CN101836284A - 等离子体处理装置及其气体排气方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种对被处理基板进行等离子体处理的等离子体处理装置。该装置包括：形成有处理空间(15)的处理容器(2)；设置在处理空间(15)内、用于载置被处理基板(W)的基板载置台(3)；处理空间形成部件(16)，设置在内部空间(15)内，具有比该内部空间(15)的内径(a15)小的内径(a1)，并在基板载置台(3)的上方划分有进行等离子体处理的处理空间(1)；排气口(6)，设置在处理空间形成部件(16)的上端部(16a)与内部空间(15)的内壁(15a)之间，从处理空间(1)对气体进行排气。

Description

等离子体处理装置及其气体排气方法

技术领域

本发明涉及对半导体晶片等的被处理基板实施处理的处理装置及其气体排气方法，特别涉及使用微波等离子体对被处理基板实施等离子体处理的等离子体处理装置及其气体排气方法。

背景技术

近年来，因LSI的高集成化、高速化的要求，构成LSI的半导体元件的设计规则日益微细化。另外，从提高生产效率的观点考虑，半导体晶片的大型化也在发展。伴随这些现象，对半导体晶片等被处理基板实施处理的处理装置也被要求能够与元件的微细化、晶片的大型化相对应。

在目前的半导体工艺中，等离子体处理装置的利用在成膜或者蚀刻中不可缺少，特别引人注目的是能够高密度地生成低电子温度的等离子体的微波等离子体处理装置(例如，参照日本特开2004-14262号公报)。

如专利文献1的记载，微波等离子体处理装置通常从处理空间的上方导入处理气体，从处理空间的下方排气。

被微细化的半导体元件要求更高品质的薄膜。但是，微波等离子体处理装置从处理空间的上方导入处理气体，从处理空间的下方排气，并对处理空间的压力进行控制。因此，在处理空间容易滞留气体。当滞留气体时，因等离子体使气体发生过剩解离(分离)，产生过剩的反应活性种和副产物，因此成为膜质下降的原因，或者成为颗粒源等，有可能对半导体元件的制造产生影响。

发明内容

本发明的目的在于提供一种在处理空间难以滞留气体、能够始终向被处理基板供给新鲜的处理气体的等离子体处理装置及其气体排气方法。

本发明第一方面涉及的等离子体处理装置具包括：形成内部空间的处理容器；设置在上述内部空间内、用于载置被处理基板的基板载置台；处理空间形成部件，该处理空间形成部件被设置在上述内部空间内，具有比该内部空间的内径小的内径，在上述基板载置台的上方划分出进行等离子体处理的处理空间；和设置在上述处理空间形成部件的上端部与上述内部空间的内壁之间、从上述处理空间对气体进行排气的排气口。

本发明第二方面涉及的等离子体处理装置包括：形成内部空间的处理容器；设置在上述内部空间内、用于载置被处理基板的基板载置台；与上述基板载置台的被处理基板载置面相对设置、配置在上述处理容器的上部的微波透射板；配置在上述微波透射板上的微波天线；处理空间形成部件，该处理空间形成部件被设置在上述内部空间内，具有比该内部空间的内径小的内径，在上述基板载置台的上方划分出进行等离子体处理的处理空间；设置在上述处理空间形成部件上，从上述基板载置台的附近向上述处理空间内导入处理气体的处理气体导入口；和设置在上述处理空间形成部件的上端部与上述内部空间的内壁之间、从上述处理空间对气体进行排气的排气口。

本发明第三方面涉及的等离子体处理装置的气体排气方法，其特征在于：上述等离子体处理装置包括：形成内部空间的处理容器；设置在上述内部空间内、用于载置被处理基板的基板载置台；处理空间形成部件，该处理空间形成部件被设置在上述内部空间内，具有比该内部空间的内径小的内径，在上述基板载置台的上方划分出进行等离子体处理的处理空间；和设置在上述处理空间形成部件的上端部与上述内部空间的内壁之间、从上述处理空间对气体进行排气的排气口，该等离子体处理装置的气体排气方法从上述基板载置台的上方将上述处理空间内的气体进行排气。

