CN101523487A - 磁记录介质的制造方法以及磁记录再生装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种可使合格率格外地提高并使生产率显著提高的磁记录介质的制造方法。该磁记录介质的制造方法的抗蚀剂层形成工序具有：浸渍工序，以内周区域(3)配置于抗蚀剂溶液(11)的液面(11a)上方、并且数据记录区(4)的一部分配置于所述抗蚀剂溶液的液面(11a)下方的方式使所述非磁性基板(31)的一部分浸渍于所述抗蚀剂溶液(11)中；和取出工序，一边以通过所述开口部(37)的中心沿所述非磁性基板(31)的厚度方向延伸的旋转轴(37a)为中心，使浸渍于所述抗蚀剂溶液(11)中的所述非磁性基板(31)旋转，一边从所述抗蚀剂溶液(11)中取出所述非磁性基板(31)。

Description

磁记录介质的制造方法以及磁记录再生装置

技术领域

本发明涉及用于硬盘装置等的磁记录介质的制造方法以及磁记录再生装置。

本申请基于在2006年8月1日在日本申请的专利申请2006-209643号要求优先权，在此援引其内容。

背景技术

近年来，磁盘装置等磁记录装置的适用范围显著增大，在其重要性增加的同时，对于这些装置所使用的磁记录介质，正在谋求其记录密度显著提高。特别是引入MR磁头以及PRML技术以来，面记录密度的提高进一步加剧，近年来进一步引入GMR磁头、TMR磁头等，以每年约100％的速度持续增长。

对于这些磁记录介质，今后要求实现更高的记录密度，要求实现磁记录层的高矫顽力和高信噪比(SNR)、高分辨率。另外，近年来持续努力在提高线记录密度的同时通过增加磁道密度来提高面记录密度。

在最新的磁记录装置中，磁道密度竟达到110kTPI。但是，若将磁道密度提高下去，则容易发生相邻磁道间的磁记录信息相互干扰，其边界区域的磁化迁移区域成为噪声源损害SNR的问题。这会直接关系到Bit Errorrate(比特误差率；误码率)的降低，因此对于记录密度的提高而言成为障碍。

为了提高面记录密度，必须使磁记录介质上的各记录比特的尺寸更微细，各记录比特确保尽可能大的饱和磁化和磁性膜厚度。然而，当将记录比特微细化下去时，发生每一比特的磁化最小体积变小、由于由热波动引起的磁化颠倒而使记录数据消失的问题。

另外，当将磁道密度提高下去时，磁道间的距离变近，因此磁记录装置在使用极高精确度的磁道伺服技术的同时，为了尽可能消除来自相邻磁道的影响，通常采用使再生磁头宽度比记录磁头宽度狭窄的方法。该方法能够将磁道之间的影响抑制在最小限度，但难以充分获得再生输出，因此存在难以确保足够的SNR的问题。

作为解决这种热波动问题、确保SNR、或确保充分输出的方法之一，曾进行了下述尝试：通过在记录介质表面形成沿着磁道凹凸，将磁道彼此进行物理性分离来提高磁道密度。以下，将这种技术称为离散磁道(discretetrack)法，将利用该技术制造的磁记录介质称为离散磁道介质。

作为离散磁道介质的一例，已知：在表面形成有凹凸图案的非磁性基板上形成磁记录介质，形成物理性分离的磁记录磁道和伺服信号图案而成的磁记录介质(例如参照专利文献1)。

专利文献1中记载的磁记录介质，是在非磁性基板上具有有多个凸部和凹部的软磁性层、和在该软磁性层上形成的强磁性层的磁记录介质。该磁记录介质，在凸部区域形成有与周围物理性分割的垂直磁记录区。

根据该磁记录介质，能够抑制软磁性层中的磁畴壁发生，因而难以出现热波动的影响，相邻信号之间的干扰也消失，因此能够形成噪声少的高密度磁记录介质。

另外，在离散磁道方法中有：在形成由若干层的薄膜构成的磁记录介质之后形成磁道的方法；预先在基板表面直接形成凹凸图案、或在用于形成磁道的薄膜层上形成凹凸图案，然后进行磁记录介质的薄膜形成的方法。(例如参照专利文献2、专利文献3)。其中，前者的方法，常常被称为磁性层加工型，由于在介质形成后实施对表面的物理性加工，因此存在介质在制造工序中容易遭受污染的缺点，并且制造工序非常复杂。另一方面，后者常常被称为压纹加工型，难以产生制造工序中的污染，但存在的问题是：由于基板上形成的凹凸形状也被成膜了的膜继承，因此一边在介质上浮动一边进行记录再生的记录再生磁头的浮动姿势、浮动高度不稳定。

