CN101662210A - 恒流恒压功率控制器及其封装、电源变换器 - Google Patents

Abstract

本发明揭示了一种恒流恒压功率控制器及电源变换器，恒流恒压功率控制器的管脚为三个：电源管脚VDD、开关控制管脚GATE、地管脚GND；GND管脚接一电阻RS，GATE管脚、GND管脚连接一开关管T1；功率控制器进一步包括电压差检测模块、次极检测模块、恒压恒流控制模块、驱动级模块；电压差检测模块检测所述开关管T1导通和关断时检测VDD管脚、GND管脚间的电压差；次极检测模块在开关管T1关断时，钳位GATE管脚的电压，使其小于所述开关管T1导通阈值电压，同时检测流入GATE管脚的电流，进而检测次极输出电压和次级消磁脉宽。本发明可以降低反激变换器***成本，另外，还提供一种管脚复用的方法，可以大大降低反激变换器的控制芯片的成本。

Description

恒流恒压功率控制器及其封装、电源变换器

技术领域

本发明属于集成电路设计技术领域，涉及一种功率控制器，尤其涉及一种恒流恒压功率控制器及其封装；此外，本发明还涉及包含上述恒流恒压功率控制器的电源变换器。

背景技术

电源变换器是电子***中必不可少的组件。众所周知，电源变换器包括线形变换器和开关电源变换器两种主要类型，在转换方式上又可以分为隔离式和非隔离式两种类型。开关电源变换器能够实现高转换效率，因而在中到大功率场合得到了广泛的应用，而在小功率场合特别是几瓦以下的***，以线性变换器为主。近年来，在目前小功率场合，开关电源变换器也开始逐步取代线性变换器，而其中一个重要因素就是开关电源变换器开始在***成本上逐步接近线性变换器的成本。在目前节能降耗成为潮流的今天，以高效率开关电源变换器替代线性变换器已成大势所趋。在开关电源场合，广泛适用的是隔离式变换器，因为隔离式开关电源变换器可以保护负载免受输入母线的高压冲击和损坏，在电信无线网络、汽车和医疗设备中具备广泛的应用。在隔离式变换器各种拓扑中，由于反激变换器(flyback converter)拓扑无需输出滤波电感，电路结构简单、输出隔离、成本低，在终端设备的应用中占有很高的比例，图1显示了传统的可以应用在充电器场合的隔离式反激变换器应用图。图2为该***电流电压输出曲线。

从图1可以看出，通常隔离式开关电源变换器输出电压的采样信号采用光耦反馈实现输出恒压(CV，Constant Voltage0，包含TL431及其隔离反馈补偿网络，还有次级恒流(CC，Constant Current)控制电路。从图1可知，采用隔离反馈的可以应用在充电器场合的反激变换器电路设计复杂，应用成本较高，不适合应用于小功率场合。近年来在反激变换器拓扑中，出现了原边调制(PSR，Primary Side Regulation)技术，原边调制技术无需次级光耦，T1431，和次级恒流等次级控制电路，所以***成本大为下降。因为在小功率充电器场合，小体积和低成本是直接需要考虑的因素，比如对于3、5W的手机充电器，电阻和成本都是非常重要的，更不要说PCB的大小以及其他的一些因素。

目前市场上已经推出了很多采用原边调制技术的IC，这些IC基于***工作在不连续模式(DCM，Discontinuous Conduction Mode)，采用了不同的恒流恒压(CC/CV)控制，目前已经有很多中外专利和发表的文献描述了不同的实现方式，比如专利CN200810093354.X，CN200610057268.4，等等，在此就不再一一列举。其主要思想如下：

假定***在不连续(DCM)模式下工作，其功率传输方程为：

$P=\frac{\mathrm{\η}}{2}\×L_m\×I_{\mathrm{pk}}^2\×f_S=V_o\×I_o---\left(1\right)$

在上述方程中，P为输出功率，Vo和Io分别为***输出电压和电流，η为***转换效率，Lm为变压器电感，fs为***频率，Ipk为每个开关周期内***电感电流的峰值，在上式中我们假定为原边电感电流的峰值。在DCM模式下，一个开关周期内信号波形图如下图3：

在图3中，芯片内部需要产生一个消磁信号DEM，记录每次开关周期内变压器电感消磁时间Tdem，利用此信息来做CC/CV控制。

假定***进入CC模式，这时候有：

$I_o=\frac{\mathrm{\η}\×L_m\×I_{\mathrm{pk}}^2\×f_S}{2V_o}---\left(2\right)$

在CC模式下，需要使Io为恒定值，并且此值需要与Vo，Lm，输入线电压都无关。众所周知，在DCM模式下，变压器消磁时间Tdem与输出电压Vo，Lm的关系如下：

$\frac{V_o}{L_m}\×T_{\mathrm{dem}}=\frac{N_S}{N_P}\×I_{\mathrm{pk}}---\left(3\right)$

在上式中，Np与Ns分别为变压器原边与次级的匝数。结合(2)(3)式，有

$I_o=\frac{\mathrm{\η}}{2}\×I_{\mathrm{pk}}\×\frac{N_P}{N_S}\×f_S\×T_{\mathrm{dem}}---\left(4\right)$

通过(4)式可知，实现CC有两种方法，一种方法是PFM(Pulse FrequencyModulation)控制，具体实现为：使Ipk为固定值，另外使fs与Tdem的乘积为常数。这样Io即为常数，与输出电压Vo，变压器感量Lm，和输入线电压都无关。第二种实现CC的方法为PWM(Pulse Width Modulation)，具体实现为，使fs为固定值，另外使Tdem与Ipk的乘积为常数，也就是通过检测到的Tdem信息调制占空比。不管是PFM，还是PWM，都是通过过流保护OCP(Over currentprotection)来实现，区别就是：在PFM中，此过流保护器的比较阈值为固定值；在PWM控制中，此过流保护比较阈值为变化值，受Tdem调制。在这两种实现方法中，都需要对变压器电感电流进行精确检测，否则会导致CC效果变差(根据4式可知)。

CC实现后，即可实现CV，只要在Tdem结束前对辅助绕组Naux输出电压的平台区域进行进行采样(如图3所示的“平台采样”)，在具体实现中，可利用电阻分压采样图1中辅助绕组Naux的电压(在图1中整流二极管D1之前的绕组电压)，此电压在GATE关断后直到消磁结束前的平台区域的值与输出电压成比例，比例系数为辅助绕组与次级绕组匝数比，即Naux/Ns。利用采样到的电压信息进行CV控制。