本发明第四方面涉及的等离子体处理装置的气体排气方法，其特征在于：上述等离子体处理装置包括：形成内部空间的处理容器；设置在上述内部空间内、用于载置被处理基板的基板载置台；与上述基板载置台的被处理基板载置面相对设置、配置在上述处理容器的上部的微波透射板；和配置在上述微波透射板上的微波天线，在上述内部空间内设置有处理空间形成部件，该处理空间形成部件具有比该内部空间的内径小的内径，在上述基板载置台的上方划分出进行等离子体处理的处理空间，从上述基板载置台附近将处理气体导入上述处理空间内，从上述基板载置台的上方将上述处理空间内的气体进行排气。

附图说明

图1是示意地表示本发明第一实施方式涉及的等离子体处理装置的一个例子的截面图。

图2A是表示处理空间内的气体的流动的图。

图2B是表示处理空间内的气体的流动的图。

图3是示意地表示本发明第二实施方式涉及的等离子体处理装置的一个例子的截面图。

图4是图3所示的装置的具体且详细的截面图。

图5是表示处理空间形成部件16的一个平面例的平面图。

图6是沿图5中的VI-VI线的截面图。

图7A是表示处理空间内的气体的流动的图。

图7B是表示处理空间内的气体的流动的图。

具体实施方式

以下参照附图，对本发明的实施方式进行说明。

(第一实施方式)

图1是示意地表示本发明第一实施方式涉及的等离子体处理装置的一个例子的截面图。

如图1所示，第一实施方式涉及的等离子体处理装置100a包括：处理容器2，形成有进行等离子体处理的处理空间1；基板载置台3，设置在处理空间1内，用于载置被处理基板W；微波透射板4，设置在处理容器2的与基板载置台3的被处理基板载置面相对的上面部；微波天线5，配置在微波透射板4上；和排气口6，设置在基板载置台3的上方，从处理空间1对气体进行排气。

当装置100a在处理空间1内进行等离子体处理时，将处理空间1内调压为例如0.05Torr至数Torr的范围。因此，排气口6通过用于调压的调压机构例如压力控制阀10，与用于排气的排气机构例如排气泵11连接。

装置100a具有用于控制装置100a的各构成部、压力调节阀10和排气泵11等的控制部100。控制部100具有工艺控制器101、用户界面102和存储部103。控制器101执行各构成部的控制。用户界面102具有显示器和键盘。操作者例如一边观看可视化显示装置100a的工作状况的显示器，一边利用键盘进行用于管理装置100a的命令等的输入操作。存储部103存储有用于利用控制器101的控制实现装置100a所执行的处理的控制程序、根据各种数据和处理条件在处理装置的各构成部执行处理的程序、即方案。方案被存储在存储部103中的存储介质中。存储介质可以是硬盘，也可以是CD-ROM、DVD、闪存等可移动性物质。另外，方案也可以从其他装置，例如通过专用线路适当传送。根据需要，利用来自用户界面102的指示等从存储部103读出任意的方案，在控制器101上执行，由此，装置100a执行期望的处理。

利用第一实施方式涉及的装置100a，从基板载置台3的上方对处理空间1内的气体进行排气。通过从基板载置台3的上方对处理空间1内的气体进行排气，而能够得到在处理空间1内难以滞留气体的等离子体处理装置。

图2表示了在装置100a和比较例涉及的装置中比较处理空间1内的气体的流动的图。图2A表示装置100a，图2B表示比较例所涉及的装置。

如图2B所示，比较例涉及的装置从处理空间1的上方导入处理气体，从处理空间1的下方排气。特别是，表示出在基板载置台3的周围，隔着水平配置在该基板载置台3上的挡板(baffle)7，从与基板载置台3的下方的下方空间13连通的排气空间8a进行排气的装置。

如上所述，等离子体处理装置在处理空间1内进行等离子体处理时，将处理空间1内调压为例如0.05Torr至数Torr的范围。因此，如图2A和图2B所示，排气口6通过压力控制阀10与排气泵11连接。

图2B所示的比较例，通过相对于基板载置台3水平配置、并具有多个开孔的挡板7，相对基板载置台3沿垂直方向(铅垂方向)对处理空间1内的气体进行排气。在比较例中，气体导入口12设置在处理空间1的上方，因此处理空间1内的气体的流动基本上为从上方向下方的下流向的流动。

位于挡板7下方的下方空间13为与排气室8的排气空间8a连通的空间。排气空间8a通过压力控制阀10利用排气泵11进行排气，因此，与之连通的下方空间13的压力低。但是，位于下方空间13的上方的处理空间1的压力，因挡板7的排气传导率(conductance)的原因而高于下方空间13的压力。因此，被导入到处理空间1的处理气体中产生没有从挡板7被排出的剩余气体，该剩余气体滞留在挡板7的上方(参照符号A)。

