CN101533663B - 提高闪存介质数据存取速度的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种提高闪存介质数据存取速度的方法，包括：获取闪存介质的闪存特性的步骤；接收写入配置参数的命令；执行写入配置参数的命令，将所述闪存特性写入内部信息记录表；写入用于控制数据存取的信息，对所述闪存介质格式化；根据配置参数绑定物理块的步骤；对绑定物理块进行数据操作的步骤。本发明提供的提高闪存介质数据存取速度的方法能将多片、多种类型、各种厂商的闪存介质统一起来，形成统一的通用管理模块进行配置管理，按照配置进行页和块的灵活逻辑绑定，最大限度地提高读写速度，提高存储装置主控的数据处理能力。

Description

提高闪存介质数据存取速度的方法

技术领域

本发明涉及半导体存储介质领域，特别涉及一种提高闪存介质数据存取速度的方法。

背景技术

随着半导体存储技术的发展，以闪存介质作为数据存储介质的存储装置如闪存盘已较为普及，而此类存储装置的主要成本是闪存介质芯片。而生产闪存介质芯片的厂家越来越多，各厂家生产的闪存介质芯片的类型和所使用的技术也可能存在较大差异，旨在提高闪存介质芯片数据读写速度的技术也是不断更新，如外部交叉读写技术（interleave）、内部交叉读写技术、多阶读写技术（two plane）等。

如前所述，闪存介质本身存在多种提高数据读写速度的技术，但不同生产厂家所生产的闪存介质的类型以及所采用的数据读写技术不相同，相互之间存在不兼容或不支持的情况，如支持东芝（Toshiba）闪存介质的数据读写技术就不支持三星（Samsung）的，支持镁光（Micron）闪存介质的数据读写技术就不支持现代（Hyundai）的。基于以上原因，当某一存储装置中包括两种以上不同厂家生产的闪存介质芯片或多块闪存介质芯片时，将无法通过各自支持的数据存取技术提高该存储装置的数据存取速度。

发明内容

本发明提供一种提高闪存介质数据存取速度的方法，包括：

获取闪存介质的闪存特性的步骤；

接收写入配置参数的命令；

执行写入配置参数的命令，将所述闪存特性写入内部信息记录表；

写入用于控制数据存取的信息，对所述闪存介质格式化;

根据配置参数绑定物理块的步骤，其中，该步骤包括为绑定物理块分配物理地址，并建立绑定对照关系；

对绑定物理块进行数据操作的步骤，所述对绑定物理块进行数据操作的步骤，包括：

读取所述配置参数；

接收写入数据的命令，执行写数据操作；

判断是否为最后一个外部交叉读写操作，若否则根据所述绑定对照关系，使用外部交叉读写技术进行写数据操作；

判断是否为最后一个内部交叉读写操作，如否则根据所述绑定对照关系，使用内部交叉读写技术进行写数据操作；

判断写数据操作是否执行到最后一个阶，如否，则所述绑定对照关系，使用多阶读写技术进行写数据操作。

优选地，上述闪存特性包括但不限于：支持的外部片数、支持的片内晶粒数、支持的晶粒内阶数、阶绑定页增量和/或晶粒绑定页增量。

优选地，上述获取闪存介质的闪存特性的步骤包括：读取闪存介质编号；判断闪存介质包括的片数，若包括多片则认为闪存介质支持多路外部交叉读写模式，否则认为闪存介质不支持多路外部交叉读写技术；判断闪存介质的物理片内是否有多路交叉读写技术，若有则认为闪存介质支持多路内部交叉读写模式，否则认为闪存介质不支持多路内部交叉读写技术；判断闪存介质的晶粒内是否有多个阶，若有则认为闪存介质支持有多阶；否则认为闪存介质不支持多阶；将上述判断结果作为闪存特性，重复上述步骤直到获取所有闪存介质的闪存特性；将所有闪存介质的闪存特性写入闪存特性记录表。

优选地，根据所述闪存介质的阶绑定页增量和晶粒绑定页增量实现绑定片内。

优选地，上述根据配置参数绑定物理块的步骤包括：读取闪存介质的闪存特性，所述闪存特性包括闪存介质的块数、每块闪存介质的晶粒数；若所述闪存介质包括两块，则从第一闪存介质和第二闪存介质中的晶粒中分别顺序取未经绑定的至少一物理块；将所取的多个物理块绑定成一个物理块，形成一绑定块；重复上述步骤直至完成所有物理块的绑定；为所述绑定块分配物理地址，建立绑定对照关系；将绑定块的物理地址作为配置参数。

