CN101520584A - 液晶显示面板、液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种液晶显示面板、液晶显示装置及液晶显示面板的制造方法，其中所述液晶显示面板包括相对放置的两块基板，在所述两块基板之间具有液晶层，在其中一基板的和另一基板相对的侧面上具有太阳能电池单元和薄膜晶体管；所述太阳能电池单元包括从所述基板表面依次层叠排列的第一电极层、光电转换层和第二电极层。本发明将太阳能电池设置在两基板之间，因此没有增加基板的尺寸，并且结构简单。

Description

液晶显示面板、液晶显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种液晶显示面板、液晶显示装置及其制造方法。
背景技术
液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)具备轻薄、节能、无辐射等诸多优点，因此已经逐渐取代传统的阴极射线管(CRT)显示器。目前液晶显示器广泛应用于高清晰数字电视、台式计算机、个人数字助理(PDA)、笔记本电脑、移动电话、数码相机等电子设备中。
图1是一种传统的液晶显示装置的等效电路图。如图1所示，传统的液晶显示装置包括液晶显示面板1和***电路2，***电路2通过导线与液晶显示面板上的电极相连，用来提供给液晶显示面板1电源和驱动信号，并控制液晶显示面板1进行显示。
液晶显示装置根据液晶显示面板1的反射方式可以分为透射型(transmissive)、反射型(reflective)以及半透反型(transflective)三种基本类型。透射型液晶显示装置的液晶显示面板具有背光光源，可以达到穿透显示，因此在正常光线及暗光线下仍能维持良好的显示效果，但是功耗较高。反射型液晶显示装置的液晶显示面板没有背光光源，其可以利用环境周围的光线，因此可以节省功耗，但是其对外界环境光线的依赖性较强，在外界光线充足的环境下均有良好的显示效果，在外界光线不足的环境下则不易辨识显示内容。半透反型液晶显示装置则结合了透射型与反射型二者的优点。
在液晶显示装置中，驱动电路及背光光源都需要电源例如电池，来提供电能，随着各国对环境的保护和对再生清洁能源的巨大需求，太阳能电池在液晶显示装置中的应用越来越多，目前的各种太阳能电池中，非晶硅(amorphous silicon a-Si)薄膜太阳能电池具有成本低，便于大规模生产等优点，因此应用越来越广泛。
现有技术中较常使用的方法是将太阳能电池做在液晶显示面板背离液晶层的一侧，也就是液晶显示面板外部，或者是将太阳能电池作在液晶显示面板外的液晶显示模组上，因此增加了液晶显示面板的尺寸。
发明内容
本发明的目的是提供一种液晶显示面板及其制造方法以及一种液晶显示装置，解决了将太阳能电池做在晶显示面板中增加液晶显示面板尺寸的问题。
为达到上述目的，本发明提供了一种液晶显示面板，包括相对放置的两块基板，及在所述两块基板之间的液晶层，在其中一块基板上包括至少两条栅极线与至少两条数据线，所述栅极线与所述数据线交叉形成像素区域，该像素区域具有薄膜晶体管，在至少一个所述像素区域中具有太阳能电池单元；所述太阳能电池单元包括从所述基板表面依次层叠排列的第一电极层、光电转换层和第二电极层。
优选的，所述的第一电极层包括第一金属层和位于第一金属层上，且覆盖第一金属层上表面的第一透明导电层，所述第一电极层呈梳齿状排列。
优选的，所述的第一电极层之间的间隙满足：0<间隙宽度<300μm。
优选的，所述的光电转换层包括依次层叠排列的p型非晶硅膜层、非晶硅膜层以及n型非晶硅膜层，其中所述p型非晶硅膜层覆盖第一透明导电层的上表面，且呈梳齿状排列；所述非晶硅膜层覆盖所述p型非晶硅膜层和所述第一电极层以及所述第一电极层间隙的基板表面；所述n型非晶硅膜层覆盖所述非晶硅膜层的上表面。
