CN101839427A - 一种大尺寸直下式led背光源及制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种大尺寸直下式LED背光源及制备方法。背光源结构包括边发射型LED、金属基板以及下壁壳；边发射型LED由圆锥形半反半透镜、LED芯片、封装树脂以及LED灯座构成；金属基板上冲压多个反光碗，反光碗在金属基板上均匀分布，下壁壳为框形结构，设置在金属基板的下端，下壁壳与金属基板之间形成空腔，在空腔内，金属基板下表面和下壁壳上表面设有微细结构，反光碗下端的微细结构与下壁壳上表面的微细结构连接，形成吸液芯；相邻反光碗之间设有支撑柱，支撑柱与反光碗等高，与下壁壳上表面的微细结构连接，形成吸液芯。本发明提供一种在低成本的前提下兼顾性能与能耗，实现大尺寸LCD轻薄化的LED背光源结构及制造工艺。

Description

一种大尺寸直下式LED背光源及制备方法

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器(LCD)的发光二极管(LED)背光源结构，特别是涉及在大尺寸LCD上使用的大功率LED背光源结构及其制备方法。本发明适用于所有需将LED点光源转化为面光源的应用场合。

背景技术

由于LCD本身并不发光，需要寻找一个背光源作为薄膜液晶体显示器光源的提供者，因此背光源的表现便决定了LCD外在的视觉感。背光源是将背光模组内的点光源或线光源转为均匀分布的面光源，并搭配薄膜控制视角，提高光学特性，使LCD达到完美显示的目的。LCD的背光源是一个结合许多光学薄膜材料的模块，背光源本身的开发技术横跨了光学、化学、电子学等领域，其成本占LCD所有材料成本的20％-30％。优化背光源设计是目前降低LCD成品成本的方向之一，以目前背光源之光学效率来说，仍有非常大的改善空间，但整体结构的精密度要求亦相对严格，即使是固定作用的外框，对光学也有非常大的影响。随着LCD技术的快速发展与日趋成熟，制造技术的提升，大尺寸及低价格的趋势下，背光模块在考虑轻量化、薄型化、低耗费、高辉度及降低成本的市场需求，为保持在未来市场的竞争力，开发、设计新型的背光模块，是今后努力的方向及重要课题，其代表着未来电子工艺生产设备的一种发展方向。

目前，采用传统冷阴极灯管(CCFL)背光源技术的LCD电视为市场主流。LED背光源技术比CCFL背光源技术更为先进。CCFL背光源是激发荧光粉发光的，其发光光谱中杂余成分较多，色纯度低，导致其色域小，通常只有NTSC的70％左右。在未来几年内，LCD用LED背光源由于具有色域宽、亮度高、寿命长、功耗低以及环保等优势，毫无疑问地将取代CCFL背光源，在大尺寸显示领域大放光彩。大尺寸LED背光源也是目前研究的热点，在各个科研机构的努力下，LED背光源的成本越来越低，而光效更高、更亮和更薄更轻，相信不久的将来LED背光源照明的LCD产品将进入普通家庭，给更多的人们带来全新的色彩感受。

相比传统CCFL背光源相比，采用LED背光源的液晶电视在画面表现、环保节能、超薄外观、娱乐功能等方面均得到了全面提升。在发光寿命方面，CCFL光源的额定使用寿命(半亮)在8000--100000小时之间，而LED光源则可以达到CCFL光源的两倍左右。在环保方面，虽然目前厂商方面已经尽力降低CCFL中的汞含量，但是完全无汞的CCFL会带来一些新的技术问题，暂时还无望解决。而反观LED背光，其优势在于完全不含铅和汞等有毒有害物质，是真正的绿色环保光源。

目前，LCD背光模组主要采用侧光式和直下式。在较大尺寸下，侧光式背光源的发光均匀性和发光亮度都受到限制，导光板的重量和成本也随尺寸的增大而有很大的增加。与之相比，直下式背光源工艺简单，不需要导光板，其技术关键在于色彩和亮度的均匀性，是目前大尺寸LED背光源研究开发的主流。高质LED液晶屏要求其背光源色彩还原性、亮度、以及色彩和亮度均匀性等基本光学性能好，直下式是在面板背后均匀分布LED，光源发散的光可以均匀传达到整个画面上。若采用区域控制技术，其亮度可以随着画面的亮度进行主动调节，相比采用CCFL背光的液晶电视有效节能可以达到30％以上。显示黑色的时候，可以直接关掉其对应LED区域的光，从而表现出非常完美的黑色。因此，专家普遍认为直下背光可以更准确的呈现图像，并展现出优秀的色彩和明暗对比效果。而目前市场上流通的直下式LED背光源大多采用在朗伯型LED光源前端加装透镜的方法来扩大其发散角以及改变其在被照面上的照度分布。但所加装的透镜由于形状复杂且光学精度要求高，因此制造成本往往极高。同时其受扩散角角度的制约，背光源的厚度问题仍有待解决。

