CN101484818A - 半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序 - Google Patents
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Abstract
由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、以及对半导体器件的不良进行分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)具有分析区域设定部，该分析区域设定部通过比较不良观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值，从而抽出起因于不良的反应区域，并对应于反应区域而设定用于半导体器件的不良分析的分析区域。由此，实现了一种能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。
Description
技术领域
本发明涉及用于对半导体器件的不良(defect)进行分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。
背景技术
作为取得用于分析半导体器件的不良的观察图像的半导体检查装置，目前使用放射显微镜、OBIRCH装置、时间分解放射显微镜等。借助这些检查装置，使用作为不良观察图像而取得的发光图像或OBIRCH图像，能够分析半导体器件的故障部位等的不良(例如，参照专利文献1、2)。
专利文献1：日本专利申请公开第2003-86689号公报
专利文献2：日本专利申请公开第2003-303746号公报
发明内容
近年来，在半导体不良分析中，成为分析对象的半导体器件的微细化和高集成化正在进行，使用上述的检查装置的不良部位的分析变得困难。因此，为了对这种半导体器件进行不良部位的分析，提高用于从不良观察图像来推断半导体器件的不良部位的分析处理的可靠性及其效率是必要且不可缺的。
本发明是为了解决上述的问题而提出的，其目的在于，提供一种能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。
为了达到该目的，本发明的半导体不良分析装置是分析半导体器件的不良的半导体分析装置，其特征在于，具备：(1)检查信息取得模块，取得进行与不良相关的检查而得到的、包含起因于不良的反应信息的不良观察图像，以作为半导体器件的观察图像；(2)不良分析模块，参照不良观察图像以及半导体器件的布图信息，进行与半导体器件的不良相关的分析，(3)不良分析模块具有分析区域设定模块，该分析区域设定模块通过比较不良观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值，从而抽出反应区域，以作为反应信息，并对应于反应区域而设定用于半导体器件的不良分析的分析区域。
另外，本发明的半导体不良分析方法是分析半导体器件的不良的半导体分析方法，其特征在于，具备：(1)检查信息取得步骤，取得进行与不良相关的检查而得到的、包含起因于不良的反应信息的不良观察图像，以作为半导体器件的观察图像；(2)不良分析步骤，参照不良观察图像以及半导体器件的布图信息，进行与半导体器件的不良相关的分析，(3)不良分析步骤包括分析区域设定步骤，该分析区域设定步骤通过比较不良观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值，从而抽出反应区域，以作为反应信息，并对应于反应区域而设定用于半导体器件的不良分析的分析区域。
另外，本发明的半导体不良分析程序是用于使计算机实行分析半导体器件的不良的半导体不良分析的程序，其特征在于，使计算机实行：(1)检查信息取得处理，取得进行与不良相关的检查而得到的、包含起因于不良的反应信息的不良观察图像，以作为半导体器件的观察图像；(2)不良分析处理，参照不良观察图像以及半导体器件的布图信息，进行与半导体器件的不良相关的分析，(3)不良分析处理包括分析区域设定处理，该分析区域设定处理通过比较不良观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值，从而抽出反应区域，以作为反应信息，并对应于反应区域而设定用于半导体器件的不良分析的分析区域。
上述的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序中，取得对分析对象的半导体器件进行检查而得到的发光图像或OBIRCH图像等的不良观察图像。随后，对应于不良观察图像中的反应信息(例如反应部位的信息)而设定分析区域，参照与半导体器件的布图相关的必要的信息，进行半导体器件的不良分析。依照这种构成，通过参照分析区域，能够恰当地实行使用不良观察图像的半导体器件的不良分析。
而且，上述构成中，关于基于不良观察图像的分析区域的设定，通过对具有多个像素的不良观察图像中的亮度分布应用亮度临界值，从而抽出与半导体器件中的反应部位等相对应的反应区域，基于所抽出的反应区域而设定分析区域。由此，能够恰当地设定用于不良分析的分析区域，可靠且高效地进行半导体器件的不良分析。另外，依照应用亮度临界值的这种构成，能够自动地进行不良分析图像中的分析区域的设定，进一步提高不良分析的效率。
依照本发明的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序，通过对不良观察图像中的亮度分布应用亮度临界值，从而抽出反应区域，并基于所抽出的反应区域来设定分析区域，进行半导体器件的不良分析，从而能够恰当地设定用于不良分析的分析区域，可靠且高效地进行半导体器件的不良分析。
附图说明
图1是包括半导体不良分析装置的不良分析***的一个实施方式的构成的方框示意图。
图2是不良分析部的具体的构成的方框示意图。
图3是半导体不良分析方法的模式示意图。
图4是反应区域的抽出以及分析区域的设定的模式示意图。
图5是分析区域的设定的模式示意图。
图6是显示于显示装置的设定窗口的一个示例的构成示意图。
图7是半导体检查装置的一个示例的构成示意图。
图8是从侧面示意图7所示的半导体检查装置的构成图。
图9是对不良观察图像进行的掩膜处理的模式示意图。
图10是对不良观察图像进行的掩膜处理的模式示意图。
图11是对不良观察图像进行的掩膜处理的模式示意图。
图12是使用不良观察图像的分析处理的示例的模式示意图。
图13是使用不良观察图像的分析处理的示例的模式示意图。
图14是OBIRCH图像中的作为分析对象的层的选择的示意图。
图15是观察图像和布图图像的对应的模式示意图。
图16是显示于显示装置的显示窗口的一个示例的构成示意图。
符号说明