另外曾公开了下述方法：通过向预先形成的磁性层中注入氮离子、氧离子、或者照射激光，而形成离散磁道介质的磁道之间的区域(参照专利文献4)。

此外曾公开了：在每一比特具有一定的规则性而配置有磁记录图案的所谓的图案化介质的制造中，通过由离子照射进行的蚀刻、或者将磁性层非晶化来形成磁记录图案(参照非专利文献1以及专利文献5)。

在这样的离散磁道介质、图案化介质中，采用了下述方法，即在基板上形成磁性层后，在其表面涂布抗蚀剂等，使用光刻技术将该抗蚀剂图案化，使用该抗蚀剂图案将磁性层图案化。

作为在磁记录盘上涂布液体材料的方法，曾提出了旋涂法(例如参照专利文献6)。

专利文献1：日本特开2004-164692号公报

专利文献2：日本特开2004-178793号公报

专利文献3：日本特开2004-178794号公报

专利文献4：日本特开平5-205257号公报

专利文献5：美国专利第6,331,364号公报

专利文献6：日本特开2004-306032号公报

非专利文献1：信学技报，社团法人电子信息通信学会，IEICETechnical Report MR2005-55(2006-02)，21页～26页

发明内容

然而，使用专利文献6所记载的涂覆法，在磁记录盘上涂布液体材料时，存在容易产生涂膜不均匀的问题。涂膜不均匀会给其后的工序造成不良影响，因此成为使合格率降低的主要因素。

本发明的目的是提供一种磁记录介质的制造方法，该制造方法很适合用于离散磁道介质和图案化介质的制造，可特别地提高合格率，并显著提高生产率。

另外，本发明的目的是提供一种磁记录再生装置，其具有采用本发明的磁记录介质的制造方法制造的磁记录介质。

为了解决上述课题，本申请发明人锐意努力研究的结果发现，在将在中央具有开口部的基板浸渍于抗蚀剂溶液中使其旋转从而在基板的全部面上涂布抗蚀剂的场合，即使使基板旋转，涂布于开口部的周边部分的抗蚀剂溶液也难以飞散，因此容易产生涂膜不均匀，从而完成了本发明。

即，本发明提供以下发明。

(1)一种磁记录介质的制造方法，其具有：

磁性层形成工序，在中央设置有开口部、并具有环状的数据记录区和位于上述数据记录区与上述开口部之间的内周区域的圆盘状的非磁性基板上形成成为磁记录图案的磁性层；

抗蚀剂层形成工序，在形成有上述磁性层的上述非磁性基板上形成抗蚀剂层；和

图案形成工序，使用上述抗蚀剂层形成上述磁记录图案，

该制造方法的特征在于，上述抗蚀剂层形成工序具有：

浸渍工序，以至少上述开口部的周边配置于抗蚀剂溶液的液面上方、并且上述数据记录区的一部分配置于上述液面下方的方式使上述非磁性基板的一部分浸渍于上述抗蚀剂溶液中；和

取出工序，一边以通过上述开口部的中心沿上述非磁性基板的厚度方向延伸的旋转轴为中心，使浸渍于上述抗蚀剂溶液中的上述非磁性基板旋转，一边从上述抗蚀剂溶液中取出上述非磁性基板。

(2)根据(1)所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在上述浸渍工序中，一边以上述旋转轴为中心使上述非磁性基板旋转，一边使上述非磁性基板的一部分浸渍于上述抗蚀剂溶液中。

(3)根据(1)或(2)所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，从上述抗蚀剂溶液中取出上述非磁性基板之后也连续地以上述旋转轴为中心使上述非磁性基板旋转。

(4)根据(3)所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，使上述非磁性基板的旋转速度在从上述抗蚀剂溶液中取出上述非磁性基板之后，比上述非磁性基板浸渍于上述抗蚀剂溶液中时上升。

(5)根据(3)或(4)所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，上述非磁性基板浸渍于上述抗蚀剂溶液中时的上述非磁性基板的旋转速度为350转/分钟～500转/分钟的范围内，从上述抗蚀剂溶液中取出上述非磁性基板之后，使上述非磁性基板的旋转速度上升至5000转/分钟～6000转/分钟的范围内。

(6)根据(1)～(5)的任一项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，上述非磁性基板的直径为15mm～100mm的范围内，在上述非磁性基板的径向上的上述数据记录区与上述开口部之间的距离为2mm～3mm的范围内。

(7)根据(1)～(6)的任一项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在上述抗蚀剂层形成工序中，在上述非磁性基板的厚度方向间隔地配置有多片的上述非磁性基板。

(8)根据(7)所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，上述多片的非磁性基板之间的距离为12mm以上。

(9)一种磁记录再生装置，其具有：磁记录介质；沿记录方向驱动该磁记录介质的驱动部；包括记录部和再生部的磁头；使上述磁头相对于上述磁记录介质进行相对运动的机构；和用于向上述磁头输入信号和将来自上述磁头的输出信号进行再生的记录再生信号处理机构，该磁记录再生装置的特征在于，上述磁记录介质是采用(1)～(8)的任一项所述的磁记录介质的制造方法制造的。

