CN101441402A - 用于探测曝光机最佳焦点的方法 - Google Patents

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CN101441402A CNA2007100942629A CN200710094262A CN101441402A CN 101441402 A CN101441402 A CN 101441402A CN A2007100942629 A CNA2007100942629 A CN A2007100942629A CN 200710094262 A CN200710094262 A CN 200710094262A CN 101441402 A CN101441402 A CN 101441402A
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杨要华
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Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
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Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种用于探测曝光机最佳焦点的方法，在曝光显影后的光刻胶图案中，取一线条状部分的任意一个横截面为一个测试图形；包括如下步骤：(1)测量多个所述测试图形，计算各个测试图形底部的倾斜角；(2)计算所述多个倾斜角的平均值；(3)根据所述的倾斜角和聚焦点位置的线性关系，计算最佳的聚焦点位置。因为本发明仅测量少数的线宽值，利用倾斜角与焦距曲线的关系可以快速获得最佳聚焦点位置，具有周期短、测量数据少、成本小的优点。

Description

用于探测曝光机最佳焦点的方法
技术领域
本发明涉及一种集成电路的半导体制备工艺中用于快速探测曝光机最佳焦点的方法。
背景技术
在目前半导体工艺中测量曝光机最佳焦点的方法是利用曝焦距的矩阵然后测量不同焦距的线宽，做泊松曲线(Bossung Curve)决定最佳聚焦点。该方法周期长，测量数据多，而且需要再工事成本高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种用于探测曝光机最佳焦点的方法，它可以快速探测最佳焦点，具有周期短、测量数据少、成本小的优点。
为了解决以上技术问题，本发明提供了一种用于探测曝光机最佳焦点的方法，包括：
(1)测量多个所述测试图形，计算各个测试图形底部的倾斜角；
(2)计算所述多个倾斜角的平均值；
(3)根据所述的倾斜角和聚焦点位置的线性关系，计算最佳的聚焦点位置。
因为本发明仅测量少数的线宽值，利用倾斜角与焦距曲线的关系可以快速获得最佳聚焦点位置，具有周期短、测量数据少、成本小的优点。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
图1是本发明的测试图形示意图；
图2是焦距位于最佳聚焦点位置的测试图形示意图；
图3是焦距小于最佳聚焦点位置的测试图形示意图；
图4是焦距大于最佳聚焦点位置的测试图形示意图；
图5是本发明实施例中倾斜角与聚焦点位置线形关系曲线。
具体实施方式
如图1所示是在曝光显影后的光刻胶图案中，取一线条状部分的一个横截面图形，以该图形为一个测试图形。如图2所示，当曝光机位于最佳聚焦点位置曝光时，该测试图形为一个矩形；如图3所示，当曝光机位置小于最佳聚焦点位置曝光时，该测试图形为一个倒等腰梯形；如图4所示，当曝光机位置大于最佳聚焦点位置曝光时，该测试图形为一个等腰梯形。可以看出随着曝光焦距的改变，该测试图形底部的倾斜角随着变化，倾斜角一般变化的范围在85度～95度，在倾斜角为直角时，表明该曝光机位于最佳的聚焦点上。
分别测量测试图形的顶部线宽、底部线宽，然后利用如下公式即可计算出测试图形底部的倾斜角：
ctgθ＝(Bottom CD-Top CD)/2H；
其中，θ为所述测试图形底部的倾斜角；H，为光刻胶的厚度；Top CD为所述测试图形的顶部线宽；Bottom CD为所述测试图形的底部线宽。
另外根据倾斜角度可以计算出曝光机曝光位置与最佳聚焦点的偏差，进而可以获得最佳的聚焦点位置。如图5是本发明一个倾斜角与聚焦点位置线形关系曲线，θ＝K*Δf+B；其中，θ为测试图形的倾斜角；Δf为曝光机的焦点位置偏差；系数K和B为常数，本实施例中系数K为-1，B的值为90，即θ＝-Δf+90。实际中该系数一般由工艺参数(光阻值、衬底材料等)决定，可以经实验获得该经验参数，进而获得线形关系。
本发明的一个具体实施例的实现步骤包括：
(1)在曝光显影后的光刻胶图案中，取5个测试图形。测量每个测试图形的顶部线宽、底部线宽，然后根据公式：ctgθ＝(Bottom CD-TopCD)/2H；θ为测试图形底部的倾斜角；H，为光刻胶的厚度；Top CD为测试图形的顶部线宽；Bottom CD为测试图形的底部线宽。分别计算出各个测试图形底部的倾斜角θ1～θ5。
(2)计算多个倾斜角的平均值，θ＝(θ1+θ2+θ3+θ4+θ5)/5；
(3)根据求出的平均倾斜角θ和聚焦点位置的线性关系，θ＝-Δf+90，可以得出曝光机焦点位置偏差Δf的值，然后根据曝光机焦点位置偏差Δf调整曝光机的位置可以获得最佳的聚焦点位置。