优选地，根据所述闪存介质的阶绑定页增量和晶粒绑定页增量实现绑定片内。

优选地，在每完成所取的多个物理块绑定成一个物理块后，分配物理地址并建立绑定对照关系，再进行对其它物理块的绑定操作。

优选地，若所述闪存介质的晶粒数为1,则所述根据配置参数绑定物理块的步骤包括：读取闪存介质的闪存特性；从晶粒的各片中分别取未经绑定的至少一物理块；将所取的多个物理块绑定成一个物理块，形成一绑定块；重复上述步骤直至完成所有物理块的绑定；为所述绑定块分配物理地址，建立绑定对照关系；将绑定块的物理地址作为配置参数。

优选地，根据所述闪存介质的阶绑定页增量实现绑定片内。

优选地，在每完成所取的多个物理块绑定成一个物理块后，分配物理地址并建立绑定对照关系，再进行对其它物理块的绑定操作。

本发明提供的提高闪存介质数据存取速度的方法能将多片、多种类型、各种厂商的闪存介质统一起来,形成统一的通用管理模块进行配置管理，按照配置进行页和块的灵活逻辑绑定,最大限度地提高读写速度.提高存储装置主控的数据处理能力。

附图说明

图1是本发明实施例存储装置结构组成及原理示意图；

图2是本发明实施例获取闪存特性的流程示意图；

图3是本发明实施例设置闪存特性的流程图；

图4是本发明实施例将多块闪存介质中的物理块形成绑定块的示意图；

图5是本发明实施例将多个晶粒中的物理块形成绑定块的示意图；

图6本发明实施例绑定后的块内数据组织形式示意图；

图7本发明实施例形成绑定块后写数据操作流程图。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

如本领域技术人员所知，闪存介质即闪存芯片由一个或多个晶粒（die）封装而成，每个晶粒中包括一个或多个阶（plane），每个阶包括若干个存储块（Block），每个存储块由多个页（Page）构成，每页包含多个扇区。闪存介质存储数据的特性是以页为单位写入数据，以块为单位擦除数据；在写入数据时，按页的扇区顺序写入。在闪存介质中按顺序给存储块分配地址，分配了地址的存储快称为物理块，而在使用过程中具有划分块的虚构地址称为逻辑地址，逻辑地址与物理地址之间通过地址映射表建立映射关系。

本发明提出的实施例包括一如图1所示的存储装置，该存储装置100至少包括控制数据存取的控制模块10、用于存储配置参数的配置模块30和存储模块40，控制模块10包括闪存介质处理模块50、寄存器序列模块60以及运行于控制模块10中的固化软件20。闪存介质处理模块50分别与寄存器序列模块60、固化软件20和存储模块40，控制对存储模块40的读写操作和存储管理。固化软件20读取配置模块30中的配置参数，供闪存介质处理模块50使用。其中存储模块40包括一块或多块用于存储数据的闪存介质，该一块或多块闪存介质可以是同一厂家生产的同型号芯片，也可是不同厂家生产的不同类型芯片。

不同的闪存介质具有不同的闪存特性，通过配置参数来描述闪存特性。配置参数包括但不限于闪存介质的编号（ID）、闪存名称型号、闪存厂商、每个块中页的数量、每个页中扇区的数量、支持的外部片数、支持的片内晶粒数、支持晶粒内阶数、读命令参数、写命令参数、读状态命令、擦除命令、晶粒间页增量和/或阶间页增量等。这些配置参数在生产存储装置时设置于存储装置中，通过查阅各闪存介质的datasheet，就可以根据每种闪存介质的特性参数去建立闪存特性记录表。闪存特性记录表如表1所示，根据其中闪存介质的编号可以获知存储模块40包括多少块闪存介质。例如表1中的“123423450000”编号，该编号包括“1234”、“2345”和“0000”三个值，说明该存储模块40包括两块闪存介质，即第一闪存介质401和第二闪存介质402，其中第一闪存介质401对应值“1234”,其生产厂家为三星，第二闪存介质402对应值“2345”,其生产厂家为东芝；所述存储模块40支持两路外部交叉读写技术和两路内部交叉读写技术，其支持的片内晶粒数为4，支持的晶粒内阶数为2，其阶绑定页增量为100，晶粒绑定页增量为1000。