优选的，所述第二电极层包括覆盖所述n型非晶硅膜层上表面的第二金属层。
优选的，所述覆盖n型非晶硅膜层上表面的第二金属层与栅极线为同一物质。
优选的，所述太阳能电池单元的第二电极层上表面还依次层叠排列有绝缘层、钝化层、保护层、第二透明导电层和铝反射层。
优选的，所述第二透明导电层与所述薄膜晶体管电性相连。
优选的，所述像素区域中的太阳能电池单元串联。
优选的，还包括和太阳能电池单元的第一电极层和第二电极层导电相连的***电路。
优选的，还包括***电路，所述***电路包括依次导电相连的存储器、控制器以及***电源，其中所述存储器和太阳能电池单元的第一电极层和第二电极层导电相连。
相应的本发明还提供了一种液晶显示面板的制造方法，包括步骤：
在一基板上的第一区域形成第一电极层；在所述第一电极层上形成p型非晶硅膜层；所述第一电极层和所述p型非晶硅膜层呈梳齿状排列；
在第一区域的所述p型非晶硅膜层上，p型非晶硅膜层间隙，以及基板上的第二区域形成非晶硅膜层，所述非晶硅膜层覆盖所述第一电极层侧壁和p型非晶硅膜层侧壁；第一区域的非晶硅膜层和第二区域的非晶硅膜层断开；
在所述非晶硅膜层上形成n型非晶硅膜层；所述第一区域的p型非晶硅膜层、非晶硅膜层和n型非晶硅膜层构成光电转化层；
在所述n型非晶硅膜层上形成第二金属层，其中所述第一区域的第二金属层构成第二电极层，所述第二区域的第二金属层构成栅极；
在所述第二金属层上以及第二金属层的间隙形成连续的绝缘层；
在所述绝缘层上栅极的对应位置形成源极和漏极以及源极和漏极之间的沟道层；
将另一基板相对放置，并在两所述的基板之间形成液晶层。
优选的，所述形成第一电极层包括步骤：
在所述基板上形成第一金属层；
在所述第一金属层上形成第一透明导电层。
优选的，包括步骤：在源极、漏极、沟道层和绝缘层上形成钝化层；
在所述钝化层上所述光电转化层的对应位置形成保护层；
在所述保护层上形成第二透明导电层，并且所述第二透明导电层与薄膜晶体管的电极相连；
在所述第二透明导电层上形成铝反射层。
上述液晶显示面板及液晶显示装置的技术方案，在一基板的和另一基板相对的侧面上具有太阳能电池单元和薄膜晶体管；所述太阳能电池单元包括从所述基板表面依次层叠排列的第一电极层、光电转换层和第二电极层。和现有技术相比将太阳能电池设置在两基板之间，因此没有增加基板的尺寸，并且结构简单，而且能够实现节能效果，因为太阳能电池位于反射区，因此对像素单元的开口率无影响，同时对背光源有较高的利用率。
上述液晶显示面板的制造方法将太阳能电池和薄膜晶体管中相同的层一起制造，从而节省了工艺步骤，简化了工艺流程，节省了成本。
附图说明
通过附图中所示的本发明的优选实施例的更具体说明，本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
图1为一种现有的液晶显示装置等效电路图；
图2为本发明的液晶显示装置一实施例的等效电路图；
图3为本发明的液晶显示装置一实施例中的一个像素单元剖面的放大图；
图4a～图9a为本发明的液晶显示面板的制造方法一实施例的示意图；
图10为本发明的液晶显示面板的制造方法一实施例的流程图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
本发明利用示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是实例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
参考图2和图3。图2为本发明的液晶显示装置一实施例的等效电路图，图3为本发明的液晶显示装置一实施例中的一个像素区域剖面的放大图。
如图2所示，液晶显示装置包括液晶显示面板10和提供给液晶显示面板电源，并控制液晶显示面板进行显示的***电路20。
