CN101419982B - 槽栅型源场板高电子迁移率器件及其制作方法 - Google Patents
槽栅型源场板高电子迁移率器件及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101419982B CN101419982B CN200810232513XA CN200810232513A CN101419982B CN 101419982 B CN101419982 B CN 101419982B CN 200810232513X A CN200810232513X A CN 200810232513XA CN 200810232513 A CN200810232513 A CN 200810232513A CN 101419982 B CN101419982 B CN 101419982B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- field plate
- layer
- source field
- source
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种槽栅型源场板高电子迁移率器件及其制作方法，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、槽栅(7)、钝化层(8)、源场板(9)和保护层(11)，该槽栅(7)位于势垒层的凹槽(6)中，该源场板(9)与源极(4)电气连接，其中，钝化层(8)上淀积有n个浮空场板(10)，这些浮空场板与源场板位于同一层面上。每个浮空场板大小相同，相互独立，相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自源场板到漏极方向的个数依次递增。n个浮空场板与源场板在钝化层上一次工艺完成。本发明具有工艺简单、输出功率高和可靠性好的优点，可制作基于化合物半导体材料异质结的微波功率器件。
Description
技术领域
本发明属于微电子技术领域，涉及半导体器件，特别是基于III-V族化合物半导体材料异质结结构的槽栅型源场板高电子迁移率器件，可作为微波、毫米波通讯***以及雷达***的基本器件。
技术背景
业内周知，由III族元素和V族元素所组成的半导体材料，即III-V族化合物半导体材料，如氮化镓(GaN)基、砷化镓(GaAs)基、磷化铟(InP)基等半导体材料，它们的禁带宽度往往差异较大，因此人们通常利用这些III-V族化合物半导体材料形成各种异质结结构。由于在异质结中异质结界面两侧的III-V族化合物半导体材料的禁带宽度存在较大的差异，使得这些异质结结构具有一个共同特点，即在异质结界面附近产生一个量子势井。对于由III-V族化合物半导体材料所组成的异质结，人们通过对材料进行掺杂，或者利用材料的极化效应等特性，可以在量子势井中产生高浓度的二维电子气，这种二维电子气由大量的电荷载流子构成。另外由于这种二维电子气被束缚在量子势井中，实现了载流子与电离杂质在空间上的分离，减少了电离杂质对载流子的库仑力作用，消除了电离散射中心的影响，从而大大提高了载流子的迁移率。这种高浓度二维电子气和高载流子迁移率，使得III-V族化合物半导体材料异质结具有良好的电特性。
基于III-V族化合物半导体材料异质结制作而成的高电子迁移率器件，继承了III-V族化合物半导体材料异质结的优点，如高载流子浓度、高载流子迁移率、高工作频率、大功率及耐高温等，可以广泛应用于微波、毫米波通讯***和雷达***等领域，因此高电子迁移率器件自从诞生之日起便成为众多研究者研究的热点。1980年，Takashi Mimura等人报道成功研制出了第一只AlGaAs/GaAs异质结场效应晶体管，也是一种高电子迁移率器件，参见A new field-effect transistor with selectively doped GaAs/n-AlXGa1-XAsheterostructures，Japanese Journal of Applied Physics，Vol.19，No.5，pp.L225-L227，May1980。1993年，Khan等人报道成功研制出了第一只AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管，也是一种高电子迁移率器件，参见High electron mobility transistor based on aGaN-AlXGa1-XN heterojunction，Applied Physics Letters，Vol.63，No.9，pp.1214-1215，August 1993。随着对器件研究的深入，人们对基于III-V族化合物半导体材料异质结的高电子迁移率器件的研究不断取得新的突破。然而，高电子迁移率器件工作时势垒层耗尽区中的电场线的分布并不均匀，靠近漏极一侧的栅极边缘往往收集大部分的电场线，因此该处的电场相当高。此处的高电场会使得栅极泄漏电流增大，容易导致器件发生雪崩击穿，使其实际击穿电压偏小，从而导致该类器件的高击穿电压和大功率等优势不能充分发挥。另外，器件的栅极泄露电流增大会导致其可靠性变差。
