CN101609790A

CN101609790A - 处理装置

Info

Publication number: CN101609790A
Application number: CNA2009101491315A
Authority: CN
Inventors: 南雅人; 佐佐木芳彦
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2008-06-17
Filing date: 2009-06-17
Publication date: 2009-12-23
Anticipated expiration: 2029-06-17
Also published as: KR101063064B1; JP5120089B2; JP2009302482A; CN101609790B; TW201019390A; KR20090131264A

Abstract

本发明提供一种可以减轻设置在被处理体周围的整流壁的弯曲的处理装置，向处理容器(20)的内部供给处理气体，对载置台(3)上载置的被处理体(S)，例如进行蚀刻等处理的处理装置(2)中，整流部件(5)构成为，连接有沿着被处理体(S)的各边延伸的多个整流壁(51)，并包围该被处理体(S)，各整流壁(51)，其两端部被支撑部件(52)支撑，而且，其上缘形成为向该整流壁(51)的中央部逐渐升高的形状，另一方面，下缘形成为与上述载置台的上面平行。

Description

处理装置

技术区域

本发明涉及在处理容器内向例如FPD(平板显示器)用的玻璃基板等的被处理体供给处理气体，并通过该处理气体，对上述被处理体进行规定的处理的技术。

背景技术

在LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示装置)的制造工序中，具有对玻璃基板上形成的铝(Al)膜进行蚀刻处理的工序。对于进行该工序的蚀刻处理装置的一个例子根据图12进行简单的说明，图中1是真空腔室，在该真空腔室1的内部，设置有用于载置作为被处理体的例如FPD基板S(以下，简称为基板S)的载置台11，并且以与该载置台11相对的方式设置有成为上部电极的处理气体供给部12。而且，从处理气体供给部12向真空腔室1的内部供给例如氯(Cl₂)系气体构成的蚀刻气体，经过排气流路13，用没有图示的真空泵对真空腔室1内进行真空抽吸，另一方面，通过从高频电源14向上述载置台11施加高频电力，在基板S的上方空间形成蚀刻气体的等离子体，由此对基板S进行蚀刻处理。

但是，Al膜的蚀刻中，供给速率，即因为蚀刻气体的供给量和蚀刻量成比例，所以通过负荷效果使基板S周边部的蚀刻速度变得极快，产生蚀刻量变多的现象。也就是说，在图13中，在用符号15表示的基板S的周边部，从作为蚀刻剂的Cl自由基来看，和用符号16表示的相同面积的中央区域相比蚀刻面积大约是一半，因此如果用与供给中央区域16的流量相同的流量供给蚀刻气体，那么与中央区域16相比，周边部15的蚀刻量大约是其的2倍。

因此，如图12和图14(a)所示，采用通过设置包围基板S的周围的整流部件17，用整流部件17遮住基板S的周边部附近的蚀刻气体流，在基板S的周围形成气体积存区域的对策。通过这种方法，使该区域的蚀刻气体的流速降低，可以在基板面内提高蚀刻速度的均一性。

但是，如果设置这样的整流部件17，则当整流部件17的上端例如比从设置于真空腔室1的侧壁部的搬入搬出口10搬入的基板S的搬送高度高时，搬送中的基板S和整流部件17互相干涉。因此，例如如图14(b)所示，使整流部件17自由升降，通过使整流部件17从载置台11升起而形成的间隙搬入搬出基板S。

这里，整流部件17构成为，，例如将由陶瓷制的板材构成的4块整流壁171组合，形成框架，该框架以包围基板S的形式被载置在载置台11上。在这4块中的例如相对的2块整流壁171的侧面，以向载置台11的外部伸出的方式设置有突出部172，在各个突出部172的下表面连接有支撑整流部件17的支撑棒181。而且，通过升降机构18上下移动各个支撑棒181，可以升降整个整流部件17。

另一方面，近几年来，FPD基板S的大型化日益推进，例如开发出了处理一边边长在2米以上的基板S的蚀刻处理装置。这样的蚀刻处理装置中，对于包围基板S的整流部件17也需要其是一个边的边长在2米以上的大型部件，特别是构成整流部件17的整流壁171，为了达到抑制对真空腔室1中形成的等离子体的影响的目的，其由上述的陶瓷制成，因此各整流壁171的重量化会明显。

