CN101614970B

CN101614970B - 一种光刻胶清洗剂组合物

Info

Publication number: CN101614970B
Application number: CN 200810039756
Authority: CN
Inventors: 史永涛; 彭洪修; 曹惠英
Original assignee: Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd
Current assignee: Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd; Anji Microelectronics Co Ltd
Priority date: 2008-06-27
Filing date: 2008-06-27
Publication date: 2012-12-19
Anticipated expiration: 2028-06-27
Also published as: CN101614970A

Abstract

本发明公开了一种光刻胶清洗剂组合物，包含醇胺类化合物、水溶性极性有机溶剂和水，其中还包含选自环己六醇磷酸酯和环己六醇磷酸盐中的一种或几种。本发明的清洗剂组合物可以有效除去半导体晶片上的光刻胶、刻蚀或灰化后的光刻胶残留物或其它残留物，同时对铝和铜等金属以及二氧化硅等非金属材料具有很弱的腐蚀性，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

Description

一种光刻胶清洗剂组合物

技术领域

本发明涉及一种半导体制造工艺中的清洗剂组合物，具体涉及一种光刻胶清洗剂组合物。

背景技术

在通常的半导体制造工艺中，首先在二氧化硅、Cu(铜)等金属以及低k材料等表面上形成光刻胶的涂层，利用适当的掩模进行曝光、显影，根据所用光刻胶的特性，除去曝光或者未曝光部分的光刻胶，在所要求的部位形成光刻胶图案，然后在该光刻胶图案上进行等离子刻蚀或反应性气体刻蚀，最后利用有机清洗剂组合物或者氧气等离子体灰化，除去保留的光刻胶。在所述刻蚀工艺中，在光刻胶掩模的侧壁处，刻蚀气体与光刻胶、基材、基材上的绝缘膜以及低电介质材料等进行复杂反应，会产生难溶性的侧壁堆积物。在所述灰化过程中，也会产生光刻胶的不完全灰化物。刻蚀产生的侧壁堆积物、光刻胶的不完全灰化物(光刻胶残余物)、以及刻蚀、灰化形成的金属氧化物和其它含金属的残余物，会造成晶片上金属图案的接触不良，从而导致晶片量率的显著下降，因此必须使用合适的清洗剂将其充分除去。在清洗过程中，使用的化学清洗剂常会造成晶片图案和基材的腐蚀。尤其是在利用化学清洗剂除去光刻胶、刻蚀或灰化残留物的过程中，金属(尤其是铝和铜等较活泼金属)腐蚀是较为普遍而且非常严重的问题，往往导致晶片良率的显著降低。

目前，光刻胶清洗剂组合物主要由强碱、极性有机溶剂和/或水等组成，通过将半导体晶片浸入清洗剂中或者利用清洗剂冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的光刻胶和其它残余物。

强碱如季铵氢氧化物和醇胺等，能够迅速溶解光刻胶以及刻蚀或灰化所产生的金属氧化物。强碱含量过低时，清洗剂对光刻胶以及刻蚀或灰化所产生的金属氧化物的去除能力不足；但强碱含量过高时，清洗剂易造成晶片图案和基材的腐蚀。

极性有机溶剂能够溶解光刻胶和刻蚀或灰化所产生的有机残余物，提高化学清洗剂对有机物的清洗能力。极性有机溶剂含量过低时，清洗剂对光刻胶和刻蚀或灰化所产生的有机残余物的去除能力不足；但极性有机溶剂含量过高时，清洗剂对刻蚀或灰化所产生的无机残余物的去除能力不足。

为了充分除去刻蚀或灰化所产生金属氧化物等无机残余物，化学清洗剂中的水是必需的。水含量过低时，清洗剂对刻蚀或灰化所产生的无机残余物的去除能力不足；但水含量过高时，清洗剂对光刻胶和刻蚀或灰化所产生的有机残余物的去除能力不足，且易造成晶片图案和基材的腐蚀。

为了提高清洗剂组合物对含Cu或Ti等金属的无机残余物的去除能力，一些清洗剂组合物会加入羟胺、氟化物或金属鳌合剂等。但羟胺和氟化物容易造成晶片图案和基材的腐蚀，而某些金属鳌合剂会导致形成的金属鳌合物在晶片表面的沉积或者加快晶片图案和基材的腐蚀。