为了提高高电子迁移率器件的击穿电压，充分发挥其输出功率高的优势，同时增强器件的可靠性，有研究者采用场板结构对其进行了改进，其结构如图1所示。该结构的基本原理是：利用场板增加了耗尽区的面积，提高了耗尽区可以承担的漏源电压，从而增大了器件的击穿电压；同时，利用场板对势垒层耗尽区中电场线的分布进行调制，减小了栅极泄露电流。在高电子迁移率器件中采用场板结构，会在场板下方形成新的耗尽区，即高阻区，增加了栅极与漏极之间势垒层中耗尽区的面积，使得耗尽区可以承担更大的漏源电压，从而增大了器件的击穿电压。在高电子迁移率器件中采用场板结构，可以将部分原本收集在栅极靠近漏极一侧的边缘的电场线收集到场板上，尤其是场板靠近漏极一侧的边缘，结果在栅极靠近漏极一侧的边缘和场板靠近漏极一侧的边缘分别出现一个电场峰值，从而减少了栅极靠近漏极一侧的边缘所收集的电场线，降低了该处的电场，减小了栅极泄露电流。1998年，K.Asano等人报道了采用栅场板的异质结场效应晶体管，也是一种栅场板高电子迁移率器件，获得了较高的器件击穿电压和较好的功率性能，参见Novel high power AlGaAs-GaAs HFET with a field-modulating plate operated at 35V drainvoltage，International Electron Devices Meeting Technical Digest，pp.59-62，December 1998。为了提高栅场板高电子迁移率器件的线性度，进一步改善器件的大信号和小信号微波功率性能，一些研究者又采用了槽栅结构。2004年，A.Chini等人报道了AlGaN-GaN槽栅型栅场板高电子迁移率晶体管，也是一种槽栅型栅场板高电子迁移率器件，获得了非常高的功率密度和功率附加效率，同时也获得了极好的线性度，参见Power and LinearityCharacteristics of Field-Plated Recessed-Gate AlGaN-GaN HEMTs，IEEE Electron DeviceLetters，Vol.25，No.5，pp.229-231，May 2004。然而，在采用栅场板的高电子迁移率器件中，栅场板与二维电子气沟道之间会产生附加电容，该电容会叠加进器件的栅漏反馈电容中，使得器件的栅漏反馈电容增大，导致器件的功率特性和频率特性衰减，同时造成器件的不稳定性大大增加，使得采用场板的优势不能充分体现，因此一些研究者提出采用源场板结构以改善器件的性能。2004年，Y.-F.Wu等人报道了采用源场板的高电子迁移率晶体管，通过输出调谐网络消除了场板所引入的附加电容，在较高的频率下获得了很高的功率增益、输出功率和功率附加效率，参见High-gain microwave GaN HEMTs withsource-terminated field-plates，IEEE International Electron Devices Meeting Technical Digest，pp.1078-1079，December 2004。由于单层场板结构提高高电子迁移率器件的击穿电压的能力非常有限，所以为了进一步提高器件的击穿电压和输出功率，同时兼顾器件的频率特性，一些研究者采用了各种复杂的场板结构，而堆层场板结构是目前最常用和最有效的一种结构，这种结构通过增加堆层场板的个数可以持续地增加器件的击穿电压。2005年，Yuji Ando等人报道了采用栅场板和源场板的高电子迁移率晶体管，有效地减小了器件的栅漏反馈电容，获得了非常高的击穿电压、输出功率和线性增益，参见Novel AlGaN/GaNdual-field-plate FET with high gain，increased linearity and stability，IEEE InternationalElectron Devices Meeting Technical Digest，pp.576-579，December 2005。但是堆层场板高电子迁移率器件的制作工艺比较复杂，每增加一层场板都需要多加光刻、淀积金属、淀积绝缘介质材料、剥离、清洗等工艺步骤，而且要使各层场板下面所淀积的绝缘介质材料具有合适的厚度，必须进行繁琐的工艺调试，因此大大增加了器件制造的难度，降低了器件的成品率。
发明内容
本发明的目的在于克服上述已有技术的不足，提供一种制造工艺简单、击穿电压高和可靠性好的槽栅型源场板高电子迁移率器件及其制作方法，以实现高输出功率和高成品率。
为实现上述目的，本发明提供的器件结构采用任何III-V族化合物半导体材料构成的异质结结构，该结构自下而上包括：衬底、过渡层、势垒层、源极、漏极、槽栅、钝化层、源场板和保护层，该槽栅位于势垒层的凹槽中，该源场板与源极电气连接，其中，钝化层上淀积有n个浮空场板，n≥1，这些浮空场板与源场板位于同一层面上。
所述的每个浮空场板大小相同，相互独立，且与源场板的厚度相同。
所述的源场板与其最邻近的浮空场板之间的距离为0.07～2.3μm，相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自源场板到漏极方向的个数依次递增。
所述的凹槽的深度D小于势垒层的厚度，槽栅与凹槽两端的间距分别为R1与R2，R1与R2的长度相等且均为0～3μm。
为实现上述目的，本发明提供的制作槽栅型源场板高电子迁移率器件的方法，包括如下过程：
选择蓝宝石或碳化硅或硅或其它外延衬底材料作为衬底，在衬底上外延III-V族化合物半导体材料的过渡层作为器件的工作区；
在过渡层上淀积III-V族化合物半导体材料的势垒层；
在势垒层上第一次制作掩膜，并在势垒层的两端淀积金属，再在N2气氛中进行快速热退火，分别制作源极和漏极；
在势垒层上第二次制作掩膜，并在源极和漏极之间的势垒层刻蚀出凹槽；
在势垒层上第三次制作掩膜，并在凹槽中淀积金属，制作槽栅，该槽栅与凹槽两端的间距分别为R1与R2，R1与R2的长度相等且均为0～3μm；
在源极、漏极和槽栅的***区域淀积钝化层；
在钝化层上制作掩膜，利用该掩膜在源极与漏极之间的钝化层上淀积金属，以制作厚度均为0.25～8μm的源场板及n个浮空场板，n≥1，并将源场板与源极电气连接；
淀积保护层，即用绝缘介质材料分别覆盖源场板和各浮空场板，以及钝化层上的其它区域。
本发明器件与采用传统源场板的高电子迁移率器件比较具有以下优点：
