CN101895218B - 采用具有常开晶体管的整流器的功率变换器 - Google Patents

采用具有常开晶体管的整流器的功率变换器 Download PDF

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Abstract

本发明涉及功率变换器，其具体地包括整流器，该整流器包括至少一个开关臂，该开关臂具有串联连接的两个晶体管(T1-T6)。这些晶体管(T1-T6)是常开场效应型的，如JFET，并且每个由栅极控制器件(CT1-CT6)控制。每个栅极控制器件具体地包括：输出端(OUT1)，其连接到受控晶体管的栅极(G)，电压整流器元件，其连接在控制器件的输出端与变换器的输入端(in1、in3)之间，电容器(C11)，其连接在晶体管的源极(S)与位于该控制器件的输出端和该电压整流元件之间的点之间。

Description

采用具有常开晶体管的整流器的功率变换器
技术领域
本发明涉及使用具有常开晶体管的整流器的功率变换器。所述功率变换器用在如变速驱动、不可间断电源***、有源滤波器或DC-DC变换器中。 
背景技术
已知的是，功率变换器包括多个连接到网络的输入端，例如如果其被连接到三相网络则具有三个输入端。该变换器具有与其输入端相连的整流器，以用于将网络提供的AC电压变换为DC电压。该变换器还包括具有正极导线和负极导线的电源总线(bus)，并且该DC电压被施加到该电源总线上，该变换器还包括连接在该电源总线的正极导线和负极导线之间的总线电容器，以用于保持该总线上的DC电压稳定。在变速驱动类型的功率变换器中，功率变换器包括多个位于该总线电容器下游的开关臂，一般为三个开关臂。每个开关臂被连接在该电源总线的正极导线和负极导线之间，并且可包括例如两个开关晶体管，通过控制这些晶体管来将DC电压变换为用于电气负载的可变电压。 
设置在变换器输入端的整流器可以是有源型的，也包括多个开关臂，其中每个开关臂设置有至少两个串联的晶体管。这些晶体管每个由栅极控制器件控制，以将来自网络的AC电压变换为施加到电源总线上的DC电压。在其输入端具有有源整流器的这种类型的变换器通常被称作“有源前端”。在这种类型的整流器中，已被证实有利的是，使用常开类型的场效应晶体管，因为这类晶体管具有高性能特性。 
然而，如果变换器的整流器使用常开器件，因而这些器件在栅极无施加电压的情况下也允许电流通过，则基本的一点是，要保证包括这些器件的开关臂在没有控制电压施加到它们的栅极时，也不会短路变换器的输入端和总线电容器，以防止电源总线被电压所供电，以及防止辅助电源***被充电，也就是说， 
-当在电源总线上的DC电压还没有达到足够高的电平时启动该功率变 换器时，或 
-在功率变换器发生故障的情况下，例如在辅助电源***中。 
发明内容
本发明的目标是提供一种功率变换器，在该功率变换器中，当启动该功率变换器时或在功率变换器发生故障时，使用常开型晶体管的整流器不会短路变换器的输入端和总线电容器。 
这个目标是由这样的功率变换器来实现的，该功率变换器包括： 
-多个输入端，其一端连接到能量源且另一端连接到整流器，所述整流器连接到具有正极导线和负极导线的电源总线上，并且DC电压施加到该电源总线上， 
-总线电容器，其连接到位于该电源总线的正极导线和负极导线之间的整流器的下游， 
-该整流器，其包括连接在电源总线的正极导线和负极导线之间的开关臂，该开关臂包括至少两个串联的晶体管，位于该开关臂的两个晶体管之间的连接中点通过限流元件连接到该变换器的输入端， 
-常开型场效应晶体管，其中每个晶体管由栅极控制器件所控制， 
其特征在于，每个栅极控制器件包括： 
-输出端，其连接到该晶体管的栅极， 
-电压整流器元件，其连接在该控制器件的输出端和该变换器的输入端之间，并位于该限流元件的上游， 
