CN101866077B - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种液晶显示装置，包括：阵列基板，所述阵列基板具有彼此相邻设置的第一和第二像素电极；相对基板，所述相对基板具有相对于所述第一和第二像素电极的相对电极；第一缝和第二缝，所述第一缝和第二缝形成在相对于所述第一和第二像素电极的所述相对电极上，以分别穿过所述第一和第二像素电极。所述相对电极由所述第一缝和第二缝分为第一相对电极部分和第二相对电极部分。连接相对电极部分被设置在所述第一缝和第二缝之间，以连接所述第一和第二相对电极部分。柱形间隔体相对于所述连接相对电极部分被设置在所述第一缝和第二缝之间，以在所述阵列基板和所述相对基板之间形成单元间隙。

Description

液晶显示装置及其制造方法

相关申请的交叉引用

本申请基于并且要求于2009年2月4号提交的在先日本专利申请No.2009-024073的优先权，在此通过引用将其全部内容并入本文。

技术领域

本发明涉及一种液晶显示装置，更具体而言，涉及一种垂直配向(VA)模式型液晶显示装置。

背景技术

因为显示装置具有诸如亮度、紧致性以及低功耗的优点，所以液晶显示装置广泛地用作诸如个人计算机、OA设备以及电视机的各种设备的显示装置。近年来，液晶显示装置还已经用在诸如移动手机、汽车导航装置和游戏机的移动终端设备中。

为了获得高质量的显示，在液晶显示装置中要求诸如宽视角和高对比度的其它特征。最近，已经使用了利用其中像素包括多个域的多域垂直配向(MVA)模式的多域型液晶显示装置。在这种类型的液晶显示装置中，通过多域实现了宽视角。此外，因为液晶材料的延迟变得几乎为零，所以获得导致更完整的黑色显示的高对比度。通过采用垂直配向处理，在相对于基板的水平方向上对配向膜周围的液晶分子进行配向。

例如，日本特许公开专利申请No.2008-197493公开了一种通过在像素电极或相对电极中设置缝或突出来使用MVA模式的半透射型LCD。在该垂直配向型LCD中，容纳液晶层的单元间隙中的改变造成液晶分子的配向缺陷，这可能导致诸如透射率、白色显示情况下的显色或发光度不均匀的改变的不良显示。

发明内容

本发明已经解决了上述问题。本发明的一个目的是提供一种具有多域结构的垂直配向(VA)模式型液晶显示装置。

因而，根据本发明的一方面，提供一种液晶显示装置，包括：阵列基板，所述阵列基板具有彼此相邻设置的第一和第二像素电极；相对基板，所述相对基板具有相对于所述第一和第二像素电极的相对电极；第一缝，所述第一缝形成在相对于所述第一像素电极的所述相对电极中，以穿过所述第一像素电极；第二缝，所述第二缝形成在相对于所述第二像素的所述相对电极中，以穿过所述第二像素电极，所述第二缝被设置成与所述第一缝成直线，且所述相对电极由所述成直线的第一缝和第二缝分为第一相对电极部分和第二相对电极部分；连接相对电极，所述连接相对电极被设置在所述第一缝和第二缝之间，以连接所述第一和第二相对像素电极部分；圆柱形间隔体，所述圆柱形间隔体相对于所述连接相对电极部分设置在所述第一缝和第二缝之间，以形成所述阵列基板和所述相对电极之间的单元间隙；以及形成在所述单元间隙中的液晶层。

根据本发明的第二方面，提供一种用于制造液晶显示装置的方法，包括：提供具有彼此相邻设置的第一和第二像素电极的阵列基板；提供具有相对于所述第一和第二像素电极的相对电极的相对基板；相对于所述第一像素电极在所述相对电极中形成第一缝，以穿过所述第一像素电极；相对于所述第二像素在所述相对电极中形成第二缝，以穿过所述第一像素电极，所述第二缝被设置成与所述第一缝成直线，且通过所述成直线的第一缝和第二缝，所述相对电极分为第一相对电极部分和第二相对电极部分；提供设置在所述第一缝和第二缝之间的连接相对电极部分，以连接所述第一和第二相对电极部分；在所述阵列基板和所述相对基板中的任一上形成柱形间隔体，所述柱形间隔体相对于所述连接相对电极部分被设置在所述第一缝和第二缝之间，以在所述阵列基板和所述相对基板之间形成单元间隙；在所述阵列基板和所述相对基板中的任一上形成环路形状的密封元件；滴入预定量的液晶材料到由所述密封元件围绕的区域；在真空状态下结合所述阵列基板和所述相对基板，并且将已结合的阵列基板和所述相对基板从所述真空状态返回至大气压状态。