1.进一步提高了器件的击穿电压。
本发明由于采用浮空场板结构，使器件在处于工作状态尤其是处于关态的工作状态时，在源场板与其最邻近的浮空场板之间，以及在各个浮空场板彼此之间都存在电容耦合作用，于是电势从源场板到最靠近漏极一侧的浮空场板逐渐升高，从而大大增加了槽栅与漏极之间势垒层中的耗尽区，即高阻区的面积，使得此耗尽区能够承担更大的漏源电压，即大大提高了器件的击穿电压。
2.进一步减小了栅极泄漏电流，增强了器件的可靠性。
本发明由于采用浮空场板结构，使器件势垒层耗尽区中电场线的分布得到了更强的调制，器件中槽栅靠近漏极一侧的边缘、源场板与其最邻近的浮空场板之间、各个浮空场板彼此之间以及最靠近漏极的浮空场板的靠近漏极一侧的边缘都会产生一个电场峰值，而且通过调整源场板与其最邻近的浮空场板之间的距离以及各个浮空场板彼此之间的距离，可以使得上述各个电场峰值相等且小于III-V族化合物半导体材料的击穿电场，从而最大限度地减少了槽栅靠近漏极一侧的边缘所收集的电场线，有效地降低了该处的电场，大大减小了栅极泄露电流，显著增强了器件的可靠性。
3.进一步提高了器件的线性度，改善了器件的微波功率性能。
本发明由于采用槽栅结构，使器件的跨导进一步增加，从而提高了器件的线性度，改善了器件的大信号和小信号微波功率性能。
4.工艺简单，易于实现，成品率高。
本发明器件结构中由于源场板和各浮空场板位于同一层钝化层上，且只有一层，因此只需要一步工艺便可以同时实现源场板与各浮空场板的制作，避免了传统的堆层场板结构所带来的工艺复杂化问题，大大提高了器件的成品率。
仿真结果表明，本发明器件的击穿电压远远大于采用传统源场板的高电子迁移率器件的击穿电压。
以下结合附图和实施例进一步说明本发明的技术内容和效果。
附图说明
图1是采用传统栅场板的高电子迁移率器件的结构图；
图2是本发明槽栅型源场板高电子迁移率器件的结构图；
图3是本发明槽栅型源场板高电子迁移率器件的制作流程图；
图4是对传统器件及本发明器件仿真所得的势垒层中电场曲线图；
图5是对传统器件及本发明器件仿真所得的击穿曲线图。
具体实施方式
参照图2，本发明槽栅型源场板高电子迁移率器件是基于III-V族化合物半导体异质结结构，其结构自下而上为：衬底1、过渡层2、势垒层3、钝化层8与保护层11。其中，势垒层3上的两端分别为源极4和漏极5，源极4和漏极5之间刻蚀有凹槽6，该凹槽的深度D小于势垒层的厚度。槽栅7位于凹槽6中，并与该凹槽两端的间距分别为R1与R2，R1与R2的长度相等且均为0～3μm。钝化层8位于源极4、漏极5和槽栅7的***区域。在钝化层8上制作有源场板9及n个浮空场板10，n≥1，这些浮空场板与源场板位于同一层钝化层上，第一个浮空场板与源场板之间的距离S1为0.07～2.3μm，相邻两浮空场板之间的间距不同，即按照浮空场板个数自源场板到漏极方向逐渐增大，且相邻两浮空场板之间的间距均大于S1。各浮空场板10的大小相同，沿着平行于源场板宽度的方向放置，不与任何电极或者金属接触，处于相互独立的浮空状态。源场板的有效长度L0为0.3～7μm，每个浮空场板的长度L1均为0.3～7μm。保护层11位于源场板和各浮空场板的上部，以及钝化层上的其它区域。源场板9与源极4电气连接。
上述器件的衬底1可以为蓝宝石、碳化硅、硅或其它外延衬底材料；过渡层2由若干层相同或不同的III-V族化合物半导体材料组成，其厚度为1～5μm；势垒层3由若干层相同或不同的III-V族化合物半导体材料组成，其厚度为10～50nm；钝化层8可以为SiO2、SiN、Al2O3、Sc2O3、HfO2、TiO2或其它绝缘介质材料，其厚度为0.06～0.6μm；保护层11可以是SiO2、SiN、Al2O3、Sc2O3、HfO2、TiO2或其它绝缘介质材料，其厚度为0.3～8.2μm；源场板9及n个浮空场板10采用两层或三层金属层的组合，n≥1，其厚度为0.25～8μm。
参照图3，本发明制作槽栅型源场板高电子迁移率器件的过程如下：
步骤1，在衬底1上外延过渡层2作为器件的工作区，如图3a。
选择蓝宝石、碳化硅、硅或其它外延衬底材料作为衬底1，在其上外延厚度为1～5μm的III-V族化合物半导体材料过渡层2作为器件的工作区，该过渡层材料由若干层相同或不同的III-V族化合物半导体材料组成，如仅由GaN材料组成，或自下而上由AlN和GaN两层材料组成，或仅由GaAs材料组成。外延过渡层的方法采用金属有机物化学气相淀积技术或分子束外延技术或氢化物气相外延技术或其它可以用于外延过渡层的技术。
步骤2，在过渡层2上淀积势垒层3，如图3b。
在过渡层2上淀积厚度为10～50nm的势垒层3，该势垒层的材料由若干层相同或不同的III-V族化合物半导体材料组成，如仅由AlXGa1-XN材料组成，或自下而上由AlXGa1-XN和GaN两层材料组成，或仅由AlXGa1-XAs材料组成，0<X<1，X表示Al组分的含量。淀积势垒层的方法采用金属有机物化学气相淀积技术或分子束外延技术或氢化物气相外延技术或其它可以用于淀积势垒层的技术。
步骤3，在势垒层3上分别制作源极4和漏极5，如图3c。
在势垒层3上第一次制作掩膜，分别在其两端淀积金属，再在N2气氛中进行快速热退火，制作源极4和漏极5，其中所淀积的金属采用Ti/Al/Ti/Au组合，或采用其它金属组合，金属厚度为0.01～0.04μm/0.05～0.17μm/0.03～0.12μm/0.04～0.1μm。淀积金属的方法采用电子束蒸发技术或溅射技术或其它可以用于淀积金属的技术。
步骤4，在势垒层3上刻蚀出凹槽6，如图3d。
在势垒层3上第二次制作掩膜，并在源极4和漏极5之间的势垒层上刻蚀出凹槽6，该凹槽深度D小于势垒层的厚度。刻蚀凹槽的方法采用反应离子刻蚀技术或感应耦合等离子体技术或反应离子刻蚀-感应耦合等离子体技术或其它可以用于刻蚀凹槽的技术。。
步骤5，在凹槽6中制作槽栅7，如图3e。
