CN101432897B - 产生白光的荧光照明 - Google Patents
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Abstract
一种发光***(1)包括：能够发射至少第一波长光谱的第一光的辐射源(2)；能够至少部分地吸收该第一光并且发射具有第二波长光谱的第二光的第一荧光材料(4)；能够至少部分地吸收该第一光并且发射具有第三波长光谱的第三光的第二荧光材料(8)；其中，该第一荧光材料(4)或该第二荧光材料(8)中的一个是密度大于单晶材料的密度的97％的多晶陶瓷，而相应的另一个荧光材料是具有中值粒度100nm<d50％<50μm的荧光粉。
Description
技术领域
本专利申请一般涉及磷光体转换半导体发光器件。
背景技术
包括发光二极管(LED)的半导体发光器件是目前可提供的最有效光源之一。使用的LED能够在整个可见光谱上工作。可以使用半导体生产LED，该半导体包括III-V族半导体，特别是镓、铝、铟和氮的二元、三元和四元合金，也被称为III-氮化物(III-nitride)材料。
LED通常用在各种不同的照明***中，例如，用于照明、气氛照明、广告照明等。为了提供好的照明印象，已经提出了使用UV-LED的照明***，其中从UV-LED发射的光通过荧光材料被转换。
因为相对于可见光的其他颜色，蓝色UV光具有更高的光子能量，即更短的波长，这样的光可以容易地被转换以产生具有更长波长的光。在本领域众所周知的是，使用作为发光而公知的过程可以将具有第一峰值波长的光(“第一光”)转换为具有更长峰值波长的光(“第二/第三光”)。该发光过程涉及通过光致发光材料(也称为磷光体)吸收激发该材料的原子的第一光，并且发射第二光。峰值波长和在其附近的波长谱带可以简而言之被称为波长。第二光的波长将依赖于光致发光材料。可以选择光致发光材料的类型以产生具有特定峰值波长的次级光。
为了提高使用LED的照明***的显色指数(CRI)，已经提出了二色性照明***。在这样的***中，蓝色LE D的初级发射与由光致发光材料(例如黄色磷光体)发射的光结合。例如，使用Y3Al5O12:Ce3+磷光体作为光致发光材料。从该LED发射的蓝光的一部分由该磷光体转换为黄光。来自LED的蓝光的另一部分被传输通过该磷光体。因此，该***发射从LED发射的蓝光和从该磷光体发射的黄光。蓝色和黄色发射谱带的混合由观察者感知为白光。该被感知的光具有在70和80之间的CRI，以及在大约5000K到大约8000K范围的色温。
然而，在许多照明应用中，小于80的CRI是不可接受的。例如，在商业照明、气氛照明中，等等，通常不使用基于二色性方法的白光LED，因为由缺少红色颜色成分而导致CRI差。特别地，对于如在通常的照明中使用的低于5000K的色温，具有二色性蓝黄LED照明***的CRI低于70。
为了即使在高相关色温(CCT)、即CCT＜6000时进一步提高CRI，已经提出了波长转换半导体发光器件，其中提供了第一波长转换材料和第二波长转换材料。可以根据具有所述温度的、具有与1960的CIEu-v***中光源的色点距离最小的普朗克发射体(Planckian emitter)的色坐标来理解光源的CCT。
第一波长转换材料(荧光材料)发射光，该光具有比由第二波长转换材料发射的光更短的波长。可以将第一和第二转换材料沉积在发光器件上。然而，在已知器件之内，因为第一和第二波长转换材料是相互混合的，导致强的反向散射(back-scattering)和光损耗，所以效力差。此外，通常仅仅由从该第一波长转换材料发射的光激发该第二波长转换材料。此外，期望的相关色温(CCT)的调整非常差。
发明内容
因此，本申请的一个目的是提供发射具有高CRI的白光的照明***。本申请的另一个目的是提供一种照明***，该照明***具有高效力、明确定义的色温和好的照明特性。本申请的另一个目的是提供具有暖色白光发射(即CCT＜6000K)的LED照明。本申请的另一个目的是允许调整照明***的CCT。