LCD产品随着尺寸越大，背光模组所占的成本越高，直下式背光模组是大尺寸LCD产品所必备的关键技术，以高功率LED应用在大尺寸直下式背光模组中，首先面临的问题为LED点光源发光特性，容易造成出光面无法均匀，以高功率LED作为大尺寸背光模组之光源，现今已有许多讨论与研究，但在整个背光模组设计中，仍有许多值得探讨与改进的地方，例如LED散热与生产成本问题。随着微电子技术的迅速发展，电子器件的微型化已经成为现代电子设备发展的主流趋势。电子器件特征尺寸不断减小，芯片的集成度、封装密度以及工作频率不断提高，这些都使芯片的热流密度迅速升高。因此电路及其芯片散热问题显得格外突出。而均热板具有高的热导率和良好的均温性，成为解决电子散热问题的很有前途的技术之一。均热板属于热管的一种类型，并且均热板比一般热管具有更加突出的优点，其形状非常有利于对集中热源进行热扩散。

可见，大尺寸直下式LED背光源结构是以后背光源模块发展的趋势，而随着控制理论、制造技术的发展以及人们对高品质显示器的不断追求。势必会促使光、电、热等技术不断衔接、组合，从而满足未来市场的需求。

发明内容

为了克服现有背光源厚度、性能以及制造成本之间的矛盾，本发明提供一种在低成本的前提下兼顾性能与能耗，实现大尺寸LCD轻薄化的LED背光源结构及制造工艺。

本发明的目的通过如下技术方案实现：

一种大尺寸直下式LED背光源结构，包括边发射型LED、金属基板以及下壁壳，所述金属基板上冲压多个反光碗，反光碗在金属基板上均匀分布，在金属基板上表面设有厚度为0.08mm-0.1mm热绝缘介质层，热绝缘介质层上表面覆有连接LED芯片的布线电路；

所述下壁壳为框形结构，设置在金属基板的下端，下壁壳与金属基板之间形成空腔，空腔中充有40％-45％空腔体积的工质；在空腔内，金属基板下表面和下壁壳上表面设有微细结构，反光碗下端的微细结构与下壁壳上表面的微细结构连接，形成吸液芯；相邻反光碗之间设有支撑柱，支撑柱与反光碗等高，与下壁壳上表面的微细结构连接，形成吸液芯；相邻支撑柱之间的距离为10-20mm；所述微细结构是指间距为0.1-0.2mm、高为0.1-0.2mm的微凸起，或者是铜粉颗粒烧结层；所述微凸起为锥形或柱形；

边发射型LED由圆锥形半反半透镜、LED芯片、封装树脂以及LED灯座构成；LED芯片置于灯座上，半反半透镜是壁厚为0.2mm-0.8mm的圆锥形玻璃透镜，通过玻璃罩将其固定于LED芯片上方，玻璃罩内部充满封装树脂；灯座被固定于反光碗的内部且位于反光碗中轴线上；LED芯片与反光碗中心的最低端相距1-2mm；反光碗内壁和LED灯座上都涂有反光材料；布线电路将多个LED芯片串联连接成一个串联支路，多个串联支路并联连接。

为进一步实现本发明目的，所述LED芯片置于灯座之上，半反半透镜被玻璃灯罩固定于LED芯片上方，其内部充满封装树脂且封闭，LED所发出光线的主出射角β与圆锥形半反半透镜的锥顶角α大小相等。