在势垒层3上第三次制作掩膜，并在凹槽6中淀积金属，制作槽栅7，其中所淀积的金属采用Ni/Au金属组合，或采用其它金属组合，金属厚度为0.01～0.04μm/0.08～0.4μm，该槽栅7与凹槽6两端的间距分别为R1与R2，R1与R2的长度相等且均为0～3μm。淀积金属的方法采用电子束蒸发技术或溅射技术或其它可以用于淀积金属的技术。
步骤6，淀积钝化层8，如图3f。
在源极、漏极和槽栅的***区域淀积钝化层8，该钝化层材料可以采用SiO2、SiN、Al2O3、Sc2O3、HfO2、TiO2或其它绝缘介质材料，其厚度为0.06～0.6μm。淀积钝化层的方法采用化学气相淀积技术或蒸发技术或原子层淀积技术或溅射技术或分子束外延技术或其它可以用于淀积钝化层的技术。
步骤7，制作源场板9及各浮空场板10，如图3g。
在钝化层8上制作掩膜，该掩膜是按照源场板9与其最邻近的浮空场板之间的距离为0.07～2.3μm，且相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自源场板到漏极方向的个数依次递增的位置关系设置。利用该掩膜在钝化层8上淀积金属厚度均为0.25～8μm的源场板9及n个浮空场板10，n≥1。该源场板及各浮空场板的淀积均采用两层或三层金属层的组合，且下层金属厚度要小于上层金属厚度。对于两层金属组合采用Ti/Au或Ni/Au或Pt/Au，厚度均为0.03～0.6μm/0.22～7.4μm；对于三层金属组合采用Ti/Mo/Au或Ti/Ni/Au或Ti/Pt/Au，厚度均为0.01～0.5μm/0.04～0.8μm/0.2～6.7μm。源场板的有效长度L0为0.3～7μm，每个浮空场板的长度L1均为0.3～7μm。淀积金属的方法采用电子束蒸发技术或溅射技术或其它可以用于淀积金属的技术。
完成源场板9及n个浮空场板10的制作后，将源场板9与源极4电气连接。
步骤8，淀积保护层11，如图3h。
淀积保护层11分别覆盖源场板9和各浮空场板10，以及钝化层8上的其它区域，其中保护层材料可以采用SiO2、SiN、Al2O3、Sc2O3、HfO2、TiO2或其它绝缘介质材料，其厚度为0.3～8.2μm。淀积保护层的方法采用化学气相淀积技术或蒸发技术或原子层淀积技术或溅射技术或分子束外延技术或其它可以用于淀积保护层的技术。
根据以上所述的器件结构和制作方法，本发明给出以下六种实施例，但并不限于这些实施例。
实施例一
制作衬底为蓝宝石，钝化层为SiO2，保护层为SiN，源场板和各浮空场板为Ti/Au金属组合的槽栅型源场板高电子迁移率器件，其过程是：
1.使用金属有机物化学气相淀积技术在蓝宝石衬底1上外延厚度为1μm的未掺杂过渡层2，该过渡层自下而上由厚度为22nm的AlN材料和厚度为0.978μm的GaN材料构成。外延下层AlN材料采用的工艺条件为：温度为565℃，压力为40Torr，氢气流量为4200sccm，氨气流量为4200sccm，铝源流量为20μmol/min；外延上层GaN材料采用的工艺条件为：温度为950℃，压力为40Torr，氢气流量为4200sccm，氨气流量为4200sccm，镓源流量为100μmol/min。
2.使用金属有机物化学气相淀积技术在GaN过渡层2上淀积厚度为50nm的未掺杂势垒层3，该势垒层自下而上由厚度为47nm、铝组分为0.15的Al0.15Ga0.85N材料和厚度为3nm的GaN材料构成。淀积下层Al0.15Ga0.85N材料采用的工艺条件为：温度为980℃，压力为40Torr，氢气流量为4200sccm，氨气流量为4200sccm，镓源流量为15μmol/min，铝源流量为3μmol/min；淀积上层GaN材料采用的工艺条件为：温度为980℃，压力为40Torr，氢气流量为4200sccm，氨气流量为4200sccm，镓源流量为10μmol/min。
3.在势垒层3上制作掩膜，并使用电子束蒸发技术在其两端淀积金属，再在N2气氛中进行快速热退火，制作源极4和漏极5，其中所淀积的金属为Ti/Al/Ti/Au金属组合，金属层厚度为0.01μm/0.05μm/0.03μm/0.04μm。淀积金属采用的工艺条件为：真空度小于1.8×10-3Pa，功率范围为200～1000W，蒸发速率小于
；快速热退火采用的工艺条件为：温度为865℃，时间为30s。
4.在势垒层3上制作掩膜，使用反应离子刻蚀技术在源极4和漏极5之间的势垒层上刻蚀出凹槽6，该凹槽深度D为40nm。刻蚀凹槽采用的工艺条件为：反应气体Cl2的流量为5sccm，压力为10mT，功率为100W。
5.在势垒层3上制作掩膜，并使用电子束蒸发技术在凹槽6中淀积金属，制作槽栅7，其中所淀积的金属采用Ni/Au金属组合，金属厚度为0.01μm/0.08μm，该槽栅7与凹槽6两端的间距分别为R1与R2，R1与R2的长度均为0μm。淀积金属采用的工艺条件为：真空度小于1.2×10-3Pa，功率范围为200～700W，蒸发速率小于
6.使用电子束蒸发技术在源极、漏极和槽栅的***区域淀积厚度为0.06μm的SiO2钝化层8。淀积钝化层采用的工艺条件为：真空度小于1.2×10-3Pa，功率小于50W，蒸发速率小于
7.在SiO2钝化层8上制作掩膜，使用电子束蒸发技术在源极与漏极之间的钝化层上淀积厚度为0.03μm/0.22μm的Ti/Au金属组合，以制作源场板9及一个浮空场板10，该源场板的有效长度L0和浮空场板的长度L1均为0.3μm，源场板与浮空场板之间的距离S1为0.07μm。淀积金属采用的工艺条件为：真空度小于1.8×10-3Pa，功率范围为200～700W，蒸发速率小于
。将源场板9与源极4电气连接。