综上所述，在隔离式原边调制恒流恒压控制器中，需要采样变压器电感消磁信息以在功率控制器内获得消磁脉宽。利用此消磁脉宽信息进行CC/CV处理，方法可以有PFM或者PWM，两者都需要精确检测变压器电感电流以获得精确的CC值。

目前为止，采用上述方案及其变化形式而设计的原边控制恒流恒压芯片有很多采用八个管脚的封装，或者六个管脚的封装，最少也有四个管脚的封装形势。管脚越多意味着芯片成本越大。在四个管脚方案中，目前推出市场的有美国PI公司的LNK632。其中美国PI公司的LNK632芯片采用原边控制技术，集成恒流恒压功能，集成高压功率开关管，其应用图如下图4所示：

在图4中，LNK632集成了高压功率开关SW1，同时利用高压功率开关的导通电阻上的漏端D在启动时给芯片供电。在图4中，芯片电源管脚为BP/M端，地管脚为S端。芯片的CC/CV模块接受电压FB端电压和D端电压，其中FB电压来自辅助绕组Naux通过分压电阻R1和R2得到，而D端电压在功率管SW1导通时导通阻抗上的压降。通过将SW1的导通阻抗修正为精确值，即可获得变压器原边绕组Np电流的精确信息，从而实现CC/CV控制。

图4的架构有个缺点：SW1的导通阻抗需要精确修正，这个设计带来很大难度，同时SW1的导通阻抗随温度变化很大，所以***CC精度受到很大影响。另外图4的架构内置功率管会存在发热情况，使得它应用的功率范围很小。

美国技领(Active-semi)公司的ACT35也是目前为止市面上另一款四管脚原边调制带CC/CV功能的芯片，其方案如下图5所示：

在图5所示的***中，***功率开关是NPN功率三极管T1。芯片电源管脚为VDD端，地管脚为G端，SW端控制T1的导通或者关断。SW使T1导通时，原边绕组Np的电流通过T1流经芯片内部晶体管M2，M1为一个比M2小得多的检测晶体管，通过类似于电流镜的方式，使得流经检测晶体管M1的电流与流经M2的电流成比例，这样M1的电流再经过芯片内部电阻Rs转成电压，该电压就代表了流经Np的电流地信息。芯片的CC/CV模块接受电压FB端电压和芯片内部电流采样电阻Rs上的电压，如图4所示。其中FB电压来自辅助绕组Naux通过分压电阻R1和R2得到。

图5的架构有个缺点：M1与M2的匹配，以及Rs都需要精确修正。否则会使流经Np的电流检测出现误差，从而严重影响***的CC精度。另外图5的架构内置导通晶体管M2会存在发热情况，使得它应用的功率范围很小。

综上所述，目前为止原边控制芯片要么管脚数目都比较多，从而使芯片封装成本大大增加，要么虽然管脚数少，但电流检测电阻内置于芯片，随温度和工艺变化很大，导致CC点精度不高，并且由于检测电阻发热会限制芯片应用的功率范围。因此需要一种管脚数目少，同时又能实现精确CC点的方案。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种恒流恒压功率控制器，通过三管脚复用来实现原边控制，减小芯片封装成本。

同时，本发明提供上述功率控制器的封装。

另外，本发明还提供包括上述恒流恒压功率控制器的恒流恒压功率控制器。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

一种恒流恒压功率控制器，该功率控制器的管脚为三个：电源管脚VDD、开关控制管脚GATE、地管脚GND；所述GND管脚接一电阻RS，所述GATE管脚、GND管脚连接一开关管T1；所述功率控制器进一步包括电压差检测模块、次极检测模块、恒压恒流控制模块、驱动级模块；所述电压差检测模块连接VDD管脚、GND管脚，检测所述开关管T1导通和关断时检测VDD管脚、GND管脚间的电压差；所述次极检测模块在所述开关管T1关断时，钳位GATE管脚的电压，使其小于所述开关管T1导通阈值电压，同时检测流入GATE管脚的电流，进而检测次极输出电压和次级消磁脉宽。

作为本发明的一种优选方案，所述功率控制器包括过流保护模块OCP、恒压控制模块、恒流控制模块、逻辑控制模块、电压钳位模块、输出电压采样模块、消磁检测模块；过流保护模块用以检测所述开关管T1导通和关断时检测VDD管脚、GND管脚间的电压差，并且在开关管T1导通VDD管脚、GND管脚间的电压差和开关管T1关断时VDD管脚、GND管脚间的电压差，这两个电压差之间的差值大于设定值时产生过流保护信号；逻辑控制模块用以控制恒压控制模式和恒流控制模式的切换；以及产生控制信号并经由驱动级控制开关管T1的导通和关断，并且接收到过流保护信号后经由驱动级关断开关管T1；电压钳位模块用以在开关管T1关断时，钳位GATE管脚的电压，使其小于所述开关管T1导通阈值电压，同时检测流入GATE管脚的电流；输出电压采样模块用以采样次级输出电压；消磁检测模块用以检测变压器次级电感的消磁脉宽；所述过流保护模块、逻辑控制模块、驱动级模块依次连接；所述恒压控制模块、恒流控制模块分别与逻辑控制模块连接；电压钳位模块分别与输出电压采样模块、消磁检测模块连接，输出电压采样模块与恒压控制模块连接，消磁检测模块分别与恒流控制模块、输出电压采样模块连接。

作为本发明的一种优选方案，所述过流保护模块包括运放反馈单元、开关K1、比较器C1、电容Cvdd；所述运放反馈单元的一个输入端接连过流保护模块OCP的阈值电压Vref，另一个输入端连接其输出端，运放反馈单元的输出端连接开关K1；所述电容Cvdd的一端连接VDD管脚，另一端连接开关K1；所述比较器C1的一输入端连接开关K1，另一输入端连接GND管脚；阈值电压Vref通过运放反馈单元和开关K1被采样并保持在电容Cvdd上；开关K1的控制信号为PFM信号或者PWM信号，取决于***CC模式是采用PFM控制还是PWM控制；当PFM信号或者PWM信号关断开关管T1时，阈值电压Vref和VDD管脚的电压差值被采样保持在Cvdd上；当PFM或者PWM信号打开开关管T1后，原边电感Np的电流值逐渐增大；当原边电感Np的电流值大于Vref/Rs，GND管脚的电压也大于了Vref，此时比较器C1翻转，从而关断开关管T1；所述GND管脚的电压即Rs的电压，也代表了原边电感Np的电流值。

