CN101442058A - 薄膜晶体管阵列基板及其修补方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板，关键在于，在像素区域中还设置有第一元件和第二元件，第一元件包括直接覆盖衬底基板表面的栅极绝缘层、形成于所述栅极绝缘层上的半导体层以及形成于半导体层上的第一源极和第一漏极，第二元件包括直接覆盖衬底基板表面的栅极绝缘层、形成于所述栅极绝缘层上的半导体层以及形成于半导体层上的第二源极和第二漏极。这种具有像素修补结构的薄膜晶体管阵列基板，在发生像素亮点缺陷后，利用本发明提供的一种薄膜晶体管阵列基板的修补方法，从而最终达到液晶电容两端的电压接近于最暗灰阶L0对应的压差VL0，因此从不同视角观看时都不会发生漏光。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种具有像素修补结构的薄膜晶体管阵列基板及其修补方法。
背景技术
目前，液晶显示器作为平板显示器的一种已被广泛的应用在各个领域中，它具有低功耗、薄形质轻等优点。通常，液晶显示器包括一液晶面板，液晶面板包括具有像素电极的薄膜晶体管阵列基板、具有公共电极的彩色滤光片基板以及填充在薄膜晶体管阵列基板和彩色滤光片基板之间的液晶层。像素电极和公共电极之间产生电场，并通过两电极控制施加到液晶层的电场强度来控制入射光的透射率，从而实现对液晶面板亮与暗的控制。
液晶显示器的薄膜晶体管阵列基板包括多条栅极线、多条数据线、多条栅极线和多条数据线相互绝缘交叉排列限定的多个像素区域中的由氧化铟锡(ITO)形成的像素电极，以及设置在数据线和栅极线的交叉处附近的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。薄膜晶体管对施加到像素电极的电压进行控制。薄膜晶体管包含与栅极线电性连接的栅极、与像素电极电性连接的漏极和与数据线电性连接的源极。
但是，在液晶显示器的生产过程中，常易受到制作工序污染或是静电破坏，使得薄膜晶体管异常地短路或断路，或者由于导电微粒的影响而使得像素的像素电极和公共电极之间短路，则像素不能正常显示，从而造成像素的点缺陷。点缺陷可分为亮点和暗点，为了确保液晶面板的显示品质，通常在完成阵列基板及彩色滤光片基板的制作工序后会进行全黑画面检查与全白画面检查来发现液晶面板的点缺陷。亮点在全黑画面检查时是亮的，因为人眼对亮点非常敏感而易于辨认，所以在仅有少数亮点发生的时候常常会采用激光来进行修补，从而将亮点修复成不易被人眼识别的暗点。
目前，利用激光对像素进行修补有多种实现方式。
图1示出了现有技术薄膜晶体管阵列基板中单个像素的结构示意图。如图1所示，栅极线11与数据线12垂直绝缘交叉排列于衬底基板(图中未示出)上，从而限定了像素区域。像素区域中形成有像素电极16，其中像素电极16包含一个延伸部分161，该延伸部分在衬底基板上的投影与前一栅极线11在衬底基板上的投影是部分重叠的，像素电极16及延伸部分161与前一栅极线11彼此绝缘。其中，前一栅极线11指设于像素区域中薄膜晶体管对侧的栅极线。在数据线12和栅极线11的交叉处附近形成有薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括源极121、漏极15和栅极111，其中源极121电连接至数据线12，漏极15电连接至像素电极16，栅极111电连接至栅极线11，栅极111为栅极线11的一部分。公共电极线13与栅极线11平行。像素电极16与彩色滤光片基板的公共电极(图中未示出)之间形成液晶电容CLC。