8.使用等离子体增强化学气相淀积技术分别覆盖源场板9和浮空场板10，以及钝化层8上的其它区域，以制作厚度为0.3μm的SiN保护层11。淀积保护层采用的工艺条件为：气体为NH3、N2及SiH4，气体流量分别为2.5sccm、900sccm和200sccm，温度、RF功率和压力分别为300℃、25W和900mT。
实施例二
制作衬底为碳化硅，钝化层为SiN，保护层为SiO2，源场板和各浮空场板为Ni/Au金属组合的槽栅型源场板高电子迁移率器件，其过程是：
1.使用金属有机物化学气相淀积技术在碳化硅衬底1上外延厚度为2.5μm的未掺杂过渡层2，该过渡层自下而上由厚度为50nm的AlN材料和厚度为2.45μm的GaN材料构成。外延下层AlN材料采用的工艺条件为：温度为1020℃，压力为45Torr，氢气流量为4800sccm，氨气流量为4800sccm，铝源流量为12μmol/min；外延上层GaN材料采用的工艺条件为：温度为1020℃，压力为45Torr，氢气流量为4800sccm，氨气流量为4800sccm，镓源流量为150μmol/min。
2.使用金属有机物化学气相淀积技术在GaN过渡层2上淀积厚度为30nm，且铝组分为0.3的未掺杂Al0.3Ga0.7N势垒层3。采用的工艺条件为：温度为1000℃，压力为45Torr，氢气流量为4800sccm，氨气流量为4800sccm，镓源流量为16μmol/min，铝源流量为7μmol/min。
3.在Al0.3Ga0.7N势垒层3上制作掩膜，并使用电子束蒸发技术在其两端淀积金属，再在N2气氛中进行快速热退火，制作源极4和漏极5，其中所淀积的金属为Ti/Al/Ti/Au金属组合，金属层厚度为0.03μm/0.1μm/0.06μm/0.05μm。淀积金属采用的工艺条件为：真空度小于1.8×10-3Pa，功率范围为200～1000W，蒸发速率小于
；快速热退火采用的工艺条件为：温度为865℃，时间为30s。
4.在Al0.3Ga0.7N势垒层3上制作掩膜，使用反应离子刻蚀技术在源极4和漏极5之间的势垒层上刻蚀出凹槽6，该凹槽深度D为22nm。刻蚀凹槽采用的工艺条件为：反应气体Cl2的流量为5sccm，压力为10mT，功率为100W。
5.在Al0.3Ga0.7N势垒层3上制作掩膜，并使用电子束蒸发技术在凹槽6中淀积金属，制作槽栅7，其中所淀积的金属采用Ni/Au金属组合，金属厚度为0.02μm/0.3μm，该槽栅7与凹槽6两端的间距分别为R1与R2，R1与R2的长度均为0.8μm。淀积金属采用的工艺条件为：真空度小于1.2×10-3Pa，功率范围为200～700W，蒸发速率小于
。
6.使用等离子体增强化学气相淀积技术在源极、漏极和槽栅的***区域淀积厚度为0.3μm的SiN钝化层8。淀积钝化层采用的工艺条件为：气体为NH3、N2及SiH4，气体流量分别为2.5sccm、900sccm和200sccm，温度、RF功率和压力分别为300℃、25W和900mT。
7.在SiN钝化层8上制作掩膜，使用电子束蒸发技术在源极与漏极之间的钝化层上淀积厚度为0.1μm/1.9μm的Ni/Au金属组合，以制作源场板9及两个浮空场板10，该源场板的有效长度L0为1.8μm两个浮空场板的长度L1均为2.5μm，源场板与第一个浮空场板之间的距离S1为0.57μm，源场板与第二个浮空场板之间的距离S2为4.2μm。淀积金属采用的工艺条件为：真空度小于1.8×10-3Pa，功率范围为200～700W，蒸发速率小于
。将源场板9与源极4电气连接。
8.使用等离子体增强化学气相淀积技术分别覆盖源场板9和各浮空场板10，以及钝化层8上的其它区域，以制作厚度为2.3μm的SiO2保护层11。淀积保护层采用的工艺条件为：气体为N2O及SiH4，气体流量分别为800sccm和150sccm，温度、RF功率和压力分别为250℃、25W和1000mT。
实施例三
制作衬底为硅，钝化层为Al2O3，保护层为SiN，源场板和各浮空场板为Pt/Au金属组合的槽栅型源场板高电子迁移率器件，其过程是：
1.使用金属有机物化学气相淀积技术在硅衬底1上外延厚度为5μm的未掺杂过渡层2，该过渡层自下而上由厚度为125nm的AlN材料和厚度为4.875μm的GaN材料构成。外延下层AlN材料采用的工艺条件为：温度为860℃，压力为50Torr，氢气流量为4900sccm，氨气流量为4900sccm，铝源流量为35μmol/min；外延上层GaN材料采用的工艺条件为：温度为1050℃，压力为50Torr，氢气流量为4900sccm，氨气流量为4900sccm，镓源流量为160μmol/min。
2.使用金属有机物化学气相淀积技术在GaN过渡层2上淀积厚度为10nm，且铝组分为0.5的未掺杂Al0.5Ga0.5N势垒层3。采用的工艺条件为：温度为970℃，压力为50Torr，氢气流量为4900sccm，氨气流量为4900sccm，镓源流量为10μmol/min，铝源流量为10μmol/min。
3.在Al0.5Ga0.5N势垒层3上制作掩膜，并使用电子束蒸发技术在其两端淀积金属，再在N2气氛中进行快速热退火，制作源极4和漏极5，其中所淀积的金属为Ti/Al/Ti/Au金属组合，金属层厚度为0.04μm/0.17μm/0.12μm/0.1μm。淀积金属采用的工艺条件为：真空度小于1.8×10-3Pa，功率范围为200～1000W，蒸发速率小于；快速热退火采用的工艺条件为：温度为865℃，时间为30s。
4.在Al0.5Ga0.5N势垒层3上制作掩膜，使用反应离子刻蚀技术在源极4和漏极5之间的势垒层上刻蚀出凹槽6，该凹槽深度D为2nm。刻蚀凹槽采用的工艺条件为：反应气体Cl2的流量为5sccm，压力为10mT，功率为100W。
5.在Al0.5Ga0.5N势垒层3上制作掩膜，并使用电子束蒸发技术在凹槽6中淀积金属，制作槽栅7，其中所淀积的金属采用Ni/Au金属组合，金属厚度为0.04μm/0.4μm，该槽栅7与凹槽6两端的间距分别为R1与R2，R1与R2的长度均为3.0μm。淀积金属采用的工艺条件为：真空度小于1.2×10-3Pa，功率范围为200～700W，蒸发速率小于
