CN101493615A - 薄膜晶体管液晶显示器的驱动装置 - Google Patents

薄膜晶体管液晶显示器的驱动装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101493615A
CN101493615A CNA2008100565459A CN200810056545A CN101493615A CN 101493615 A CN101493615 A CN 101493615A CN A2008100565459 A CNA2008100565459 A CN A2008100565459A CN 200810056545 A CN200810056545 A CN 200810056545A CN 101493615 A CN101493615 A CN 101493615A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film transistor
thin film
public electrode
tft
electrode wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2008100565459A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101493615B (zh
Inventor
高文宝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Gaochuang Suzhou Electronics Co Ltd
Original Assignee
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN2008100565459A priority Critical patent/CN101493615B/zh
Priority to US12/273,630 priority patent/US7884891B2/en
Priority to KR1020080116821A priority patent/KR101025224B1/ko
Priority to JP2008301648A priority patent/JP4880663B2/ja
Publication of CN101493615A publication Critical patent/CN101493615A/zh
Priority to US12/852,714 priority patent/US7952652B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN101493615B publication Critical patent/CN101493615B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器的驱动装置，通过在设计TFTLCD屏的周边回路时，在栅极信号线与公共电极信号线之间采用薄膜晶体管连接；在信号扫描过程中相当于通过栅极信号线和该栅极信号线的下一行的公共电极信号线同时施加栅极驱动信号，也就是可以通过两条引线传导栅极信号；此种设计可以有效降低栅极引线电阻，降低信号延迟的影响。

