CN101874267A

CN101874267A - 光记录方法和光记录装置

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Publication number: CN101874267A
Application number: CN200880117882A
Authority: CN
Inventors: 岸上智
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2007-11-26
Filing date: 2008-10-22
Publication date: 2010-10-27
Anticipated expiration: 2028-10-22
Also published as: CN101874267B; US20100315921A1; EP2219179A1; WO2009069408A1; EP2219179A4; US8139456B2; JP4954294B2; JPWO2009069408A1

Abstract

在按照写策略参数在光记录介质(500)中记录信息的记录方法中，在反复进行针对光盘(500)的规定量信息的记录(S23)、和中断记录而等待向缓存器(190)存储数据的待机状态(S22)的情况下，在记录中断的期间，再现之前刚刚记录的信息，测定该再现信号的质量(S25A)，根据需要变更写策略(S25C)，由此得到稳定的记录质量。将在一次的中断期间内进行的校正限定为一次。针对光盘上的记录位置的变化、记录条件的变化，能够得到稳定的记录质量。

Description

光记录方法和光记录装置

技术领域

本发明涉及用于对光盘进行信息记录的光记录方法和光记录装置，特别涉及在记录时使用的写策略的校正方法。

背景技术

为了对光盘进行信息记录，需要结合光盘的特性适当地调整记录时使用的写策略，一般地，光记录装置按照每个光盘的ID(识别信息)来保持最佳的写策略并用于记录。

但是，这样在针对光盘使用固有的最佳的写策略的情况下，由于光盘或光记录装置的个体差异，未必一定能够以良好的记录质量进行记录。并且，存在如下问题：在光盘的翘曲大的情况下、记录特性不均一的情况下、或者记录中的温度变化带来影响的情况下，有时记录质量恶化。

作为其对应策略，在产生温度变化的情况下、记录速度改变的情况下、或者是按照一定的时间间隔，临时中断记录，对写策略进行校正或优化(例如参照专利文献1～4)。并且，公知如下技术：每次对光盘写入规定量的信息时，读出与周边温度对应的第1记录脉冲模式以及变化为周边温度附近时的第2记录脉冲模式，在光盘中写入信息，将利用第1和第2记录脉冲模式写入的信息的错误率低的记录脉冲模式作为写入用的记录脉冲模式(专利文献5)。而且，公知如下技术：按照每个温度参数存储多个调整量，根据光学头附近的温度来选择调整量。

专利文献1：日本特开2006-302332号公报(第1-18页、第1-16图)

专利文献2：日本特开2007-200389号公报(第1-20页、第1-16图)

专利文献3：日本特开2007-200435号公报(第1-9页、第1-9图)

专利文献4：日本特开2007-213674号公报(第1-9页、第1-5图)

专利文献5：日本特开2007-234188号公报(第1-13页、第1-7图)

专利文献6：日本特开2007-273021号公报(第1-11页、第1-13图)

在上述现有的光记录装置中，在记录中途临时中断记录并反复进行试写，对写策略进行校正或优化，但是，由于反复进行该试写，需要大量的记录所需要的时间。因此，在对广播节目进行录像的情况下，在试写需要大量时间的情况下，在光记录装置中临时存储在存储缓冲区中的广播节目数据在存储缓冲区容量以上，存在数据失败的问题。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于，得到能够高效地进行写策略的校正和优化的光记录方法和光记录装置。

本发明的光记录方法按照由多个参数构成的与记录数据长度对应的写策略，在光记录介质上照射激光，由此在光记录介质中记录信息，其特征在于，通过交替重复进行信息记录的记录期间和中断记录的中断期间来记录信息，所述光记录方法具有以下步骤：写策略校正步骤，在该步骤中，在所述中断期间，再现在前一记录期间记录的信息，根据再现信号的质量来校正写策略参数；以及使用在所述写策略校正步骤中校正的写策略参数来进行下一记录期间中的上述记录的步骤，所述写策略校正步骤包含以下步骤：质量测定步骤，在该步骤中，测定之前刚刚记录的信号的质量；以及写策略变更步骤，在该步骤中，根据在所述质量测定步骤中测定的再现信号的质量来变更写策略，在一次的所述中断期间中，所述写策略校正步骤中的写策略的变更仅进行一次。

根据本发明，在一次的记录中断期间中仅变更一次写策略参数，所以，能够缩短中断期间。另一方面，针对每个设定校正间隔来校正写策略参数，所以，能够防止在光记录介质例如光盘的翘曲大的情况下、记录特性不均一的情况下、或者记录中的温度变化带来影响的情况下的记录质量恶化，能够进行质量稳定的记录。

附图说明

图1是示出本发明的实施方式的光记录再现装置的框图。

图2(a)～(c)是示出在本发明的实施方式的再现特性测定部中测定的再现信号的不对称的例子的图。

图3是示出在本发明的实施方式的再现特性测定部中测定的再现信号的调制度的例子的图。

图4(a)～(e)是示出在本发明的实施方式的光记录再现装置中、在针对光盘的记录为EFM+(8-16)调制时(DVD的情况)生成的写策略的一例的图。

图5是示出本发明的实施方式的光记录再现装置所保持的写策略的列表的一例的图。

图6是示出本发明的实施方式1的光记录再现装置中的记录步骤的一例的流程图。

图7是示出本发明的实施方式1的光记录再现装置中的记录步骤的另一例的流程图。

图8是示出本发明的实施方式1的光记录再现装置中的写策略校正步骤的一例的流程图。

图9是示出本发明的实施方式1的光记录再现装置中的写策略校正步骤的另一例的流程图。

图10是示出本发明的实施方式1的光记录再现装置中的写策略校正步骤的另一例的流程图。

图11是示出本发明的实施方式1的光记录再现装置中的写策略校正步骤的又一例的流程图。

图12是示出本发明的实施方式1的光记录再现装置中的写策略校正步骤的又一例的流程图。

图13是示出本发明的实施方式1的光记录再现装置中的写策略校正步骤的另一例的流程图。

图14是示出图13的步骤S38的倾斜校正步骤的一例的流程图。

图15是示出本发明的实施方式3的光记录再现装置中的写策略校正步骤的流程图。

图16是示出本发明的实施方式4的光记录再现装置中的写策略校正步骤的流程图。

图17是示出本发明的实施方式5的光记录再现装置中的记录步骤的流程图。

图18是示出本发明的实施方式5的光记录再现装置中的写策略校正步骤的流程图。

图19是示出本发明的实施方式6的光记录再现装置中的记录步骤的流程图。

图20是示出本发明的实施方式7的光记录再现装置中的写策略校正步骤的流程图。

标号说明

100：光记录再现装置；110：前置放大器；120：再现信号处理部；130：记录质量测定部；140：数据解码器；150：再现特性测定部；160：数据编码器；170：写策略控制部；180：伺服控制部；181：主轴电动机；182：螺旋电动机；190：缓存器；200：中央控制部；210：CPU；220：ROM；230：RAM；300：光学头；310：半导体激光器；320：激光器驱动电路；330：准直透镜；340：光束分离器；350：物镜；360：检测透镜；370：受光元件；400：上位控制器；500：光盘。

具体实施方式

实施方式1

下面，参照附图说明本发明的实施方式。

以下说明的实施方式中的光记录方法进行标记边缘记录(mark edgerecording)(PWM记录)。而且，根据要在光盘上记录的数据，按照写策略(记录中使用的激光器发光波形规则)使半导体激光器发光，形成记录标记，由此进行信息记录。

图1是示出本发明的实施方式1的光记录再现装置100的基本结构例的图。这里，图1的光记录再现装置100示出向光盘500记录经EFM+(8-16)调制的记录数据的情况(例如光盘500是DVD的情况)。

伺服控制部180对用于使光盘500旋转的主轴电动机181、用于使光学头300的位置移动的螺旋电动机182、以及光学头300的致动器(未图示)进行控制。

来自光学头300的再现信号利用前置放大电路110放大，并被输入到中央控制部200。所输入的信号利用中央控制部200进行地址信息的解码，得到光学头300的当前位置。

对伺服控制部180提供由当前位置得到的地址信息与应该存取的位置(存取对象位置)的地址信息的差分，由此，伺服控制部180控制螺旋电动机182，使光学头300向存取对象位置移动。并且，伺服控制部180根据来自前置放大器110的伺服错误信号，进行对焦控制、循轨控制。并且，伺服控制部180控制光学头300的致动器(未图示)，控制光学头300相对于光盘500的角度(光学头300入射到光盘500的光的光轴相对于光盘500表面的垂线的的角度、即倾斜角度)。

数据再现时，从半导体激光器310出射的具有数据再现所需要的输出值(再现功率)的激光经由准直透镜330、光束分离器340和物镜350聚光照射到光盘500。来自光盘500的反射光通过物镜350后，由光束分离器340使其与入射光分离，经由检测透镜360由受光元件370接收。

利用上述的半导体激光器310、准直透镜330、光束分离器340、物镜350和检测透镜360构成光学***，利用该光学***、受光元件370、激光器驱动部320和致动器(未图示)构成光学头300。

受光元件370将光信号转换为电信号。在受光元件370中转换的电信号经由前置放大器110分别输入到中央控制部200、再现信号处理部120。

再现信号处理部120对来自前置放大器110的电信号进行均衡化处理(波形整形)，将其输入到记录质量测定部130、数据解码器140。并且，再现信号处理部120将均衡化处理前的信号输入到再现特性测定部150。

再现特性测定部150求出不对称值、或者调制度值、再现信号振幅等的再现特性，以便调整记录时所需要的记录功率。并且，记录质量测定部130测定再现信号的抖动值和错误率等的信号质量。

数据解码器140对所输入的再现信号进行二值化，进行解调和纠错等的处理，由此，生成(再现)记录在光盘500中的数据。光记录再现装置100与上位控制器400连接，中央控制部200将所生成的数据存储在缓存器190中后，发送到上位控制器400。

在再现特性测定部150求出不对称值的情况下，再现特性测定部150对所输入的电信号(从前置放大器110输出的信号)进行AC(交流)耦合，根据AC耦合后的电信号来计算不对称值β。图2(a)～(c)示出上述AC耦合后的电信号的例子。再现特性测定部150检测图2(a)～(c)所例示的信号的峰值电平A1和低值电平A2。根据检测到的峰值电平A1和低值电平A2，使用下式(1)计算不对称值β。

β＝(A1+A2)/(A1-A2)…(1)

其中，在最长间隔和最长标记交替出现的部分产生峰值电平A1和低值电平A2，这些值将最短间隔和最短标记交替出现的部分的峰值电平和低值电平的平均值表示为零电平。

如上所述，图2(a)～(c)示出在再现特性测定部150中检测到的再现信号(从前置放大器110输出的信号)的不对称的检测例，其中，图2(a)示出β＜0的情况，图2(b)示出β＝0的情况，图2(c)示出β＞0的情况。

并且，在再现特性测定部150求解调制度值的情况下，再现特性测定部150检测所输入的电信号的峰值电平PK和低值电平BT。该情况下，与求解不对称的情况不同，不进行AC耦合，检测直接(DC耦合)得到的信号的峰值电平PK和低值电平BT，根据该峰值电平PK和低值电平BT，使用下式(2)计算调制度。