作为本发明的一种优选方案，所述消磁检测模块包括电压钳位模块、电流电压转换电路、消磁脉宽信号产生模块；所述电压钳位模块的两路输出分别输入至电流电压转换电路、消磁脉宽信号产生模块；电压钳位模块通过一开关K11连接GATE管脚；电流电压转换电路连接恒压控制模块，消磁脉宽信号产生模块连接恒流控制模块，恒压控制模块、恒流控制模块的输出信号输入至逻辑控制模块；逻辑控制模块的输出信号分别输入至消磁脉宽信号产生模块、驱动级模块；消磁脉宽信号产生模块的输出信号连接开关K11；电压钳位模块在消磁脉宽信号产生模块打开开关K11后钳住GATE电压，使之低于开关管T1的阈值电压，同时采样流入GATE的电流，将其镜像输出为输出电流Iout1和输出电流Iout2，其中输出电流Iout1经过电流电压转换电路转换后提供给恒压控制模块，输出电流Iout2和PFM或者PWM信号一起产生消磁脉宽信号DEM，消磁脉宽信号DEM一方面送入恒流控制模块，另一方面控制开关K11的导通和关断；恒压控制模块、恒流控制模块的输出经过逻辑运算后产生PFM或者PWM信号送到驱动级模块。

作为本发明的一种优选方案，所述电压钳位模块为晶体管M1，晶体管M1还连有晶体管M2、晶体管M3，晶体管M2连接晶体管M4、晶体管M5，晶体管M3连接一电流比较器的一输入端，该电流比较器的输出端连接一消磁逻辑电路；晶体管M5的一端通过电阻R1接地，同时通过一开关K21连接恒压控制模块、及一电容C1，电容C1的一端接地，开关K21可通过采样信号sample控制；磁脉宽信号DEM输入采样信号产生电路，采样信号产生电路在消磁脉宽结束前输出所述的采样信号sample；所述消磁脉宽信号DEM被触发后打开开关K11，通过晶体管M1及开关K11检测流经GATE端的电流，然后将此电流通过晶体管M3镜像送到电流比较器，当电流小于某个阈值后，再将消磁脉宽信号DEM信号翻转并关断开关K11，消磁脉宽信号DEM信号的宽度代表了变压器消磁的时间，此脉宽信息用来进行恒流控制；同时，在此消磁脉宽内，通过晶体管M1、M2、M4、M5和电阻R1，将采样到的输出电流信息转换成电压信息，并在消磁脉宽结束前将其存储在电容C1上，此电压代表了变压器消磁结束前输出电压的信息，此信息用来进行恒压控制。

一种电源变换器，该电源变换器包括

一初级电感Np；

一辅助电感Naux，与所述初级电感Np相互磁耦合；

一次级电感Ns，与所述初级电感Np相互磁耦合；

一开关管T1，该开关管T1的栅极或基极接到恒流恒压功率控制器的开关控制管脚GATE，该开关管T1的源级或发射极通过一外部地电流检测电阻Rs接到电源变换器初测的地，同时该电流检测电阻Rs上的电压接到恒流恒压功率控制器的地管脚GND；该开关管T1的栅极或基极通过一外部反馈电阻Rfb连接到辅助电感Naux的信号端；该辅助电感Naux的信号端通过一个二极管D1和滤波电路Cdd整流滤波后提供给功率控制器电源；该功率控制器通过检测VDD管脚和GND管脚的电压，以及流经外部反馈电阻Rfb的电流来实现恒流恒压控制；

一恒流恒压功率控制器，包括一初级电感开关控制管脚GATE、一电源管脚VDD和一地管脚GND；所述GND管脚接一电阻RS，所述GATE管脚、GND管脚连接一开关管T1；所述功率控制器进一步包括电压差检测模块、电压钳位模块、恒压控制模块、恒流控制模块、驱动级模块；所述电压差检测模块连接VDD管脚、GND管脚，检测所述开关管T1导通和关断时检测VDD管脚、GND管脚间的电压差；所述电压钳位模块在所述开关管T1关断时，钳位GATE管脚的电压，使其小于所述开关管T1导通阈值电压，同时检测流入GATE管脚的电流。

作为本发明的一种优选方案，所述功率控制器包括过流保护模块OCP、逻辑控制模块、电压钳位模块、输出电压采样模块、消磁检测模块；过流保护模块用以检测所述开关管T1导通和关断时检测VDD管脚、GND管脚间的电压差，并且在开关管T1导通VDD管脚、GND管脚间的电压差和开关管T1关断时VDD管脚、GND管脚间的电压差，这两个电压差之间的差值大于设定值时产生过流保护信号；逻辑控制模块用以控制恒压控制模式和恒流控制模式的切换；以及产生控制信号并经由驱动级控制开关管T1的导通和关断；电压钳位模块用以在开关管T1关断时，钳位GATE管脚的电压，使其小于所述开关管T1导通阈值电压，同时检测流入GATE管脚的电流；输出电压采样模块用以采样次级输出电压；消磁检测模块用以检测变压器次级电感的消磁脉宽；所述过流保护模块、逻辑控制模块、驱动级模块依次连接；所述恒压控制模块、恒流控制模块分别与逻辑控制模块连接；电压钳位模块分别与输出电压采样模块、消磁检测模块连接，输出电压采样模块与恒压控制模块连接，消磁检测模块分别与恒流控制模块、输出电压采样模块连接。

作为本发明的一种优选方案，所述过流保护模块包括运放反馈单元、开关K1、比较器C1、电容Cvdd；所述运放反馈单元的一个输入端接连过流保护模块OCP的阈值电压Vref，另一个输入端连接其输出端，运放反馈单元的输出端连接开关K1；所述电容Cvdd的一端连接VDD管脚，另一端连接开关K1；所述比较器C1的一输入端连接开关K1，另一输入端连接GND管脚；阈值电压Vref通过运放反馈单元和开关K1被采样并保持在电容Cvdd上；开关K1的控制信号为PFM信号或者PWM信号，取决于***CC模式是采用PFM控制还是PWM控制；当PFM信号或者PWM信号关断开关管T1时，阈值电压Vref和VDD管脚的电压差值被采样保持在Cvdd上；当PFM或者PWM信号打开开关管T1后，原边电感Np的电流值逐渐增大；当原边电感Np的电流值大于Vref/Rs，GND管脚的电压也大于了Vref，此时比较器C1翻转，从而关断开关管T1；所述GND管脚的电压即Rs的电压，也代表了原边电感Np的电流值。