1：半导体不良分析***；10：半导体不良分析装置；11：检查信息取得部；12：布图信息取得部；13：不良分析部；131：区域设定部；136：分析区域设定部；137：掩膜(mask)区域设定部；132：网路信息分析部；133：位置调整部；134：附加分析信息取得部；135：分析对象选择部；14：分析画面显示控制部；15：布图图像显示控制部；20：检查信息供给装置；20A：半导体检查装置；21：观察部；22：控制部；23：检查信息处理部；24：显示装置；30：布图信息供给装置；40：显示装置；45：输入装置；P1：图案图像；P2：不良观察图像；P3：布图图像；P6：重叠图像；A、A1～A6：发光区域；B、B1～B6：分析区域；C、C1～C4：网路；D1、D2：标准反应区域；E1、E2：掩膜区域。
具体实施方式
以下，结合附图，详细地说明本发明的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序的优选实施方式。并且，在附图的说明中，对相同的要素使用相同的符号，省略重复的说明。另外，附图的尺寸比例不一定与说明一致。
图1是大致地示意包括本发明的半导体不良分析装置的不良分析***的一个实施方式的构成的方框示意图。该不良分析***1，将半导体器件作为分析对象，使用其观察图像，用于进行不良分析，并且，具备半导体不良分析装置10、检查信息供给装置20、布图信息供给装置30、显示装置40、以及输入装置45。以下，结合半导体不良分析方法，说明半导体不良分析装置10和不良分析***1的构成。
半导体不良分析装置10是用于输入半导体器件的不良分析所必需的数据，实行不良的分析处理的分析装置。本实施方式的不良分析装置10具备检查信息取得部11、布图信息取得部12、不良分析部13、分析画面显示控制部14、以及布图图像显示控制部15。另外，在不良分析装置10上连接有用于显示与不良分析相关的信息的显示装置40、以及用于不良分析所必需的指示或信息的输入的输入装置45。
在不良分析装置10实行的不良分析中所使用的数据，由检查信息取得部11以及布图信息取得部12取得。检查信息取得部11，取得作为通常的观察图像的图案图像P1和不良观察图像P2以作为半导体器件的观察图像(检查信息取得步骤)，该不良观察图像P2包括进行与不良相关的检查而得到的、起因于不良的反应信息。另外，布图信息取得部12取得示意半导体器件中的网路等的构成的布图信息(布图信息取得步骤)。在图1中，布图信息取得部12，取得布图图像P3以作为该半导体器件的布图信息。
在图1中，针对检查信息取得部11，连接有检查信息供给装置20，从供给装置20向取得部11供给图案图像P1以及不良观察图像P2。作为该检查信息供给装置20，例如能够使用放射显微镜装置。在该情况下，不良观察图像P2为发光图像。另外，作为检查信息供给装置20，能够使用OBIRCH装置。在该情况下，不良观察图像P2为OBIRCH图像。或者，也可以使用除此以外的种类的半导体检查装置作为供给装置20。
另外，在图案图像P1以及不良观察图像P2预先由半导体检查装置取得的情况下，作为检查信息供给装置20，使用存储这些图像数据的数据存储装置。这种情况下的数据存储装置，可以设在不良分析装置10的内部，或者，也可以为外部装置。这种构成，在由半导体检查装置预先取得并存储观察图像，并由其他的计算机运行不良分析装置10的软件的情况下有用。这种情况下，不占有半导体检查装置，能够分担推进不良分析的作业。
另外，关于由放射显微镜装置或OBIRCH装置等的半导体检查装置取得的图案图像P1以及不良观察图像P2，在将半导体器件载置于平台上的状态下，取得图像P1、P2。因此，将两者作为相互对位的图像而取得。另外，图像P1、P2中的图像上的坐标系，例如对应于半导体检查装置上的平台坐标系而设定。
另一方面，针对布图信息取得部12，经由网络(network)而连接有布图信息供给装置30，从供给装置30向取得部12供给布图图像P3。作为该布图信息供给装置30，例如能够使用起动有布图检阅器(layoutviewer)的CAD软件的工作站，该布图检阅器的CAD软件从构成半导体器件的元件或网路(配线)的配置等的设计信息产生布图图像P3。
在此，关于例如半导体器件所包含的多个网路的各自的信息等的布图图像P3以外的布图信息，优选在不良分析装置10中使用必要时与布图信息供给装置30进行通讯并取得信息的构成。或者，也可以为对照布图图像P3，从布图信息取得部12读入信息的构成。另外，在预先将半导体器件的不良分析所必需的布图信息读入不良分析装置10的情况下，布图信息取得部12不是必要的。
另外，在本实施方式中，在不良分析装置10中设有布图图像显示控制部15。该布图图像显示控制部15，由画面转送软件，例如X终端构成，具有在显示装置40上的规定的显示窗口中显示在布图信息供给装置30中所描绘的布图图像P3的功能。但是，关于该布图图像显示控制部15，如果不是必要的，那么也可以不设置。
向不良分析部13输入由检查信息取得部11和布图信息取得部12取得的图案图像P1、不良观察图像P2、以及布图图像P3。不良分析部13是参照不良观察图像P2以及布图信息，进行与半导体器件的不良相关的分析的分析模块。另外，分析画面显示控制部14是在显示装置40上显示由不良分析部13生成的与半导体器件的不良的分析结果相关的信息的信息显示控制模块。另外，分析画面显示控制部14在必要时，在规定的分析画面显示除了分析结果以外的与半导体器件的不良分析相关的信息。
图2是图1所示的半导体不良分析装置10中的不良分析部13的具体的构成的方框示意图。本实施方式中的不良分析部13具有区域设定部131和网路信息分析部132。另外，图3和图4是由区域设定部131和网路信息分析部132实行的不良分析方法的模式示意图。此外，以下，在模式性地示意不良观察图像的情况下，为了说明，关于例如发光图像中的发光区域等的反应区域，由带有斜线的区域标识。
区域设定部131是参照不良观察图像P2，对应于图像P2中的反应信息而对分析对象的半导体器件设定分析区域的设定模块。在此，作为不良观察图像P2的示例，考虑由放射显微镜装置取得的发光图像。例如，在图3(a)所示的示例中，作为在不良分析中所参照的反应信息，在发光图像中存在着A1～A6的6个发光区域(反应区域)。如图3(b)所示，区域设定部131对应于发光区域而对这种图像设定6个分析区域B1～B6。
在本实施方式中，该区域设定部131具有分析区域设定部136和掩膜区域设定部137。分析区域设定部136是对不良观察图像P2应用规定的亮度临界值并进行分析区域的设定的设定模块。例如，在图4(a)所示的示例中，在作为不良观察图像P2的发光图像中存在着3处发光区域。
分析区域设定部136中，对这种不良观察图像P2，比较图像P2中的亮度分布和规定的亮度临界值，选择例如具有亮度临界值以上的亮度值的像素。由此，如图4(b)所示，抽出反应区域A1～A3以作为不良观察图像P2所包含的反应信息。在此，在不良观察图像P2为发光图像的情况下，图像P2中的亮度分布对应于半导体器件中的发光强度分布。另外，根据亮度临界值所抽出的反应区域A1～A3对应于发光区域。