调制度＝(PK-BT)/PK…(2)

图3示出这种通过DC耦合得到的信号的一例。如图所示，峰值PK、低值BT以零电平(没有针对受光元件370的输入(没有来自光盘的反射光输入)时的输出偏置值)为基准。峰值PK、低值BT分别对应于最长间隔、最长标记的电平。

数据记录时，中央控制部200将来自所述上位控制器400的数据存储在缓存器190中后，利用数据编码器160附加纠错码，按照调制规则进行调制，按照光盘500的格式生成记录数据。这里，在要记录的数据是广播节目的情况下，按照录像速率，以一定间隔从上位控制器400依次发送数据并存储在缓存器190中。中央控制部200适时从缓存器190中提出数据来进行记录，以便使所存储的数据大小不会大于缓存器190的大小。并且，在向缓存器190存储的数据大小较小的情况下，临时停止记录动作，进行待机直到向缓存器190存储规定量以上的数据为止，进行间歇性的记录。

写策略控制部170根据记录数据生成写策略信号。即，从中央控制部200设定了写策略后，当从数据编码器160赋予了指定表示标记长度的周期数n的记录数据时，写策略控制部170输出与这种记录数据对应的写策略信号(按照写策略生成的、具有与发光脉冲串的波形大致相同波形的信号)。

激光器驱动部320通过与所生成的写策略信号对应的驱动电流，驱动半导体激光器310。从半导体激光器310出射的具有数据记录所需要的输出值(记录功率)的激光经由准直透镜330、光束分离器340和物镜350聚光照射到光盘500。由此，形成标记，并形成由标记和位于标记相互间的间隔构成的记录部。

图4(a)～(e)示出在图1所示的光记录再现装置100中由写策略控制部170生成的写策略信号的例子。图4(a)示出由标记部MA和间隔部SA构成的记录数据的例子。图4(b)示出向光盘500记录图4(a)的记录数据时形成的光盘上的标记MK和位于标记MK相互间的间隔SP。进行EFM+(8-16)调制后的记录数据具有从与用于记录最短标记的周期数n＝3即3T对应的长度到与周期数n＝11即11T对应的长度、以及与用于记录最长标记的周期数n＝14即14T对应的长度。

图4(a)～(e)假设了如下情况：记录最短标记、即3T的标记，接着记录第2短的标记、即4T的标记，接着记录第4短的标记、即6T的标记。

图4(c)示出在光盘500向可改写的记录介质(例如DVID-RW)记录数据的情况下由写策略控制部170生成的写策略信号的例子。并且，图4(d)和图4(e)示出在光盘500向可补记的记录介质(例如DVD-R)记录数据的情况下由写策略控制部170生成的写策略信号的例子，图4(d)的写策略信号用于低倍速(例如1倍速～4倍速)的记录，图4(e)的写策略信号用于高倍速(例如4倍速以上)的记录。

为了由写策略控制部170生成图4(c)～(e)这种写策略信号，中央控制部200需要设定多个写策略参数，写策略信号的形式越复杂，其种类越增加。

中央控制部200在光记录再现装置100的再现、写入时，控制整个装置，所以，接受来自记录质量测定部130的抖动等的记录质量、来自再现特性测定部150的不对称值和/或调制度值、来自数据解码器140的再现数据，另一方面，对数据编码器160、写策略控制部170、激光器驱动部320、伺服控制部180赋予控制信号。

中央控制部200还进行以下参照图6～图20说明的写策略的校正、特别是该写策略校正的实施、写策略的设定校正间隔的设定、不对称值等的再现特性的计算、信号质量的测定、试写、数据记录的停止和/或重新开始处理等。

中央控制部200例如具有CPU 210、存储该CPU 210的动作用的程序的ROM 220、以及存储数据的RAM 230。存储在ROM 220中的程序包含以下参照图8、图9或图15和图16说明的写策略的校正、以及定义了写策略的设定校正间隔的部分。

另外，作为ROM 220，由于后述理由，优选使用可改写的例如EEPROM。

并且，一般地，光记录再现装置100在中央控制部200内(例如ROM220内)保持分别与光盘500的ID对应的写策略的列表。这里，在写策略的列表中一并保持作为进行功率调整时的目标值的不对称值和/或调制度等。图5示出写策略列表的一例。这里，光盘500的ID是制作光盘500的厂商预先设定的，在光盘500(例如引导区等)中作为固有信息进行记录。

光记录再现装置100从所***的光盘500中读取ID，读出与图5的写策略列表的ID一致的写策略值，用于针对光盘500的记录。

另外，不限于通过光记录再现装置100保持图5所示的写策略列表，有时也使用光盘500的固有信息所包含的写策略的推荐值(光盘厂商预先设定并记录在光盘500中的值)，或使用根据写策略的推荐值、通过预先设定的计算式而计算出的值。

一般地，在记录信息之前进行试写，由此进行记录功率的优化。下面说明该步骤。

最开始，例如使用随机的记录数据模式，改变记录功率来进行针对光盘500的试写，接着，再现光盘500上的记录了该测试模式的区域，通过再现特性测定部150检测不对称值，在中央控制部200中对检测到的不对称值和作为目标的不对称值进行比较，求出最佳的记录功率。

一般地，如果增大记录功率，则不对称值变大，如果减小记录功率，则不对称值变小。这里，不对称值大多用于在补记型光记录介质中对记录功率进行优化的情况，与此相对，在改写型盘中，多使用调制度。一般地，如果增大记录功率，则调制度的值也变大，如果减小记录功率，则调制度的值也变小。

在中央控制部200中，对与彼此不同的多个记录功率对应的不对称值的检测值和目标值进行比较，将生成最接近目标值的检测值的记录功率设定为最佳的记录功率。

另外，取而代之，也可以利用一个记录功率进行针对光盘500的试写，然后进行再现，根据再现结果检测不对称值，将检测到的不对称值和作为目标的不对称值进行比较，根据比较结果来增减记录功率，求出最佳值。这里，在补记型盘(DVD-R等)中，一般利用不对称值。并且，在改写型盘(DVD-RW等)中，多利用调制度替代不对称值。

下面，参照图6说明本实施方式的光记录方法的步骤。

最开始，将记录用的光盘500***光记录再现装置100中时，通过未图示的传感器检测该情况(步骤S10)，传递到中央控制部200，中央控制部200借助伺服控制部180驱动光学头300，调整与光盘500的倾斜角度和/或伺服条件(步骤S11)。

接着，在步骤S12中，从光盘500中读出光盘厂商预先记录的ID信息(识别信息)、写策略的推荐值等的盘固有信息。

接着，在步骤S13中，从存储在中央控制部200内(例如ROM 220内)的写策略列表中，检索与所读取的ID信息对应的写策略的设定值，作为进行记录时的写策略，设定在中央控制部200内(例如RAM 230内)。另外，在没有与所读取的ID信息对应的写策略(没有存储在中央控制部200内)的情况下，也可以设定从光盘500中读取的写策略的推荐值。

并且，也可以设定根据从光盘500中读取的值和在光记录再现装置100中预先设定的关系式而决定的写策略。这里，作为写策略设定的参数也包含作为用于优化记录功率的目标值使用的不对称β值或调制度的值。

然后，当通过未图示的单元赋予记录的指示时(步骤S14)，在步骤S15中，使用如上所述设定的写策略和用于优化记录功率的目标值(不对称β值或调制度)，进行针对所述光盘500的试写。即，在步骤S13中，在写策略控制部170中设定在中央控制部200内设定的写策略，由此，在写策略控制部170中生成基于测试模式的写策略，使用光学头300进行对光盘500的试写。然后，利用光学头300再现光盘500上的记录了测试模式的区域，在中央控制部200中对由再现特性测定部150检测到的再现特性(不对称值或调制度)和在步骤S13中设定的用于优化记录功率的目标值进行比较，并进行控制以使两者一致，由此，决定最佳的记录功率。

最后，在步骤S16中，根据在步骤S13中设定的写策略和在步骤S15中决定的记录功率，开始对光盘500的真正的数据写入(正式写入)。

上述的步骤S10的处理通过中央控制部200和未图示的对光盘的***进行检测的传感器进行，步骤S11的处理通过光学头300、前置放大器110、伺服控制部180和中央控制部200进行，步骤S12的处理通过光学头300、伺服控制部180、前置放大器110、再现信号处理部120、数据解码器140和中央控制部200进行，步骤S13的处理通过中央控制部200进行，步骤S14的处理通过中央控制部200和未图示的接受记录的指示的单元(接口)进行，步骤S15的处理通过伺服控制部180、前置放大器110、再现信号处理部120、再现特性测定部150、中央控制部200、写策略控制部170和光学头300进行，步骤S16以后的数据记录处理通过中央控制部200、数据编码器160、写策略控制部170、伺服控制部180和光学头300进行。

在图6中，在步骤S16以后的记录中使用在步骤S13中设定的写策略，但是，如图7所示，在步骤S17中，也可以反复执行试写来进行写策略的优化。并且，在此时的优化中，也可以在所要求的记录时间限制的范围(记录再现不失败的范围)内，停留于尽可能粗的调整。并且，即使不实施优化，也可以对预先准备的若干个写策略的候选进行试写，采用其中最佳的写策略。

图8详细示出图6或图7的步骤S16以后的处理。这里，假设了要记录的数据如广播节目那样、以规定的传输速率提供的情况。该情况下，为了不在缓存器190中引起溢出、下溢，需要对存储在缓存器190中的记录数据量进行管理。因此，交替重复记录期间和待机期间，在记录期间中，从缓存器190中读出规定量的数据并写入光盘500中，在待机期间中，中断对光盘500的记录，等待在缓存器190中存储规定量以上的数据(等待缓存器190内的数据量成为规定量以上)。这样重复记录(对光盘500的记录)和待机(即中断对光盘500的记录)，所以，也可以说是(对光盘500的)间歇记录。并且，如以下详细叙述的那样，在这种间歇记录中的记录的中断期间中、与校正时机一致的中断期间(设定期间经过后的最初的中断期间)，进行写策略的校正。

步骤S20判断是否通过未图示的单元赋予了记录停止的指示，在赋予了记录停止的指示的情况下(“是”的情况下)，结束数据的记录(步骤S21)。并且，在没有赋予记录停止的指示的情况下(“否”的情况下)，在步骤S22中，等待来自中央控制部200的记录指示。中央控制部200对要记录的数据量和开始记录的时机进行控制，以使存储在缓存器190中的数据大小为空(小于下限设定量)，而不成为缓存器190的大小以上(不多于上限设定量)。当从中央控制部200赋予了记录指示时，在步骤S23中，向光盘500记录由中央控制部200指定的大小的数据。

记录完成后，在步骤S24中，判定是否是写策略(WS)的校正时机。这里，通过是否从记录开始或上次的写策略的校正起经过了设定校正间隔，来判定是否是写策略校正的时机。

这里，“从记录开始或上次的写策略校正起”是指如下意思：“在记录开始后至少进行了一次写策略的处理(后述的步骤S25)的情况下，为进行上次(最近)写策略的校正(步骤S25的处理)后，另一方面，在记录开始后一次写策略的校正(步骤S25的处理)也未进行的情况下，为记录开始后”。