这里，如图15(a)所示，形成到上缘的高度“h”例如为50mm-150mm程度的细长的四边形(角形)形状的整流壁171，支撑其两端从载置台11上升的情况下，其长度“L”例如是2米以上，重量化的整流壁171由于其自重会出现中央部弯曲的情况。如果整流壁171弯曲，例如如图15(b)所示，整流壁171的中央部会向下方鼓出，妨碍基板S的搬送；或者如图15(c)所示，在载置台11上载置整流部件17时，从整流部件17弯曲的中央部接触载置台11，形成所谓的“单边接触”的状态，重复这个动作，整流部件17和载置台11可能会在局部磨损而产生灰尘，或破损。

这一点，例如现有的整流部件17，如图14(a)等所示，通过以突出部172支撑其4个角的下缘部，使加载在整流壁171上的负荷平均化，来避免特定的整流壁171上加有过大的自重而使弯曲变大的情况。但是近年的基板S的大型化，通过分散负荷的对应来减轻弯曲是不够的，需要更进一步的针对重量化的对策。

为了减轻伴随重量化的弯曲，虽然可以考虑将如图15(a)所示的整流部件17的高度“h”加大来提高相对重力方向的整流部件17的刚性的方法，但是，由于伴随整流部件17的进一步的重量化，使升降机构18的负担变大，会需要更新驱动***。而且，在维护蚀刻处理装置等情况下，现状是可以通过例如手工作业来进行整流部件17的拆卸、安装，但是，伴随着重量化有可能需要起重机等机械，维护性就会恶化。

另一方面，由于支撑整流壁171的两端而引起中央部弯曲的情况下，可以考虑在发生弯曲的位置追加支撑棒181支撑整流壁171的方法。但是，如果在4块整流壁171上全都设置支撑棒181以及其升降机构18，不仅从成本上升的观点来考虑是不合适的，而且在追加的支撑棒181和已有的支撑棒181之间会产生新的弯曲。而且，例如如果在配置在基板S的搬入搬出口10的一侧的整流壁171的中央部设置支撑棒181，那么基板S搬入搬出时，会产生该支撑棒181成为障碍，使基板S不能搬入搬出的问题。

这里，专利文献1中记载了使相当于四边形基板的4个角的部分的高度变得最高的整流部件，而且，专利文献2中记载了相当于上述4个角的区域的整流壁的上部开口，形成蚀刻气体流路的整流部件。但是，这些技术的任意一个只是以提高蚀刻的面内均一性为目的的技术，对于伴随整流壁的大型化发生的弯曲的解决方法没有任何记载。

专利文献1日本特开2000-315676第0021-0023段图1-图3

专利文献2日本特开2003-243364第0056段图9

发明内容

本发明鉴于这样的情况，其目的是提供一种可以减轻设置在被处理体周围的整流壁的弯曲的处理装置。

本发明的处理装置包括：设置在处理容器的内部，用于载置被处理体的载置台；用于供给来自该载置台上方侧的处理气体，对载置于该载置台上的被处理体进行处理的处理气体供给单元；用于排出上述处理容器内气体的气体排气部；连接有多个沿着上述载置台上的被处理体的各边延伸的整流壁，并以包围该被处理体的方式构成的整流部件；以及支撑上述整流壁两端部的支撑部件。上述整流壁构成为，其上缘形成为向该整流壁的中央部逐渐变高的形状，下缘形成为与上述载置台的上面平行。

这里，上述整流壁的上缘优选形成为，向该整流壁的中央部例如以拱形形状等方式连续地变高或者阶梯逐渐变高。

而且，另一发明的处理装置包括：设置在处理容器的内部，用于载置被处理体的载置台；用于供给来自该载置台上方侧的处理气体，并对载置在该载置台上的被处理体实行处理的处理气体供给单元；用于排出上述处理容器内气体的气体排气部；连接有多个沿着上述载置台上的被处理体的各边延伸的整流壁，并以包围该被处理体的方式构成的整流部件；以及支撑上述整流壁的两端部的支撑部件。上述整流壁由第一块状部件和第二块状部件接合而构成，其中，第二块状部件接合在该第一块状部件的上方或者下方的至少一侧，其利用比构成该第一块状部件的材料的密度低的材料构成，上述第一块状部件的上下方向的尺寸形成为面向该整流壁的中央部逐渐变大。

