射极层120。
回到发射极层120是n型的实施方式，可以通过对基板110掺杂诸如P、As和Sb的V族元素的杂质来形成发射极层120。相反，当发射极层120是p型时，可以通过对基板110掺杂诸如B、Ga和In的III族元素来形成发射极层120。
在设置于基板110的前表面上的发射极层120上形成防反射层130。防反射层130包括第一防反射层131和第二防反射层132。在该实施方式中，第一防反射层131由硅氮化物(SiNx:H)形成，而第二防反射层132由硅氮氧化物(SiOxNy)形成。此时，x与y可以大于“0”且小于“1”。
从第二防反射层132和第一防反射层131反射的光产生了破坏***界面，以降低光的反射并提高光的预定波长的选择性。此外，第一防反射层131和第二防反射层132将存在于发射极层120的表面附近的不稳定键(如悬挂键)改变成稳定键，以减少由于不稳定键而导致的向发射极层120移动的电荷的消失。
如上所述，当x和y的范围大于“0”且小于“1”时，增加了破坏***界面的量。
针对第一防反射层131和第二防反射层132的上述功能，第一防反射层131具有大约2.2到2.6的折射率，而第二防反射层132具有大约1.3到1.6的折射率。也就是说，第一防反射层131的折射率大于第二防反射层132的折射率。
该多个前电极141设置在发射极层120上，并且电连接到发射极层120。多个前电极141彼此分开并且在预定方向上延伸。前电极141收集移动到发射极层120的电荷(例如，电子)。
该多个前电极集流器142设置在发射极层120上与第一电极141相同一级的层上，并且在与前电极141相交叉的方向上延伸。前电极集流器142收集从前电极141传送来的电荷并且将电荷输出到外部器件。
前电极141和前电极集流器142由至少一种导电材料制成。该导电材料的例子可以是从包含镍(Ni)、铜(Cu)、银(Ag)、铝(Al)、锡(Sn)、锌(Zn)、铟(In)、钛(Ti)、金(Au)和它们的组合的组中选择的至少一种。
钝化层190设置在基板110的后表面上。钝化层190包括多个暴露部分181，基板110的多个部分通过钝化层190的这些暴露部分而暴露出来。钝化层190包括依次设置在基板110上的第一钝化层191到第三钝化层193。
在本实施方式中，第一钝化层191由硅氧化物(SiOx)形成，第二防反射层192由硅氮化物(SiNx:H)形成，而第三防反射层193由硅氮氧化物(SiOxNy)形成。此时，x和y分别大于“0”且小于“1”。
第一到第三钝化层分别具有这样的折射率，即，第一到第三钝化层中的每一个与基板110越接近，则其折射率就更高。由此，穿过基板110的光很容易地再次向着基板110入射。因此，设置在基板110上的第一钝化层191具有最大折射率，而设置得与基板110相距最远的第三钝化层193具有最小折射率。
此外，钝化层190减少了基板110的表面附近的电荷重组。也就是说，钝化层190将存在于基板110的表面附近的如悬挂键的不稳定键转换成稳定键，由此降低了由于不稳定键而导致的移动到基板110的电荷的消失。
后电极导电层155由导电材料制成，并且设置在钝化层190上以及基板110的通过该多个暴露部分181而暴露出的多个部分上。
后电极导电层155包括电连接到基板110的暴露部分的多个后电极151。
后电极151收集移动到基板110的电荷(例如，空穴)并且将收集到的电荷传送到后电极导电层155。由此，后电极导电层155将从后电极151传送来的电荷输出到外部器件。
该导电材料可以是从包含镍(Ni)、铜(Cu)、银(Ag)、铝(Al)、锡(Sn)、锌(Zn)、铟(In)、钛(Ti)、金(Au)和它们的组合的组中选择的至少一种。也可以使用其它导电材料。
多个BSF 171设置在后电极151与基板110之间。与基板110相比，BSF 171是更稠密地掺杂有与基板110相同导电类型的杂质的区域(例如，p+类型区域)。
由于基板110与各个BSF 171之间的杂质掺杂浓度差异而形成了势垒，由此，势垒干扰了电子向基板110的后表面的移动。因此，BSF 171阻止或减少了基板110的表面附近的电子和空穴的重组和/或消失。
将对根据本发明的示例性实施方式的上述结构的太阳能电池1的操作进行描述。
当照射到太阳能电池1的光通过防反射层130和发射极层120而入射在基板110上时，通过基于入射光的光能在基板110中产生了多个电子-空穴对。
