CN101483944A - 电光装置以及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种电光装置以及电子设备，其实现以多层薄膜进行密封的电光装置的边框部分的窄化。高位侧电位供给线(VHa)以及低位侧电位供给线(VSa)配置在设置有第一平坦化层(F1)的区域Z外侧的区域Y内。在区域Y中，第二平坦化层(F2)内覆盖第一平坦化层(F1)的侧面(S1)的部分与高位侧电位供给线(VHa)的一部分重叠。还有，在区域Y中，密封部件(70)与低位侧电位供给线(VSa)的一部分重叠。由此，能够实现边框部分的窄化。

Description

电光装置以及电子设备

技术领域

本发明涉及一种利用了电光元件的电光装置和电子设备。

背景技术

近年来，提出了各种电光装置，所述电光装置利用有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，以下称为“OLED”)元件等的电光元件，所述有机发光二极管被称为有机EL(ElectroLuminescent：电致发光)元件或发光聚合物元件等。在这种电光装置中，公知有为了防止水分等浸入到设置在基板上设置的电光元件中以多层薄膜进行密封的技术。例如，专利文献1中公开层叠平坦化层、缓冲层和阻挡层来密封基板上的功能元件的结构，其中，平坦化层用于使设置在基板上的电光元件和薄膜晶体管等功能元件平坦化。

还有，在基板上设置有向驱动电光元件的驱动用电路供给电位的电位供给线。例如如专利文献2所公开的，该电位供给线以横穿驱动用电路的方式配置。即，构成驱动用电路的多个薄膜晶体管越过在基板上延伸的电位供给线而配置。由此，进行如上所述的薄膜密封时，基板上的电位供给线也被平坦化层覆盖。还有，平坦化层被缓冲层覆盖，缓冲层进入到平坦化层的侧面。在基板上被缓冲层覆盖的区域外侧设置密封部件，配置有功能元件的基板经密封部件以与密封用第二基板对置的方式接合。

专利文献1：日本特开2005-251721号公报

专利文献2：日本特开平8-114817号公报

电光装置的基板上除了配置有电光元件的区域以外的边框部分，优选使之尽可能变窄。但是，存在以下问题，即，在进行上述薄膜密封时，由于不仅基板上的功能元件就连电位供给线也被平坦化层所覆盖，所以与电位供给线的宽度对应地边框部分变大，存在难以实现边框部分的变窄的问题。

发明内容

鉴于这种情况，本发明的目的在于解决实现进行薄膜密封的电光装置的边框的窄化的问题。

为了解决上述问题，本发明的电光装置，在基板上设置有多条扫描线、多条数据线、多个像素、驱动电路(例如图1所示的扫描线驱动电路40、数据线驱动电路50)和电位供给线，其中，所述多个像素与多条扫描线和多条数据线的各个交叉处相对应地配置，所述驱动电路向多条扫描线或者多条数据线的至少一方供给信号，所述电位供给线向驱动电路供给电位，多个像素的每一个具有电光元件和驱动晶体管，其中，所述电光元件包括，像素电极(例如图2所示的像素电极210)、从像素电极的方向观察配置在基板的相反侧的对置电极(例如图2所示的对置电极230)、介于像素电极和对置电极之间的发光层(例如图2所示的发光层220)，所述驱动晶体管与像素电极电连接，所述电光装置的特征在于，具有：绝缘膜(例如图2所示的第一平坦化层F1、图8所示的第一平坦化层F1以及第二绝缘层Fa2)，其设置在驱动晶体管和对置电极之间；平坦化层(例如图2所示的第二平坦化层F2)，其覆盖对置电极，电位供给线在基板上的区域中设置有绝缘膜的第一区域(例如图1至图3所述的区域Z)外侧的第二区域(例如图2和图3所示的区域Y)内沿基板的周边框延伸，平坦化层覆盖绝缘膜并在第二区域内与电位供给线的至少一部分重叠。

根据该方式，电位供给线在基板上的区域中设置有绝缘膜的第一区域外侧的第二区域内沿基板的周边框延伸，其至少一部分与平坦化层重叠，由此能够实现边框部分的变窄。

还有，本发明的电光装置，也能够为以下方式，即，在基板上具有多个电光元件、驱动电路和电位供给线(例如图1至图3所示的高位侧电位供给线VHa或者低位侧电位供给线VSa)，其中，所示驱动电路由多个薄膜晶体管构成驱动多个电光元件，所述电位供给线向驱动电路供给电位，所述电光装置的特征在于，具有：覆盖多个薄膜晶体管(例如图2以及图3所示的晶体管Tr)的第一平坦化层(例如图2以及图3所示的第一平坦化层F1)；覆盖第一平坦化层的第二平坦化层(例如图2以及图3所示的第二平坦化层F2)，电位供给线在设置有第一平坦化层的第一区域(例如图1至图3所示的区域Z)外侧的第二区域(例如图2以及图3所示的区域Y)内沿基板的周边框(例如图1至图3所示的周边框12)延伸，第二平坦化层覆盖第一平坦化层的侧面(例如图2以及图3所示的侧面S1)并在第二区域与电位供给线的至少一部分重叠。