并且，设定校正间隔例如由写入光盘中的数据量来确定。该情况下，对从记录开始或上次的写策略校正起到目前为止记录的数据的大小、和为了决定校正间隔而设定的数据大小进行比较，由此，判定是否是校正时机。

在该判断中，在不是写策略校正时机的情况下(“否”的情况下)，返回步骤S20。并且，在是写策略校正时机的情况下(“是”的情况下)，进行步骤S25的写策略校正处理。

在写策略校正处理(S25)中，首先进行步骤S25A的处理。

在步骤S25A中，再现在步骤S23中之前刚刚记录的信号，测定所再现的信号的质量(抖动值和/或错误率等)。这里，再现信号的区域至少需要为信号质量的测定所需要的大小以上。

接着，在步骤S25B中，根据在步骤S25A中测定的信号的质量，判定是否需要变更写策略。如果不需要变更，则进入步骤S28。如果需要变更，则进入步骤S25C。

接着，在步骤S25C中，对在中央控制部200内(例如RAM 230内)设定的写策略设定值仅变更一级(在用数字信号表现设定值的情况下，最低位的数值仅改变1的幅度)。根据在步骤S25A中测定的信号质量和过去变更的写策略的参数和变更方向等，进行该变更。

接着，在步骤S28中，在步骤S25A中测定的信号质量恶劣的情况下(例如表示信号质量的指标低于规定值(第1规定值)的情况下)，缩短设定校正间隔，在步骤S25A中测定的信号质量良好的情况下(例如表示信号质量的指标低于规定值(第2规定值)的情况下)，延长设定校正间隔。

这里，在本例中，设定校正间隔由写入光盘中的数据量定义和指定，但是，取而代之，也可以由光盘500上记录了数据的部分的半径方向的位移量(从上次进行校正部分的位置起的半径方向的位移量)来定义和指定。

另外，光盘500多数情况下外周部分的翘曲大，并且，有时光盘500的外周部分的记录特性不均一，所以，除了基于上述信号质量的设定校正间隔的设定以外，也可以在内周侧延长写策略的设定校正间隔，在外周侧缩短写策略的设定校正间隔。该情况下，例如，附加半径位置检测单元和步骤，该半径位置检测单元和步骤检测向光盘记录信息的部分的半径方向位置，在半径位置检测单元和步骤中检测到的半径方向位置是内周侧的情况下(当前进行记录的位置是光盘上的规定位置的内周侧的情况下)，进一步延长根据在质量测定步骤(S25A)中测定的再现信号的质量而决定的设定校正间隔，在半径方向位置是外周侧的情况下(当前进行记录的位置是光盘上的规定位置的外周侧的情况下)，进一步缩短根据在质量测定步骤中测定的再现信号的质量而决定的设定校正间隔。

并且，记录特性存在也被温度变化影响的可能性，所以，也可以测定光记录再现装置100的内部温度，根据温度来控制写策略的设定校正间隔。该情况下，例如，附加开始对光盘进行记录时起对温度差进行检测的温度检测单元和步骤，在温度检测单元和步骤中检测到的温度差为某个规定值以上的情况下，进一步缩短根据在质量测定步骤(S25A)中测定的再现信号的质量而决定的所述设定校正间隔。

并且，在数据的记录开始时，为了尽早执行第1次的记录质量测定，也可以在中央控制部200中进行如下控制：在中央控制部200内(例如RAM 230内)以初始值(初始设定校正间隔)进行存储、或在数据开始时强制地设定为短的设定校正间隔(例如最短的设定校正间隔)，以缩短从记录开始到最开始的校正为止的设定校正间隔。

在步骤S28中更新了设定校正间隔后，再次返回步骤S20，进行同样的动作。

这样，以在步骤S28中设定的校正间隔来反复进行写策略的校正。作为写策略的优化手法，可以使用将表示信号质量的指标作为自变量(变量)的最速下降法，也可以通过学习来决定要变更的写策略参数和变更方向。并且，也可以预先设定变更写策略参数的优先度，依次进行变更。但是，在一次的待机期间中，仅进行一次的写策略校正(S25的处理)，在一次的步骤S25C的处理中，不进行多次的写策略的变更，每次执行步骤S25C时仅进行一次变更(或者不进行变更，或者进行变更时也仅进行一次)。

这里，在步骤S25C的处理中进行多次的写策略变更的情况下，需要与进行写策略变更的次数对应的试记录，所以，随时存储记录数据的缓存器190的管理复杂，并且，在待机期间的长度相对于记录期间的长度的比例小的情况下，缓存器190的管理可能失败(引起缓存器190的溢出、下溢)。

与此相对，在步骤S25C的处理中将写策略的变更限制为一次，由此，不需要试记录(下一记录相当于实质的试记录)，能够与以往的不进行写策略校正的情况相同地管理缓存器190。

并且，写策略的变更时，仅变更一级(或者不变更或者仅变更一级、即不进行超过一级的变更)，由此，即使进行信号质量恶化的方向的变更，也不会急剧劣化到记录再现动作失败的程度。

另外，虽然写策略的变更设为一级，但是，关于对信号质量的影响小的写策略参数，也可以在中央控制部200内(例如RAM 230内)预先设定变更的最大级别幅度，在该最大级别幅度的范围内，变更写策略。

并且，关于在写策略的一级的变更中对信号质量的影响大的写策略参数，也可以不在步骤S25C中进行变更，以防止信号质量急剧恶化。例如，预先调查写策略变更与该变更对再现信号的例如抖动值造成的影响的关系，在步骤S25C中对在一级的变更中再现信号的抖动值变化2％以上的这种影响大的写策略参数不进行变更。取而代之，优选在步骤S17中进行基于试写的写策略优化的情况下，优先调整所述影响大的写策略参数。

如上所述，按照写策略设定校正间隔来校正写策略，但是，在光记录再现装置100中，一般地，作为记录功率的校正，有时进行ROPC(Running Optimum Power Control)。ROPC具有利用来自记录中的光盘500的反射光的方法、利用记录后的再现信号的例如不对称值进行控制的方法等。利用记录中的反射光的方法能够并行进行记录动作和再现动作，但是，在利用记录后的再现信号的方法中，需要调整定时以便不与写策略的校正动作重合。

图9示出进行利用记录后的再现信号的ROPC的例子。在步骤S24中没有经过写策略设定校正间隔、因此不是校正时机的情况下(“否”的情况下)，在步骤S29中，作为记录功率校正处理使ROPC动作。

并且，在步骤S24中是写策略校正时机的情况下(“是”的情况下)，也可以在步骤S28的设定校正间隔更新时，进行使中央控制部200执行步骤S24的处理的设定，以强制性地使下一步骤S24中的策略校正时机判定的结果(接着进行步骤S24的策略校正时机判定时的判定结果)为“否”。例如，在对从上次进行写策略的校正起到目前为止记录的数据的大小和预先设定的指定设定校正间隔的数据大小进行比较、来进行步骤S24中的是否是写策略(WS)校正时机的判定的情况下，将指定设定校正间隔的数据大小设定为足够大的值(例如表示数据大小的值的范围的最大值)，来进行下一步骤S24的判定。该情况下，在进行步骤S29的处理后，需要进行用于使下一设定校正间隔恢复为通常值的校正间隔更新(S30)。这样，即使在设定校正间隔短的情况下，也能够与写策略校正交替地执行记录功率校正处理(在一个中断期间中，进行写策略校正(S25)和记录功率校正(S29)中的一方，在下一中断期间中，进行写策略校正(S25)和记录功率校正(S29)中的另一方)。

另外，在上述例子中，在一次的待机期间(中断期间)中，仅进行写策略校正(S25)和记录功率校正(S29)中的一方，但是，如果存在进行写策略校正(S25)和记录功率校正(S29)双方的时间余量，则也可以进行双方。

在图9所示的例子中，交替执行写策略校正和记录功率校正(ROPC)，但是，考虑到仅进行一次基于ROPC的记录功率校正有时无法充分校正的情况。根据之前刚刚记录的信号的信号质量来进行写策略校正，所以，需要在将记录功率控制为最佳的状态下执行。

图10示出通过ROPC的记录功率校正、在将记录功率控制为最佳的状态下进行写策略校正的例子。除了在步骤S23和步骤S24之间进行步骤S35的处理以外的处理与图9相同，所以省略这些说明。

在步骤S35中，判定基于ROPC的记录功率校正是否充分。通过之前刚刚记录的信号的再现特性(不对称值和/或调制度)与目标值的误差是否收敛于预先设定的某个允许值，来判断基于ROPC的记录功率校正是否充分，在收敛于允许值的情况下，判断为不需要记录功率的校正，在没有收敛于允许值的情况下，判断为需要记录功率的校正。

在步骤S35中判断为记录功率校正不充分、需要记录功率的校正的情况下(“否”的情况下)，在步骤S29中，作为记录功率校正处理使ROPC动作。

并且，在步骤S35中判断为不需要基于ROPC的记录功率校正的情况下(“是”的情况下)，在步骤S24中判断是否是写策略校正时机。

在步骤S24中不是写策略校正时机的情况下(“否”的情况下)，在步骤S29中，作为记录功率校正处理使ROPC动作，在步骤S24中是写策略校正时机的情况下(“是”的情况下)，在步骤S25中进行写策略校正。

这里，在步骤S24中不是写策略校正时机的情况下，在步骤S35中判断为不需要记录功率的校正，所以，也可以不进行步骤S29和步骤S30的处理。

在步骤S20中判断为记录停止的情况下(“是”的情况下)，结束数据的记录(步骤S21)。参照图11说明此时(结束S21之前进行)在步骤S25C的写策略变更中变更的写策略的处理。图11大致与图9相同，但是以下方面不同。

在步骤S25A中再现信号并测定了信号质量时，在得到良好的结果的情况下，在光盘的记录管理区域的一部分中记录基于前一步骤S25C中的写策略变更的变更后的写策略的值(因此，是产生良好的信号质量的写策略的值)(S36)。这里，例如在DVD盘中，在光盘500的内周的引导(Lead-in)区中存在对记录条件等进行记录的管理区域，在该一部分中记录变更后的写策略的值作为写策略校正值。然后，在对该光盘500补记数据的情况下，在步骤S12中，代替写策略推荐值，从光盘500中读出所记录的变更后的写策略的值(写策略校正值)，在步骤S13中，设定所述读出的写策略的值。

为了进行该处理(步骤S36的处理)，在中央控制部200内(例如RAM 230内)保持在步骤S25C中变更的写策略值，接着，在中央控制部200内(例如RAM 230内)保持执行步骤S25A时测定的信号质量。判定以后在步骤S25A中测定的信号质量是否优于在中央控制部200内保持的信号质量(S25H)，在判定为“优于”的情况下(S25H为“是”)，更新在中央控制部200的RAM 230内保持的信号质量和写策略值。即，写入在该步骤S25A中测定的信号质量作为新的值，写入在执行该步骤S25A之前执行的步骤S25C中变更的写策略值作为新的值(S25J)。在步骤S25A中测定的信号质量低于在中央控制部200内保持的信号质量的情况下(S25H为“否”)，不更新信号质量和写策略值。(因此保持此前的值。)如上所述，RAM 230作为变更后的写策略的保持单元发挥功能。