当图1所示的像素出现亮点缺陷需要进行修补时，修补示意图如图2。在AB处通过激光切断该像素的像素电极16与薄膜晶体管漏极15之间的连接，同时，在像素电极16的延伸部161与前一栅极线11的重叠区域的C点处激光焊接像素电极16的延伸部161与前一栅极线11，使二者达成电性连接，从而像素电极16与前一栅极线11电性连接，像素电极，即液晶电容的第一端，获得栅极线上的电压。彩色滤光片基板的公共电极，即液晶电容的第二端，接收公共电压信号Vcom。液晶电容的两端存在电压差，从而将亮点修复成暗点。
栅极线上的电压包括栅极线的高电压Vgh和栅极线的低电压Vgl。在一帧时间内，栅极线的高电压Vgh的持续时间相对于栅极线的低电压Vgl来说非常短暂，可忽略不计，因此，像素电极接收栅极线上的电压视为栅极线的低电压Vgl。所以，修补后的液晶电容两端的电压等于栅极线上的电压与公共电压信号之差，即Vpr＝Vgl-Vcom。在实际应用中，通常使用最暗灰阶L0对应的压差为6V(即VL0+＝6V，VL0-＝-6V)的液晶显示器，并且取Vgh＝20V，Vgl＝-6V，Vcom＝4～5V，因此可以得出
|Vpr|＝|Vgl-Vcom|＝10～11V>|VL0-|。
如图3所示，液晶分子301填充在彩色滤光片基板302和薄膜晶体管阵列基板303之间，分别在两个基板的外表面附一层补偿膜304。由于液晶分子的双折射特性，通过液晶层的光线会呈现椭圆极化光，同时也产生一相位差。由于相位差的出现，导致以不同视角观察液晶显示器会产生不同的亮度以及灰阶。因此，为了补偿此相位差，必须使用一补偿膜来改善视角问题。然而，补偿膜通常是针对最暗灰阶L0对应的压差VL0为6V时液晶的相位差而预先设计的。而在修补之后，液晶电容两端的电压大于最暗灰阶L0对应的压差VL0，因此，此时液晶的相位差将不同于最暗灰阶L0对应的压差VL0对应的液晶的相位差，该补偿膜将起不到改善视角的作用，当修补完成后，从不同视角观看会存在漏光现象。为了能够使修补后的液晶电容两端的电压等于最暗灰阶L0对应的压差VL0，由于修补后的液晶电容两端的电压Vpr＝Vgl-Vcom，所以可以考虑改变Vgl或者Vcom。但是，因为改变Vgl会造成其它无缺陷像素的TFT漏电，则在暗态时由于TFT的漏电导致不能达到实际的暗值，进而导致液晶显示器的对比度降低。当改变Vcom时液晶显示器的整个面板像素的灰阶都会发生改变，所以也是不可取的。由于受到栅极线上的低电压Vgl和公共电压信号Vcom无法改变的限制，修补后的液晶电容两端的电压无法被调节使之等于最暗灰阶L0对应的压差VL0，因此，对于此种修补方法无法解决从不同视角观看时存在漏光的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板，该薄膜晶体管阵列基板在修补之后，从不同视角观看时不会发生漏光。
本发明的第二个主要目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板的修补方法，修补之后的薄膜晶体管阵列基板从不同视角观看时都不会发生漏光。
为达到上述目的，本发明的技术方案具体是这样实现的：
根据上述目的的第一个方面，本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板，包括衬底基板、形成于衬底基板上的多条栅极线、公共电极线、与栅极线相互绝缘交叉设置的多条数据线、设置于所述数据线和所述栅极线相互交叉形成的像素区域中的像素电极，以及设置在所述数据线和所述栅极线的交叉处附近的薄膜晶体管，在所述像素区域中还设置有第一元件和第二元件，第一元件包括直接覆盖衬底基板表面的栅极绝缘层、形成于所述栅极绝缘层上的半导体层以及形成于半导体层上的第一源极和第一漏极，第二元件包括直接覆盖衬底基板表面的栅极绝缘层、形成于所述栅极绝缘层上的半导体层以及形成于半导体层上的第二源极和第二漏极，其中第一源极和第一漏极限定的半导体层中的沟道具有第一沟道宽长比，第二源极和第二漏极限定的半导体层中的沟道具有第二沟道宽长比。