根据上述情况，电位供给线形成在设置有第一平坦化层的第一区域外侧的第二区域内，第二平坦化层中第二区域内的部分与电位供给线的至少一部分在第二区域重叠，由此能够实现边框部分的变窄。

本发明的电光装置的优选的方式中，还具有覆盖平坦化层的气体阻挡层，平坦化层的侧面(例如图2以及图3所示的侧面S2)相对基板的倾斜角度，小于绝缘膜的侧面相对基板的倾斜角度。由于平坦化层的侧面相对基板的倾斜角度越小于绝缘膜的侧面相对基板的倾斜角度平坦化层的侧面越接近于水平，因此能够抑制在覆盖平坦化层的气体阻挡层中产生裂纹或剥离的情况，另一方面第一区域外侧的设置有平坦化层的区域的面积变大。于是，在电位供给线被绝缘膜覆盖的方式下，难以实现边框部分的窄化。根据本发明的方式，通过将电位供给线的至少一部分与平坦化层重叠，能够比电位供给线被绝缘膜覆盖的方式缩小边框部分的面积。即，采用本发明的方式，能够抑制在气体阻挡层产生裂纹或剥离的情况并实现边框部分的窄化。

本发明的电光装置在基板上设置多条扫描线、多条数据线、多个像素、驱动电路和电位供给线，其中，多个像素与多条扫描线和多条数据线的各个交叉处对应地配置，驱动电路向多条扫描线或者多条数据线的至少一方供给信号，电位供给线向驱动电路供给电位，多个像素的每一个具有电光元件和驱动晶体管，其中，电光元件包括像素电极、从像素电极观察配置在基板的相反侧的对置电极以及介于像素电极和对置电极之间的发光层，驱动晶体管与像素电极电连接，电光装置，具有：绝缘膜，其设置在驱动晶体管和对置电极之间；以及密封部件，其配置在基板上的区域中的设置有绝缘膜的第一区域外侧的第二区域内；第二基板，其经密封部件与基板相接合；电位供给线在第二区域内沿基板的周边框延伸，并且至少其一部分与密封部件重叠。利用该状态，由于设置有绝缘膜的第一区域外侧的第二区域中电位供给线的至少一部分与密封部件重叠，所以能够实现边框部分的变窄。

还有，本发明的电光装置其在基板上具有多个电光元件、驱动电路以及向驱动电路供给电位的电位供给线，所述驱动电路由多个薄膜晶体管构成以驱动多个电光元件，具有：覆盖多个薄膜晶体管的第一平坦化层；配置在设置有第一平坦化层的第一区域外侧的第二区域中的密封部件；经由密封部件与基板接合的第二基板(例如图1以及图2所示的第二基板30)，电位供给线能够成为在第二区域内沿所述基板的周边框延伸的同时形成至少其一部分与所述密封部件重叠的状态。根据以上的状态，由于在设置有第一平坦化层的第一区域外侧的第二区域中，电位供给线的至少一部分与密封部件重叠，所以能够实现边框部分的变窄。

在本发明的电光装置的优选状态中，第二电极经由多个像素连续并向第二区域延伸，经覆盖电位供给线的绝缘层，与电位供给线的至少一部分重叠。根据以上状态，通过形成在第二电极和电位供给线之间的电容(例如图5所示的电容Co)来抑制(平滑化)电位供给线以及第二电极中的电压变动。

在本发明的电光装置的优选状态中，像素电极从驱动晶体管的方向观察配置在基板的相反侧，绝缘膜(例如图2所示的第一平坦化层F1)设置在像素电极和对置电极之间并划分各像素电极。还有，也可以成为在驱动晶体管和像素电极之间设置绝缘膜(例如图8所示的第二绝缘膜Fa2)的方式。

本发明的电光装置用于各种电子设备。该电子设备的典型例子是将发光装置用作显示装置的设备。作为这种设备，有个人电脑和手机等。不过，本发明的发光装置的用途并不限定于图像的显示。例如，在通过光线的照射而在感光鼓等像的像载体形成潜像的结构的图像形成装置(印刷装置)中，作为曝光像载体的单元(所谓的曝光头)也能够采用本发明的电光装置。

附图说明

图1是本发明第一实施方式的电光装置的俯视图。

图2是该实施方式的电光装置的剖视图。

图3是示意地表示图2的剖视图的附图。

图4是对比例的电光装置的剖视图。

图5是第二实施方式的电光装置的剖视图。

图6是第三实施方式的电光装置的俯视图。

图7是表示变形例的电位供给线和驱动用电路之间的连接方式的附图。

图8是变形例的电光装置的剖视图。

图9是表示本发明的电子设备的具体方式的立体图。

图10是表示本发明的电子设备的具体方式立体图。

图11是表示本发明的电子设备的具体方式的立体图。

图中符号说明：

10 电光装置；12、14、16 周边框；20 第一基板；30 第二基板；40A、40B 扫描线驱动电路；50 数据线驱动电路；200 电光元件；210第一电极；220 发光层；230 第二电极；F1 第一平坦化层；F2 第二平坦化层；Fa 绝缘层；GS 气体阻挡层；S1、S2 侧面；Tr 晶体管；VHa、VHb、VHc 高位侧电位供给线；VSa、VSb、VSc 低位侧电位供给线；Y 区域；Z 区域。