发明效果

根据本发明的磁记录介质的制造方法，上述抗蚀剂层形成工序，具有：浸渍工序，以至少上述开口部的周边配置于抗蚀剂溶液的液面上方、并且上述数据记录区的一部分配置于上述抗蚀剂溶液的液面下方的方式使上述非磁性基板的一部分浸渍于上述抗蚀剂溶液中；和取出工序，一边以通过上述开口部的中心沿上述非磁性基板的厚度方向延伸的旋转轴为中心，使浸渍于上述抗蚀剂溶液中的上述非磁性基板旋转，一边从上述抗蚀剂溶液中取出上述非磁性基板，因此难以产生涂膜不均匀，使用得到的抗蚀剂层可精度良好地形成磁记录图案。因此，根据本发明的磁记录介质的制造方法，可合格率良好地制造离散磁道介质、图案化介质等的可得到较高记录再生特性的磁记录介质。

另外，本发明的磁记录再生装置，由于具有采用本发明的磁记录介质的制造方法制造的磁记录介质，因此可获得较高的记录再生特性。

附图说明

图1是模式地表示由本发明的制造方法制造的磁记录介质的一例的截面图。

图2是表示在图1所示的磁记录介质中使用的非磁性基板31的一例的平面图。

图3A是用于说明抗蚀剂层形成工序的浸渍工序的一例的图。

图3B是用于说明抗蚀剂层形成工序的浸渍工序的一例的图。

图4是用于说明本发明的磁记录再生装置的一例的概略构成图。

附图标号说明

2     外周区域、

3     内周区域、

4     数据记录区、

11    抗蚀剂溶液、

11a   液面、

21    驱动部、

27    磁头、

28    磁头驱动部、

29    记录再生信号处理机构、

30    磁记录介质、

31    非磁性基板、

32a   软磁性层、

32b   中间层、

33    磁记录图案、

33a   磁记录层、

34    非磁性化层、

35    保护膜层、

36    润滑层、

37    开口部、

37a   旋转轴、

38    外缘。

具体实施方式

第1实施方式

以下对于本发明的实施方式参照附图进行说明。但是，本发明并不限于以下的各实施方式。

图1是模式地表示由本发明的制造方法制造的磁记录介质的一例的截面图。在本实施方式中，将磁不连续地配置有记录磁道的离散磁道型的磁记录介质列举为例子进行说明。

图1所示的磁记录介质30，是使用磁头进行读写的，是在非磁性基板31的表面依次形成有软磁性层32a、中间层32b、交替地配置由磁性层构成的磁记录图案33和非磁性化层34而成的磁记录层33a、保护膜层35、和润滑层36的磁记录介质。

作为在本实施方式中使用的非磁性基板31，例如可使用图2所示的非磁性基板31。图2是表示在图1所示的磁记录介质中使用的非磁性基板31的一例的平面图。图2所示的非磁性基板31，是在中央设置有圆形开口部37的圆盘状基板，如图2所示，其具有：开口部37、同心圆的环状的数据记录区4、位于数据记录区4与开口部37之间的内周区域3、位于数据记录区4与外缘38之间的外周区域2。内周区域3是在将磁记录介质安装于马达的轴(spindle)时使用的区域。外周区域2是有时不能使用磁头读写的区域，例如是外缘38与数据记录区4之间的在非磁性基板31径向上的距离为磁头宽度的1/2左右的区域。

在本实施方式中，作为非磁性基板31，可优选使用例如直径为15mm～100mm的范围内、在非磁性基板31的径向上的数据记录区4与开口部37之间的距离(内周区域3的宽度)为2mm～3mm的范围内的基板。

作为非磁性基板31的材质，例如只要是以Al为主成分的Al-Mg合金等的Al合金基板、通常的钠玻璃、铝硅酸盐系玻璃、结晶化玻璃类、硅、钛、陶瓷、各种树脂等的非磁性材料，就可使用任意的材质。其中，优选使用Al合金基板、结晶玻璃等的玻璃制基板或硅基板。

另外，非磁性基板31的平均表面粗糙度(Ra)优选为1nm以下，进一步优选为0.5nm以下，其中，最优选为0.1nm以下。

在本实施方式中，在非磁性基板31的表面，形成有作为软磁性层32a的FeCoB层、作为中间层32b的Ru层。

另外，在本实施方式中，磁记录层33a可以是面内磁记录层也可以是垂直磁记录层，但为了实现更高的记录密度，优选为垂直磁记录层。另外，这些磁记录层优选由主要以Co为主成分的合金形成。