此时，由于基板110具有纹理化表面，因此来自基板110的入射表面的光的反射减少，并且通过纹理化表面的入射和反射操作而将光限制在太阳能电池1内。因此，增加了吸收的光，并由此提高了太阳能电池1的效率。
此外，防反射层130减少了向基板110入射的光的反射损失，因此向基板110入射的光量进一步增加。
电子-空穴对被基板110的pn结和发射极层120分离，分离出的电子移动到n型发射极层120，而分离出的空穴移动到p型基板110。移动到n型发射极层120的电子被前电极141收集，并随后被传送到前电极集流器142。移动到p型基板110的空穴被后电极151收集，并随后被传送到后电极导电层155。当使用电线(未示出)将前电极集流器142连接到后电极导电层155时，电流从中流过，由此使得可以将电流用于电能。
此时，由于设置在基板110的前表面上的第一防反射层131和第二防反射层132以及设置在基板110的后表面上的第一钝化层191到第三钝化层193将存在于基板110的前表面和后表面附近的如悬挂键的不稳定键转换成了稳定键，因此基板110的表面状态变成了钝化状态。从而极大地减少了重组(即，分别向发射极层120和基板110移动的电子和空穴与不稳定键重组而消失)，由此显著地提高了太阳能电池1的效率。
接下来，将参照图3到图8、以及图9和图10来描述根据本发明的该示例性实施方式的太阳能电池1的制造方法。
图3到图8是示出了根据本发明的该示例性实施方式的太阳能电池的制造方法中的各个步骤的截面图，而图9和图10示出了根据本发明的一个示例性实施方式的掩模的示例。
如图3所示，对基板110的入射表面执行纹理化处理以形成纹理化表面从而使向着入射表面入射的光散射并降低光的反射量。
当基板110由单晶硅制成时，可以对基板110的入射表面执行各向异性蚀刻以形成纹理化表面。由于原子在(111)表面中排列得比(100)表面中更加紧密，因此(111)表面中的蚀刻速率比(100)表面中慢。由此，在执行各向异性蚀刻过程中，形成了多个锥形部。使用诸如KOH和NaOH等碱性溶液作为蚀刻溶液来执行各向异性蚀刻。根据蚀刻溶液的成分和浓度、蚀刻温度以及蚀刻时间等，蚀刻速率可以不同。
当基板110由多晶硅制成时，可以通过使用酸性溶液作为蚀刻溶液进行各向同性蚀刻来形成纹理化表面。此时，用于各向同性蚀刻的蚀刻溶液可以是HF或HNO3等。
在另选实施方式中，可以使用金刚石刀具、激光束之类的机械方式或使用等离子体之类的物理方式进行该纹理化处理以形成纹理化表面，而不是使用各向异性蚀刻和各向同性蚀刻。
接下来，如图4所示，在含有包括具有诸如P、As和Sb的V族元素杂质的材料(例如，PH3或POCI3)的环境中，对基板110执行高温热处理，以使V族元素杂质扩散到基板110中并由此在基板110的整个表面上形成发射极层120。
与该实施方式不同，当基板110的导电类型是n型时，在含有包括具有III族元素杂质的材料(例如，BN)的环境中，执行热处理以将p型发射极层120形成在基板110中。然后，通过蚀刻处理去除当p型杂质或n型杂质扩散到基板110中时产生的含有磷的磷硅酸盐玻璃(phosphorous silicate glass，PSG)或含有硼的硼硅酸盐玻璃(boron silicateglass，BSG)。
在另选实施方式中，通过使用离子注入方式，可以将III族或V族元素杂质掺杂到基板110中。也就是说，通过在真空室中对基板110进行置换(displacing)并向着基板110加速杂质的离子，杂质注入到基板110中而形成发射极层120。
接下来，如图5所示，通过湿法蚀刻或干法蚀刻等去除基板110的后部以去除发射极层120的形成在基板110的后表面上的部分。
如图6所示，在基板110的发射极层120上依次地形成第一防反射层131和第二防反射层132以形成防反射层130，并且在基板110的后表面上依次地形成第一钝化层191到第三钝化层193以形成钝化层190。使用诸如等离子体增强汽相沉积(PECVD)法的化学汽相沉积(CVD)法分别在多个室201到205中形成第一防反射层131到第二防反射层132以及第一钝化层191到第三层钝化层193。
也就是说，参照图6，依次地布置了五个室201到205以形成各个层131、132以及191到193。由此，当在对应的室201到205中完成了一个期望的层的形成时，将基板110移动到下一个室201到205以形成层131、132以及191到193中的另一个。此时，根据期望的层来改变提供到各个室201到205中的源气体。