所述支撑柱是在金属基板上冲压形成。

所述支撑柱是在由铜粉颗粒烧结形成柱状结构。

所述金属基板材料优选为铝或紫铜。

所述工质优选为氨水或者纯水。

所述热绝缘介质层优选为Al₂O₃微弧氧化膜、环氧玻钎布或环氧树脂。

所述下壁壳下表面设有翅片结构。

一种大尺寸直下式LED背光源的制备方法，包括如下步骤：

(1)在金属基板下表面滚压出锥形或柱形微凸起结构；依次将金属基板进行表面打磨、化学除油以及去离子水清洗处理，再采用微弧氧化的方法在金属基板的上表面镀上一层厚度为0.08mm-0.1mm的微弧氧化膜或在其上覆上一层厚度为0.08mm-0.1mm的绝缘介质层；用纯净水清洗干净并烘干，再在其上覆上一层铜箔，印制或腐蚀出布线电路；最后在覆有电路层的金属基板上冲压出反光碗；

(2)在下壁壳上表面形成微细结构，所述微细结构是指间距为0.1-0.2mm、高为0.1-0.2mm的微凸起，或者是铜粉颗粒烧结层；所述微凸起为锥形或柱形；金属基板下表面和下壁壳上表面之间，位于相邻反光碗之间设置支撑柱，支撑柱与反光碗等高，所述支撑柱是在金属基板上冲压形成，或者是由铜粉颗粒烧结形成柱状结构；将下壁壳制成框型结构，放置在金属基板下，与金属基本形成空腔，在下壁壳任一侧面加工出充液口；

(3)将金属基本和下壁壳表面及紫铜管内部清洗，然后将其放到稀硫酸或者酒精等溶液中，使用超声波清洗机清洁干净，运用钎焊工艺将下壁壳和金属基板边缘结合处进行封焊，将紫铜管接充液口；

(4)将工质灌注到空腔中，充液量为整个空腔体积的40％-50％；然后沿着充液口对空腔进行抽真空，要求均热板腔体内最终真空度要小于1.33×10^-3Pa，最后使用氩弧焊进行封焊；

(5)将边发射型LED放置于反光碗的中轴线上，调整灯座，使LED芯片与反光碗中心点端相距1.5mm-3.5mm，同时将LED焊接到铝基板电路上。

相对于现有技术，本发明具有如下优点和有益效果：

本发明利用反光碗的反射作用，使得点光源可在短距离内扩散为面光源，从而解决了传统发光二极管发散角小的问题，同时由于LED使用数量的减少，使得制造及使用成本大大降低；均热板以及电路设计的一体化应用，不但富有余量地解决了LCD的散热问题(即延长了背光源的使用寿命)，而且也便于现代化大规模生产。从而在真正意义上实现了LCD的轻薄化、低能耗、高寿命、产业化的产品优势。

附图说明

图1为本发明实施例1背光结构剖面图。

图2为本发明实施例1背光结构俯视图。

图3为本发明实施例1均热板中充液管安放位置图。

图4为本发明实施例1单个背光结构中光线的出射示意图。

图5为本发明实施例1相邻光学结构光线出射示意图。

图6为本发明实施例1整个背光模组俯视图。

图7为本发明实施例2单个背光结构剖面图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明，但本发明的实施方式不仅局限于此。

实施例1

如图1所示，一种大尺寸直下式LED背光源包括金属基板6、均热板以及边发射型LED。金属基板6上冲压多个反光碗5，反光碗5在金属基板6上均匀分布，其为碗状自由曲面结构；反光碗5之间设有由金属基板6冲压形成的支撑柱9A，支撑柱9A为向内凹陷的柱状结构。

如图2所示，采用微弧氧化的方法在金属基板6表面镀一层Al₂O₃微弧氧化膜，用作高导热绝缘介质层，Al₂O₃微弧氧化膜表面覆有连接LED芯片2的布线电路11。

下壁壳为框形结构，由铝制长方形板冲压成型，设置在金属基板6的下端，下壁壳8与金属基板6之间形成空腔，空腔中充有40％-45％空腔体积的氨水溶液10；在空腔内，下壁壳8和金属基板6都设有间距0.1-0.2mm、高0.1-0.2mm的微凸起9B；反光碗5与支撑柱9A等高，下壁壳8与金属基板6的微凸起在反光碗5和支撑柱9A处相接。一般而言，均热板是一种平板热管，用于将集中热源近乎等温地扩散到大面积的封闭两相板状传热***，包括上壁壳、下壁壳和工质；上壁壳和下壁壳形成空腔，空腔内设有工质；上壁壳上设有支撑柱结构(小尺寸情况下也可不用支撑柱结构)；上壁壳和下壁壳内部都设有微凸起。支撑柱和微凸起在均热板中共同充当吸液芯的作用；本实施例中，金属基板6用作均热板的上壁壳，在节约材料、减轻质量的同时，也降低了生产成本。