Description

薄膜晶体管液晶显示器的驱动装置
技术领域
本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，简称TFT-LCD)领域，尤其是一种利用降低栅极引线电阻的薄膜晶体管液晶显示器的驱动装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在近十年有了很快发展，并且尺寸越来越大，显示效果越来越好。
如图1和图2所示，为现有的TFTLCD的驱动装置的结构示意图和设计结构示意图，一般采用存储电容在公共电极上形成的设计(Cst on common)方式，使像素部分的公共电极直接与屏周边的公共电极相连。当其中一行像素工作时，栅极施加高压，薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)开启工作，此时数据信号通过像素的TFT沟道传导到像素电极上，进而由此像素电压控制液晶盒内液晶分子的偏转，达到控制光的目的，同时数据信号电压对像素的存储电容(Cst)进行充电，在一帧扫描时间内，参与工作的像素电压依靠由像素电极与存储电容的公共电极形成的存储电容(Cst)保持一定电压，也就是通过Cst on Common的方式保持一定电压，由于像素的公共电极始终与外部的公共电极相连，因此维持恒定的公共电压值。
由于栅极信号会有延迟，因此要求栅极引线的电阻必须控制在一定的范围内，也就是要求有一定的布线宽度，但是在成盒设计时需要通过彩膜(CF)遮光条的设计来遮挡栅极信号线和存储电容的引线即像素的公共电极线，因此这一布线宽度会影响像素的开口率，既开口率直接影响光线通过的效率，开口率越高光线通过效率越高。
因此现有技术的薄膜晶体管液晶显示器的驱动装置，对于栅极引线的信号延迟而需要增加引线宽度和像素开口率是一个矛盾的关系，无法实现因为栅极引线的信号延迟而需要大的引线宽度，以及大的像素开口率。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的缺陷，提供一种薄膜晶体管液晶显示器的驱动装置，以实现保持开口率不变的情况下，尽量减少栅极引线的宽度，降低栅极信号线电阻和降低信号延迟。
为了实现上述目的，本发明提供了一种薄膜晶体管液晶显示器的驱动装置，包括：
外部公共电极线，用于提供恒定电压；
数个像素公共电极线，用于保持恒定电压；
数个栅极信号线，用于提供栅极信号；
数个第一薄膜晶体管，每一个栅极信号线的一端通过一个第一薄膜晶体管与该栅极信号线下一行的像素公共电极线相连接；
数个第二薄膜晶体管，外部公共电极线通过一个第二薄膜晶体管与像素公共电极线的一端相连接；
数个第三薄膜晶体管，像素公共电极线的另一端通过一个第三薄膜晶体管与外部公共电极线相连接；
数个第四薄膜晶体管，每一个栅极信号线的另一端通过一个第四薄膜晶体管与该栅极信号线下一行的像素公共电极线的另一端相连接。
上述方案中第一薄膜晶体管的栅极和源极与栅极信号线连接，漏极与该栅极信号线下一行的像素公共电极线连接；第二薄膜晶体管的栅极和源极与外部公共电极线连接，漏极与该栅极信号线下一行的像素公共电极线连接；第三薄膜晶体管的栅极和源极与外部公共电极线相连接，漏极与该栅极信号线下一行的像素公共电极线的另一端连接；第四薄膜晶体管栅极和源极与栅极信号线的另一端连接，漏极与该栅极信号线下一行的像素公共电极线的另一端连接。
因此本发明是通过在设计TFTLCD周边回路时在栅极信号线与外部公共电极线之间采用薄膜晶体管连接，在信号扫描过程中相当于通过栅极信号线和该栅极信号线下一行的像素公共电极线同时施加栅极驱动信号。
通过以上说明得知，本发明相较现有技术，可达到如下的功效：
保持一定的开口率，不改变引线宽度的情况下，可以通过两条引线施加栅极信号，相当于降低了引线电阻，降低了信号的延迟。
保持栅极信号的延迟程度，可以通过减少栅极引线的宽度，达到增大开口率。
解决了栅极引线的信号延迟而需要增加引线宽度和提高像素开口率的矛盾。
附图说明
图1为现有技术TFTLCD的驱动装置的结构示意图；
图2为现有技术TFTLCD的驱动装置的设计结构示意图；
图3为本发明薄膜晶体管液晶显示器的驱动装置的结构示意图。
附图标记说明
1、栅极信号线；       2、数据信号线；         3、外部公共电极线；
4、像素公共电极线；   11、第一薄膜晶体管；    12、第二薄膜晶体管；
13、第三薄膜晶体管；  14、第四薄膜晶体管。
具体实施方式
如图3所示，为本发明薄膜晶体管液晶显示器的驱动装置的结构示意图，包括：外部公共电极线3，用于提供恒定电压；数个像素公共电极线4，用于保持恒定电压；数个栅极信号线1，用于提供栅极信号；数个第一薄膜晶体管11，每一个栅极信号线1的一端通过一个第一薄膜晶体管11与该栅极信号线下一行的像素公共电极线4相连接；数个第二薄膜晶体管12，外部公共电极线3通过一个第二薄膜晶体管12与像素公共电极线4的一端相连接；数个第三薄膜晶体管13，像素公共电极线4的另一端通过该第三薄膜晶体管13与外部公共电极线3相连接；数个第四薄膜晶体管14，每一个栅极信号线1的另一端、该栅极信号线1下一行的像素公共电极线4的另一端通过该第四薄膜晶体管14相连接。
再如图3所示，本实施例中：第一薄膜晶体管11的栅极和源极与栅极信号线1连接，漏极与该栅极信号线下一行的像素公共电极线4连接；第二薄膜晶体管12的栅极和源极与外部公共电极线3连接，漏极与像素公共电极线4连接。
本实施例中，第三薄膜晶体管13的栅极和源极与外部公共电极线3相连接，漏极与像素公共电极线4的另一端连接；第四薄膜晶体管14栅极和源极与栅极信号线1的另一端连接，漏极与该该栅极信号线下一行的像素公共电极线4的另一端连接。
在栅极信号线1的一端通过薄膜晶体管与外部公共电极线3相连，因此当第n-1行开启，也就是n-1行的栅极信号线1施加高压信号(Vgh)时，第n行的第一薄膜晶体管11工作导通，此时第n行存储电容(Cst)的电极引线同样被施加同样的高压信号(Vgh)，这一信号与栅极引线信号1一起传递到屏的最右端，此时第四薄膜晶体管14亦开启工作，所以栅极信号线1的输入端通过第一薄膜晶体管11与该栅极信号线1下一行的像素公共电极线4相连再通过第四薄膜晶体管14与栅极信号线1的末端相连，形成了又一条引线，两条引线形成了同等的电位，此时两条引线同时传导栅极信号，相当于降低了信号通路的电阻。当第n行施加高压信号(Vgh)工作时，由于其他各行均处于低电压信号(Vgl)控制，因此第n行第二薄膜晶体管12工作，在屏的最右端第n行的第三薄膜晶体管13也同时工作，此时第n行的第一薄膜晶体管11与在屏的最右端第n行的第四薄膜晶体管14截止，因此只有两个外部公共电极线3之间用第三薄膜晶体管13第n行的存储电容电极仍然被施加外部公共电极信号的电压，第n行可以进行正常的充电过程。
总之，当栅极信号施加于某一行，高压信号时，这一行传输栅极信号的两条引线是：一条为栅极信号线1；另一条为栅极信号线1的输入端通过第一薄膜晶体管11传输到该栅极信号线下一行的像素公共电极线4，再通过第四薄膜晶体管14到栅极信号线1输出端的引线。当没有栅极信号，低压信号时，第一薄膜晶体管11和第四薄膜晶体管14处于截止状态，只是外部公共电极线3之间由第二薄膜晶体管12、第三薄膜晶体管13与像素公共电极线4相连接，传输公共电极信号并存储电容。
上述结构及设计方法为本发明针对降低栅极引线电阻设计，本发明的精神是在结构方面，设计TFTLCD屏的周边回路时在栅极信号线与外部公共电极线之间采用薄膜晶体管连接的。这种设计方法在性能上有效的实现了，降低栅极引线电阻，降低信号延迟的影响，又较好的解决了栅极引线的信号延迟而需要增加引线宽度和像素开口率是一个矛盾的关系。
最后应当说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制；尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解，依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者对部分技术特征进行等同替换；而不脱离本发明技术方案的精神，其均应涵盖在本发明请求保护的技术方案范围当中。