而且，分析区域设定部136中，对应于如上述般抽出的反应区域A1～A3而设定用于半导体器件的不良分析的分析区域B1～B3。这种分析区域的设定，优选按照来自使用键盘或鼠标等的输入装置45的操作者的输入，手动地进行。或者，也可以为在分析区域设定部136中自动地进行的构成。另外，所设定的分析区域的形状未被特别地限制，但是，从容易分析的观点出发，优选如图3(b)和图4(b)所示，设定为矩形状的区域(反应方块)。
另外，掩膜区域设定部137是进行掩膜区域的设定的设定模块，该掩膜区域在使用不良观察图像进行不良分析时被用作掩膜。分析区域设定部136使用利用掩膜区域设定部137中所设定的掩膜区域进行过掩膜处理的不良观察图像，参照进行过该掩膜处理的不良观察图像，进行反应区域的抽出以及分析区域的设定。此外，关于这种掩膜区域的设定以及对不良观察图像的掩膜处理，如果不是必要的，则也可以不进行。另外，掩膜区域的设定方法以及不良观察图像的处理方法等，在后面具体地进行说明。
网路信息分析部132，参照由分析区域设定部136设定的分析区域，对半导体器件的布图所包含的多个网路(配线)进行分析。具体而言，对多个网路进行分析，抽出通过所设定的分析区域的网路(网路信息分析步骤)。另外，在分析区域设定部136中设定有多个分析区域的情况下，网路信息分析部132，对多个网路抽出分别通过多个分析区域的网路，并且取得该网路通过分析区域的通过次数。
上述的示例中，如图3(c)所示，对由分析区域设定部136设定的6个分析区域B1～B6，抽出4根网路C1～C4以作为通过分析区域的网路。另外，在这些网路C1～C4中，网路C1的通过分析区域的通过次数为3次，为最多，网路C2的通过次数为2次，网路C3、C4的通过次数分别为1次。
此外，优选这种网路信息的分析中，在必要时，经由布图信息取得部12而在与布图信息供给装置30之间进行通信，实行分析。作为这种构成，例如有这样的构成，即网路信息分析部132对布图信息供给装置30指示进行网路的抽出以及通过分析区域的通过次数的取得，并接收其结果。
另外，在本实施方式中，对网路信息分析部132还设有分析对象选择部135。分析对象选择部135是必要时对作为不良分析的对象的半导体器件的层叠构造进行网路信息分析部132中的作为不良分析的对象的层的选择的选择模块。由该分析对象选择部135进行的层的选择，例如能够参照不良观察图像的取得条件等来进行。
另外，这些不良分析中所必需的图像等的信息，或者作为分析结果而得到的信息，在必要时作为分析画面，由分析画面显示控制部14显示在显示装置40上。尤其是在本实施方式中，分析画面显示控制部14在显示装置40上显示表示上述不良分析部13的分析结果的信息，例如与由分析区域设定部136抽出的反应区域以及对应于反应区域而设定的分析区域相关的信息，或者，与由网路信息分析部132抽出的网路以及该网路通过分析区域的通过次数相关的信息等(信息显示步骤)。
这些分析结果的显示，例如，如图3(c)所示，可以由包括分析区域以及网路的图像显示，或者，也可以由网路的名称以及通过次数的计数值等显示。具体而言，优选分析画面显示控制部14在显示装置40上显示将由网路信息分析部132抽出的网路一览显示的网路的清单，以作为分析结果。另外，在设定有多个分析区域的情况下，作为分析结果，优选在显示装置40上显示将由网路信息分析部132抽出的网路(例如网路的名称)以及该网路通过分析区域的通过次数(例如表示通过次数的计数值)一览显示的网路的清单。
另外，在由包括所设定的分析区域以及所抽出的网路的图像来显示分析结果的情况下，如图3(c)所示，也可以在布图图像上高亮显示所抽出的网路。另外，在通过鼠标操作等来选择所抽出的网路的情况下，也可以使用改变该网路所通过的分析区域的颜色并进行显示的方法等，具体而言，可以使用各种显示方法。另外，关于反应区域以及分析区域的显示，例如，可以如图4(b)所示，由同时表示反应区域和分析区域的图像进行显示，或者，也可以由表示反应区域或分析区域的一者的图像进行显示。
在本实施方式的不良分析部13中，检查信息取得部11不仅取得不良观察图像P2，还取得图案图像P1，与此相对应地设有位置调整部133。位置调整部133，参照图案图像P1以及布图图像P3，在包括图案图像P1以及不良观察图像P2的来自检查信息供给装置20的观察图像和来自布图信息供给装置30的布图图像P3之间进行对位(位置调整步骤)。该对位例如可以使用这样的方法，即在图案图像P1中指定适当的3点，并在布图图像P3中指定对应的3点，从这些坐标进行对位。
另外，在不良分析部13中设有附加分析信息取得部134。附加分析信息取得部134，从外部装置等取得通过与区域设定部131以及网路信息分析部132的上述的分析方法不同的其它分析方法而得到的与半导体器件的不良相关的附加的分析信息(附加分析信息取得步骤)。对照由网路信息分析部132得到的分析结果，参照该所取得的附加分析信息。
对上述实施方式的半导体不良分析装置以及半导体不良分析方法的效果进行说明。
图1所示的半导体不良分析装置10以及不良分析方法中，经由检查信息取得部11以及布图信息取得部12，取得检查分析对象的半导体器件而得到的不良观察图像P2以及与半导体器件的布图相关的必要的信息。然后，在分析区域设定部136，与起因于不良观察图像P2中的不良的反应信息(例如反应部位的信息，具体而言，是发光图像中的发光部位的信息等)相对应地设定分析区域，进行半导体器件的不良分析。依照这种构成，通过参照基于不良观察图像而设定的分析区域(例如矩形状的反应方块)，能够恰当地实行使用不良观察图像的半导体器件的不良分析。
而且，上述构成中，关于分析区域设定部136中所进行的基于不良观察图像P2的分析区域的设定，通过对具有多个像素的作为二维图像的不良观察图像中的亮度分布应用亮度临界值，抽出对应于半导体器件中的反应部位等的反应区域，并基于该所抽出的反应区域而设定分析区域。由此，能够恰当地设定用于不良分析的分析区域，可靠且高效地进行半导体器件的不良分析。在此，起因于不良的反应未被限定，例如，包括光电子放出、热放射、OBIRCH信号、TIVA信号、LIVA信号、SEI信号等。
另外，依照由上述的半导体不良分析装置10、检查信息供给装置20、布图信息供给装置30、显示装置40构成的不良分析***1，实现了能够可靠且高效地进行使用不良观察图像P2的半导体器件的不良分析的半导体不良分析***。
关于抽出反应区域时的不良观察图像P2的亮度分布和亮度临界值的比较方法，具体而言，优选按照不良观察图像的种类，使用适当的比较方法。例如，在不良观察图像P2为发光图像的情况下，如上所述，能够使用根据图像中具有亮度临界值以上的亮度的像素来抽出反应区域的方法。
如上述般应用亮度临界值并进行反应区域的抽出的构成，自动地进行不良分析图像中的分析区域的设定，在进一步提高不良分析的效率上有效。即，分析区域设定部136中，如果预先准备用于反应区域的抽出的亮度临界值等的抽出条件，那么能够对经由检查信息取得部11而输入的不良观察图像P2自动地实行反应区域的抽出。另外，分析区域设定部136中，如果还预先准备了对应于反应区域的分析区域的设定方法，那么也能够自动地实行分析区域的设定。