附图说明

并入本发明中并构成本发明的一部分的附图用于说明本发明的实施例，并与上面给出的概括描述和后面给出的实施例的详细描述一起解释本发明的原理。

图1是示出了使用根据本发明的实施例的MVA模式的液晶显示装置的示意性方框图。

图2是图1中所示的液晶显示装置中所使用的阵列基板和相对基板的截面图。

图3是示出了根据本发明的实施例的MVA模式的配向控制的实现的截面图。

图4是示出了沿着图5中的线III-IIII截取的根据本发明的实施例的液晶显示装置的截面图。

图5是示出了图4中所示的液晶显示装置的平面图。

图6是示出了图5中所示的液晶显示装置的相对电极的结构的平面图。

具体实施方式

现在将参考附图来描述根据本发明的示意性实施例的液晶显示装置，在附图中多个视图中的相同或类似的附图标记表示相同或对应的部分。

图1和图2示出了根据本发明的实施例的透射模式的有源矩阵型液晶显示装置，其中通过将来自背光单元的光选择性透射通过像素来示出画面。当然，本发明还适用于反射型液晶显示装置。

液晶显示装置包括有源矩阵型液晶显示面板LPN。所述液晶显示面板LPN包括一对电极基板，所述一对电极基板是彼此相对的阵列基板(第一基板)AR和相对基板(第二基板)CT，并通过密封元件SE将其结合，以容纳用作光调制层的液晶层LQ。所述液晶显示面板LPN包括大致矩形的有源区域DSP以显示画面。有源区域DSP由以矩阵形式设置的(m×n)像素PX构成。

阵列基板AR包括在有源区域DSP中沿着相应像素PX设置的(m×n)画面电极EP、在像素PX的行方向H上延伸的n条栅极线(Y1-Yn)、在像素PX的与行方向H垂直相交的列方向V上延伸的m条源极线(X1-Xm)、被设置成接近所述栅极线Y和所述源极线X的交点的(m×n)开关晶体管W。

例如，栅极线Y和源极线X由诸如铝、钼、钨或钛的高传导材料形成。相应开关晶体管W例如由n沟道型薄膜晶体管(FET)形成。开关晶体管W的栅极电极WG连接至栅极线Y或与栅极线Y整体形成。开关晶体管W的源极电极WS连接至源极线X。开关晶体管W的漏极电极WD连接至像素电极EP。像素电极EP例如由具有光透射特性的传导材料形成，例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。

相应的n条栅极线Y取出至有源区域DSP的外侧且连接至栅极驱动器YD。相应的m条源极线X取出至有源区域DSP的外侧且连接至源极驱动器XD。通过控制器CNT的控制，栅极驱动器YD依次提供扫描信号(驱动信号)至n条栅极线Y。通过控制器CNT的控制，源极驱动器XD提供图像信号(驱动信号)至m条源极线(X1-Xm)。另一方面，相对基板CT包括有源区域DSP中的相对电极ET。相对电极ET由诸如ITO或IZO的透射传导材料形成。相对电极ET共同用于多个像素PX。也就是说，相对电极ET相对于相应像素PX的像素电极EP且电连接至公共电势端子COM。

如图2所示，阵列基板AR由诸如玻璃基板或硅酸盐玻璃基板的透射绝缘基板10形成。开关晶体管W和像素电极EP设置在阵列基板AR的表面上以相对于相对基板CT。

开关晶体管W包括由形成在绝缘基板10上的半导体层12。半导体层12可以由多晶硅或非晶硅形成。在本实施例中，使用多晶硅。半导体层12包括漏极区12D和源极区12S以及***的沟道区12C。半导体层12覆盖有栅极绝缘层14。

开关晶体管W的栅极电极WG被设置在***了栅极绝缘层14的半导体层12中的沟道区12C上。栅极电极WG例如可以由与栅极线Y相同的材料、使用相同的工艺来形成，且与栅极线Y覆盖有层间绝缘膜16。栅极绝缘层14和层间绝缘膜16例如由诸如氧化硅或氮化硅的非有机材料形成。