-电容器，其连接在该晶体管的源极和位于该控制器件的输出端与该电压整流元件之间的点之间。 
根据本发明的特定特征，该栅极控制器件包括与该电压整流元件串联安装的电阻器。 
根据本发明的另一特定特征，该栅极控制器件包括连接在该晶体管的栅极和该栅极控制器件的输出端之间的栅极电阻器。 
根据本发明的另一特定特征，该栅极控制器件包括连接在该晶体管的栅极和该控制器件的正极端子之间的齐纳二极管。 
根据本发明的另一特定特征，这些晶体管是JFET(结型场效应晶体管)型的。 
根据本发明的另一特定特征，这些晶体管由碳化硅或氮化镓制成。 
根据本发明的另一特定特征，该变换器包括与该限流器元件并联安装的开关。 
根据本发明的另一特定特征，该限流器元件是如电阻器，以及该电压整流器元件是如二极管。 
附图说明
通过参考以举例方式给出并且示出在附图中的实施例，其它特征和优点将通过下面详细的描述而显露出来，其中： 
图1部分地示出了功率变换器，并且更具体地示出了用在该变换器中的有源整流器， 
图2示出了用在图1的整流器中的开关臂，以及用于该开关臂的晶体管的控制器件， 
图3示出了该变换器的整流器的底部晶体管，以及本发明的特定实施例， 
图4给出了当整流器的所有晶体管都导通以及该变换器的输入端处于短路状态时，启动该变换器时的情况的简化视图， 
图5采用了多个曲线以表示本发明的操作。 
具体实施方式
功率变换器可用在例如变速驱动装置、不间断电源(UPS)***、有源滤波器或DC-DC变换器中。它被设计为接收来自电源的输入电压，并将输出电压施加到如电气负载上。 
参考图1，功率变换器典型地包括设置有正极导线10和负极导线11的电源总线，DC电压Vbus施加到该电源总线上。该功率变换器还包括连接在电源总线的正极导线10和负极导线11之间的总线电容器Cbus，其被设计为用于保持电源总线上的DC电压Vbus恒定。变速驱动类型的功率变换器还包括位于总线电容器Cbus下游的开关模块(图1中未示出)，其具有n相，并且每相具有2n个开关晶体管。例如，该开关模块具有三相，从而包括三个开关臂，其中每个臂连接在电源总线的正极导线10与负极导线11之间。每个开关臂包括被连接到电气负载的连接中点所分隔开的顶部晶体管和底部晶体管。 
在总线电容器Cbus的上游设置有功率变换器，其包括整流器。如图1所示，该整流器是有源的，也就是说其包括被设计为将来自网络并施加到变换器的输入端in1、in2、in3的AC电压变换为DC电压的开关臂。如果网络是如图1所示的三相网络，则该变换器包括三个输入端in1、in2、in3，其中每个输入端连接到一个开关臂。整流器的这三个开关臂中的每个在电源总线的正极导线10与负极导线11之间与总线电容器Cbus并联。每个开关臂包括被连接到变换器的输入端in1、in2、in3中的一个的连接中点M1、M2、M3所分隔开的顶部晶体管和底部晶体管。 
在三个输入端in1、in2、in3中，至少两个通过预加载电路连接到开关臂。该预加载电路包括连接到变换器的输入端的限流器元件，如电阻器、电感器或JFET型晶体管，通过这些元件来限制启动变换器时的电流。在附图中，输入端in1和in3因此通过电阻器Ri1、Ri3被分别连接到整流器的第一开关臂和第三开关臂。每个预加载电路还包括与电阻器Ri1、Ri3并联的开关SWi1、SWi3，当变换器启动时这些开关是关断的，并且一旦辅助电源AUX和整流器准备正常操作，则这些开关就导通。 
根据本发明，整流器的每个晶体管T1-T6都是常开场效应型的(场效应晶体管，FET)。场效应晶体管，如JFET或MOSFET都是所熟知的功率电子开关，其包括控制栅极(G)，该控制栅极的功能是允许或阻止漏极(D)与源极(S)之间的电流通过。如果栅极与源极之间的电压VGS接近零，则这样的晶体管被称作为常开型的。这意味着无需控制电压VGS，漏-源极通路就是导通的或导电的。当在其栅极与源极之间施加负的控制电压VGS时，常开型场效应晶体管将会关断。JFET型晶体管通过施加例如至少等于-15V的栅-源电压VGS来关断，以及MOSFET晶体管通过施加例如至少等于-5V的电压VGS来关断。 