在该实施方式中，第一防反射层131是由硅氮化物(SiNx:H)形成，而第二防反射层132是由硅氮氧化物(SiOxNy)形成。第一钝化层191是由硅氧化物(SiOx)形成，第二钝化层192是由硅氮化物(SiNx:H)形成，而第三钝化层193是由硅氮氧化物(SiOxNy)形成。然而，用于各个防反射层131和132以及钝化层191到193的材料可以不同。
第一防反射层131和第二防反射层132形成在基板110的整个暴露表面上，而第一钝化层191到第三钝化层193包括多个暴露部分181，该多个暴露部分181暴露出了基板110的相应表面(例如，后表面)的多个部分。
因此，在将掩模300设置在基板110的相应表面上之后，使用CVD方法形成了第一钝化层191到第三钝化层193。
如上所述，每当形成各个钝化层191到193时，就改变用于执行CVD方法的室203到205。因此，基板110被移动到用于形成各钝化层191到193的相应的室203到205中。此时，为了形成暴露部分181，将相同掩模300布置在各个室203到205中。
在图9和图10中示出了根据本发明的实施方式的掩模300的示例。
图9所示的掩模300的示例包括多个阻挡部310和多个开口320，并且还包括多个连接部330。阻挡部310大致呈矩形。连接部330连接相邻的阻挡部310，并且将阻挡部310连接到框340。因而，多个开口320中的各开口由相邻的阻挡部310和连接部330围绕。
为了依次地形成第一钝化层191到第三钝化层913，在将图9所示的掩模300布置到在相应的室203到205中被置换的基板110上后，向室203到205提供源气体，并且随后将CVD方法用于基板110。
因此，源气体穿过多个开口320以沉积在基板110的与开口320相对应的部分上并由此形成第一钝化层191到第三钝化层193。此时，由于源气体被阻挡部310和连接部330阻挡，因此源气体没有沉积在基板110的与阻挡部310和连接部330相对应的部分上，从而形成了多个暴露部分181。
在使用图9所示的掩模300形成具有暴露部分181的钝化层190的过程中，钝化层190包括与开口320相对应的多个钝化岛状物，并且暴露部分181包括与阻挡部310相对应的多个部分以及与连接部330相对应的多个部分。
可以使用图10示出的掩模300代替图9示出的掩模300来形成具有多个暴露部分181的钝化层190。
与图9所示的掩模相似，图10所示的掩模300包括多个阻挡部310以及连接阻挡部310与框340的多个连接部330。但是，与图9不同的是，各个阻挡部310呈条形。
由此，在通过使用掩模300来形成具有暴露部分181的钝化层190的过程中，暴露部分181呈与阻挡部310及连接部330相对应的伪条形。
图9和图10所示的掩模300仅仅是示例。因此，通过改变掩模300的形状，可以形成具有各种形状的暴露部分的各种钝化层190。
在该实施方式中，使用CVD方法依次地在五个接连的室201到205中形成双层结构的防反射层130和三层结构的钝化层190，并且每当形成了各个钝化层191到193时，就使用相同的掩模300在钝化层190中形成暴露部分181。由此，简化了层形成处理并且缩短了层形成时间。
也就是说，在现有技术中，在一个室中形成防反射层130和钝化层190。因此，为了形成一个层，将基板110移动到一个室中并且执行层形成处理，然后将基板110从该室中取出。接下来，在对该室的环境进行调整以准备下一个层形成处理后，再次将基板110放置到该室中以执行下一个层形成处理。结果，由于每当层形成时就执行基板110的放入和取出操作并且调整室的环境，因此需要很长的层形成时间。此外，由于在一个室中形成具有不同特性的不同层，因此劣化了所形成的层的质量。
此外，在通过上述处理而形成的钝化层190的相应部分上涂敷蚀刻膏并使其变干，以在钝化层190的相应部分中形成暴露部分181。当使用蚀刻膏形成暴露部分181时，必须使用用于去除钝化层190上存在的蚀刻膏的诸如湿法蚀刻的附加处理。
然而，在本实施方式中，由于该多个室的数量等于所形成的层的数量，因此根据层形成的顺序依次地将基板110移入室201到205中以形成层131、132以及191到193。因此，每当形成了层131、132以及191到193时，不需要调整室201到205的环境并将基板110移入相应的室201到205中，由此缩短了层形成时间。此外，由于在单独的室中形成各层131、132以及191到193，因此提高了所形成的层的质量。