这里，上述第一块状部件的上下方向的尺寸优选形成为向上述整流壁的中央部连续或者阶梯状地变大；优选上述第一块状部件是陶瓷制，上述第二块状部件是多孔质陶瓷制。

而且，在上述列举的各个处理装置中具有升降机构，该升降机构通过使上述支撑部件升降，使上述整流部件在上述载置台的上表面和该载置台的上方的位置之间升降。这些处理装置优选上述被处理体是四边形基板，上述整流壁为沿着该四边形基板的各边伸出的结构。

发明效果

根据本发明，由于构成整流部件的整流壁的上缘面向该整流壁的中央部逐渐变高，在弯曲最大的中央部能够有效地减轻弯曲的发生，另一方面，弯曲不象中央部那么大的两侧的区域，由于整流壁的上缘比中央部低，可以抑制整流壁的重量的增加。由于具备这些特征，即使是配置在大型被处理体周围的整流部件，也能够减轻整流壁的中央部的弯曲，避免搬入搬出时被处理体和这些部件产生冲突的故障。而且，难以发生整流部件以单边接触的状态载置在载置台上的状况，可以避免因单边接触而产生的磨损、灰尘、破损等故障，可以进行面内均一性良好的蚀刻处理。

附图说明

图1是表示实施方式的蚀刻处理装置的构成的纵向剖面图。

图2是表示上述蚀刻处理装置的处理容器的内部构造的俯视图。

图3是表示上述处理容器的内部构造的立体图。

图4是表示设置在上述处理容器内的整流部件的整流壁的构成例的侧视图。

图5是表示上述蚀刻处理装置的作用的纵向剖面图。

图6是表示上述整流壁的变形例的侧视图。

图7是表示第二实施方式的蚀刻处理装置的构成例的立体图。

图8是表示上述第二实施方式的整流壁的构成例的侧视图。

图9是表示第三实施方式的蚀刻处理装置的构成例的立体图。

图10是表示上述第三实施方式的整流壁的构成例的侧视图。

图11是表示上述第三实施方式的整流壁的变形例的侧视图。

图12是表示现有的蚀刻处理装置的构成的纵向剖面图。

图13是用上述现有的蚀刻处理装置处理的基板的俯视图。

图14是表示现有的蚀刻处理装置的处理容器内部构造的立体图。

图15是表示设置在上述现有的蚀刻处理装置的整流部件的整流壁的侧视图。

符号说明

S FPD 基板(基板)

2、2a、2b 蚀刻处理装置

3 载置台

4 上部电极

5 整流部件

7 控制部

20 处理容器

21 侧壁部

22 搬入搬出口

23 门阀

24 排气流路

32 绝缘材料

33 聚焦环

34 升降销

35 升降机构

40 气体喷淋头

41 上部电极基底

42 气体扩散空间

43 处理气体供给流路

44 处理气体供给部

45 气体供给孔

51、51a～51g 整流壁

52 支撑部件

53 支撑棒

61 升降机构

62 升降板

63 波纹管

171 整流壁

172 突出部

181 支撑棒

511 第一块状部件

512 第二块状部件

具体实施方式

以下，参照图1～图3对本实施方式的蚀刻处理装置2的构成进行说明。图1的纵向剖面图显示的蚀刻处理装置2，是对被处理体，例如作为四边形的FPD基板的基板S的表面上形成的铝(Al)膜实施蚀刻处理的装置。

蚀刻处理装置2，在其内部具有作为用于对基板S进行蚀刻处理的真空腔室的处理容器20。本实施方式的蚀刻处理装置2，例如为了至少可以处理长边是2m以上的大型四边形基板，处理容器20的平面形状例如为四边形，例如水平截面的一边形成为3.5m左右的大小，另一边可以形成为3.0m左右的大小。处理容器20例如由铝等热传导性以及导电性良好的材质构成，并且将该处理容器20接地。而且，在处理容器20的一个侧壁部21上，形成有用于将基板S搬入处理容器20内的搬入搬出口22，该搬入搬出口22通过门阀23可以自由开闭。

在处理容器20的内部，配置有在其上面载置基板S的载置台3。载置台3与等离子体发生用的第一高频电源部311以及等离子体中的离子引入用的第二高频电源部312电连接，起到使处理容器20内产生等离子体，并将该等离子体中的离子引入基板S表面的作用。载置台3借助绝缘部件32配置在处理容器20的底面上，由此作为下部电极的载置台3成为与处理容器20电绝缘的状态。