边发射型LED由圆锥形半反半透镜1、LED芯片2、封装树脂3以及LED灯座4构成；LED芯片2置于灯座4之上，半反半透镜1是一种壁厚为0.2mm-0.8mm的圆锥形玻璃透镜，可通过玻璃罩将其固定于LED芯片2上方，玻璃罩内部充满封装树脂3；灯座4被固定于反光碗5的内部且位于反光碗5中轴线上；LED芯片2与反光碗中心的最低端相距1-2mm。反光碗5内壁和LED灯座4上都涂有反光材料(可选用3M公司的微棱镜型反光膜)；LED所发出光线的主出射角β与圆锥形半反半透镜1的锥顶角α大小相等(如图4所示)。布线电路11将多个LED芯片2串联连接成一个串联支路，多个串联支路并联连接。

一种大尺寸直下式LED背光源的制备工艺包括如下步骤：

(1)在厚为0.7mm的铝基板6(规格为683mm×1215mm)下表面滚压出间距0.1mm、高0.2mm的微凸起9B；依次将铝基板6进行表面打磨、化学除油以及去离子水清洗处理，再采用微弧氧化的方法在铝基板6的表面镀上一层厚度为0.08mm-0.1mm的Al₂O₃微弧氧化膜；之后用纯净水清洗干净并烘干，再在其上覆上一层厚度为0.05mm的铜箔，印制63条串联支路，其中每条支路可连接6个LED灯；最后在铝基板6上冲压出高为4mm的反光碗5和支撑柱结构9A，其中相邻反光碗5之间间距为40-50mm，相邻支撑柱9A之间的距离为7-15mm；

(2)在下壁壳8上部滚压出间距0.1mm，高0.2mm的微凸起9B，再沿其边缘处将其冲压成深度为4mm的凹槽；然后在已经成型的下壁壳8任一侧壁面的中心位置加工出直径为3.1mm的充液口，充液口与紫铜小管14连接，用于灌注工质和抽真空。紫铜小管14长度可为50mm，直径可为3mm(如图3所示)；

(3)使用毛刷等工具将金属基板6和下壁壳8的表面及紫铜管14内部清洗干净，去除毛刺，然后将其放到重量百分比浓度为8-10％的稀硫酸溶液中，使用超声波清洗机清洁8-15min，运用钎焊工艺将均热板在金属基板6和下壁壳边缘结合处进行封焊，同时将紫铜小管焊接到预留的充液口；

(4)将氨水灌注到金属基板6和下壁壳连接时所形成的空腔中，充液量为整个空腔体积的40％-50％；然后沿着充液口对空腔进行抽真空，要求均热板腔体内最终真空度要小于1.33×10-3Pa，最后使用氩弧焊进行封焊；

(5)将边发射型LED放置于反光碗5的中轴线上，并通过灯座的调整LED芯片2与反光碗5底部中心的高度，LED芯片与反光碗底部中心点高度为1.5mm-3.5mm，同时将LED焊接到铝基板电路上。

如图4所示，LED芯片2发射出的光线，经封装树脂3射入到半反半透镜1后，其中绝大部分光线经光路15先被圆锥形半反半透镜1反射，再被折射至反光碗5，最后被反光碗5内表面的反射涂料反射至目标物面(扩散膜所在平面)，剩余的小部分光线经光路16直接出射至目标物面(由于圆锥形半反半透镜1的壁厚很薄，故其对光线的折射作用可忽略不计)。

如图5所示，包含有反光碗的单个光学结构12在扩散板上可形成边长为45mm的正方形均匀照度分布，其在金属基板6上的排列方式为正方形排布(如图6所示)。由于相邻光学结构在扩散板上所形成照度分布的串扰可以忽略不计，因此所有单个LED光源在扩散板上形成的均匀照度分布可无限拼接，从而实现了LED点光源到均匀面光源的转化。