图5是对应于反应区域的分析区域的设定方法的示例的示意图。图5(a)所示的示例中，使用将分析区域的形状设为矩形，并以相对于不良观察图像中所抽出的反应区域A而外接的方式设定分析区域B的方法。另外，图5(b)所示的示例中，使用相对于反应区域A附加一定的空白的方法，在相对于反应区域A而在左右上下(周围)分别附加宽度w的空白的状态下，设定分析区域B。这种空白的附加，在例如考虑到观察图像取得时的载置半导体器件的平台的位置精确度等，有必要对不良观察图像P2中的反应区域广阔地设定分析区域的情况下有效。另外，关于分析区域的设定方法，除了此些方法之外，也可以使用各种的方法。
此外，在将反应区域A和分析区域B显示于显示装置40的情况下，如图5(c)所示，也可以对照矩形状的外形线而对分析区域B描绘对角线。如此，通过显示分析区域B的对角线，能够容易地确认分析区域B的中心是否与反应区域A的中心一致。
另外，关于分析区域设定部136中的反应区域的抽出，优选还通过比较反应区域的面积和规定的面积临界值，对应用亮度临界值而抽出的反应区域选择用于分析区域的设定的反应区域，并对应于所选择的反应区域而设定分析区域。
如此，通过不仅对不良观察图像P2应用亮度临界值，还应用面积临界值，抽出并选择用于分析区域的设定的反应区域，从而能够在所抽出的反应区域中除去不良分析所不需要的区域之后，进行分析区域的设定。由此，能够提高使用不良观察图像的半导体器件的不良分析的可靠性。
具体而言，例如对不良观察图像应用亮度临界值，将具有亮度临界值以上的亮度的像素作为反应像素抽出。随后，在不良观察图像中的反应像素的分布中，将反应像素连续的区域(例如反应像素在上下左右或斜方向上邻接的像素区域)作为一个区域，求出其面积(例如像素数)，将该面积为面积临界值以上的区域作为反应区域。由此，能够有效地排除例如起因于噪声或垃圾的小区域等的不必要的区域。
另外，关于这种反应区域以及分析区域的抽出条件，例如，能够使用图6所示的设定窗口进行设定。该设定窗口500中，设有用于设定亮度临界值的亮度临界值设定区域501、用于设定面积临界值的面积临界值设定区域502、用于设定在设定分析区域时所附加的空白的宽度w的空白设定区域503。
上述的设定区域501～503中，可以在空白设定区域503选择μm(微米)和pixel(像素)以作为设定空白宽幅w的单位。另外，在设定区域501～503的下方，设有用于指示区域的抽出的抽出按键504、用于结束区域的抽出的结束按键505。
另外，上述实施方式的半导体不良分析装置10中，在不良分析部13中设有网路信息分析部132，该网路信息分析部132参照布图信息，对半导体器件的布图所包含的多个网路进行分析，抽出通过由分析区域设定部136设定的分析区域的网路。如此，通过参照分析区域，进行网路信息的分析，根据通过分析区域的网路，能够从半导体器件中的庞大数量的网路中，推测出成为不良的可能性高的网路(疑为不良网路)。因此，能够可靠且高效地进行使用不良观察图像P2的半导体器件的不良分析。
在此，起因于不良观察图像P2中的不良的反应信息，不仅包括该反应部位本身为不良部位的情况，也包括起因于其它的不良部位(例如不良网路)而产生反应的部位。依照上述构成，也能够使用分析区域对这种不良网路等恰当地进行范围缩小和推测。
另外，关于对应于不良观察图像P2中的反应信息而设定的分析区域，在区域设定部131设定有多个分析区域的情况下，优选在网格信息分析部132，对半导体器件的布图中所包含的多个网路抽出分别通过多个分析区域的网路，并且取得该网路通过分析区域的通过次数。依照这种构成，根据通过分析区域的通过次数多的网路，能够推测出半导体器件中的成为不良的可能性高的网路。因此，能够更可靠且高效地进行使用不良观察图像P2的半导体器件的不良分析。
关于分析区域设定部136中的分析区域的设定，优选在与半导体器件的布图相对应的布图坐标中设定分析区域。如此，不在检查信息侧的图像上的坐标系中，而在布图信息侧的布图坐标系中设定从不良观察图像P2抽出的分析区域，从而能够扩大分析区域的利用范围。由此，能够提高使用分析区域的半导体器件的不良分析中的具体的分析方法的自由度。或者，也可以在图像上的坐标系中设定分析区域。不良图像P2等中的图像上的坐标系，例如如上所述，对应于半导体检查装置中的平台坐标系而设定。
与图1所示的半导体不良分析装置10中所实行的不良分析方法相对应的处理，能够由使计算机实行半导体不良分析的半导体不良分析程序实现。例如，不良分析装置10，能够由使半导体不良分析的处理所必需的各软件程序工作的CPU、存储上述软件程序等的ROM、以及在程序运行中暂时存储数据的RAM构成。这种构成中，通过由CPU运行规定的不良分析程序，能够实现上述的不良分析装置10。
另外，通过CPU实行用于半导体不良分析的各处理的上述程序，能够记录于计算机可读取的记录媒体中并进行分发。这种记录媒体中，例如包括硬盘以及软盘等的磁性媒体、CD-ROM以及DVD-ROM等的光学媒体、光磁软盘(floptical disk)等的磁性光学媒体、或者以运行或储存程序命令的方式而特别配置的例如RAM、ROM、以及半导体非挥发性存储器等的硬件设备等。
图7是能够作为图1所示的检查信息供给装置20而应用的半导体检查装置的一个示例的构成示意图。另外，图8是从侧面示意图7所示的半导体检查装置的构成图。
本构成例的半导体检查装置20A具备观察部21和控制部22。作为检查对象(不良分析装置10的分析对象)的半导体器件S，被载置于设在观察部21的平台218上。而且，本构成例中，设置有用于对半导体器件S施加不良分析所必需的电信号等的测试装置(testfixture)219。半导体器件S，例如以其背面面对物镜220的方式配置。
观察部21具有设置于暗箱内的高灵敏度摄像机210，激光扫瞄光学系(LSM：Laser Scanning Microscope)单元212，光学系222、224，XYZ平台215。其中，摄像机210以及LSM单元212是用于取得半导体器件S的观察图像(图案图像P1、不良观察图像P2)的图像取得模块。
另外，光学系222、224、以及设在光学系222、224的半导体器件S侧的物镜220，构成用于将来自半导体器件S的图像(光像)导向图像取得模块的导光光学系。本构成例中，如图7和图8所示，可切换地设置有分别具有不同的倍率的多个物镜220。另外，测试装置219是进行用于半导体器件S的不良分析的检查的检查模块。另外，LSM单元212除了具有作为上述的图像取得模块的功能之外，还具有作为检查模块的功能。
光学系222是将经由物镜220入射的来自半导体器件S的光导向摄像机210的摄像机用光学系。摄像机用光学系222具有成像透镜222a，该成像透镜222a用于使由物镜220以规定的倍率放大的图像成像于摄像机210内部的受光面。另外，在物镜220和成像透镜222a之间，存在着光学系224的分束器224a。高灵敏度摄像机210，例如可以使用冷却CCD摄像机等。
这种构成中，来自作为不良的分析对象的半导体器件S的光，经由包括物镜220以及摄像机用光学系222的光学系而被导向摄像机210。随后，由摄像机210取得半导体器件S的图案图像P1等的观察图像。另外，也能够取得作为半导体器件S的不良观察图像P2的发光图像。在该情况下，在由测试装置219施加电压的状态下，从半导体器件S产生的光经由光学系而被导向摄像机210，由摄像机210取得发光图像。
