CN101560644A - 磁控溅射设备和薄膜的制造方法 - Google Patents

磁控溅射设备和薄膜的制造方法 Download PDF

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Abstract

磁控溅射设备和薄膜的制造方法。为了通过磁控溅射形成LaB6薄膜，对靶材(11)施加直流电力和来自高频电源(193)的已滤掉低频成分的高频成分电力，并且在施加高频成分电力和直流电力期间，对基板保持件(13)施加来自另一直流电源(21)的直流电力。从而，改进了所获得的LaB6薄膜的大面积晶域方向上的单晶性。

Description

磁控溅射设备和薄膜的制造方法
技术领域
本发明涉及一种含有硼原子和镧原子的硼-镧化合物薄膜的制造设备和该薄膜的制造方法。
背景技术
如日本专利公报No.286228/1989、No.232959/1991和No.101033/1991所述，传统上已知作为二次电子生成膜的如LaB6等硼-镧化合物的薄膜。在上述三个公报中说明的传统发明通过溅射法形成硼-镧化合物的单晶薄膜。
但是，当将传统的溅射设备和溅射方法所形成的硼-镧化合物薄膜应用到二次电子源膜时，作为二次电子源膜，其电子生成效率并不令人满意。
尤其是，在将由如LaB6等硼-镧化合物形成的薄膜用于FED(场发射显示器)或SED(表面传导电子发射显示器)时，目前还没有获得用于显示装置的令人满意的亮度。
发明内容
根据本发明人进行的研究，上述缺陷的原因是由硼-镧化合物形成的薄膜的晶体成长不足。尤其是，如果膜具有10nm以下的非常小的厚度，则单晶性在大面积晶域方向上不足，由于晶粒界面，没有形成大面积晶域。
本发明人所进行的研究发现，大面积晶域方向上的单晶性的改进可大大提高二次电子生成效率，尤其是，可提高如FED或SED等电子生成装置的亮度。亮度的提高减小了FED或SED的正极电压，同时还能增大可用荧光体的可用范围或选择范围。
本发明提供一种能够改进大面积晶域方向上的单晶性以形成由如LaB6等硼-镧化合物构成的薄膜的制造设备及该薄膜的制造方法。
根据本发明的第一种磁控溅射设备包括：第一室；排气装置，其用于对第一室的内部进行真空排气；阴极，其能够安装由含有硼原子和镧原子的硼-镧化合物构成的靶材；以及高频电源，其用于对阴极施加高频电力。该第一种磁控溅射设备还包括：第一直流电源，其用于在施加高频电力期间对阴极施加直流电力；磁场生成装置，其用于使靶材的表面暴露于磁场；第一基板保持件，其用于将基板保持在与阴极相对的位置处；以及第二直流电源，其用于对第一基板保持件施加直流电力。
根据本发明的第二种磁控溅射设备从第一种磁控溅射设备省略了第二直流电源，并且设置用于从高频电源滤掉低频成分的滤波器，该高频电源用于对阴极施加高频电力。
根据本发明的第三种磁控溅射设备为对第一种磁控溅射设备设置了用于从高频电源滤掉低频成分的滤波器，该高频电源用于对阴极施加高频电力。
根据本发明的第一种和第三种磁控溅射设备的优选实施方式具有作为来自第二直流电源的直流电力的脉冲波形电力。该脉冲波形优选具有相位与来自高频电源的低频成分的相位相反的波形。
根据本发明的第一种至第三种磁控溅射设备的优选实施方式还包括退火(annealing)单元，该退火单元设置有：第二室；用于在第二室内生成离子、电子或活性物种中的至少一种的装置；第二基板保持件，其用于保持基板；以及加热装置，其用于加热基板。在具有上述退火单元的实施方式中，优选满足如下任一或二者：以能够将第一室和第二室的内部保持为真空状态(减压状态)的状态连接第一室和第二室；具有用于对第二基板保持件施加直流电力的第三直流电源。
除了第一种磁控溅射设备中的用于对阴极施加高频电力的高频电源(第一高频电源)之外，根据本发明的第四种磁控溅射设备还设置有用于对基板保持件施加高频电力的第二高频电源。
除了第三种磁控溅射设备中的用于对阴极施加高频电力的高频电源(第一高频电源)之外，根据本发明的第五种磁控溅射设备还设置有用于对基板保持件施加高频电力的第二高频电源。