这些和其他的目的通过发光***解决，该发光***包括辐射源，其能够发射至少第一波长光谱的第一光；第一荧光材料，其能够至少部分地吸收该第一光并且发射具有第二波长光谱的第二光；第二荧光材料，其能够至少部分地吸收该第一光并且发射具有第三波长光谱的第三光；其中，该第一荧光材料或该第二荧光材料为密度大于单晶材料的密度的97％的多晶陶瓷，并且其中相应的另一个荧光材料是中值粒度为100nm＜d50％＜50μm的荧光粉(phosphor powder)。
该第二荧光材料可以是密度大于具有相同组成(composition)的单晶材料的密度的97％的多晶陶瓷。
单晶材料可以理解为晶状固相，在该晶状固相中整个样本的晶格对于该样本的边缘是连续的、非扭曲的、和未破损的，没有晶界。它的密度是100％。
多晶可以由多个称为微晶的更小的晶体组成。可以由孔、玻璃相或者非本征相(extrinsic phase)的数目来定义多晶的密度。术语“多晶材料”可以理解为具有大于主要组分(constituent)的90％的体积密度、由多于80％的单晶畴(single crystal domain)组成的材料，每个晶畴在直径上大于0.5μm，并且具有不同的晶体取向(crystallographicorientation)。单晶畴可以通过非定形的或玻璃状的材料、或者通过另外的晶状组分来连接。
荧光粉可以包括单晶体和多晶体。已经发现，密度大于具有和荧光粉相同的组成的单晶材料的密度的97％的多晶陶瓷的组合提供高机械稳定性而且同时提供良好的CRI。
高密度材料可以理解为陶瓷。它可以具有≥95％至≤100％的理论密度。因此，和具有更小密度的材料相比，陶瓷提供大大提高的机械和光学特性。优选地，陶瓷材料具有≥97％至≤100％的理论密度，更优选地，≥98％至≤100％的理论密度。
该辐射源可以是发射具有短波长(优选在UVA到蓝色光谱区中，例如在大约330nm和大约470nm之间)的光的LED。其它的发射高能量光的辐射源也是可能的。该荧光材料全部或者部分地吸收来自该辐射源的光，并且利用具有显著的红色比例的第二荧光材料在足够宽的谱带内的其他光谱区中再次发射它。形成了具有期望的白色色温和CRI的总发射。
转换第一光的波长的第一荧光材料可以是掺杂铈的多晶陶瓷体。该陶瓷可以例如是掺杂铈的YAG:Ce(0.5％)石榴石。第一荧光材料可以发射在黄绿光谱内的光。第一荧光材料可以由第一光激发。例如，可以使用通式
的发射绿黄色光的铈镨激活(cerium-praseodymium-activated)的镥钇铝镓钪(lutetium-yttrium-aluminum-gallium-scandium)石榴石磷光体，其中0≤x≤1，0≤y≤0.5，0.001≤a≤0.02，0.001≤b≤0.005，0≤m≤0.5，0≤n≤0.5。例如，石榴石材料可以具有优选的组成(Lu0.2Y0.8)2.994(Al4.95Sc0.05)O12:Ce0.006或者(Y0.9Gd0.1)2.994Al5O12:CE0.006。这些例子也可以包括偏离理想的石榴石化学计量学(stoichiometry)的组成，例如(Y0.9Gd0.1)2.994Al5.01O12.015:Ce0.006。最优选地，显示从理想的化学计量学偏离的组成是单相的。这些例子也可以包括具有附加成分的组成，该附加成分可以追溯到烧结熔剂(sinteringflux)的使用，该烧结熔剂比如硼酸盐、氧化硅、硅酸盐、碱土金属化合物、氟化物，或者氮化物(比如氮化铝或氮化硅)。可以将这些附加成分溶解在陶瓷石榴石颗粒中，或者这些附加成分可以作为比如晶界相的次级相存在。