作为面内磁记录介质用的磁记录层，例如，可采用包含非磁性的CrMo基底层和强磁性的CoCrPtTa磁性层的叠层结构。

另外，作为垂直磁记录介质用的磁记录层，例如可采用将由软磁性的FeCo合金(FeCoB、FeCoSiB、FeCoZr、FeCoZrB、FeCoZrBCu等)、FeTa合金(FeTaN、FeTaC等)、Co合金(CoTaZr、CoZrNB、CoB等)等构成的衬里层、Pt、Pd、NiCr、NiFeCr等的取向控制膜、根据需要的Ru等的中间膜、以及由60Co-15Cr-15Pt合金或70Co-5Cr-15Pt-10SiO2合金构成的磁性层层叠而成的磁记录层。

磁记录层33a，只要相应于使用的磁性合金的种类和层叠结构来形成使得可获得充分的磁头输入输出即可。磁记录层33a的厚度优选为3nm～20nm，更优选为5nm～15nm。磁记录层33a，为了再生时获得一定以上的输出，需要某种程度以上的膜厚。另一方面，由于通常表示记录再生特性的各种参数随着输出功率的上升而劣化，因此必须将磁记录层33a的膜厚度设定为最佳。

另外，为了提高记录密度，如图1所示，优选磁记录图案33的磁性部宽度W为200nm以下、非磁性化层34的非磁性部宽度L为100nm以下。并且，磁道间距P(＝W+L)优选为300nm以下的范围，为了提高记录密度，优选使之尽可能地狭窄。

另外，作为保护膜层35，可使用碳(C)、氢碳化合物(H_xC)、氮化碳(CN)、无定形碳、碳化硅(SiC)等的碳质层、SiO₂、Zr₂O₃、TiN等的作为保护膜层35的材料而通常使用的材料。另外，保护膜层35可以是一层，也可以是由两层以上的层构成。

保护膜层35的膜厚度优选为不到10nm。当保护膜层35的膜厚超过10nm时，在制成为具有磁记录介质的磁记录再生装置时，磁头与磁记录图案33的距离变大，担心得不到充分的输出和输入信号的强度。

作为用于润滑层36的润滑剂，可以举出氟系润滑剂、烃系润滑剂以及它们的混合物。润滑层36通常以1～4nm的厚度形成。

再者，优选在保护膜层35形成润滑层36，但也可以没有形成润滑层36。

接着，说明图1所示的磁记录介质的制造方法的一例。

在制造图1所示的磁记录介质时，首先，在图2所示的非磁性基板31的数据记录区4上，使用溅射法等，依次形成软磁性层32a、中间层32b、成为磁记录层33a的磁性层(磁性层形成工序)。接着，在成为磁记录层33a的磁性层的表面，使用溅射法、CVD法等形成保护膜层35。

然后，使用光刻技术，如以下所示，将成为磁记录层33a的磁性层形成为磁性分离的磁记录图案33和非磁性化层34。

首先，在保护膜层35的表面形成抗蚀剂层(抗蚀剂层形成工序)。

在抗蚀剂层形成工序中，首先，在具有由驱动装置旋转的轴部的涂布装置中安装非磁性基板31。非磁性基板31向轴部的安装(装卡；chucking)，如图3A所示，使构成轴部的卡盘41的3根棒状体贯穿非磁性基板31的开口部37，将3根棒状体从中心向外侧扩展，由此使3根棒状体支撑非磁性基板31的开口部37的内端从而进行固定。

接着，如图3A所示，以非磁性基板31的内周区域3配置于抗蚀剂溶液11的液面11a上方、并且非磁性基板31的数据记录区4的一部分配置于抗蚀剂溶液11的液面11a下方的方式，使非磁性基板31的一部分浸渍于抗蚀剂溶液11中(浸渍工序)。

作为抗蚀剂溶液11，没有特别限定，例如可优选使用包含有机涂布玻璃(SOG)的粘度为0.1cP～10cP(1P＝0.1Pa·s)的范围的抗蚀剂溶液。

非磁性基板31在抗蚀剂溶液11中的浸渍，优选一边以通过非磁性基板31的开口部37的中心在非磁性基板31的厚度方向延伸的旋转轴37a为中心，使非磁性基板31旋转一边进行。非磁性基板31的旋转，可利用涂布装置的驱动装置使轴部旋转来进行。

例如，在将非磁性基板31浸渍于抗蚀剂溶液11中后，使非磁性基板31旋转的场合，由于开始非磁性基板31的旋转时的冲击，抗蚀剂溶液11飞散，抗蚀剂溶液11有可能附着于非磁性基板31的内周区域3。另外，在开始非磁性基板31的旋转的初期阶段，转速低而离心力小，因此涂布于非磁性基板31上的抗蚀剂溶液11因重力向下方流挂，抗蚀剂溶液11有可能附着于非磁性基板31的内周区域3。