LSM单元212具有用于照射红外激光的激光导入用光纤212a、将从光纤212a照射的激光调整为平行光的准直透镜212b、反射由透镜212b调整为平行光的激光的分束器212e、使被分束器212e反射的激光在XY方向上扫瞄并向半导体器件S侧出射的XY扫描器212f。
另外，LSM单元212具有聚光透镜212d和检测用光纤212c。该聚光透镜212d将从半导体器件S侧经由XY扫描器212f入射并透过分束器212e的光聚光，该检测用光纤212c用于检测被聚光透镜212d聚光的光。
光学系224是在半导体器件S以及物镜220和LSM单元212的XY扫描器212f之间引导光的LSM单元用光学系。LSM单元用光学系224具有反射从半导体器件S经由物镜220入射的光的一部份的分束器224a、将被分束器224a反射的光的光路变换为朝向LSM单元212的光路的反射镜224b、将被反射镜224b反射的光聚光的透镜224c。
在这种构成中，从激光源经由激光导入用光纤212a出射的红外激光，通过透镜212b、分束器212e、XY扫描器212f、光学系224、以及物镜220而向半导体器件S照射。
相对于该入射光的来自半导体器件S的反射散射光，反映了设在半导体器件S的电路图案。来自半导体器件S的反射光通过与入射光相反的光路而到达分束器212e，并透过分束器212e。然后，透过分束器212e的光经由透镜212d而向检测用光纤212c入射，被连接于检测用光纤212c的光检测器检测。
经由检测用光纤212c而被光检测器检测的光的强度，如上所述，成为反映设在半导体器件S的电路图案的强度。因而，通过利用XY扫描器212f使红外激光在半导体器件S上进行X-Y扫瞄，从而能够鲜明地取得半导体器件S的图案图像P1等。
控制部22具有摄像机控制部251a、LSM控制部251b、OBIRCH控制部251c、以及平台控制部252。其中，摄像机控制部251a、LSM控制部251b、以及OBIRCH控制部251c，构成观察控制模块，该观察控制模块通过控制观察部21中的图像取得模块以及检查模块等的动作，从而控制由观察部21实行的半导体器件S的观察图像的取得和观察条件的设定等。
具体而言，摄像机控制部251a以及LSM控制部251b，通过分别控制高灵敏度摄像机210以及LSM单元212的动作，从而控制半导体器件S的观察图像的取得。另外，OBIRCH控制部251c用于取得能够用作不良观察图像的OBIRCH(Optical Beam Induced ResistanceChange，光束诱发阻抗变化)图像，抽出激光扫瞄时所产生的半导体器件S中的电流变化等。
平台控制部252通过控制观察部21中的XYZ平台215的动作，从而控制本检查装置20A中的作为***位的半导体器件S的观察部位的设定、或者对位、对焦等。
另外，对这些观察部21以及控制部22设有检查信息处理部23。检查信息处理部23进行观察部21中所取得的半导体器件S的观察图像的数据收集、以及包括图案图像P1以及不良观察图像P2的检查信息的向不良分析装置10的供给(参照图1)等的处理。另外，如果有必要，那么也可以为对该检查信息处理部23连接显示装置24的构成。此外，图8中，省略了检查信息处理部23以及显示装置24的图示。
进一步具体地说明本发明的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。
图1和图2中所示的半导体不良分析装置10中，由分析区域设定部136设定分析区域，参照该分析区域，进行与半导体器件的网路等相关的不良分析。在此，关于该分析区域的设定，通过如上所述将其设定为布图坐标系上的区域，从而能够在与其它的数据之间共享区域数据等，能够扩大分析区域的利用范围。
作为这种分析区域的利用方法的一个示例，存在着这样一种方法，即将对良品的半导体器件所取得的观察图像为标准，并参照该标准观察图像，对检查其它的半导体器件时的不良观察图像P2进行必要的掩膜处理的方法。
这种情况下，具体而言，例如在不良分析部13的掩膜区域设定部137中，使用作为含有标准的半导体器件(例如良品的半导体器件)的反应信息的观察图像的标准观察图像，并通过比较标准观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值，从而抽出标准反应区域。随后，能够使用对应于所抽出的标准反应区域而设定掩膜区域的方法。相对于此，优选分析区域设定部136使用利用由掩膜区域设定部137设定的掩膜区域进行过掩膜处理的不良观察图像P2，进行反应区域的抽出以及分析区域的设定。
如此，通过使用将标准的半导体器件作为对象而取得的标准观察图像，与起因于良品发光等的标准反应区域相对应地设定掩膜区域，从而能够在从不良观察图像抽出的反应区域中排除并非起因于不良的区域之后，再进行分析区域的设定。由此，提高了使用不良观察图像的半导体器件的不良分析的可靠性。
例如，在进行半导体器件的关闭不良的分析的情况下，虽然在使LSI工作的状态下进行发光分析有时是有效的，但是，在这种分析中，大多在除了本来的不良部位以外的部分也产生发光。并且，除此以外，有时候由于其它原因而在不良部位以外的部分产生发光。相对于此，通过事先对良品的半导体器件进行发光分析，并参照其结果，对不良观察图像P2进行掩膜处理，从而能够可靠地实行与本来的不良部位相关的不良分析。
对于这种不良观察图像P2的掩膜处理，具体而言，例如能够通过图9～图11所示的方法来实行。图9(a)表示从良品的半导体器件的标准观察图像抽出的反应区域。在该示例中，两个区域作为因良品发光而产生的标准反应区域D1、D2而被抽出。如图9(b)所示，通过与不良观察图像中的分析区域的设定相同的方法，对这些的标准反应区域D1、D2设定对应于标准反应区域D1、D2的矩形状的区域E1、E2。该区域E1、E2被作为其它的半导体器件的不良分析中的掩膜区域使用。
图10(a)表示从作为不良分析的对象的半导体器件的不良观察图像P2抽出的反应区域。在该示例中，五个的区域作为反应区域A1～A5而被抽出。通过对于这种不良图像，应用参照标准观察图像而设定的掩膜区域E1、E2，使用将这些区域中的各像素的亮度值设为0，或者将位于掩膜区域中的反应区域消去等的方法，进行掩膜处理，从而加工不良观察图像。
由此，如图10(b)所示，所抽出的反应区域A1～A5中的两个反应区域A1、A2，作为良品发光而被掩膜区域E1、E2排除，余下的三个区域A3～A5成为以下的不良分析的对象。即，在必要时对包括反应区域A3～A5的不良观察图像进行增强反应区域等的图像处理后，如图11(a)所示，设定分别对应于反应区域A3～A5的分析区域B3～B5。随后，如图11(b)所示，参照分析区域B3～B5，对半导体器件的布图所包含的网路C进行分析。
在此，在布图坐标系中设定分析区域等的各区域的情况下，能够容易地获取标准观察图像和不良观察图像之间的坐标系的对应。因而，能够相互地参照在标准观察图像中设定的掩膜区域、以及在不良观察图像中设定的反应区域、分析区域等的各种区域。