本发明的功率变换器中使用的场效应晶体管例如将由宽带隙材料制成，如碳化硅或氮化镓。已知的是，由宽带隙材料制成的常开型JFET晶体管具有开关速度较快、在导通状态下产生更少的导电损耗(在导通状态下具有低的阻抗RDSon)、较好的温度阻抗特性以及较小尺寸的优点。在下文中的描述和附图中，使用的晶体管T1-T6都是JFET型的。 
开关臂的每个场效应晶体管T1-T6由特定的栅极控制器件CT1-CT6来关断。每个栅极控制器件CT1-CT6由连接在电源总线的正极导线10和负极 导线11之间且位于总线电容器Cbus上游的辅助电源***AUX来提供能量(A)，并且为晶体管施加栅极电压VG以导通或关断晶体管。除了电源(A)之外，每个控制器件CT1-CT6接收来自中央控制***3的脉宽调制(PWM)控制信号S1-S6，这些控制信号遵守由中央控制***3所执行的控制规则。顶部晶体管T2、T4、T6的每个控制器件CT2、CT4、CT6被连接到其晶体管的开关臂的连接中点M1、M2、M3，同时底部晶体管T1、T3、T5的每个控制器件CT1、CT3、CT5被连接到电源总线的负极导线11。 
例如，图2示出了整流器的第一开关臂的晶体管T1、T2的控制器件CT1、CT2。在附图中未描述或未示出的在控制器件中使用的部件的标记利用与下面给出的在控制器件CT1的描述中使用的部件相同的图之后的符号来选择。 
参考图2，整流器的底部晶体管T1的控制器件，如CT1，具体地包括两个串联连接的晶体管Q11、Q21和同样串联连接的一组两个电容器CA1、CB1。该控制器件的输出一方面连接到位于两个晶体管Q11、Q21之间的连接中点P11，另一方面连接到受控晶体管T1的栅极。位于两个电容器CA1、CB1之间的连接中点P21连接到晶体管T1的源极S。控制器件的晶体管Q11是常开型，而控制器件的晶体管Q21是常断型的。阻断二极管Db11与控制器件的晶体管Q11、Q21串联布置。辅助电源***AUX通过二极管Ds11和电感器Ls11为控制器件CT1供电，该电感器通过产生分别将晶体管T1导通和关断所需的电压VGS_ON和VGS_OFF而构成了该辅助电源***AUX的变压器的次级线圈。通过电压VGS_ON和VGS_OFF，晶体管Q11、Q12为JFET施加栅极电压VG以将其关断或导通。 
根据本发明，控制器件还包括连接在控制器件的输出端OUT1与变换器的输入端in1之间的电压整流元件，其位于预加载电路的电阻器Ri1的上游。该电压整流元件可以是如图2所示的二极管D11、闸流晶体管(thyristor)或IGBT或RBIGBT(反向阻断IGBT)型的晶体管。控制器件包括能量存储元件，如连接在受控晶体管T1的源极与位于控制器件的输出端OUT1和二极管D11之间的点之间的电容器C11。此外，如图2所示，控制器件还包括连接在二极管D11与其输出端OUT1之间的电阻器R11。电阻器R11具有很大的阻值，如几千欧姆。然后，电容器C11一方面被连接到晶体管T1的源极，另一方面被连接到位于电阻器R11与二极管D11之间的点。栅极电阻器RG1还被连接到控制器件的输出端与晶体管T1的栅极G之间。电阻器 R11可被连接到位于栅极电阻器RG1上游或下游的控制器件的输出端。最后，控制器件包括齐纳二极管DCL1，该齐纳二极管连接在晶体管T1的栅极与控制器件的正电势之间。齐纳二极管DCL1用于限制栅-源电压VGS1，并从而保护形成在受控晶体管T1的栅极与源极之间的PN结。 