对此，通过一边使非磁性基板31旋转一边将其浸渍于抗蚀剂溶液11中，可防止抗蚀剂溶液11附着于非磁性基板31的内周区域3。

然后，一边继续以旋转轴37a为中心的非磁性基板31的旋转，一边将浸渍于抗蚀剂溶液11中的非磁性基板31从抗蚀剂溶液11中取出(取出工序)。

而且，在本实施方式中，将非磁性基板31从抗蚀剂溶液11中取出后也连续地以旋转轴37a为中心使非磁性基板31旋转。由此，不会使抗蚀剂溶液11附着于非磁性基板31的内周区域3而将抗蚀剂溶液11以更均匀的膜厚涂布于数据记录区4。

优选非磁性基板31的旋转速度在将非磁性基板31从抗蚀剂溶液11中取出后，比在抗蚀剂溶液11中浸渍非磁性基板31时上升。

确定将非磁性基板31浸渍于抗蚀剂溶液11中时的非磁性基板31的旋转速度，使得能够得到不会由于已涂布的抗蚀剂溶液11因重力向下方流挂而使抗蚀剂溶液11附着于非磁性基板31的内周区域3的程度的强度的离心力。当将非磁性基板31浸渍于抗蚀剂溶液11中时的旋转速度(转速)提高到必要以上时，可阻碍抗蚀剂溶液11向非磁性基板31的附着，并且抗蚀剂溶液11的液面被弄乱，抗蚀剂溶液11容易附着于非磁性基板31的内周区域3。

具体地说，将非磁性基板31浸渍于抗蚀剂溶液11中时的非磁性基板31的旋转速度，优选为350转/分钟～500转/分钟的范围内，可根据抗蚀剂溶液11的粘度和非磁性基板31的大小来适当决定。

另外，确定将非磁性基板31从抗蚀剂溶液11中取出后上升的非磁性基板31的旋转速度，使得可以得到不会由于涂布的抗蚀剂溶液11因重力向下方流挂而使抗蚀剂溶液11附着于非磁性基板31的内周区域3的程度的强度的离心力，而且可获得可使多余的抗蚀剂溶液11飞散的程度的强度的离心力。另外，当将非磁性基板31从抗蚀剂溶液11中取出后上升的非磁性基板31的旋转速度提高到必要以上时，由于甩开抗蚀剂，抗蚀剂的厚度变得极端薄，并且膜厚的均匀性降低。

具体地说，将非磁性基板31从抗蚀剂溶液11中取出后上升的旋转速度，优选为5000转/分钟～6000转/分钟的范围内，可根据抗蚀剂溶液11的粘度、非磁性基板31的大小来适当决定。

另外，在作为非磁性基板31，使用直径为15mm～100mm的范围内、在非磁性基板31的径向上的数据记录区4与开口部37之间的距离(内周区域3的宽度)为2mm～3mm的范围内的基板，并且，作为抗蚀剂溶液11，使用通常的粘度例如为0.1cP～10cP的抗蚀剂溶液时，使非磁性基板31浸渍于抗蚀剂溶液11中时的非磁性基板31的旋转速度为350转/分钟～500转/分钟的范围内，在将非磁性基板31从抗蚀剂溶液11中取出后，使非磁性基板31的旋转速度上升至5000转/分钟～6000转/分钟的范围内，由此可切实地防止抗蚀剂溶液11向非磁性基板31的内周区域3的附着，并且，能够以均匀的膜厚将抗蚀剂溶液11涂布于数据记录区4。

接着，使用这样涂布而得到的抗蚀剂层，形成磁记录图案(图案形成工序)。更具体地说，使用光刻技术将抗蚀剂层图案化，使抗蚀剂层的厚度局部地变薄，或者将抗蚀剂层部分地除去。

接着，从抗蚀剂层的表面侧照射原子。由此，在抗蚀剂层较薄的部分或没有抗蚀剂层的部分的磁性层局部地注入原子而形成非磁性化层34，并且形成由在有抗蚀剂层的部分没有注入原子的磁性层构成的磁记录图案33，从而形成交替地配置磁记录图案33和非磁性化层34而成的磁记录层33a。

作为注入到磁性层中的原子，例如可举出B、F、Si、P、Ar、Kr、In、Xe等。在此，通过原子向磁性层的注入，磁性层的结晶结构被非晶化，磁性层被非磁性化。

然后，全部除去抗蚀剂层，在保护膜层35上形成润滑层36，形成为图1所示的磁记录介质30。

在本实施方式中，在抗蚀剂层形成工序的浸渍工序中，非磁性基板31的数据记录区4被浸渍于抗蚀剂溶液11中，但内周区域3不会浸渍于抗蚀剂溶液11中。因此，可防止抗蚀剂溶液11接触内周区域3，可防止抗蚀剂溶液11接触开口部37的周边。