然后，在步骤S20中判断为记录停止的情况下，在光盘的记录管理区域的一部分中记录在中央控制部内保持的写策略值(S36)。

这里，关于针对光盘500的写策略值的记录，只要对应于光盘500的规格记录在能够记录写策略的值的区域中即可，不一定要记录在记录管理区域。并且，在自动进行最终处理、预先知道以后不对光盘500进行补记的情况下，也可以不记录变更后的针对光盘500的写策略的值。

并且，从在中央控制部200内(例如EEPROM 220内)保持的写策略的列表(与光盘500的ID分别对应的列表)中读出记录开始时的写策略、并在步骤S13中设定在RAM 230中时的处理如图12所示，当通过在步骤S25C的写策略变更中变更的写策略的记录质量优于基于记录开始时的写策略的记录质量(在步骤S25A中记录开始后初次测定的记录质量)的情况下，更新所述列表的写策略值。

该情况下，在步骤S25J中，改写RAM 230内的写策略，在记录停止(S20为“是”)时，改写EEPROM 220内的列表(S37)。

但是，在基于记录开始时的写策略的记录质量(记录开始后在步骤S25A中初次测定的记录质量)良好的情况下(例如抖动值为8％以下的情况下)，也可以不更新所述列表。换言之，也可以仅限于在使用在列表中记录的写策略参数而记录的信号的质量低于预先设定的值的情况下，更新列表。

这里，在步骤S17中进行了写策略优化的情况下，对基于在步骤S17中优化的写策略的记录性能和基于在步骤S25C中变更的写策略的记录性能进行比较，同样更新所述列表。但是，在基于记录开始时的写策略(在步骤S17中优化的写策略)的记录质量良好的情况下，将所述列表的写策略值更新为在步骤S17中优化的写策略值。

并且，在列表中没有登记光盘500的ID，且基于在步骤S25C的写策略变更中变更的写策略的记录质量优于基于记录开始时的写策略的记录质量的情况下，与光盘500的ID一起，在所述列表中追加变更后的写策略值。

另外，关于以上这种变更后的写策略值在光盘中的记录或更新、或者EEPROM 220内的列表的更新，不限于仅在判断为对光盘的记录停止后(在步骤S20中判断为“是”后)进行，例如，也可以在记录数据量为记录规定的数据量时、或者针对光盘500的记录半径位置为规定位置的情况下等，进行变更后的写策略值的记录或更新。

如上所述，在本实施方式1中，按照指定了写策略的设定校正间隔，随时(根据需要)进行变更，所以，在对广播节目进行录像时的间歇记录中，能够有效利用对光盘的记录中断的待机期间来变更写策略。并且，在一次的待机期间中，仅进行一次的写策略校正(S25的处理)，在一次的写策略变更的处理(S25C)中，仅进行一次的写策略变更，所以，即使在间歇记录中的待机期间短的情况下，也能够进行写策略校正，而不会引起缓存器190的数据失败(不会引起缓存器190的溢出、下溢)。并且，根据信号质量水平来变更写策略校正的时机，所以，不会实施过度校正，能够减少光记录装置100的中央控制部200的负荷。

实施方式2

接着，说明实施方式2的光记录方法的步骤。在实施方式2中，除了实施方式1中的写策略校正和记录功率校正(ROPC)以外，还进行倾斜校正。

光盘500的盘面一般在外周存在翘曲，多数情况下为碗型的形状。因此，在数据的记录再现时，需要根据光盘500的半径位置来调整光学头300的倾斜角度，使得来自物镜350的激光垂直地照射光盘500。特别地，由于倾斜角度偏离最佳值，数据的再现性能大幅劣化。

在本发明中，根据之前刚刚记录的信号的再现性能来进行写策略校正，所以，在由于倾斜角度偏离最佳值而使再现性能劣化的情况下，无法正确地进行写策略校正。

这里，在光学头300上搭载了用于检测与光盘500之间的角度的倾斜传感器的情况下，根据来自所述倾斜传感器的输出，能够将倾斜角度控制为最佳，但是，在没有搭载所述倾斜传感器的情况下，需要始终将倾斜角度调整为最佳。

在光学头300上没有搭载所述倾斜传感器的情况下，多数情况下使用如下方法：预先利用光盘内周到外周之间的两点以上的半径值对倾斜进行优化，并进行插值；在光盘500未记录的情况下，多数情况下使用如下方法：调整倾斜角度，以使由伺服控制部180生成的伺服错误信号振幅最大。但是，由于光盘500的不同，伺服错误信号振幅最大时的倾斜角度和再现性能最佳时的倾斜角度有时不一定相等，有时差异很大，对写策略校正造成不良影响。

实施方式2对应于这种没有将倾斜角度调整为最佳的情况。

图13是示出实施方式2的写策略校正方法的图。图13的直到步骤S16的数据记录开始为止的处理与图6或图7相同，所以省略。图13大致与图10相同，但是，在步骤S24为“否”时的处理不同。下面说明此时的处理。

在步骤S24中不是写策略校正时机的情况下(“否”的情况下)，在步骤S38中进行倾斜校正，在步骤S39中进行设定校正间隔的更新。该步骤S39的处理与步骤S28和步骤S30相同，所以省略说明。

另外，不一定必须对设定校正间隔进行控制，也可以进行固定的时机设定。

图14是示出实施方式2的倾斜校正方法的一例的图。首先，在步骤S101中，设定对倾斜进行变更的方向(正或负)。这里，在记录开始后初次实施步骤S101的情况下，可以设定为任意方向。

在步骤S102中，取得当前的倾斜设定值T，将其设定为基准倾斜值T0。接着，在步骤S103中，测定之前刚刚记录的信号的再现特性(基准倾斜值T0的信号振幅R0)。这里，再现信号的信号振幅最大的倾斜角度和再现性能最佳的倾斜角度大致相等，所以，利用再现信号的信号振幅来判断是否将倾斜角度校正为接近最佳值。

接着，在步骤S104中，变更一级的倾斜设定值(在用数字信号表现设定值的情况下，则为最小位的数值仅改变1的幅度)。这里，变更方向变更为在步骤S101中设定的方向。并且，变更量一级是从最佳的倾斜变化3～5级信号振幅变化一级(在用数字信号表现信号振幅的情况下，最小位的数值仅改变1的幅度)的量，并且预先存储在中央控制部200内(例如RAM 230内)。

接着，在步骤S105中，测定之前刚刚记录的信号(与在步骤S103中再现的信号相同的信号)的再现特性(信号振幅R1)。

接着，在步骤S106中，判断信号振幅是否由于变更倾斜而增加(如果R1-R0为正，则“是”，如果R1-R0为负，则“否”)。

在步骤S106的判断为“否”的情况下，在步骤S107中，还原倾斜设定，在步骤S108中，将倾斜变更方向设定为与当前设定的方向相反的方向(在记录开始后初次实施步骤S108的情况下，变更为与在步骤S101中设定的方向相反的方向)。步骤S108以后，实施步骤S111。

另一方面，在步骤S106的判断为“是”的情况下，在步骤S109中，对R0的值设定R1的值。并且，在步骤S110中，将当前的倾斜设定值设定为T0。接着，在步骤S111中，判断是否继续进行校正处理。

在校正处理判断为“否”的情况下(结束校正处理的情况下)，结束步骤S38的处理，实施步骤S39。

在校正处理判断为“是”的情况下(继续进行校正处理的情况下)，返回步骤S104的处理，以在步骤S109、步骤S111中更新的倾斜基准值T0、倾斜基准值T0中的信号振幅值R0为基准，反复进行同样的处理。

这里，步骤S110的倾斜校正处理需要在一次的中断期间内进行，所以，根据剩余的中断期间来决定是否继续进行步骤S111的校正处理的判断(在判断为在剩余的中断期间中无法进行一次的倾斜变更和信号质量测定的情况下，结束校正处理)。

另外，不仅根据剩余的中断期间来决定步骤S111的校正处理是否继续的判断，如果在步骤S106中计算出的信号振幅的增加量小，则也可以判断为倾斜角度接近最佳值，从而结束校正处理。

并且，在图14中，使用信号振幅作为在步骤S102、步骤S105中测定的信号质量，但是，也可以测定再现性能(抖动值或错误率)。该情况下，在步骤S106的判断中，设通过倾斜变更使再现性能变优的情况为“是”，变差的情况为“否”。

并且，在步骤S38的倾斜校正处理中，也可以改变预先确定的级数的倾斜角度来分别测定各自的信号质量，在要测定的信号质量为信号振幅的情况下，将成为最大值的倾斜角度设定为校正后的倾斜角度，在要测定的信号质量为再现性能的情况下，将成为最佳值的倾斜角度设定为校正后的倾斜角度。

并且，在步骤S104中，不需要使倾斜设定为固定的一级(这里的一级是预先设定并预先存储在中央控制部200内(例如RAM 230内)的值)，在步骤S106的比较时，也可以如下变更：如果差较大，则增大倾斜变更级，如果差较小，则减小倾斜变更级等。

如上所述，在实施方式2中，对光盘和光学头的倾斜角度也进行校正，所以，能够防止由于倾斜角度偏离最佳值而产生的再现性能劣化的影响对写策略校正造成不良影响。

实施方式3

接着，说明实施方式3的光记录方法的步骤。在实施方式3中，这里假设了如下情况：从其他记录介质向光盘500复制数据的情况等、一口气地即连续地向光盘500记录全部数据的情况。这种情况下，与对广播进行录像时不同，能够与外部的信息供给源独立地进行记录，不受外部的信息供给源的数据传送的比特率制约。

图15是示出本实施方式3的写策略校正方法的图。图15的直到步骤S16的数据记录开始为止的处理与图6或图7相同，所以省略。在图15中，与图8、图9相同的标号表示同样的步骤。

在从其他记录介质向光盘500复制数据的情况等、已经在上位控制器400中准备了数据的情况下，在没有如广播节目的记录那样受到从外部的信息供给源供给的数据传送的比特率的制约的情况下，中央控制部200本来不需要细致地控制记录时机，即能够一口气地即连续地向光盘500进行记录，但是，在本发明中，在连续记录期间，以规定的设定校正间隔，中断记录，测定再现信号的质量，根据需要进行记录条件的变更。

在步骤S16中开始数据记录后，在步骤S24中，判断是否是写策略校正时机、即从记录开始或上次的写策略校正起是否经过了设定校正间隔。

这里，设定校正间隔例如由写入光盘中的数据量确定，对从记录开始或上次的写策略校正起到目前为止记录的数据的大小和为了决定校正间隔而设定的数据大小进行比较，由此，判定是否是校正时机。

在步骤S24中不是写策略的校正时机的情况下(“否”的情况下)，在步骤S31中，判断全部记录是否完成(作为复制对象的数据已被全部记录)。在步骤S31的判断中全部数据的记录完成的情况下(“是”的情况下)，在步骤S21中结束记录动作。并且，在步骤S31的判断中全部数据的记录没有完成的情况下(“否”的情况下)，返回步骤S24的处理。另外，这期间，只要全部数据的记录没有完成，就继续执行记录动作。