US4617251中提出了由醇胺和有机极性溶剂组成的光刻胶清洗剂。将半导体晶片将晶片浸入该清洗剂中，在95℃下除去晶片基材上的正性光刻胶。由于该清洗剂不含有水，所以其对于刻蚀或灰化后的光刻胶残余物的清洗能力不足。

US5846695中提出了由季铵氢氧化物、羟胺、水、糖和/或糖醇组成的光刻胶清洗剂。将半导体晶片浸入该清洗剂中，在40～60℃下除去晶片上的光刻胶和刻蚀或灰化后的残余物。该清洗剂采用糖和/或糖醇作为抑制金属腐蚀的缓蚀剂。但由于该清洗剂不含有极性有机溶剂，所以其对于光刻胶和刻蚀或灰化后的有机残余物的清洗能力略有不足。

US6140027中提出了由醇胺、水溶性有机溶剂、水、有机酚、氮唑和聚硅氧烷表面活性剂组成的光刻胶清洗剂。将半导体晶片浸入该清洗剂中，在20～50℃下除去晶片上的光刻胶和刻蚀或灰化后的残余物。该清洗剂含有的有机酚能够提高清洗剂对经干法刻蚀和/或灰化后的光刻胶残余物的去除能力。但有机酚对人有害，且会对环境造成污染。该清洗剂会造成晶片图案和基材的腐蚀。

JP2001183849中提出了由醇胺、羟胺、有机酚、苯并三氮唑、水溶性有机溶剂和/或水组成的光刻胶清洗剂。将半导体晶片浸入该清洗剂中，在40℃下除去晶片上的光刻胶和刻蚀或灰化后的残余物。该清洗剂含有的羟胺能够提高清洗剂对经干法刻蚀和/或灰化后的光刻胶残余物的去除能力。但有机酚对人有害，且会对环境造成污染。该清洗剂会造成晶片图案和基材的腐蚀。

US2006014656中提出了由水溶性有机溶剂、氟化物、水和/或季铵氢氧化物组成的光刻胶清洗剂。将半导体晶片浸入该清洗剂中，在20～85℃下除去晶片上的光刻胶和刻蚀或灰化后的残余物。该清洗剂含有的氟化物能够提高清洗剂对灰化后的光刻胶残余物的去除能力，但易造成清洗设备的腐蚀与损耗。该清洗剂对金属铝的腐蚀速率较高，易造成晶片图案的腐蚀。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题就是针对现有的光刻胶清洗剂组合物存在的不足，提供一种光刻胶清洗剂组合物，其可有效除去半导体晶片上的光刻胶、刻蚀或灰化后的光刻胶残留物或其它残留物，同时对铝和铜等金属以及二氧化硅等非金属材料具有很弱的腐蚀性。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案是：一种光刻胶清洗剂组合物，包含醇胺、水溶性极性有机溶剂和水，其中，还含有选自环己六醇磷酸酯和环己六醇磷酸盐中的一种或几种。

本发明中，光刻胶清洗剂组合物含有选自环己六醇磷酸酯和环己六醇磷酸盐中的一种或几种，所述的环己六醇磷酸酯或环己六醇磷酸盐对铝和铜等金属材料表现出优异的腐蚀抑制能力，对金属离子如Cu²⁺、Al³⁺和Ti⁴⁺等表现出优异的鳌合能力，对人体无危害，对环境无污染，是本发明的光刻胶清洗剂组合物中的特征组分。其中，所述环己六醇磷酸酯较佳的选自环己六醇一磷酸酯、环己六醇二磷酸酯、环己六醇三磷酸酯、环己六醇四磷酸酯、环己六醇五磷酸酯和环己六醇六磷酸酯中的一种或多种，更佳的选自环己六醇三磷酸酯、环己六醇四磷酸酯、环己六醇五磷酸酯和环己六醇六磷酸酯中的一种或多种。所述的环己六醇磷酸盐较佳的为环己六醇磷酸铵盐，更佳的选自环己六醇一磷酸铵、环己六醇二磷酸铵、环己六醇三磷酸铵、环己六醇四磷酸铵、环己六醇五磷酸铵和环己六醇六磷酸铵中的一种或多种，最佳的选自环己六醇三磷酸铵、环己六醇四磷酸铵、环己六醇五磷酸铵和环己六醇六磷酸铵中的一种或多种。所述的环己六醇磷酸酯和/或环己六醇磷酸盐的含量较佳的为0.01～30wt％(质量百分含量)，更佳的为0.10～20.0wt％。