另外，在本实施方式中，在抗蚀剂层形成工序的取出工序中，一边以旋转轴37a为中心使浸渍于抗蚀剂溶液11中的非磁性基板31旋转，一边将非磁性基板31从抗蚀剂溶液11中取出，因此可利用离心力使附着于非磁性基板31的多余的抗蚀剂溶液11飞散，可将抗蚀剂溶液11均匀地涂布于非磁性基板31。

因此，根据本实施方式的磁记录介质的制造方法，可使用得到的抗蚀剂层来精度良好地形成磁记录图案，可合格率良好地制造可获得较高的记录再生特性的离散磁道型的磁记录介质。

对此，例如，在抗蚀剂溶液11涂布于开口部37的周边的场合，即使在涂布抗蚀剂溶液11后以旋转轴37a为中心使非磁性基板31旋转，对开口部37的周边赋予的离心力也弱，因此涂布于开口部37的周边的抗蚀剂溶液11难以飞散。因此，在开口部37的周边涂布有抗蚀剂溶液11时，容易产生涂膜不均匀。抗蚀剂层是在磁记录介质的制造工序中最终被除去的，但抗蚀剂溶液11的涂布不均匀，在抗蚀剂层除去前的制造工序中，是给磁记录图案的形状等带来不良影响的主要因素，会使磁记录介质的制造合格率降低。

另外，在本实施方式中，以非磁性基板31的内周区域3配置于抗蚀剂溶液11的液面11a上方的形式使非磁性基板31浸渍于抗蚀剂溶液11中，但非磁性基板31的内周区域3的全区不配置于抗蚀剂溶液11的液面1la的上方也可以，只要至少开口部37的周边配置于抗蚀剂溶液11的液面11a上方即可。

第2实施方式

在上述的第1实施方式的制造方法中，将在抗蚀剂层形成工序中，对1片非磁性基板形成抗蚀剂层的情况列举为例子进行了说明，但如图3B所示，也可以一次对多片非磁性基板形成抗蚀剂层。图3B是用于说明抗蚀剂层形成工序的浸渍工序等的例子的图，是仅表示非磁性基板31和抗蚀剂溶液11的概略立体图。本实施方式的磁记录介质的制造方法，与上述的第1实施方式不同之处只是在抗蚀剂层形成工序中涂布抗蚀剂溶液的非磁性基板31的片数，因此省略其他的说明。

在本实施方式的磁记录介质的制造方法中，在非磁性基板31的厚度方向间隔地配置有4片非磁性基板31。图3B所示的4片非磁性基板31间的距离d，可根据非磁性基板31的大小等适当决定，例如，在非磁性基板31的直径为1.89英寸(Φ48mm)时，优选为17mm以上，例如，在直径为0.85英寸(Φ21mm)时，优选为4mm以上。当多片的非磁性基板31间的距离d狭窄时，非磁性基板31与非磁性基板31之间的抗蚀剂溶液11的流动性变得不充分，有时抗蚀剂溶液11的涂布不均匀变大。

在本实施方式的磁记录介质的制造方法中，与第1实施方式同样，也在涂布装置上安装非磁性基板31。即，如图3B所示，4片非磁性基板31在轴部的安装(装卡)，是通过使构成轴部的卡盘41的3根棒状体，贯穿4片非磁性基板31的开口部37，将3根棒状体从中心向外侧扩展，由此使3根棒状体支撑非磁性基板31的开口部37的内端从而进行固定。

在本实施方式的磁记录介质的制造方法中，与第1实施方式同样，在抗蚀剂层形成工序中，如图3B所示，以非磁性基板31的内周区域3配置于抗蚀剂溶液11的液面11a上方，并且，非磁性基板31的数据记录区4的一部分配置于抗蚀剂溶液11的液面11a下方的方式，使非磁性基板31的一部分浸渍于抗蚀剂溶液11中(浸渍工序)，一边继续以旋转轴37a为中心的非磁性基板31的旋转，一边将浸渍于抗蚀剂溶液11中的非磁性基板31从抗蚀剂溶液11中取出(取出工序)。

因此，在本实施方式中，在抗蚀剂层形成工序的浸渍工序中，内周区域3不会浸渍于抗蚀剂溶液11中，可防止抗蚀剂溶液11接触内周区域3。另外，在本实施方式中，可通过离心力使附着于非磁性基板31的多余的抗蚀剂溶液11飞散，因此可将抗蚀剂溶液11均匀地涂布于非磁性基板31上。