Claims (5)

1、一种薄膜晶体管液晶显示器的驱动装置，其特征在于包括：
外部公共电极线，用于提供恒定电压；
数个像素公共电极线，用于保持恒定电压；
数个栅极信号线，用于提供栅极信号；
数个第一薄膜晶体管，每一个所述栅极信号线的一端通过一个所述第一薄膜晶体管与该栅极信号线下一行的像素公共电极线相连接；
数个第二薄膜晶体管，所述外部公共电极线通过一个所述第二薄膜晶体管与所述像素公共电极线的一端相连接；
数个第三薄膜晶体管，所述像素公共电极线的另一端通过一个所述第三薄膜晶体管与所述外部公共电极线相连接；
数个第四薄膜晶体管，每一个所述栅极信号线的另一端通过一个所述第四薄膜晶体管与该栅极信号线下一行的所述像素公共电极线的另一端相连接。
2、根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的驱动装置，其特征在于：所述第一薄膜晶体管的栅极和源极与栅极信号线连接，漏极与所述该栅极信号线下一行的像素公共电极线连接。
3、根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的驱动装置，其特征在于：所述第二薄膜晶体管的栅极和源极与外部公共电极线连接，漏极与所述该栅极信号线下一行的像素公共电极线连接。
4、根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的驱动装置，其特征在于：所述第三薄膜晶体管的栅极和源极与外部公共电极线相连接，漏极与该栅极信号线下一行的像素公共电极线的另一端连接。
5、根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的驱动装置，其特征在于：所述第四薄膜晶体管栅极和源极与栅极信号线的另一端连接，漏极与该栅极信号线下一行的像素公共电极线的另一端连接。
CN2008100565459A 2008-01-21 2008-01-21 薄膜晶体管液晶显示器的驱动装置 Active CN101493615B (zh)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008100565459A CN101493615B (zh) 2008-01-21 2008-01-21 薄膜晶体管液晶显示器的驱动装置
US12/273,630 US7884891B2 (en) 2008-01-21 2008-11-19 Thin film transistor liquid crystal display
KR1020080116821A KR101025224B1 (ko) 2008-01-21 2008-11-24 박막 트랜지스터 액정 디스플레이
JP2008301648A JP4880663B2 (ja) 2008-01-21 2008-11-26 薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ
US12/852,714 US7952652B2 (en) 2008-01-21 2010-08-09 Thin film transistor liquid crystal display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008100565459A CN101493615B (zh) 2008-01-21 2008-01-21 薄膜晶体管液晶显示器的驱动装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101493615A true CN101493615A (zh) 2009-07-29
CN101493615B CN101493615B (zh) 2011-05-04