除了第三种磁控溅射设备中的用于对阴极施加高频电力的高频电源(第一高频电源)和用于从第一高频电源滤掉低频成分的滤波器(第一滤波器)之外，根据本发明的第六种磁控溅射设备还设置有用于对基板保持件施加高频电力的第二高频电源和从第二高频电源滤掉低频成分的第二滤波器。
根据本发明的第一种薄膜的制造方法包括：使用由含有硼原子和镧原子的硼-镧化合物构成的靶材由磁控溅射方法在经过真空排气的气氛中在由基板保持件保持的基板上形成硼-镧化合物薄膜，其中，对靶材施加从高频电源滤掉低频成分而得到的高频成分电力和来自第一直流电源的第一直流电力，在施加高频成分电力和第一直流电力期间，从第二直流电源对基板保持件施加第二直流电力。
根据本发明的第一种薄膜的制造方法，第二直流电力优选是脉冲波形电力，硼-镧化合物优选是化学计量的或非化学计量的LaB6。
根据本发明的第一种薄膜的制造方法的优选实施方式还包括：加热硼-镧化合物薄膜，并且在加热期间、之后或之前使该硼-镧化合物薄膜暴露于离子气氛、电子气氛或活性物种气氛中的至少一种气氛中。
根据本发明的第一种薄膜的制造方法的另一优选实施方式还包括：加热硼-镧化合物薄膜，并且在加热期间、之后或之前，在施加直流电场下，使该硼-镧化合物薄膜暴露于离子气氛、电子气氛或活性物种气氛中的至少一种气氛中。
根据本发明的第二种薄膜的制造方法包括：使用由含有硼原子和镧原子的硼-镧化合物构成的靶材由磁控溅射方法在经过真空排气的气氛中在由基板保持件保持的基板上形成硼-镧化合物薄膜，其中，对靶材施加高频成分电力和来自第一直流电源的第一直流电力，在施加高频成分电力和第一直流电力期间，从第二直流电源对基板保持件施加第二直流电力。
根据本发明，提高了由如LaB6等硼-镧化合物构成的薄膜的二次电子生成效率。并且，可提高使用该薄膜作为二次电子源膜的FED或SED显示装置的亮度。
附图说明
图1是根据本发明的第一实施例的磁控溅射设备的截面图。
图2是本发明的电子生成装置的示意性截面图。
图3A和图3B是LaB6薄膜的放大截面图，图3A是本发明的LaB6薄膜，图3B不是根据本发明的LaB6薄膜。
图4是根据本发明的第二实施例的立式串联(verticalin-line)磁控溅射设备的截面图。
图5是根据本发明的第三实施例的磁控溅射设备的截面图。
具体实施方式
图1是根据本发明的第一实施例的设备的示意图。附图标记1是第一室，2是与第一室1真空连接的第二室(退火单元)，3是基板充电室，4是放电室，5是闸门阀，11是使用如LaB6等硼-镧化合物的靶材，12是基板，13是用于保持基板12的基板保持件(第一基板保持件)，14是溅射气体进给***，15是基板保持件(第二基板保持件)，16是加热机构，17是等离子电极，18是用于等离子源的气体进给***，19是溅射高频电源***，101是能够安装由含有硼原子和镧原子的硼-镧化合物构成的靶材11的阴极，102是磁场生成装置，103是磁场区，191是极间耦合电容器，192是匹配电路，193是高频电源，194是溅射偏置电源，20是(退火)基板偏置电源，21是基板偏置电源(第二直流电源)，22是用于等离子源的高频电源***，221是极间耦合电容器，222是匹配电路，223是高频电源，23是从高频电源193滤掉低频成分以提供高频成分电力的低频截止滤波器(第一滤波器)。
基板12被放置在第一室1中的第一保持件13上且面对阴极101，第一室的内部被抽真空并且被加热(增温到用于稍后进行的溅射用温度)。由加热机构16进行该加热。然后，从溅射气体进给***14导入溅射气体(氩气、氪气、氙气)以设定规定压强(0.01Pa至50Pa，优选0.1Pa至10Pa)，并且使用溅射电源***19开始成膜。
随后，从高频电源193施加高频电力(0.1MHz至10GHz的频率，优选为1MHz至5GHz的频率，100W至3000W的施加功率，优选为200W至2000W的施加功率)以产生等离子，由第一直流电源194将直流电力(电压)设定为规定电压(-50V至-1000V，优选-100V至-500V)，并且进行溅射成膜。在基板12侧，由第二直流电源21以规定电压(-10V至-1000V，优选-100V至-500V)对第一基板保持件13施加直流电力(电压)。在从高频电源193施加高频电力之前、与施加该高频电力同时、或者接着该高频电力的施加完成之后，可以从第一直流电源194施加直流电力(第一直流电力)。