其中，液晶显示面板10包括两块相对放置的基板，即第一基板15、第二基板17(如图3所示)，以及第一基板15和第二基板17之间的液晶层，其中第一基板15和第二基板17相对的侧面上具有膜层结构构成的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)200和太阳能电池单元100，例如第一基板15可以是玻璃基板，具有绝缘性和透光性高的特性。在第一基板15上具有交叉排布的复数条数据线和复数条栅极线，其中数据线和栅极线将第一基板15分割为若干个像素区域16。每个像素区域16内包括至少一个薄膜晶体管200和至少一个太阳能电池单元100，太阳能电池单元位于像素区域16的第一区域，薄膜晶体管200位于像素区域16的第二区域。因为阵列排布的像素区域16具有相同的结构，因此下面具体针对一个像素区域16的结构进行说明。
如图2所示，一个像素区域16中，第一基板15的朝向相对放置的第二基板的一面上具有至少一个薄膜晶体管200和至少一个太阳能电池单元100。
如图3所示，在第一基板15的第一区域18上具有太阳能电池单元，其包括依次层叠排列第一电极层1100、光电转换层1200以及第二电极层1310，为了方便描述，下面以靠近太阳能电池单元所在的第一基板15的方向为下，靠近第二基板的方向为上。
其中，第一电极层1100包括若干个第一金属层1110和第一透明导电层1120组成的分立的叠层结构，所述第一透明导电层1120位于第一金属层1110上，覆盖第一金属层1110的上表面，所述第一电极层的分立的叠层结构1100a、1100b、1100c(参考图4a、4b)呈梳齿状排列。其中，相邻的叠层结构之间具有一开口(slit)1100d，例如1100a与1100b之间具有一宽度为d开口(slit)1100d，类似的1101b与1101c之间也具有类似的开口。优选的，0<宽度d<300μm。换言之，相邻的梳齿状的叠层结构之间的间距d满足：0<间距d<300μm。
当然，图3中所示的呈梳齿状排列的叠层结构的数量仅供示例性说明，其数量不应仅限于图中所示的数量，其可以为至少2个的任一数字。
光电转换层1200由薄膜堆叠层组成，该薄膜堆叠层包括依次层叠排列的p型非晶硅(p+a-Si)膜层1210、非晶硅(a-Si)膜层1220以及n型非晶硅(n+a-Si)膜层1230，其中p型非晶硅膜层1210位于第一透明导电层1120上方，p型非晶硅膜层1210呈梳齿状排列，覆盖第一透明导电层1120的上表面。
当然，在本发明液晶显示面板的另一实施例中，第一电极层1100只包括若干个第一金属层1110，即第一透明导电层可以省略。该第一金属层构成的第一电极层呈分立排布，太阳能电池的光电转换层1200中的p型非晶硅(p+a-Si)膜层1210直接覆盖于第一金属层1110上表面，其余结构相同，故不作赘述。
具体的，第一区域18的非晶硅膜层1220位于p型非晶硅膜层1210上方，覆盖p型非晶硅膜层1210、第一电极层1100呈梳齿状排列的叠层结构的侧壁以及第一电极层1100呈梳齿状排列的叠层结构的间隙。并且在第二区域19的第一基板15上覆盖有非晶硅膜层1220b，所述第二区域19的非晶硅膜层1220b和第一区域18的非晶硅膜层1220断开。
第一区域18的非晶硅膜层1220上方具有n型非晶硅膜层1230，覆盖非晶硅膜层1220的上表面；在第二区域19的非晶硅膜层1220b上方覆盖有n型非晶硅膜层1230b。
第一区域18的n型非晶硅膜层1230上表面具有第二金属层1310，第二金属层1310构成太阳能电池单元的第二电极层1310。并且，第一电极层1100、光电转换层1200和第二电极层1310构成太阳能电池单元100。第二区域19的n型非晶硅膜层1230b上表面覆盖有第二金属层1310b，第二金属层1310b形成栅极线以及薄膜晶体管的栅极(薄膜晶体管的栅极为栅极线的一部分)。