剩余气体暂时通过被处理基板W的上方，大部分为被用于成膜等的等离子体处理中的使用完的处理气体。滞留的剩余气体中也包括伴随从气体导入口12喷射的处理气体的流动而再次返回到被处理基板W的上方的气体(参照符号B)。刚从气体导入口12喷射的处理气体是没通过被处理基板W的上方的未使用的新鲜处理气体。对于新鲜的处理气体，当在其中混入有使用完的处理气体时，供给被处理基板W的上方的处理气体的清洁度下降。不只处理气体的清洁度下降，另外，滞留在挡板7的上方，伴随再次从气体导入口12喷射的处理气体的流通，再次返回到被处理基板W的上方。在处理空间1内产生使处理气体的清洁度不断下降的剩余气体的循环流。滞留的剩余气体和残留在循环流中的剩余气体长时间残留在处理空间1内，为长时间暴露于等离子体的气体，因此引起过剩解离的可能性高。这是导致薄膜的膜质下降的原因，或者成为颗粒源。

另外，在比较例中，挡板7位于被处理基板W的下方。因此，位于被处理基板W的上方的气体相对于被处理基板W的表面具有水平方向成分，被引向挡板7是必须的。但是，被处理基板W的中央部分因为距离挡板7远，所述引力弱。因此，在被处理基板W的中央部分的上方，处理气体的流动容易变缓慢，容易产生处理气体滞留的滞留区域C。滞留区域C伴随被处理基板W的尺寸变大所产生的可能性高，例如当被处理基板W为半导体晶片时，伴随口径Φ变大，滞留区域C产生的可能性变高。例如，口径Φ为300mm以上的晶片与口径Φ小于300mm的晶片相比，滞留区域C发生的可能性高。

相对于此，在装置100a中，如图2A所示，从基板载置台3的上方对处理空间1内的气体进行排气。在本例中，通过在基板载置台3的上方的处理容器2的侧壁所形成的排气口6，相对于基板载置台3沿水平方向进行排气。另外，在装置100a中，气体导入口12设置在处理空间1的下方，在本例中，设置在基板载置台3附近，因此处理空间1内的气体流动基本为从下方向上方的上流向的流动。

在装置100a中，没有如比较例的挡板7。排气口6通过压力控制阀10与排气泵11连接，但因没有挡板7，所以没有如比较例那样的滞留在挡板7上方的剩余气体。

但是，在装置100a中，在基板载置台3的周围，相对该基板载置台3水平地设置有环状板14。这是为了使气体导入口12邻近于基板载置台3。气体导入口12形成于环状板14上。在环状板14的上方，没有被排气口6排净的剩余气体下降，有可能在环状板14的上方滞留剩余气体(参照符号D)。滞留在这里的剩余气体中也包括伴随从气体导入口12喷射的处理气体的流动的气体。但是，该流动在环状板14上向上方上升，不向着被处理基板W的上方，而向着排气口6(参照符号E)。这样，向着排气口6上升的流动与向被处理基板W的上方下降的比较例不同。在装置100a中，即使产生了残留的剩余气体，也向排气口6上升，因此与比较例相比，剩余气体混入到未使用的新鲜处理气体的可能性低。

因此，在装置100a中，难以返回到被处理基板W的上方，形成的薄膜的膜质与比较例的装置相比，变得更良好。另外，颗粒也变少，因此能够防止制造成品率的恶化。

另外，在装置100a中，排气口6被设置在基板载置台3的上方，而且位于处理气体导入口12的上方。处理气体导入口12位于被处理基板W的边缘的附近。处理气体从被处理基板W的边缘向着被处理基板W的中央部分水平喷射。因此，与从被处理基板W的边缘在水平方向吸引处理气体，再进一步将排气方向变换成垂直方向(铅垂方向)来进行排气的比较例相比，在被处理基板W的中央部分难以发生滞留处理气体的滞留区域C。该优点即使被处理基板W例如晶片的口径Φ变大也不会改变。