根据上述目的的第二个方面，本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板的修补方法，其中，薄膜晶体管阵列基板包括衬底基板、形成于衬底基板上的栅极线、公共电极线、数据线、像素电极以及薄膜晶体管，薄膜晶体管阵列基板的像素区域还包括直接覆盖衬底基板表面的栅极绝缘层，形成于所述栅极绝缘层上的半导体层、形成于所述半导体层上的第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极，第一源极和第一漏极限定的半导体层中的沟道具有第一沟道宽长比，第二源极和第二漏极限定的半导体层中的沟道具有第二沟道宽长比，所述修补方法包括：对于发生亮点缺陷的像素，切断缺陷像素的像素电极与其薄膜晶体管的电性连接；电性连接所述缺陷像素的像素电极和第一漏极与第二源极；电性连接所述缺陷像素的第一源极与公共电极线；电性连接所述缺陷像素的第二漏极与栅极线。
由上述的技术方案可见，本发明提供的一种薄膜晶体管阵列基板，与现有技术相比，在像素区域中设置第一元件和第二元件，第一元件包括直接覆盖衬底基板表面的栅极绝缘层、形成于所述栅极绝缘层上的半导体层以及形成于半导体层上的第一源极和第一漏极，第二元件包括直接覆盖衬底基板表面的栅极绝缘层、形成于所述栅极绝缘层上的半导体层以及形成于半导体层上的第二源极和第二漏极，其中第一源极和第一漏极限定的半导体层中的沟道具有第一沟道宽长比，第二源极和第二漏极限定的半导体层中的沟道具有第二沟道宽长比。具有这种像素修补结构的薄膜晶体管阵列基板，通过预先调整第一、第二元件的第一、第二沟道宽长比W/L，在发生像素亮点缺陷后，利用本发明提供的薄膜晶体管阵列基板的修补方法：切断缺陷像素的像素电极与其薄膜晶体管的电性连接；电性连接所述缺陷像素的像素电极和第一漏极与第二源极；电性连接所述缺陷像素的第一源极与公共电极线；电性连接所述缺陷像素的第二漏极与栅极线。从而在彩色滤光片基板的公共电极和公共电极线均接收公共电压信号Vcom的情况下，可以调节第一元件的阻值R1及第二元件的阻值R2，，进而能够调整液晶电容两端的电压使之接近于最暗灰阶L0对应的压差VL0，因此从不同视角观看时都不会发生漏光。
附图说明
图1为现有技术薄膜晶体管阵列基板中单个像素的结构示意图。
图2为图1的像素修补示意图。
图3为现有技术液晶面板的剖面示意图。
图4为本发明薄膜晶体管阵列基板中单个像素的结构示意图。
图5为图4中的单个像素沿线A-A’截取的剖面图，其揭示了薄膜晶体管的剖面结构。
图6为图4中的单个像素沿线B-B’截取的剖面图，其揭示了第一元件和第二元件的剖面结构。
图7为图4的像素修补示意图。
图8为图7上方虚线框中部分对应液晶面板的等效电路图。
图9为图4中第一元件和第二元件的放大图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案、及优点更加清楚明白，以下参照附图并举实施例，对本发明进一步详细说明。
本发明实施例的液晶显示器包括一液晶面板，液晶面板包括薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光片基板以及填充在两基板之间的液晶层。为了图示的清楚描述，在本发明实施例的附图中均没有画出彩色滤光片基板。图4为本发明薄膜晶体管阵列基板中单个像素的结构示意图。栅极线11与数据线12垂直绝缘交叉排列于衬底基板(图4中未示出)上，从而限定了像素区域，像素区域中形成有像素电极16。