从第二直流电源21和/或溅射高频电源***19向第一基板保持件13施加直流电力和/或高频电力的位置优选为关于第一基板保持件13的中心点对称的多个点。例如，可以将关于第一基板保持件13的中心点对称的位置确定为多个直流电力和/或高频电力的施加位置。
由永磁体或电磁体制成的磁场生成装置102被配置在阴极101的后方位置，使得靶材11的表面可暴露于磁场103。期望磁场103不到达基板12的表面，但是，如果磁场103的能级(level)不使硼-镧化合物膜的大面积单晶域变窄，则磁场103也可以到达基板12的表面。
磁场生成装置102的S极和N极可被配置成在相对于阴极103的平面的垂直方向上具有彼此相反的极性。确定相邻的磁体在相对于阴极103的平面的垂直方向上具有彼此相反的极性。
磁场生成装置102的S极和N极还可被配置成在相对于阴极103的平面的水平方向上具有彼此相反的极性。在该情况下，也确定相邻的磁体在相对于阴极103的平面的水平方向上具有彼此相反的极性。
在本发明的优选实施方式中，磁场生成装置102可在相对于阴极103的平面的水平方向上进行摆动运动(oscillatingmovement)。
本发明中所用的第一滤波器23可从高频电源193滤掉低频成分(0.01MHz以下、尤其是0.001MHz以下的频率成分)。单晶域大小显然取决于是否使用第一滤波器23而变化。当使用第一滤波器23时，单晶域具有1μm2至1mm2的平均面积，并且优选具有5μm2至500μm2的平均面积，当不使用第一滤波器23时，单晶域具有0.01μm2至1μm2的平均面积。
另外，本发明能通过从基板12侧的第二直流电源21施加直流电力(电压)来增加单晶域的平均面积。该第二直流电源21(电压)也可以是在时间平均上具有直流成分(相对于地的直流成分)的脉冲波形电源。
本发明还可通过添加退火处理来增加单晶域的平均面积。
在通过上述磁控溅射方法完成成膜之后，在保持真空状态的同时经由闸门阀5将基板12输送到第二室2中，将基板12放置在第二室2中的第二保持件15上，并且由加热机构16开始退火(200℃至800℃，优选300℃至500℃)。当进行退火时，由等离子源用的气体进给***18将来自等离子源气体(氩气、氪气、氙气、氢气、氮气或类似气体)的等离子放射到基板12，并且可以由第二直流电源21施加规定电压(-10V至-1000V，优选-100V至-500V)。在完成退火之后，将第二室2的内部恢复成大气状态，并且移除基板12。
此外，用于等离子源的电源***22设置有极间耦合电容器221、匹配电路222和高频电源223，可以从高频电源223施加高频电力(0.1MHz至10GHz的频率，优选1MHz至5GHz的频率，100W至3000W的功率，优选200W至2000W的功率)。
由加热机构16将第二基板保持件15加热到规定温度，并且对放置在第二基板保持件15上的基板12进行退火处理。这里，加热机构16的预设温度和退火处理时间取决于所需的膜性质而被调整到最佳值。此时，可通过向基板12放射离子、电子、自由基(活性物种)或类似物的粒子束来进一步增强退火效果。可以在加热基板12期间、之后或之前进行离子、电子、自由基(活性物种)或类似物的粒子束的放射。
在本实施例中，说明了使用平行板型高频放电电极17(等离子电极17)的等离子源的例子，但是也可使用多磁极会切场(bucket)型离子源、ECR(电子回旋共振)离子源、电子束放射装置或类似物。其上放置基板12的第二基板保持件15可具有浮动的电位，但是，从第二直流电源21施加规定偏置电压以使入射粒子的能量在规定能级也是有效的。通过未示出的输送室、输送机构和充放电室将已经受退火处理的基板12移送到大气中。在形成LaB6薄膜之后，该设备在不将基板12移送到大气中的情况下进行退火处理和其它处理，使得LaB6表面不被大气中所含的成分污染。从而，可以获得具有良好的晶体结构的LaB6薄膜。
本发明可通过使用理想配比成分的靶材来形成作为化学计量薄膜的LaB6薄膜。