本发明中，所述的醇胺较佳的选自一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、甲基二乙醇胺、二甲基乙醇胺、二甘醇胺和羟乙基乙二胺中的一种或多种，更佳的选自一乙醇胺、三乙醇胺、甲基二乙醇胺和二甘醇胺中的一种或多种。所述醇胺的含量较佳的为0.1～50wt％，更佳的为5.0～35.0wt％。

本发明中，所述的水溶性极性有机溶剂较佳的选自亚砜、砜、酰胺、咪唑烷酮和烷基二醇单烷基醚中的一种或多种。所述的亚砜较佳的选自二甲基亚砜、二乙基亚砜和甲乙基亚砜中的一种或多种，更佳的为二甲基亚砜。所述的砜较佳的选自甲基砜、乙基砜和环丁砜中的一种或多种，更佳的为环丁砜。所述的咪唑烷酮较佳的选自2-咪唑烷酮、1，3-二甲基-2-咪唑烷酮和1，3-二乙基-2-咪唑烷酮中的一种或多种，更佳的为1，3-二甲基-2-咪唑烷酮。所述的酰胺较佳的选自甲酰胺、乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二乙基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、2-吡咯烷酮、2-甲基吡咯烷酮和2-乙基吡咯烷酮中的一种或多种，更佳的选自N，N-二甲基乙酰胺和2-甲基吡咯烷酮中的一种或多种。所述的烷基二醇单烷基醚较佳的选自二乙二醇单甲醚、二乙二醇单***、二乙二醇单丁醚、丙二醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、二丙二醇单***和二丙二醇单丁醚中的一种或多种，更佳的选自二乙二醇单甲醚和二丙二醇单甲醚中的一种或多种。所述水溶性极性有机溶剂的含量较佳的为1～95wt％，更佳的为30～90wt％。

本发明中，所述水的含量较佳的为1～95wt％，更佳的为3～50wt％。

本发明中，所述的光刻胶清洗剂组合物较佳的还含有季铵氢氧化物、表面活性剂和缓蚀剂中的一种或多种。

其中，所述的季铵氢氧化物较佳的选自四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵和苄基三甲基氢氧化铵中的一种或多种，更佳的选自四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵和四丁基氢氧化铵中的一种或多种，最佳的为四甲基氢氧化铵。所述季铵氢氧化物的含量较佳的为＞0，≤10wt％，更佳的为0.5～5wt％。

本发明中，所述的表面活性剂可为本领域常用表面活性剂，较佳的选自聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮和聚氧乙烯醚中的一种或多种，更佳的选自聚乙烯吡咯烷酮和聚氧乙烯醚中的一种或多种。表面活性剂的分子量(M_W)较佳为500～100000，更佳的为1000～50000。表面活性剂的含量较佳的为＞0，≤5wt％，更佳的为0.05～3.0wt％。

本发明中，所述的缓蚀剂可为本领域常用缓蚀剂，较佳的选自唑类、膦酸类和聚丙烯酸类缓蚀剂中的一种或多种。所述的唑类缓蚀剂较佳的选自苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、苯并三氮唑三乙醇胺盐、1-苯基-5-巯基四氮唑、2-巯基苯并咪唑、2-巯基苯并噻唑、2-巯基苯并噁唑、二巯基噻二唑、3-氨基-1，2，4-三氮唑、4-氨基-1，2，4-三氮唑、5-氨基-四氮唑、3-氨基-5-巯基-1，2，4-三氮唑、3，5-二氨基-1，2，4-三氮唑和4-氨基-5-巯基-1，2，4-三氮唑中的一种或多种，更佳的选自苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、3-氨基-1，2，4-三氮唑、4-氨基-1，2，4-三氮唑、5-氨基-四氮唑和3-氨基-5-巯基-1，2，4-三氮唑中的一种或多种。所述的膦酸类缓蚀剂较佳的选自1-羟基亚乙基-1，1-二膦酸、氨基三亚甲基膦酸、2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸、乙二胺四亚甲基膦酸和二乙烯三胺五亚甲基膦酸中的一种或多种，更佳的选自2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸、乙二胺四亚甲基膦酸和二乙烯三胺五亚甲基膦酸中的一种或多种。所述的聚丙烯酸类缓蚀剂选自丙烯酸聚合物及其共聚物、甲基丙烯酸聚合物及其共聚物、丙烯酸聚合物的醇胺盐、甲基丙烯酸聚合物的醇胺盐、聚氧乙烯改性的丙烯酸聚合物及其酯和醇铵盐、聚氧乙烯改性的甲基丙烯酸聚合物及其酯和醇铵盐中的一种或多种，更佳的选自丙烯酸聚合物及其共聚物，丙烯酸聚合物的醇胺盐，聚氧乙烯改性的丙烯酸聚合物及其醇铵盐，以及聚氧乙烯改性的甲基丙烯酸聚合物及其醇铵盐中的一种或多种。聚丙烯酸类缓蚀剂的分子量较佳的为500～100000，更佳的为1000～50000。所述的缓蚀剂含量较佳的为＞0，≤10.0wt％，更佳的为0.10～5.0wt％。