作为本发明的一种优选方案，所述消磁检测模块包括电压钳位模块、电流电压转换电路、消磁脉宽信号产生模块；所述电压钳位模块的两路输出分别输入至电流电压转换电路、消磁脉宽信号产生模块；电压钳位模块通过一开关K11连接GATE管脚；电流电压转换电路连接恒压控制模块，消磁脉宽信号产生模块连接恒流控制模块，恒压控制模块、恒流控制模块的输出信号输入至逻辑控制模块；逻辑控制模块的输出信号分别输入至消磁脉宽信号产生模块、驱动级模块；消磁脉宽信号产生模块的输出信号连接开关K11；电压钳位模块在消磁脉宽信号产生模块打开开关K11后钳住GATE电压，使之低于开关管T1的阈值电压，同时采样流入GATE的电流，将其镜像输出为输出电流Iout1和输出电流Iout2，其中输出电流Iout1经过电流电压转换电路转换后提供给恒压控制模块，输出电流Iout2和PFM或者PWM信号一起产生消磁脉宽信号DEM，消磁脉宽信号DEM一方面送入恒流控制模块，另一方面控制开关K11的导通和关断；恒压控制模块、恒流控制模块的输出经过逻辑运算后产生PFM或者PWM信号送到驱动级模块。

作为本发明的一种优选方案，所述电压钳位模块为晶体管M1，晶体管M1还连有晶体管M2、晶体管M3，晶体管M2连接晶体管M4、晶体管M5，晶体管M3连接一电流比较器的一输入端，该电流比较器的输出端连接一消磁逻辑电路；晶体管M5的一端通过电阻R1接地，同时通过一开关K21连接恒压控制模块、及一电容C1，电容C1的一端接地，开关K21可通过采样信号sample控制；磁脉宽信号DEM输入采样信号产生电路，采样信号产生电路在消磁脉宽结束前输出所述的采样信号sample；所述消磁脉宽信号DEM被触发后打开开关K11，通过晶体管M1及开关K11检测流经GATE端的电流，然后将此电流通过晶体管M3镜像送到电流比较器，当电流小于某个阈值后，再将消磁脉宽信号DEM信号翻转并关断开关K11，消磁脉宽信号DEM信号的宽度代表了变压器消磁的时间，此脉宽信息用来进行恒流控制；同时，在此消磁脉宽内，通过晶体管M1、M2、M4、M5和电阻R1，将采样到的输出电流信息转换成电压信息，并在消磁脉宽结束前将其存储在电容C1上，此电压代表了变压器消磁结束前输出电压的信息，此信息用来进行恒压控制。

一种功率控制器的封装，该功率控制器的管脚仅为三个：电源管脚VDD、开关控制管脚GATE、地管脚GND；所述GND管脚接一电阻RS，所述GATE管脚、GND管脚连接一开关管T1；电源管脚VDD连接电源。

本发明的有益效果在于：本发明提供一种具备管脚复用的三管脚封装恒流恒压控制器，可以降低反激变换器***成本，另外，还提供一种管脚复用的方法，可以大大降低反激变换器的控制芯片的成本。并且控制器的地和原边电感电流采样管脚进行了复用，可以有效避免开关管T1刚导通时在原边电流检测电阻RS产生的尖峰脉冲对控制器的干扰。

附图说明

图1为传统的可以应用在充电器场合的隔离式反激变换器应用示意图。

图2为图1中的变换器电流电压输出曲线示意图。

图3为在DCM模式下一个开关周期内信号波形图。

图4为LNK632芯片的应用示意图。

图5为ACT35芯片的应用示意图。

图6为本发明一实施例中电源变换器的电路示意图。

图7为本发明一实施例中功率控制器的电路示意图。

图8为本发明一实施例中三管脚原边调制恒流恒压功率控制器的电路示意图。

图9为本发明一实施例中原边过流保护模块的电路示意图。

图10为图9中过流保护模块的时序示意图。

图11为消磁脉宽Tdem检测及消磁时次级电压检测实施原理图。

图12为消磁脉宽检测模块的电路示意图。

具体实施方式

下面结合附图详细说明本发明的优选实施例。

实施例一

本发明揭示了一种具备管脚复用的三管脚封装恒流恒压控制器，可以降低反激变换器***成本，另外，还提供一种管脚复用的方法，可以大大降低反激变换器的控制芯片的成本。

请参阅图7，本发明揭示的恒流恒压功率控制器包括三个管脚：电源管脚VDD、开关控制管脚GATE、地管脚GND。所述GND管脚接一电阻RS，所述GATE管脚、GND管脚连接一开关管T1。本实施例中，功率控制器的管脚仅为三个，当然，其管脚数还可以为三个以上。

所述功率控制器进一步包括电压差检测模块、次极检测模块、恒压恒流控制模块、驱动级模块；所述电压差检测模块连接VDD管脚、GND管脚，检测所述开关管T1导通和关断时检测VDD管脚、GND管脚间的电压差；所述次极检测模块在所述开关管T1关断时，钳位GATE管脚的电压，使其小于所述开关管T1导通阈值电压，同时检测流入GATE管脚的电流，进而检测次极输出电压和次级消磁脉宽。

所述恒压恒流控制模块包括恒压控制模块、恒流控制模块、逻辑控制模块、过流保护模块OCP的一部分。

所述次极检测模块包括电压钳位模块、输出电压采样模块、消磁检测模块。

具体地，请参阅图8，所述功率控制器包括过流保护模块OCP、恒压控制模块、恒流控制模块、逻辑控制模块、电压钳位模块、输出电压采样模块、消磁检测模块。

过流保护模块用以检测所述开关管T1导通和关断时检测VDD管脚、GND管脚间的电压差，并且在开关管T1导通VDD管脚、GND管脚间的电压差和开关管T1关断时VDD管脚、GND管脚间的电压差，这两个电压差之间的差值大于设定值时产生过流保护信号。逻辑控制模块用以控制恒压控制模式和恒流控制模式的切换；以及产生控制信号并经由驱动级控制开关管T1的导通和关断，并且接收到过流保护信号后经由驱动级关断开关管T1。电压钳位模块用以在开关管T1关断时，钳位GATE管脚的电压，使其小于所述开关管T1导通阈值电压，同时检测流入GATE管脚的电流。输出电压采样模块用以采样次级输出电压。消磁检测模块用以检测变压器次级电感的消磁脉宽。