而且，本实施方式的制造方法，由于在非磁性基板31的厚度方向上间隔地配置有多片非磁性基板31，因此成为生产率优异的方法。

另外，在本实施方式的制造方法中，通过使多片非磁性基板31间的距离为12mm以上，可防止在配置有多片非磁性基板31时的抗蚀剂溶液11的涂布不均匀。

因此，在本实施方式的磁记录介质的制造方法中，可使用得到的抗蚀剂层来精度良好地形成磁记录图案，可合格率良好地制造可获得较高记录再生特性的离散磁道型的磁记录介质。

另外，在本发明中，如上述那样，优选一边使非磁性基板31旋转一边将非磁性基板31浸渍于抗蚀剂溶液11中，但也可以使非磁性基板浸渍于抗蚀剂溶液中之后使非磁性基板旋转。

另外，抗蚀剂层形成工序，如上述的实施方式那样，可在形成保护膜层35之后、设置润滑层之前进行，但只要是在形成成为磁记录层的磁性层后，则也可以在任何的阶段进行，例如，可以在刚形成成为磁记录层的磁性层后进行，也可以在设置润滑层之后进行。

而且，在图3B所示的例中，将一次对4片非磁性基板形成抗蚀剂层的情况列举为例子进行了说明，但非磁性基板的片数为多少片都可以，没有特别限定。

磁记录再生装置

接着，对本发明的磁记录再生装置进行说明。图4是用于说明本发明的磁记录再生装置的一例的概略构成图。图4所示的磁记录再生装置，具有：磁记录介质30；沿记录方向驱动磁记录介质的驱动部21；包括记录部和再生部的磁头27；使磁头27相对于磁记录介质30进行相对运动的磁头驱动部28；用于向磁头27输入信号和将来自磁头27的输出信号进行再生的记录再生信号处理机构29。在图4所示的磁记录再生装置中，作为磁记录介质30，可使用由上述的磁记录介质的制造方法制造的图1所示的磁记录介质。

图4所示的磁记录再生装置，具有可获得较高的记录再生特性的图1所示的离散磁道型的磁记录介质，因此成为记录密度高的磁记录再生装置。另外，图4所示的磁记录再生装置，具有磁性不连续地配置有记录磁道的磁记录介质，因此，对于以往为了排除磁道边缘部的磁化迁移区域的影响，必须使再生磁头宽度比记录磁头宽度狭窄来应对的情况，即使使再生磁头和记录磁头这两者为大致相同的宽度也能够进行工作。由此可获得充分的再生输出和较高的SNR。

以下通过实施例进一步详细地说明本发明，但本发明并不仅限于这些实施例。

实施例

准备由以Li₂Si₂O₅、Al₂O₃-K₂O、Al₂O₃-K₂O、MgO-P₂O₅、Sb₂O₃-ZnO为构成成分的结晶化玻璃构成的直径1.89英寸(Φ48mm)的硬盘(HD)用的图2所示的非磁性基板31，将非磁性基板31配置于溅射装置的真空室内，将真空室内进行真空排气直至压力变为1.0×10^-5Pa以下。

接着，在非磁性基板31的数据记录区4上，使用溅射法依次形成由FeCoB构成的软磁性层32a、由Ru构成的中间层32b、由70Co-5Cr-15Pt-10SiO₂合金构成的磁性层(磁性层形成工序)。接着，在磁性层的表面，使用CVD法依次形成由C(碳)构成的保护膜层35、和由氟系润滑剂构成的润滑层36。

各个层的膜厚是：软磁性层600

、中间层100

、磁性层150

、保护膜层4nm、润滑层2nm。

然后，在润滑层36的表面形成抗蚀剂层(抗蚀剂层形成工序)。

在抗蚀剂层形成工序中，首先，将非磁性基板31的内周区域3安装于立式轴上，一边以旋转轴37a为中心，使非磁性基板31以350转/分钟～500转/分钟的旋转速度旋转，一边以抗蚀剂溶液11的液面11a成为非磁性基板31的内周区域3的2～3mm下方的位置的方式配置非磁性基板31，使非磁性基板31的一部分在抗蚀剂溶液11中浸渍10秒钟(浸渍工序)。

作为抗蚀剂溶液11，使用粘度为1cp的有机涂布玻璃(SOG)。

然后，一边继续以旋转轴37a为中心以350转/分钟～500转/分钟的旋转速度旋转非磁性基板31，一边将浸渍于抗蚀剂溶液11中的非磁性基板31从抗蚀剂溶液11中取出(取出工序)。进而，将非磁性基板31从抗蚀剂溶液11中取出后，也以旋转轴37a为中心以350转/分钟～500转/分钟的旋转速度继续使非磁性基板31旋转15秒钟，然后，使旋转速度上升至5000转/分钟～6000转/分钟再旋转12秒钟。

这样进行涂布后，使用进行干燥而得到的抗蚀剂层，如以下所示形成磁记录图案(图案形成工序)。即，使用光刻技术将抗蚀剂层图案化，部分地除去抗蚀剂层。然后，从抗蚀剂层的表面侧照射作为原子的Ar，在没有抗蚀剂层的部分的磁性层中局部地注入原子，从而形成非磁性化层34，形成了交替地配置有磁记录图案33和非磁性化层34而成的磁记录层33a。然后，全部除去抗蚀剂层，得到图1所示的磁记录介质30。

