CN101615624A - 发光显示面板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

发光显示面板及其制造方法。本发明公开了一种在制造时不对其有机层造成任何损坏的发光显示面板及其制造方法。根据本发明的一个实施方式，该发光显示面板包括：形成在下基板上的第一电极；形成在所述第一电极上的有机层，所述有机层包括发光层；形成在所述有机层上的第二电极，所述第二电极具有薄膜结构；以及形成在上基板上并与所述下基板相对的辅助电极，所述辅助电极连接到所述第二电极。所述第二电极比所述第一电极和所述辅助电极中的至少一个更薄。

Description

发光显示面板及其制造方法
技术领域
本发明涉及发光显示面板及其制造方法，所述发光显示面板在制造时不对其有机层造成任何损坏。
背景技术
本申请要求2008年6月24日提交的韩国专利申请No.10-2008-059890、2008年8月13日提交的韩国专利申请No.10-2008-079218和2008年9月30日提交的韩国专利申请No.10-2008-095845的优先权，此处以引证的方式并入其全部内容，就像在此进行了完整阐述一样。
在屏幕上呈现各种信息的图像显示设备作为一项重要技术用于当今的信息通信时代。此类图像显示设备的开发趋势是外形薄、重量轻、便携、以及高性能。目前，作为一种能够减少阴极射线管(CRT)的缺陷(即，结构重且大)的平板显示设备，通过控制从有机发光层发出的光量而显示图像的有机发光二极管(OLED)正受到关注。因为OLED是利用电极之间设置的薄发光层的自发光设备，其优点是能够具有例如纸一样的薄膜结构。由此，由于OLED的自发光特性，与通常用作显示设备的液晶显示设备不同，OLED不需要背光单元来提供光源。在有源矩阵OLED(AMOLED)的情况下，分别由三色(R、G和B)子像素组成的像素以矩阵形式设置以显示图像。各个子像素包括有机电致发光(OEL)单元、以及用于独立驱动OEL单元的单元驱动器。OEL单元包括连接到单元驱动器的第一电极、形成在第一电极上的有机层、以及形成在所述有机层上的第二电极。
单元驱动器包括与用于提供扫描信号的选通线、用于提供视频数据信号的数据线、以及用于提供公共电源信号的公共电源线相连的至少两个薄膜晶体管和存储电容器。根据该结构，单元驱动器对OEL单元进行驱动。
在相关技术的情况下，根据溅射法沉积OEL单元的第二电极。为此，可能损坏第二电极之下的有机层。被损坏的有机层表现出发光效率的劣化。结果，在通过被损坏的有机层而呈现图像的区域中可能产生例如黑点或暗斑的图像质量劣化。
由于对有机层造成损坏的可能性，难以在高温下沉积形成在有机层上的第二电极。
发明内容
因此，本发明涉及一种发光显示面板及其制造方法，其能够基本上克服因相关技术的局限和缺点带来的一个或更多个问题。
本发明的目的是提供一种发光显示面板及其制造方法，所述发光显示面板在制造时不对其有机层造成任何损坏。
本发明的附加优点、目的和特征将在下面的描述中部分描述且将对于本领域普通技术人员在研究下文后变得明显，或可以通过本发明的实践来了解。通过书面的说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构可以实现和获得本发明的目的和其他优点。
为了实现这些和其他优点，根据本发明的目的，作为具体和广义的描述，一种发光显示面板包括：形成在下基板上的第一电极；形成在所述第一电极上的有机层，所述有机层包括发光层；形成在所述有机层上的第二电极，所述第二电极具有薄膜结构；以及形成在上基板上并与所述下基板相对的辅助电极，所述辅助电极连接到所述第二电极，其中所述第二电极比所述第一电极和所述辅助电极中的至少一个更薄。
在本发明的另一方面，一种制造发光显示面板的方法，该方法包括以下步骤：在下基板上形成第一电极；在所述第一电极上形成有机层，所述有机层包括发光层；在所述有机层上形成第二电极，所述第二电极具有薄膜结构；在上基板上形成辅助电极，所述辅助电极与所述下基板相对；以及组装所述上基板和所述下基板，使得所述第二电极与所述辅助电极接触。
应当理解，本发明的上述一般描述和下述详细描述是示例性和说明性的，且旨在提供所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
附图被包括在本申请中以提供对本发明的进一步理解，并结合到本申请中且构成本申请的一部分，附图示出了本发明的实施方式，且与说明书一起用于解释本发明的原理。附图中：
图1是根据本发明的发光显示面板的一个像素的等效电路图；
图2是示出根据本发明的第一实施方式的发光显示面板的截面图；
图3是用于详细解释图2所示的发光显示面板中所包括的有机层的截面图；
图4是示出与图2所示的第二电极相关的另一实施方式的截面图；
图5是示出与图2所示的第二电极相关的又一实施方式的截面图；
图6A到6H是用于解释根据本发明的第一实施方式的发光显示面板的制造方法的截面图；
图7是示出根据本发明的第二实施方式的发光显示面板的有机层的图；
图8是示出根据本发明的第三实施方式的发光显示面板的截面图；
图9是示出根据本发明的第四实施方式的发光显示面板的一个像素的垂直截面图；
图10是用于详细解释图9所示的发光显示面板中所包括的有机层的截面图；
图11是示出图10所示的辅助电极的另一实施方式的截面图；
图12A到12D是用于解释根据本发明的第四实施方式的发光显示面板的制造方法的截面图；