所述过流保护模块、逻辑控制模块、驱动级模块依次连接；所述恒压控制模块、恒流控制模块分别与逻辑控制模块连接；电压钳位模块分别与输出电压采样模块、消磁检测模块连接，输出电压采样模块与恒压控制模块连接，消磁检测模块分别与恒流控制模块、输出电压采样模块连接。

请参阅图9，所述过流保护模块包括运放反馈单元、开关K1、比较器C1、电容Cvdd；所述运放反馈单元的一个输入端接连过流保护模块OCP的阈值电压Vref，另一个输入端连接其输出端，运放反馈单元的输出端连接开关K1；所述电容Cvdd的一端连接VDD管脚，另一端连接开关K1；所述比较器C1的一输入端连接开关K1，另一输入端连接GND管脚；阈值电压Vref通过运放反馈单元和开关K1被采样并保持在电容Cvdd上；开关K1的控制信号为PFM信号或者PWM信号，取决于***CC模式是采用PFM控制还是PWM控制；当PFM信号或者PWM信号关断开关管T1时，阈值电压Vref和VDD管脚的电压差值被采样保持在Cvdd上；当PFM或者PWM信号打开开关管T1后，原边电感Np的电流值逐渐增大；当原边电感Np的电流值大于Vref/Rs，GND管脚的电压也大于了Vref，此时比较器C1翻转，从而关断开关管T1；所述GND管脚的电压即Rs的电压，也代表了原边电感Np的电流值。具体时序为图10所示。

请参阅图11，所述消磁检测模块包括电压钳位模块、电流电压转换电路、消磁脉宽信号产生模块；所述电压钳位模块的两路输出分别输入至电流电压转换电路、消磁脉宽信号产生模块；电压钳位模块通过一开关K11连接GATE管脚；电流电压转换电路连接恒压控制模块，消磁脉宽信号产生模块连接恒流控制模块，恒压控制模块、恒流控制模块的输出信号输入至逻辑控制模块；逻辑控制模块的输出信号分别输入至消磁脉宽信号产生模块、驱动级模块；消磁脉宽信号产生模块的输出信号连接开关K11；电压钳位模块在消磁脉宽信号产生模块打开开关K11后钳住GATE电压，使之低于开关管T1的阈值电压，同时采样流入GATE的电流，将其镜像输出为输出电流Iout1和输出电流Iout2，其中输出电流Iout1经过电流电压转换电路转换后提供给恒压控制模块，输出电流Iout2和PFM或者PWM信号一起产生消磁脉宽信号DEM，消磁脉宽信号DEM一方面送入恒流控制模块，另一方面控制开关K11的导通和关断；恒压控制模块、恒流控制模块的输出经过逻辑运算后产生PFM或者PWM信号送到驱动级模块。

请参阅图12，所述电压钳位模块为晶体管M1，晶体管M1还连有晶体管M2、晶体管M3，晶体管M2连接晶体管M4、晶体管M5，晶体管M3连接一电流比较器的一输入端，该电流比较器的输出端连接一消磁逻辑电路；晶体管M5的一端通过电阻R1接地，同时通过一开关K21连接恒压控制模块、及一电容C1，电容C1的一端接地，开关K21可通过采样信号sample控制；磁脉宽信号DEM输入采样信号产生电路，采样信号产生电路在消磁脉宽结束前输出所述的采样信号sample；所述消磁脉宽信号DEM被触发后打开开关K11，通过晶体管M1及开关K11检测流经GATE端的电流，然后将此电流通过晶体管M3镜像送到电流比较器，当电流小于某个阈值后，再将消磁脉宽信号DEM信号翻转并关断开关K11，消磁脉宽信号DEM信号的宽度代表了变压器消磁的时间，此脉宽信息用来进行恒流控制；同时，在此消磁脉宽内，通过晶体管M1、M2、M4、M5和电阻R1，将采样到的输出电流信息转换成电压信息，并在消磁脉宽结束前将其存储在电容C1上，此电压代表了变压器消磁结束前输出电压的信息，此信息用来进行恒压控制。

以上介绍了本发明的恒流恒压功率控制器，本发明在揭示恒流恒压功率控制器的同时，还揭示一种电源变换器，该电源变换器包括上述恒流恒压功率控制器。

请参阅图6，本发明的电源变换器包括一初级电感Np、一辅助电感Naux(与所述初级电感Np相互磁耦合)、一次级电感Ns(与所述初级电感Np相互磁耦合)、一开关管T1、一恒流恒压功率控制器。

开关管T1的栅极或基极接到恒流恒压功率控制器的开关控制管脚GATE，该开关管T1的源级或发射极通过一外部地电流检测电阻Rs接到电源变换器初测的地，同时该电流检测电阻Rs上的电压接到恒流恒压功率控制器的地管脚GND；该开关管T1的栅极或基极通过一外部反馈电阻Rfb连接到辅助电感Naux的信号端；该辅助电感Naux的信号端通过一个二极管D1和滤波电路Cdd整流滤波后提供给功率控制器电源；该功率控制器通过检测VDD管脚和GND管脚的电压，以及流经外部反馈电阻Rfb的电流来实现恒流恒压控制。

所述恒流恒压功率控制器包括一初级电感开关控制管脚GATE、一电源管脚VDD和一地管脚GND；所述GND管脚接一电阻RS，所述GATE管脚、GND管脚连接一开关管T1；所述功率控制器进一步包括电压差检测模块、电压钳位模块、恒压控制模块、恒流控制模块、驱动级模块；所述电压差检测模块连接VDD管脚、GND管脚，检测所述开关管T1导通和关断时检测VDD管脚、GND管脚间的电压差；所述电压钳位模块在所述开关管T1关断时，钳位GATE管脚的电压，使其小于所述开关管T1导通阈值电压，同时检测流入GATE管脚的电流。恒流恒压功率控制器的具体实现方式已经在之前有详尽描述，在此不作赘述。

本发明同时揭示一种功率控制器的封装，该功率控制器的管脚仅为三个：电源管脚VDD、开关控制管脚GATE、地管脚GND；所述GND管脚接一电阻RS，所述GATE管脚、GND管脚连接一开关管T1；电源管脚VDD连接电源。

综上所述，本发明提出的的具备管脚复用的三管脚封装恒流恒压控制器，可以降低反激变换器***成本，另外，还提供一种管脚复用的方法，可以大大降低反激变换器的控制芯片的成本。并且控制器的地和原边电感电流采样管脚进行了复用，可以有效避免开关管T1刚导通时在原边电流检测电阻RS产生的尖峰脉冲对控制器的干扰。