LED灯工作时，热量通过灯座4传递到作为蒸发面的金属基板6，再由金属基板6上滚压出的微凸起9B传递到氨水溶液10中，促使氨水溶液10因温升而沸腾、气化，转化为气态的氨水10一旦接触到作为冷凝面的下壁壳8，立刻重新凝结为液体，同时迅速释放出热量。液态的氨水10依靠支撑柱9A和微凸起9B共同的毛细作用力，沿着均热板内表面或支撑柱结构9A重新回流到金属基板6下部的沸腾处。至此，均热板完成了一个工作循环。如此反复，从而实现了将LED产生的热量由一个个小的集中区域迅速扩散到整个均热板上。随着LED背光模块厚度的薄型化、背光要求的精细化，导致LED背光模块热流密度迅速提高，尤其是在大功率LED灯芯正下方的区域热流密度往往极高，而LED灯的使用寿命受其工作温度影响很大，因此背光源模组中散热***的设计显得格外重要。由于LED属于点光源，其产生的热量相对集中，而均热板具有高的热导率和良好的均温性，因此成为解决LED背光源散热问题极其有效地手段之一。

实施例2

如图7所示，一种大尺寸直下式LED背光源包括金属基板6、均热板以及边发射型LED。金属基板6上冲压多个反光碗5，反光碗5在金属基板6上均匀分布，其为碗状自由曲面结构。

金属基板6为铜基板，其表面覆有绝缘介质层，绝缘介质层表面覆有连接LED芯片2的布线电路11。绝缘介质层一般采用高导热的环氧玻钎布或环氧树脂，其厚度为0.08mm-0.1mm。

金属基板6下表面设有间距0.1-0.2mm、高0.1-0.2mm的微凸起9B；下壁壳8为框形结构，由铜制长方形板冲压成型，设置在金属基板6的下端，下壁壳8与金属基板6之间形成空腔，空腔中充有40％-45％空腔体积的蒸馏水溶液；在空腔内，下壁壳8上设有吸液芯结构9C，液芯结构9C包括支撑柱9A和覆盖在下壁壳8上表面的铜粉颗粒烧结层；支撑柱9A间隔地位于两反光碗5之间，连接金属基板6下表面和下壁壳8上表面的铜粉颗粒烧结层，支撑柱9A由铜粉颗粒烧结成型。下壁壳8下表面设有翅片结构13，加快散热。

边发射型LED同实施例1。

一种LED背光源的制备方法包括如下步骤：

(1)在厚为0.7mm的金属基板6(规格为683mm×1215mm)下部滚压出间距0.1mm、高0.2mm的微凸起9B；在金属基板6的上表面上覆上一层厚度为0.08mm-0.1mm的绝缘介质层，再在其上覆上一层厚度为0.05mm的布线电路11(铜箔)，印制63条串联支路，其中每条支路可连接6个LED灯，在金属基板6上冲压出高为4mm的反光碗5，其中相邻反光碗5之间间距为40mm-50mm；

(2)在下壁壳8下部滚压出间距为1mm，高2mm的翅片结构13，将下壁壳8冲压成深度为4mm的框形结构；下壁壳8上部用铜粉颗粒烧结出具有支撑柱9A的吸液芯结构9C(900℃的炉温，保持20分钟，N₂保护)。充液口，紫铜小管14的制备同实施例1；

(3)使用毛刷等工具将上、下壁壳表面及紫铜管14内部清洗干净，去除毛刺，然后将其放到浓度为8-10％的稀硫酸溶液中，使用超声波清洗机清洁8-15min，运用钎焊工艺将均热板在上、下壁壳边缘结合处进行封焊，同时将紫铜小管焊接到预留的充液口；

(4)将蒸馏水灌注到上、下壁壳连接时所形成的空腔中，充液量为整个空腔体积的40％-50％，然后沿着充液口对空腔进行抽真空，要求均热板腔体内最终真空度要小于1.33×10^-3Pa，最后使用氩弧焊进行封焊；

(5)将边发射型LED放置于反光碗5的中轴线上，并通过灯座的调整获得最佳位置，LED芯片与反光碗中心点端相距1.5mm-3.5mm，同时将LED焊接到铝基板电路上。

本实施例的工作原理与实施例1相同。

Claims (9)

1.一种大尺寸直下式LED背光源结构，包括边发射型LED、金属基板以及下壁壳，其特征在于：所述金属基板上冲压多个反光碗，反光碗在金属基板上均匀分布，在金属基板上表面设有厚度为0.08mm-0.1mm热绝缘介质层，热绝缘介质层上表面覆有连接LED芯片的布线电路；