其中，上述第一透明导电层1120所采用的物质为透明导电物质，如可以是氧化锌、二氧化锡、氧化铟锡等，图3中所示的本实施例中采用氧化铟锡(ITO：Indium Tin Oxides)。第二金属层1310所采用的物质例如可以是铝、银、铜、钼或其他金属或合金，例如本实施例中采用的是AlNd(铝钕合金)。位于第一区域18的非晶硅膜层1220与位于第二区域19的非晶硅膜层1220b；位于第一区域18的n型非晶硅1230与位于第二区域19的1230b；位于第一区域18的第二金属层1310与位于第二区域19的1310b分别为相同物质。
更进一步地，第一基板15还包括依次层叠排列的绝缘层1400、钝化层1600、保护层1700、第二透明导电层1800以及铝反射层1900。在本实施例中具体的，在第二金属层上具有绝缘层1400，也就是绝缘层1400覆盖第二电极层1310、栅极线1310b的上表面、二者的侧壁、二者之间的间隙部分以及部分第一基板15的上表面，优选的，该绝缘层1400可以是SiOx或SiNx物质。在位于第一基板15上第二区域19的与薄膜晶体管的栅极1310b对应的绝缘层1400上表面依次覆盖非晶硅膜层1220c、n型非晶硅膜层1230c以及第三金属层1500，其中，n型非晶硅膜层1230c部分覆盖非晶硅膜层1220c的上表面，第三金属层1500覆盖n型非晶硅膜层1230c上表面、非晶硅膜层1220c和n型非晶硅膜层1230c的侧壁以及部分钝化层1400的上表面，并且非晶硅膜层1220c和第三金属层1500具有沟道。非晶硅膜层1220c和n型非晶硅膜层1230c形成薄膜晶体管的沟道层1510，第三金属层1500分别形成薄膜晶体管的源极和漏极。该栅极1310b、源极、漏极和沟道层1510形成薄膜晶体管。优选地，该非晶硅膜层1220c与非晶硅膜层1220、1220b可以为相同物质，该n型非晶硅膜层1230c与n型非晶硅膜层1230、1230b可以为相同物质。在绝缘层1400、第三金属层1500以及沟道层1510上具有钝化层1600，也就是钝化层1600覆盖绝缘层1400、第三金属层1500以及沟道层1510上表面，该钝化层在覆盖于薄膜晶体管上的部分还具有通孔。在位于第一基板15上第一区域的钝化层1600上具有保护层1700，也就是保护层1700覆盖在钝化层1600上与第一电极层1100、光电转化层1200及第二电极层1310的对应位置。在保护层1700上具有第二透明导电层1800，第二透明导电层1800覆盖保护层1700，并且第二透明导电层1800还充当导线与其要导电连通的器件相连，例如在本实施例中第二透明导电层1800还覆盖部分钝化层1600并且通过钝化层1600上的通孔与第二区域的薄膜晶体管的漏极电性相连。在第二透明导电层1800上具有铝反射层1900，铝反射层1900覆盖在第二透明导电层1800上保护层1700的对应位置。
以上所述的第一基板15中的第一区域18形成第一基板的反射区域，第二区域19形成第一基板的透射区域。
继续参考图2，***电路20包括依次导电相连的存储器30、控制器40以及***电源50，存储器30通过导线60与太阳能电池单元100导电相连。
结合图2、图3所示，当有光源照射时，光线从该开口1100d处照射太阳能电池单元100的光电转换层1200，该光电转换层1200即产生电子和空穴对，在经由导线60将电能传送给存储器30，最终供给***电源50。图2中存储器30、控制器40以及***电源50的工作方式同公知技术，此处不作赘述。
第一基板15是由若干个上述像素区域16构成，若干个位于像素区域16的太阳能电池单元100相互串联，该若干个太阳能电池单元串联构成太阳能电池。在上述实施例中，将太阳能电池单元和薄膜晶体管同做在第一基板15的同一侧，也就是第一基板15和第二基板17之间，因此本发明的液晶显示面板的厚度比现有的具有太阳能电池的液晶显示面板的厚度减小，结构简单。