图13是简要示出根据本发明的第五实施方式的发光显示面板的截面图；
图14是简要示出根据本发明的第六实施方式的发光显示面板的截面图；
图15是简要示出根据本发明的第七实施方式的发光显示面板的截面图；
图16是简要示出根据本发明的第八实施方式的发光显示面板的截面图；以及
图17是示出用于组装根据本发明的第一到第八实施方式中的任何一个的发光显示面板的上下基板的密封剂的截面图。
具体实施方式
下面将详细描述与发光显示面板及其制造方法相关的本发明的优选实施方式，在附图中示例出了其示例。
图1是根据本发明的发光显示面板的一个像素的等效电路图。如图1所示，图1所示的发光显示面板中的各个像素包括与选通线GL和数据线DL连接的开关薄膜晶体管(TFT)T1、与开关TFT T1连接并与电源线PL和有机电致发光(OEL)单元连接的驱动TFT T2、以及与电源线PL和开关TFT T1的漏极连接的存储电容器C。与驱动TFT T2连接的OEL单元也包括在像素中。
开关TFT T1的栅极连接到选通线GL。开关TFT T1的源极连接到数据线DL。开关TFT T1的漏极连接到驱动TFT T2的栅极和存储电容器C。驱动TFT T2的源极连接到电源线PL。驱动TFT T2的漏极连接到OEL单元的电极之一。存储电容器C连接在电源线PL和驱动TFT T2的栅极之间。
当向选通线GL提供扫描脉冲时，开关TFT T1导通，以向存储电容器C和驱动TFT T2的栅极发送向数据线DL提供的数据信号。响应于向其栅极提供的数据信号，驱动TFT T2控制从电源线PL向OEL单元提供的电流I，以调节从OEL单元发出的光量。即使当开关TFT T1截止时，驱动TFT T2提供恒定量的电流I直至提供了与下一帧对应的数据信号，由此导致OEL单元持续地发光。
如图2所示，驱动TFT T2包括形成在下基板101上的栅极102；覆盖栅极102的栅绝缘膜106；形成在栅绝缘膜106上的有源层116，以使得有源层116与栅极102交叠以形成沟道；形成在有源层116上除了沟道的区域之外的区域的欧姆接触层114，以形成与源极110和漏极108的欧姆接触；以及被设置为在沟道的两侧彼此相对的源极110和漏极108。还可在形成在下基板101上的驱动TFT T2上形成由无机绝缘材料制成的无机钝化膜104和由有机绝缘材料制成的有机钝化膜118。
OEL单元包括形成在覆盖驱动TFT T2的有机钝化膜118上的第一电极122；形成有有机孔140的斜坡绝缘膜(bank insulating film)124，第一电极122通过该有机孔140部分地露出；包括形成在第一电极122的通过有机孔140而露出的部分之上的发光层的有机层126；形成在有机层126上的第二电极128；以及形成在上基板130上的辅助电极132。
用作阴极的第一电极122由例如铝(Al)的不透明导电材料制成。
如图3所示，通过在第一电极122上顺序形成电子注入层(EIL)210、电子传输层(ETL)208、发光层206、空穴传输层(HTL)204、以及空穴注入层(HIL)202而形成有机层126。随着根据来自第一电极122的电子与来自辅助电极132和第二电极128的空穴复合而产生的激发子回到基态，发光层206从其上表面向上基板130发出特定波长的光。
第二电极128以薄膜形式形成在有机层126上。第二电极128可具有包括利用例如透明导电氧化物(TCO)的透明导电材料或不透明导电材料的至少一层的结构，或者可具有利用此类材料的组合的多层结构。可利用热沉积法、溅射法、或其组合而形成第二电极128，以防止有机层126受不利影响。因为以对有机层126没有不利影响的薄膜形式形成第二电极，因此即使当利用溅射法在有机层126上沉积第二电极128时，也不存在或极少存在对有机层126的损坏。当利用不透明导电材料形成第二电极128时，以能够使从有机层126发出的光从中穿过的薄膜形式形成该第二电极128。第二电极128比第一电极122和辅助电极132之一或两者更薄。优选地，第二电极128厚度为约10到500
Figure A20081017635200101
。
辅助电极132形成在上基板130上，以使其与形成在有机层126上的第二电极128连接。优选地利用诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的TCO材料将辅助电极132形成为具有包括至少一层的结构。或者，可利用透明导电材料和具有薄膜结构的金属层在上基板130上形成辅助电极132，以使其具有多层结构。辅助电极132中所包括的金属层具有能够使光从中穿过的厚度，即约10到500
Figure A20081017635200111
的厚度。
当辅助电极132被形成为具有至少两层时，可以减少当辅助电极132与第二电极128接触时产生的辅助电极132的接触电阻。
辅助电极132可直接形成在上基板130上。或者，如图4所示，可在上基板130和辅助电极132之间形成上钝化层134。此外，如图5所示，可利用等离子体或紫外线(UV)对彼此接触的辅助电极132和第二电极128在其界面进行表面处理，以使得辅助电极132和与辅助电极132接触的第二电极128具有压纹结构。辅助电极132和第二电极128的压纹结构可被形成为彼此互锁。辅助电极132的凹槽与第二电极128的突起接触。辅助电极132的突起与第二电极128的凹槽接触。结果，辅助电极132和第二电极128之间的接触面积增加，由此实现辅助电极132和第二电极128之间的接触电阻减小，并且当上下基板130和101被真空组装时提高了辅助电极132和第二电极128之间的结合力。并且根据表面处理，辅助电极132的功函数增加，由此实现电气特性的增强。