。
6.使用原子层淀积技术在源极、漏极和槽栅的***区域淀积厚度为0.6μm的Al2O3钝化层8。淀积钝化层采用的工艺条件为：以TMA和H2O为反应源，载气为N2，载气流量为200sccm，衬底温度为300℃，气压为700Pa。
7.在Al2O3钝化层8上制作掩膜，使用电子束蒸发技术在源极与漏极之间的钝化层上淀积厚度为0.6μm/7.4μm的Pt/Au金属组合，以制作源场板9及三个浮空场板10，该源场板的有效长度L0为7μm，三个浮空场板的长度L1均为7μm，源场板与第一个浮空场板之间的距离S1为2.3μm，源场板与第二个浮空场板之间的距离S2为14μm，源场板与第三个浮空场板之间的距离S3为30μm。淀积金属采用的工艺条件为：真空度小于1.8×10-3Pa，功率范围为200～1000W，蒸发速率小于
。将源场板9与源极4电气连接。
8.使用等离子体增强化学气相淀积技术分别覆盖源场板9和各浮空场板10，以及钝化层8上的其它区域，以制作厚度为8.2μm的SiN保护层11。淀积保护层采用的工艺条件为：气体为NH3、N2及SiH4，气体流量分别为2.5sccm、900sccm和200sccm，温度、RF功率和压力分别为300℃、25W和900mT。
实施例四
制作衬底为蓝宝石，钝化层为SiO2，保护层为Al2O3，源场板和各浮空场板为Ti/Mo/Au金属组合的槽栅型源场板高电子迁移率器件，其过程是：
1.与实施例一的过程1相同；
2.与实施例一的过程2相同；
3.与实施例一的过程3相同；
4.与实施例一的过程4相同；
5.与实施例一的过程5相同；
6.与实施例一的过程6相同；
7.在SiO2钝化层8上制作掩膜，使用电子束蒸发技术在源极与漏极之间的钝化层上淀积厚度为0.01μm/0.04μm/0.2μm的Ti/Mo/Au金属组合，以制作源场板9及五个浮空场板10，该源场板的有效长度L0和五个浮空场板的长度L1均为0.3μm，源场板与第一个浮空场板之间的距离S1为0.07μm，源场板与第二个浮空场板之间的距离S2为0.5μm，源场板与第三个浮空场板之间的距离S3为1.07μm，源场板与第四个浮空场板之间的距离S4为1.93μm，源场板与第五个浮空场板之间的距离S5为3.36μm。淀积金属采用的工艺条件为：真空度小于1.8×10-3Pa，功率范围为200～1800W，蒸发速率小于。将源场板9与源极4电气连接。
8.使用原子层淀积技术分别覆盖源场板9和各浮空场板10，以及钝化层8上的其它区域，以制作厚度为0.3μm的Al2O3保护层11。淀积保护层采用的工艺条件为：以TMA和H2O为反应源，载气为N2，载气流量为200sccm，衬底温度为300℃，气压为700Pa。
实施例五
制作衬底为碳化硅，钝化层为SiN，保护层为SiN，源场板和各浮空场板为Ti/Ni/Au金属组合的槽栅型源场板高电子迁移率器件，其过程是：
1.与实施例二的过程1相同；
2.与实施例二的过程2相同；
3.与实施例二的过程3相同；
4.与实施例二的过程4相同；
5.与实施例二的过程5相同；
6.与实施例二的过程6相同；
7.在SiN钝化层8上制作掩膜，使用电子束蒸发技术在源极与漏极之间的钝化层上淀积厚度为0.25μm/0.35μm/3.4μm的Ti/Ni/Au金属组合，以制作源场板9及两个浮空场板10，该源场板的有效长度L0为1.5μm，两个浮空场板的长度L1均为1μm，源场板与第一浮空场板之间的距离S1为1.1μm，源场板与第二浮空场板之间的距离S2为4.3μm。淀积金属采用的工艺条件为：真空度小于1.8×10-3Pa，功率范围为200～700W，蒸发速率小于。将源场板9与源极4电气连接。
8.使用等离子体增强化学气相淀积技术分别覆盖源场板9和各浮空场板10，以及钝化层8上的其它区域，以制作厚度为4.2μm的SiN保护层11。淀积保护层采用的工艺条件为：气体为NH3、N2及SiH4，气体流量分别为2.5sccm、900sccm和200sccm，温度、RF功率和压力分别为300℃、25W和900mT。
实施例六
制作衬底为硅，钝化层为Al2O3，保护层为SiO2，源场板和各浮空场板为Ti/Pt/Au金属组合的槽栅型源场板高电子迁移率器件，其过程是：
1.与实施例三的过程1相同；
2.与实施例三的过程2相同；
3.与实施例三的过程3相同；
4.与实施例三的过程4相同；
5.与实施例三的过程5相同；
6.与实施例三的过程6相同；
7.在Al2O3钝化层8上制作掩膜，使用电子束蒸发技术在源极与漏极之间的钝化层上淀积厚度为0.5μm/0.8μm/6.7μm的Ti/Pt/Au金属组合，以制作源场板9及三个浮空场板10，该源场板的有效长度L0为7μm，三个浮空场板的长度L1均为7μm，源场板与第一个浮空场板之间的距离S1为2.3μm，源场板与第二个浮空场板之间的距离S2为14μm，源场板与第三个浮空场板之间的距离S3为30μm。淀积金属采用的工艺条件为：真空度小于1.8×10-3Pa，功率范围为200～1000W，蒸发速率小于。将源场板9与源极4电气连接。
8.使用等离子体增强化学气相淀积技术分别覆盖源场板9和各浮空场板10，以及钝化层8上的其它区域，以制作厚度为8.2μm的SiO2保护层11。淀积保护层采用的工艺条件为：气体为N2O及SiH4，气体流量分别为800sccm和150sccm，温度、RF功率和压力分别为250℃、25W和1000mT。
本发明的效果可通过图4和图5进一步说明。