Claims (4)

1、一种用于探测曝光机最佳焦点的方法，其特征在于，在曝光显影后的光刻胶图案中，取一线条状部分的任意一个横截面为一个测试图形；包括如下步骤：
(1)测量多个所述测试图形，计算各个测试图形底部的倾斜角；
(2)计算所述多个倾斜角的平均值；
(3)根据所述的倾斜角和聚焦点位置的线性关系，计算最佳的聚焦点位置。
2、如权利要求1所述的用于快速探测曝光机最佳焦点的方法，其特征在于，步骤(1)所述的计算各个测试图形底部的倾斜角，包括对所述各个测试图形分别测量其顶部线宽、底部线宽，然后利用如下公式计算所述的倾斜角：
ctgθ＝(Bottom CD-Top CD)/2H；
其中，θ为所述测试图形底部的倾斜角；H，为光刻胶的厚度；Top CD为所述测试图形的顶部线宽；Bottom CD为所述测试图形的底部线宽。
3、如权利要求1或2所述的用于快速探测曝光机最佳焦点的方法，其特征在于，所述的倾斜角的范围为85度～95度。
4、如权利要求1所述的用于快速探测曝光机最佳焦点的方法，其特征在于，步骤(4)所述的的倾斜角和聚焦点位置的线性关系为：
θ＝K*Δf+B；
其中，θ为所述的点图形的倾斜角；Δf为曝光机的焦点位置偏差；系数K和B为常数。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102236262A (zh) * 2010-05-07 2011-11-09 无锡华润上华半导体有限公司 确定光刻机的最佳焦距的方法
CN102386115A (zh) * 2010-09-01 2012-03-21 无锡华润上华半导体有限公司 半导体制造工艺测试方法及装置
CN102436149A (zh) * 2011-08-29 2012-05-02 上海华力微电子有限公司 确定光刻工艺窗口的方法
CN102495533A (zh) * 2011-11-24 2012-06-13 上海宏力半导体制造有限公司 检测曝光设备焦点位置的方法及***
CN102955378A (zh) * 2012-11-12 2013-03-06 上海集成电路研发中心有限公司 光刻胶形貌表征方法
CN103065992A (zh) * 2012-12-14 2013-04-24 上海集成电路研发中心有限公司 半导体表面结构侧壁表征方法
CN105549346A (zh) * 2014-10-29 2016-05-04 合肥芯硕半导体有限公司 获取激光直接成像设备的最佳焦面距离的方法
CN110752148A (zh) * 2019-09-03 2020-02-04 福建晶安光电有限公司 一种使用感光性聚硅氧烷制作图形化蓝宝石衬底的方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102236262A (zh) * 2010-05-07 2011-11-09 无锡华润上华半导体有限公司 确定光刻机的最佳焦距的方法
CN102386115A (zh) * 2010-09-01 2012-03-21 无锡华润上华半导体有限公司 半导体制造工艺测试方法及装置
CN102386115B (zh) * 2010-09-01 2013-07-03 无锡华润上华半导体有限公司 半导体制造工艺测试方法及装置
CN102436149A (zh) * 2011-08-29 2012-05-02 上海华力微电子有限公司 确定光刻工艺窗口的方法
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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