图6A到6H是用于解释根据本发明的第一实施方式的发光显示面板的制造方法的截面图。参照图6A，在下基板101上形成包括栅极102和选通线的栅金属图案。具体地，根据例如溅射法的沉积法在下基板101上沉积栅金属层。栅金属层可由铝(Al)、铝合金、铝-钕(AlNd)、铜(Cu)、钛(Ti)、或铬(Cr)制成。然而，栅金属层可由不限于上述的其他材料制成。根据光刻工序和蚀刻工序对栅金属层进行构图，以形成包括选通线和栅极102的栅金属图案。
参照图6B，在形成有栅金属图案的下基板101上形成栅绝缘膜106。在栅绝缘膜106上形成包括有源层116和欧姆接触层114的半导体图案112。具体地，根据例如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法的沉积法在下基板101的形成有栅金属图案的整个上表面上沉积无机绝缘材料，以形成栅绝缘膜106。之后，根据优选地与栅绝缘膜的沉积法相同的沉积法顺序形成非晶硅层和掺杂非晶硅层。随后，根据光刻工序和蚀刻工序对非晶硅层和掺杂非晶硅层进行构图，以形成包括有源层116和欧姆接触层114的半导体图案112。栅绝缘膜106由例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料制成。
参照图6C，在形成有半导体图案112的栅绝缘膜106上形成包括源极110和漏极108的源极/漏极图案。具体地，根据例如溅射法的沉积法在形成有半导体图案112的栅绝缘膜106上形成源/漏金属层。优选地，源/漏金属层由钼(Mo)、钼-钨(MoW)、或铜(Cu)制成。根据光刻工序和蚀刻工序对源/漏金属层进行构图，以形成包括源极110和漏极108的源极/漏极图案。利用源极110和漏极108作为掩模，部分地去除在两个电极110和108之间露出的欧姆接触层114，以露出有源层116。
参照图6D，在形成有源极/漏极图案的栅绝缘膜106上形成包括接触孔120的无机钝化膜和有机钝化膜104和118。
具体地，根据例如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法的沉积法，在形成有源极/漏极图案的栅绝缘膜106上形成无机钝化膜104。之后，根据旋转涂敷法或非旋转涂敷法在无机钝化膜104上形成有机钝化膜118。接着根据光刻工序和蚀刻工序对无机钝化膜和有机钝化膜104和118进行构图，以形成接触孔120。与栅绝缘膜106类似，无机钝化膜104由无机绝缘材料制成。优选地，有机钝化膜118由例如压克力的有机绝缘膜制成。
参照图6E，在有机钝化膜118上形成第一电极122。具体地，通过根据例如溅射法的沉积法在有机钝化膜118上沉积例如铝(Al)的不透明导电材料来实现第一电极122的形成。第一电极122经由接触孔120连接到漏极108。
参照图6F，在第一电极122的一部分上形成包括有机孔140的斜坡绝缘膜124。
具体地，根据非旋转涂敷法或旋转涂敷法在下基板101的形成有第一电极122的整个上表面上涂敷光敏有机绝缘材料，以形成斜坡绝缘膜124。接着根据光刻工序对斜坡绝缘膜124进行构图，以形成有机孔140，通过该有机孔140露出第一电极122。
参照图6G，在形成有包括有机孔140在内的斜坡绝缘膜124的下基板101上顺序形成有机层126和第二电极128。具体地，根据热沉积法、溅射法、或其组合或者任何其他方法在第一电极122上形成包括电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)、发光层、空穴传输层(HTL)、以及空穴注入层(HIL)的有机层126。之后，在形成有有机层126的下基板101上形成第二电极128。
可利用透明导电材料或金属材料以薄膜形式形成第二电极128，以使其具有包括至少一层的结构，或者利用透明导电材料和金属材料两者形成该第二电极128，以使其具有多层结构。第二电极128具有能够使从有机层126发出的光从中穿过，且在第二电极128的沉积工序中对有机层126不造成影响的厚度。优选地，第二电极128厚度为约10到500
Figure A20081017635200131
。
参照图6H，将形成有辅助电极132的上基板130与形成有第一电极122、有机层126和第二电极128的下基板进行真空组装，以形成发光显示面板。具体地，根据例如溅射法的沉积法在上基板130上形成具有包括至少一层的结构的透明导电层，以形成辅助电极132。透明导电层由例如ITO或IZO的透明导电材料制成。或者，辅助电极132由在上基板101上形成的多个导电层形成。在此情况下，可顺序形成透明导电材料、具有薄膜结构的金属层、以及透明导电材料。另外，可利用等离子体或紫外线对辅助电极132进行表面处理，以增加辅助电极132的功函数。在此情况下，实现了电气性能的增强。之后，将形成有辅助电极132的上基板130与形成有TFT、第一电极122、有机层126和第二电极128的下基板101进行真空组装。接着，形成发光显示面板。