开关晶体管W的源极电极WS和漏极电极WD设置在层间绝缘膜16上。源极电极WS在半导体层12中通过接触孔与源极区12S接触，所述接触孔穿过栅极绝缘层14和层间绝缘膜16。漏极电极WD在半导体层12中通过接触孔与漏极区12D接触，所述接触孔穿过栅极绝缘层14和层间绝缘膜16。开关晶体管W的源极电极WS和漏极电极WD可以使用相同的材料和相同的工艺来形成，并且与源极线覆盖有绝缘层18。

绝缘层18由透射有机材料形成。绝缘材料18例如在施加了旋转涂布的技术之后通过传导固化处理来形成。根据该方法，绝缘层18使得基层表面平滑，这对表面凸度和凹度对实现垂直配向模式引起的不利影响起到抑制作用。

像素电极EP设置在绝缘层18上。像素电极EP通过形成在绝缘基板18上的接触孔连接至漏极电极WD。阵列基板AR的与液晶层LQ接触的表面覆盖有第一配向膜20。也就是说，第一配向膜20设置在像素电极EP和绝缘层18上。

另一方面，相对基板CT由诸如玻璃基板或硅酸盐基板的透射绝缘基板30形成。相对电极ET形成在绝缘基板30的主表面上，以相对于阵列基板AR。相对基板CT包括由诸如黑色树脂或铬的屏蔽材料制成的黑矩阵BM。黑矩阵BM设置在绝缘基板30上且相对于开关晶体管W和诸如栅极线Y和源极线X的布线层。

在彩色型液晶显示器中，彩色滤光层34形成在相对基板CT与如图2所示的每个像素PX对应的表面上。彩色滤光层34由树脂材料形成，所述树脂材料由多种颜色上色，例如由红色(H)、绿色(G)以及蓝色(B)三种主要颜色。红色树脂、绿色树脂以及蓝色树脂分别与红色像素、绿色像素以及蓝色像素相关设置。在彩色滤光层34形成在图2中的相对基板CT上的同时，彩色滤光层34设置在阵列基板AR上。在这种情况下，绝缘层18可以由彩色滤光层34取代。

可以将保护层设置在彩色滤光层34和相对电极ET之间，以平滑彩色滤光层34的不规则表面。相对电极ET设置在彩色滤光层34或保护层上，且相对于像素电极EP。相对基板CT的与液晶层LQ接触的表面覆盖有第二配向膜36。也就是说，第二配向膜36设置在相对电极ET上。

设置阵列基板AR和相对基板CT，使得第一配向膜20和第二配向膜36彼此相对。设置间隔体以在所述基板之间保持预定的间隙，所述间隔体例如为由树脂制成的柱形间隔体，所述间隔体与相对基板CT和阵列基板AR中的任一个整体形成。所述基板由密封元件SE结合以保持之间的间隙。

液晶层LQ通过将由具有各向异性的负电介质常数的液晶分子构成的液晶材料注入间隙来形成，所述间隙形成在阵列基板AR上的第一配向膜20和相对基板CT上的第二配向膜36之间。

在没有施加电压时，第一配向膜20和第二配向膜36用来在相对于阵列基板AR和相对基板CT的垂直方向上对液晶分子40进行配向，也就是说，在画面电极EP和相对电极ET之间没有形成电场。具有垂直配向特性和光透射特性的薄膜用来形成第一配向膜20和第二配向膜36。

在本实施例中，在第一配向膜20和第二配向膜36中不需要由研磨表示的配向处理。出于该原因，在研磨处理中没有产生诸如产生静电和灰尘的问题，且在该配向处理之后不需要清洗处理。此外，通过改变预倾斜不会存在显示不均匀的问题。因此，通过简化处理和增大产量来实现低成本。

如图2所示，相对于阵列基板AR来设置用于照明液晶显示面板LPN的背光。可以采用各种背光，例如，使用发光二极管(LED)或冷阴极管作为光源。

在液晶显示面板LPN的一个表面上设置第一光学元件OD1，也就是说，在阵列基板AR相对于背光的表面。类似地，在液晶显示面板LPN的另一表面上设置第二光学元件OD2。所述第一光学元件OD1和第二光学元件OD2中的每一个包括偏振器，设置所述偏振器使得吸收轴中的每一个垂直相交。第一光学元件OD1和第二光学元件OD2可以包括延迟膜，所述延迟膜提供适当的延迟以传输光。