此外，当把基板110移入用于形成钝化层191到193的相应的室203到205中时，掩模300也被移动以形成具有彼此相同的图案的钝化层191到193。因此，由于在第一钝化层191到第三钝化层193中形成暴露部分而不需要附加处理，进一步缩短了层形成时间。
接下来，如图7所示，使用丝网印刷(screen print)方法在防反射层130的第二防反射层132的相应部分上涂敷含有Ag的膏，然后使其变干以形成前电极和前电极集流器图案140。前电极和前电极集流器图案140分别包括在彼此交叉的方向上延伸的前电极图案和前电极集流器图案。在本实施方式中，前电极集流器图案的宽度可以大于前电极图案的宽度。前电极集流器图案与前电极图案之间的宽度关系可以不同。
接下来，如图8所示，使用丝网印刷方法在第三钝化层193上以及基板110的通过暴露部分181暴露出的部分上涂敷含有Al的膏，然后使其变干以形成后电极导电层图案150。
此时，图案140和150的形成顺序可以不同。
接下来，对其上形成有前电极和前电极集流器图案140及后电极导电层图案150的基板110执行烧成(firing)处理。也就是说，对基板110执行一种热处理以形成多个前电极141、多个前电极集流器142、后电极导电层155(其包括电连接到基板110的通过暴露部分181暴露出的部分的多个后电极151)、以及多个BSF 171。结果，完成了图1和图2所示的太阳能电池1。
更具体地说，当执行热处理时，由于包含在前电极和前电极集流器图案140中的如Pb的元素，前电极和前电极集流器图案140依次地穿过与第二防反射层132及其下的第一防反射层131相接触的部分并与发射极层120进行接触，以形成多个前电极141和多个前电极集流器142。由此，前电极141和前电极集流器142中的每一个的厚度均等于或大于第一防反射层131和第二防反射层132的厚度之和。
此外，如图1和图2所示，在热处理期间，包含在后电极图案150中的Al扩散到与电极图案150相接触的基板110以在后电极151与基板110之间形成多个BSF 171。在这种情况下，BSF 171是掺杂了与基板110相同导电类型杂质(例如，p型杂质)的区域。BSF 171的杂质掺杂浓度大于基板110的杂质掺杂浓度，因此BSF 171是p+型区域。此外，包含在各个图案140和150中的金属成分分别与接触到图案140和150的层120和110化学耦合，使得接触阻抗降低并因此改善了电流流动。
在本发明的实施方式中，以前或后来表示电极、基板的表面等并不是限制性的。例如，这样的表示是为了描述的方便，这是由于作为用第一和第二来表示电极、基板的表面等的示例，用前或后表示更容易让人理解。
虽然已经结合目前被视为实用的示例性实施方式描述了本发明，但应当理解，本发明并不限于这些公开的实施方式，相反，本发明旨在涵盖包括在所附权利要求书的精神和范围内的各种修改和等效布置。

Claims (19)

1.一种形成太阳能电池的电极的方法，该方法包括以下步骤：
在包括发射极层的基板的一部分上选择性地形成至少暴露出所述基板的一部分的钝化层，所述钝化层包括至少一层；
形成电连接到所述发射极层的第一电极；以及
在所述基板的该暴露部分上形成多个第二电极以将该多个第二电极电连接到所述基板。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述基板的光未入射的表面上形成所述钝化层。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，该形成所述钝化层的步骤包括以下步骤：
在所述基板上设置包括多个开口和多个阻挡部的掩模；以及
在所述基板的面向所述开口的部分上形成一个层，并且形成所述基板的面向所述阻挡部的多个暴露部分，以形成包括所述多个暴露部分的所述钝化层，
其中，所述多个第二电极穿过所述多个暴露部分电连接到所述基板。
4.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：
第一导电类型的基板；
位于所述基板上并与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层；
依次地设置在所述发射极层上的第一防反射层和第二防反射层；
电连接到所述发射极层的第一电极；