此外，关于这种的掩膜区域的指定，例如可以使用对区域附加掩膜属性的方法等，具体而言，可以使用各种方法。另外，在半导体器件中，在布图上存在着事先预测将产生发光的部位等的情况下，也可以事先在布图坐标系对这种部位设定掩膜区域。另外，关于对不良观察图像进行的掩膜处理，优选通过如上所述以软件方式来进行图像的加工处理，从而进行掩膜处理。另外，除了这种方法以外，例如，也可以使用取得观察图像时在半导体器件和摄像装置之间配置掩膜用的过滤器(例如能够控制图案的液晶掩膜)等的方法，以硬件方式来进行掩膜处理。
在不良分析中对照着不良观察图像而使用对良品等的标准的半导体器件取得的标准观察图像的情况下，例如，如图12所示，通过在标准观察图像和不良观察图像之间取得差分来进行不良分析处理的方法也有效。在该示例中，在图12(a)所示的良品的标准观察图像中的分析区域和图12(b)所示的不良品的不良观察图像中的分析区域之间取得差分，并排除在各自中设定的分析区域中包含重叠的共通部分的分析区域。由此，如图12(c)所示，将良品为OFF、不良品为ON的分析区域F1(实线)，以及良品为ON、不良品为OFF的分析区域F2(虚线)的两个区域F1、F2作为不一致的部分而抽出。
另外，作为用于不良分析的不良观察图像P2，虽然在图3和图4中列举了发光图像，但是，例如在将OBIRCH等的其它观察图像作为不良观察图像P2使用的情况下，也可以应用相同的不良分析方法。另外，作为不良分析图像，虽然能够使用通过单一条件下的一次观察而得到的图像，但是并不限定于此，例如，如图13所示，也可以使用将分别在不同的条件下取得的多个不良观察图像重合而产生的不良观察图像。
在图13所示的示例中，图13(a)表示从在第1条件下取得的发光图像抽出的反应区域A1以及分析区域B1。另外，图13(b)表示从在与第1条件不同的第2条件下取得的发光图像抽出的反应区域A2以及分析区域B2。另外，图13(c)表示从OBIRCH图像抽出的反应区域A3以及分析区域B3。
对于这些图13(a)～(c)所示的三种的不良图像，如图13(d)所示，将这些图像(分析区域)重合。由此，如图13(e)所示，能够利用分析区域B1～B3的三个分析区域，实行与网路C相关的不良分析。另外，即使在进行这种不良观察图像的重合(分析区域的重合)的情况下，也优选该坐标系为共通的布图坐标系。
另外，在使用分析区域的不良分析中，优选按照半导体器件中的反应的产生状况以及图像取得条件，在半导体器件中指定成为分析对象的层。图1和图2所示的半导体不良分析装置10中，为了进行这种指定，在不良分析部13中，对半导体器件的层叠构造，设置进行作为不良分析的对象的层的选择的分析对象选择部135。依照这种构成，能够参照不良观察图像的具体的取得方法等，在必要时选择、指定作为不良分析的对象的层。由此，提高使用不良观察图像的半导体器件的不良分析的可靠性。作为这种方法，具体而言，有一种方法，即在设定分析区域并进行网路抽出时，对通过分析区域内的网路的抽出指定所期望的层，对不良分析指定全部的层等。另外，这种层的选择，可以为一层，或者也可以为多层。
图14是作为分析对象的层的选择方法的示例的示意图。在使用OBIRCH图像作为不良观察图像的情况下，如图14所示，测定用的激光在半导体器件的层叠构造中能够到达的范围受到限制。例如，如果从表面侧对半导体器件进行分析，那么，由于宽幅的电源线等遮挡激光，因而背面分析不可缺。另一方面，在从半导体器件的背面侧入射激光的情况下，激光例如只能从最下层到达四层左右。因此，在不良观察图像为OBIRCH图像的情况下，优选进行将位于该激光能够到达的范围内的层作为分析对象的限制。
在此，在如上述般在分析区域的设定中应用布图坐标系的情况下，也可以将图案图像P1以及不良观察图像P2等的半导体器件的观察图像变换为布图坐标系并进行储存。另外，在该情况下，优选在观察图像P1、P2和布图图像P3之间进行对位。
图15是半导体器件的观察图像和布图图像的对应的模式示意图，图15(a)表示图案图像P1、不良观察图像P2、以及布图图像P3的对应关系，图15(b)表示以图案图像P1、布图图像P3、以及不良观察图像P2的顺序将其重叠而得到的重叠图像P6。如图15所示，作为观察图像而取得的图案图像P1和半导体器件的布图图像P3具有一定的对应关系。因此，在不良分析部13的位置调整部133中，能够参照图案图像P1和布图图像P3的各部的对应关系而进行图像的对位。
如此，通过在位置重合的状态下对不良观察图像P2使用所取得的图案图像P1，并进行与布图图像P3的对位，从而能够提高与半导体器件的布图所包含的网路等相关的不良分析的精度。另外，关于这种对位的具体的方法，例如，在必要时，能够使用图案图像P1的旋转(θ修正)、布图图像P3的移动(位置的微调整)、布图图像的缩放(放大/缩小)等各种方法。
另外，关于使用分析区域的半导体器件的不良分析，优选不良分析部13的区域设定部131被构成为能够对分析区域设定属性。另外，这种情况下，网路信息分析部132可以参照对分析区域设定的属性，对该分析区域选择是否用于网路的抽出(是否用于不良分析)。
而且，在设定有多个分析区域的情况下，优选区域设定部131被构成为能够分别对多个分析区域设定属性。另外，在这种情况下，网路信息分析部132可以参照分别对多个分析区域设定的属性，分别对分析区域选择是否用于网路的抽出以及通过次数的取得。
另外，关于使用分析区域而进行的不良分析的分析结果的向显示装置40的显示，如上所述，除了如图3(c)所示由包括分析区域以及网路的图像来显示的方法以外，优选在显示装置40显示由网路信息分析抽出的网路，或者进而将网路通过分析区域的通过次数一览显示的网路的清单。这种网路的清单等，例如，能够使用图16所示的网路的清单显示窗口进行显示。图16所示的显示窗口510具有位于画面的左侧的网路的清单显示区域511，以及位于画面的右侧并将网路的清单图表化(柱状图化)而显示的图表显示区域512。通过使用这种显示窗口510，使得操作者对分析结果的把握变得容易。
本发明的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序不限于上述的实施方式以及构成例，能够进行各种变形。例如，关于对应于从不良观察图像抽出的反应区域而设定的分析区域的设定方法，并不限于上述的设定矩形状的区域(反应方块)的示例，具体而言，可以使用各种设定方法。
在此，上述实施方式的半导体不良分析装置是分析半导体器件的不良的半导体不良分析装置，具备：(1)检查信息取得模块，取得进行与不良相关的检查而得到的、包含起因于不良的反应信息的不良观察图像，以作为半导体器件的观察图像；(2)不良分析模块，参照不良观察图像以及半导体器件的布图信息，进行与半导体器件的不良相关的分析，(3)不良分析模块具有分析区域设定模块，该分析区域设定模块通过比较不良观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值，从而抽出反应区域，以作为反应信息，并对应于反应区域而设定用于半导体器件的不良分析的分析区域。