根据本实施例，当液晶分子40没有施加电场时，在垂直方向上(例如，在液晶显示面板LPN的法线方向上)对液晶分子40的长轴进行配向。在这种情况下，在传输通过第一光学元件OD1和液晶层LQ之后，在第二光学元件OD2中吸收来自背光单元的光。结果，透射因数变得最小，也就是说，显示黑画面。

另一方面，当在画面电极EP和相对电极ET之间施加电场时，相对于电场在垂直方向上对具有各向异性的负电介质常数的液晶分子40进行配向。液晶分子40的长轴在大致平行方向上或相对于基板的表面倾斜地进行配向。在这种情况下，在来自背光单元的光已经传输通过所述第一光学元件OD1之后，当光经过液晶层LQ时对所述光给予了适当的延迟。结果，来自背光单元的一部分光变得可以经过第二光学元件OD2，且显示白色画面。因此，实现了具有正常黑模式的垂直配向模式。

在本发明的实施例中，液晶显示装置采用多域结构，其中，能够补偿视角。更具体而言，液晶显示装置包括配向控制装置，以控制在画面电极EP和相对电极ET之间施加了电场的情况下液晶分子40的配向。在相对电极ET中形成缝作为配向控制装置。通过部分去除相对电极ET来形成所述缝。

在具有作为配向控制装置的上述缝的液晶显示装置中，在画面电极EP和相对电极ET之间形成电场，以保持缝中断(off)，因此，在画面电极EP和相对电极ET之间围绕所述缝相对于基板的表面的法线可以形成倾斜的电场。结果，通过倾斜的电场液晶分子40围绕所述缝在预定的方向上进行配向。也就是说，在与所述缝相邻的区域形成在相对方向上倾斜的两种类型的电场。在远离缝SL的方向(即，在电场的斜率更小的方向上)上传播配向条件。因此，每个像素的液晶分子40也在相对方向上进行配向，且通过补偿视角可以获得宽视角。此外，通过采用正常黑模式可以获得高对比度，从而导致实现高质量显示。

图4是示出了沿着图5中的线III-IIII截取的根据本发明的实施例的液晶显示装置的截面图。

阵列基板AR包括柱形间隔体SP以支撑相对基板CT。在行方向H上每三个像素中的相邻像素之间设置柱形间隔体SP。在列方向V上在像素电极EP的长边的大致中间部分处设置柱形间隔体SP。在图4中，注意柱形间隔体SPX，柱形间隔体SPX设置在第一像素电极EP1和第二像素电极EP2之间。在本实施例中，柱形间隔体SPX的底部的一部分与像素电极EP1和EP2部分重叠。然而，要求间隔体SPX的底部不与像素电极EP1和EP2覆盖。要求不在每相邻的像素电极EP之间设置柱形间隔体SP。在图4所示的本实施例中，在行方向H上在相邻的柱形间隔体SP之间设置三个像素电极EP。

通过对树脂材料进行构图形成柱形间隔体SP。柱形间隔体SP形成为锥形，其中底部部分SPB的面积大于柱形间隔体SP的顶部部分SPT的面积。像素电极EP和柱形间隔体SP的表面覆盖有第一配向膜20。在相对电极ET中，形成包括多个缝SL的缝线，使得每一个缝SL在像素PX的中心处穿过相应的像素电极EP。缝线在行方向H上延伸且被划分为具有预定长度的多个缝SL。也就是说，在行方向H上每一个缝SL的长度相同。相对电极ET的相对电极部分ED设置在相邻缝SL之间。相对电极部分ED与具有相同厚度的相对电极ET同时形成。相对电极部分ED设置在相邻像素电极EP之间的区域上。柱形间隔体SP的顶部部分SPT相对于相对电极部分ED。

在图4中，例如，在第一缝SL1和第二缝SL2之间柱形间隔体SPX相对于相对电极部分EDX。形成第一缝SL1和第二缝SL2，以分别穿过第一像素电极EP1和第二像素电极EP2。柱形间隔体SPX的顶部部分SPT可以部分地与缝SL1和SL2中的任一个重叠，或不与缝SL1和SL2中的任一个重叠，也就是说，仅相对于相对电极部分EDX。相对电极ET的表面覆盖有第二配向膜36。第一配向膜20和第二配向膜36***在柱形间隔体SPX和相对电极部分EDX之间，使得柱形间隔体SPX不直接与相对电极部分EDX接触。液晶显示层LQ保持在由柱形间隔体SPX形成的单元间隙之间。