本发明的光刻胶清洗剂由上面所述组分简单混合即可制得。本发明所用试剂及原料均市售可得。本发明的光刻胶清洗剂较佳的可在20～85℃的温度范围内使用。本发明的光刻胶清洗剂的使用方法之一可参照如下步骤：将含有光刻胶、刻蚀或灰化后的光刻胶残留物和/或其它残留物的半导体晶片浸入清洗剂中，在20～85℃下利用恒温振荡器缓慢振荡，然后经去离子水洗涤后用高纯氮气吹干。

本发明的积极进步效果在于：本发明的清洗剂可以有效去除半导体晶片上的光刻胶、刻蚀或灰化后的光刻胶残留物和/或其它残留物，同时对铝和铜等金属以及二氧化硅等非金属材料具有很弱的腐蚀性，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

具体实施方式

下面用实施例来进一步说明本发明，但本发明并不受其限制。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，通常按照常规条件，或按照制造厂商所建议的条件。

实施例1～35

表1是实施例1～35的光刻胶清洗剂配方。按表1中所列组分及其含量，简单混合均匀，即制得各实施例的清洗剂，各清洗剂均为澄清透明的均相溶液。

表1.实施例1～35清洗剂的组分和含量

下面通过效果实施例来进一步说明本发明的有益效果。

效果实施例

表2是对比清洗剂1～5和本发明清洗剂1～10的配方。按表2中所列组分及其含量，简单混合均匀，即制得各光刻胶清洗剂，各清洗剂均为澄清透明的均相溶液。

将对比清洗剂1～5和本发明清洗剂1～10用于清洗空白Cu晶片，测定其对于金属Cu的腐蚀情况。测试方法和条件：将4×4cm空白Cu晶片浸入清洗剂，在20～85℃下利用恒温振荡器以约60转/分的振动频率振荡30分钟，然后经去离子水洗涤后用高纯氮气吹干，利用四极探针仪测定空白Cu晶片蚀刻前后表面电阻的变化计算得到。结果如表3所示。

将对比清洗剂1～5和本发明清洗剂1～10用于清洗空白Al晶片，测定其对于金属Al的腐蚀情况。测试方法和条件：将4×4cm空白Al晶片浸入清洗剂，在20～85℃下利用恒温振荡器以约60转/分的振动频率振荡30分钟，然后经去离子水洗涤后用高纯氮气吹干，利用四极探针仪测定空白Al晶片蚀刻前后表面电阻的变化计算得到。结果如表3所示。

将对比清洗剂1～5和本发明清洗剂1～10用于清洗空白的四乙氧基硅烷(TEOS)晶片，测定其对于非金属TEOS的腐蚀情况。测试方法和条件：将4×4cm空白TEOS晶片浸入清洗剂，在20～85℃下利用恒温振荡器以约60转/分的振动频率振荡30分钟，然后经去离子水洗涤后用高纯氮气吹干。利用Nanospec6100测厚仪测定空白TEOS晶片清洗前后TEOS厚度的变化计算得到，结果如表3所示。

表2.对比清洗剂1～5和本发明清洗剂1～10的组分和含量(wt％)