另外，半导体不良分析方法是分析半导体器件的不良的半导体分析方法，具备：(1)检查信息取得步骤，取得进行与不良相关的检查而得到的、包含起因于不良的反应信息的不良观察图像，以作为半导体器件的观察图像；(2)不良分析步骤，参照不良观察图像以及半导体器件的布图信息，进行与半导体器件的不良相关的分析，(3)不良分析步骤包括分析区域设定步骤，该分析区域设定步骤，通过比较不良观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值，从而抽出反应区域，以作为反应信息，并对应于反应区域而设定用于半导体器件的不良分析的分析区域。
另外，半导体不良分析程序是用于使计算机实行分析半导体器件的不良的半导体不良分析的程序，使计算机实行：(1)检查信息取得处理，取得进行与不良相关的检查而得到的、包含起因于不良的反应信息的不良观察图像，以作为半导体器件的观察图像；(2)不良分析处理，参照不良观察图像以及半导体器件的布图信息，进行与半导体器件的不良相关的分析，(3)不良分析处理包括分析区域设定处理，该分析区域设定处理通过比较不良观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值，从而抽出反应区域，以作为反应信息，并对应于反应区域而设定用于半导体器件的不良分析的分析区域。
此外，上述构成中，关于半导体器件的布图信息，优选不良分析装置还具备取得半导体器件的布图信息的布图信息取得模块。同样地，优选不良分析方法还具备取得半导体器件的布图信息的布图信息取得步骤。同样地，优选不良分析程序还实行取得半导体器件的布图信息的布图信息取得处理。
在此，上述的不良分析装置中，优选分析区域设定模块通过比较所抽出的反应区域的面积和规定的面积临界值，从而选择用于分析区域的设定的反应区域，并对应于所选择的反应区域而设定分析区域。
同样地，优选不良分析方法在分析区域设定步骤中通过比较所抽出的反应区域的面积和规定的面积临界值，从而选择用于分析区域的设定的反应区域，并对应于所选择的反应区域而设定分析区域。
同样地，优选不良分析程序在分析区域设定处理中通过比较所抽出的反应区域的面积和规定的面积临界值，从而选择用于分析区域的设定的反应区域，并应于所选择的反应区域而设定分析区域。
如此，通过对不良观察图像不仅应用亮度临界值，还应用面积临界值，抽出并选择用于分析区域的设定的反应区域，从而能够在所抽出的反应区域中排除不良分析所不需要的区域之后，再进行分析区域的设定。由此，能够提高使用不良观察图像的半导体器件的不良分析的可靠性。
另外，优选不良分析装置的不良分析模块具有网路信息分析模块，该网路信息分析模块参照布图信息，对半导体器件的布图所包含的多个网路进行分析，抽出通过分析区域的网路。
同样地，优选不良分析方法的不良分析步骤包括网路信息分析步骤，该网路信息分析步骤参照布图信息，对半导体器件的布图所包含的多个网路进行分析，抽出通过分析区域的网路。
同样地，优选不良分析程序的不良分析处理包括网路信息分析处理，该网路信息分析处理参照布图信息，对半导体器件的布图所包含的多个网路进行分析，抽出通过分析区域的网路。
上述构成中，通过参照对应于不良观察图像中的反应信息而设定的分析区域，抽出构成半导体器件的各网路之中通过分析区域的网路，从而进行半导体器件的不良的分析。依照这种构成，根据通过分析区域的网路，能够推测出半导体器件中的不良的可能性高的网路。
另外，优选不良分析装置的分析区域设定模块在与半导体器件的布图相对应的布图坐标系中设定分析区域。同样地，优选不良分析方法在分析区域设定步骤中，在与半导体器件的布图相对应的布图坐标系中设定分析区域。同样地，优选不良分析程序在分析区域设定处理中，在与半导体器件的布图相对应的布图坐标系中设定分析区域。
如此，通过不在图像上的坐标系中，而在布图坐标系中设定从不良观察图像抽出、设定的分析区域，从而能够扩大分析区域的利用范围。由此，能够提高使用分析区域的半导体器件的不良分析中的具体的分析方法的自由度。
另外，不良分析装置的不良分析模块具有掩膜区域设定模块，该掩膜区域设定模块使用作为包含标准的半导体器件的反应信息的观察图像的标准观察图像，通过比较标准观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值，从而抽出标准反应区域，对应于标准反应区域而设定掩膜区域，分析区域设定模块使用利用掩膜区域进行过掩膜处理的不良观察图像，进行反应区域的抽出以及分析区域的设定。
同样地，不良分析方法的不良分析步骤包括掩膜区域设定步骤，该掩膜区域设定步骤使用作为包含标准的半导体器件的反应信息的观察图像的标准观察图像，通过比较标准观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值，从而抽出标准反应区域，对应于标准反应区域而设定掩膜区域，分析区域设定步骤中，使用利用掩膜区域进行过掩膜处理的不良观察图像，进行反应区域的抽出以及分析区域的设定。
同样地，不良分析程序的不良分析处理包括掩膜区域设定处理，该掩膜区域设定处理使用作为包含标准的半导体器件的反应信息的观察图像的标准观察图像，通过比较标准观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值，从而抽出标准反应区域，对应于标准反应区域而设定掩膜区域，分析区域设定处理中，使用利用掩膜区域进行过掩膜处理的不良观察图像，进行反应区域的抽出以及分析区域的设定。
如此，通过使用例如将良品的半导体器件等的标准的半导体器件作为对象而取得的标准观察图像，与起因于良品发光等的标准反应区域相对应地设定掩膜区域，从而能够在从不良观察图像抽出的反应区域中排除并非起因于不良的区域之后，再进行分析区域的设定。由此，提高了使用不良观察图像的半导体器件的不良分析的可靠性。
另外，优选不良分析装置的不良分析模块具有分析对象选择模块，该分析对象选择模块对半导体器件的层叠构造选择作为不良分析的对象的层。同样地，优选不良分析方法的不良分析步骤包括分析对象选择步骤，该分析对象选择步骤对半导体器件的层叠构造选择作为不良分析的对象的层。同样地，优选不良分析程序的不良分析处理包括分析对象选择处理，该分析对象选择处理对半导体器件的层叠构造选择作为不良分析的对象的层。
依照这种构成，能够参照不良观察图像的具体的取得方法等，在必要时选择、限定作为不良分析的对象的层。由此，提高了使用不良观察图像的半导体器件的不良分析的可靠性。
另外，优选不良分析装置的分析区域设定模块，以在周围对反应区域附加规定宽度的空白的状态设定分析区域。同样地，优选不良分析方法在分析区域设定步骤中，以在周围对反应区域附加规定宽度的空白的状态设定分析区域。
产业上的利用可能性
可以将本发明作为能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序而利用。
Claims (20)
1.一种半导体不良分析装置，分析半导体器件的不良，其特征在于，