在数据线12和栅极线11的交叉处附近形成有薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括源极121、漏极15和栅极111，其中源极121电连接至数据线12，漏极15电连接至像素电极16，栅极111电连接至栅极线11，栅极111为栅极线11的一部分。公共电极线13包括在像素区域内平行于栅极线11方向的部分和平行于数据线12方向的延伸部分131。在薄膜晶体管的对侧，该像素还包括第一元件1和第二元件2。如图4所示，第一元件1包括第一源极401、第一漏极402和半导体层405，第二元件2包括第二源极403、第二漏极404和半导体层405，第一元件1的第一漏极402与第二元件2的第二源极403一体连接。第一元件1的第一源极401在衬底基板平面上的投影与公共电极线13在像素区域内平行于数据线方向的延伸部分131是部分重叠的，第二元件2的第二漏极404在衬底基板平面上的投影与前一栅极线11是部分重叠的，像素电极16在衬底基板平面上的投影与一体连接的第一元件1的第一漏极402与第二元件2的第二源极403是部分重叠的，各重叠部分如图4中的阴影所示。
图5为如图4所示的单个像素沿线A-A’截取的剖面图，其揭示了薄膜晶体管的剖面结构。在图5中，衬底基板10位于最下层，薄膜晶体管的栅极111和公共电极线13位于衬底基板10上，并且，栅极111和公共电极线13分别形成于衬底基板10的同一层，即第一金属层，栅极绝缘层14覆盖于栅极111和公共电极线13之上，与薄膜晶体管的栅极111相对应的栅极绝缘层14之上是薄膜晶体管的半导体层17，薄膜晶体管的半导体层17之上是薄膜晶体管的源极121、漏极15，钝化层18位于源极121、漏极15及栅极绝缘层14之上，且该钝化层18具有一通孔19，像素电极16位于该钝化层18之上，并通过通孔19将像素电极16与漏极15电性相连。
图6为如图4所示的单个像素沿线B-B’截取的剖面图，其揭示了第一元件和第二元件的剖面结构。在图6中，衬底基板10位于最下层，公共电极线13的延伸部分131、用于确定激光焊接位置，从而增加激光的焊接效果的金属点406、栅极线11位于衬底基板10上，并且，公共电极线的延伸部分131、金属点406以及栅极线11分别形成于衬底基板10的同一层，即第一金属层，栅极绝缘层14覆盖于公共电极线13的延伸部分131、栅极线11及金属点406之上，在直接覆盖于衬底基板10的栅极绝缘层14之上是第一元件1和第二元件2的半导体层405，即第一元件1和第二元件2的半导体层405下的栅极绝缘层14是没有覆盖第一金属层。第一元件1和第二元件2的半导体层405之上分别是第一元件1的第一源极401和第一漏极402、第二元件2的第二源极403和第二漏极404，其中，第一元件1的第一漏极402与第二元件2的第二源极403一体连接。钝化层18覆盖于半导体层405、第一元件1的第一源极401和第一漏极402、第二元件2的第二源极403和第二漏极404、栅极绝缘层14之上，像素电极16位于该钝化层18之上。其中，一体连接的第一元件1的第一漏极402与第二元件2的第二源极403下方的栅极绝缘层14覆盖金属点406，并且从图4中可以看出，像素电极16在衬底基板10平面上的投影与一体连接的第一元件1的第一漏极402与第二元件2的第二源极403是部分重叠的，所以金属点406和像素电极16是部分重叠的。
下面结合图4、图5、图6，说明制作具有像素修补结构的薄膜晶体管阵列基板的方法流程。
步骤1，在所提供的衬底基板10上沉积第一金属层，并对其构图以形成栅极线11、薄膜晶体管的栅极111、公共电极线13及其延伸部分131、用于确定激光焊接位置，从而增强激光焊接效果的金属点406，其中，金属点406在薄膜晶体管的对端。第一金属层的材料为铝、铬、钨、钽、钛、钼及铝镍等之一或合金组合，其结构可以为单层或者复合层。
