CN101739160B - 一种用于触摸屏的ito薄膜制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种用于触摸屏的ITO薄膜制造方法，该方法包括：设置蚀刻保护层，在ITO薄膜的正面设置蚀刻保护层；蚀刻处理，对ITO薄膜正面进行蚀刻；清洁处理，对蚀刻后的ITO薄膜进行清洗；剥离蚀刻保护层，将经过清洁处理的ITO薄膜的蚀刻保护层去除；设置正面保护层，在ITO薄膜的正面可视区域设置保护层；印制银线，在ITO薄膜的正面四周印制银线。由于经过蚀刻处理步骤后，ITO薄膜正面蚀刻保护层对ITO薄膜进行保护，可以在对ITO薄膜进行清洁处理时，提供较高的洁净度，同时可以避免ITO薄膜刮伤、氧化，从而可以提高触摸屏成品率。

Description

一种用于触摸屏的ITO薄膜制造方法
技术领域
本发明涉及一种在各种电子设备中的操作中使用的触摸屏制造方法。
背景技术
ITO(Indium Tin Oxides，铟锡金属氧化物)是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡，ITO薄膜即铟锡氧化物半导体设在薄膜的一面形成的透明导电膜。
现有电阻式触摸屏主要采用湿制程蚀刻方法制造，先将需要的部份用耐酸性油墨保护起来后，再通过酸性化学药水将不需要的ITO薄膜蚀刻掉，然后再通过碱性化学药水将表面的耐酸性油墨去除掉，最后用水将表面清洁干净，干燥后进行后序生产流程。在触摸屏的制造过程中，ITO薄膜的清洁度是一重要参数，清洁度不高的ITO薄膜都需要按不合格品处理。由于该方法在制造用于触摸屏的ITO薄膜的过程中，ITO薄膜接触到碱性药水及蚀刻设备相关清洁工具，容易造成ITO薄膜刮伤、刺伤、污垢存在等现象，容易造成触摸蚀刻过度或外观不良等问题，从而造成生产的成品率较低。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种用于触摸屏的ITO薄膜制造方法，该方法可以提供较高的洁净度，从而提高ITO薄膜成品率。
为了解决上述问题，本发明提供一种用于触摸屏的ITO薄膜制造方法，该方法包括以下步骤：设置蚀刻保护层，在ITO薄膜的正面设置蚀刻保护层，对该蚀刻保护层进行烘烤热固，将蚀刻保护层分成若干条状区域，所述蚀刻保护层的厚度为15um～35um，所述热固温度为130℃～150℃，热固时间为10分钟～20分钟；蚀刻处理，对ITO薄膜正面进行蚀刻；
清洁处理，对蚀刻后的ITO薄膜进行清洗；
剥离蚀刻保护层，将经过清洁处理的ITO薄膜的蚀刻保护层从ITO薄膜上剥离；
设置正面保护层，在ITO薄膜的正面可视区域设置正面保护层；
印制银线，在ITO薄膜的正面四周印制银线；
印制银线保护层，该银线保护层经过紫外线强度为700mj/cm2～800mj/cm2固化处理或采用热固温度为80℃～150℃，热固时间为20分钟～40分的钟热固处理。
优选地，所述设置蚀刻保护层之前还包括：
设置反面保护层；
预缩处理。
优选地，在设置反面保护层时，反面保护层的厚度为15um～35um，再对该保护层进行烘烤热固，该热固温度为130℃～150℃，热固时间为10分钟～20分钟。
优选地，所述预缩处理在温度为130℃～160℃，预缩时间为60分钟～120分钟。
优选地，在所述印制银线保护层之后还包括，在ITO薄膜的正面四周设置粘合剂。