表1

图2示出本实施例获取闪存特性的流程如下：

步骤S101，选取一型号的闪存介质，查询其功能说明书；

步骤S102，通过读取闪存介质编号得到闪存介质的特性，包括何种flash,支持何种技术,有几个闪存介质组成等；

步骤S103，判断该闪存介质包括的片数，若包括多片则进行步骤S104，否则进行步骤S105；

步骤S104，认为该闪存介质支持有多路外部交叉读写模式；

步骤S105，认为该闪存介质仅支持1路外部交叉读写技术，不支持多路外部交叉读写技术；

步骤S106，判断该闪存介质的每个物理片内是否有多路交叉读写技术，如果有则进行步骤S107，否则进行步骤S108；

步骤S107，认为该闪存介质支持多路内部交叉读写模式；

步骤S108，认为该闪存介质仅支持1路内部交叉读写技术，不支持多路内部交叉读写技术；

步骤S109，判断该闪存介质的每个晶粒内是否有多个阶，如果有则进行步骤S110，否则进行步骤S111；

步骤S110，认为该闪存介质支持有多阶；

步骤S111，认为该闪存介质仅支持1阶，不支持多阶；

步骤S112，将上述判断结果作为一组闪存特性；

步骤S113，将闪存特性写入闪存特性记录表；

步骤S114，判断是否还有新的闪存介质，若有，返回步骤S101，否则进行步骤S115；

步骤S115，完成闪存特性记录表。

依次采用上述流程取得各闪存介质的闪存特性，并分别填入闪存特性记录表，则完成闪存特性的获取。

本实施例建立闪存特性记录表记录闪存特性，把各种不同的闪存介质绑定成特定的逻辑块和逻辑页。在生产存储装置时，生产工具软件将闪存特性记录表通过USB－SCSI命令写到闪存介质里特定的块中，本实施例的固化软件20读取闪存特性记录表,并根据其中的闪存特性参数对闪存介质做分类,形成通用处理部件统一各种闪存介质的读写操作。通用处理部件接收各种不同闪存介质的闪存特性,采取不同的读写方法来对不同的闪存机制进行逻辑写入页和逻辑擦除块。通用处理部件在生产存储装置时通过读取闪存介质的编号，作为索引在闪存特性记录表里查询出相应的记录，然后把记录通过usb命令写到内部信息记录表；在存储装置使用过程的上电初始化后，通用处理部件通过在内部信息记录表里读取记录信息进行相应的读写操作。上述内部信息记录表（IIR：Inner Information Record）是用户自定义的，闪存只提供存储空间，至于里面放什么内容、使用哪些空间和不使用哪些空间都由用户指定。本实施例使用内部信息记录表记录自定义的信息记录，包括移动存储设备的厂商信息，闪存模块的配置信息等等。本实施例的内部信息记录表保存在闪存介质某一个特定块中，不会被用于读写数据。

结合图3说明设置配置参数的过程：

步骤S201，存储装置100上电，置于设置状态；存储装置100接收主机***工具软件发出的写入配置参数的命令；

步骤S202，固化软件20判断是否收到USB－SCSI写入配置参数命令；

步骤S203，通过工具软件将如表1中的闪存特性写入内部信息记录表（IIR：Inner Information Record）中，作为IIR表的一部分存储于闪存介质的信息块中，即记录IIR表的信息块，该信息块是隐藏块，专门用于存储诸如IIR表之类的专用信息；

步骤S204，通过工具软件写入其它用于控制数据存取的信息，并对闪存模块40中的闪存介质进行格式化。

步骤S205，完成闪存特性设置。所述配置参数设置完成后，在存储装置存取数据时，由固化软件20读取。

以下结合具体方案对以上实施例作进一步的说明。

图4示出所述存储模块40包括两块闪存介质即第一闪存介质401和第二闪存介质402的绑定，所述第一闪存介质401由晶粒A和晶粒B、第二闪存介质402由晶粒A’和晶粒B’分别封装而成，所述第一闪存介质401的晶粒A和晶粒B中包括物理块0至物理块2047，所述第二闪存介质402的晶粒A’和晶粒B’中包括物理块0’至物理块2047’，第一闪存介质401和第二闪存介质402通过地址映射关系建立基本对照表。