对于这样得到的磁记录介质30，如以下所示那样实施电磁转换特性的评价。其结果，在全部的磁记录比特中已确认了磁记录再生特性。

在电磁转换特性的评价中，使用美国GUZIK公司制的リ—ドライトアナライザ1632和スピンスタンドS1701MP进行。记录再生磁头使用GMR磁头。

(比较例)

在与实施例同样的非磁性基板31的数据记录区4上，与实施例同样地形成软磁性层32a、中间层32b、磁性层、保护膜层35、润滑层36。然后，如以下所示那样，将与实施例同样的抗蚀剂溶液涂布于非磁性基板31的整体上。

将基板浸渍于抗蚀剂溶液中直至基板的开口部的卡盘位置，以400rpm在基板上涂布抗蚀剂10秒钟。然后，将基板从抗蚀剂中取出，使基板以500rpm旋转12秒钟，甩开抗蚀剂。

这样进行涂布后，与实施例同样地形成磁记录图案。然后，全部除去抗蚀剂层，得到图1所示的磁记录介质30。

对于这样得到的磁记录介质30，与实施例同样地实施电磁转换特性的评价。其结果，在非磁性基板31的内周区域3附近的磁道中，已确认有多个磁记录比特的缺陷。

该磁记录比特的缺陷的发生原因，是由于在非磁性基板31的内周区域3附近涂布的抗蚀剂溶液的膜厚存在偏差，因此光刻下的磁记录图案的显像精度不充分，不能形成具有规定形状磁记录图案的缘故。

产业上的利用可能性

本发明可应用于在硬盘装置等中使用的磁记录介质的制造方法以及磁气记录再生装置。

本发明中表示数值范围的“以上”和“以下”均包括本数。

Claims (9)

1.一种磁记录介质的制造方法，其具有：

磁性层形成工序，在中央设置有开口部、并具有环状的数据记录区和位于所述数据记录区与所述开口部之间的内周区域的圆盘状的非磁性基板上形成成为磁记录图案的磁性层；

抗蚀剂层形成工序，在形成有所述磁性层的所述非磁性基板上形成抗蚀剂层；和

图案形成工序，使用所述抗蚀剂层形成所述磁记录图案，

该制造方法的特征在于，所述抗蚀剂层形成工序具有：

浸渍工序，以至少所述开口部的周边配置于抗蚀剂溶液的液面上方、并且所述数据记录区的一部分配置于所述液面下方的方式使所述非磁性基板的一部分浸渍于所述抗蚀剂溶液中；和

取出工序，一边以通过所述开口部的中心沿所述非磁性基板的厚度方向延伸的旋转轴为中心，使浸渍于所述抗蚀剂溶液中的所述非磁性基板旋转，一边从所述抗蚀剂溶液中取出所述非磁性基板。

2.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在所述浸渍工序中，一边以所述旋转轴为中心使所述非磁性基板旋转，一边使所述非磁性基板的一部分浸渍于所述抗蚀剂溶液中。

3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，从所述抗蚀剂溶液中取出所述非磁性基板之后也连续地以所述旋转轴为中心使所述非磁性基板旋转。

4.根据权利要求3所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，使所述非磁性基板的旋转速度在从所述抗蚀剂溶液中取出所述非磁性基板之后，比所述非磁性基板浸渍于所述抗蚀剂溶液中时上升。

5.根据权利要求3所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述非磁性基板浸渍于所述抗蚀剂溶液中时的所述非磁性基板的旋转速度为350转/分钟～500转/分钟的范围内，从所述抗蚀剂溶液中取出所述非磁性基板后，使所述非磁性基板的旋转速度上升至5000转/分钟～6000转/分钟的范围内。

6.根据权利要求1～5的任一项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述非磁性基板的直径为15mm～100mm的范围内，在所述非磁性基板的径向上的所述数据记录区与所述开口部之间的距离为2mm～3mm的范围内。

7.根据权利要求1或2所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在所述抗蚀剂层形成工序中，在所述非磁性基板的厚度方向间隔地配置有多片的所述非磁性基板。

8.根据权利要求7所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述多片的非磁性基板之间的距离为12mm以上。

9.一种磁记录再生装置，其具有：

磁记录介质；

沿记录方向驱动该磁记录介质的驱动部；

包括记录部和再生部的磁头；

使所述磁头相对于所述磁记录介质进行相对运动的机构；和

用于向所述磁头输入信号和将来自所述磁头的输出信号进行再生的记录再生信号处理机构，

该磁记录再生装置的特征在于，所述磁记录介质是采用权利要求1或2所述的磁记录介质的制造方法制造的。

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