因此，在装置100a中，能够得到例如即使晶片的口径Φ为300mm以上，在被处理基板W的中央部分的上方也难以产生滞留区域C这样的优点。

另外，处理气体从被处理基板W的边缘向被处理基板W的中央部分始终水平地被喷射，因此能够得到在等离子体处理期间，始终将新鲜的处理气体供给被处理基板W的优点。

从这些优点来看，装置100a与比较例相比，能够使形成的薄膜的膜质变得更好，颗粒也更少，因此能够防止制造成品率的恶化。

根据以上内容，通过第一实施方式，能够提供一种在处理空间难以滞留气体，能够始终向被处理基板供给新鲜的处理气体的等离子体处理装置及其气体排气方法。

(第二实施方式)

图3示意地表示本发明第二实施方式涉及的等离子体处理装置的一个例子的截面图。在图3中，与图1相同的部分标注相同的参照符号，省略重复说明。

如图3所示，第二实施方式所涉及的等离子体处理装置100b与第一实施方式所涉及的装置100a的不同之处在于，包括：处理容器2，形成有内部空间15；基板载置台3，设置在内部空间15内，用于载置被处理基板W；微波透射板4，设置在处理容器2的与基板载置台3的被处理基板载置面相对的上面部；微波天线5，配置在微波透射板4上；和处理空间形成部件16，设置在内部空间15内。

处理空间形成部件16具有比内部空间15的内径a15小的内径a1，在基板载置台3的上方划分出进行等离子体处理的处理空间1。在处理空间形成部件16设置有从基板载置台3的附近向处理空间1内导入处理气体的处理气体导入口12。

排气口6设置在处理空间形成部件16的上端部16a与内部空间15的内壁15a之间。在本例中，排气口6在处理空间1的外侧，相对于被处理基板载置台3沿水平方向设置。排气口6的排气方向与基板载置台3相对，为垂直方向。

在本例中，在处理空间形成部件16的上端部16a设置有具有处理容器2的内径a15以上的外径b16b的凸缘部位16b。上述排气口6设置在凸缘部位16b上。设置在凸缘部位16b的排气口6位于处理容器2内，面向内部空间15。

在排气口6的下方形成有夹在处理空间形成部件16的中间部16c的外壁与处理容器2的内壁之间的圆筒状空间17。在本例中，圆筒状空间17成为排气通路。

在处理容器2的基板载置台3的下方具有下方空间13，下方空间13与排气空间8a连通，排气空间8a与排气室8的排气泵11连接。上述排气通路即空间17与下方空间13即排气空间8a连通。

另外，相对处理空间1搬入搬出被处理基板W的搬入搬出口在图3中没有特别地图示，例如在基板载置台3的外径小于处理空间形成部件16的内径a1的情况下，例如可以形成在处理容器2的面向位于处理空间形成部件16的上端部上方的内部空间15的侧壁上。在该情况下，基板载置台3在位于处理空间形成部件16的内侧的处理空间1内升降。

另外，搬入搬出口也可以形成在处理容器2的位于相对基板载置台3水平的位置、并面向处理空间1的侧壁。在该情况下，可以得到在搬入搬出被处理基板W时，不需要使基板载置台3升降的优点。另外，为该结构的情况下，在处理空间形成部件16妨碍被处理基板W的搬入或搬出的情况下，为了不妨碍被处理基板W的搬入或搬出，在处理空间形成部件16上可以形成对应搬入搬出口的切口部位。

图4表示图3所示的装置100b的具体且更详细的截面。

如图4所示，在处理空间形成部件16的下端部16d设置有具有内径a16e大于基板载置台3的外径b3的第一部分16e和内径a16f小于基板载置台3的外径b3的第二部分16f的阶梯孔(沉头孔、counterbore)状部位。在本例中，基板载置台3被收容在第一部分16e中。另外，在本例中，在基板载置台3上安装有聚焦环3a，基板载置台3的外径b3为安装有聚焦环时的外径。

在本例中，在安装有聚焦环3a的基板载置台3和第一部分16e之间设定有使处理空间1和下方空间13(在本例中与排气空间8a一体化)连通的截面L字形的间隙(clearance)3b。在本例中，具有通过间隙3b从处理空间1对处理气体进行排气的可能性。但是，在本例中，间隙3b狭窄，进一步为截面L字形，由此使间隙3b排气传导小于排气口6的排气传导，处理气体难以流动。即，通过使间隙3b的排气传导小于排气口6的排气传导，能够抑制从处理空间1通过间隙3b对处理气体进行排气。另外，还能够防止来自下方空间13(排气空间8a)的使用完的处理气体的逆流。