具体实施方式

(A 第一实施方式)

图1是表示本发明的第一实施方式的电光装置10的结构的俯视图。该电光装置10是作为显示图像的单元而被各种电子设备所采用的装置，其具备以相互对置的状态粘贴着的第一基板20和第二基板30。在第一基板20内与第二基板30对置的表面上配置有：将多个像素电路P面状地排列的像素阵列部100；驱动各像素电路P的扫描线驱动电路40A、40B；数据线驱动电路50；用于向扫描线驱动电路40A供给电位的高位侧电位供给线VHa以及低位侧电位供给线VSa；和用于向扫描线驱动电路40B供给电位的高位侧电位供给线VHb以及低位侧电位供给线VSb。

如图1所示，在像素阵列部100中设置有沿X方向延伸的m条扫描线102和沿与X方向正交的Y方向延伸的n条数据线104(m以及n为自然数)。各像素电路P配置在与扫描线102和数据线104的交叉处对应的位置上。因此，这些像素电路P排列成纵m行×横n列的矩阵状。

图1所示的扫描线驱动电路40A以及40B是用于以行单位选择多个像素电路P的电路。扫描线驱动电路40A以及40B是依次将作为有效的扫描信号输出到m条扫描线102。如图1所示，扫描线驱动电路40A配置在像素阵列部100和第一基板20的周边框12之间。扫描线驱动电路40B配置在像素阵列部100和第一基板20的周边框14之间。

数据线驱动电路50向各数据线104输出数据信号，该数据信号指定与扫描线驱动电路40A以及40B所选择的扫描线102对应的1行数量的n个像素电路P的各自的灰度。如图1所示，数据线驱动电路50配置在像素阵列部100和第一基板20的周边框16之间。

高位侧电位供给线VHa以及低位侧电位供给线VSa沿第一基板20的周边框12延伸。若进一步详述则如图1所示，高位侧电位供给线VHa自设置在第一基板20面上的高位侧电源端子THa起，在扫描线驱动电路40A和第一基板20的周边框12之间的区域内，沿周边框12延伸。还有，如图1所示，低位侧电位供给线VSa自设置在第一基板20面上的低位侧电源端子Tla起，在高位侧电位供给线VHa和周边框12之间的区域内，沿周边框12延伸。

同样地，高位侧电位供给线VHb以及低位侧电位供给线VSb沿第一基板20的周边框14延伸。若进一步详述则如图1所示，高位侧电位供给线VHb自设置在第一基板20面上的高位侧电源端子Thb起，在扫描线驱动电路40B和第一基板20的周边框14之间的区域内，沿周边框14延伸。还有，如图1所示，低位侧电位供给线VSb自设置在第一基板20面上的低位侧电源端子Tlb起，在高位侧电位供给线VHb和周边框14之间的区域内，沿周边框14延伸。

如图1所示，各像素电路P具有驱动晶体管Rb、晶体管Rs、电容元件C和OLED元件200。OLED元件200是在阳极和阴极之间夹持发光材料而构成的，其配置在电源线和地线之间。P沟道型驱动晶体管Rd配置在电源线和OLED元件200之间，源极与电源线连接并且漏极与OLED元件200的阳极连接。电容元件C设置在驱动晶体管Rd的源极/漏极之间。还有，驱动晶体管Rd的栅极与N沟道型晶体管Rs的源极连接。晶体管Rs的栅极与扫描线102连接并且漏极与数据线104连接。若经由扫描线102所供给的扫描信号变为有效电平，则晶体管Rs变为导通状态。此时，数据信号进入到像素电路P。流过OLED元件200中的驱动电流由驱动晶体管Rd的栅极/源极间电压来决定。

图2是沿图1所示的A-A线观察的剖视图。如图2所示，第一基板20的面上形成有，构成扫描线驱动电路40A的多个晶体管Tr(图2中仅示出一个)、高位侧电位供给线VHa以及低位侧电位供给线VSa、构成各像素电路P的多个晶体管R(在图2中仅示出一个驱动晶体管Rd)。此外，由于图1所示的扫描线驱动电路40B、高位侧电位供给线VHb以及低位侧电位供给线VSb的结构与扫描线驱动电路40A、高位侧电位供给线VHa以及低位侧电位供给线VSa的结构相同，所以在此省略说明。