步骤2，在第一金属层上淀积形成栅极绝缘层14。其中，栅极绝缘层14覆盖第一金属层及衬底基板。其材料可以为非晶氮化硅，非晶氧化硅，复晶氮化硅，复晶氧化硅等绝缘性佳的材质。
步骤3，在覆盖薄膜晶体管栅极111的栅极绝缘层14上沉积形成薄膜晶体管的半导体层17，在直接覆盖衬底基板10的栅极绝缘层14上沉积形成第一元件1和第二元件2的半导体层405，第一元件1和第二元件2的半导体层405在薄膜晶体管的半导体层17的对端。其中，第一元件1和第二元件2的半导体层405和薄膜晶体管的半导体层17的形成方法可以包括先形成一有源层(a-Si：H，氢化非晶硅层)，然后进行离子掺杂，在其上形成一欧姆接触层(N+a-Si：H，重掺杂氢化非晶硅层)。
步骤4，在栅极绝缘层14及半导体层17、405上沉积第二金属层，并对其构图以形成薄膜晶体管的源极121和漏极15、数据线12、第一元件和第二元件的源极和漏极401～404，其中第一元件的半导体层405上形成第一元件1的第一源极401和第一漏极402，第二元件2的半导体层405上形成第二元件的第二源极403和第二漏极404，在薄膜晶体管的半导体层17上形成薄膜晶体管的源极121和漏极15，第一元件1的第一漏极402与第二元件2的第二源极403一体连接，并且，一体连接的第一元件1的第一漏极402和第二元件2的第二源极403形成在金属点406上方的栅极绝缘层14之上，第一元件1的第一源极401在衬底基板10平面上的投影与公共电极线13在像素区域内平行于数据线方向的延伸部分131是部分重叠的，第二元件2的第二漏极404在衬底基板10平面上的投影与前一栅极线11是部分重叠的。第二金属层的材料为铝、铬、钨、钽、钛、钼及铝镍等之一或合金组合，其结构可以为单层或者复合层。
步骤5，形成钝化层18，并对其进行蚀刻形成通孔19。其中，钝化层18覆盖第二金属层，其材料可以为非晶氮化硅，非晶氧化硅，复晶氮化硅，复晶氧化硅等绝缘性佳的材质。
步骤6，在钝化层18上沉积氧化铟锡(ITO)，对其进行构图形成像素电极16，其中，像素电极16通过通孔19与薄膜晶体管的漏极15电性相连，像素电极16在衬底基板10平面上的投影与一体连接的第一元件1的第一漏极402与第二元件2的第二源极403是部分重叠的。
当某像素出现亮点缺陷需要进行修补时，修补示意图如图7所示。在EF处，通过激光切断该像素的像素电极16与薄膜晶体管漏极15之间的连接；在X点，通过金属点406(如图6中所示)，激光焊接像素电极16与第二金属层即一体连接的第一元件1的第一漏极402与第二元件2的第二源极403的重叠部分；在Y点，激光焊接第一元件1的第一源极401与公共电极线的延伸部分131的重叠部分，在Z点，激光焊接第二元件2的第二漏极404与前一栅极线11的重叠部分。
在本发明实施例中，当液晶显示器工作时，彩色滤光片基板上的公共电极和公共电极线均接收公共电压信号Vcom。经过上述修补之后，由于第一元件1的第一源极401与公共电极线13的延伸部分131电性连接，所以第一元件1获得公共电极线13上的公共电压信号Vcom，同样由于第二元件2的第二漏极404与前一栅极线11的电性连接，所以第二元件2获得栅极线上的电压VGL，而且像素电极16电性连接一体的第一元件1的第一漏极402和第二元件2的第二源极403。同时，液晶显示器工作时，其内的背光(未图示)打开，通过背光照射液晶面板后，第一元件1和第二元件2的半导体层405产生光电流，从而第一元件1的第一源极401和第一漏极402导通，第二元件2的第二源极403和第二漏极404导通，因此，修补之后，图7上方虚线框中部分的等效电路图如图8所示。在图8中，X、Y、Z分别对应为图7中的修补点，R1、R2分别为第一元件、第二元件的阻值。