另外，在处理容器2的面向内部空间15的侧壁部上形成的开孔2a是向内部空间15导入例如氩气、氮气等稀释气体的气体导入口。

图5表示装置100b所具有的处理空间形成部件16的一个平面例。另外，图4所示的截面沿着图5中的IV-IV线。

如图5所示，排气口6在凸缘部位16b上设置有多个。在凸缘部的多个排气口6之间沿水平方向配设有向处理气体导入口12导入处理气体的主处理气体导入通路18(第一处理气体通路)。主处理气体导入通路18与设置在处理容器2的外部的处理气体供给机构18c连接。

在处理空间形成部件16的上端部16a内沿水平方向配设有环状处理气体导入通路18a(第三处理气体通路)。环状处理气体导入通路18a与主处理气体导入通路18连接。

另外，在处理空间形成部件16的中间部内16c沿垂直(铅垂方向)配设有副处理气体导入通路18b(第二处理气体通路)(参照图4)。副处理气体导入通路18b连接环状处理气体导入通路18a和处理气体导入口12。

这样，在本例中，处理气体通过处理气体导入通路18、环状处理气体导入通路18a、副处理气体导入通路18b，导入到处理气体导入口12，其中，该处理气体导入口12形成在处理空间形成部件16的下端部16d、设置在被处理基板W的边缘附近。

另外，在本例中，如图4所示，处理气体导入口12形成在处理空间形成部件16中的内径a1比基板载置台3的外径b3小的第二部分16f。在第二部分16f上形成处理气体导入口12，由此处理气体导入口12更靠近被处理基板W的边缘。

另外，在本例中，基板载置台3被收容在第一部分16e中，处理气体从基板载置台3的上方被导入处理空间1。

图6表示沿图5中的VI-VI线的截面。

如图6所示，在本例中，处理空间形成部件16的内径a1小于基板载置台3的外径b3。因此，在本例中，利用位于处理容器2的基板载置台3的下方的下方空间13，进行被处理基板W的搬入和搬出。在下方空间13内设置有使基板载置台3升降的载置台升降机构19。载置台升降机构19具有使基板载置台3从下方空间13在与处理空间形成部件16之间进行升降的功能。

在下方空间13的侧壁上设置有将被处理基板W搬入搬出处理容器2内的搬入搬出口20。搬入搬出口20由闸阀G开闭。

载置台升降机构19使基板载置台3在搬入搬出口20和处理空间形成部件16的下端部16d之间升降。在本例中，特别是载置台升降机构19使基板载置台3上升，直到在基板载置台3和第一部分16e之间产生上述的截面L字形的间隙3b。而且，使基板载置台3与处理空间形成部件16邻近，使得间隙3b的排气传导小于排气口6的排气传导。

基板载置台3被配置在下方空间13内的支撑柱21支撑。支撑柱21的内部是空洞。在支撑柱21的空洞中迂回地引入有没有特别图示的控制基板载置台3内所设置的加热器温度的控制线等。

另外，在本例中，在支撑柱21的中间具有凸缘部21a，在凸缘部21a上安装有提升销升降机构22。提升销升降机构22贯通基板载置台3，使提升销22a上下移动，该提升销22a使载置于基板载置台3上的被处理基板W升降。提升销22a如图5的平面图所示，例如设置有3根，在图6中，只图示出2根。

在下方空间13的侧壁上形成有主排气口23，主排气口23如图3所示，通过用于对处理空间1进行调压的调压机构、例如APC(AutoPressure Control)等压力控制阀10，与用于排气的排气机构、例如排气泵11连接。

在第二实施方式中，与第一实施方式相同，从被处理基板W的边缘的附近水平地喷射处理气体，从被处理基板W的上方对处理空间1内的气体进行排气，因此在处理空间难以滞留气体，而且，能够始终向被处理基板W供给新鲜的处理气体。

另外，第二实施方式中，将排气口6设置在处理空间1的外侧，并且沿垂直方向(铅垂方向)进行排气。通过具有该构成，第二实施方式与第一实施方式相比，能够得到以下说明的优点。

图7表示在装置100a和装置100b中，比较处理空间1内的气体的流动、特别是气体的对流的图。图7A表示装置100b(第二实施方式)，图7B表示装置100a(第一实施方式)。