晶体管Tr是包括在第一基板20的表面由半导体材料形成的半导体层11、和隔着覆盖半导体层11的栅极绝缘层Fa0与半导体层11(沟道区域)对置的栅极电极13的薄膜晶体管。半导体层11例如是采用对非晶态硅的激光退火而形成的多晶硅的膜体。栅极电极13被第一绝缘层Fa1覆盖。晶体管Tr的漏极电极111以及源极电极112由铝等低电阻金属形成在第一绝缘层Fa1的面上，并经由接触孔与半导体层11(漏极区域以及源极区域)导通。漏极电极111以及源极电极112被第二绝缘层Fa2覆盖。第一绝缘层Fa1和第二绝缘层Fa2是由SiO₂或SiN等绝缘材料形成的膜体。

如图2所示，高位侧电位供给线VHa形成在栅极绝缘层Fa0的面上。晶体管Tr的栅极电极13和高位侧电位供给线VHa是，通过对在整个栅极绝缘层Fa0上连续地形成的导电膜(例如铝的薄膜)进行图案成形，以同样的工序一同地形成的。此外，如栅极电极13和高位侧电位供给线VHa之间的关系这样，多个元件通过选择性除去共同的膜体(不论单层或多层)以同样的工序形成的情况以下简单表示为“由同层形成”。由同层形成的各元件的材料当然相同，而且各自的膜压厚度大致一致。如果采用由同层形成多个元件的结构，与分别由单个的膜体形成的结构相比，具有能够实现制造工序的简单化和制造成本的降低这样的优点。

如图2所示，低位侧电位供给线VSa在第一绝缘层Fa1的面上，与漏极电极111以及源极电极112由同层形成。

晶体管R是与晶体管Tr同样的材料以及层叠构造的薄膜晶体管。如图2所示，晶体管R包括，形成在第一基板20表面的半导体层201、和隔着栅极绝缘层Fa0与半导体层201对置的栅极电极203。晶体管R的漏极电极205以及源极电极207形成在覆盖栅极电极203的第一绝缘层Fa1的面上，并经由接触孔与半导体层201(源极区域以及漏极区域)导通。

如图2所示，在第二绝缘层Fa2面上形成有像素电极210。像素电极210按多个OLED元件200的每一个相互分离地形成。像素电极210是作为OLED元件200的阳极发挥作用的电极，其由ITO(Indium TinOxide：铟锡氧化物)或IZO(Indium Zinc Oxide：铟锌氧化物)之类的透光性导电材料形成。如图2所示，像素电极210经由贯通第二绝缘层Fa2的接触孔CH与驱动晶体管Rd的漏极电极205电连接。

如图2所示，在第二绝缘层Fa2的面上，利用丙烯等有机材料、SiO₂以及SiN等无机材料这样各种的绝缘材料形成第一平坦化层F1。在图1中，用点划线表示设置了第一平坦化层F1的区域Z。如图1所示，第一基板20上的各像素电路P以及用于驱动各像素电路P的驱动用电路(扫描线驱动电路40A、40B以及数据线驱动电路50等)被第一平坦化层F1覆盖。

如图2所示，第一平坦化层F1内，在与各像素电路P中的像素电极210重叠的部分形成开口部Oa。OLED元件200的发光层220在开口部Oa的内侧，并在以像素电极210为底面的空间内形成。即，各像素电路P中的像素电极210被第一平坦化层F1划分。为了形成发光层220，优选采用例如从喷嘴喷出发光材料的液滴使之附着在像素电极210表面的喷墨法(液滴喷出法)。此外，也可以是将用于促进发光层220的发光或者使之有效的各种功能层(空穴注入层、空穴输送层、电子注入层、电子输送层、空穴阻断层、电子阻断层等)层叠在发光层220上的结构。

第一平坦化层F1作为在形成发光层220时将发光材料的液滴到达的区域区按每个OLED元件200的元件进行分割要素发挥作用。还有，如图2所示，构成扫描线驱动电路40A的多个晶体管Tr被第一平坦化层F1覆盖。由此，因晶体管Tr而显示在第二绝缘层Fa2面上的阶梯差降低(变得平坦)。

图2所示的对置电极230是作为OLED元件200的阴极来发挥作用的电极。对置电极230从像素电极210的方向观察配置在第一基板20的相反侧，发光层220介于对置电极230和像素电极210之间。对置电极230经由多个像素电路P中的OLED元件200连续地形成。作为对置电极230的材料，采用铝或银等金属以及以这些为主成分的合金之类的各种具有光反射性的导电材料。在本实施方式中，从发光层220放射到像素电极210侧的光和从发光层220发射到像素电极210相反侧被对置电极230反射朝向像素电极210的光，通过像素电极210和第一基板20射出外部(底部发光)。

如图2所示，在第一平坦化层F1以及对置电极230的面上，形成有用于使设置了第一平坦化层F1以及第二电极230的区域变得平坦的第二平坦化层F2。如图2所示，第二平坦化层F2还覆盖第一平坦化层F1的侧面S1。第二平坦化层F2例如是由将环氧树脂或丙烯树脂等具有亲油性的高分子材料(例如有机树脂材料)用甲苯、二甲苯、环己烷等亲油性有机溶剂进行稀释以调整为规定粘度的环氧低聚体或丙烯低聚体等构成的。