而且，载置台3上表面的周边部以及侧面，为了在载置台3的上四边形成均一的等离子体，通过由陶瓷材料构成的聚焦环33覆盖。聚焦环33起到调整基板S的周边区域的等离子体状态的作用，例如起到在基板S上集中等离子体，提高蚀刻速度的作用。

而且，载置台3上，设置有用于在设置于外部的未图示的搬送装置和该载置台3之间交接基板S的升降销34。升降销34与用于使其从载置台3的表面可以自如突出没入的升降机构35相连接，在交接基板S的位置与上述载置区域之间可以升降基板S。

另一方面，在载置台3的上方，以与该载置台的上表面相对的方式，设有平板状的上部电极4，该上部电极4支撑在方板状的上部电极基座41上。这些上部电极4以及上部电极基座41，例如由铝构成，由于上部电极基座41的上表面与处理容器20的顶棚部连接，由此上部电极4与处理容器20处于电导通状态。而且，由这些上部电极基座41以及上部电极4包围的空间构成蚀刻气体的气体扩散空间42。下面，将这些上部电极4、气体扩散空间42统一称作气体喷淋头40，本实施方式中，通过该气体喷淋头40构成处理气体供给单元。

在处理容器20的顶棚部，以连接上述气体扩散空间42的方式设有处理气体供给流路43，该处理气体供给流路43的另一端侧连接处理气体供给部44。而且，从处理气体供给部44向气体扩散空间42供给蚀刻气体时，该蚀刻气体通过设置于上部电极4的气体供给孔45供给至基板S上方的处理空间中，由此，就可以对基板S进行蚀刻处理。另一方面，构成排气部的排气流路24的一端侧与处理容器20的底壁连接，其另一端侧例如与未图示的真空泵连接。

而且，本实施方式的蚀刻处理装置2具有负荷对策用的整流部件5，该整流部件5为可以减轻伴随基板S的大型化而在构成该整流部件5的整流壁51上产生的弯曲的结构。下面，对该整流部件5进行详细的说明。

如图2、3所示，整流部件5是以沿着载置台上的基板S的各边延伸的方式配置有4块整流壁51，并通过连接这些整流壁51形成为四边形框状的部件。整流壁51彼此例如可以用陶瓷制的未图示的卡合工具或螺栓固定，也可以用陶瓷粘合剂等固定。

在四边形的整流部件5的四角的下缘部，设有从搬入搬出口22看，从分别位于左右两侧的整流壁51向左右两侧水平突出的例如氧化铝烧结体等陶瓷制的板状支撑部件52，在这些支撑部件52的前端部，连接有用于通过该支撑部件52使整流部件5升降的支撑棒53。各个支撑棒53贯通处理容器20的底面，通过升降板62与设置在处理容器20外部的升降机构61连接。而且，通过这些升降机构61，使支撑棒53同步升降，由此，可以使整流部件5在载置台3的上表面和其上方的位置之间升降。在这里，在支撑棒53贯通处理容器20的部位，设有例如与该处理容器20和升降板62连接，并覆盖支撑棒53的波纹管63，可以维持处理容器20内的真空度。

从搬入搬出口22搬入搬出的基板S，借助使整流部件5上升而形成的与载置台3之间的间隙进行搬送，但是升降整流部件5的支撑棒53由于支撑部件52的介入，从搬入搬出口22看，从整流壁51左右分离设置，这样可以不与这些支撑棒53相干涉而搬送基板S。另外，在图1中，为了方便起见，图示了与搬入搬出口22相对的整流壁51上，设置有支撑部件52和支撑棒53的情况，但是，实际上如上所述，也可以在不与搬入搬出口22相对的整流壁51上设置这些部件。

这里，在使整流部件5从载置台3上升的状态下，如果对施加在各个整流壁51的力进行观察，则整流壁51在由支撑部件52支撑两端的状态下，施加有基于自重的等分布的负荷。根据这样的负荷，将由支撑部件52支撑的部位作为端部的情况下，在相邻的2个端部间的中央部，整流壁51的弯曲最大，不采取任何减轻措施的情况下，会成为与背景技术中用图15(b)说明的现有的整流壁171相同的状态。这样的整流壁51的弯曲会成为搬入基板S时的障碍，或成为对载置台3单边接触的原因，这种担心正如背景技术中说明的那样。