由于VX＝VY-|VY-Vz|/(R1+R2)×R1，其中VX、VY、VZ分别为X、Y、Z修补点对应的电压；
又已知修补后的像素电极(即液晶电容的第一端)接收的电压VR＝VX、VY＝Vcom、VZ＝VGL，
所以得出VR＝Vcom-|Vcom-VGL|/(R1+R2)×R1。
液晶电容的第二端即彩色滤光片基板上的公共电极接收的电压亦为公共电压信号Vcom，所以修补之后液晶电容CLC两端的电压为：
|VCLC|＝|VR-Vcom|＝|Vcom-VGL|/(R1+R2)×R1。
第一元件1的阻值R1和第二元件2的阻值R2分别为第一元件1和第二元件2的半导体层405的阻值，半导体层405包括有源层和欧姆接触层，由于半导体层405中的欧姆接触层电阻极小可以忽略，所以第一元件1的阻值R1和第二元件2的阻值R2可分别等效为第一元件和第二元件的有源层的阻值。
根据电阻公式R＝ρL/S，可得：
第一元件的阻值R1＝ρL1/S1＝ρL1/(W1×T1)，
第二元件的阻值R2＝ρL2/S2＝ρL2/(W2×T2)，
其中ρ为有源层电阻系数，由于第一元件1和第二元件2是在制作薄膜晶体管的过程中一并形成的，因此，第一元件1的有源层电阻系数与第二元件2的有源层电阻系数相等；L1、L2分别为第一元件1和第二元件2的有源层的沟道长度；W1、W2分别为第一元件1和第二元件2的有源层的沟道宽度，L1、W1、L2、W2可在蚀刻构图形成第一元件1和第二元件2时确定；T1、T2分别为第一元件1和第二元件2的有源层的沟道厚度，T1、T2可在沉积有源层时确定。
L1、W1、L2、W2具体如图9中所示，图9为图4中第一元件1和第二元件2的放大图。如图9所示，第一元件1的有源层的沟道长度L1等于第一元件1的第一源极401和第一漏极402限定的半导体层405中的沟道长度，即为第一元件1的第一源极401和第一漏极402之间的间隔，第二元件2的有源层的沟道长度L2等于第二元件2的第二源极403和第二漏极404限定的半导体层405中的沟道长度，即为第二元件2的第二源极403和第二漏极404之间的间隔，第一元件1的有源层的沟道宽度W1等于第一元件1的第一源极401和第一漏极402限定的半导体层405的沟道宽度，即为第一元件1的第一源极401/漏极402之一的宽度，第二元件2的有源层的沟道宽度W2等于第二元件2的第二源极403和第二漏极404限定的半导体层405的沟道宽度，即为第二元件2的第二源极403/漏极404之一的宽度。
由于第一元件和第二元件的有源层与薄膜晶体管的有源层是同时沉积的，所以一般来说，对于第一元件和第二元件的有源层沉积的沟道厚度不易改变，否则会同时影响薄膜晶体管的特性。所以第一元件的阻值R1与第一元件的有源层的第一沟道宽长比W1/L1有关，第二元件的阻值R2与第二元件的有源层的第二沟道宽长比W2/L2有关，阻值R与沟道宽长比W/L成反比，阻值R随着沟道宽长比W/L的增大而减小，阻值R随着沟道宽长比W/L的减小而增大。
在本发明实施例中，为了防止液晶显示器从不同视角观看时存在漏光的问题，可以通过预先调整第一元件或第二元件的有源层的沟道宽长比W/L，来调节第一元件或第二元件的阻值R1、R2，进而能够调整液晶电容两端的电压
，从而达到使液晶电容两端的电压
能够等于最暗灰阶L0对应的压差VL0。但是，由于实际制程可能存在误差，往往很难调节液晶电容两端的电压
使之恰好等于最暗灰阶L0对应的压差VL0，然而，只要液晶电容两端的电压
与最暗灰阶L0对应的压差VL0的绝对值在<＝3V的范围内，从不同视角观看时漏光现象很小，所以基本是可以接受的。
值得指出的是，虽然在上面的实施例中，液晶面板经过修补之后等效电路如图8所示，但是显而易见的是，达到此等效电路的目的就在于使液晶电容两端的电压