图4给出了采用Al0.26Ga0.74N/GaN异质结结构时，采用传统源场板的高电子迁移率器件与本发明采用两个浮空场板的器件在Al0.26Ga0.74N势垒层中的电场仿真图，由该图可以看出，采用传统源场板的高电子迁移率器件在势垒层中的电场曲线只形成了2个近似相等的电场峰值，其在势垒层中的电场曲线所覆盖的面积很小，而本发明器件在势垒层中的电场曲线形成了4个近似相等的电场峰值，使得本发明器件在势垒层中的电场曲线所覆盖的面积大大增加，由于在势垒层中的电场曲线所覆盖的面积近似等于器件的击穿电压，说明本发明器件的击穿电压远远大于采用传统源场板的高电子迁移率器件的击穿电压。
图5给出了采用Al0.26Ga0.74N/GaN异质结结构时，采用传统源场板的高电子迁移率器件与本发明采用两个浮空场板的器件的击穿仿真图，由该图可以看出，采用传统源场板的高电子迁移率器件的击穿曲线中发生击穿，即漏极电流迅速增加时的漏源电压大约在610V，而本发明器件的击穿曲线中发生击穿时的漏源电压大约在1430V，证明本发明器件的击穿电压远远大于采用传统源场板的高电子迁移率器件的击穿电压，该图5的结论与图4的结论相一致。
对于本领域的专业人员来说，在了解了本发明内容和原理后，能够在不背离本发明的原理和范围的情况下，根据本发明的方法进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些基于本发明的修正和改变仍在本发明的权利要求保护范围之内。
Claims (5)
1.一种槽栅型源场板高电子迁移率器件，包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、槽栅(7)、钝化层(8)、源场板(9)和保护层(11)，该槽栅(7)位于势垒层的凹槽(6)中，该源场板(9)与源极(4)电气连接，其特征在于，钝化层(8)上淀积有n个浮空场板(10)，n≥1，源场板与其最邻近的浮空场板之间的距离为0.07～2.3μm，相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自源场板到漏极方向的个数依次递增，这些浮空场板与源场板位于同一层面上。
2.一种制作槽栅型源场板高电子迁移率器件的方法，包括如下步骤：
步骤1，选择蓝宝石或碳化硅或硅作为衬底(1)，在衬底(1)上外延III-V族化合物半导体材料的过渡层(2)作为器件的工作区；
步骤2，在过渡层(2)上淀积III-V族化合物半导体材料的势垒层(3)；
步骤3，在势垒层(3)上第一次制作掩膜，并在势垒层(3)的两端淀积金属，再在N2气氛中进行快速热退火，分别制作源极(4)和漏极(5)；
步骤4，在势垒层(3)上第二次制作掩膜，并在源极(4)和漏极(5)之间的势垒层(3)刻蚀出凹槽(6)；
步骤5，在势垒层(3)上第三次制作掩膜，并在凹槽(6)中淀积金属，制作槽栅(7)，该槽栅与凹槽(6)两端的间距分别为R1与R2，R1与R2的长度相等且均为0～3μm；
步骤6，在源极、漏极和槽栅的***区域淀积钝化层(8)；
步骤7，在钝化层(8)上制作掩膜，利用该掩膜在源极与漏极之间的钝化层上淀积金属，以制作厚度均为0.25～8μm的源场板(9)及n个浮空场板(10)，n≥1，源场板与其最邻近的浮空场板之间的距离为0.07～2.3μm，相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自源场板到漏极方向的个数依次递增，并将源场板(9)与源极(4)电气连接；
步骤8，淀积保护层(11)，即用绝缘介质材料分别覆盖源场板(9)和各浮空场板(10)，以及钝化层(8)上的其它区域。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于在源极与漏极之间的钝化层上淀积金属制作厚度均为0.25～8μm的源场板及各浮空场板，采用两层或三层金属层的组合，且下层金属厚度要小于上层金属厚度。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于三层金属组合采用Ti/Mo/Au或Ti/Ni/Au或Ti/Pt/Au，第一层金属厚度为0.01～0.5μm，第二层金属厚度为0.04～0.8μm，第三层金属厚度为0.2～6.7μm。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于两层金属组合采用Ti/Au或Ni/Au或Pt/Au，第一层金属厚度为0.03～0.6μm，第二层金属厚度为0.22～7.4μm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200810232513XA CN101419982B (zh) | 2008-12-01 | 2008-12-01 | 槽栅型源场板高电子迁移率器件及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200810232513XA CN101419982B (zh) | 2008-12-01 | 2008-12-01 | 槽栅型源场板高电子迁移率器件及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101419982A CN101419982A (zh) | 2009-04-29 |
| CN101419982B true CN101419982B (zh) | 2010-09-08 |
Family
ID=40630683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200810232513XA Active CN101419982B (zh) | 2008-12-01 | 2008-12-01 | 槽栅型源场板高电子迁移率器件及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101419982B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102208520B (zh) * | 2011-05-26 | 2013-02-13 | 东莞洲磊电子有限公司 | 一种led晶片正极焊垫及其制作工艺 |