现对第一闪存介质401和第二闪存介质402中的物理块实行绑定，绑定实际上是为物理块计算分配物理地址的过程，其具体绑定过程包括：

步骤S301，固化软件20读取配置模块40中的闪存特性，如闪存介质的块数、每块闪存介质的晶粒数等；

步骤S302，从第一闪存介质401和第二闪存介质402中的各晶粒中分别顺序取未经绑定的至少一物理块，如取第一闪存介质401晶粒A的物理块0和晶粒B的物理块1024、第二闪存介质402晶粒A’的物理块0’和晶粒B’的物理块1024’等4个物理块；

步骤S303，将所取的多个物理块绑定成一个物理块，即将上述4个物理块绑定成为一绑定块0，其中绑定块0页内的扇区数为4个物理块扇区数之和；

步骤S304，判断是否完成所有物理块的绑定，若否，则返回步骤S302，直至完成所有物理块的绑定；如第一闪存介质401的物理块1和物理块1025、第二闪存介质402的物理块1’和物理块1025’绑定成为绑定块1，依此类推，……，直至第一闪存介质401的物理块1023和物理块2047、第二闪存介质402的物理块1023’和物理块2047’绑定成为绑定块1023；

步骤S305，为上述绑定块分配物理地址，建立绑定对照关系；

步骤S306，将绑定块的物理地址作为配置参数的一部分写入到配置模块30中。

在上述步骤中，若该闪存介质的晶粒数为1,则执行阶内物理块绑定操作的步骤包括：

步骤S401，从晶粒的各阶如阶A和阶B中分别取未经绑定的至少一个物理块，如取阶A的物理块0和阶B的物理块1024；

步骤S402，将所取的多个物理块绑定成一个物理块，形成一绑定块；即将上述物理块0和物理块1024绑定成为绑定块0”，其中绑定块0”的页数为上述2个物理块页数之和，其页的扇区数也为2个物理块扇区数之和；

步骤S403，判断是否完成各阶中所有物理块的绑定，若否，则返回步骤S401；直至完成所有物理块的绑定；如阶A的物理块1和阶B的物理块1025绑定成为绑定块1”，依此类推，……，直至阶A的物理块1023和阶B的物理块2047绑定成为绑定块1023”；

步骤S404，为上述绑定块分配物理地址，建立绑定对照关系；

步骤S405，将绑定块的物理地址作为配置参数的一部分写入到配置模块30中。

上述绑定对照关系是指绑定块与逻辑地址的对应关系，可使用绑定对照表记录该绑定对照关系。有关绑定块与逻辑地址的映射关系与前述晶粒之间的物理块绑定相同，在此不再赘述。

对于阶和晶粒分别定义相对的绑定页增量，也就是阶绑定页增量dtPlane和晶粒绑定页增量dtDie，通过读取闪存介质的功能说明书可以得到这两个值，就可以知道如何绑定片内，而片内主要有2路片内交叉读写和晶粒内2阶模式。

以下举出2路内部交叉读写技术的一个绑定后的物理块的示意，该晶粒有1024个块，每个块有128个页：

上述绑定后的第0个block的第7页第5个扇区的实际物理页地址就是：7+1024*128=131079（每个块128个页），实际页内扇区地址：5%4=1；由此可得，实际上是按照页地址为131079和扇区地址1去访问闪存介质的。

又举一片外绑定后的物理块示意，该物理块的地址是一样的，但是片选信号和用于判断闪存介质是否准备好的信号线信号不同：

上述绑定后的第0个block的第7页第5个扇区的实际物理页地址就是：7，实际页内扇区地址：5%4=1；实际上访问flash是访问第2片的第7页的第1个扇区。由于物理上的一页是4个扇区,如果大于4个扇区就到访问第2片，所以0-3在第1片flash页，而4-7在第2片flash页里。

