CN101859791A - 有源矩阵式显示装置的像素结构 - Google Patents

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蔡轩名
吴元均
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Abstract

有源矩阵式显示装置的像素结构，其包含驱动电路、发光组件和分流电路。驱动电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管以及存储电容。发光组件的正极耦接至该第四薄膜晶体管的漏极，负极耦接至公共电压。分流电路包含第六薄膜晶体管，该第六薄膜晶体管的栅极耦接至该第一扫描电压，该第六薄膜晶体管的源极耦接至该第四薄膜晶体管的漏极，该第六薄膜晶体管的漏极耦接至第二参考电压。通过本发明，可提高显示画面对比度，且不影响发光组件OLED使用寿命。

Description

有源矩阵式显示装置的像素结构
技术领域
本发明关于一种有源矩阵式显示装置的像素结构，特别是有关于一种具有分流电路的有源矩阵式显示装置的像素结构。
背景技术
当前，有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)已成为新型平板显示面板的发展重点，OLED可广泛应用于液晶显示器、各式背光源、通讯及数码产品等。
请参见图1，图1为传统的一种有源矩阵式显示装置的像素10的电路图。像素10包括公知的一种驱动电路11和发光组件(OLED)12。驱动电路11包括第一薄膜晶体管M1、第二薄膜晶体管M2、第三薄膜晶体管M3、第四薄膜晶体管M4、第五薄膜晶体管M5以及电容Cst，其中，第四薄膜晶体管M4用以产生驱动OLED12的驱动电流，以使OLED12发光。第一薄膜晶体管M1的漏极耦接至数据电压(Vdata)，栅极耦接至第一扫描电压(Scan)，源极耦接至第二薄膜晶体管M2的漏极和第四薄膜晶体管M4的栅极。第二薄膜晶体管M2的栅极耦接至第二扫描电压(XScan)，源极耦接至第三薄膜晶体管M3的漏极和电容Cst的第一端。第三薄膜晶体管M3的栅极也耦接至第一扫描电压(Scan)，源极耦接至接地电位GND。第四薄膜晶体管M4的源极耦接至第五薄膜晶体管M5的漏极和电容Cst的第二端，漏极耦接至OLED12的正极。第五薄膜晶体管M5的栅极耦接至发射电压(EM)，源极耦接至正电压(VDD)。而OLED12的负极耦接至电压VSS，其中VSS为负电压或接地电位。
请参见图2，图2为公知的一种驱动电路11的Scan、XScan及EM的时序图。在放电(discharging)阶段S1，当Vdata写入低灰阶时，例如Vdata约为0.05V，此时第四薄膜晶体管M4的源极电压Vs＝VDD＝5V，栅极电压Vg＝Vdata≈0.05V，Vsg＝Vs-Vg≈4.95V，故会产生定电流Ids约4.4uA流经OLED12。此定电流Ids会造成光泄漏(light leakage)，降低显示对比值和发光组件12的寿命。
发明内容
针对上述技术问题，本发明通过加入一个薄膜晶体管和参考电压线路来分流驱动电路产生的电流，从而达到提高显示画面对比度及不影响OLED寿命的目的。
本发明提供一种有源矩阵式显示装置的像素结构，包含驱动电路、发光组件和分流电路。驱动电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管以及存储电容；该第一薄膜晶体管的漏极耦接至数据电压，栅极耦接至第一扫描电压，源极耦接至该第二薄膜晶体管的漏极和该第四薄膜晶体管的栅极；该第二薄膜晶体管的栅极耦接至第二扫描电压，源极耦接至该第三薄膜晶体管的漏极和该存储电容的第一端；该第三薄膜晶体管的栅极耦接至该第一扫描电压，源极耦接至第一参考电压；该第四薄膜晶体管的源极耦接至该第五薄膜晶体管的漏极和该存储电容的第二端；该第五薄膜晶体管的栅极耦接至发射电压，源极耦接至正电压。发光组件的正极耦接至该第四薄膜晶体管的漏极，负极耦接至公共电压。分流电路包含第六薄膜晶体管，该第六薄膜晶体管的栅极耦接至该第一扫描电压，该第六薄膜晶体管的源极耦接至该第四薄膜晶体管的漏极，该第六薄膜晶体管的漏极耦接至第二参考电压。
通过本发明，可提高显示画面对比度，且不影响OLED使用寿命。
附图说明
图1为传统的一种有源矩阵式显示装置的像素的电路图；
图2为一种驱动电路的时序图；
图3为本发明的有源矩阵式显示装置的像素的电路图。
具体实施方式
为使对本发明的目的、构造、特征、及其功能有进一步的了解，兹配合实施例详细说明如下。
请参见图3，图3为本发明的有源矩阵式显示装置的像素30的电路图。像素30包括驱动电路31、发光组件(OLED)32和分流电路33。驱动电路31包括第一薄膜晶体管M1、第二薄膜晶体管M2、第三薄膜晶体管M3、第四薄膜晶体管M4、第五薄膜晶体管M5以及电容Cst，其中，第四薄膜晶体管M4用以产生驱动OLED32的驱动电流，以使OLED32发光。第一薄膜晶体管M1的漏极耦接至数据电压(Vdata)，栅极耦接至第一扫描电压(Scan)，源极耦接至第二薄膜晶体管M2的漏极和第四薄膜晶体管M4的栅极。第二薄膜晶体管M2的栅极耦接至第二扫描电压(XScan)，源极耦接至第三薄膜晶体管M3的漏极和电容Cst的第一端。第三薄膜晶体管M3的栅极也耦接至第一扫描电压(Scan)，源极耦接至电压Vref1，其中Vref1为负电压或接地电位。第四薄膜晶体管M4的源极耦接至第五薄膜晶体管M5的漏极和电容Cst的第二端，漏极耦接至OLED32的正极。第五薄膜晶体管M5的栅极耦接至发射电压(EM)，源极耦接至正电压(VDD)。OLED32的负极耦接至电压VSS，其中VSS为负电压或接地电位。分流电路33包含第六薄膜晶体管M6，第六薄膜晶体管M6的栅极耦接至第一扫描电压(Scan)，源极耦接至第四薄膜晶体管M4的漏极，漏极耦接至参考电压Vref2。
加入第六薄膜晶体管M6和参考电压Vref2，使第四薄膜晶体管M4在放电(discharging)阶段S1和写入(writing)阶段S2(请参见图2)产生的电流经由第六薄膜晶体管M6分流到参考电压Vref2，可以有效改善在放电(discharging)阶段的光泄漏(light leakage)问题。
经试验，在加入分流电路33后，明显可见在放电(discharging)阶段S1流经OLED32的电流由4.36μA降至20pA，效果改善明显。
本发明已由上述相关实施例加以描述，然而上述实施例仅为实施本发明的范例。必需指出的是，已揭露的实施例并未限制本发明的范围。相反地，在不脱离本发明的精神和范围内所作的更动与润饰，均属本发明的专利保护范围。