因此，如图4所示，本实施方式的整流壁51以长度方向的中央部成为最高部的方式形成为其上缘逐渐变高的形状，例如拱形形状。图4的虚线，表示现有尺寸的整流壁171的上缘的高度位置，但本实施方式的整流壁51中，在弯曲最大的中央部，整流壁51比现有的高，因此在该位置上使整流壁51的刚性提高，有效地减轻弯曲的发生。另一方面，在弯曲不像中央部那么大的端部侧的区域，由于整流壁51的上缘与现有的整流壁171是同等的高度，因此可以抑制整流壁51整体重量的增加。另外，由于整流壁51是用于遮挡住蚀刻气体流，形成气体积存的部件，所以其下缘以与载置台3的上面平行的方式，形成为直线状。

整流壁51例如由氧化铝烧结体等的陶瓷构成，在端部侧的两端位置的上缘的高度“h”，例如是与现有的整流壁171同等高度的10mm～70mm，更优选是30mm～50mm的程度；在中央部的最高位置的上缘的高度“h’”，优选是30mm～100mm，更优选是50mm～80mm的程度。这里，该上缘的高度范围，适合于整流壁51的长度“L”优选为2m～4m，更优选为2.5m～3.5m的情况。

返回到蚀刻处理装置2的整体说明，如图1所示，蚀刻处理装置2与控制部7相连接。控制部7例如由具有未图示的CPU和程序的计算机构成，程序中编有与该蚀刻处理装置2的作用有关的、也就是与从向处理容器20内搬入基板S并对载置在载置台3上的基板S进行蚀刻处理到搬出的动作有关的控制等的步骤(命令)组。该程序存储在例如硬盘、移动硬盘、磁光纤盘、存储卡等存储媒介上，然后安装到计算机上。

下面，对与本实施方式相关的蚀刻处理装置2的动作进行说明。首先通过未图示的操作部，如果用户对控制部7选择目的蚀刻处理的加工菜单，那么在控制部7中基于该加工菜单向蚀刻处理装置2的各部输出控制信号，这样对基板S进行规定的蚀刻处理。另外，下面说明中使用的图5(a)，图5(b)中，为了图示的方便，适当省略了支撑部件52，各个升降机构(支撑棒53、升降机构61、升降销34等)的记载。

首先，如图5(a)所示，在向处理容器20内搬入基板S之前，使各个升降机构61动作，使支撑棒53上升，在把整流部件5抬升至整流部件5的下端不干涉基板S的搬送路径的高度位置的状态下待机。然后打开门阀23，通过未图示的外部搬送单元，将表面形成有铝膜的基板S搬入处理容器20内，并搬送至载置台3的载置区域的上方侧的交接位置。这时，如上所述，由于整流部件5由难以弯曲的整流壁51构成，所以可以确保整流部件5和载置台3之间有使基板S通过的足够的间隙。

基板S到达交接位置后，使升降销34上升，从搬送单元向该升降销34交接基板S，交接完基板S的搬送单元退出至处理容器20外，使升降销34下降，基板S被载置在载置台3的载置区域。然后，通过门阀23关闭搬入搬出口22，另一方面，各个升降机构61使支撑棒53动作，将整流部件5载置在载置台3上。

然后，如图5(b)所示，使真空泵运转，将处理容器20的内部空间调整到规定的压力，从已述的处理气体供给部44向基板S吐出蚀刻处理用的蚀刻处理气体、例如氯气。而且，从第一，第二的高频电源部311、312向载置台3供给高频电力，在基板S的上方侧的空间形成等离子体，基于下述(1)式表示的主要反应对基板S进行蚀刻处理。

3Cl*+Al→AlCl₃…(1)

从气体喷淋头40供给的蚀刻气体，在处理容器20内下降，到达基板S，在其表面进行蚀刻处理。而且，蚀刻气体沿着基板S的表面流向周边部侧，当到达环绕基板S载置的整流部件5的整流壁51时，气流被遮挡住。通过以整流壁51遮挡气流，该整流壁51的内侧区域，即基板S的周边部蚀刻气体的流速变慢，形成气体积存区域，可以使基板S周边部的蚀刻速度变慢。结果，与基板S的中央侧的蚀刻速度差变小，抑制了负荷效果。