本发明ITO薄膜的制造方法，首先，在ITO薄膜的正面设置蚀刻保护层，并对ITO薄膜的正面进行蚀刻处理，再对蚀刻处理的ITO薄膜进行清洁处理，再剥离设在正面的蚀刻保护层，并立刻在ITO薄膜的正面可视区域设置正面保护层，最后在设有正面保护层的ITO薄膜四周印制银线。与现有技术相比，经过蚀刻处理后，ITO薄膜上始终有蚀刻保护层对ITO薄膜进行保护，可以在对ITO薄膜进行清洁处理时，提供较高的洁净度，同时可以避免ITO薄膜刮伤、氧化，从而可以提高触摸屏成品率。由于现有技术在清洁处理时需要用碱洗，因此在进行清洁处理时，会将保护层溶解掉，使得ITO薄膜的洁净度更低。在设置蚀刻保护层之前还包括设置反面保护层和预缩处理步骤，在ITO薄膜的反面设置反面保护层，可以对ITO薄膜的反面进行保护；对ITO薄膜进行预缩处理，可以避免ITO薄膜在之后工序中加热时发生变形，同时可以避免ITO薄膜的阻值发生改变。
附图说明
图1是本发明用于触摸屏的ITO薄膜制造方法实施例的流程示意图；
图2是本发明实施例中设置保护层步骤流程示意图；
图3是本发明实施例蚀刻保护层示意图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
本发明实施例，用于触摸屏的ITO薄膜制造方法，经过蚀刻处理后，ITO薄膜上有蚀刻保护层对ITO薄膜进行保护，可以在对ITO薄膜进行清洁处理时，提供较高的洁净度，同时可以避免ITO薄膜刮伤、氧化，从而可以提高触摸屏成品率。
如图1所示，本发明用于触摸屏的ITO薄膜制造方法，该方法包括以下步骤。
步骤S11，设置蚀刻保护层，在ITO薄膜的正面设置蚀刻保护层，该蚀刻保护层对ITO薄膜上ITO层进行保护，将未受蚀刻保护层保护的ITO层去除。
在制造用于触摸屏的ITO薄膜时，基本上都在较大面积的ITO薄膜上按需要的面积进行蚀刻，在蚀刻后的ITO薄膜印银线等处理后，再将设有银线的ITO薄膜设置粘合剂，这样可以提高生产效率。由于现有技术在设置蚀刻保护层时，在较大面积的ITO薄膜上根据需要设置多个蚀刻区域，每个蚀刻区域设都设有一蚀刻保护层，因此每个蚀刻保护层之间有间隙。在蚀刻时，蚀刻的药水可能会从蚀刻保护层的边缘浸入渗透，可能将部分需要的TIO层蚀刻掉，使ITO层在ITO薄膜边缘部分形成锯齿状，从而可能导致ITO薄膜电阻会发生改变，使触摸屏不稳定性。
如图3所示，在设置蚀刻保护层1′时，在较大面积的ITO薄膜1上根据需要划成几个条状区域，每个条状区域设一个蚀刻保护层1′。每个蚀刻保护层1′的面积可以包括多个需要的ITO薄膜面积大小。例如，将ITO薄膜1设为四个条状区域，每个条状区域可以切割成五个需要的ITO薄膜；在设置蚀刻保护层1′时，将五个ITO薄膜设置一个蚀刻保护层1′。在蚀刻后，根据需要对ITO薄膜进行切割，因此切割后的ITO薄膜边缘不会出现锯齿状，从而在ITO薄膜印制银线后，ITO薄膜的电阻会不发生改变，使ITO薄膜制成的触摸屏性能更稳定。
步骤S12，蚀刻处理，对ITO薄膜的正面进行蚀刻，即对未设置蚀刻保护层的ITO层进行蚀刻。
步骤S13，清洁处理，对蚀刻后的ITO薄膜进行清洗；具体地说，将蚀刻后的ITO薄膜进行清洗，再对清洗后的ITO薄膜进行干燥处理。
步骤S14，剥离蚀刻保护层，将经过清洁处理的ITO薄膜的蚀刻保护层剥离；具体地说，ITO薄膜经过清法处理后，将设置在ITO薄膜正面的蚀刻保护层快速从ITO薄膜上剥离。
步骤S15，设置正面保护层，在ITO薄膜的正面可视区域设置正面保护层；具体地说，在步骤S14中剥离蚀刻保护层的ITO薄膜正面新设置正面保护层，该正面保护层可以对ITO层和ITO薄膜进行保护，该正面保护层的厚度为15um～35um。所述可视区域是指在ITO薄膜与另一ITO薄膜或ITO玻璃等结合形成触摸屏上可以显示的区域。
步骤S16，印制银线，在ITO薄膜的正面四周印制银线；具体地说，先印制银线，将ITO薄膜上电路引出；再对银线在130℃温度烘烤50分钟。