另一方面，在步骤S24中是写策略校正时机的情况下(“是”的情况下)，在步骤S32中，临时停止正在执行的记录。

接着，进行步骤S25的写策略校正处理。

在写策略校正处理(S25)中，首先进行步骤S25A的处理。

在步骤S25A中，再现之前刚刚(步骤S32的记录临时停止之前刚刚)记录的数据，测定所再现的信号的质量(抖动值或错误率等)。这里，再现信号的区域至少需要为信号质量的测定所需要的大小以上。

接着，在步骤S25B中，根据在步骤S25A中测定的信号的质量，判定是否需要写策略的变更。如果不需要变更，则进入步骤S28。如果需要变更，则进入步骤S25C。

接着，在步骤S25C中，仅从在中央控制部200内(例如RAM 230内)设定的写策略设定值变更一级。根据在步骤S25A中测定的信号质量和过去变更的写策略的参数和变更方向等，进行该变更。

接着，在步骤S28中，在步骤S25A中测定的信号质量恶劣的情况下(例如表示信号质量的指标劣于规定值(第1规定值)的情况下)，缩短设定校正间隔，在步骤S25A中测定的信号质量良好的情况下(例如表示信号质量的指标劣于规定值(第2规定值)的情况下)，延长设定校正间隔。

这里，在本例中，设定校正间隔由写入光盘中的数据量定义和指定，但是，取而代之，也可以由光盘500上的记录了数据的部分的半径方向的位移量(从上次进行校正的部分的位置起的半径方向的位移量)定义和指定。

另外，多数情况下光盘500的外周部分的翘曲大，并且，有时光盘500从中心到外周部分的记录特性不均一，所以，除了基于上述信号质量的设定校正间隔的设定以外，也可以在内周侧延长写策略的设定校正间隔，在外周侧缩短写策略的设定校正间隔。

另外，记录特性存在被温度变化影响的可能性，所以，也可以测定光记录再现装置100的内部温度，根据温度来控制写策略的设定校正间隔。

并且，在数据的记录开始时，为了尽早执行第1次的记录质量测定，也可以在中央控制部200中进行如下控制：在中央控制部200内(例如RAM 230内)作为初始值(初始设定校正间隔)进行存储、或在数据开始时强制设为短设定校正间隔(例如最短的设定校正间隔)，以缩短从记录开始到最初的校正为止的设定校正间隔。

在步骤S28中更新了设定校正间隔后，在步骤S33中再次开始记录，再次返回步骤S24，进行同样的动作。

这样，以在步骤S36中设定的校正间隔来反复进行写策略校正。作为写策略的优化手法，可以使用将表示信号质量的指标作为自变量(变量)的最速下降法，也可以通过学习来决定要变更的写策略的参数和变更方向。并且，也可以预先设定变更写策略参数的优先度，依次进行变更。但是，在一次的中断期间中，仅进行一次的写策略校正(S25的处理)，在一次的步骤S25C的处理中，不进行多次的写策略变更，每次执行步骤S25C时仅进行一次变更(或者不进行变更，或者进行变更时也仅进行一次)。

在实施方式3中，仅进行写策略的校正，但是，与实施方式1或实施方式2同样，也可以进行记录功率的校正处理、倾斜的校正处理。

并且，与实施方式1同样，也可以向光盘500记录校正后的写策略值，更新写策略的列表。

如上所述，在本实施方式3中，在本来能够连续进行的复制等的记录时，按照设定校正间隔来测定记录质量，根据需要来变更写策略的参数，所以，针对盘的半径方向能够高效地校正写策略，在光盘的翘曲大的情况下、记录特性不均一的情况下，能够防止进而由于记录中的温度变化的影响而使记录质量恶化，能够进行质量稳定的记录。

并且，在一次的临时停止中(中断期间中)，仅进行一次写策略校正(S25的处理)，在一次的写策略变更处理(S25C)中，仅进行一次写策略变更，所以，能够减少记录中断造成的影响。并且，能够根据信号质量的水平来变更写策略校正的时机，所以，不会实施过度的校正，能够减少光记录装置100的中央控制部200的负荷。

实施方式4

接着，说明实施方式4的光记录方法的步骤。在实施方式4中，与实施方式3同样，假设了如下情况：从其他记录介质向光盘500复制数据的情况等、一口气地即连续地向光盘500记录全部数据的情况。

图16是示出本实施方式4的写策略的校正方法的图。图16的直到步骤S16的数据记录开始为止的处理与图6、图7相同，所以省略。在图16中，与图8、图9、图15相同的标号表示同样的步骤。

在步骤S16中开始数据记录后，在步骤S24中，判断是否是写策略的校正时机、即从记录开始或上次的写策略校正起是否经过了设定校正间隔。

接着，进行步骤S25的写策略校正处理。

在写策略校正的处理(S25)中，首先进行步骤S25A的处理。

在步骤S25A中，再现之前刚刚(步骤S32的记录临时停止之前刚刚)记录的数据，测定所再现的信号的质量(抖动值或错误率等)。这里，再现信号的区域需要至少为信号质量的测定所需要的大小以上。

接着，在步骤S25B中，根据在步骤S25A中测定的信号质量，判定是否需要写策略的变更。如果不需要变更，则进入步骤S28。如果需要变更，则进入步骤S25C。

接着，在步骤S25C中，仅从在中央控制部200内(例如RAM 230内)设定的写策略设定值变更一级。根据在步骤S25中测定的信号质量和过去变更的写策略的参数和变更方向等，进行该变更。

接着，在步骤S41中，使用在步骤S25C中变更的写策略进行规定的数据大小的试记录。在进行接下来的数据记录的区域中进行该试记录，要记录的信号也使用接下来要进行记录的数据(例如，在步骤S32中临时停止记录的区域之后的下一数据区域中，记录在步骤S32中临时停止记录的数据之后的下一数据)。并且，此时要试记录的记录数据大小至少为信号质量的测定所需要的大小以上，并且，至少为能够由数据解码器140进行解码的数据大小以上。并且，该要试记录的记录数据大小也可以预先设定在中央控制部200内(例如RAM 230内)。

接着，在步骤S42中，再现在步骤S41中试记录的信号，测定所再现的信号的质量(抖动值或错误率等)。

接着，在步骤S43中，判断在步骤S42中测定的记录质量是否不低于在步骤S25A中测定的记录质量。

在步骤S43的判断中，在步骤S42中测定的记录质量恶劣的情况下(“是”的情况下)，在步骤S44中，使在步骤S25C中变更的写策略还原为变更前的写策略。

这里，在步骤S44的处理中，还原为变更前的写策略(原来的值)，但是不限于此。例如，也可以在中央控制部200内(例如RAM 230内)记录过去变更的写策略和利用该写策略进行记录时的记录质量的历史，根据过去的状况来选择写策略。

接着，在步骤S45中，设定接下来应该变更的写策略的参数和方向。这里设定的写策略参数的设定在接下来的步骤S25C中进行写策略变更时作为变更的对象。接着，进行步骤S28的处理。

另一方面，在步骤S43的判断中，在步骤S42中测定的记录质量良好的情况下、即没有恶化的情况下(“否”的情况下)，进行步骤S28的处理。

接着，在步骤S28中，更新设定校正间隔。

这里，在步骤S43中判断为信号质量恶化的情况下(“是”的情况下)，根据在步骤S25中测定的信号质量来变更设定校正间隔。即，在步骤S25中测定的信号质量恶劣的情况下(例如表示信号质量的指标劣于规定值(第1规定值)的情况下)，缩短设定校正间隔，在信号质量良好的情况下(例如表示信号质量的指标劣于规定值(第2规定值)的情况下)，延长设定校正间隔。

另一方面，在步骤S43中判断为信号质量没有恶化的情况下(“否”的情况下)，根据在步骤S42中测定的信号质量来变更设定校正间隔。

接着，在步骤S33中，使用所设定的写策略再次开始记录。然后，再次返回步骤S24，进行同样的动作。

这样，以在步骤S28中设定的校正间隔来反复进行写策略校正。作为写策略的优化手法，可以使用将表示信号质量的指标作为自变量(变量)的最速下降法，也可以通过学习来决定要变更的写策略的参数和变更方向。并且，也可以预先设定变更写策略参数的优先度，依次进行变更。但是，在一次的中断期间中，仅进行一次写策略校正(S25的处理)，在一次的步骤S25C的处理中，不进行多次的写策略变更，每次执行步骤S25C时仅进行一次变更(或者不进行变更，或者进行变更时也仅进行一次)。

在实施方式4中，能够得到与实施方式3相同的效果。除此之外，在变更了写策略后，仅实施一次的试记录来确认变更的效果，所以，能够减少信号质量恶化状态下的记录区域。

另外，在实施方式4中，在一口气地记录全部数据的情况下，换言之，在与外部的信息供给源的数据速率独立地进行记录的情况下，在写策略校正后，在数据区域中进行一次试记录，但是，在实施方式1那样反复进行规定信息量的记录和中断记录的待机的情况下，也可以根据缓存器190的状况，如果缓存器190不为空、或数据不是缓存器190的大小以上，则与实施方式4同样进行试记录。

另外，在停止信息记录的情况下，作为在写策略校正单元或步骤(S25)中校正的写策略，在存储单元(例如图1的RAM 230或未图示的非易失性存储器)中存储质量良好的最终的写策略参数，接着在相同的光记录介质中进行信息记录的情况下，也可以使用所存储的写策略的参数。

在实施方式4中，仅进行写策略的校正，但是，与实施方式1或实施方式2同样，也可以进行记录功率的校正处理、倾斜的校正处理。

实施方式5

接着，说明实施方式5的光记录方法的步骤。在实施方式5中，除了实施方式1～实施方式4的写策略的校正以外，还根据要校正的写策略的参数及其变化量，进行记录功率的变更。

图17是示出本实施方式5的光记录方法的步骤的图。图17的光记录方法的步骤中直到步骤S15为止的步骤与图6、图7相同，所以省略该说明。在图17中，与图6、图7相同的标号表示同样的步骤。

在通过步骤S15决定了最佳功率后，在步骤S51中，计算写策略和记录功率的关系(例如，由相对于写策略(的各参数)变化量的、记录功率的变化量而决定的系数、例如后者相对于前者之比)。

中央控制部200针对每个写策略参数，保持写策略和再现特性(不对称值和/或调制度)的关系(例如，由相对于写策略的该参数的变化量的、再现特性值的变化量决定的系数、例如后者相对于前者之比)KW0i(KW0i＝再现特性的变化量/写策略的变化量，i为用于确定写策略参数的种类的附加字符)、以及决定该写策略和再现特性的关系KW0i时的记录功率和再现特性(不对称值和/或调制度)的关系(由相对于记录功率的变化量的再现特性(值)的变化量决定的系数、例如后者相对于前者之比)KR0(KR0＝记录功率的变化量/再现特性的变化量)(将该关系KR0称为“作为基准的写策略和再现特性的关系”)，使用根据步骤S15中的试写结果而求出的记录功率和再现特性的关系(由相对于记录功率的变化量的再现特性的变化量的关系决定的系数、例如后者相对于前者之比)KR1，通过以下的计算式(3)，计算写策略和记录功率的关系(由相对于写策略的变化量的、记录功率的变化量的关系决定的系数、例如后者相对于前者之比)KPi(KPi＝记录功率的变化量/写策略的变化量，i为用于确定写策略的参数的种类的附加字符)。