第二荧光材料可以是例如发射红光磷光体，诸如发射红光的铕激活的磷光体。第二荧光材料可以选自组：(Ca1-x-ySrx)S:Euy，0≤x≤1，0.0003≤y≤0.01；(Ba1-x-ySrxCay)2-zSi5-aAlaN8-aOa:Euz，其中0≤x≤0.5，0≤y≤0.8，0.0025≤z≤0.05，0≤a≤1；或者(Ca1-x-ySrxMgy)1-zSi1-aAl1-aN3-aOa:Euz，其中0≤x≤0.5，0≤y≤0.2，0.003≤z≤0.05，0≤a≤0.02。优选地，使用组成为Ca0.98Si0.985Al1.015N2.99O0.01:Eu0.02的铕激活的钙铝硅氮化物(calcium aluminumsilicon nitride)，该组成是以高量子效率从近UV(400nm)可激发到蓝绿(500nm)的高色度红色磷光体。为了优化地使用这种磷光体来对初级LED光进行发光转换，有必要更改光物理特性以获得例如相关发光器件的效力、色标(color specification)和寿命。通过改变晶格中N/O和Al/Si比率，通过用来自包括Ba、Sr、Mg的列表的二价金属离子替代钙可以变更铕激活的钙铝硅氮化物的色度和量子效率。最优选地，通过和添加的诸如氯化铵或者氯化钠之类的卤化物熔剂共烧(cofiring)来产生发射红光的铕激活的钙铝硅氮化物材料。卤化物熔剂降低了磷光体要求的烧制温度，并且极大地提高了该材料的光输出。在烧制之后可以洗掉大部分残留的熔剂，然而，少量可以结合在晶格中而不会使发光性能恶化，导致诸如Ca0.98Si0.985Al1.015N2.99O0.01:Eu0.02Clx，x≤0.0015，或者Ca0.96Na0.02SiAlN2.98O0.02:Eu0.02Clx，x≤0.0015的配方(formulation)。
根据实施例，在至少一个附加层中第二荧光材料可以与第一荧光材料分离。可以将该附加层定位在发射第一波长光谱的辐射源和发射第二波长光谱的第一发光材料之间，或者定位在发射第二波长光谱的第一发光材料之上。该第二荧光材料也可以布置在荧光材料表面上的至少一个凹陷(优选两个以上凹陷)之内。可以将凹陷或者布置在辐射源之前的第一荧光材料的第一表面之内、或者布置在该辐射源之前的第二荧光材料的第一表面之内。这可能导致具有第三波长光谱的第三光主要由第一光激发。凹陷可以是坑、槽、凹痕(dent)、腔、缺口(indentation)等等。可以将凹陷布置在表面上，该表面与面向该辐射源的表面相对。这些凹陷可以布置在隔间(compartment)内。
第一荧光材料可以具有至少一个平坦表面，而第二荧光材料在所述平坦表面上形成第二发光层。优选地，第二荧光层散射光。可以将转换第一光和第二光的波长的第二荧光材料布置在凹陷内。可以将第二荧光材料沉积在第一荧光材料的表面上，或者作为球、堆积物、团(clusters)、珠、立方体等布置在凹陷内。
通过将第二荧光材料布置在分离的层中或者在凹陷中，从第一荧光材料发射的第二光仅仅最少地被吸收。来自第一荧光材料的光被发射，其由第二荧光材料的再吸收最小化。此外，第二荧光材料被布置靠近辐射源，以便第一光已经激发第二荧光材料，并且从第一发光材料发射的光不会被传输通过第二发光材料。
根据实施例的照明***应该能提高白光发射辐射源再现照明颜色的质量，该质量由显色指数(CRI)所表示。CRI为100表示从光源发射的光等同于来自黑体源的光，黑体源即在380-780nm的可见光谱范围内的对于CCT＜5000K的白炽灯或者卤素灯，或者等同于由CIE Pub13.3(CIE 13.3：1995，测量并确定光源显色性质的方法(Method ofMeasuring and Specifying Colour Rendering Properties of LightSources))所定义的“类太阳”的光谱。
通过设置层厚度、凹陷的尺寸和大小，可以调整CCT和CRI。例如，至少两个凹陷之间的距离可以选择为0.1-1mm，优选为0.5mm。凹陷可以形成在梳状的第一荧光材料的表面中。每个凹陷的深度可以至少为第一荧光材料厚度的一半。优选的是凹陷具有20μm的深度。至少一个多晶荧光材料的厚度D为50μ＜D＜850μm，优选为80μ＜D＜250μm。梳状凹陷可以由在第一荧光材料的表面上的棱锥形成。可以切断该棱锥的尖顶。