以上所述仅为本发明的最佳实施例，在本发明的其他实施例中，并不是每一个像素区域16中都具有太阳能电池单元，因在像素区域16中的太阳能电池结构相同或类似，故不一一列举。
因为非晶硅薄膜太阳能的制备方法与液晶显示装置中的薄膜晶体管的制备方法在工艺上具有颇多近似之处。因此本发明将太阳能电池和薄膜晶体管都做在液晶显示装置的显示区域，并且太阳能电池和薄膜晶体管同时形成，简化了工艺步骤，使成本降低。图4a至图10为本发明的第一基板制造方法一实施例的示意图。下面结合图4至图10对本发明的第一基板的制造方法进行详细说明。其中，图4a、5a、6a、7a、8a、9a为剖视图，4b、5b、6b、7b、8b为相应的俯视图。
步骤S1：在一基板上的第一区域形成第一电极层；在所述第一电极层上形成p型非晶硅膜层；所述第一电极层和所述p型非晶硅膜层呈梳齿状排列。
请参阅图4a和图4b。在一具体实现中，首先，依次在第一基板15上形成第一金属层1110和第一透明导电层1120。该第一金属层1110和第一透明导电层1120可以利用PECVD(电浆辅助化学气相沉积)法或溅镀法等已经公知的气相沉积法形成。
请继续参阅图4a和图4b。在一具体实现中，首先，依次在第一透明导电层1120上形成p型非晶硅膜层1210。p型非晶硅膜层1210可以利用PECVD(电浆辅助化学气相沉积)法或溅镀法等已经公知的气相沉积法形成。
然后，依据公知技术的曝光、蚀刻技术将第一金属层1110、第一透明导电层1120和p型非晶硅膜层1210在第一区域18形成如图4b中所示的梳齿状。
当然，在另一实施例中，也可以将第一透明导电层1120省略，在第一金属层1110上表面直接覆盖p型非晶硅膜层1210。形成方式同本发明的前述实施例，故此处不作赘述。
步骤S2：在第一区域的所述p型非晶硅膜层上，p型非晶硅膜层间隙，以及第一基板上的第二区域形成非晶硅膜层，所述非晶硅膜层覆盖所述第一电极层侧壁和p型非晶硅膜层侧壁；第一区域的非晶硅膜层和第二区域的非晶硅膜层断开。
具体的，请参阅图5a和图5b，在一具体实现中，依次在玻璃基板上利用PECVD(电浆辅助化学气相沉积)法或溅镀法等已经公知的气相沉积法在第一区域形成非晶硅膜层1220，第二区域形成非晶硅膜层1220b。
在第一区域18内非晶硅膜层1220位于p型非晶硅膜层1210上方，覆盖p型非晶硅膜层1210、第一电极层1100呈梳齿状排列的叠层结构的侧壁以及第一电极层1100呈梳齿状排列的叠层结构的间隙。
步骤S3：在所述非晶硅膜层上形成n型非晶硅膜层；所述第一区域的p型非晶硅膜层、非晶硅膜层和n型非晶硅膜层构成光电转化层。
具体的，请参阅图5a和图5b，在一具体实现中，依次在玻璃基板上利用PECVD(电浆辅助化学气相沉积)法或溅镀法等已经公知的气相沉积法形成第一区域18的n型非晶硅膜层1230和第二区域19的n型非晶硅膜层1230b。第一区域和第二区域的n型非晶硅膜层位于非晶硅膜层上方，覆盖非晶硅膜层的上表面。
步骤S4：在所述n型非晶硅膜层上形成第二金属层，其中所述第一区域的第二金属层构成第二电极层，所述第二区域的第二金属层构成栅极。
参考图6a和6b，第二金属层可以包括第一区域18的第二金属层1310和第二区域19的第二金属层1310b。第一区域18的第二金属层1310覆盖在n型非晶硅膜层1230上表面，第二区域19的第二金属层1310b覆盖在n型非晶硅膜层1230b上表面。第一区域和第二区域的第二金属层可以利用PECVD(电浆辅助化学气相沉积)法或溅镀法等已经公知的气相沉积法形成。该第二金属层1310和1310b所采用的物质例如可以是铝、银、铜、钼或其他金属或合金，例如本实施例中采用的是AlNd。