KPi＝KR1×KR1/KR0×KW0i …(3)

下面说明使用所述计算式的理由。

在用于求出写策略和再现特性的关系KW0i、以及记录功率和再现特性的关系KR0的条件中，利用下式(4)给出写策略和记录功率的关系

(由相对于写策略的变化量的记录功率的变化量决定的系数、例如后者相对于前者之比)KP0i。

KP0i＝KW0i×KR0…(4)

但是，由于介质厂商和对应记录速度不同，***光记录再现装置100的光盘500的记录灵敏度不同，所以，即使使用根据在中央控制部200内保持的系数而计算出的写策略和记录功率的关系KP0i，也存在无法适当地变更记录功率的可能性。因此，为了进行与***光记录再现装置100的光盘500的记录灵敏度相对应的校正，使用根据步骤S15的试写结果而求出的记录功率和再现特性的关系KR1、以及在中央控制部200内保持的记录功率和再现特性的关系(作为基准的关系)KR0之比，来校正写策略和再现特性的关系。通过下式(5)来计算对***光记录再现装置100的光盘500的写策略和再现特性的关系KW1i(由相对于写策略的变化量的、再现特性的变化量决定的系数、例如后者相对于前者之比)，将其存储在中央控制部200内。

KW1i＝KR1/KR0×KW0i …(5)

并且，通过下式(6)来计算对***光记录再现装置100的光盘500的写策略与记录功率之间的关系KPi，将其存储在中央控制部200内。

KPi＝KR1×KW1i

＝KR1×KR1/KR0×KW0i …(6)

式(6)与式(3)内容相同。

这里，为了进行所述校正，将根据步骤S15的试写结果而求出的记录功率和再现特性之间的关系KR1、以及在中央控制部200内保持的记录功率和再现特性之间的关系KR0之比与在中央控制部200内保持的写策略和再现特性之间的关系KW0i相乘，由此，校正写策略和再现特性的关系，但是，在预先知道记录功率和再现特性的关系(再现特性的变化量相对于记录功率的变化量的比率)、与写策略和再现特性的关系(再现特性的变化量相对于写策略的变化量的比率)不同的情况下，也可以进一步与用于校正各个比率的系数相乘。该情况下，例如使用下式(7)所表现的关系。

KW1i＝CR×KR1/KR0×KW0i …(7)

式(7)中，CR为比率校正用的系数。

并且，在中央控制部200内存储KW1i和KPi，但是，也可以仅存储某一方，在存储KW1i的情况下，在后述的记录功率变更时计算KPi。

并且，KPi、KW1i、KW0i根据写策略参数而不同，所以，针对每个写策略参数，在中央控制部200内(例如RAM 230内)存储KPi、KW1i、KW0i。

最后，在步骤S16中，根据在步骤S13中设定的写策略和在步骤S15中决定的记录功率，开始针对光盘500的真正的数据写入(真写入)。

这里，在图17的光记录方法的步骤中，在步骤S15的试写后，在步骤S16开始数据记录之前的期间中，进行步骤S51的写策略的变化量和记录功率的变化量的关系计算处理，但是，也可以在步骤S 16开始数据记录后，执行步骤S51的处理。

并且，在图17中，在步骤S16以后的记录中使用在步骤S13中设定的写策略，但是，与图7的步骤S17同样，也可以在步骤S16之前反复执行试写来进行写策略的优化。并且，在此时的优化中，也可以停留于在所要求的记录时间制约的范围(记录再现不失败的范围)内可能实现的粗略的调整。并且，即使不实施优化，也可以以预先准备的若干个写策略的候选进行试写，采用其中最佳的写策略。

实施方式5中的步骤S16以后的处理大致与图8、图9、图10、图15、图16、图13相同。在实施方式5中，写策略校正处理与图8不同。图18示出实施方式5的写策略校正(步骤S25)的步骤。在图18中，与图8、图9、图10、图15、图16、图13相同的标号表示相同的步骤。

在实施方式5中，在写策略校正处理(S25)中，首先，进行步骤S25A的处理。

在步骤S25A中，再现在步骤S23之前刚刚记录的信号，测定所再现的信号的质量(抖动值和/或错误率等)。这里，再现信号的区域需要至少为测定信号质量所需要的大小以上。

接着，在步骤S25B中，根据在步骤S25A中测定的信号质量，判定是否需要写策略的变更。如果不需要变更，则结束步骤S25的处理。如果需要变更，则进入步骤S25C。

接着，在步骤S25C中，仅从在中央控制部200内(例如RAM 230内)设定的写策略设定值变更一级(在用数字信号表现设定值的情况下，最小位的数值仅改变1的幅度)。根据在步骤S25A中测定的信号质量和过去变更的写策略的参数和变更方向等，进行该变更。

接着，在步骤S25D中，使用变更后的写策略的参数和变更量、在步骤S51的写策略和记录功率的关系计算处理中计算出的写策略的变更量和记录功率的变更量的关系KPi，变更记录功率，接着在步骤S23中记录数据时使用。通过下式(8)计算记录功率。

PWn＝PWb-KPi×(dWSi)…(8)

这里，PWn是下一记录中应该使用的记录功率，PWb是上次记录中使用的记录功率，dWSi是在步骤S25C中变更的写策略的变更量(从变更后的写策略中减去变更前的写策略后的值)。并且，i是用于确定写策略的参数的附加字符。

接着，说明与写策略校正相对应地来变更记录功率的理由。在变更了写策略的情况下，对光盘500赋予的热量变化，所以，即使在同一记录功率下进行记录，再现特性(不对称值和/或调制度)也会变化。在再现特性针对写策略的变更，变化显著的情况下，在写策略变更的位置、即记录的衔接部分中，信号不连续，影响对再现信号进行解码时的波形均衡特性和/或二值化性能，有时引起再现性能的劣化。因此，为了防止写策略校正所引起的再现特性的急剧变化，与写策略的校正量相对应地变更记录功率。

实施方式6

接着，说明实施方式6的光记录方法的步骤。在实施方式6中，与实施方式5相同，与写策略的校正相对应地变更记录功率。

图19是示出本实施方式6的光记录方法的步骤的图。图19的光记录方法的步骤中步骤S15之前的步骤与图6、图7、图17相同，所以省略。在图19中，与图6、图7、图17相同的标号表示同样的步骤。

在通过步骤S15决定了最佳功率后，在步骤S52中，利用在步骤S15中决定的最佳功率、以及对在步骤S13中设定的写策略的各个参数变更了预先指定的级数后的写策略，进行调查写策略和再现特性(不对称值和/或调制度)的关系的试写。即，在步骤S13中，在写策略控制部170中设定如下的写策略：在中央控制部200内已被设定的写策略中加上或减去在中央控制部200内设定的指定级数后的写策略，由此，在写策略控制部170中生成基于测试模式的写策略，使用光学头300进行对光盘500的试写。然后，利用光学头300再现光盘500上的记录了测试模式的区域，测定由再现特性测定部150检测到的再现特性(不对称值和/或调制度)，求出写策略的变化量和再现特性的变化量的关系。

接着，在步骤S51中，根据步骤S15的试写结果，求出记录功率的变化量和再现特性的变化量的关系KR(KR＝记录功率的变化量/再现特性的变化量)，并且，根据在步骤S52中求出的写策略的变化量和再现特性的变化量的关系KW2i(KW2i＝再现特性的变化量/写策略的变化量，i为用于确定写策略的参数的种类的附加字符)，求出写策略的变化量和记录功率的变化量的关系，

KP2i＝KR×KW2i …(9)

并存储在中央控制部200内。

这里，在图19的光记录方法的步骤中，在赋予了记录指示后(步骤S14)，实施步骤S15的用于决定最佳功率的试写，在步骤S52中，通过试写来调查写策略和再现特性的关系，但是，也可以在步骤S13中设定了写策略后，在赋予记录指示之前(步骤S14之前)的待机时，进行步骤S15的试写和步骤S35的试写。

并且，在步骤S52中，也可以不针对全部写策略参数进行试写，而预先限定为对再现特性带来较大变化的参数进行试写。该情况下，关于不进行试写的写策略参数，可以使用存储在中央控制部200中的默认的写策略参数的变化量和再现特性的变化量的关系，或者不进行步骤S25D中的记录功率的变更。

图20是示出本实施方式7的写策略校正(步骤S25)的步骤的图。写策略校正(步骤S25)以外的处理与图8、图9、图10、图13、图15、图16相同，所以省略。在图20中，与图18相同的标号表示相同的步骤。

在写策略校正处理(S25)中，首先，进行步骤S25A的处理。

然后，在步骤S25E中，再现之前刚刚记录的信号，测定所再现的信号的再现特性(不对称值和/或调制度)。这里，在步骤S25A中测定的信号质量和在步骤S25E中测定的再现特性不需要分别测定，如果可能，优选同时进行测定。

接着，在步骤S25G中，判定是否初次实施步骤S25的处理。在初次实施的情况下(步骤S25G为“是”)，不进行写策略的变化量和再现特性的变化量的关系校正，将在实施方式5中使用的KW1i或在实施方式6中使用的KW2i设定为写策略的变化量和再现特性的变化量的关系KW3i。

在已经实施了一次以上的步骤S25的处理的情况下(步骤S25G为“否”)，在步骤S25F中，根据在步骤S25E中测定的再现特性(R2)、上次在步骤S25C中校正写策略之前测定的再现特性(R1)、上次在步骤S25C中变更的写策略的变更量(dWSi)，作为

KW4i＝(R2-R1)/dWSi …(10)

计算写策略和再现特性的关系。

这里，KW4i是包含上次实施步骤S25时、在步骤S25D中实施的记录功率变更的影响在内的结果，相当于上次在步骤S25D中实施的记录功率变更的不足量。因此，在步骤S25F中，对上次使用的写策略和再现特性的关系KW3i加上表现为上次的不足量的写策略和再现特性的关系KW4i，作为

KW3i＝KW3i+KW4i …(11)

来校正写策略和再现特性的关系。

这里，作为实施步骤S25的写策略校正处理的条件，优选通过ROPC将基于上次的步骤S25的写策略校正处理的记录功率变更不足量调整为最佳。

接着，在步骤S25D中，根据变更后的写策略的参数和变更量、在步骤S25F中校正的写策略和再现特性的关系KW3i、在步骤S15中求出的记录功率和再现特性的关系KR1，通过下式(12)变更记录功率。

PW2n＝PW2b-KR1×KW3i×(dWS2i)…(12)

这里，PW2n是下一记录中应该使用的记录功率，PW2b是上次记录中使用的记录功率，dWS2i是在步骤S25C中变更的写策略的变更量(从变更后的写策略中减去变更前的写策略后的值)。并且，i是用于确定写策略的参数的附加字符。