如图7B所示，在装置100a中，使处理气体从下方导入到处理空间1内，从上方进行排气。对于该构成的处理空间1内的基本对流，处理气体在处理空间1的中央部1a上升，上升后，向处理空间1的周缘部1b行进。另外，处理气体在周缘部1b下降，再次向着中央部1a。

如图7A所示，在装置100b中，与装置100a同样，是使处理气体从下方导入到处理空间1内，从上方排气的结构，因此基本对流与装置100a相同。

但是，将排气口6设置在处理空间1的外侧，并且沿垂直方向(铅垂方向)进行排气，因此向处理空间1的周缘部1b行进的处理气体保持该状态向具有比处理空间1的内径大的内径的内部空间15的周缘部15b行进。向周缘部15b行进的处理气体通过设置在周缘部15b的下方的排气口6而向空间17排气。空间17通过处理空间形成部件16与处理空间1遮蔽，因此向空间17排气的处理气体难以返回到处理空间1。

另外，在排气口6的上方的内部空间15的周缘部15b有可能滞留没有被排净的处理气体。但是，处理空间1的内径a1如图3所示，小于内部空间15的内径a15。因为处理空间1的内径a1小于内部空间15的内径a15，所以处理空间1内的压力容易高于内部空间15的压力。因此，滞留在内部空间15的周缘部15b的处理气体也难以返回到处理空间1。

这样，在第二实施方式涉及的装置100b中，将排气口6设置在处理空间1的外侧，并且相对基板载置台3沿垂直方向(铅垂方向)对气体进行排气，由此成为通过处理空间1的处理气体难以再返回处理空间1的结构。

因此，第二实施方式涉及的100b与第一实施方式涉及的装置100a相比，能够得到可以向载置于处理空间1内的被处理基板W始终供给新鲜的处理气体的优点。

以上，根据实施方式说明了本发明，但本发明并不限于上述实施方式，能够有各种变形。

例如，在上述实施方式中，作为等离子体处理装置例示了成膜装置。关于成膜，例如除氧化硅膜、氮化硅膜的成膜以外，也可以利用于硅、介电常数高的绝缘膜(High-k膜)的成膜。另外，不只是成膜，也可以利用于各种膜的改质处理、蚀刻等的处理。

另外，在上述实施方式中，作为等离子体处理装置，例示了使用微波等离子体，对被处理基板实施等离子体处理的微波等离子体处理装置。作为微波等离子体处理装置的微波天线，例如可以使用径向线狭缝天线(Radial Line Slot Antenna：RLSA)，也可以使用RLSA以外的平面微波天线。

另外，本发明不仅适用于微波等离子体处理装置，也适用于所有的等离子体处理装置。

Claims (20)

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

形成内部空间的处理容器；

设置在所述内部空间内、载置被处理基板的基板载置台；

处理空间形成部件，该处理空间形成部件被设置在所述内部空间内，具有比该内部空间的内径小的内径，在所述基板载置台的上方划分出进行等离子体处理的处理空间；和

设置在所述处理空间形成部件的上端部与所述内部空间的内壁之间、从所述处理空间对气体进行排气的排气口。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，包括：

向所述处理空间内导入处理气体的处理气体导入口被设置在所述处理空间形成部件上。

3.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

形成内部空间的处理容器；

设置在所述内部空间内、载置被处理基板的基板载置台；

与所述基板载置台的被处理基板载置面相对设置、配置在所述处理容器的上部的微波透射板；

配置在所述微波透射板上的微波天线；

处理空间形成部件，该处理空间形成部件被设置在所述内部空间内，具有比该内部空间的内径小的内径，在所述基板载置台的上方划分出进行等离子体处理的处理空间；

设置在所述处理空间形成部件上、从所述基板载置台的附近向所述处理空间内导入处理气体的处理气体导入口；和

设置在所述处理空间形成部件的上端部与所述内部空间的内壁之间、从所述处理空间对气体进行排气的排气口。

4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在所述处理空间形成部件的上端部设置有具有所述处理容器的内径以上的外径的凸缘部位，

在所述凸缘部位设置有所述排气口。

5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述排气口被设置在所述处理空间的外侧，并且构成为使气体在相对所述基板载置台铅垂方向进行排气。

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在所述排气口的下方具有夹在所述处理空间形成部件的中间部的外壁与所述处理容器的内壁之间的空间，该空间成为排气通路。