依次地设置在所述基板上的第一钝化层到第三钝化层，各个所述第一钝化层到所述第三钝化层包括多个暴露部分；以及
电连接到所述基板的由所述多个暴露部分暴露出的部分的多个第二电极。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中，所述第一防反射层由硅氮化物(SiNx:H)形成，所述第二防反射层由硅氮氧化物(SiOxNy)形成。
6.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中，所述第一防反射层的折射率大于所述第二防反射层的折射率。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中，所述第一防反射层的折射率大约为2.2到2.6，所述第二防反射层的折射率大约为1.3到1.6。
8.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中，所述第一钝化层由硅氧化物(SiOx)形成，所述第二钝化层由硅氮化物(SiNx:H)形成，所述第三钝化层由硅氮氧化物(SiOxNy)形成。
9.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中，所述第一钝化层的折射率最大，而所述第三钝化层的折射率最小。
10.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中，所述第一电极的厚度大于所述第一防反射层和所述第二防反射层的厚度之和。
11.一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：
在第一导电类型的基板上形成与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层；
依次地将所述基板放置在多个室中，以在所述发射极层上形成防反射层，并且在所述基板的与所述基板的入射表面相反的后表面上形成包括至少一个暴露部分的钝化层；
在所述防反射层上涂敷第一膏以形成第一电极图案；
在所述钝化层上并在所述基板的由所述暴露部分暴露出的部分上涂敷第二膏以形成第二电极导电层图案；以及
对具有所述第一电极图案和所述第二电极导电层图案的所述基板执行热处理，以形成电连接到所述发射极层的多个第一电极，并形成包括电连接到所述基板的至少一个第二电极的第二电极导电层。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，室的数量等于构成所述防反射层的层数与构成所述钝化层的层数之和，
其中，在各个所述多个室中注入不同的源气体。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述防反射层包括各自具有不同折射率的第一防反射层和第二防反射层。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一防反射层由硅氮化物(SiNx:H)形成，所述第二防反射层由硅氮氧化物(SiOxNy)形成。
15.根据权利要求12所述的方法，其中，所述钝化层包括各自具有不同折射率的第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，被设置得距所述基板最近的所述第一钝化层的折射率最大，而被设置得距所述基板最远的所述第三钝化层的折射率最小。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第一钝化层由硅氧化物(SiOx)形成，所述第二钝化层由硅氮化物(SiNx:H)形成，而所述第三钝化层由硅氮氧化物(SiOxNy)形成。
18.根据权利要求15所述的方法，其中，该形成所述防反射层和所述钝化层的步骤包括以下步骤：在各个所述多个室中独立地执行层形成处理。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，该形成所述防反射层和所述钝化层的步骤包括以下步骤：在所述基板上设置包括至少一个开口和至少一个阻挡部的掩模，并且使用所述掩模对所述基板执行所述层形成处理，以形成所述第一钝化层、所述第二钝化层和所述第三钝化层，
其中，使用相同的掩模形成所述第一钝化层、所述第二钝化层和所述第三钝化层。
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