在上述的实施方式1～实施方式7中，示出光盘500记录进行EFM+调制后的数据的情况(例如DVD的情况)，但是不限于此，只要是能够通过中央控制部200来设定基于光盘500的种类的写策略参数、并输出期望的写策略信号的光记录再现装置100即可。即，例如在光盘500记录进行1-7调制后的数据的情况下(例如Blu-ray盘(BD)的情况下)，能够通过中央控制部200设定与BD对应的写策略参数，通过写策略控制部170生成与BD对应的写策略信号，同样能够应用实施方式1～实施方式7。但是，在光盘500为BD的情况下，有时光记录再现装置100的光学头300的结构部分不同，但是该结构没有造成特别的影响。即，在任意的光盘500或任意的调制方式中，在使用写策略向光盘500进行记录的情况下，同样能够应用实施方式1～实施方式7。

并且，在实施方式1～实施方式7中，利用光学头的致动器来进行上述倾斜角度的控制，但是，只要是能够控制倾斜角度的装置和单元，则可以是任意装置和单元。例如，在通过液晶元件来控制倾斜角度的情况下，只要控制所述液晶元件来校正倾斜角度即可。

如上所述，在本发明中，在反复进行针对光盘的规定量信息的记录、以及中断针对光盘的记录并等待在缓存器中存储数据的待机，同时向光盘记录信息的情况下，在待机中测定之前刚刚记录的信号的再现质量，随时(根据需要)变更写策略参数，能够防止在光盘的翘曲大的情况下、记录特性不均一的情况下、或者记录中的温度变化带来影响的情况下的记录质量恶化，能够实现质量稳定的记录。并且，写策略参数的变更仅为一级，所以，能够防止过度的变更，能够进行写策略的校正，而不会引起信号质量的急剧劣化。

并且，在与外部的信息供给源独立地在光记录介质中记录全部信息的情况下(原本能够连续进行记录的情况下)，以规定的间隔(校正间隔)临时停止记录，在停止的期间内测定之前刚刚记录的信号的再现质量，随时(根据需要)变更写策略参数，能够防止记录质量恶化，能够实现质量稳定的记录。并且，根据记录质量来控制对写策略进行校正的间隔，由此，能够排除写策略的多余的校正。

并且，在初始设定的用于记录的写策略不是最佳的情况下，随时(根据需要)变更写策略，所以，能够改善记录质量。

并且，根据写策略的校正量来变更记录功率，所以，能够将变更写策略所引起的再现特性(不对称值和/或调制度)的变动抑制为较小，能够实现质量稳定的记录。

Claims

1.一种光记录方法，该光记录方法按照由多个参数构成的与记录数据长度对应的写策略，在光记录介质上照射激光，由此在光记录介质中记录信息，其特征在于，

通过交替重复进行信息记录的记录期间和中断记录的中断期间来记录信息，

所述光记录方法具有：

在所述中断期间中，再现在前一记录期间中记录的信息，根据再现信号的质量来校正写策略参数的写策略校正步骤；以及

使用在所述写策略校正步骤中校正后的写策略参数来进行下一记录期间中的上述记录的步骤，

所述写策略校正步骤包含：

质量测定步骤，在该步骤中，测定之前刚刚记录的信号的质量；以及

写策略变更步骤，在该步骤中，根据在所述质量测定步骤中测定的再现信号的质量来变更写策略，

在一次的所述中断期间中，所述写策略校正步骤中的写策略变更仅进行一次。

2.根据权利要求1所述的光记录方法，其特征在于，

所述光记录方法还具有：

将从外部供给的信息写入缓存器后，从该缓存器中读出该信息并记录在所述光存储介质中的步骤；

根据所述缓存器内的数据量来控制所述记录期间的开始和所述中断期间的开始的步骤；以及

在所述中断期间中检测是否是校正时机的校正时机检测步骤，

以在所述校正时机检测步骤中检测为是所述校正时机为条件，进行所述中断期间中的所述写策略校正步骤的处理。

3.根据权利要求1所述的光记录方法，其特征在于，

所述光记录方法还具有校正时机检测步骤，在该步骤中，检测是否是校正时机，

所述光记录方法还具有中断期间开始步骤，在该步骤中，以在所述校正时机检测步骤中检测为是校正时机为条件，中断所述记录，开始所述中断期间，

在通过所述中断期间开始步骤而开始的中断期间中，进行所述写策略校正步骤的处理。

4.根据权利要求2或3所述的光记录方法，其特征在于，

在所述校正时机检测步骤中，在针对所述光记录介质的记录开始后经过了规定的设定校正间隔时，或者最近一次的所述写策略校正步骤的处理实施后经过了规定的设定校正间隔时，检测为是所述校正时机。

5.根据权利要求4所述的光记录方法，其特征在于，

通过在所述记录介质中记录的信息量来指定所述设定校正间隔。

6.根据权利要求4所述的光记录方法，其特征在于，

通过所述记录介质上进行记录的部分的半径方向的位移量来确定所述设定校正间隔。

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的光记录方法，其特征在于，

在所述写策略校正步骤中，在一次的所述中断期间中，写策略参数仅变更一级。

8.根据权利要求3所述的光记录方法，其特征在于，

所述光记录方法具有：

在所述写策略变更步骤中变更了写策略参数的情况下，使用变更后的写策略参数对数据进行试记录的试记录步骤；

测定在所述试记录步骤中所试记录的信号的质量的试记录质量测定步骤；以及

在所述试记录质量测定步骤中测定的信号质量劣于在所述质量测定步骤中测定的再现信号质量的情况下，将在所述写策略变更步骤中变更的写策略参数还原的步骤。

9.根据权利要求4～6中的任一项所述的光记录方法，其特征在于，

所述写策略校正步骤还具有设定校正间隔更新步骤，在该步骤中，根据在所述质量测定步骤中测定的再现信号质量，变更所述设定校正间隔。

10.根据权利要求9所述的光记录方法，其特征在于，

在所述设定校正间隔更新步骤中，在所述质量测定步骤中测定的再现信号质量优于规定值的情况下，延长所述设定校正间隔，在所述质量测定步骤中测定的再现信号质量劣于规定值的情况下，缩短所述设定校正间隔。

11.根据权利要求1～10中的任一项所述的光记录方法，其特征在于，

所述光记录方法还具有记录功率校正步骤，在该步骤中，在所述中断期间中，测定之前刚刚记录的信号的再现特性，根据所测定的再现信号的特性，进行记录功率的校正，

在一次的所述中断期间中，仅执行所述写策略校正步骤和所述记录功率校正步骤中的任意一方。

12.根据权利要求11所述的光记录方法，其特征在于，

交替进行所述记录功率校正步骤和所述写策略校正步骤。

13.根据权利要求11所述的光记录方法，其特征在于，

所述光记录方法还具有记录功率检查步骤，在该步骤中，针对在所述记录功率校正步骤中校正的记录功率，判断是否需要进一步校正记录功率，

在所述记录功率检查步骤中判断为不需要校正记录功率的情况下，在与进行该记录功率检查步骤相同的中断期间内，执行所述写策略校正步骤。

14.根据权利要求1～13中的任一项所述的光记录方法，其特征在于，

所述光记录方法还具有倾斜校正步骤，在该步骤中，在所述中断期间中，测定之前刚刚记录的信号的再现特性，根据所测定的再现信号的特性，进行倾斜的校正，

在一次的所述中断期间中，仅执行所述写策略校正步骤、所述记录功率校正步骤和所述倾斜校正步骤中的任意一方。

15.根据权利要求14所述的光记录方法，其特征在于，

在所述记录功率检查步骤中判断为不需要校正记录功率的情况下，在与进行该记录功率检查步骤相同的中断期间内，执行所述写策略校正步骤和所述倾斜校正步骤。

16.根据权利要求10～15中的任一项所述的光记录方法，其特征在于，

所述光记录方法还具有半径位置检测步骤，在该步骤中，检测向光记录介质记录信息部分的半径方向位置，

在所述设定校正间隔更新步骤中，在所述半径位置检测步骤中检测到的半径方向位置是光记录介质的内周侧的情况下，延长根据在所述质量测定步骤中测定的再现信号质量而决定的所述设定校正间隔，在检测到的半径方向位置是光记录介质的外周侧的情况下，缩短根据在所述质量测定步骤中测定的再现信号质量而决定的所述设定校正间隔。

17.根据权利要求10～16中的任一项所述的光记录方法，其特征在于，

所述光记录方法还具有温度检测步骤，在该步骤中，检测与开始记录时相差的温度差，

在所述设定校正间隔更新步骤中，在所述温度检测步骤中检测到的温度差为规定值以上的情况下，缩短根据在所述质量测定步骤中测定的再现信号质量而决定的所述设定校正间隔。

18.根据权利要求1～17中的任一项所述的光记录方法，其特征在于，

所述写策略校正步骤具有记录功率变更步骤，在该步骤中，根据校正后的写策略的变化量，变更记录功率，

在所述记录功率变更步骤中，根据预先确定的写策略和变更前的记录功率之间的关系以及在所述写策略校正步骤中校正后的写策略的变更量，决定在下一记录期间中使用的记录功率。

19.根据权利要求18所述的光记录方法，其特征在于，

所述光记录方法还具有：

记录功率和再现特性的关系测定步骤，在该步骤中，求出记录功率和再现特性之间的关系；以及

写策略和再现特性的关系计算步骤，在该步骤中，使用基准的写策略和再现特性之间的关系、基准的记录功率和再现特性之间的关系、以及在所述记录功率和再现特性的关系测定步骤中求出的记录功率和再现特性之间的关系，计算写策略和再现特性之间的关系，

在所述写策略和再现特性的关系计算步骤中，根据在所述记录功率和再现特性的关系测定步骤中求出的记录功率和再现特性之间的关系与所述基准的写策略和再现特性之间的关系之比、以及所述基准的写策略和再现特性之间的关系，计算在所述记录功率变更步骤中使用的写策略和再现特性之间的关系，

在所述记录功率变更步骤中，根据在所述写策略校正步骤中校正的写策略的变更量、在所述记录功率和再现特性的关系测定步骤中求出的记录功率和再现特性之间的关系、以及在所述写策略和再现特性的关系计算步骤中计算出的校正后的写策略和再现特性的关系，决定在下一记录期间中使用的记录功率。

20.根据权利要求18所述的光记录方法，其特征在于，

所述光记录方法还具有：

试写步骤，在该步骤中，测定写策略和再现特性之间的关系，

在所述试写步骤中，变更写策略进行信息的试写，再现所述试写的信息，根据所测定的再现信号，测定写策略和再现特性之间的关系，

在所述记录功率变更步骤中，根据在所述记录功率和再现特性的关系测定步骤中求出的记录功率和再现特性之间的关系、以及在所述试写步骤中测定的校正后的写策略和再现特性之间的关系，决定在下一记录期间中使用的记录功率。

21.根据权利要求18～20中的任一项所述的光记录方法，其特征在于，

所述写策略校正步骤还具有写策略和再现特性的关系校正步骤，在该步骤中，在所述中断期间中，再现在前一记录期间记录的信息，根据再现信号的再现特性来校正写策略和再现特性之间的关系，

在所述写策略和再现特性的关系校正步骤中，根据前一记录期间记录的信号的再现特性、上次校正写策略之前的再现特性、以及上次校正写策略时的写策略的变化量，求出写策略和再现特性之间的关系的校正量，在下一记录功率变更步骤的记录功率的变更中，使用对上次使用的写策略和再现特性之间的关系加上所述校正量而得到的写策略和再现特性之间的关系。