清洗剂	一乙醇胺	二甘醇胺	去离子水	环己六醇六磷酸酯	环己六醇六磷酸铵	二甲基亚砜	二丙二醇单甲醚	四甲基氢氧化铵	聚氧乙烯醚(M_W为10000)	甲基苯并三氮唑	2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸
												对比1	10.00	/	25.00	/	/	64.90	/	/	/	0.10	/
对比2	20.00	/	25.00	/	/	54.50	/	/	/	/	0.50
												对比3	30.00	/	25.00	/	/	44.40	/	/	0.10	0.50	/
对比4	20.00	10.00	25.00	/	/	43.90	/	0.50	0.10	0.50	/
												对比5	/	30.00	25.00	/	/	43.40	/	1.00	0.10	/	0.50
1	10.00	/	25.00	0.10	/	64.90	/	/	/	/	/
												2	20.00	/	25.00	0.30	/	54.70	/	/	/	/	/
3	30.00	/	25.00	/	0.50	44.40	/	/	0.10	/	/
												4	20.00	10.00	25.00	/	0.50	43.90	/	0.50	0.10	/	/
5	/	30.00	25.00	0.50	/	43.40	/	1.00	0.10	/	/
												6	30.00	/	35.00	0.20	/	34.70	/	/	/	0.10	/
7	30.00	10.00	15.00	/	1.00	33.80	10.00	/	0.10	/	0.10
												8	40.00	/	25.00	1.00	/	32.20	/	1.00	/	0.50	0.30

9	5.00	/	25.00	10.00	/	39.00	20.00	/	0.50	/	0.50
												10	10.00	/	3.00	0.50	/	84.00	/	2.00	0.20	/	0.30

本发明中，利用光刻胶清洗剂清洗半导体晶片上光刻胶的方法如下：将含有刻蚀后的光刻胶(厚度约为2微米)的半导体晶片1(含有图案)或含有灰化后残余物的半导体晶片2(含有图案)浸入清洗剂中，在20～85℃下利用恒温振荡器以约60转/分的振动频率振荡1～30分钟，然后经去离子水洗涤后用高纯氮气吹干。光刻胶和灰化残余物的清洗效果以及清洗剂对晶片图案的腐蚀情况如表3所示。

表3.对比清洗剂1～5和本发明清洗剂1～10对金属Cu和Al以及非金属TEOS的腐蚀性及其对光刻胶和灰化残余物的清洗情况

清洗剂

清洗温度(℃)

金属Cu的腐蚀情况

金属Al的腐蚀情况

非金属TEOS的腐蚀情况

晶片1清洗时间(min)

光刻胶清洗结果

晶片2清洗时间(min)

灰化残余物的清洗效果

晶片图案的腐蚀情况

对比1

40

○

△

◎

30

×

30

×

△

对比2

45

○

△

○

30

○

30

△

对比3

45

○

×

○

30

○

30

△

×

对比4

50

○

×

○

25

○

25

△

×

对比5

40

○

×

△

20

◎

20

○

△

1

40

○

◎

30

○

30

○

◎

2

45

◎

30

○

30

◎

3

45

◎

30

◎

30

◎

4

50

◎

25

◎

25

◎

5

30

◎

20

◎

20

◎

6

55

◎

15

◎

15

◎

7

60

◎

15

◎

15

◎

8

70

◎

10

◎

10

◎

9

20

◎

10

◎

10

◎

10

85

◎

2

◎

5

◎

腐蚀情况：◎完全无腐蚀；清洗情况：◎完全去除；

○略有腐蚀； ○少量残余；

△中等腐蚀； △较多残余；

×严重腐蚀。 ×大量残余。

从表3可以看出，与对比清洗剂1～5相比，本发明的清洗剂1～10对光刻胶和灰化残余物具有良好的清洗能力，使用温度范围广，同时对金属Cu和Al以及非金属TEOS的腐蚀性低，对晶片图案无损坏。

Claims

1.一种光刻胶清洗剂组合物，包含醇胺、水溶性极性有机溶剂和水，其特征在于，还含有选自环己六醇磷酸酯和环己六醇磷酸盐中的一种或几种，

其中，所述的环己六醇磷酸酯和/或环己六醇磷酸盐的含量为0.01～30wt％，所述的醇胺的含量为0.1～50wt％，所述的水溶性极性有机溶剂的含量为1～95wt％，所述的水的含量为1～95wt％；

其中，所述的水溶性极性有机溶剂选自亚砜、砜、酰胺、咪唑烷酮和烷基二醇单烷基醚中的一种或多种。

2.根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂组合物，其特征在于，所述的环己六醇磷酸酯选自环己六醇一磷酸酯、环己六醇二磷酸酯、环己六醇三磷酸酯、环己六醇四磷酸酯、环己六醇五磷酸酯和环己六醇六磷酸酯中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂组合物，其特征在于，所述的环己六醇磷酸盐为环己六醇磷酸铵盐。