根据本发明的另一实施例，可通过使用化学计量LaB6靶材和La靶材的同时溅射法来形成非化学计量薄膜。
在本发明中使用的LaB6薄膜还可含有如Ba金属等其它成分。
在图2中，208是具有形成锥形突起209的钼膜(阴极电极)202和覆盖该钼膜的突起209的LaB6膜203的电子源基板。附图标记210是由玻璃基板207、形成在玻璃基板207上的荧光体膜206以及由薄铝膜制成的阳极电极205组成的荧光体基板。电子源基板208和荧光体基板210之间的空间204是真空空间。100V至3000V的直流电压被施加到阴极电极202和阳极电极205之间，以从钼膜202的覆盖有LaB6膜203的突起209的尖端朝向阳极电极205发射电子束。电子束透过阳极电极205撞击荧光体膜，可产生荧光。
图3A和图3B是图2的覆盖有LaB6膜203的突起209的放大截面图。图3A的突起209覆盖有根据本发明形成的LaB6膜203，在该膜中形成被晶粒界面301围绕的大面积单晶域302。大面积单晶域302具有1μm2至1mm2的平均面积，并且优选具有5μm2至500μm2的平均面积。图3B的突起209覆盖有不是根据本发明形成的LaB6膜203，并且在该膜中形成小面积单晶域303。该小面积单晶域303具有0.01μm2至1μm2的平均面积。
然后，制造图2所示的电子生成装置，并且视觉观察和评价其亮度。评价结果在下表1中示出。
通过在玻璃基板201上形成厚度为3μm的钼膜202和圆锥半径为1μm且高度为2μm的突起209、然后由磁控偏置溅射法形成厚度为5nm的LaB6膜203，来制造电子源基板208。
为了形成这里使用的LaB6膜203，如下表1所示改变来自第一直流电源194(-250V)和第二直流电源21(-100V)的直流电力的使用以及滤波器的使用。对于高频电源193，使用13.56MHz的频率和800W的功率。
电子生成装置具有由电子源基板208、具有阳极电极205的荧光体基板210以及2mm厚的密封构件(未示出)构成的真空室。阳极电极205和阴极电极202被连接到500伏的直流电源211。
表1
Figure A20091013551200151
图4所示的设备是根据本发明的第二实施例的立式串联溅射设备的例子，该设备以从上方看的截面图示出。与图1中的附图标记相同的附图标记表示相同的部件或相应的部件。
两个基板12分别被固定到两个基板保持件42，与基板保持件42一起被从大气侧经由闸门阀51输送到充电室3中，然后被处理。当将托盘(tray)(未示出)输送到充电室3中时，闸门阀51关闭，由未示出的排气***将该室的内部抽真空。当抽真空到规定压强以下时，通向第一室1的闸门阀52打开，托盘被输送到第一室1中，并且闸门阀52关闭。然后，以与第一实施例中说明的方式相同的方式形成LaB6薄膜，并且以与第一实施例中说明的方式相同的方式排出溅射气体。在排气到规定压强之后，通向第二室2的闸门阀53打开，托盘被输送到第二室2中。被保持在规定温度的加热机构16被配置在第二室2内，基板12可与第二基板保持件15一起经受退火处理。此时，可以以与图1所示的实施例中的方式相同的方式使用电子、离子、自由基等。在完成退火之后，对室的内部抽真空，通向放电室4的闸门阀54打开，托盘被输送到放电室4中，并且基板12被固定到基板保持件43。然后，闸门阀54关闭。放电室4设置有用于在退火后降低基板温度的冷却板44。在降低到规定温度之后，放电室4的内部由于泄漏气体(氮气、氢气、氩气或类似气体)而恢复到大气压强，闸门阀55打开以将托盘移送到大气中。
在该实施例中，托盘在第一室1和第二室2中以静止的状态被处理，但是也可以在移动的状态下被处理。在该情况下，可以根据需要添加第一室1和第二室2，以与整个设备的处理速度的加速平衡。
作为磁控溅射方法，上面说明的是同时使用高频电力和直流电力二者的方法。但是，可以取决于所需的膜品质而在不施加高频的情况下由第一直流电源194进行磁控溅射。该情况具有如下优点：不需要高频电源193和匹配电路192，可以减少设备所需成本。
图5是根据本发明的第三实施例的设备的示意图。本实施例的设备设置有添加到图1的设备的用于基板的高频电源***505。用于基板的高频电源***505被用来经由基板保持件13对基板12施加高频电力。