在第二平坦化层F2的面上形成气体阻挡层GS。气体阻挡层GS用于防止水分和气体浸入其内侧(第二平坦化层F2侧)。由此，能够抑制对置电极230和发光层220的劣化等。在本实施方式中，气体阻挡层GS在覆盖第二平坦化层F2的侧面S2基础上延伸到第一基板20的周边框12。气体阻挡层GS由无机化合物构成。例如既能够由通过高密度等离子体成膜法形成的硅氮化物、硅氧化物等硅化合物构成，又能够由氧化铝、氧化钽、氧化钛进而其他的陶瓷构成。

在此，如图2所示，第二平坦化层F2的侧面S2相对第一基板20的倾斜角度小于第一平坦化层F1的侧面S1相对第一基板20的倾斜角度。因此，利用本实施方式的结构，与在第一平坦化层F1面上直接设置气体阻挡层GS的结构相比，能够抑制在气体阻挡层GS产生裂缝或者剥离的情况。

如图2所示，在设置了第二平坦化层F2的区域外侧(第一基板20的周边框12侧)设置有密封部件70。而且，如图2所示第一基板20和第二基板30经密封部件70以相互对置的状态粘贴着。密封部件70为用于接合第一基板20和第二基板30的粘结剂。

图3是概略地表示图2的剖视图的图。在图3中，为了便于说明，省略构成各像素电路P的多个晶体管R以及第二基板30。如图3所示，高位侧电位供给线VHa以及低位侧电位供给线VSa，配置在第一基板20上设置了第一平坦化层F1的区域Z外侧的区域Y上，在区域Y中，高位侧电位供给线VHa以及低位侧电位供给线VSa的至少一部分与第二平坦化层F2重叠。若进一步详述则如图3所示，在第二平坦化层F2内覆盖第一平坦化层F1的侧面S1的部分配置在区域Y中。还有，在区域Y中，第二平坦化层F2内覆盖第一平坦化层F1的侧面S1的部分与高位侧电位供给线VHa的一部分重叠。

还有，在区域Y中，高位侧电位供给线VHa以及低位侧电位供给线VSa的至少一部分，与设置在区域Y的密封部件70重叠。若进一步详述则如图3所示，密封部件70设置在区域Y内设置了第二平坦化层F2的区域的更外侧(第一基板20的周边框12侧)的区域内。还有，在区域Y中，密封部件70与低位侧电位供给线VSa的一部分重叠。

图4是高位侧电位供给线VHa以及低位侧电位供给线VSa配置在区域Z的状态(以下称为“对比例”)的剖视图。如图4所示，在对比例中，高位侧电位供给线VHa以及低位侧电位供给线VSa，与构成扫描线驱动电路40A的多个晶体管Tr一同被第一平坦化层F1覆盖。如图4所示，对比例的高位侧电位供给线VHa以及低位侧电位供给线VSa，在设置有第一平坦化层F1的区域Z外侧的区域Y内，第二平坦化层F2内与第一平坦化层F1的侧面S1的部分或者密封部件70不重叠。

在本实施方式中，高位侧电位供给线VHa以及低位侧电位供给线VSa配置在设置有第一平坦化层F1的区域Z外侧的区域Y内。如图2所示，由于高位侧电位供给线VHa以及低位侧电位供给线VSa由金属的单层构成，所以在覆盖电位供给线(高位侧电位供给线VHa、低位侧电位供给线VSa)以及晶体管Tr的绝缘膜Fa的面上与电位供给线对应的区域，相较于与层叠多个层而成的晶体管Tr对应的区域，面上显示的阶梯差小。因此，在绝缘层Fa面上与电位供给线对应的区域内，能够直接设置气体阻挡层。即，不需要用第一平坦化层F1覆盖高位侧电位供给线VHa以及低位侧电位供给线VSa。

还有，从图3以及图4能够理解，在区域Y内，第二平坦化层F2中覆盖第一平坦化层F1的侧面S1的部分与高位侧电位供给线VHa的一部分重叠，所以因该重叠部分，第一基板20中的像素阵列部100以外的区域、即边框部分的面积与对比例相比能够变小。还有，由于在区域Y中，密封部件70与低位侧电位供给线VSa的一部分重叠，所以因该重叠的部分，边框部分的面积与对比例相比能够进一步变小。

还有，在本实施方式中，如图2以及图3所示，第二平坦化层F2的侧面S2相对第一基板20的倾斜角度，小于第一平坦化层F1的侧面S1相对第一基板20的倾斜角度。此时，由于第二平坦化层F2的侧面S2的倾斜角度越小于第一平坦化层F1的侧面S1的倾斜角度，第二平坦化层F2的侧面S2越靠近水平，所以能够抑制设置在第二平坦化层F2面上的气体阻挡层GS产生裂纹或剥离的情况，另一方面由于设置有第二平坦化层F2的区域的面积变大，所以在对比例的结构中难以实现边框部分的变窄。对此，在本实施方式中，在区域Y内高位侧电位供给线VHa的一部分与第二平坦化层F2重叠，由此与对比例相比能够将边框部分的面积变小。也就是说，利用本实施方式的结构，即能够抑制在气体阻挡层Gs产生裂纹或剥离的情况还能够实现边框部分的变窄。