这时，由于该整流壁51是难以弯曲的构造，可以防止例如整流部件5以单边接触的状态载置在载置台3上。

整流部件5的内侧形成的气体积存，很快超过整流壁51而向整流壁5的外侧溢流，通过聚焦环33(载置台3)和处理容器20之间的空间，流入排气流路24，向处理容器20的外侧排气。这样，如果基于加工菜单进行了规定时间的蚀刻处理，则停止蚀刻气体和高频电力的供给，使处理容器20内的压力恢复到原来的状态后，以与搬入时相反的顺序将基板S从载置台3交接给外部的搬送单元，从蚀刻处理装置2搬出，停止一系列的蚀刻处理。这个基板S的搬出和搬入时一样，因为整流壁51难以弯曲，在基板S搬出时，可以确保与载置台3之间具有充分的间隙，可以顺利的搬出基板S。

根据本实施方式，可以得到以下的效果。由于构成整流部件5的整流壁51的上缘向该整流壁51的中央部逐渐地变高，例如为拱形形状，因此在弯曲最大的中央部能够有效地减轻弯曲的发生，另一方面，在弯曲不像中央部那么大的，例如两端部侧的区域，由于整流壁51的上缘与现有的整流壁171是同等的高度，可以抑制整流壁51的重量的增加。由于具备这些特征，即使是配置在例如长边是2m以上的基板S周围的整流部件5，也可以减轻整流壁51的中央部的弯曲，可以避免搬入搬出时基板S与这些部件冲突的问题。而且，也难以产生在载置台3上以单边接触的状态下载置整流部件5的状况，可以避免例如因单边接触而产生的磨损、灰尘、破损等问题，进行面内均一性良好的蚀刻处理。

这里，本实施方式中，整流部件51的上缘形成“面向中央部逐渐变高的形状”，如图4所示，整流壁51的上缘不限定于沿着弧状连续变化的拱形形状，还包括例如图6(a)所示的整流壁51a的上缘阶梯状变化的情况，和如图6(b)所示的通过整流壁51b那样，通过直线倾斜连续变化的情况。

下面，对第二实施方式进行说明。如图7，图8所示，第二实施方式的蚀刻处理装置2a的整流壁51c的上缘，与该整流壁51c的两端相比，从靠近中央侧的区域向着中央部逐渐地变高为拱形形状，另一方面，该上缘从靠近上述中央侧区域向着整流壁51c的两端逐渐变高，总体上来看，该上缘的大致形状为扁平的W型。

本发明的发明者们，在基板S的周围配置由整流壁形成的整流部件抑制负荷的方法中，发现了：负荷抑制的程度与整流壁的高度之间存在相关关系，上述上缘越高负荷的抑制效果越高。而且，了解到：如果在使用如图14、15等所示的整个边的高度没有变化的细长的四边形形状的整流壁171制作整流部件17，来对四边形基板S进行蚀刻处理的情况下，观察的＝处理的均一性，则沿着基板S周边方向的各边的中央以及四个角可能会比其他区域的蚀刻量大。

根据这样的想法，以减轻弯曲为目的，利用使整流壁51形成为拱形形状的第一实施方式的整流壁51进行蚀刻，则由于与基板S周边部的各边的中央相对的整流壁51变高，所以该位置的负荷效果的抑制程度提高，降低蚀刻速度的效果提高。另一方面，与基板S的四个角相对的区域，因为整流壁51较低，所以相对地负荷效果的抑制程度较低，因此该四个角的蚀刻量可能会依旧较大。

因此，如图7所示，第二实施方式的整流壁51c中，即使是与基板S的四个角相对的区域，通过使整流壁54的上缘缓地变高为例如拱形形状，提高了基板S的周边部的中央以及四个角的双方负荷的抑制程度，整体上可以提高基板S的周边部的周方向的蚀刻处理的均一性。另外，在图7中，与第一实施方式的处理装置2同样的构成要素，用与图3同样的符号表示。

这时，有关使整流壁51c的中央部和端部沿着什么范围升高到什么程度，例如可以基于设计阶段的模拟以及预备实验的结果，来决定能够提高上述周方向上的蚀刻速度的均一性的适当的形状。而且，考虑到在整流壁51c的端部侧设有上缘较高的部分而引起对重量化的影响，评价弯曲的减轻程度以及对升降机构61增加的负担，反映其评价结果来改变整流壁51c的形状等，通过试行错误来决定整流壁51c的形状。