本实施例中的溅射高频电源***19以与图1的设备相同的方式设置有极间耦合电容器191、匹配电路192和高频电源(第一高频电源)193。并且溅射高频电源***19与第一滤波器23连接，该第一滤波器23从第一高频电源193滤掉低频成分。
在本实施例中添加的用于基板的高频电源***505设置有极间耦合电容器502、匹配电路503和高频电源(第二高频电源)504。并且用于基板的高频电源***505与滤波器(第二滤波器)501连接，该第二滤波器501从第二高频电源504滤掉低频成分。
用于基板的高频电源***505从第二高频电源504输出高频电力(0.1MHz至10GHz的频率，优选1MHz至5GHz的频率，100W至3000W的施加功率，优选200W至2000W的施加功率)，并且可从极间耦合电容器502、匹配电路503和第二高频电源504经由滤掉低频成分的第二滤波器501向基板12施加高频电力。可以省略掉第二滤波器501的使用。
由图5所示的设备制造的电子生成装置可以实现比由实施例1实现的荧光体亮度大得多的亮度。
根据本发明，用于磁控溅射的磁体单元可以是通常使用的永磁体。
在停止托盘的移动之后进行磁控溅射的情况下，设置面积比基板12的面积稍大的靶材，多个磁体单元被配置在靶材的背面，并且磁体单元之间具有适当的间隔，使这些磁体单元在与靶材的表面平行的方向上进行直移运动。从而，可获得靶材的良好的厚度均匀性和高利用率。在移动托盘的同时进行溅射的情况下，可以将磁体单元和宽度比基板的长度小的靶材用于基板12的移动方向。
已经参照附图说明了本申请的优选实施方式和实施例，但本发明不限于上述实施方式和实施例。应当理解，在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明进行变型和修改。

Claims (17)

1.一种磁控溅射设备，其包括：
第一室；
排气装置，其用于对所述第一室的内部进行真空排气；
阴极，其能够安装由含有硼原子和镧原子的硼-镧化合物构成的靶材；
高频电源，其用于对所述阴极施加高频电力；
第一直流电源，其用于在施加所述高频电力期间对所述阴极施加直流电力；
磁场生成装置，其用于使所述靶材的表面暴露于磁场；
第一基板保持件，其用于将基板保持在与所述阴极相对的位置处；以及
第二直流电源，其用于对所述第一基板保持件施加直流电力。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，第二直流电力是脉冲波形电力。
3.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述设备还包括退火单元，该退火单元设置有：第二室；用于在所述第二室内生成离子、电子或活性物种中的至少一种的装置；第二基板保持件，其用于保持所述基板；以及加热装置，其用于加热所述基板。
4.根据权利要求3所述的磁控溅射设备，其特征在于，以能够将所述第一室和所述第二室的内部保持为真空状态的状态连接所述第一室和所述第二室。
5.根据权利要求3所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述设备还包括第三直流电源，该第三直流电源用于对所述第二基板保持件施加直流电力。
6.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述硼-镧化合物是化学计量的或非化学计量的LaB6。
7.一种磁控溅射设备，其包括：
第一室；
排气装置，其用于对所述第一室的内部进行真空排气；
阴极，其能够安装由含有硼原子和镧原子的硼-镧化合物构成的靶材；
高频电源，其用于对所述阴极施加高频电力；
第一直流电源，其用于在施加所述高频电力期间对所述阴极施加直流电力；
滤波器，其用于从所述高频电源滤掉低频成分；
磁场生成装置，其用于使所述靶材的表面暴露于磁场；以及
第一基板保持件，其用于将基板保持在与所述阴极相对的位置处。
8.一种磁控溅射设备，其包括：
第一室；
排气装置，其用于对所述第一室的内部进行真空排气；
阴极，其能够安装由含有硼原子和镧原子的硼-镧化合物构成的靶材；