(B 第二实施方式)

图5是本发明第二实施方式的电光装置10的剖视图(与图3对应的图)。如图5所示，在本实施方式中，以下方面与第一实施方式的结构不同，即，对置电极230经由各像素电路P中的多个电光元件200连续并向区域Y延伸，经覆盖电位供给线的绝缘层Fa(图2所示的第一绝缘层Fa1以及第二绝缘层Fa2)与电位供给线的至少一部分重叠。其他的结构由于与第一实施方式的结构相同，所以对于重复的部分省略说明。

如图5所示，对置电极230从第一平坦化层F1的表面经由侧面S1延伸到绝缘层Fa的表面。对置电极230中延伸到区域Y的部分经由绝缘层Fa与高位侧电位供给线VHa的一部分重叠。由此，如图5所示，在对置电极230和高位侧电位供给线VHa之间形成电容Co。还有，通过该电容Co抑制对置电极230和高位侧电位供给线VHa中的电压变动(变得平滑)。

(C 第三实施方式)

图6是本发明第三实施方式的电光装置10的俯视图。在本实施方式中，在第一基板20内与第二基板30对置的表面上配置用于向数据线驱动电路50供给电位的高位侧电位供给线VHc以及低位侧电位供给线VSc。

高位侧电位供给线VHc以及低位侧电位供给线VSc，在设置有第一平坦化层F1的区域Z外侧的区域内沿第一基板20的周边框16延伸。若进一步详述则如图6所示，高位侧电位供给线VHc从设置在第一基板20面上的高位侧电源端子Thc起，在数据线驱动电路50和第一基板20的周边框16之间的区域内，沿周边框16延伸。还有，如图6所示，低位侧电位供给线VSc从设置在第一基板20面上的低位侧电源端子Tlc起，在高位侧电位供给线VHc和周边框16之间的区域内，沿周边框16延伸。还有，如图6所示，高位侧电位供给线VHc以及低位侧电位供给线VSc配置在数据线驱动电路50和第二基板30的周边框32之间。

虽然省略具体的图示，但是在本实施方式中，在与上述的各实施方式同样被第一平坦化层F1覆盖的区域Z外侧的区域Y中，覆盖第一平坦化层F1的第二平坦化层F2内覆盖第一平坦化层F1的侧面S1的部分与高位侧电位供给线VHc的一部分重叠。还有，在区域Y中，密封部件70与低位侧电位供给线VSc的一部分重叠。由此，能够实现电光装置10中的边框部分的变窄。

(D 变形例)

本发明不仅限定于上述的各实施方式，例如能够进行以下的变形。还有，也能够组合以下所示的变形例中的两个以上的变形例。

(1)变形例1

上述的各实施方式中，虽然在设置有第一平坦化层F1的区域Z外侧的区域Y中，第二平坦化层F2与高位侧电位供给线VHa的一部分重叠，但不仅限于此，例如可以成为在区域Y中，第二平坦化层F2与高位侧电位供给线VHa以及低位侧电位供给线VSa双方重叠的状态，也可以成为第二平坦化层F2仅与低位侧电位供给线VSa的状态。总之，第二平坦化层F2为覆盖第一平坦化层F1的侧面S1并在区域Y与电位供给线的至少一部分重叠的状态即可。

(2)变形例2

在上述的各实施方式中，虽然在区域Y内，低位侧电位供给线VSa的一部分与密封部件70重叠，但是不仅限于此，例如既可以成为在区域Y中，高位侧电位供给线VHa以及低位侧电位供给线VSa双方与密封部件70重叠的状态，也可以成为仅低位侧电位供给线VSa的一部分与密封部件70重叠的情况。总之，电位供给线为在区域Y内沿第一基板20的周边框延伸并其至少一部分与密封部件70重叠的状态即可。

(3)变形例3

在上述的各实施方式中，虽然如图2所示，高位侧电位供给线VHa以及低位侧电位供给线VSa分别由不同层形成，但是例如图7所示，也能够成为高位侧电位供给线VHa以及低位侧电位供给线VSa由同层形成的情况。在图7中，高位侧电位供给线VHa以及低位侧电位供给线VSa和图2所示的晶体管Tr的漏极电极111以及源极电极112由同层构成。此外，不限于此，高位侧电位供给线VHa以及低位侧电位供给线VSa也可以和图2所示的晶体管Tr的栅极电极13由同层形成。

如图7所示，扫描线驱动电路40A分别由输出扫描信号的多个单位电路U(锁存电路)构成。一个单位电路U由多个晶体管Tr构成，如图7所示，从高位侧电位供给线VHa(主母线)分出的多条分支母线Bh与各单位电路U连接。如图7所示，高位侧电位供给线VHa与分支母线Bh相比非常粗。同样地，从低位侧电位供给线VSa(主母线)分出的多条分支母线Bs与各单位电路U连接。