上述为绑定块分配物理地址的步骤也可以设置在步骤S303之后，即在每完成所取的多个物理块绑定成一个物理块后分配物理地址，再进行对其它物理块的绑定操作。

上述经绑定后的绑定块通过地址映射关系建立绑定块物理地址与逻辑地址相对应的绑定对照表，即上述绑定块0至绑定块1023与映射的逻辑地址一一对应，如绑定块0对应逻辑块0、绑定块1对应逻辑块1、……、直至绑定块1023对应逻辑块1023。绑定对照表的组织结构可以与现有技术使用的对照表相同，但绑定对照表中记录的对照关系是一个逻辑地址对照多个被绑定的物理块的绑定对照关系。

本实施例在写数据操作过程中，采用绑定对照表寻址进行写操作，即在需要写入新数据时，以绑定块的逻辑地址为单位，通过绑定对照表寻址向绑定块中写入数据，结合外部交叉读写等技术可以进一步提高写入数据的速度。

图5示出了所述存储模块40包括一块闪存介质即第一闪存介质401的绑定，所述第一闪存介质401由晶粒A和晶粒B封装而成，其中晶粒A包含物理块0至物理块1023，晶粒B包含物理块1024至物理块2047。第一闪存介质401通过地址映射关系建立基本对照表，上述物理块0至物理块2047与映射的逻辑地址一一对应。

图6示出一个绑定后的块内数据组织形式，每个绑定块内页大小保持不变，页内扇区数成倍增加。

上述第一闪存介质401在未经绑定时其写入数据的命令为：发送写命令（80h）+发送写入地址（未经绑定逻辑块0的页0地址）+发送写入数据（2048bytes）+发送编程命令（11h）+等待写完（wait rb）。因此第一闪存介质401未经绑定时只能向晶粒A的物理块或晶粒B的物理块以页为单位依次写入数据，且只有当上次数据写完时，才能继续写入下一页的数据，因此数据写入速度相对较慢。

而经绑定后的第一闪存介质401在使用多阶读写技术写入数据时，其写入数据命令为：发送写命令（80h）+发送写入地址（逻辑块0’的页0’地址）+发送写入数据（2048bytes）+发送编程命令（11h）+等待写完（wait rb）+发送写命令（81h）+发送写入地址（逻辑块1’的页0’地址）+发送写数据（2048bytes）+发送编程命令（10h）+等待写完（wait rb）。由于逻辑块0’对应的物理地址为绑定块0’，而绑定块0’是由晶粒A的物理块0和晶粒B的物理块1024组成，绑定块1’是由晶粒A的物理块1和晶粒B的物理块1025组成,因此所述第一闪存介质401在绑定后使用多阶读写技术写入数据过程中，是向第一闪存介质401晶粒A的物理块0和晶粒B的物理块1024以及晶粒A的物理块1和物理块1025以页为单位同时写入数据，写入数据的过程是在晶粒A和晶粒B中同时进行，由于发送写命令（80h）的等待写完（wait rb）的时间非常短，基本可以忽略不计，因此与未经绑定写入数据相比，其编程时间可以节省一倍，即使用一次等待写完（wait rb）的时间完成写2个页的数据。

图7示出了使用经绑定后的闪存介质的数据写入流程，包括步骤：

步骤S601，上电初始化后，固化软件20读取配置模块30预先设置的配置参数，如绑定块的相关参数；

步骤S602，接收主机***数据写入的命令，执行向存储模块40中写数据操作，该写数据操作中包括写入数据的逻辑地址；

步骤S603，判断是否为最后一个外部交叉读写操作，如否，执行步骤S604；否则，结束本次数据写操作；

步骤S604，根据绑定对照表中绑定块与逻辑地址的对应关系，使用外部交叉读写技术进行写数据操作；

步骤S606,判断是否为最后一个内部交叉读写操作，如否，执行步骤S607；否则，返回步骤S603；

步骤S607，根据绑定对照表中绑定块与逻辑地址的对应关系，使用内部交叉读写技术进行写数据操作；

步骤S608，判断写数据操作是否执行到最后一个阶，如否，执行步骤S609；否则，返回步骤S606；

步骤S609，根据绑定对照表中绑定块与逻辑地址的对应关系，使用多阶读写技术进行写数据操作。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种提高闪存介质数据存取速度的方法，包括：