实施例二

本实施例中，揭示一种集成电路的封装结构、一种新颖的电源变换器、可以用于电源变换器恒压恒流功率控制器。

一种集成电路封装，它包括：一个电源端口VDD，整个控制器集成电路通过此端口得到电源；一个开关端口GATE，耦合到电感开关，在本发明的一个实施例子中，该开关为外部功率MOS管，在另一个实施例中，该开关为功率三极管；和一个地端口GND，整个控制器集成电路通过此端口接地。整个集成电路封装除了上述电源端口，开关端口，地端口外，不再包含其它端口。

另外，本发明还提供了一种电源变换器，如图6所示，该电源变换器包括：一个初级电感Np；一个辅助电感Naux，并且与初级电感相互磁耦合；一个次级电感Ns，并且与初级电感相互磁耦合；一个控制器集成电路，包括一个初级电感开关控制管脚GATE，一个电源管脚VDD，和一个地管脚GND；一个外部功率开关管T1，该功率开关管的栅极或基极(接到控制器集成电路的开关端口GATE，该功率开关管的源级或发射极通过一个外部地电流检测电阻Rs接到***初次测的地，同时该电流检测电阻Rs上的电压接到控制器集成电路的地端口。该功率开关管管的栅极或基极通过一个外部电阻Rfb连接到辅助电感Naux的信号端。该辅助电感的信号端Naux通过一个二极管D1和Cdd整流滤波后提供给功率控制器电源。该功率控制器通过检测VDD管脚和GND管脚的电压，以及流经Rfb的电流来实现CC/CV控制。

在图6中，Rst为***启动电阻，C1为线输入电压桥式整流后滤波电容。

本发明通过提供利用开关端口，电源端口和地端口三个管脚就实现了原来需要八个管脚、或者六个管脚或者四个管脚的所有功能，因此节省了成本。另外本发明的功率开关管外置，功率限流电阻也是外置，这样一方面不存在功率开关管导致芯片发热的情形，另一方面原边电流的限流可以很精确(因为检测电阻是外部标准功率电阻)，同时也增加了CC的灵活性，因为可以通过改变外部电阻来灵活设定CC电流的大小。

依据本发明的一个实施例的功率控制器内部原理图如图7所示。

图8显示了依据本发明的三管脚原边调制恒压恒流功率控制器的一个实施例的模块示意图。该实施例内部包括过流保护模块(OCP)，消磁检测模块(DemPulse detector)，输出电压检测模块(Vout sample)，恒压控制模块(CVcontrol)，恒流控制模块(CC control)，驱动级(Gate driver)，芯片供电***(House keeping)，参考电压电流模块(Reference)，以及逻辑控制模块(Control logic)，如图8所示。

图9显示了依据本发明一个实施例的原边过流保护(OCP，Over CurrentProtection)的简单实施例，在很多原边调制CC/CV控制模式中，该OCP保护用来控制CC电流点(即图2中的I_cc)。

在图9中，Vref为要设定的OCP阈值电压，通过运放反馈和开关K1被采样并保持在电容Cvdd上，K1的控制信号为PFM信号或者PWM信号，取决于***CC模式是采用PFM控制还是PWM控制。当PFM信号或者PWM信号关断外部功率开关管(图6中的T1)时，Vref和VDD电压差值被采样保持在Cvdd上，当接着而来PFM或者PWM信号打开外部功率开关管时，GND电压(即为图6中Rs的电压，也即代表了原边电感Np的电流值)，当此电流达到Vref/Rs时，比较器C1翻转，从而关断外部功率开关管，具体时序为图10所示。

在图9实施例中，由于采样保持作用和电流检测电阻外置，所以可以实现精确的OCP，进而实现精确的CC点。同时由于外置电流检测电阻精度高，温度系数好，使得芯片内部不需要再做修正标准电阻，同时也不存在图4和图5中的发热情形。另外外置电流检测电阻会使CC点可以外部改变，大大增加了***设计灵活性。

图11显示了依据本发明一个实施例的消磁(Demagnetization)脉宽Tdem检测及消磁时次级电压检测实施原理图。在图中，钳位电路在消磁脉宽DEM器件打开开关K11后钳住GATE电压，使之低于外部功率开关管的阈值电压，同时采样通过外部反馈电阻Rfb流入GATE的电流，将其镜像输出为Iout1和Iout2，其中Iout1经过一个电流电压转换后提供给CV控制模块，Iout2和PFM或者PWM信号一起产生消磁脉宽信号DEM，DEM一方面送入CC控制器，另一方面控制K11的导通和关断。CV控制器和CC控制器的输出经过逻辑运算后产生PFM或者PWM信号送到驱动级。如图11所示。

图12显示了图11的一个具体实施例。在图12中，GATE关断后钳位由晶体管M1完成，M1的阈值电压低于外部功率管阈值电压。在图12所示的一个实施例中，DEM信号的产生由功率控制器内部输出到驱动级(图8所示)的PFM或者PWM信号触发，DEM信号被触发后打开开关K11，通过开关K11检测流经GATE端的电流(通过钳位晶体管M1)，然后将此电流通过M3镜像送到电流比较器，当电流小于某个阈值(图中为Ith_dem)后，再将DEM信号翻转并关断K11，这样DEM信号的宽度代表了变压器消磁的时间，此脉宽信息用来进行CC控制。同时，在此消磁脉宽内，通过M1、M2、M4、M5和R1，将采样到的输出电流信息转换成电压信息，并在消磁脉宽结束前将其存储在电容C1上，此电压代表了变压器消磁结束前输出电压的信息，此信息用来进行CV控制。在具体实施例中，CV控制可以采用PFM控制也可以采用PWM控制。

这里本发明的描述和应用是说明性的，并非想将本发明的范围限制在上述实施例中。这里所披露的实施例的变形和改变是可能的，对于那些本领域的普通技术人员来说实施例的替换和等效的各种部件是公知的。本领域技术人员应该清楚的是，在不脱离本发明的精神或本质特征的情况下，本发明可以以其它形式、结构、布置、比例，以及用其它组件、材料和部件来实现。在不脱离本发明范围和精神的情况下，可以对这里所披露的实施例进行其它变形和改变。

Claims (11)