高频电源，其用于对所述阴极施加高频电力；
第一直流电源，其用于在施加所述高频电力期间对所述阴极施加直流电力；
滤波器，其用于从所述高频电源滤掉低频成分；
磁场生成装置，其用于使所述靶材的表面暴露于磁场；
第一基板保持件，其用于将基板保持在与所述阴极相对的位置处；以及
第二直流电源，其用于对所述第一基板保持件施加直流电力。
9.一种磁控溅射设备，其包括：
第一室；
排气装置，其用于对所述第一室的内部进行真空排气；
阴极，其能够安装由含有硼原子和镧原子的硼-镧化合物构成的靶材；
第一高频电源，其用于对所述阴极施加高频电力；
第一直流电源，其用于在施加所述高频电力期间对所述阴极施加直流电力；
磁场生成装置，其用于使所述靶材的表面暴露于磁场；
基板保持件，其用于将基板保持在与所述阴极相对的位置处；
第二直流电源，其用于对所述基板保持件施加直流电力；以及
第二高频电源，其用于对所述基板保持件施加高频电力。
10.一种磁控溅射设备，其包括：
第一室；
排气装置，其用于对所述第一室的内部进行真空排气；
阴极，其能够安装由含有硼原子和镧原子的硼-镧化合物构成的靶材；
第一高频电源，其用于对所述阴极施加高频电力；
第一直流电源，其用于在施加所述高频电力期间对所述阴极施加直流电力；
滤波器，其用于从所述第一高频电源滤掉低频成分；
磁场生成装置，其用于使所述靶材的表面暴露于磁场；
基板保持件，其用于将基板保持在与所述阴极相对的位置处；
第二直流电源，其用于对所述基板保持件施加直流电力；以及
第二高频电源，其用于对所述基板保持件施加高频电力。
11.一种磁控溅射设备，其包括：
第一室；
排气装置，其用于对所述第一室的内部进行真空排气；
阴极，其能够安装由含有硼原子和镧原子的硼-镧化合物构成的靶材；
第一高频电源，其用于对所述阴极施加高频电力；
第一直流电源，其用于在施加所述高频电力期间对所述阴极施加直流电力；
第一滤波器，其用于从所述第一高频电源滤掉低频成分；
磁场生成装置，其用于使所述靶材的表面暴露于磁场；
基板保持件，其用于将基板保持在与所述阴极相对的位置处；
第二直流电源，其用于对所述基板保持件施加直流电力；
第二高频电源，其用于对所述基板保持件施加高频电力；以及
第二滤波器，其用于从所述第二高频电源滤掉低频成分。
12.一种薄膜的制造方法，其包括：
使用由含有硼原子和镧原子的硼-镧化合物构成的靶材由磁控溅射方法在经过真空排气的气氛中在由基板保持件保持的基板上形成硼-镧化合物薄膜，其中：
对所述靶材施加从高频电源滤掉低频成分而得到的高频成分电力和来自第一直流电源的第一直流电力，
在施加所述高频成分电力和所述第一直流电力期间，从第二直流电源对所述基板保持件施加第二直流电力。
13.根据权利要求12所述的薄膜的制造方法，其特征在于，所述第二直流电力是脉冲波形电力。
14.根据权利要求12所述的薄膜的制造方法，其特征在于，所述硼-镧化合物是化学计量的或非化学计量的LaB6。
15.根据权利要求12所述的薄膜的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：
加热所述硼-镧化合物薄膜，并且在加热期间、之后或之前使该硼-镧化合物薄膜暴露于离子气氛、电子气氛或活性物种气氛中的至少一种气氛中。
16.根据权利要求12所述的薄膜的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：
加热所述硼-镧化合物薄膜，并且在加热期间、之后或之前，在施加直流电场下，使该硼-镧化合物薄膜暴露于离子气氛、电子气氛或活性物种气氛中的至少一种气氛中。
17.一种薄膜的制造方法，其包括：
使用由含有硼原子和镧原子的硼-镧化合物构成的靶材由磁控溅射方法在经过真空排气的气氛中在由基板保持件保持的基板上形成硼-镧化合物薄膜，其中：
对所述靶材施加高频成分电力和来自第一直流电源的第一直流电力，
在施加所述高频成分电力和所述第一直流电力期间，从第二直流电源对所述基板保持件施加第二直流电力。
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