| JP2015122361A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-07-02 | 株式会社東芝 | 電界効果トランジスタ |
| CN107170796B (zh) * | 2017-03-29 | 2020-05-05 | 西安电子科技大学 | 分段栅场板垂直型电流孔径功率器件及其制作方法 |
| CN113035943A (zh) * | 2019-12-25 | 2021-06-25 | 华润微电子（重庆）有限公司 | 具有场板结构的hemt器件及其制备方法 |
-
2008
- 2008-12-01 CN CN200810232513XA patent/CN101419982B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101419982A (zh) | 2009-04-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101414633B (zh) | 凹槽绝缘栅型复合栅场板高电子迁移率器件 | |
| CN101414629B (zh) | 源场板高电子迁移率晶体管 | |
| CN101414625B (zh) | 槽栅型栅-漏复合场板高电子迁移率晶体管 | |
| CN102651386B (zh) | 化合物半导体器件 | |
| CN106373884B (zh) | 复合栅介质GaN基绝缘栅高电子迁移率晶体管的制作方法 | |
| CN101794815A (zh) | 化合物半导体器件及其制造方法 | |
| CN101414623B (zh) | 槽栅型源-漏复合场板异质结场效应晶体管及其制作方法 | |
| JP2003209124A (ja) | 電界効果半導体素子の製造方法及び電界効果半導体素子 | |
| CN111900203B (zh) | 一种GaN基高空穴迁移率晶体管及其制备方法 | |
| CN101414634B (zh) | 凹槽绝缘栅型复合源场板的异质结场效应晶体管 | |
| CN101414627B (zh) | 绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管及其制作方法 | |
| CN101414624B (zh) | Г栅异质结场效应晶体管及其制作方法 | |
| CN101414622B (zh) | 基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管 | |
| CN101419982B (zh) | 槽栅型源场板高电子迁移率器件及其制作方法 | |
| CN110429127B (zh) | 一种氮化镓晶体管结构及其制备方法 | |
| KR101078143B1 (ko) | 복합 패시베이션 유전막을 갖는 이종접합 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| JP2004165387A (ja) | ＧａＮ系電界効果トランジスタ | |
| CN101414635B (zh) | 凹槽绝缘栅型栅-漏复合场板功率器件及其制作方法 | |
| CN101414626A (zh) | 绝缘栅型栅-漏复合场板功率器件 | |
| CN101414628B (zh) | 凹槽г栅高电子迁移率晶体管及其制作方法 | |
| CN113178480A (zh) | 具有栅漏复合阶梯场板结构的增强型hemt射频器件及其制备方法 | |
| CN101414636B (zh) | 凹槽绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管 | |
| CN101414637B (zh) | 凹槽绝缘交叠栅异质结场效应晶体管 | |
| CN111509042A (zh) | 一种MIS结构GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法 | |
| CN101419985B (zh) | 绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| DD01 | Delivery of document by public notice |
Addressee: Wang Pinhua Zhu Hongxing Document name: Notification to Go Through Formalities of Registration |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20161209 Address after: 650221 Yunnan city of Kunming province Dabanqiao Street office office building No. 7 room 7-114 Patentee after: Yunnan Hui Hui Electronic Technology Co., Ltd. Address before: Xi'an City, Shaanxi province Taibai Road 710071 No. 2 Patentee before: Xidian University |