因为可以在有机层126上形成辅助电极132而不损坏有机层126，所以根据本发明的第一实施方式的发光显示面板及其制造方法可防止图像质量的劣化。另外，因为可在高温下在上基板130上沉积辅助电极132和上钝化膜134，而不用考虑对形成在下基板101上的有机层126造成损坏的可能性，所以根据本发明的第一实施方式的发光显示面板及其制造方法还可增强有机层126、辅助电极132和上钝化膜134的特性。
图7是示出根据本发明的第二实施方式的发光显示面板的有机层的图。除了OEL单元之外，根据本发明的第二实施方式的发光显示面板与第一实施方式的相同。因此，未给出对相同结构的描述。
如图2所示，根据本发明的第二实施方式的发光显示面板的OEL单元包括：形成在覆盖驱动TFT的无机钝化膜104和有机钝化膜118上的第一电极122；形成有有机孔140的斜坡绝缘膜124，第一电极122通过该有机孔140部分地露出；包括形成在第一电极122的通过有机孔140而露出的部分上的发光层的有机层126；形成在有机层126上的第二电极128；以及形成在上基板130上的辅助电极132。
用作阳极的第一电极122由金属材料和透明导电材料制成。例如，第一电极122由例如铝(Al)、银(Ag)、或钼(Mo)的具有高反射率的金属材料，以及例如ITO的透明材料制成。
通过在第一电极122上顺序形成空穴注入层202、空穴传输层204、发光层206、电子传输层208、以及电子注入层210而形成有机层126。随着根据来自辅助电极132和第二电极128的电子与来自第一电极122的空穴复合而产生的激发子回到基态，有机层126中所包括的发光层206从其上表面向上基板130发出特定波长的光。
辅助电极132形成在上基板130上，以与形成在有机层126上的第二电极128连接。第二电极128以薄膜形式形成在有机层126上。第二电极128可具有包括利用诸如TCO的透明导电材料或诸如铝-银(AlAg)的金属材料制成的至少一层的结构，或者具有利用透明导电材料和金属材料制成的多层结构。
利用热沉积法、溅射法、或其组合形成用作阴极的第二电极128。与第一实施方式类似，第二电极128具有防止有机层126受到第二电极128的沉积工序的不利影响的厚度。优选地，第二电极128的厚度为约10到500
Figure A20081017635200141
。
如图3和图4所示，以与第一实施方式相同的方式形成辅助电极132。因此，辅助电极132具有与第一实施方式相同或类似的效果。
图8是根据本发明的第三实施方式的发光显示面板的截面图。除了OEL单元被构造为实现后侧发光(rear-side light emission)之外，根据本发明的第三实施方式的发光显示面板与第一实施方式相同。因此，未给出对相同结构的描述。
参照图8，根据本发明的第三实施方式的发光显示面板中的第一电极122用作阳极，并且由透明导电材料制成。例如，第一电极122由ITO、IZO、或ITZO制成。
根据第三实施方式，通过在第一电极122上顺序形成空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层、电子传输层(ETL)、以及电子注入层(EIL)而形成有机层126。随着根据来自辅助电极132和第二电极128的电子与来自第一电极122的空穴复合而产生的激发子回到基态，有机层126中所包括的发光层从其上表面向下基板101发出特定波长的光。
利用铝(Al)、铜(Cu)、镁(Mg)、和银(Ag)在上基板130上形成辅助电极132，以使其具有包括至少一层的结构。然而，辅助电极可以由不限于上述材料的其他材料制成。形成在上基板130上的辅助电极132与形成在有机层126上的第二电极128连接。
第二电极128以薄膜形式形成在有机层126上。第二电极128可具有包括利用诸如TCO的透明导电材料或金属材料制成的至少一层的结构，或者可具有利用透明导电材料和金属材料制成的多层结构。以与第一实施方式相同的方式形成第二电极128。因此，第二电极128具有与第一实施方式相同或类似的效果。
如图4和图5所示，可在形成有上钝化膜134的上基板130上形成辅助电极132。辅助电极132可具有压纹结构，如图5所示。
图9是示出根据本发明的第四实施方式的发光显示面板的一个像素的垂直截面图。图10是用于详细解释图9所示的发光显示面板中所包括的有机层的截面图。
除了OEL单元和上基板结构之外，图9和图10所示的根据本发明的第四实施方式的发光显示面板包括与第一实施方式相同的组件。因此，未给出对相同结构的描述。
形成在上基板130上的是与驱动TFT T2的第二电极128连接的辅助电极132、形成在上基板130上的滤色器136、以及形成在滤色器136和辅助电极132之间的涂敷层134。
第一电极122由金属材料和透明导电材料制成。例如，第一电极122由例如铝(Al)、银(Ag)、或钼(Mo)的具有高反射率的金属材料，以及例如ITO的透明材料制成。
第二电极128以薄膜形式形成在有机层126上。第二电极128可具有包括利用诸如TCO的透明导电材料或者例如铝(Al)或银(Ag)的金属材料制成的至少一层的结构，或者具有利用透明导电材料和金属材料制成的多层结构。可利用热沉积法、溅射法、或其组合形成第二电极128。因为第二电极以对有机层126没有不利影响的薄膜形式形成，即使当利用溅射法在有机层126上沉积第二电极128时，也未对有机层造成损坏。第二电极128比第一电极122和辅助电极132之一或两者更薄。优选地，第二电极128的厚度为约10到500