根据上述结构，设计单元间隙，使得柱形间隔体SP相对于相对基板ET的相对电极部分ED。然而，即使在结合时阵列基板AR和相对基板CT处于未配向，形成预定的单元间隙，因为柱形间隔体SP的至少一部分相对于相对电极部分ED。因此，可以抑制单元间隙的改变。此外，可以抑制由于单元间隙的改变引起的液晶分子的配向缺陷，这同样导致显示缺陷的抑制。

如图5所示，形成在相对电极ET中的缝SL在设置相邻像素电极EP的行方向H上延伸。在相对电极ET中，在行方向H上的一条直线中设置第一缝SL1、第二缝SL2以及第一缝SL1和第二缝SL2之间的相对电极部分EDX。在所述行方向上的相同直线上还设置柱形间隔体SP，所述柱形间隔体SP相对于相对电极部分EDX、第一缝SL1和第二缝SL2。类似地，在相同直线中设置相对于柱形间隔体SP的其它相对电极部分ED，在所述相同直线中设置相邻的缝SL，以分别将相对电极部分ED夹置在中间。出于该原因，即使当结合时在行方向H上阵列基板AR和相对基板CT处于未配向，因为柱形间隔体SP的至少一部分相对于相对电极部分ED，所以形成预定的单元间隙。此外，相对电极部分ED延伸至相对电极ET。因此，即使当结合时在列方向V上阵列基板AR和相对基板CT处于未配向，因为柱形间隔体SP的至少一部分相对于相对电极ET，所以形成预定的单元间隙。

图6是示出了图5中所示的液晶显示装置的相对电极的结构的平面视图。尽管缝SL形成为穿过像素电极EP，相对电极ET不被缝SL电划分。经由设置在相邻缝SL之间的相对电极部分ED，连接设置在一条直线中缝SL的两侧的相对电极ET。也就是说，整个相对电极ET相对于多个没有被划分的像素电极EP。因此，即使在相对电极ET中产生裂缝，也确保了整个相对电极ET的电连接，且抑制了诸如线缺陷的显示缺陷。

如图5所示，相应像素电极EP形成为矩形，所述矩形具有一对在行方向H上延伸的短边S以及一对在列方向V上延伸的长边L。在相对电极ET中，设置第一缝SL1、第二缝SL2以及所述第一缝SL1和第二缝SL2之间的相对电极部分EDX成直线，所述直线在行方向H上穿过像素电极EP1和EP2的长边L的中点。也就是说，同样在一条直线上设置相对于相对电极部分EDX的柱形间隔体SPX，所述直线在行方向H上穿过像素电极EP1和EP2的长边L的中点。类似地，在其它柱形间隔体SL中，形成相对电极部分ED、缝SL以夹置相对电极部分ED，且同样在一条直线上设置柱形间隔体SP，所述直线穿过像素电极EP的长边的中点。

通过缝SL将像素电极EP分成两部分。因此，当在像素电极EP和相对电极ET之间施加电场时，如图5中箭头所示，液晶分子朝着缝SL沿相反方向进行配向。因此，补偿了视角。此外，即使在阵列基板AR和相对基板CT之间产生未配向时，柱形间隔体SP设置在缝的中间部分。因此，柱形间隔体可能对施加在像素电极EP和相对电极ET之间的电场容易不施加坏的影响。因此，柱形间隔体SP不变为在不期望的方向上配向液晶分子的核，可能在期望的配向情况下保持液晶分子。因此，获得如图5中箭头所示的可靠的配向情况，且同样抑制了基本有利于显示质量的更低的孔径比。

在相对基板CT上设置黑矩阵BM，使得相对于如图4中所示的相邻像素电极EP之间的区域。相对电极ET的相对电极部分ED相对于***彩色滤光器层34的黑矩阵BM。黑矩阵BM在如图5中所示在列方向V上延伸。黑矩阵BM中的一些相对于相对电极部分ED，且其它黑矩阵BM穿过缝SL。在行方向H上相邻设置的黑矩阵BM1和BM2穿过缝SL1。黑矩阵BM3穿过相对电极部分ED。还设置相对于相对电极部分ED的柱形间隔体SP，使得相对于基本不利于显示的黑矩阵BM3。