其次，说明第三实施方式。在第三实施方式的蚀刻处理装置2b中，如图9所示，构成整流部件5的整流壁51d与现有的整流壁171同样是细长的四边形形状，这一点上与其上缘形成为拱形形状的第一实施方式的整流壁51不同。而且，该整流壁51d由密度不同的2种材料构成的这一点，也与整流壁51由单独的材料构成的第一实施方式不同。

图10表示了第三实施方式的整流壁51d的构成例子，该整流壁51d包括：例如与第一实施方式的整流壁51具有同样构成的第一块状部件511；和设置在该第一块状部件511的上部并与该第一块状部件511一体形成的、例如形成细长的四边形形状板材的第二块状部件512。用支撑部件52支撑的2处的中间位置，即在整流壁51d的两端之间的中央部通过加大第一块状部件511的上下方向的尺寸，使该中央部难以弯曲。

这里，上述的第二实施方式中，对如果使用采用了图14、图15所示的细长的四边形形状的整流壁171的整流部件17，则周边部的各边的中央以及四个角可能会比其他区域的蚀刻量大的情况进行了说明。但是，该四边形形状的整流壁171使用在实际的装置中，具有其蚀刻处理的面内的均一性满足质量标准的可观的实际成绩也是事实。因此，第三实施方式中，与现有的整流壁171相同，通过采用所有的边高度一定的整流壁51d，使基板S的周边部的周方向的蚀刻处理的面内均一性与现有技术程度相同。

但是，单纯的将第一块状部件511和第二块状部件用相同的部件构成的情况，与现有的整流壁171的上与缘变高的情况没有任何区别，加重升降机构61的负担以及伴随重量化的维护性恶化等，背景技术所述的各种问题会很明显。因此，在第三实施方式中，使用与构成第一块状部件511的部件相比密度低的部件、例如多孔质氧化铝的烧结体等的多孔质陶瓷形成第二块状部件512，以此来抑制整流壁51d的重量的增加。多孔质氧化铝，最好是例如气孔率是20％～60％程度的材料，即密度是通常的陶瓷的80％～40％程度的材料。

用具有这样的构成的整流壁51d制作整流部件，如图9所示，例如通过设置在与所述的第一实施方式具有同样构成的蚀刻处理装置2b中，与现在采用的整流壁相同，由于在沿着整流部件5的整个周长，整流壁51d的高度一定的条件下进行蚀刻处理，所以可以将负荷的影响抑制在与现有的技术同样的程度，并减轻整流壁51d的弯曲。另外，在图9中，与第一实施方式的蚀刻处理装置2同样的构成要素，用与图3同样的符号表示。

这里，上述的实施方式中，对由多孔质氧化铝等的多孔质陶瓷构成第二块状部件512的情况进行了说明，但密度低的材料并不局限于此。例如可以通过在通常的陶瓷内部形成空洞的材料构成第二块状部件512，达到减轻重量的目的。

而且，第一块状部件511的形状也不限于图10所示的拱形形状，可以将第一实施方式的图6(a)，图6(b)所示的形成为各种形状的部件作为第一块状部件511，其与第二块状部件组合形成细长的四边形形状的整流壁。而且，也不局限于面向第一块状部件511的中央部逐渐变高的形状，例如图11(a)所示的整流壁51e，在弯曲较大的中央部附近的区域第一块状部件511的上缘形成凸状，中央部的区域比端部侧高，有此也能达到本发明的效果。

而且，本实施方式的整流壁不局限于将第一块状部件511配置在下侧，将密度低的第二块状部件512配置在上侧的情况，例如可以使用，使图4以及图6(a)等所示的各种整流壁51、51a上下翻转作为第一块状部件511，并在该部件511的下方侧配置第二块状部件512的整流壁。而且，如图6(b)所示，以上缘、下缘的双方从端部向着中央部变化成例如拱形形状的方式，构成第一块状部件511，该第一块状部件511的上侧、下侧双方与第二块状部件512接合构成四边形形状的整流壁51f。此外，将上述的第二实施方式的整流部件51c作为第一块状部件511的情况也包含在本实施方式的范围内。