具备：
检查信息取得模块，取得进行与不良相关的检查而得到的、包含起因于不良的反应信息的不良观察图像，以作为半导体器件的观察图像；以及
不良分析模块，参照所述不良观察图像以及所述半导体器件的布图信息，进行与所述半导体器件的不良相关的分析，
所述不良分析模块具有分析区域设定模块，所述分析区域设定模块通过比较所述不良观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值，从而抽出反应区域，以作为所述反应信息，并对应于所述反应区域而设定用于所述半导体器件的不良分析的分析区域。
2.如权利要求1所述的不良分析装置，其特征在于，
所述分析区域设定模块通过比较所抽出的所述反应区域的面积和规定的面积临界值，从而选择用于所述分析区域的设定的所述反应区域，并对应于所选择的所述反应区域而设定所述分析区域。
3.如权利要求1或2所述的不良分析装置，其特征在于，
所述不良分析模块具有网路信息分析模块，所述网路信息分析模块参照所述布图信息，对所述半导体器件的布图所包含的多个网路进行分析，抽出通过所述分析区域的网路。
4.如权利要求1～3中的任一项所述的不良分析装置，其特征在于，
所述分析区域设定模块在与所述半导体器件的布图相对应的布图坐标系中设定所述分析区域。
5.如权利要求1～4中的任一项所述的不良分析装置，其特征在于，
所述不良分析模块具有掩膜区域设定模块，所述掩膜区域设定模块使用作为包含标准的半导体器件的反应信息的观察图像的标准观察图像，通过比较所述标准观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值，从而抽出标准反应区域，并对应于所述标准反应区域而设定掩膜区域，
所述分析区域设定模块，使用利用所述掩膜区域进行过掩膜处理的所述不良观察图像，进行所述反应区域的抽出以及所述分析区域的设定。
6.如权利要求1～5中的任一项所述的不良分析装置，其特征在于，
所述不良分析模块具有分析对象选择模块，所述分析对象选择模块对所述半导体器件的层叠构造选择作为不良分析的对象的层。
7.如权利要求1～6中的任一项所述的不良分析装置，其特征在于，
所述分析区域设定模块，以在周围对所述反应区域附加规定宽度的空白的状态设定所述分析区域。
8.一种半导体不良分析方法，分析半导体器件的不良，其特征在于，
具备：
检查信息取得步骤，取得进行与不良相关的检查而得到的、包含起因于不良的反应信息的不良观察图像，以作为半导体器件的观察图像；以及
不良分析步骤，参照所述不良观察图像以及所述半导体器件的布图信息，进行与所述半导体器件的不良相关的分析，
所述不良分析步骤包括分析区域设定步骤，所述分析区域设定步骤通过比较所述不良观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值，从而抽出反应区域，以作为所述反应信息，并对应于所述反应区域而设定用于所述半导体器件的不良分析的分析区域。
9.如权利要求8所述的不良分析方法，其特征在于，
在所述分析区域设定步骤中，通过比较所抽出的所述反应区域的面积和规定的面积临界值，从而选择用于所述分析区域的设定的所述反应区域，并对应于所选择的所述反应区域而设定所述分析区域。
10.如权利要求8或9所述的不良分析方法，其特征在于，
所述不良分析步骤包括网路信息分析步骤，所述网路信息分析步骤参照所述布图信息，对所述半导体器件的布图所包含的多个网路进行分析，抽出通过所述分析区域的网路。
11.如权利要求8～10中的任一项所述的不良分析方法，其特征在于，
在所述分析区域设定步骤中，在与所述半导体器件的布图相对应的布图坐标系中设定所述分析区域。
12.如权利要求8～11中的任一项所述的不良分析方法，其特征在于，
所述不良分析步骤包括掩膜区域设定步骤，所述掩膜区域设定步骤使用作为包含标准的半导体器件的反应信息的观察图像的标准观察图像，通过比较所述标准观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值，从而抽出标准反应区域，对应于所述标准反应区域而设定掩膜区域，
在所述分析区域设定步骤中，使用利用所述掩膜区域进行过掩膜处理的所述不良观察图像，进行所述反应区域的抽出以及所述分析区域的设定。
13.如权利要求8～12中的任一项所述的不良分析方法，其特征在于，
所述不良分析步骤包括分析对象选择步骤，所述分析对象选择步骤对所述半导体器件的层叠构造选择作为不良分析的对象的层。
14.如权利要求8～13中的任一项所述的不良分析方法，其特征在于，
在所述分析区域设定步骤中，以在周围对所述反应区域附加规定宽度的空白的状态设定所述分析区域。
15.一种半导体不良分析程序，使计算机实行分析半导体器件的不良的半导体不良分析，其特征在于，
使计算机实行：
检查信息取得处理，取得进行与不良相关的检查而得到的、包含起因于不良的反应信息的不良观察图像，以作为半导体器件的观察图像；以及
不良分析处理，参照所述不良观察图像以及所述半导体器件的布图信息，进行与所述半导体器件的不良相关的分析，
所述不良分析处理包括分析区域设定处理，所述分析区域设定处理通过比较所述不良观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值，从而抽出反应区域，以作为所述反应信息，并对应于所述反应区域而设定用于所述半导体器件的不良分析的分析区域。
16.如权利要求15所述的不良分析程序，其特征在于，
在所述分析区域设定处理中，通过比较所抽出的所述反应区域的面积和规定的面积临界值，从而选择用于所述分析区域的设定的所述反应区域，并对应于所选择的所述反应区域而设定所述分析区域。
17.如权利要求15或16所述的不良分析程序，其特征在于，
所述不良分析处理包括网路信息分析处理，所述网路信息分析处理参照所述布图信息，对所述半导体器件的布图所包含的多个网路进行分析，抽出通过所述分析区域的网路。
18.如权利要求15～17中的任一项所述的不良分析程序，其特征在于，
在所述分析区域设定处理中，在与所述半导体器件的布图相对应的布图坐标系中设定所述分析区域。
19.如权利要求15～18中的任一项所述的不良分析程序，其特征在于，
所述不良分析处理包括掩膜区域设定处理，所述掩膜区域设定处理使用作为包含标准的半导体器件的反应信息的观察图像的标准观察图像，通过比较所述标准观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值，从而抽出标准反应区域，并对应于所述标准反应区域而设定掩膜区域，
在所述分析区域设定处理中，使用利用所述掩膜区域进行过掩膜处理的所述不良观察图像，进行所述反应区域的抽出以及所述分析区域的设定。
20.如权利要求15～19中的任一项所述的不良分析程序，其特征在于，
所述不良分析处理包括分析对象选择处理，所述分析对象选择处理对所述半导体器件的层叠构造选择作为不良分析的对象的层。
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