4.根据权利要求3所述的光刻胶清洗剂组合物，其特征在于，所述的环己六醇磷酸铵盐选自环己六醇一磷酸铵、环己六醇二磷酸铵、环己六醇三磷酸铵、环己六醇四磷酸铵、环己六醇五磷酸铵和环己六醇六磷酸铵中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂组合物，其特征在于，所述的环己六醇磷酸酯和/或环己六醇磷酸盐的含量为0.10～20.0wt％。

6.根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂组合物，其特征在于，所述的醇胺选自一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、甲基二乙醇胺、二甲基乙醇胺、二甘醇胺和羟乙基乙二胺中的一种或多种。

7.根据权利要求8所述的光刻胶清洗剂组合物，其特征在于，所述的醇胺的含量为5.0～35.0wt％。

8.根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂组合物，其特征在于，所述的亚砜选自二甲基亚砜、二乙基亚砜和甲乙基亚砜中的一种或多种；所述的砜为甲基砜、乙基砜和环丁砜中的一种或多种；所述的咪唑烷酮选自2-咪唑烷酮、1，3-二甲基-2-咪唑烷酮和1，3-二乙基-2-咪唑烷酮中的一种或多种；所述的酰胺选自甲酰胺、乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二乙基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、2-吡咯烷酮、2-甲基吡咯烷酮和2-乙基吡咯烷酮中的一种或多种；所述的烷基二醇单烷基醚选自二乙二醇单甲醚、二乙二醇单***、二乙二醇单丁醚、丙二醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、二丙二醇单***和二丙二醇单丁醚中的一种或多种。

9.根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂组合物，其特征在于，所述的水溶性极性有机溶剂的含量为30～90wt％。

10.根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂组合物，其特征在于，所述的水的含量为3～50wt％。

11.根据权利要求1所述的光刻胶清洗剂组合物，其特征在于，所述的光刻胶清洗剂组合物还包含季铵氢氧化物、表面活性剂和缓蚀剂中的一种或多种。

12.根据权利要求11所述的光刻胶清洗剂组合物，其特征在于，所述的季铵氢氧化物选自四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵和苄基三甲基氢氧化铵中的一种或多种；所述的表面活性剂选自聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮和聚氧乙烯醚中的一种或多种；所述的缓蚀剂选自唑类、膦酸类和聚丙烯酸类缓蚀剂中的一种或多种。

13.根据权利要求12所述的光刻胶清洗剂组合物，其特征在于，所述的唑类缓蚀剂选自苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、苯并三氮唑三乙醇胺盐、1-苯基-5-巯基四氮唑、2-巯基苯并咪唑、2-巯基苯并噻唑、2-巯基苯并噁唑、二巯基噻二唑、3-氨基-1，2，4-三氮唑、4-氨基-1，2，4-三氮唑、5-氨基-四氮唑、3-氨基-5-巯基-1，2，4-三氮唑、3，5-二氨基-1，2，4-三氮唑和4-氨基-5-巯基-1，2，4-三氮唑中的一种或多种；所述的膦酸类缓蚀剂选自1-羟基亚乙基-1，1-二膦酸、氨基三亚甲基膦酸、2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸、乙二胺四亚甲基膦酸和二乙烯三胺五亚甲基膦酸中的一种或多种；所述的聚丙烯酸类缓蚀剂选自丙烯酸聚合物及其共聚物、甲基丙烯酸聚合物及其共聚物、丙烯酸聚合物的醇胺盐、甲基丙烯酸聚合物的醇胺盐、聚氧乙烯改性的丙烯酸聚合物及其酯和醇铵盐、聚氧乙烯改性的甲基丙烯酸聚合物及其酯和醇铵盐中的一种或多种。

14.根据权利要求11所述的光刻胶清洗剂组合物，其特征在于，所述的季铵氢氧化物含量不超过10wt％；所述的表面活性剂含量为不超过5wt％；所述的缓蚀剂含量为不超过10.0wt％。

15.根据权利要求14所述的光刻胶清洗剂组合物，其特征在于，所述的季铵氢氧化物含量为0.5～5wt％；所述的表面活性剂含量为0.05～3.0wt％；所述的缓蚀剂含量为0.10～5.0wt％。