根据实施例，可以将第二荧光材料布置在第一荧光材料的至少一个表面处，使得第一光、第二光和第三光的组合在小于6000K(优选小于5000K)的相关色温处具有高于80的显色指数。
例如，由形成在第一发光材料的至少一个表面上的第二荧光材料所形成的层具有在30cm-1＜s＜1000cm-1范围内的散射系数s。这样的层可以由中径d50％为0.5μm＜d50％＜20μm的磷光体颗粒构成。在另一个例子中，所述至少一个凹陷的深度可以是第一荧光材料的厚度的至少一半，优选是20μm。由此，第二荧光材料被布置靠近辐射源，并且来自第一发光材料的光可以辐射而不受第二荧光材料的干扰。为了使得能够由LED光源直接激发第二荧光材料，实施例提供具有在15°和160°之间(优选90°)的开度角(opening angle)的至少一个凹陷。
本申请的另一个方面是包括前述的发光***的照明设备。
本申请的再一个方面是用于制造发光***的方法，该方法在第一荧光材料的表面之内形成凹陷，沉积第二荧光材料到所形成的凹陷中，并且将第一荧光材料安置在辐射源上。特别用于生产前述的照明***。
本申请的另一方面是用于制造具有第一荧光材料的发光***的方法，形成具有第二荧光材料的粘合剂材料的箔，并且将具有第二荧光材料的箔沉积到具有所述第一荧光材料的辐射源上。特别用于生产前述的照明***。可以通过将重量百分比为1％-20％的粉末磷光体(d50 ％＝5μm)散布到作为粘合载体(binding carrier)材料的高粘弹性的聚合物凝胶中来制造箔。粘合材料的例子包括热塑性塑料、热固性塑料、树脂、粘合剂、原料聚合物、单体、复合材料和硅树脂化合物。可以使用溶剂添加剂来调整箔生产所要求的粘性和硬化特性。可以通过诸如模塑、铸塑、挤出成型、拉挤成型、机械加工、热成形和塑料焊接之类的工艺形成箔。箔可以在沉积到第二荧光材料上之前以所要求的大小形成。
附图说明
从下面的图并且参考下列图的阐述，本应用的这些和其他的方面将变得清楚明白。
图1示出照明***的第一实施例的侧视图；
图2示出照明***的第二实施例的透视图；
图3示出照明***的第三实施例的透视图；
图4示出照明***的实施例的断面图；
图5示出根据实施例的照明***的组成部分的发射和吸收光谱；
图6示出根据实施例的照明***的组成部分的另一个发射和吸收光谱；
图7示出根据实施例的照明***的组成部分的另一个发射和吸收光谱；
图8示出对于根据实施例的照明***的不同布置的发射光谱。
具体实施方式
图1示出根据实施例的照明***1上的侧视图。***1可以包括辐射源2，该辐射源2可以是例如蓝色发光LED。布置在LE D2的表面上的是第一荧光材料4。第一荧光材料4具有平坦的表面，在该平坦的表面上沉积有第二荧光材料8。第一荧光材料4优选是密度大于单晶材料密度的97％的多晶陶瓷。第二荧光材料8优选是粉末。该粉末可以具有在100nm＜d50％＜50μm之间的中值粒度d50％。所述粉末可以通过涂粉(dusting)、静电涂粉或者所谓的光粘合(photo-tacky)工艺施加到第一荧光材料的表面上。也可以施加第二荧光材料8作为由具有磷光体的粘合剂材料构成的箔，并且沉积具有第二荧光材料的箔到具有所述第一发光材料的辐射源上。
图2示出根据实施例的照明***1上的透视图。***1可以包括辐射源，该辐射源可以是例如UV-LED 2。布置在LED 2的表面上的是第一荧光材料4。第一荧光材料4具有凹陷6，将第二荧光材料8沉积在该凹陷中。
所使用的荧光材料4、8可以响应于如由荧光灯和发光二极管产生的紫外光、可以响应于如在蓝色发光二极管中产生的可见光。辐射源需要发射具有能够激发荧光材料4、8的波长的光。这些可以是放电灯和诸如发光二极管和激光二极管之类的发射蓝色和UV光的半导体发光器件。
辐射源包括半导体光学辐射发射器和响应于电激发而发射光学辐射的其他器件。半导体光学辐射发射器包括发光二极管LED芯片、发光聚合物(LEP)、有机发光器件(OLED)、聚合物发光器件(PLED)等。