所述下壁壳为框形结构，设置在金属基板的下端，下壁壳与金属基板之间形成空腔，空腔中充有40％-45％空腔体积的工质；在空腔内，金属基板下表面和下壁壳上表面设有微细结构，反光碗下端的微细结构与下壁壳上表面的微细结构连接，形成吸液芯；相邻反光碗之间设有支撑柱，支撑柱与反光碗等高，与下壁壳上表面的微细结构连接，形成吸液芯；相邻支撑柱之间的距离为10-20mm；所述微细结构是指间距为0.1-0.2mm、高为0.1-0.2mm的微凸起，或者是铜粉颗粒烧结层；所述微凸起为锥形或柱形；

边发射型LED由圆锥形半反半透镜、LED芯片、封装树脂以及LED灯座构成；LED芯片置于灯座上，半反半透镜是壁厚为0.2mm-0.8mm的圆锥形玻璃透镜，通过玻璃罩将其固定于LED芯片上方，玻璃罩内部充满封装树脂；灯座被固定于反光碗的内部且位于反光碗中轴线上；LED芯片与反光碗中心的最低端相距1-2mm；反光碗内壁和LED灯座上都涂有反光材料；布线电路将多个LED芯片串联连接成一个串联支路，多个串联支路并联连接。

2.根据权利要求1所述的一种大尺寸直下式LED背光源结构，其特征在于，所述LED芯片置于灯座之上，半反半透镜被玻璃灯罩固定于LED芯片上方，其内部充满封装树脂且封闭，LED所发出光线的主出射角β与圆锥形半反半透镜的锥顶角α大小相等。

3.根据权利要求1所述的一种大尺寸直下式LED背光源结构，其特征在于，所述支撑柱是在金属基板上冲压形成。

4.根据权利要求1所述的一种大尺寸直下式LED背光源结构，其特征在于，所述支撑柱是在由铜粉颗粒烧结形成柱状结构。

5.根据权利要求1所述的一种大尺寸直下式LED背光源结构，其特征在于，所述金属基板材料为铝或紫铜。

6.根据权利要求1所述的一种大尺寸直下式LED背光源结构，其特征在于，所述工质为氨水或者纯水。

7.根据权利要求1所述的一种大尺寸直下式LED背光源结构，其特征在于，所述热绝缘介质层为Al₂O₃微弧氧化膜、环氧玻钎布或环氧树脂。

8.根据权利要求1所述的一种大尺寸直下式LED背光源结构，其特征在于，所述下壁壳下表面设有翅片结构。

9.权利要求1所述的大尺寸直下式LED背光源的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)在金属基板下表面滚压出锥形或柱形微凸起结构；依次将金属基板进行表面打磨、化学除油以及去离子水清洗处理，再采用微弧氧化的方法在金属基板的上表面镀上一层厚度为0.08mm-0.1mm的微弧氧化膜或在其上覆上一层厚度为0.08mm-0.1mm的绝缘介质层；用纯净水清洗干净并烘干，再在其上覆上一层铜箔，印制或腐蚀出布线电路；最后在覆有电路层的金属基板上冲压出反光碗；

(2)在下壁壳上表面形成微细结构，所述微细结构是指间距为0.1-0.2mm、高为0.1-0.2mm的微凸起，或者是铜粉颗粒烧结层；所述微凸起为锥形或柱形；金属基板下表面和下壁壳上表面之间，位于相邻反光碗之间设置支撑柱，支撑柱与反光碗等高，所述支撑柱是在金属基板上冲压形成，或者是由铜粉颗粒烧结形成柱状结构；将下壁壳制成框型结构，放置在金属基板下，与金属基本形成空腔，在下壁壳任一侧面加工出充液口；

(3)将金属基本和下壁壳表面及紫铜管内部清洗，然后将其放到稀硫酸或者酒精等溶液中，使用超声波清洗机清洁干净，运用钎焊工艺将下壁壳和金属基板边缘结合处进行封焊，将紫铜管接充液口；

(4)将工质灌注到空腔中，充液量为整个空腔体积的40％-50％；然后沿着充液口对空腔进行抽真空，要求均热板腔体内最终真空度要小于1.33×10^-3Pa，最后使用氩弧焊进行封焊；

(5)将边发射型LED放置于反光碗的中轴线上，调整灯座，使LED芯片与反光碗中心点端相距1.5mm-3.5mm，同时将LED焊接到铝基板电路上。

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