在图7所示的结构中，多条分支母线Bs与高位侧电位供给线VHa以及低位侧电位供给线VSa由不同的层构成。如图7所示，分支母线Bs经由接触孔CH2与低位侧电位供给线VSa连接，并越过高位侧电位供给线VHa延伸到单位电路U。

对此，如上述各实施方式这样，利用高位侧电位供给线VHa和低位侧电位供给线VSa由不同的层构成的结构，不需要经由接触孔CH2连接电位供给线和分支母线B，所以与图7的结构相比，具有提高电位供给线和分支母线B之间的导通的可靠性的优点。

(4)变形例

在上述各实施方式中，虽然为发光层220发出的光通过像素电极210和第一基板20射出到外部的方式，但是不限于此，也能够成为发光层220发出的光通过对置电极230和第二基板30射出到外部的方式。此时，对置电极230由透光性导电性材料形成，在第二基板30内与第一基板20的对置面上，形成有与各OLED元件200对应的彩色滤光片和对各彩色滤光片的间隙进行遮光的遮光层(顶部发光)。

(5)变形例5

在上述各实施方式中，虽然为在区域Y内，第二平坦化层F2与高位侧电位供给线VHa的一部分重叠，并且密封部件70与低位侧电位供给线VSa的一部分重叠的方式，但是不限于此，也能够成为在区域Y内仅第二平坦化层F2与电位供给线的至少一部分重叠的方式。例如，能够成为在区域Y内，第二平坦化层F2与高位侧电位供给线VHa的一部分重叠，密封部件70与低位侧电位供给线VSa不重叠的方式。还有，也可以成为在区域Y内，仅密封部件70与电位供给线的至少一部分重叠的方式。例如，也可以成为在区域Y中，第二平坦化层F2与高位侧电位供给线VHa不重叠，密封部件70与低位侧电位供给线VSa的一部分重叠的方式。但是，如上述的各实施方式所示，采用在区域Y中第二平坦化层F2与高位侧电位供给线VHa的一部分重叠并且密封部件70与低位侧电位供给线VSa的一部分重叠的方式，与在区域Y内仅第二平坦化层F2与电位供给线的一部分重叠的方式或者仅密封部件70与电位供给线的一部分重叠的方式相比，具有能够使边框部分进一步变窄的优点。

(6)变形例6

在第二实施方式中，虽然对置电极230中延伸到区域Y的部分介于绝缘层Fa与高位侧电位供给线VHa的一部分重叠，但是不限于此，也可以成为在对置电极230内延伸到区域Y的部分，隔着绝缘层Fa与低位侧电位供给线VSa的一部分重叠的状态。总之，构成电光元件200的一个电极，为经由各像素电路P中的多个电光元件200连续并且延伸到区域Y，而且隔着绝缘层Fa与电位供给线的至少一部分重叠的状态即可。

(7)变形例7

在上述各实施方式中，虽然作为驱动多个电光元件200的驱动电路的例子，例举了扫描线驱动电路40以及数据线驱动电路50进行说明，但是不限于此，例如也可以为静电保护电路。总之，是由多个晶体管Tr构成用于多个电光元件的驱动的电路即可。

(8)变形例8

在上述各实施方式中，作为电光元件200的一个例子采用了OLED元件，但是不限于此，也可以为无机发光二极管或LED(Light EmittingDiode：发光二极管)。

(9)变形例9

在上述各实施方式中，覆盖驱动晶体管Rd的电极的第二绝缘层Fa2在整个区域Z以及区域Y上设置，但是如图8所示，第二绝缘层Fa2与第一平坦化层F1同样，也能够采用仅在区域Z内设置的结构。在该结构中，高位侧电位供给线VHa以及低位侧电位供给线VSa在配置在第一基板20上设置有第一平坦化层F1以及第二绝缘层Fa2的区域Z外侧的区域Y上，高位侧电位供给线VHa的一部分与第二平坦化层F2重叠。还有，在图8中，配置在区域Y内的密封部件70，与高位侧电位供给线VHa以及低位侧电位供给线VSa的一部分重叠。

还有，还能够采用一面将第二绝缘层Fa2仅设置在区域Z内，一面将第一平坦化层F1在整个区域Z以及区域Y内设置的结构。在该结构中，高位侧电位供给线VHa以及低位侧电位供给线VSa，配置在第一基板20上设置有第二绝缘层Fa2的区域Z外侧的区域Y内，而且其至少一部分与第二平坦化层F2重叠。还有，与图8的结构同样，密封部件70与高位侧电位供给线VHa以及低位侧电位供给线VSa的至少一部分重叠。

总之，绝缘膜设置在驱动晶体管Rd和对置电极230之间，电位供给线在形成有该绝缘膜(第一平坦化层F1、第二平坦化层F2)的区域Z外侧的区域Y内沿第一基板20的周边框延伸，其至少一部分与第二平坦化层F2或者密封部件70重叠即可。