获取闪存介质的闪存特性的步骤；

接收写入配置参数的命令；

执行写入配置参数的命令，将所述闪存特性写入内部信息记录表；

写入用于控制数据存取的信息，对所述闪存介质格式化;

根据配置参数绑定物理块的步骤，其中，该步骤包括为绑定物理块分配物理地址，并建立绑定对照关系；

对绑定物理块进行数据操作的步骤，所述对绑定物理块进行数据操作的步骤，包括：

读取所述配置参数；

接收写入数据的命令，执行写数据操作；

判断是否为最后一个外部交叉读写操作，若否则根据所述绑定对照关系，使用外部交叉读写技术进行写数据操作；

判断是否为最后一个内部交叉读写操作，如否则根据所述绑定对照关系，使用内部交叉读写技术进行写数据操作；

判断写数据操作是否执行到最后一个阶，如否，则根据所述绑定对照关系，使用多阶读写技术进行写数据操作。

2.如权利要求1所述的提高闪存介质数据存取速度的方法，其特征在于，所述闪存特性包括但不限于：支持的外部片数、支持的片内晶粒数、支持的晶粒内阶数、阶绑定页增量和/或晶粒绑定页增量。

3.如权利要求1所述的提高闪存介质数据存取速度的方法，其特征在于，

所述获取闪存介质的闪存特性的步骤包括：

读取闪存介质编号；

判断所述闪存介质包括的片数，若包括多片则认为所述闪存介质支持多路外部交叉读写技术，否则认为所述闪存介质不支持多路外部交叉读写技术；

判断所述闪存介质的物理片内是否有多路交叉读写技术，若有则认为闪存介质支持多路内部交叉读写模式，否则认为闪存介质不支持多路内部交叉读写技术；

判断所述闪存介质的晶粒内是否有多个阶，若有则认为所述闪存介质支持有多阶；否则认为所述闪存介质不支持多阶；

将上述判断结果作为闪存特性，重复上述步骤直到获取所有闪存介质的闪存特性；

将所有闪存介质的闪存特性写入闪存特性记录表。

4.如权利要求1至3任意一项所述的提高闪存介质数据存取速度的方法，其特征在于：

根据所述闪存介质的阶绑定页增量和晶粒绑定页增量实现绑定片内。

5.如权利要求1至3任意一项所述的提高闪存介质数据存取速度的方法，其特征在于，所述根据配置参数绑定物理块的步骤包括：

读取闪存介质的闪存特性，所述闪存特性包括闪存介质的块数、每块闪存介质的晶粒数；

若所述闪存介质包括两块，则从第一闪存介质和第二闪存介质中的晶粒中分别顺序取未经绑定的至少一物理块；

将所取的多个物理块绑定成一个物理块，形成一绑定块；

重复上述步骤直至完成所有物理块的绑定；

为所述绑定块分配物理地址，建立绑定对照关系；

将绑定块的物理地址作为配置参数。

6.如权利要求5所述的提高闪存介质数据存取速度的方法，其特征在于：

根据所述闪存介质的阶绑定页增量和晶粒绑定页增量实现绑定片内。

7.如权利要求5所述的提高闪存介质数据存取速度的方法，其特征在于，在每完成所取的多个物理块绑定成一个物理块后，分配物理地址并建立绑定对照关系，再进行对其它物理块的绑定操作。

8.如权利要求1至3任意一项所述的提高闪存介质数据存取速度的方法，其特征在于，若所述闪存介质的晶粒数为1,则所述根据配置参数绑定物理块的步骤包括：

读取闪存介质的闪存特性；

从晶粒的各阶中分别取未经绑定的至少一物理块；

将所取的多个物理块绑定成一个物理块，形成一绑定块；

重复上述步骤直至完成所有物理块的绑定；

为所述绑定块分配物理地址，建立绑定对照关系；

将绑定块的物理地址作为配置参数。

9.如权利要求8所述的提高闪存介质数据存取速度的方法，其特征在于：

根据所述闪存介质的阶绑定页增量实现绑定片内。

10.如权利要求8所述的提高闪存介质数据存取速度的方法，其特征在于，在每完成所取的多个物理块绑定成一个物理块后，分配物理地址并建立绑定对照关系，再进行对其它物理块的绑定操作。