Figure A20081017635200161
。
如图10所示，通过在第一电极122上顺序形成第一空穴传输层(HTL)306、第一发射层304、第一电子传输层(ETL)302、电荷产生层(CGL)308、第二空穴传输层(HTL)316、第二发射层314、以及第二电子传输层(ETL)312而形成有机层126。第一发射层304是蓝色发射层，第二发射层314是绿色/红色发射层。
滤色器136包括红(R)、绿(G)和蓝(B)滤色器以呈现色彩。滤色器136形成在上基板130上以使其在相应像素区域中发出R、G和B光。此外，涂敷层134形成在滤色器136和辅助电极132之间，以使滤色器136的表面平整化。
辅助电极132被形成为具有包括优选地利用诸如ITO或IZO的TCO材料制成的至少一层的结构。或者，可利用透明导电材料和具有薄膜结构的金属层而形成辅助电极132，以使其具有多层结构。辅助电极132中所包括的金属层具有能够使光从中穿过的厚度，即，约为10到500
Figure A20081017635200162
的厚度。当辅助电极132被形成为具有至少两层时，可以减少当辅助电极132与第二电极128接触时产生的辅助电极132的接触电阻。如图11所示，在上基板130上形成作为汇流电极138的金属层，以补偿辅助电极132和第二电极128之间的接触电阻。在此情况下，汇流电极138形成在涂敷层134和辅助电极132之间的与第二电极128和OEL单元的辅助电极132相连接的区域对应的位置。
随着根据来自第一电极122的空穴和来自第二电极128的电子复合而产生的激发子回到基态，有机层126从其上表面向上基板130发射白光。在该发光显示面板中，来自有机层126的白光射向上基板130。由于OEL单元的第二电极128和形成在上基板130上的辅助电极132是相连接的，所以白光穿过形成在相应像素区域中的R、G和B滤色器136。因此，在相关联的一个像素区域中显示R、G或B光。
由于利用白光显示R、G和B色彩，因此可以实现色彩再现性的增强。并且，根据前表面发光实现孔径比的提高。
图12A到12D是用于解释根据本发明的第四实施方式的发光显示面板的制造方法的截面图。
参照图12A，在上基板130上形成R、G和B滤色器136。
具体地，在上基板130上涂敷具有光敏性的R、G和B色彩层，并且随后根据光刻工序对其进行构图，以在相应的子像素区域中分别形成R、G和B滤色器136。
参照图12B，在形成有R、G和B滤色器136的上基板130上形成涂敷层134。
具体地，通过根据诸如非旋转涂敷法或旋转涂敷法的涂敷法在形成有R、G和B滤色器136的上基板130上涂敷有机绝缘材料来实现涂敷层134的形成。
参照图12C，在形成有涂敷层134的上基板130上形成辅助电极132。
具体地，通过根据例如溅射法的沉积法在上基板130上沉积具有包括至少一层的结构的透明导电层来实现辅助电极132的形成。对于透明导电材料，可使用ITO或IZO。或者，可在上基板130上形成辅助电极132，以使其具有包括由透明导电材料制成的层和具有薄膜结构的金属层在内的多层结构。可利用等离子体或紫外线对辅助电极132进行表面处理，以增加辅助电极132的功函数。在此情况下，可实现电气特性的增强。
如图12D所示，接着将形成有R、G和B滤色器136、涂敷层134、以及辅助电极132的上基板130与形成有TFT、第一电极122、有机层126、以及第二电极128的下基板101进行真空组装。由此，形成发光显示面板。在此情况下，利用图6A到6G所示的制造方法形成了形成有TFT、第一电极122、有机层126、以及第二电极128的下基板101。由于前面描述了该制造方法，因此将不给出其详细描述。
当在有机层126上形成第二电极128时，以薄膜形式沉积该第二电极128，以防止有机层126被损坏。由于与第二电极128连接的辅助电极132形成在上基板130上，所以可以进行高温处理，而无需考虑对有机层126的任何损坏。由于高温处理是适用的，可实现膜特性的增强。
图13是简要示出根据本发明的第五实施方式的发光显示面板的截面图。
除了OEL单元之外，根据本发明的第五实施方式的发光显示面板与第一实施方式的相同。因此，未给出对相同结构的描述。
根据本发明的第五实施方式的发光显示面板的OEL单元中的第一电极122由例如铝(Al)的不透明导电材料制成。
第二电极128以薄膜形式形成在有机层126上。第二电极128可具有包括利用诸如TCO的透明导电材料或诸如铝(Al)或银(Ag)的金属材料制成的至少一层的结构，或者可具有利用透明导电材料和金属材料制成的多层结构。可利用热沉积法、溅射法、或其组合形成第二电极128。因为第二电极以对有机层126没有不利影响的薄膜形式形成，即使当利用溅射法在有机层126上沉积第二电极128时，也未对有机层126造成损坏。第二电极128比第一电极122和辅助电极132之一或两者更薄。例如，第二电极128的厚度为约10到500
Figure A20081017635200181
。
通过在第一电极122上顺序形成第一电子传输层302、第一发射层304、第一空穴传输层306、电荷产生层308、第二电子传输层312、第二发射层314、以及第二空穴传输层316而形成有机层126。第一发射层304是蓝色发射层，第二发射层314是绿色/红色发射层。