还有，与第二实施方式同样地，还能够成为经由各像素电路P连续的对置电极230延伸到区域Y，经第一绝缘层Fa1与高位侧电位供给线VHa以及低位侧电位供给线VSa的至少一部分重叠的状态。

<E 应用例>

然后，对利用本发明的电光装置10的电子设备进行说明。图9是表示将以上说明的任意状态的电光装置10用作显示装置的移动型个人电脑的结构的立体图。个人电脑2000具有作为显示装置的电光装置10和本体部2010。本体部2010中设置有电源开关2001以及键盘2002。该电光装置10由于在电光元件中使用OLED元件，所以能够显示观察角度宽显眼的画面。

图10中表示应用了实施方式的电光装置10的手机的结构。手机3000具有多个操作按钮3001及卷动按钮3002以及作为显示装置的发光装置10。通过操作卷动按钮3002，卷动显示在电光装置10的画面。

图11表示应用了实施方式的电光装置10的便携式信息终端(PDAPersonal Digital Assistants：个人数字助理)的结构。便携式信息终端4000具有多个操作按钮4001及电源开关4002以及作为显示装置的发光装置10。若操作电源开关4002，则将通讯录或日程表这样的各种信息显示在电光装置D上。

此外，作为应用本发明的电光装置的电子设备，除图9至图11所示的装置之外，能够例举出具有数码照相机、电视、录像机、汽车导航装置、寻呼机、电子手册、电子纸张、计算器、文字处理机、工作站、电视电话、POS终端、印刷机、扫描仪、复印机、视频播放器、触摸屏的设备等。而且，本发明的电光装置的用途不限于图像的显示。例如在光写入型的印刷机或电子复印机这样的图像形成装置中，使用根据应形成在纸张等记录材料的图像来曝光感光体的写入头，作为这种写入头也利用本发明的电光装置。本发明所谓电子电路，是在如各实施方式这样包括构成显示装置的像素的像素电路之外，还包括成为图像形成装置的曝光单位的电路的概念。

Claims (7)

1.一种电光装置，在基板上设置有多条扫描线、多条数据线、多个像素、驱动电路和电位供给线，其中，所述多个像素与所述多条扫描线和所述多条数据线的各个交叉处相对应地配置，所述驱动电路向所述多条扫描线或者所述多条数据线的至少一方供给信号，所述电位供给线向所述驱动电路供给电位，

所述多个像素的每一个具有电光元件和驱动晶体管，其中，所述电光元件包括像素电极、从所述像素电极观察配置在所述基板的相反侧的对置电极以及介于所述像素电极和所述对置电极之间的发光层，所述驱动晶体管与所述像素电极电连接，

所述电光装置，

具有：绝缘膜，其设置在所述驱动晶体管和所述对置电极之间；以及平坦化层，其覆盖所述对置电极，

所述电位供给线在所述基板上的区域中的设置有所述绝缘膜的第一区域外侧的第二区域内沿所述基板的周边框延伸，

所述平坦化层覆盖所述绝缘膜并在所述第二区域与所述电位供给线的至少一部分重叠。

2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，还具有覆盖所述平坦化层的气体阻挡层，

所述平坦化层的侧面相对所述基板的倾斜角度，小于所述绝缘膜的侧面相对所述基板的倾斜角度。

3.一种电光装置，在基板上设置多条扫描线、多条数据线、多个像素、驱动电路和电位供给线，其中，所述多个像素与所述多条扫描线和所述多条数据线的各个交叉处对应地配置，所述驱动电路向所述多条扫描线或者所述多条数据线的至少一方供给信号，所述电位供给线向所述驱动电路供给电位，

所述多个像素的每一个具有电光元件和驱动晶体管，其中，所述电光元件包括像素电极、从所述像素电极观察配置在所述基板的相反侧的对置电极以及介于所述像素电极和所述对置电极之间的发光层，所述驱动晶体管与所述像素电极电连接，

所述电光装置，

具有：绝缘膜，其设置在所述驱动晶体管和所述对置电极之间；以及密封部件，其配置在所述基板上的区域中的设置有所述绝缘膜的第一区域外侧的第二区域内；

第二基板，其经所述密封部件与所述基板相接合；

所述电位供给线在所述第二区域内沿所述基板的周边框延伸，并且至少其一部分与所述密封部件重叠。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的电光装置，其特征在于，所述对置电极在所述多个像素中连续并延伸至所述第二区域，经覆盖所述电位供给线的绝缘层，与所述电位供给线的至少一部分重叠。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电光装置，其特征在于，

所述像素电极从所述驱动晶体管观察配置在所述基板的相反侧，

所述绝缘膜设置在所述像素电极和所述对置电极之间并划分所述各个像素电极。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的电光装置，其特征在于，

所述像素电极从所述驱动晶体管观察配置在所述基板的相反侧，

所述绝缘膜设置在所述驱动晶体管和所述像素电极之间。

7.一种电子设备，其特征在于，具有如权利要求1至权利要求6中任一项的电光装置。

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