此外，发光部件，诸如在放电灯和荧光灯(诸如汞的低压和高压放电灯、硫放电灯(sulfur discharge lamp)和基于分子辐射体的放电灯)中发现的那些发光部件，也可以被想到用作辐射源。用发射最大值位于400至480nm的蓝色LED 2获得特别好的结果。特别考虑到所使用的荧光材料4、8的激发光谱，已经发现最佳范围位于440至460nm和438至456nm。
第一荧光材料4可以是发射绿光/黄光的石榴石。例如，对于要求白光的应用，掺杂Ce3+(优选0.15％)的Y3Al5O12是有用的。传统的Y3Al5O12:Ce3+的窄的激发光谱导致LED 2的发射和第一荧光材料4的发射之间的组合光谱中的间隙。扩宽激发光谱允许使用LED 2，该LED 2发射可以至少部分地填充该光谱间隙的波长的光，这潜在地对由器件所发射的合成光的显色性(color rendering)具有有利的影响。尽管在第一实施例的上述讨论中特别提到了石榴石主体(host)Y3Al5O12，应当理解的是，也可以使用具有通式的石榴石荧光材料，其中0≤x≤1，0≤y≤0.5，0.001≤a≤0.02，0.001≤b≤0.005，0≤m≤0.5，且0≤n≤0.5。这类荧光材料基于立体石榴石晶体的激活发光。石榴石是具有晶体化学式A3B5X12的一类材料。A原子可以从包括Y、Gd、Lu、Tb、Yb、La、Ca、Sr的组中选择，B原子可以从包括Al、Mg、Sc、B、Ga、Si、Ge、In的组中选择，X原子可以从包括O、N、F、S的组中选择。部分A原子可以用从包括Ce、Pr、Sm、Eu、Dy、Ho、Er、Tm的组中选择的掺杂原子来替代。掺杂浓度相对于A原子可以在0.01-10mole％的范围内，最优选在0.1-2mole％的范围内。
第二发光材料8可以是发射红光的磷光体。合适的发射红光的磷光体的例子包括Ca1-x-ySrxAlSiN3:Euy或Sr2-ySi5N8:Eux，其中0.005＜x＜0.05，或者Sr2-ySi5-xAlxN8-xOx:Euy，其中0＜x＜2，0.005＜y＜0.05，或者Ba2-x-ySrxSi5N8:Euy，其中0＜x＜1，0.005＜y＜0.05。
从LED 2发射的光在其波长由第一荧光材料4和第二荧光材料8二者来转换。由LED 2发射的蓝光和由第一荧光材料4和第二荧光材料8发射的绿光和红光混合，以形成白光。通过控制第一荧光材料4和第二荧光材料8的设计可以控制白光的CRI和CCT。
可以通过在第一荧光材料4的层上提供凹陷(即，使用机械研磨和锯切技术、传统的光刻技术(lithography)和蚀刻技术)、沉积第二荧光材料8(即通过电泳沉积)来形成荧光材料4、8的图案。替代地，可以通过丝网印刷(screen printing)或者喷墨印刷(ink jet printing-)或者涂粉、静电涂粉或者所谓的光粘合工艺来沉积荧光材料的层和图案。最后，可以将第一荧光材料4和第二荧光材料8的组装件(package)放置在LED 2上。
根据实施例，将第二荧光材料8沉积在第一荧光材料4的凹陷6内。凹陷6可以形成为坑、槽、凹痕、腔、缺口。如在图1中所示，将凹陷布置在槽内，这些槽沿着第一荧光材料的长度相互平行。
在图3中示出根据实施例的另一种布置。正如可以看到的，凹陷6被布置为缺口，这些缺口均匀地分布在第一荧光材料4的表面上。凹陷6具有底部，可以在该底部内设置盲孔。凹陷6的底部上的盲孔可以用来沉积第二荧光材料8。
图4中示出了凹陷6的截面图。将第二荧光材料8沉积在凹陷6的盲孔10之内。将盲孔10布置在凹陷6的底部表面上。角度α在45°和170°之间，优选90°。大小E优选为170μm。凹陷6和盲孔10的深度优选为180μm。总厚度D优选为350μm。两个凹陷6之间的距离优选为0.5mm。
通过设置凹陷的大小和尺寸，可以调整CCT。例如，所述至少两个凹陷之间的距离可以选择为0.1-1mm，优选为0.5mm。可以在梳状的第一荧光材料的表面上形成凹陷。每个凹陷的深度可以是180μm，第一荧光材料的厚度可以是350μm。可以通过第一荧光材料表面上的棱锥(pyramid)形成梳状凹陷。可以切掉棱锥的尖顶。