这里，第二实施方式的整流壁51c与第三实施方式的整流壁51d～51f均为用于提高基板S的周边部的蚀刻均一性的构造，前者是积极的调节均一性的构成，后者是用于得到与现有技术相同程度的均一性的构成，其考虑方法不同。因此，应该采用各实施方式51c、51d～51f的哪一个，还是应该基于模拟以及预备实验，采用哪个整流壁51c、51d～51f，在把握能否将基板S的周边部进一步提高的基础上，考察对升降机构61的负荷和装置成本等的影响来综合决定。

而且，第三实施方式中，在基板S进一步大型化等情况下，例如图11(c)所示，可以在一块整流壁51g上设置3个以上的支撑部件52。这种情况下，整流壁51g的长度方向每相邻的2处支撑部件52，在其间的中央区域弯曲有可能变大。因此，该整流壁51g通过将第一块状部件511的上下方向的尺寸设定为在这多个中央区域中，与其两侧相比较大，而可以减轻在各中央区域发生的弯曲，而且，可以将基板S的周边部的蚀刻均一性维持在与现有技术相同的程度。

以上说明的第一～第三实施方式中，对用4块同一种类的整流壁51、51a～51g构成整流部件5的例子进行了说明。但也可以将不同种类的整流壁51、51a～51g组合来构成整流部件5。

而且，本发明的处理装置不限于铝膜的蚀刻处理，也适用于铝合金，钛，钛合金等的金属膜和绝缘膜、半导体膜的蚀刻或它们的层积膜。而且，也适用于蚀刻处理以外的、例如灰化或CVD(Chemical VaporDeposition)等，用其他处理气体对被处理体进行处理的处理。而且，处理未必限定于等离子体处理，其他的气体处理也可以。而且，被处理体不限于四边形的基板，FPD基板以及其他的、例如圆形的半导体晶片也可以。

Claims

1.一种处理装置，其特征在于，包括：

设置在处理容器的内部，用于载置被处理体的载置台；

用于从该载置台的上方侧供给处理气体，对载置在该载置台上的被处理体进行处理的处理气体供给单元；

用于排出所述处理容器内气体的气体排气部；

连接有多个沿着所述载置台上的被处理体的各边延伸的整流壁，并以包围该被处理体的方式构成的整流部件；以及

支撑所述整流壁的两端部的支撑部件，

所述整流壁的上缘形成为向该整流壁的中央部逐渐变高的形状，其下缘形成为与所述载置台的上表面平行。

2.根据权利要求1所述处理装置，其特征在于：

所述整流壁的上缘形成为向该整流壁的中央部连续变高。

3.根据权利要求2所述的处理装置，其特征在于：

所述整流壁的上缘形成为拱形形状。

4.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于：

所述整流壁的上缘形成为向该整流壁的中央部阶梯状地变高

5.根据权利要求1-4的任意一项所述的处理装置，其特征在于：

所述整流壁的上缘形成为向该整流壁的两端逐渐变高。

6.一种处理装置，其特征在于，包括：

设置在处理容器的内部，用于载置被处理体的载置台；

用于排出所述处理容器内气体的气体排气部；

连接有多个沿着所述载置台上的被处理体的各边延伸的整流壁，并以包围该被处理体方式构成的整流部件；以及

支撑所述整流壁两端部的支撑部件，

所述整流壁由第一块状部件和第二块状部件接合而成，其中，第二块状部件接合在该第一块状部件的上侧或者下侧的至少一方，并由比构成该第一块状部件的材料的密度低的材料构成，所述第一块状部件的上下方向的尺寸形成为向该整流壁的中央部逐渐变大。

7.根据权利要求6所述的处理装置，其特征在于，

所述第一块状部件的上下方向的尺寸形成为向所述整流壁的中央部连续或者阶梯状地变大。

8.根据权利要求6或者7所述的处理装置，其特征在于：

所述第一块状部件是陶瓷制，所述第二块状部件是多孔质陶瓷制。

9.根据权利要求1-4、6以及7的任意一项所述的处理装置，其特征在于：

具有升降机构，该升降机构通过使所述支撑部件升降，而使所述整流部件在所述载置台的上表面和该载置台的上方的位置之间升降。

10.根据权利要求1-4、6以及7的任意一项所述的处理装置，其特征在于：

所述被处理体是四边形基板，所述整流壁沿着该四边形基板的各边延伸。