Family

ID=40924272

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008100565459A Active CN101493615B (zh) 2008-01-21 2008-01-21 薄膜晶体管液晶显示器的驱动装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101493615B (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102243404A (zh) * 2010-05-14 2011-11-16 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制造方法
CN102915700A (zh) * 2011-08-04 2013-02-06 昆山维信诺显示技术有限公司 有源oled照明装置
CN103000122A (zh) * 2011-09-13 2013-03-27 昆山维信诺显示技术有限公司 有源oled照明装置
CN103158344A (zh) * 2013-03-15 2013-06-19 北京京东方光电科技有限公司 一种取向膜印刷装置
CN103365015A (zh) * 2013-07-11 2013-10-23 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及液晶显示器
CN103676381A (zh) * 2013-12-26 2014-03-26 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种液晶显示器及其驱动装置
CN103838049A (zh) * 2014-03-10 2014-06-04 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及液晶显示面板
WO2015100778A1 (zh) * 2013-12-31 2015-07-09 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示器阵列基板及相应的液晶显示器
CN106249486A (zh) * 2015-06-03 2016-12-21 三星显示有限公司 液晶显示器及其制造方法
CN106486048A (zh) * 2017-01-03 2017-03-08 京东方科技集团股份有限公司 控制电路及显示装置
CN112147824A (zh) * 2020-09-27 2020-12-29 合肥京东方显示技术有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN112198725A (zh) * 2020-10-22 2021-01-08 Tcl华星光电技术有限公司 彩膜基板及液晶显示面板

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100796787B1 (ko) * 2001-01-04 2008-01-22 삼성전자주식회사 게이트 신호 지연 보상 액정 디스플레이 장치, 패널 및 방법
KR100796298B1 (ko) * 2002-08-30 2008-01-21 삼성전자주식회사 액정표시장치