在本流程中，在所述印制银线保护层之后还包括在银线上设置银线保护层，该银线保护层通过紫外线固化处理或热固化处理，该热固化也称为热固，其中，紫外线在700mj/cm2～800mj/cm2(毫焦/平方厘米)条件下进行固化，热固温度为80℃～150℃，热固时间为20分钟～40分钟。在所述设置银线保护层之后还可以包括：在ITO薄膜的正面四周设置粘合剂。
如图2所示，所述设置蚀刻保护层步骤S11之前还可以包括以下步骤：
步骤S110，设置反面保护层，在ITO薄膜的反面设置反面保护层，该反面保护层用于保护ITO薄膜的防刮层(Hard-coating)，防止ITO薄膜的防刮层被刮伤、污染，造成外观不良。所述反面保护层的厚度为15um～35um，并对该反面保护层进行热固处理，该热固温度为130℃～150℃，热固时间为10分钟～20分钟。
步骤S111，预缩处理，将反面设有反面保护层的ITO薄膜进行预缩处理。由于ITO薄膜在后序工序中，需要对其进行干燥和烘烤等热处理，可以防止ITO薄膜发生变形和ITO层阻值发生变化，该预缩处理在温度为130℃～160℃，加热60分钟～120分钟。
在本实施例中，所述反面为ITO薄膜没有设有ITO层的面，也即为ITO薄膜的防刮面，正面为设有ITO层的面。可以根据需要在步骤S11之后再进行预缩处理，其他步骤不变。所述蚀刻保护层和反面保护层优选地为耐酸油墨。
由于在ITO薄膜正面设置蚀刻保护层，并对ITO薄膜的正面进行蚀刻处理，再对蚀刻处理的ITO薄膜进行清洁处理，并剥离设在正面的蚀刻保护层，再立刻在ITO薄膜的正面可视区域设置正面保护层，并在设置有正面保护层的ITO薄膜四周印制银线。经过蚀刻处理后，ITO薄膜正面有蚀刻保护层对ITO薄膜进行保护，可以在对ITO薄膜进行清洁处理时，提供较高的洁净度，同时可以避免ITO薄膜刮伤、氧化，从而可以提高触摸屏成品率。在设置蚀刻保护层之前还包括设置反面保护层和预缩处理步骤，在ITO薄膜的反面设置反面保护层，可以对ITO薄膜的反面进行保护；对ITO薄膜进行预缩处理，可以避免ITO薄膜在之后工序中加热时发生变形，同时可以避免ITO薄膜的阻值发生改变。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (5)

1.一种用于触摸屏的ITO薄膜制造方法，其特征在于，该方法包括：设置蚀刻保护层，在ITO薄膜的正面设置蚀刻保护层，对该蚀刻保护层进行烘烤热固，将蚀刻保护层分成若干条状区域，所述蚀刻保护层的厚度为15um～35um，所述热固温度为130℃～150℃，热固时间为10分钟～20分钟；
蚀刻处理，对ITO薄膜正面进行蚀刻；
清洁处理，对蚀刻后的ITO薄膜进行清洗；
剥离蚀刻保护层，将经过清洁处理的ITO薄膜的蚀刻保护层从ITO薄膜上剥离；
设置正面保护层，在ITO薄膜的正面可视区域设置正面保护层；
印制银线，在ITO薄膜的正面四周印制银线；
印制银线保护层，该银线保护层经过紫外线强度为700mj/cm2～800mj/cm2固化处理或采用热固温度为80℃～150℃，热固时间为20分钟～40分钟热固处理。
2.根据权利要求1所述的用于触摸屏的ITO薄膜制造方法，其特征在于，所述设置蚀刻保护层之前还包括：
设置反面保护层；
预缩处理。
3.根据权利要求2所述的用于触摸屏的ITO薄膜制造方法，其特征在于：在设置反面保护层时，反面保护层的厚度为15um～35um，再对该保护层进行烘烤热固，该热固温度为130℃～150℃，热固时间为10分钟～20分钟。
4.根据权利要求2所述的用于触摸屏的ITO薄膜制造方法，其特征在于：所述预缩处理在温度为130℃～160℃，预缩时间为60分钟～120分钟。
5.根据权利要求1所述的用于触摸屏的ITO薄膜制造方法，其特征在于：在所述印制银线保护层之后还包括，在ITO薄膜的正面四周设置粘合剂。 
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