具有晶体管T5和T6的第三开关臂的结构与如图2所示的第一开关臂的结构相同。除了其中两个控制器件的输出端通过电阻器R13、R14和二极管D13、D14连接到变换器的第一输入端in1或连接到第三输入端in3而不是连接到第二输入端in2之外，第二开关臂的结构也是相同的。这主要与第二输入端不包括任何预加载电路的事实有关。当然，也完全可以在第二输入端上设置预加载电路，如在变换器的其它输入端上那样。在这个配置结构中，第二开关臂的晶体管T3、T4的控制器件的输出端将连接到变换器的第二输入端in2。 
对于整流器的开关臂的底部晶体管，可以简化其中采用的控制器件的结构，如图3所示。该简化结构为：所有三个控制器件仅使用单个电容器C1，而不是为每个控制器件使用不同的电容器C11、C13、C15，该电容器C1连接在晶体管T1、T3、T5的源极S与两个输入端in1和in3之间。相似地，仅使用两个二极管D1、D2，而不是使用三个二极管D11、D13、D15。在图3中，包括控制器件的已知部件的部分由简单的矩形来表示。 
本发明的原理在于，当启动该变换器时或者在辅助电源***AUX发生故障的情况下阻断常开型的晶体管T1-T6，以特别是避免变换器输入端的短路或者总线电容器的短路，从而防止电源总线被电压所供电。 
下面，结合图5所示的曲线和图4所示的简要结构来解释本发明的操作。 
如图4所示，在启动时，由于所有晶体管都是导通的，因此变换器的输入端in1、in2、in3被短路，从而电源总线的负极导线11和正极导线10在同一点上被短路。 
在三相变换器中，在如图4所示的相之间施加电压V1、V2、V3是熟知的实践，从而使得在预加载电阻器Ri1、Ri3的端子处，在输入端in1和in3上产生电压Vin1和Vin3。这两个电压Vin1和Vin3为相移π/3的正弦波电压，如图5的第一曲线所示。因此，这两个电压是周期性反向的。 
在t0时刻，电压Vin1和Vin3例如都是正的，并且二极管D11到D16因此是阻断的。在t1时刻，在特定的延迟时间T之后，电压Vin3变为负的。 控制器件CT5、CT6的二极管D15和D16变为导通。电容器C15和C16被电压Vin3充电。由于电压Vin3是负的，因此在电容器C15和C16的端子上的电压VC15和VC16也为负的。同时，第三开关臂的晶体管T5和T6的栅-源结通过电阻器R15和R16而充有负电压。当栅-源电压VGS5和VGS6达到足够的负值时，晶体管T5和T6被阻断。在控制器件中，由于栅-源电压VGS5和VGS6是负的，因此阻断二极管Db15、Db16变为阻断状态，并防止漏电流流到控制器件的外部。 
类似地，当Vin1变为负的时，连接到第一开关臂的二极管D11、D12变为导通。电容器C11和C12因此由电压Vin1而充有负电荷。在电容器C11和C12端子处的电压VC11和VC12也为负值。同时，晶体管T1和T2的栅-源结通过电阻器R11和R12而充有负电荷。当栅-源电压VGS1和VGS2达到特定的负的阈值时，晶体管T1和T2被关断。 
对于第二开关臂来说，取决于其连接到电容器的第一输入端in1还是第三输入端in3，栅-源电压VGS3和VGS4在与第一开关臂的那些晶体管同时，或在与第三开关臂的那些晶体管同时变为负的。当这些电压达到负阈值电压时，晶体管T3和T4被关断。 
当整流器的所有晶体管T1-T6都被关断时，总线电容器Cbus可通过晶体管T1-T6的内部二极管而充电。一旦总线电容器Cbus被充电，辅助电源***AUX就将会启动，然后晶体管的控制器件CT1-CT6可正常工作，以关断或导通整流器的晶体管。一旦开关SWi1和SWi3闭合，整流器就会正常工作。 
图3的实施例的操作方式与上面所描述的整流器的底部晶体管T1、T3、T5中的每个都是相同的。 
显然，在不脱离本发明框架的基础上，还可以想象其它的变形方式和细节的改进，甚至可以考虑使用其它的等效手段。 