根据实施例，可以将第二荧光材料布置在第一荧光材料的表面的至少一个凹陷之内，以便第一光、第二光和第三光的组成在小于6000K(优选小于5000K)的相关色温处具有高于80的显色指数。
例如，所述至少一个凹陷的深度可以为第一荧光材料的厚度的至少一半。由此，布置第二荧光材料靠近辐射源。第三光可以在不受第一荧光材料的干扰的光方向上辐射。此外，第二光可以在没有第二荧光材料干扰的光方向上辐射。
为了使第三光的自由辐射能够进入该光方向，实施例提供开度角在45°和120°之间(优选为90°)所述至少一个的凹陷。所示出的第二荧光材料8在凹陷6中的布置，使得只能吸收从第一荧光材料4发射的最小量的光。此外，布置第二荧光材料靠近LED 2，以便来自LED 2的光已激发第二荧光材料8。第一荧光材料4中的棱锥形成的开口允许从第二荧光材料发射的光无扭曲地发射进入所述光方向。从图4可以看出，凹陷可以为梳状。每个凹陷都可以具有棱锥形状。可以切掉棱锥的尖顶，以提供在第一荧光材料4上的均匀的表面。
图5-7示出发射和吸收光谱。所示出的是第二荧光材料8(16)和第一荧光材料4(14)的LED 2(12)的归一化的发射光谱。此外，示出了第二荧光材料8(20)和第一荧光材料4(18)的吸收光谱(k)。
图5示出第二荧光材料8Ca1-xSrxAlSiN8:Eu(其中0＜x＜1)的发射光谱16和来自作为第一荧光材料4的YAG:Ce(0.3％)石榴石的发射光谱14。还分别示出了第二荧光材料8 Ca1-xSrxAlSiN8:Eu(其中0＜x＜1)的吸收光谱20和来自作为第一荧光材料4的YAG:Ce(0.3％)石榴石的吸收光谱18。
图6示出第二荧光材料8 Sr2-ySi5-xAlxN8-xOx:Euy(其中0＜x＜2，0.005＜y＜0.05)的发射光谱16和来自作为第一荧光材料4的YAG:Ce(0.2％)石榴石的发射光谱14。还分别示出第二荧光材料8Sr2-ySi5-xAlxN8-xOx:Euy(其中0＜x＜2，0.005＜y＜0.05)的吸收光谱20和来自作为第一荧光材料4的YAG:Ce(0.2％)石榴石的吸收光谱18。
图7示出第二荧光材料8 Sr2-xSi5N8:Eux(其中0.005＜x＜0.05)的发射光谱16和来自作为第一荧光材料4的YAG:Ce(0.5％)石榴石的发射光谱14。还分别示出第二荧光材料8 Sr2-xSi5N8:Eux(其中0.005＜x＜0.05)的吸收光谱20和来自作为第一荧光材料4的YAG:Ce(0.5％)石榴石的吸收光谱18。
图8示出根据实施例的照明***1的发射光谱。曲线图22示出如图2中所示的照明***的发射光谱。曲线图26示出如图1中所示的照明***的发射光谱。最后，曲线图24示出照明***的发射光谱，其中第二荧光材料8被夹在(sandwiched)LED 2和第一荧光材料4之间。
本发明的凹陷和沉积的布置提供了白光的生成，该白光在小于6000K(优选小于5000K)的色温处具有在80以上的CRI。
Claims (16)
1.一种发光***(1)，包括：
辐射源(2)，能够发射至少第一波长光谱的第一光；
第一荧光材料(4)，能够至少部分地吸收所述第一光并且发射具有第二波长光谱的第二光；
分离的第二荧光材料(8)，能够至少部分地吸收所述第一光并且发射具有第三波长光谱的第三光；
其中所述第一荧光材料(4)或所述分离的第二荧光材料(8)中的一个为密度大于单晶材料密度97％的多晶陶瓷，并且相应的另一个荧光材料为具有中值粒度100nm＜d50％＜50μm的荧光粉。
2.如权利要求1所述的发光***(1)，其中将所述分离的第二荧光材料(8)作为层布置在下列位置中的一个位置处：
A)在发射第一波长的辐射源(2)和发射第二波长光谱的第一发光材料(4)之间；或者
B)在发射第二波长光谱的第一发光材料(4)之上。