22.根据权利要求8～21中的任一项所述的光记录方法，其特征在于，

所述写策略和再现特性之间的关系是由再现特性相对于写策略的变更量的变化量决定的系数，

所述记录功率和再现特性之间的关系是由记录功率相对于再现特性的变化量的变更量决定的系数，

所述写策略和记录功率之间的关系是由记录功率相对于写策略的变更量的变更量决定的系数，是将表示所述写策略和再现特性之间的关系的系数与表示所述记录功率和再现特性之间的关系的系数相乘而得到的系数。

23.一种光记录装置，该光记录装置按照由多个参数构成的与记录数据长度对应的写策略，在光记录介质上照射激光，由此在光记录介质中记录信息，其特征在于，

所述光记录装置具有：

写策略校正单元，其在所述中断期间中，再现在前一记录期间记录的信息，根据再现信号的质量来校正写策略参数；以及

使用由所述写策略校正单元校正的写策略参数来进行下一记录期间中的上述记录的单元，

所述写策略校正单元包含：

质量测定单元，其测定之前刚刚记录的信号的质量；以及

写策略变更单元，其根据由所述质量测定单元所测定的再现信号质量来变更写策略，

在一次的所述中断期间中，所述写策略校正单元中的写策略的变更仅进行一次。

24.根据权利要求23所述的光记录装置，其特征在于，

所述光记录装置还具有：

将从外部供给的信息写入缓存器中后，从该缓存器中读出该信息并记录在所述光存储介质中的单元；

根据所述缓存器内的数据量来控制所述记录期间的开始和所述中断期间的开始的单元；以及

在所述中断期间中，检测是否是校正时机的校正时机检测单元，

以由所述校正时机检测单元检测为是所述校正时机为条件，进行所述中断期间中的所述写策略校正单元的处理。

25.根据权利要求23所述的光记录装置，其特征在于，

所述光记录装置还具有校正时机检测单元，该校正时机检测单元检测是否是校正时机，

所述光记录装置还具有中断期间开始单元，该中断期间开始单元以由所述校正时机检测单元检测为是校正时机为条件，中断所述记录，开始所述中断期间，

在通过所述中断期间开始单元而开始的中断期间中，进行所述写策略校正单元的处理。

26.根据权利要求24或25所述的光记录装置，其特征在于，

所述校正时机检测单元在针对所述光记录介质的记录开始后经过了规定的设定校正间隔时，或者最近一次的所述写策略校正单元的处理实施后经过了规定的设定校正间隔时，检测为是所述校正时机。

27.根据权利要求26所述的光记录装置，其特征在于，

28.根据权利要求26所述的光记录装置，其特征在于，

通过所述记录介质上进行记录部分的半径方向的位移量来确定所述设定校正间隔。

29.根据权利要求23～28中的任一项所述的光记录装置，其特征在于，

所述写策略校正单元在一次的所述中断期间中，仅将写策略参数变更一级。

30.根据权利要求25所述的光记录装置，其特征在于，

所述光记录装置具有：

试记录单元，其在由所述写策略变更单元变更了写策略参数的情况下，使用所变更的写策略参数，对数据进行试记录；

试记录质量测定单元，其测定在所述试记录单元中所试记录的信号的质量；以及

在由所述试记录质量测定单元测定的信号质量低于由所述质量测定单元测定的再现信号质量的情况下，将由所述写策略变更单元变更的写策略参数还原的单元。

31.根据权利要求26～28中的任一项所述的光记录装置，其特征在于，

所述写策略校正单元还具有设定校正间隔更新单元，该设定校正间隔更新单元根据由所述质量测定单元测定的再现信号质量，变更所述设定校正间隔。

32.根据权利要求31所述的光记录装置，其特征在于，

所述设定校正间隔更新单元在由所述质量测定单元测定的再现信号质量优于规定值的情况下，延长所述设定校正间隔，在由所述质量测定单元测定的再现信号质量劣于规定值的情况下，缩短所述设定校正间隔。

33.根据权利要求23～32中的任一项所述的光记录装置，其特征在于，

所述光记录装置还具有记录功率校正单元，该记录功率校正单元在所述中断期间中，测定之前刚刚记录的信号的再现特性，根据所测定的再现信号的特性，进行记录功率的校正，

在一次的所述中断期间中，仅执行所述写策略校正单元的处理和所述记录功率校正单元的处理中的任意一方。

34.根据权利要求33所述的光记录装置，其特征在于，

交替进行所述记录功率校正单元的处理和所述写策略校正单元的处理。

35.根据权利要求33所述的光记录装置，其特征在于，

所述光记录装置还具有记录功率检查单元，该记录功率检查单元针对在所述记录功率校正单元中校正的记录功率，判断是否需要进一步校正记录功率，

在所述记录功率检查单元中判断为不需要校正记录功率的情况下，在与该记录功率检查单元进行不需要校正记录功率的判断相同的中断期间内，执行所述写策略校正单元的处理。

36.根据权利要求23～35中的任一项所述的光记录装置，其特征在于，

所述光记录装置还具有倾斜校正单元，该倾斜校正单元在所述中断期间中，测定之前刚刚记录的信号的再现特性，根据所测定的再现信号的特性，进行倾斜的校正，

在一次的所述中断期间中，仅执行所述写策略校正单元的处理、所述记录功率校正单元的处理和所述倾斜校正单元的处理中的任意一方。

37.根据权利要求36所述的光记录装置，其特征在于，

在所述记录功率检查单元中判断为不需要校正记录功率的情况下，在与该记录功率检查单元进行不需要校正记录功率的判断相同的中断期间内，执行所述写策略校正单元的处理和所述倾斜校正单元的处理。

38.根据权利要求32～37中的任一项所述的光记录装置，其特征在于，

所述光记录装置还具有半径位置检测单元，该半径位置检测单元检测向光记录介质记录信息部分的半径方向位置，

所述设定校正间隔更新单元在由所述半径位置检测单元检测到的半径方向位置是光记录介质的内周侧的情况下，延长根据由所述质量测定单元测定的再现信号的质量而决定的所述设定校正间隔，在检测到的半径方向位置是光记录介质的外周侧的情况下，缩短根据由所述质量测定单元测定的再现信号的质量而决定的所述设定校正间隔。

39.根据权利要求32～38中的任一项所述的光记录装置，其特征在于，

所述光记录装置还具有温度检测单元，该温度检测单元检测与开始记录时相差的温度差，

所述设定校正间隔更新单元在由所述温度检测单元检测到的温度差为规定值以上的情况下，缩短根据由所述质量测定单元测定的再现信号的质量而决定的所述设定校正间隔。

40.根据权利要求23～39中的任一项所述的光记录装置，其特征在于，

所述光记录装置具有在停止信息记录的情况下，存储最终的质量良好的写策略参数作为由所述写策略校正单元校正后的写策略的单元，

在接着对相同的光记录介质进行信息记录的情况下，使用所述存储的写策略参数。

41.根据权利要求23～39中的任一项所述的光记录装置，其特征在于，

所述写策略校正单元具有记录功率变更单元，该记录功率变更单元根据校正后的写策略的变化量，变更记录功率，

所述记录功率变更单元根据预先确定的写策略和变更前的记录功率之间的关系以及在所述写策略校正单元中校正的写策略的变更量，决定在下一记录期间中使用的记录功率。

42.根据权利要求41所述的光记录装置，其特征在于，

所述光记录装置还具有：

记录功率和再现特性的关系测定单元，其求出记录功率和再现特性之间的关系；以及

写策略和再现特性的关系计算单元，其使用基准的写策略和再现特性之间的关系、基准的记录功率和再现特性之间的关系、以及由所述记录功率和再现特性的关系测定单元求出的记录功率和再现特性之间的关系，计算写策略和再现特性之间的关系，

所述写策略和再现特性的关系计算单元根据由所述记录功率和再现特性的关系测定单元求出的记录功率和再现特性之间的关系与所述基准的写策略和再现特性之间的关系之比、以及所述基准的写策略和再现特性之间的关系，计算在所述记录功率变更单元中使用的写策略和再现特性之间的关系，

所述记录功率变更单元根据在所述写策略校正单元中校正的写策略的变更量、由所述记录功率和再现特性的关系测定单元求出的记录功率和再现特性之间的关系、以及由所述写策略和再现特性的关系计算单元计算出的校正后的写策略和再现特性之间的关系，决定在下一记录期间中使用的记录功率。

43.根据权利要求41所述的光记录装置，其特征在于，

所述光记录装置还具有：

试写单元，其测定写策略和再现特性之间的关系，

所述试写单元变更写策略进行信息的试写，再现所述试写的信息，根据所测定的再现信号，测定写策略和再现特性之间的关系，

所述记录功率变更单元根据由所述记录功率和再现特性的关系测定单元求出的记录功率和再现特性之间的关系、以及由所述试写单元测定的校正后的写策略和再现特性之间的关系，决定在下一记录期间中使用的记录功率。

44.根据权利要求41～43中的任一项所述的光记录装置，其特征在于，

所述写策略校正单元还具有写策略和再现特性的关系校正单元，该写策略和再现特性的关系校正单元在所述中断期间中，再现在前一记录期间记录的信息，根据再现信号的再现特性来校正写策略和再现特性之间的关系，

所述写策略和再现特性的关系校正单元根据在前一记录期间记录的信号的再现特性、上次校正写策略之前的再现特性、以及上次校正写策略时的写策略的变化量，求出写策略和再现特性的关系的校正量，在下一记录功率变更单元的记录功率的变更中，使用对上次使用的写策略和再现特性之间的关系加上所述校正量而得到的写策略和再现特性之间的关系。

45.根据权利要求41～44中的任一项所述的光记录装置，其特征在于，

所述写策略和记录功率之间的关系是由记录功率相对于写策略的变更量的变更量决定的系数，是将表示所述写策略和再现特性之间关系的系数与表示所述记录功率和再现特性之间关系的系数相乘而得到的系数。

46.根据权利要求23～45中的任一项所述的光记录装置，其特征在于，

所述光记录装置还具有参数保持单元，该参数保持单元保持写策略参数和利用所述写策略参数记录的信号质量，

所述光记录装置还具有：

质量参数更新单元，在使用由所述写策略变更单元变更的写策略参数记录的信号质量优于由所述参数保持单元保持的信号质量的情况下，该质量参数更新单元将由所述参数保持单元保持的值更新为所述变更的写策略数和使用所述变更的写策略参数记录的信号质量的值；以及

记录单元，其向所述光记录介质记录由所述参数保持单元保持的写策略参数值。

47.根据权利要求23～45中的任一项所述的光记录装置，其特征在于，

所述光记录装置具有与所述光记录介质对应的写策略的列表，

所述光记录装置具有列表更新单元，其在使用由所述写策略变更单元变更的写策略参数记录的信号质量优于使用在所述列表中记录的写策略参数记录的信号质量的情况下，更新所述列表的写策略参数。

48.根据权利要求47所述的光记录装置，其特征在于，

在使用在所述列表中记录的写策略参数记录的信号质量劣于预先设定的值的情况下，所述列表更新单元更新列表。