Claims (9)

1.功率变换器，包括：
-多个输入端，其一方面连接到能量源，另一方面连接到整流器，所述整流器连接到电源总线，该电源总线具有正极导线(10)和负极导线(11)并且DC电压(Vbus)被施加到该电源总线上，
-总线电容器(Cb)，其被连接到该整流器的下游，且位于该电源总线的正极导线(10)与负极导线(11)之间，
-该整流器，包括连接在该电源总线的正极导线(10)与负极导线(11)之间的开关臂，该开关臂包括串联连接的至少两个晶体管(T1-T6)，位于该开关臂的两个晶体管之间的连接中点(M1、M2、M3)通过限流元件连接到该变换器的输入端(in1、in3)，所述的串联连接的至少两个晶体管(T1-T6)为常开场效应型晶体管，
-常开场效应型晶体管(T1-T6)，每个晶体管由栅极控制器件(CT1-CT6)所控制，
其特征在于，每个栅极控制器件包括：
-连接到该晶体管的栅极(G)的输出端(OUT1)，
-电压整流器元件，其连接在该控制器件的输出端与该变换器的输入端(in1、in3)之间，并位于该限流元件的上游，
-电容器(C11)，其连接在该晶体管的源极(S)与位于该控制器件的输出端和该电压整流元件之间的点之间。
2.根据权利要求1所述的功率变换器，其特征在于，该栅极控制器件(CT1-CT6)包括与该电压整流器元件串联安装的电阻器(R11-R16)。
3.根据权利要求1所述的功率变换器，其特征在于，该栅极控制器件包括连接在该晶体管(T1-T6)的栅极(G)与该栅极控制器件的输出端之间的栅极电阻器(RG1)。
4.根据权利要求1到3中任一项所述的功率变换器，其特征在于，该栅极控制器件包括连接在该晶体管(T1-T6)的栅极(G)与该控制器件的正极端子之间的齐纳二极管(DCL1)。
5.根据权利要求1到3中任一项所述的功率变换器，其特征在于，该晶体管(T1-T6)是JFET型的。
6.根据权利要求5所述的功率变换器，其特征在于，该晶体管(T1-T6)由碳化硅或氮化镓制成。
7.根据权利要求1到3中任一项所述的功率变换器，其特征在于，该变换器包括与该限流元件并联安装的开关(SWi1、SWi3)。
8.根据权利要求1到3中任一项所述的功率变换器，其特征在于，该限流元件为电阻器(Ri1、Ri3)。
9.根据权利要求1到3中任一项所述的功率变换器，其特征在于，该电压整流器元件为二极管(D11)。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2953662B1 (fr) 2009-12-03 2011-11-18 Schneider Toshiba Inverter Convertisseur de puissance a source de courant utilisant des transistors a effet de champ normalement fermes
JP4735761B1 (ja) 2010-01-19 2011-07-27 ダイキン工業株式会社 電力変換装置
JP5967511B2 (ja) * 2010-12-20 2016-08-10 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｌｅｄ点灯装置及びそれを用いた照明器具
JP5310758B2 (ja) 2011-02-15 2013-10-09 株式会社デンソー 半導体スイッチング素子の駆動回路
JP5263316B2 (ja) 2011-02-15 2013-08-14 株式会社デンソー 半導体スイッチング素子の駆動回路
JP5263317B2 (ja) 2011-02-15 2013-08-14 株式会社デンソー 半導体スイッチング素子の駆動回路
FR2977996B1 (fr) * 2011-07-13 2013-07-12 Schneider Toshiba Inverter Convertisseur de puissance comportant un module onduleur a transistors a effet de champ normalement fermes
FR2982718B1 (fr) * 2011-11-14 2013-11-22 Schneider Toshiba Inverter Convertisseur de puissance dote d'une source de courant commandee employant un transistor a effet de champ normalement ferme
EP2801143A1 (en) 2012-01-05 2014-11-12 American Power Conversion Corporation Methods and apparatus for controlling power switches via a digital communication bus
CN103475229A (zh) * 2013-09-05 2013-12-25 无锡晶凯科技有限公司 一种氮化镓基隔离dc-dc电源模块
EP2858195B1 (en) 2013-10-07 2017-08-02 ABB Technology Oy Converter circuit
CN108988836B (zh) * 2013-12-16 2023-02-28 台达电子企业管理（上海）有限公司 控制方法及功率电路的封装结构
JP6246150B2 (ja) 2014-03-26 2017-12-13 富士フイルム株式会社 非発光性有機半導体デバイス用塗布液、有機トランジスタ、化合物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、有機トランジスタの製造方法および有機半導体膜の製造方法の提供
FR3060230B1 (fr) * 2016-12-14 2019-01-25 Renault S.A.S Procede de commande d'un dispositif de charge embarque sur un vehicule electrique ou hybride.
CN109639126B (zh) * 2019-01-29 2024-05-07 杨团团 防浪涌电流电路和用电设备
FR3092451B1 (fr) * 2019-02-01 2021-01-29 Commissariat Energie Atomique Convertisseur de puissance comportant au moins un transistor normalement fermé
CN112311254B (zh) * 2019-07-29 2021-09-03 光宝电子(广州)有限公司 桥式整流器
FR3109251B1 (fr) * 2020-04-14 2022-03-18 Commissariat Energie Atomique Convertisseur de puissance comportant au moins un transistor normalement fermé
CN112503229B (zh) * 2020-11-27 2022-04-19 四川虹美智能科技有限公司 冰箱单向阀控制电路、方法、计算设备及计算机可读介质