7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在所述处理容器的所述基板载置台的下方具有下方空间，

所述下方空间与连接于排气泵的排气空间连通，

所述排气通路与所述排气空间连通。

8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：

在所述处理空间形成部件的下端部具有阶梯孔状部位，

该阶梯孔状部位具有内径大于所述基板载置台的外径的第一部分和内径小于所述基板载置台的外径的第二部分，

所述基板载置台被收容在所述第一部分。

9.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在所述基板载置台与所述第一部分之间具有与所述处理空间和所述排气空间连通的截面L字形的间隙，

所述截面L字形的间隙的排气传导率小于所述排气口的排气传导率。

10.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述排气口在所述凸缘部位设置有多个，

向所述处理气体导入口导入所述处理气体的处理气体导入通路包括：

主处理气体导入通路，配设在所述凸缘部的所述多个排气口之间，与设置在所述处理容器的外部的处理气体供给机构连接；

环状处理气体导入通路，配设在所述处理空间形成部件的上端部内，与所述主处理气体导入通路连接；和

副处理气体导入通路，配设在所述处理空间形成部件的中间部内，连接所述环状处理气体导入通路和所述处理气体导入口。

11.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在所述处理空间形成部件的下端部具有阶梯孔状部位，

该阶梯孔状部位具有内径大于所述基板载置台的外径的第一部分和内径小于所述基板载置台的外径的第二部分，

所述处理气体导入口形成在所述第二部分。

12.如权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述基板载置台被收容在所述第一部分，

所述处理气体从所述基板载置台的上方被导入所述处理空间。

13.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述处理空间形成部件的内径小于所述基板载置台的外径。

14.如权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在所述处理容器的所述基板载置台的下方具有下方空间，

在所述下方空间设置有使所述基板载置台升降的载置台升降机构，

所述载置台升降机构使所述基板载置台在所述下方空间与所述处理空间形成部件之间进行升降。

15.如权利要求14所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在所述处理容器的所述下方空间的侧壁设置有将所述被处理基板搬入搬出所述处理容器内的搬入搬出口，

所述载置台升降机构使所述基板载置台在所述搬入搬出口与所述处理空间形成部件的下端部之间进行升降。

16.如权利要求15所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在所述处理空间形成部件的下端部具有阶梯孔状部位，

该阶梯孔状部位具有内径大于所述基板载置台的外径的第一部分和内径小于所述基板载置台的外径的第二部分，

所述基板载置台被收容在所述第一部分。

17.如权利要求16所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述载置台升降机构使所述基板载置台上升，以使在所述基板载置台与所述第一部分之间形成截面L字形的间隙，并且所述载置台升降机构使所述基板载置台接近所述处理空间形成部件，以使所述截面L字形的间隙的排气传导率变得小于所述排气口的排气传导率。

18.一种等离子体处理装置的气体排气方法，其特征在于：

所述等离子体处理装置包括：

形成内部空间的处理容器；

设置在所述内部空间内、载置被处理基板的基板载置台；

处理空间形成部件，该处理空间形成部件被设置在所述内部空间内，具有比该内部空间的内径小的内径，并在所述基板载置台的上方划分出进行等离子体处理的处理空间；和

设置在所述处理空间形成部件的上端部与所述内部空间的内壁之间、从所述处理空间对气体进行排气的排气口，

该等离子体处理装置的气体排气方法从所述基板载置台的上方将所述处理空间内的气体进行排气。

19.如权利要求18所述的等离子体处理装置的气体排气方法，其特征在于：

从所述基板载置台附近将处理气体导入所述处理空间内，

从所述基板载置台的上方将所述处理空间内的气体进行排气。

20.一种等离子体处理装置的气体排气方法，其特征在于：

所述等离子体处理装置包括：

形成内部空间的处理容器；

设置在所述内部空间内、载置被处理基板的基板载置台；

与所述基板载置台的被处理基板载置面相对设置、配置在所述处理容器的上部的微波透射板；和

配置在所述微波透射板上的微波天线，

在所述内部空间内设置有处理空间形成部件，该处理空间形成部件具有比该内部空间的内径小的内径，在所述基板载置台的上方划分出进行等离子体处理的处理空间，

从所述基板载置台附近将处理气体导入所述处理空间内，

从所述基板载置台的上方将所述处理空间内的气体进行排气。

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