3.如权利要求1所述的发光***(1)，其中至少一个凹陷(6)布置在下列至少一个的第一表面之内：
A)在所述辐射源(2)的前面的所述第一荧光材料(4)；或者
B)在所述辐射源(2)的前面的所述分离的第二荧光材料(8)
4.如权利要求3所述的发光***(1)，其中所述分离的第二荧光材料(8)布置在所述第一荧光材料(4)上的表面的所述至少一个凹陷(6)之内，使得具有所述第三波长光谱的第三光主要由所述第一光激发。
5.如权利要求4所述的发光***(1)，其中所述至少一个凹陷(6)的深度为所述第一荧光材料(4)的厚度的至少一半。
6.如权利要求1所述的发光***(1)，其中所述至少一个多晶荧光材料的厚度D为50μm＜D＜850μm。
7.如权利要求1所述的发光***(1)，其中所述分离的第二荧光材料(8)和所述第一荧光材料(4)布置在一起，以便所述第一光、第二光和第三光的组成在小于6000K、优选小于5000K的相关色温CCT处具有高于80的显色指数。
8.如权利要求4所述的发光***(1)，其中所述分离的第二荧光材料(8)布置在所述第一荧光材料(4)的表面的所述至少一个凹陷(6)之内，使得所述第三光由所述第二光的激发少于由所述第一光的激发。
9.如权利要求4所述的发光***(1)，其中所述至少一个凹陷(6)具有在15°和160°之间、优选90°的开度角。
10.如权利要求4所述的发光***(1)，其中在所述至少两个凹陷(6)之间的距离为0.1-1mm，优选0.5mm。
11.如权利要求1所述的发光***(1)，其中所述第一荧光材料(4)包括具有式子(Lu1-x-yYxGdy)3-a-b(Al1-m-nGamScn)5O12:CeaPrb)的磷光体，其中0≤x≤1，0≤y≤0.5，0.001≤a≤0.02，0.001≤b≤0.005，0≤m≤0.5，且0≤n≤0.5。
12.如权利要求1所述的发光***(1)，其中所述分离的第二荧光材料(8)可以选自下列组：
A)(Ca1-x-ySrx)S:Euy，其中0≤x≤1，0.0003≤y≤0.01；
B)(Ba1-x-ySrxCay)2-zSi5-aAlaN8-aOa:Euz，其中0≤x≤0.5，0≤y≤0.8，0.0025≤z≤0.05，0≤a≤1；或者
C)(Ca1-x-ySrxMgy)1-zSi1-aAl1+aN3-aOa:Euz，其中0≤x≤0.5，0≤y≤0.2，0.003≤z≤0.05，0≤a≤0.02。
13.一种照明设备，包括权利要求1的发光***(1)。
14.一种用于制造发光***(1)的方法，具有：
在第一荧光材料(4)的表面之内形成凹陷(6)；
将分离的第二荧光材料(8)放到所形成的凹陷(6)之内；以及
将所述第一荧光材料(4)安置到辐射源(2)上，
其中所述第一荧光材料(4)或所述分离的第二荧光材料(8)中的一个为密度大于单晶材料密度97％的多晶陶瓷，并且相应的另一个荧光材料为具有中值粒度100nm＜d50％＜50μm的荧光粉。
15.一种用于制造具有第一荧光材料(4)的发光***(1)的方法，
形成具有分离的第二荧光材料(8)的粘合剂材料的箔，并且将具有所述分离的第二荧光材料(8)的箔沉积到具有所述第一荧光材料(4)的辐射源(2)上，
其中所述第一荧光材料(4)或所述分离的第二荧光材料(8)中的一个为密度大于单晶材料密度97％的多晶陶瓷，并且相应的另一个荧光材料为具有中值粒度100nm＜d50％＜50μm的荧光粉。
16.如权利要求15所述的方法，还包括，将重量百分比为1％-20％的粉末磷光体(d50％＝5μm)散布到作为粘合载体材料的高粘弹性的聚合物凝胶中，所述粘合载体材料包括热塑性塑料、热固性塑料、树脂、粘合剂、原料聚合物、单体、复合材料和硅树脂化合物；通过诸如模塑、铸塑、挤出成型、拉挤成型、机械加工、热成形和塑料焊接之类的工艺形成所述箔。
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