接近于最暗灰阶L0对应的压差VL0，因此只要能够使修补之后的阵列基板，液晶电容两端的电压
接近于最暗灰阶L0对应的压差VL0的阵列基板及其修补方法，都在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1、一种薄膜晶体管阵列基板，包括衬底基板、形成于衬底基板上的多条栅极线、公共电极线、与栅极线相互绝缘交叉设置的多条数据线、设置于所述数据线和所述栅极线相互交叉形成的像素区域中的像素电极，以及设置在所述数据线和所述栅极线的交叉处附近的薄膜晶体管，
其特征在于，在所述像素区域中还设置有第一元件和第二元件，所述第一元件包括直接覆盖衬底基板表面的栅极绝缘层、形成于所述栅极绝缘层上的半导体层以及形成于半导体层上的第一源极和第一漏极，第二元件包括直接覆盖衬底基板表面的栅极绝缘层、形成于所述栅极绝缘层上的半导体层以及形成于半导体层上的第二源极和第二漏极，其中第一源极和第一漏极限定的半导体层中的沟道具有第一沟道宽长比，第二源极和第二漏极限定的半导体层中的沟道具有第二沟道宽长比。
2、如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，第一元件和第二元件设置在像素区域中薄膜晶体管的对侧。
3、如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，第一元件的第一漏极与第二元件的第二源极一体连接。
4、如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一元件的第一源极在衬底基板平面上的投影与所述公共电极线部分重叠。
5、如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第二元件的第二漏极在衬底基板平面上的投影与栅极线部分重叠。
6、如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述像素电极在衬底基板平面上的投影与一体连接的第一元件的第一漏极与第二元件的第二源极部分重叠。
7、如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，第一元件的第一漏极与第二元件的第二源极的一体连接处下方的栅极绝缘层覆盖一金属点。
8、一种薄膜晶体管阵列基板的修补方法，其中，薄膜晶体管阵列基板包括衬底基板、形成于衬底基板上的栅极线、公共电极线、数据线、像素电极以及薄膜晶体管，薄膜晶体管阵列基板的像素区域还包括直接覆盖衬底基板表面的栅极绝缘层，形成于所述栅极绝缘层上的半导体层、形成于所述半导体层上的第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极，第一源极和第一漏极限定的半导体层中的沟道具有第一沟道宽长比，第二源极和第二漏极限定的半导体层中的沟道具有第二沟道宽长比，所述修补方法包括：
切断缺陷像素的像素电极与其薄膜晶体管的电性连接；
电性连接所述缺陷像素的像素电极和第一漏极与第二源极；
电性连接所述缺陷像素的第一源极与公共电极线；
电性连接所述缺陷像素的第二漏极与栅极线。
9、如权利要求8所述的修补方法，其特征在于，第一漏极与第二源极一体形成，电性连接所述缺陷像素的像素电极和第一漏极与第二源极的一体连接处。
10、如权利要求9所述的修补方法，其特征在于，通过第一漏极与第二源极的一体连接处下方的栅极绝缘层覆盖的金属点电性连接所述缺陷像素的像素电极和第一漏极与第二源极的一体连接处。
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