接下来，将解释用于制造液晶显示装置的工艺。在本实施例中，在阵列基板AR和相对基板CT中的任一个上将密封元件SE设置成环路形状。使用一滴填充(ODF)方法将预定量的液晶材料滴入由密封元件SE围绕的区域。在真空状态下将阵列基板AR和相对基板CT结合之后，所结合的液晶显示面板从真空状况返回至大气压状态。通过内侧密封元件SE和开放气体的压力差，密封元件SE被按压。随后，液晶层LQ被容纳在阵列基板AR和相对基板CT之间的预定单元间隙中。根据所述一滴填充方法，可以获得诸如更短的操作时间或液晶材料的有效使用的优点。

在一滴填充法被用来容纳阵列基板AR和相对基板CT之间的液晶层LQ的情况下，阵列基板AR和相对基板CT之间的容量被提前决定了，且对应于所述基板之间的容量，还提前决定了将滴下的液晶材料的量。因此，单元间隙中的改变可能导致液晶材料的过量或不足，在一滴填充方法中要求高间隙精度。根据本实施例，由于抑制了单元间隙中的改变，所以可以注射液晶材料，而不会出现滴入注射方法中的过量和不足。随后，不会取消通过使用一滴填充方法而获得的独特优点。

(示例)

在阵列基板AR中，像素电极EP被设置成在像素电极PE之间具有27.5μm的间距。多个柱形间隔体SP设置在相邻像素电极EP之间。在相对基板CT中，形成在相对电极ET中具有15μm宽度以控制液晶分子的配向的缝SL。具有11.5μm宽度的相对电极部分ED形成在被设置成直线的相邻缝SL之间。阵列基板AR和相对基板CT通过密封元件SE连接，在所述密封元件SE中柱形间隔体SP相对于相对电极部分ED。

随后，即使连接阵列基板AR和相对基板CT的精度不好，抑制了由柱形间隔体SP的不配向引起的单元间隙中的改变。由于单元间隙中的改变引起的缺陷显示同样得到抑制。由于在行方向H上延伸的一个缝SL被划分为多个具有预定长度的缝SL，防止了由于相对电极ET的裂缝引起的相对电极CT的断开连接，且进一步还抑制了有缺陷的显示。

如上所述，根据本实施例，能够提供一种垂直配向模式液晶显示装置，该装置能够抑制单元间隙中的改变且实现宽视角。

本发明并不仅限于上述实施例。实际上，能够改变结构性元件而不偏离本发明的精神。通过适当地组合实施例中所公开的结构性元件，可以获得各种发明。例如，一些结构性元件可以从实施例中所公开的所有结构性元件中忽略。此外，可以对不同实施例中的结构性元件进行适当地组合。因此，应理解在所附权利要求的范围内，除了这里具体所公开的之外，可以实践本发明。

Claims (5)

1.一种液晶显示装置，包括：

阵列基板，所述阵列基板具有彼此相邻设置的第一和第二像素电极；

相对基板，所述相对基板具有相对于所述第一和第二像素电极的相对电极；

第一缝，所述第一缝形成在相对于所述第一像素电极的所述相对电极中，以穿过所述第一像素电极；

第二缝，所述第二缝形成在相对于所述第二像素电极的所述相对电极中，以穿过所述第二像素电极，所述第二缝被设置成与所述第一缝成直线，且所述相对电极由所述成直线的第一缝和第二缝分为第一相对电极部分和第二相对电极部分；

连接相对电极部分，所述连接相对电极部分被设置在所述第一缝和第二缝之间，以连接所述第一和第二相对电极部分；

柱形间隔体，所述柱形间隔体相对于所述连接相对电极部分被设置在所述第一缝和第二缝之间，以在所述阵列基板和所述相对基板之间形成单元间隙；以及

形成在所述单元间隙中的液晶层。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述第一缝和第二缝在第一方向上延伸，所述第一和第二像素电极被设置成在所述第一方向上彼此相邻。

3.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述柱形间隔体、所述第一缝和第二缝被设置在所述第一方向上。

4.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述第一和第二像素电极形成为矩形，所述矩形具有一对长边和一对短边，且所述柱形间隔体、所述第一缝和第二缝沿着所述第一方向被设置成直线，在所述第一方向上所述直线与所述像素电极的所述长边的中点相交。

5.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，屏蔽层形成在所述相对基板上，所述屏蔽层相对于所述连接相对电极部分且在与所述第一方向垂直相交的第二方向上延伸。

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