1、一种恒流恒压功率控制器，其特征在于，该功率控制器包括三个管脚：电源管脚VDD、开关控制管脚GATE、地管脚GND；所述GND管脚接一电阻RS，所述GATE管脚、GND管脚连接一开关管T1；

所述功率控制器进一步包括电压差检测模块、次极检测模块、恒压恒流控制模块、驱动级模块；

所述电压差检测模块连接VDD管脚、GND管脚，检测所述开关管T1导通和关断时检测VDD管脚、GND管脚间的电压差；

所述次极检测模块在所述开关管T1关断时，钳位GATE管脚的电压，使其小于所述开关管T1导通阈值电压，同时检测流入GATE管脚的电流，进而检测次极输出电压和次级消磁脉宽。

2、根据权利要求1所述的恒流恒压功率控制器，其特征在于：

所述功率控制器包括过流保护模块OCP、恒压控制模块、恒流控制模块、逻辑控制模块、电压钳位模块、输出电压采样模块、消磁检测模块；

过流保护模块用以检测所述开关管T1导通和关断时检测VDD管脚、GND管脚间的电压差，并且在开关管T1导通VDD管脚、GND管脚间的电压差和开关管T1关断时VDD管脚、GND管脚间的电压差，这两个电压差之间的差值大于设定值时产生过流保护信号；

逻辑控制模块用以控制恒压控制模式和恒流控制模式的切换；以及产生控制信号并经由驱动级控制开关管T1的导通和关断，并且接收到过流保护信号后经由驱动级关断开关管T1；

电压钳位模块用以在开关管T1关断时，钳位GATE管脚的电压，使其小于所述开关管T1导通阈值电压，同时检测流入GATE管脚的电流；

输出电压采样模块用以采样次级输出电压；

消磁检测模块用以检测变压器次级电感的消磁脉宽；

所述过流保护模块、逻辑控制模块、驱动级模块依次连接；

所述恒压控制模块、恒流控制模块分别与逻辑控制模块连接；电压钳位模块分别与输出电压采样模块、消磁检测模块连接，输出电压采样模块与恒压控制模块连接，消磁检测模块分别与恒流控制模块、输出电压采样模块连接。

3、根据权利要求2所述的恒流恒压功率控制器，其特征在于：

所述过流保护模块包括运放反馈单元、开关K1、比较器C1、电容Cvdd；所述运放反馈单元的一个输入端接连过流保护模块OCP的阈值电压Vref，另一个输入端连接其输出端，运放反馈单元的输出端连接开关K1；

所述电容Cvdd的一端连接VDD管脚，另一端连接开关K1；

所述比较器C1的一输入端连接开关K1，另一输入端连接GND管脚；

阈值电压Vref通过运放反馈单元和开关K1被采样并保持在电容Cvdd上；

开关K1的控制信号为PFM信号或者PWM信号，取决于***CC模式是采用PFM控制还是PWM控制；

当PFM信号或者PWM信号关断开关管T1时，阈值电压Vref和VDD管脚的电压差值被采样保持在Cvdd上；当PFM或者PWM信号打开开关管T1后，原边电感Np的电流值逐渐增大；

当原边电感Np的电流值大于Vref/Rs，GND管脚的电压也大于了Vref，此时比较器C1翻转，从而关断开关管T1；所述GND管脚的电压即Rs的电压，也代表了原边电感Np的电流值。

4、根据权利要求2所述的恒流恒压功率控制器，其特征在于：

所述消磁检测模块包括电压钳位模块、电流电压转换电路、消磁脉宽信号产生模块；

所述电压钳位模块的两路输出分别输入至电流电压转换电路、消磁脉宽信号产生模块；电压钳位模块通过一开关K11连接GATE管脚；

电流电压转换电路连接恒压控制模块，消磁脉宽信号产生模块连接恒流控制模块，恒压控制模块、恒流控制模块的输出信号输入至逻辑控制模块；

逻辑控制模块的输出信号分别输入至消磁脉宽信号产生模块、驱动级模块；

消磁脉宽信号产生模块的输出信号连接开关K11；

电压钳位模块在消磁脉宽信号产生模块打开开关K11后钳住GATE电压，使之低于开关管T1的阈值电压，同时采样流入GATE的电流，将其镜像输出为输出电流Iout1和输出电流Iout2，其中输出电流Iout1经过电流电压转换电路转换后提供给恒压控制模块，输出电流Iout2和PFM或者PWM信号一起产生消磁脉宽信号DEM，消磁脉宽信号DEM一方面送入恒流控制模块，另一方面控制开关K11的导通和关断；

恒压控制模块、恒流控制模块的输出经过逻辑运算后产生PFM或者PWM信号送到驱动级模块。

5、根据权利要求4所述的恒流恒压功率控制器，其特征在于：

所述电压钳位模块为晶体管M1，晶体管M1还连有晶体管M2、晶体管M3，晶体管M2连接晶体管M4、晶体管M5，晶体管M3连接一电流比较器的一输入端，该电流比较器的输出端连接一消磁逻辑电路；

晶体管M5的一端通过电阻R1接地，同时通过一开关K21连接恒压控制模块、及一电容C1，电容C1的一端接地，开关K21可通过采样信号sample控制；

磁脉宽信号DEM输入采样信号产生电路，采样信号产生电路在消磁脉宽结束前输出所述的采样信号sample；

所述消磁脉宽信号DEM被触发后打开开关K11，通过晶体管M1及开关K11检测流经GATE端的电流，然后将此电流通过晶体管M3镜像送到电流比较器，当电流小于某个阈值后，再将消磁脉宽信号DEM信号翻转并关断开关K11，消磁脉宽信号DEM信号的宽度代表了变压器消磁的时间，此脉宽信息用来进行恒流控制；

同时，在此消磁脉宽内，通过晶体管M1、M2、M4、M5和电阻R1，将采样到的输出电流信息转换成电压信息，并在消磁脉宽结束前将其存储在电容C1上，此电压代表了变压器消磁结束前输出电压的信息，此信息用来进行恒压控制。

6、一种电源变换器，其特征在于，该电源变换器包括

一初级电感Np；

一辅助电感Naux，与所述初级电感Np相互磁耦合；

一次级电感Ns，与所述初级电感Np相互磁耦合；

一开关管T1，该开关管T1的栅极或基极接到恒流恒压功率控制器的开关控制管脚GATE，该开关管T1的源级或发射极通过一外部地电流检测电阻Rs接到电源变换器初测的地，同时该电流检测电阻Rs上的电压接到恒流恒压功率控制器的地管脚GND；该开关管T1的栅极或基极通过一外部反馈电阻Rfb连接到辅助电感Naux的信号端；该辅助电感Naux的信号端通过一个二极管D1和滤波电路Cdd整流滤波后提供给功率控制器电源；该功率控制器通过检测VDD管脚和GND管脚的电压，以及流经外部反馈电阻Rfb的电流来实现恒流恒压控制；