Claims (3)

1.一种有源矩阵式显示装置的像素结构，其特征在于包含：
驱动电路，包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管以及存储电容；该第一薄膜晶体管的漏极耦接至数据电压，栅极耦接至第一扫描电压，源极耦接至该第二薄膜晶体管的漏极和该第四薄膜晶体管的栅极；该第二薄膜晶体管的栅极耦接至第二扫描电压，源极耦接至该第三薄膜晶体管的漏极和该存储电容的第一端；该第三薄膜晶体管的栅极耦接至该第一扫描电压，源极耦接至第一参考电压；该第四薄膜晶体管的源极耦接至该第五薄膜晶体管的漏极和该存储电容的第二端；该第五薄膜晶体管的栅极耦接至发射电压，源极耦接至正电压；发光组件，该发光组件的正极耦接至该第四薄膜晶体管的漏极，负极耦接至公共电压；以及
分流电路，包含第六薄膜晶体管，该第六薄膜晶体管的栅极耦接至该第一扫描电压，该第六薄膜晶体管的源极耦接至该第四薄膜晶体管的漏极，该第六薄膜晶体管的漏极耦接至第二参考电压。
2.如权利要求1所述的有源矩阵式显示装置的像素结构，其特征在于：该发光组件为OLED。
3.如权利要求1所述的有源矩阵式显示装置的像素结构，其特征在于：该第一参考电压为电源负极或接地电位。
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