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102243404A (zh) * 2010-05-14 2011-11-16 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制造方法
CN102915700B (zh) * 2011-08-04 2015-11-25 昆山维信诺显示技术有限公司 有源oled照明装置
CN102915700A (zh) * 2011-08-04 2013-02-06 昆山维信诺显示技术有限公司 有源oled照明装置
CN103000122A (zh) * 2011-09-13 2013-03-27 昆山维信诺显示技术有限公司 有源oled照明装置
CN103000122B (zh) * 2011-09-13 2015-07-22 昆山维信诺显示技术有限公司 有源oled照明装置
CN103158344A (zh) * 2013-03-15 2013-06-19 北京京东方光电科技有限公司 一种取向膜印刷装置
CN103158344B (zh) * 2013-03-15 2015-04-29 北京京东方光电科技有限公司 一种取向膜印刷装置
CN103365015A (zh) * 2013-07-11 2013-10-23 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及液晶显示器
US9437149B2 (en) 2013-07-11 2016-09-06 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and display
WO2015003461A1 (zh) * 2013-07-11 2015-01-15 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示器
CN103365015B (zh) * 2013-07-11 2016-01-06 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及液晶显示器
CN103676381A (zh) * 2013-12-26 2014-03-26 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种液晶显示器及其驱动装置
WO2015100778A1 (zh) * 2013-12-31 2015-07-09 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示器阵列基板及相应的液晶显示器
CN103838049A (zh) * 2014-03-10 2014-06-04 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及液晶显示面板
CN103838049B (zh) * 2014-03-10 2017-02-22 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及液晶显示面板
CN106249486A (zh) * 2015-06-03 2016-12-21 三星显示有限公司 液晶显示器及其制造方法
CN106486048A (zh) * 2017-01-03 2017-03-08 京东方科技集团股份有限公司 控制电路及显示装置
CN112147824A (zh) * 2020-09-27 2020-12-29 合肥京东方显示技术有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN112147824B (zh) * 2020-09-27 2023-01-17 合肥京东方显示技术有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN112198725A (zh) * 2020-10-22 2021-01-08 Tcl华星光电技术有限公司 彩膜基板及液晶显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
CN101493615B (zh) 2011-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101493615B (zh) 薄膜晶体管液晶显示器的驱动装置
JP4880663B2 (ja) 薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ
CN108932933B (zh) 移位寄存器、栅极驱动电路、显示装置
CN101335050B (zh) 移位寄存器及使用该移位寄存器的液晶显示器
CN105139822B (zh) 移位寄存器及其驱动方法，栅极驱动电路
JP5234333B2 (ja) ゲート線駆動回路、アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置
CN103454823B (zh) 一种阵列基板及液晶显示面板
CN103412427B (zh) 一种液晶显示面板
US20210233448A1 (en) Pixel circuit and driving method thereof, display substrate, and display device
CN105405415A (zh) 补偿像素电压减损的显示装置及其显示方法
CN105372893B (zh) 一种像素驱动电路、阵列基板及液晶显示装置
CN104008738A (zh) 显示面板与栅极驱动器
US7265744B2 (en) Liquid crystal display device and driving method thereof
CN110738974A (zh) 液晶像素电路、其驱动方法、显示面板及显示装置
WO2020224583A1 (zh) 显示装置
CN102778796A (zh) 一种薄膜晶体管阵列基板及其驱动方法与液晶显示器
CN104537978A (zh) 一种显示面板、其驱动方法及显示装置
CN105185348A (zh) 一种像素单元及其驱动方法、阵列基板及显示装置
CN103018987A (zh) 阵列基板及显示装置
CN106935222A (zh) 保护电路、阵列基板以及显示装置
US20120112193A1 (en) Transistor array substrate
CN103091920A (zh) 一种阵列基板及其驱动方法、显示装置
CN103676381A (zh) 一种液晶显示器及其驱动装置
US20100033419A1 (en) Liquid crystal display with column inversion driving method
CN106652869A (zh) 用于显示面板的控制电路、驱动方法和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: JINGDONGFANG SCIENCE AND TECHNOLOGY GROUP CO., LTD

Free format text: FORMER OWNER: BEIJING BOE PHOTOELECTRICITY SCIENCE + TECHNOLOGY CO., LTD.

Effective date: 20141208

Owner name: BEIJING BOE PHOTOELECTRICITY SCIENCE + TECHNOLOGY

Effective date: 20141208

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 100176 DAXING, BEIJING TO: 100015 CHAOYANG, BEIJING

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20141208

Address after: 100015 Jiuxianqiao Road, Beijing, No. 10, No.

Patentee after: BOE Technology Group Co., Ltd.

Patentee after: Beijing BOE Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd.

Address before: 100176 Beijing economic and Technological Development Zone, West Central Road, No. 8

Patentee before: Beijing BOE Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd.

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20201203

Address after: 215200 No. 1700, Wujiang economic and Technological Development Zone, Suzhou, Jiangsu, Zhongshan North Road

Patentee after: Gaochuang (Suzhou) Electronics Co.,Ltd.

Patentee after: BOE TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd.

Address before: 100015 Jiuxianqiao Road, Beijing, No. 10, No.

Patentee before: BOE TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd.

Patentee before: BEIJING BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right