一恒流恒压功率控制器，包括一初级电感开关控制管脚GATE、一电源管脚VDD和一地管脚GND；所述GND管脚接一电阻RS，所述GATE管脚、GND管脚连接一开关管T1；所述功率控制器进一步包括电压差检测模块、电压钳位模块、恒压控制模块、恒流控制模块、驱动级模块；所述电压差检测模块连接VDD管脚、GND管脚，检测所述开关管T1导通和关断时检测VDD管脚、GND管脚间的电压差；所述电压钳位模块在所述开关管T1关断时，钳位GATE管脚的电压，使其小于所述开关管T1导通阈值电压，同时检测流入GATE管脚的电流。

7、根据权利要求6所述的电源变换器，其特征在于：

所述功率控制器包括过流保护模块OCP、逻辑控制模块、电压钳位模块、输出电压采样模块、消磁检测模块；

过流保护模块用以检测所述开关管T1导通和关断时检测VDD管脚、GND管脚间的电压差，并且在开关管T1导通VDD管脚、GND管脚间的电压差和开关管T1关断时VDD管脚、GND管脚间的电压差，这两个电压差之间的差值大于设定值时产生过流保护信号；

逻辑控制模块用以控制恒压控制模式和恒流控制模式的切换；以及产生控制信号并经由驱动级控制开关管T1的导通和关断；

电压钳位模块用以在开关管T1关断时，钳位GATE管脚的电压，使其小于所述开关管T1导通阈值电压，同时检测流入GATE管脚的电流；

输出电压采样模块用以采样次级输出电压；

消磁检测模块用以检测变压器次级电感的消磁脉宽；

所述过流保护模块、逻辑控制模块、驱动级模块依次连接；

所述恒压控制模块、恒流控制模块分别与逻辑控制模块连接；电压钳位模块分别与输出电压采样模块、消磁检测模块连接，输出电压采样模块与恒压控制模块连接，消磁检测模块分别与恒流控制模块、输出电压采样模块连接。

8、根据权利要求7所述的电源变换器，其特征在于：

所述过流保护模块包括运放反馈单元、开关K1、比较器C1、电容Cvdd；

所述运放反馈单元的一个输入端接连过流保护模块OCP的阈值电压Vref，另一个输入端连接其输出端，运放反馈单元的输出端连接开关K1；

所述电容Cvdd的一端连接VDD管脚，另一端连接开关K1；

所述比较器C1的一输入端连接开关K1，另一输入端连接GND管脚；

阈值电压Vref通过运放反馈单元和开关K1被采样并保持在电容Cvdd上；

开关K1的控制信号为PFM信号或者PWM信号，取决于***CC模式是采用PFM控制还是PWM控制；

当PFM信号或者PWM信号关断开关管T1时，阈值电压Vref和VDD管脚的电压差值被采样保持在Cvdd上；当PFM或者PWM信号打开开关管T1后，原边电感Np的电流值逐渐增大；

当原边电感Np的电流值大于Vref/Rs，GND管脚的电压也大于了Vref，此时比较器C1翻转，从而关断开关管T1；所述GND管脚的电压即Rs的电压，也代表了原边电感Np的电流值。

9、根据权利要求7所述的电源变换器，其特征在于：

所述消磁检测模块包括电压钳位模块、电流电压转换电路、消磁脉宽信号产生模块；

所述电压钳位模块的两路输出分别输入至电流电压转换电路、消磁脉宽信号产生模块；电压钳位模块通过一开关K11连接GATE管脚；

电流电压转换电路连接恒压控制模块，消磁脉宽信号产生模块连接恒流控制模块，恒压控制模块、恒流控制模块的输出信号输入至逻辑控制模块；

逻辑控制模块的输出信号分别输入至消磁脉宽信号产生模块、驱动级模块；

消磁脉宽信号产生模块的输出信号连接开关K11；

电压钳位模块在消磁脉宽信号产生模块打开开关K11后钳住GATE电压，使之低于开关管T1的阈值电压，同时采样流入GATE的电流，将其镜像输出为输出电流Iout1和输出电流Iout2，其中输出电流Iout1经过电流电压转换电路转换后提供给恒压控制模块，输出电流Iout2和PFM或者PWM信号一起产生消磁脉宽信号DEM，消磁脉宽信号DEM一方面送入恒流控制模块，另一方面控制开关K11的导通和关断；

恒压控制模块、恒流控制模块的输出经过逻辑运算后产生PFM或者PWM信号送到驱动级模块。

10、根据权利要求9所述的电源变换器，其特征在于：

所述电压钳位模块为晶体管M1，晶体管M1还连有晶体管M2、晶体管M3，晶体管M2连接晶体管M4、晶体管M5，晶体管M3连接一电流比较器的一输入端，该电流比较器的输出端连接一消磁逻辑电路；

晶体管M5的一端通过电阻R1接地，同时通过一开关K21连接恒压控制模块、及一电容C1，电容C1的一端接地，开关K21可通过采样信号sample控制；

磁脉宽信号DEM输入采样信号产生电路，采样信号产生电路在消磁脉宽结束前输出所述的采样信号sample；

所述消磁脉宽信号DEM被触发后打开开关K11，通过晶体管M1及开关K11检测流经GATE端的电流，然后将此电流通过晶体管M3镜像送到电流比较器，当电流小于某个阈值后，再将消磁脉宽信号DEM信号翻转并关断开关K11，消磁脉宽信号DEM信号的宽度代表了变压器消磁的时间，此脉宽信息用来进行恒流控制；

同时，在此消磁脉宽内，通过晶体管M1、M2、M4、M5和电阻R1，将采样到的输出电流信息转换成电压信息，并在消磁脉宽结束前将其存储在电容C1上，此电压代表了变压器消磁结束前输出电压的信息，此信息用来进行恒压控制。

11、一种功率控制器的封装，其特征在于，该功率控制器的管脚仅为三个：电源管脚VDD、开关控制管脚GATE、地管脚GND；所述GND管脚接一电阻RS，所述GATE管脚、GND管脚连接一开关管T1；电源管脚VDD连接电源。

Images