随着根据来自第一电极122的电子和来自第二电极128的空穴复合而产生的激发子回到基态，有机层126从其上表面向上基板130发射白光。在该发光显示面板中，来自有机层126的白光射向上基板130。由于OEL单元的第二电极128和上基板130的辅助电极132是相连接的，白光穿过形成在相应像素区域中的R、G和B滤色器136。因此，在相关联的一个像素区域中显示R，G或B光。
图14是简要示出根据本发明的第六实施方式的发光显示面板的截面图。
除了OEL单元之外，根据本发明的第六实施方式的发光显示面板与第一实施方式的相同。因此，未给出对相同结构的描述。
根据本发明的第六实施方式的发光显示面板的OEL单元中的第一电极122由不透明导电材料制成。例如，第一电极122由例如铝(Al)、钼(Mo)、或银(Ag)的具有高反射率的不透明导电材料制成。
第二电极128以薄膜形式形成在有机层126上。第二电极128可具有包括利用诸如TCO的透明导电材料或诸如铝-银(AlAg)的金属材料制成的至少一层的结构，或者可具有利用透明导电材料和金属材料制成的多层结构。可利用热沉积法、溅射法、或其组合形成第二电极128。因为第二电极以对有机层126没有不利影响的薄膜形式形成，即使当利用溅射法在有机层126上沉积第二电极128时，也未对有机层126造成损坏。第二电极128具有厚度为例如约10到500
Figure A20081017635200191
的薄膜结构。
通过在第一电极122上顺序形成电子注入层(EIL)210、电子传输层(ETL)208、白色发射层206、空穴传输层(HTL)204、以及空穴注入层(HIL)202而形成有机层126。随着根据来自第一电极122的电子和来自第二电极128的空穴复合而产生的激发子回到基态，有机层126从其上表面向上基板130发射白光。在该发光显示面板中，来自有机层126的白光射向上基板130。由于OEL单元的第二电极128和上基板130的辅助电极132是相连接的，所以白光穿过形成在相应像素区域中的R、G和B滤色器136。因此，在相关联的一个像素区域中显示R、G或B光。
图15是简要示出根据本发明的第七实施方式的发光显示面板的截面图。除了OEL单元之外，根据本发明的第七实施方式的发光显示面板与第一实施方式的相同。因此，未给出对相同结构的描述。
根据本发明的第七实施方式的发光显示面板的OEL单元中的第一电极122由金属材料和不透明导电材料制成。例如，第一电极122由诸如TCO的透明导电材料和例如铝(Al)、银(Ag)、或钼(Mo)的具有高反射率的金属材料制成。第二电极128以薄膜形式形成在有机层126上。第二电极128可具有利用透明导电材料和金属材料制成的多层结构。可利用热沉积法、溅射法或其组合形成第二电极128。因为第二电极以对有机层126没有不利影响的薄膜形式形成，即使当利用溅射法在有机层126上沉积第二电极128时，也未对有机层126造成损坏。第二电极128具有比第一电极122和辅助电极132之一更薄的厚度，例如约为10到500
Figure A20081017635200201
的厚度。
通过在第一电极122上顺序形成空穴注入层202、空穴传输层204、白色发射层206、电子传输层208、以及电子注入层210而形成有机层126。随着根据来自第一电极122的空穴和来自第二电极128的电子复合而产生的激发子回到基态，有机层126从其上表面向上基板130发射白光。在该发光显示面板中，来自有机层126的白光射向上基板130。由于OEL单元的第二电极128和上基板130的辅助电极132是相连接的，所以白光穿过形成在相应像素区域中的R、G和B滤色器136。因此，在相关联的一个像素区域中显示R、G或B光。
图16是简要示出根据本发明的第八实施方式的发光显示面板的截面图。
除了发光显示面板额外地包括利用与无机钝化膜104相同的有机绝缘材料在第一电极122和有机钝化膜118之间形成的缓冲层154，接触间隔体142，以及汇流电极138之外，根据本发明的第八实施方式的发光显示面板与第一实施方式的相同。因此，未给出对相同结构的描述。
如图16所示，在斜坡绝缘膜124上形成接触间隔体142。接触间隔体142用于保持上基板130和下基板101之间期望的单元间隙，并且由此防止在发光显示面板的中部和***部分之间形成台阶。在由密封剂保持期望的单元间隙的常规的发光显示面板中，随着密封剂从面板的设置了密封剂的***部分向面板中部延伸，单元间隙逐渐减小。结果，在面板的中部和***部分之间形成台阶。由于这种台阶，常规的发光显示面板表现出图像质量的劣化，例如除了在设置了密封剂的***部分之外在面板的中部表现出具有波形图案的牛顿环的牛顿环现象。然而，因为在面板的中部和***部分之间未形成台阶，本发明可避免例如牛顿环现象的图像质量劣化。
在第一有机关联层148、发光层146和第二有机关联层150的形成过程中，接触间隔体142与分别用于形成层146、148和150的荫罩接触。在另一方面，在不包括接触间隔体的常规的发光显示面板中，在形成第一有机关联层、发光层、以及第二有机关联层的过程中，用于形成第一有机关联层、发光层、以及第二有机关联层的荫罩与第一电极、第一有机关联层、以及发光层接触。结果，在常规的发光显示面板中，由于荫罩，在设置在发光区域中的第一有机关联层和发光层上形成划痕。由此，可能出现图像质量的劣化。然而在本发明的发光显示面板中，在设置在非发光区域中的接触间隔体142上形成划痕。因此，不存在对由划痕引起的图像质量的影响。