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1347564A2 (en) * 2002-03-01 2003-09-24 International Rectifier Corporation Mosgate device driver for synchronous rectification of a 3 phase sinusoidal source

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59123468A (ja) * 1982-12-28 1984-07-17 Mitsubishi Electric Corp 静止形電力変換器
DE3579556D1 (de) * 1984-11-09 1990-10-11 Leybold Ag Wechselrichter mit einer last, die eine wechselrichter-ausgangsspannung bestimmter kurvenform und frequenz erzwingt.
US5045991A (en) * 1989-12-28 1991-09-03 Sundstrand Corporation Unity power factor AC/DC converter
JP3493273B2 (ja) * 1996-12-17 2004-02-03 新電元工業株式会社 三相整流器の力率改善回路
FR2769771B1 (fr) * 1997-10-15 1999-12-31 Valeo Equip Electr Moteur Dispositif pour le redressement synchrone d'un alternateur
US7310254B2 (en) * 2006-02-15 2007-12-18 Rockwell Automation Technologies, Inc. AC-to-AC (frequency) converter with three switches per leg

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1347564A2 (en) * 2002-03-01 2003-09-24 International Rectifier Corporation Mosgate device driver for synchronous rectification of a 3 phase sinusoidal source

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP昭59-123468A 1984.07.17
JP特开平10-178781A 1998.06.30

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