其中，步骤S1中形成的梳齿状的p型非晶硅膜层1210以及在第一区域的非晶硅膜层1210和n型非晶硅膜层1230堆叠构成太阳能电池的光电转换层1200，光电转换层1200上的第二金属层1310形成了太阳能电池的第二电极层。在第二区域的第二金属层1310b构成了薄膜晶体管的栅极。
步骤S5：在所述第二金属层上以及第二金属层的间隙形成连续的绝缘层。
参考图7a和7b，绝缘层1400覆盖所述第二金属层1310、1310b以及其间隔。绝缘层1400可以为使用PECVD法或溅镀法等公知的气相沉积法形成。
步骤S6：在所述绝缘层上栅极的对应位置形成源极和漏极以及源极和漏极之间的沟道层。
参考图8a和8b，绝缘层1400上，栅极对应位置形成沟道层1510，具体为利用PECVD(电浆辅助化学气相沉积)法或溅镀法等已经公知的气相沉积法形成非晶硅膜层和位于非晶硅膜层上的n型非晶硅膜层。
在栅极对应的区域中的部分区域形成第三金属层1500，并且第三金属层1500覆盖沟道层1510相对的两个侧边的边缘部分。该第三金属层1500同样使用溅镀法这一公知的气相沉积法直接形成于沟道层1510与栅极绝缘层1400上，该第三金属层1500可以是Cr或MoAlMo等物质。利用湿蚀刻的方法，使该第三金属层1500形成位于第二区域的图案。之后利用干蚀刻的方法，在第三金属层1500以及沟道层1510上形成沟道(channel)，此时分别形成薄膜晶体管的源极、漏极以及导电沟道。
在该步骤S6中，可以同时形成与源极导电相连的数据线1320(如图8b所示)，数据线的形成同公知技术中数据线的形成，此处不作赘述。
步骤S7：将另一基板，也就是第二基板相对放置，并在两所述的基板之间形成液晶层。
优选的，在步骤S6之前，步骤S5之后还包括：
步骤S51：在源极、漏极和沟道层上以及第一区域的绝缘层上形成钝化层。
参考图9a，在第三金属层1500、沟道层1510上和绝缘层1400形成钝化层(passivation)1600。钝化层1600为使用PECVD法或溅镀法等公知的气相沉积法形成。钝化层1600成膜之后，对该钝化层1600进行干蚀刻，并在钝化层1600覆盖于薄膜晶体管漏极上的部分形成通孔。
步骤S52：在位于第一区域的钝化层上形成保护层(over coating)。
参考图3，在钝化层1600上位于第一区域的部分具有保护层1700，也就是保护层1700覆盖在钝化层1600上与第一电极层1100、光电转化层1200及第二电极层1310的对应位置。
步骤S53：在保护层上形成第二透明导电层。
继续参考图3，第二透明导电层1800覆盖保护层1700，并且该第二透明导电层1800还充当导线与其要导电连通的器件相连，例如在本实施例中第二透明导电层1800还覆盖部分钝化层1600并且通过钝化层1600上的通孔与第二区域的薄膜晶体管的漏极电性相连。
步骤S54：在第二透明导电层上形成铝反射层。
继续参考图3，在第二透明导电层1800上形成铝反射层1900，铝反射层1900覆盖在第二透明导电层1800上与保护层1700的对应位置。
完成以上步骤，所述的第一区域18即形成半穿反型液晶显示面板的反射区域，所述的第二区域19即形成半穿反型液晶显示面板的透射区域。
以上步骤S5至步骤S6，步骤S51至步骤S54均为半穿反型液晶显示面板中公知的知识，故未作过多描述。
虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (14)

1、一种液晶显示面板，包括相对放置的两块基板及在所述两块基板之间的液晶层，在其中一块基板上包括至少两条栅极线与至少两条数据线，所述栅极线与所述数据线交叉形成像素区域，该像素区域具有薄膜晶体管，其特征在于，在至少一个所述像素区域中具有太阳能电池单元；所述太阳能电池单元包括从所述基板表面依次层叠排列的第一电极层、光电转换层和第二电极层。