第二电极128在设置有接触间隔体142的区域中连接到形成在上基板130上的辅助电极132。辅助电极132可具有利用TCO材料制成的单层结构，或者可具有包括至少一个TCO材料层和具有薄膜结构的至少一个不透明金属层在内的多层结构。辅助电极132中所包括的不透明金属层具有能够使光从中穿过的厚度，即，约为10到500
Figure A20081017635200211
的厚度。汇流电极138形成在辅助电极132上或形成在上基板130上，以使其分别与接触间隔体142交叠。汇流电极138由具有高电导率的金属制成，以补偿第二电极128和辅助电极132中的至少一个的电阻分量。结果，相对减小了辅助电极132和第二电极128之间的接触电阻。
包括第一有机关联层148、发光层146、以及第二有机关联层150的有机层形成在第一电极122和第二电极128之间。
利用露出除了下基板101的***部分之外的下基板101的荫罩而形成第一和第二有机关联层148和150。由此，在形成有接触间隔体142的下基板101的整个上表面上形成第一和第二有机关联层148和150。当第一电极122是阴极而第二电极122是阳极时，第一有机关联层148形成为用于向发光层146提供电子的电子相关层。在此情况下，第二有机关联层150形成为用于向发光层146提供空穴的空穴相关层。在另一方面，当第一电极122是阳极，而第二电极128是阴极时，第一有机关联层148形成为用于向发光层146提供空穴的空穴相关层。在此情况下，第二有机关联层150形成为用于向发光层146提供电子的电子相关层。
利用露出各个像素的发光区域的荫罩而形成发光层146。由此，在各个像素的发光区域上形成发光层146。随着根据来自第一和第二有机关联层148和150的电子复合而产生的激发子回到基态，发光层146发射特定波长的光。该光射向上基板130的整个表面。
同时，如图17所示，在上基板130和下基板101之间形成由环氧材料或烧结材料制成的密封剂152。当各个密封剂152由烧结材料制成时，因为与环氧材料制成的密封剂相比，由烧结材料制成的密封剂表现出对上和下基板130和101高的粘接力，因此可以保护发光显示面板而无需使用湿气吸收剂。
在上和下基板130和101中的至少一个上涂敷由烧结材料制成的密封剂152，并接着利用热量或光对其进行固化。随后向固化后的烧结密封剂152照射激光，烧结密封剂152接着熔化并随后凝固，由此组装上和下基板130和101。
当烧结密封剂152具有比发光显示面板的单元间隙的高度更高的高度时，如图17所示，可在上和下基板130和101中的至少一个中形成凹槽156，以使得烧结密封剂152和单元间隙的高度相等。由此，根据本发明的上述实施方式的发光显示面板可防止图像质量的劣化，例如在常规的发光显示面板中由于面板的中部比面板的***部分低所形成的台阶而造成在面板的中部表现出具有波形图案的牛顿环的牛顿环现象。
同时，除了第一和第二电极的材料、有机层的材料、以及有机层的结构之外，根据本发明的第二到第八实施方式的发光显示面板的制造方法与第一实施方式的相同。
如从上述描述可见，根据本发明的发光显示面板及其制造方法，利用热沉积法、溅射法、或其组合以具有能够防止有机层受到不利影响的厚度的薄膜形式而形成在有机层上形成的第二电极。因此，可以防止有机层被损坏。
根据本发明的发光显示面板及其制造方法，与第二电极连接的辅助电极形成在上基板上。因此，可以进行高温处理，而无需考虑会对有机层造成的任何损坏。由于高温处理是适用的，可实现膜特性的增强。
根据本发明的发光显示面板及其制造方法，TFT、第一电极、有机层、以及第二电极形成在下基板上，并且R、G和B滤色器、涂敷层、以及辅助电极形成在上基板上。随后，将上和下基板进行真空组装。在此状态下，辅助电极与下基板的第二电极接触。根据本发明的发光显示面板及其制造方法，可利用发射白光的有机层显示R、G和B色彩。因此，可实现色彩再现性的增强。此外，根据全表面发光可实现孔径比的提高。
根据本发明的发光显示面板及其制造方法，通过用于保持上下基板之间的期望的单元间隙的接触间隔体，可以防止在面板的中部和***部分之间形成台阶，并由此防止例如牛顿环现象的图像质量的劣化。由于在形成有机层的过程中，接触间隔体与荫罩接触，还可以将对有机层造成的损坏降至最低。
对于本领域技术人员而言很明显，在不偏离本发明的精神或范围的条件下，可以在本发明中做出各种修改和变型。因而，本发明在落入所附权利要求及其等同物的范围内的条件下旨在涵盖本发明的修改和变型。

Claims (36)

1、一种发光显示面板，该发光显示面板包括：
形成在下基板上的第一电极；
形成在所述第一电极上的有机层，所述有机层包括发光层；
形成在所述有机层上的第二电极，所述第二电极具有薄膜结构；以及
形成在上基板上并与所述下基板相对的辅助电极，所述辅助电极连接到所述第二电极，
其中所述第二电极比所述第一电极和所述辅助电极中的至少一个更薄。
2、根据权利要求1所述的发光显示面板，其中通过将具有所述辅助电极的所述上基板和具有所述第二电极的所述下基板组装在一起，来对所述辅助电极与所述第二电极进行连接。
3、根据权利要求1所述的发光显示面板，其中所述第一电极、所述第二电极、以及所述辅助电极中的至少一个被形成为具有包括由具有高反射率的不透明导电材料制成的至少一层的结构，或者具有包括由透明导电材料制成的至少一层的结构，或者具有由所述不透明导电材料和所述透明导电材料的组合制成的多层结构。
