CN101423423A - 一种在陶瓷制品上自然形成木纹图案釉层的制作方法 - Google Patents

一种在陶瓷制品上自然形成木纹图案釉层的制作方法 Download PDF

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刘剑雄
潘俊明
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Abstract

本发明涉及一种在陶瓷制品上自然形成木纹图案釉层的制作方法;其特征在于所述的在陶瓷制品上自然形成木纹图案釉层的制作方法是采用油画刷在陶瓷坯底上刷哑光釉后再喷绘粗点半透明亮光釉,送入窑炉烧制成木纹图案釉层,利用刷一层薄薄的哑光釉作底釉与喷绘的粗点半透明亮光釉发生特殊反应形成大自然中各种各样木纹色的自然色样,本发明的方法是一个非常奇特,大胆创新的表现方法,制作容易,能使陶瓷制品表面的手刷图纹和釉层更协调地展现大自然的千姿百态,淋漓精致的木纹视觉效果,它是一种理想的在陶瓷制品表面上自然融合的展现釉面图层装饰效果的制作方法。属于日用陶瓷制品表面着色装饰的增加产品的质感和美感的制作方法。

Description

一种在陶瓷制品上自然形成木纹图案釉层的制作方法
技术领域
本发明涉及一种在陶瓷制品上自然形成木纹图案釉层的制作方法;它属于日用陶瓷制品的装饰制作方法。
背景技术
目前陶瓷同类行业中,在陶瓷制品表面着色上全色釉,进行图案装饰是一种增加产品质感和美感的最常见的方法,大多数是采用普通的亮光双层釉或是一层釉,这些方法做出的效果一般较为生硬和呆板,如果釉层把握不好很难控制它的质量,易产生釉缕、针孔、色脏,缩釉等缺陷,影响产品的整体艺术装饰效果。同时,陶瓷制品表面上的装饰图案一般为釉上手绘印制和直接描画而成,不能很好地自然地融合图案与釉层之间的呈现效果。
发明内容
本发明的目的在于克服上述不足之处,提供一种在陶瓷制品上自然形成木纹图案釉层的制作方法。
本发明的技术方案:是在陶瓷制品胚底上用油画刷刷哑光釉后喷粗点半透明亮光釉,再喷上粗点反应釉.送入1130℃~1180℃的氧化气氛窑炉中烧制形成一种大自然中形形色色的木纹釉面(层)效果。具体步骤如下:
一种在陶瓷制品上自然形成木纹图案釉层的制作方法,其特征在于所述的在陶瓷制品上自然形成木纹图案釉层的制作方法是采用油画刷在陶瓷胚底上刷哑光釉后再喷绘粗点半透明亮光釉.送入窑炉烧制成木纹图案釉层,具体步骤如下:
A、采用油画刷在陶瓷制品干坯上刷一层哑光釉,其哑光釉的浓度为30度~33度,釉层厚度为0.1mm-0.3mm;
B、在刷有哑光釉的陶瓷制品上喷绘粗点为1mm—1.5mm的半透明亮光釉,其半透明亮光釉的浓度为55度,釉层厚度为0.8mm-1.3mm;
C、送入1130℃~1180℃的氧化气氛窑炉中烧制即成,其陶瓷制品自然形成一种具有木纹图案的釉层。
本发明的关键技术是在陶瓷制品坯体上利用刷一层薄薄的哑光釉作底釉与喷绘的粗点半透明亮光釉发生特殊反应形成大自然中各种各样木纹色的自然色样此方案要注意釉色搭配组合,那样更能表现淋漓精致各色个样的木纹特色。
综上所述,本发明的方法是一个非常奇特..大胆创新的表现方法,制作容易,能使陶瓷制品表面的手刷图纹和釉层更协调地展现大自然的千姿百态,淋漓精致的木纹视觉效果,它是一种理想的在陶瓷制品表面上自然融合的展现釉面图层装饰效果的制作方法。属于日用陶瓷制品表面着色装饰的增加产品的质感和美感的制作方法。
具体实施方式
一种在陶瓷制品上自然形成木纹图案釉层的制作方法,其特征在于所述的在陶瓷制品上自然形成木纹图案釉层的制作方法是采用油画刷在陶瓷胚底上刷哑光釉后再喷绘粗点半透明亮光釉.送入窑炉烧制成木纹图案釉层,具体步骤如下:
A、采用油画刷在陶瓷制品干坯上刷一层哑光釉,其哑光釉的浓度为30度~33度,釉层厚度为0.1mm-0.3mm;
B、在刷有哑光釉的陶瓷制品上喷绘粗点为1mm—1.5mm的半透明亮光釉,其半透明亮光釉的浓度为55度,釉层厚度为0.8mm-1.3mm;
C、送入1130℃~1180℃的氧化气氛窑炉中烧制即成,其陶瓷制品自然形成一种具有木纹图案的釉层。

Claims (1)

1、一种在陶瓷制品上自然形成木纹图案釉层的制作方法,其特征在于所述的在陶瓷制品上自然形成木纹图案釉层的制作方法是采用油画刷在陶瓷胚底上刷哑光釉后再喷绘粗点半透明亮光釉.送入窑炉烧制成木纹图案釉层,具体步骤如下:
A、采用油画刷在陶瓷制品干坯上刷一层哑光釉,其哑光釉的浓度为30度~33度;釉层厚度为0.1mm-0.3mm;
B、在刷有哑光釉的陶瓷制品上喷绘粗点为1mm—1.5mm的半透明亮光釉,其半透明亮光釉的浓度为55度;釉层厚度为0.8mm-1.3mm;
C、送入1130℃~1180℃的氧化气氛窑炉中烧制即成,其陶瓷制品自然形成一种具有木纹图案的釉层。
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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