2、根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述的第一电极层包括第一金属层和位于第一金属层上，且覆盖第一金属层上表面的第一透明导电层，所述第一电极层呈梳齿状排列。
3、根据权利要求2所述的液晶显示面板，其特征在于，所述的第一电极层之间的间隙满足：0<间隙宽度<300μm。
4、根据权利要求2所述的液晶显示面板，其特征在于，所述的光电转换层包括依次层叠排列的p型非晶硅膜层、非晶硅膜层以及n型非晶硅膜层，其中所述p型非晶硅膜层覆盖第一透明导电层的上表面，且呈梳齿状排列；所述非晶硅膜层覆盖所述p型非晶硅膜层和所述第一电极层以及所述第一电极层间隙的基板表面；所述n型非晶硅膜层覆盖所述非晶硅膜层的上表面。
5、根据权利要求4所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第二电极层包括覆盖所述n型非晶硅膜层上表面的第二金属层。
6、根据权利要求5所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第二金属层与栅极线为同一物质。
7、根据权利要求6所述的液晶显示面板，其特征在于，所述太阳能电池单元的第二电极层上表面还依次层叠排列有绝缘层、钝化层、保护层、第二透明导电层和铝反射层。
8、根据权利要求7所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第二透明导电层与所述薄膜晶体管电性相连。
9、根据权利要求7所述的液晶显示面板，其特征在于，所述像素单元中的太阳能电池单元串联。
10、一种包括权利要求1至9任一项所述的液晶显示面板的液晶显示装置，其特征在于，还包括和太阳能电池单元的第一电极层和第二电极层导电相连的***电路。
11、根据权利要求10所述的液晶显示装置，其特征在于，还包括***电路，所述***电路包括依次导电相连的存储器、控制器以及***电源，其中所述存储器和太阳能电池单元的第一电极层和第二电极层导电相连。
12、一种液晶显示面板的制造方法，其特征在于，包括步骤：
在一基板上的第一区域形成第一电极层；在所述第一电极层上形成p型非晶硅膜层；所述第一电极层和所述p型非晶硅膜层呈梳齿状排列；
在第一区域的所述p型非晶硅膜层上，p型非晶硅膜层间隙，以及基板上的第二区域形成非晶硅膜层，所述非晶硅膜层覆盖所述第一电极层侧壁和p型非晶硅膜层侧壁；第一区域的非晶硅膜层和第二区域的非晶硅膜层断开；
在所述非晶硅膜层上形成n型非晶硅膜层；所述第一区域的p型非晶硅膜层、非晶硅膜层和n型非晶硅膜层构成光电转化层；
在所述n型非晶硅膜层上形成第二金属层，其中所述第一区域的第二金属层构成第二电极层，所述第二区域的第二金属层构成栅极；
在所述第二金属层上以及第二金属层的间隙形成连续的绝缘层；
在所述绝缘层上栅极的对应位置形成源极和漏极以及源极和漏极之间的沟道层；
将另一基板相对放置，并在两所述的基板之间形成液晶层。
13、根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述形成第一电极层包括步骤：
在所述基板上形成第一金属层；
在所述第一金属层上形成第一透明导电层。
14、根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，包括步骤：
在源极、漏极、沟道层和绝缘层上形成钝化层；
在所述钝化层上所述光电转化层的对应位置形成保护层；
在所述保护层上形成第二透明导电层，并且所述第二透明导电层与薄膜晶体管的漏电极相连；
在所述第二透明导电层上形成铝反射层。
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