4、根据权利要求3所述的发光显示面板，其中所述辅助电极和所述第二电极中所包括的所述不透明导电材料各具有10到
Figure A2008101763520002C1
的厚度。
5、根据权利要求3所述的发光显示面板，其中所述不透明导电材料从由铝、银、铜、镁、和钼构成的组中选择。
6、根据权利要求4所述的发光显示面板，其中所述透明导电材料从由氧化铟锡和氧化铟锌构成的组中选择。
7、根据权利要求1所述的发光显示面板，该发光显示面板还包括：
形成在所述上基板和所述第二电极之间的上钝化膜。
8、根据权利要求1所述的发光显示面板，其中所述辅助电极和所述第二电极各具有压纹结构。
9、根据权利要求1所述的发光显示面板，该发光显示面板还包括：
形成在所述辅助电极和所述上基板之间的红、绿和蓝滤色器，所述红、绿和蓝滤色器接收从所述有机层发出的白光，由此分别呈现红色、绿色和蓝色。
10、根据权利要求9所述的发光显示面板，该发光显示面板还包括：
形成在所述滤色器和所述辅助电极之间以使所述滤色器的表面平整化的涂敷层；以及
利用导电材料形成在所述涂敷层的与所述第二电极和所述辅助电极之间的连接区域相对应的部分上的汇流电极。
11、根据权利要求1所述的发光显示面板，该发光显示面板还包括：
形成在所述上基板或所述辅助电极上的汇流电极，使得所述汇流电极连接到所述辅助电极。
12、根据权利要求1所述的发光显示面板，其中所述第一电极是阴极，并且所述第二电极是阳极。
13、根据权利要求1所述的发光显示面板，其中所述第一电极是阳极，并且所述第二电极是阴极。
14、根据权利要求11所述的发光显示面板，其中所述第一电极由不透明材料制成。
15、根据权利要求12所述的发光显示面板，其中所述第一电极由不透明材料制成。
16、根据权利要求12所述的发光显示面板，其中所述第一电极由透明材料制成。
17、根据权利要求1所述的发光显示面板，该发光显示面板还包括：
形成在所述上基板和所述下基板之间以保持所述上基板和所述下基板之间的期望的单元间隙的接触间隔体，
其中所述辅助电极在所述接触间隔体的设置区域与所述第二电极接触。
18、根据权利要求1所述的发光显示面板，该发光显示面板还包括：
由烧结材料制成的用于组装所述上基板和所述下基板的密封剂。
19、根据权利要求18所述的发光显示面板，其中所述上基板和所述下基板中的至少一个在分别与烧结密封剂相对应的区域中形成有凹槽。
20、一种制造发光显示面板的方法，该方法包括以下步骤：
在下基板上形成第一电极；
在所述第一电极上形成有机层，所述有机层包括发光层；
在所述有机层上形成第二电极，所述第二电极具有薄膜结构；
在上基板上形成辅助电极，所述辅助电极与所述下基板相对；以及
组装所述上基板和所述下基板，使得所述第二电极与所述辅助电极接触。
21、根据权利要求20所述的方法，其中所述第二电极比所述第一电极和所述辅助电极中的至少一个更薄。
22、根据权利要求20所述的方法，其中所述第一电极、所述第二电极、以及所述辅助电极中的至少一个被形成为具有包括由具有高反射率的不透明导电材料制成的至少一层的结构，或者具有包括由透明导电材料制成的至少一层的结构，或者具有由所述不透明导电材料和所述透明导电材料的组合制成的多层结构。
23、根据权利要求22所述的方法，其中所述辅助电极和所述第二电极中所包括的所述不透明导电材料各被形成为具有10到
Figure A2008101763520004C1
的厚度。
24、根据权利要求22所述的方法，其中所述不透明导电材料从由铝、银、铜、镁、和钼构成的组中选择。
25、根据权利要求22所述的方法，其中所述透明导电材料从由氧化铟锡和氧化铟锌构成的组中选择。
26、根据权利要求20所述的方法，该方法还包括在所述上基板和所述第二电极之间形成上钝化膜。
27、根据权利要求20所述的方法，其中所述辅助电极和所述第二电极各被形成为具有压纹结构。
28、根据权利要求20所述的方法，该方法还包括在所述辅助电极和所述上基板之间形成红、绿和蓝滤色器，使得所述红、绿和蓝滤色器接收从所述有机层发出的白光，由此分别呈现红色、绿色和蓝色。
29、根据权利要求28所述的方法，该方法还包括：
在所述滤色器和所述辅助电极之间形成涂敷层，以使所述滤色器的表面平整化；
利用导电材料在所述涂敷层的与所述第二电极和所述辅助电极之间的连接区域相对应的部分上形成汇流电极。
30、根据权利要求20所述的方法，其中制备所述上基板的步骤还包括：
利用导电材料在所述上基板或所述辅助电极上形成汇流电极，使得所述汇流电极连接到所述辅助电极。
31、根据权利要求20所述的方法，其中所述第一电极是阴极，并且所述第二电极是阳极。
32、根据权利要求20所述的方法，其中所述第一电极是阳极，并且所述第二电极是阴极。
33、根据权利要求20所述的方法，该方法还包括：
在所述上基板和所述下基板之间形成接触间隔体，以保持所述上基板和所述下基板之间的期望的单元间隙，
其中所述辅助电极在所述接触间隔体的设置区域中与所述第二电极接触。
34、根据权利要求20所述的方法，其中利用由烧结材料制成的密封剂组装所述上基板和所述下基板。
35、根据权利要求34所述的方法，其中所述上基板和所述下基板中的至少一个在分别与烧结密封剂相对应的区域中形成有凹槽。
36、根据权利要求20所述的方法，其中利用热沉积法、溅射法或其组合而形成所述第二电极。
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