CN101413066A - 一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法,将砷化镓置于真空容器中加热,加热温度控制在1200℃到1500℃之间。本发明能比传统石英分解***耐受更高温度;本发明砷化镓的分解率较传统石英***大大提高,在1200℃到1500℃的高温下,本发明砷化镓分解率接近100%;并且对砷进行了高效收集,既消除了对环境的污染又有利于对砷的后续利用。

Description

一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法
技术领域
本发明涉及一种真空分离方法,尤其涉及一种用于将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法。
背景技术
从六十年开始,随着砷化镓化合物半导体的出现,从砷化镓化合物半导体的合成、单晶的制备、晶片的生产以及到器件的制备过程,都留有砷化镓的尾料。因此人们开始了从砷化镓中回收镓的工艺研究,主要有两种回收工艺思路,简述如下:
砷化镓在石英***中的分离。因为砷化镓的合成是在石英***中,在真空条件下,1230℃左右,砷蒸汽与金属镓合成为砷化镓。因此,我国有关单位进行了将此过程倒过来的研究工作,即在石英***中,在真空条件下,将砷蒸汽抽走,达到一个砷镓分离的目的。该方法的不足之处在于,砷化镓的分解率较低,只有60%左右;且对砷没有进行收集,造成对环境的污染。
砷化镓氧化法分离。砷化镓被氧化后,砷会变成氧化砷,而金属镓因为在表面形成氧化膜后而不参加氧化反应,可以达到砷、镓分离的目的。国外有厂家使用这个工艺。该工艺的不足之处在于,由于砷化镓较稳定,氧化的难较大,另外氧化后产生的氧化砷是剧毒物质,在操作过程容易造成环境污染,也增加了操作人员的工作难度。
发明内容:
本发明的目的在于克服上述不足,提供一种用于将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法。
本发明的技术方案如下:一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法,将砷化镓置于真空容器中加热,加热温度控制在1200℃到1500℃之间。
所述加热温度进一步控制在1250℃到1450℃之间。
所述真空容器由不锈钢制成。
所述真空容器设有冷却装置。
所述冷却装置为水冷装置。
所述真空容器内设有三相交流电加热装置。
还包括砷收集步骤,真空容器设有置于在加热区上部的砷蒸汽导管和砷收集盲管,砷收集盲管设有冷却装置,砷蒸汽受冷而凝结在砷收集盲管壁上。
本发明与现有技术相比具有的有益效果是:本发明能比传统石英分解***耐受更高温度;本发明砷化镓的分解率较传统石英***大大提高,在1200℃到1500℃的高温下,本发明砷化镓分解率接近100%;并且对砷进行了高效收集,既消除了对环境的污染又有利于对砷的后续利用;由于在真空中分解,避免了氧化法分离产生剧毒的氧化砷物质,也避免在操作过程造成环境污染和对操作人员健康损害。
附图说明:
图1为本发明使用装置结构示意图。
具体实施方式:
下面结合附图和具体实施方式对本发明作详细描述。
实施例1:如图1所示,本发明使用的一种将砷化镓真空分解装置,包括设有冷却装置的真空炉体9,所述真空炉体9内部自下而上分为加热区3、缓冲区5、冷却区7,所述缓冲区5设有置于在加热区3上部的砷蒸汽导管4,用于提供砷蒸汽上升通道;所述冷却区7设有与所述砷蒸汽导管4相衔接的砷收集盲管6,砷蒸汽导管4中设有带孔的一块缓冲挡板8,用以减缓砷蒸汽蒸发时上升的速度并可以根据需要再增加缓冲挡板8的数量;所述加热区3由坩埚10、加热器1、保温层11构成,坩埚10为石墨制成,用于放置待分离的砷化镓2,加热器1为三相交流电加热器,部分分解后的金属镓在三相旋转磁场中产生搅动,可加速砷化镓分解,所述保温层11由高温陶瓷纤维构成,用以保持加热区3的高温。所述真空炉体9由不锈钢制成,真空炉体9的冷却装置为水冷装置或者风冷装置。所述冷却区7部位的真空炉体9内壁紧贴所述砷收集盲管6外壁,起到对砷收集盲管6的冷却作用。砷收集盲管6由不锈钢制成。
使用时,将砷化镓置于真空炉中加热,加热温度控制在1200℃。砷化镓经高温加热分解成为成为液态镓和砷蒸汽,由于使用三相交流电加热器,分解后产生的金属镓在三相旋转磁场中产生搅动,加速了砷化镓的分解与提高了砷化镓的分解程度。加热区上部的砷蒸汽导管和砷收集盲管,砷收集盲管设有冷却装置,砷蒸汽受冷而凝结在砷收集盲管壁上,完成砷的收集。
实施例2:其与实施例1不同之处在于,将砷化镓置于真空炉中加热,加热温度控制在1250℃。
实施例3:其与实施例1不同之处在于,将砷化镓置于真空炉中加热,加热温度控制在1300℃。
实施例4:其与实施例1不同之处在于,将砷化镓置于真空炉中加热,加热温度控制在1350℃。
实施例5:其与实施例1不同之处在于,将砷化镓置于真空炉中加热,加热温度控制在1400℃。
实施例6:其与实施例1不同之处在于,将砷化镓置于真空炉中加热,加热温度控制在1450℃。
实施例7:其与实施例1不同之处在于,将砷化镓置于真空炉中加热,加热温度控制在1500℃。
本发明能比传统石英分解***耐受更高温度;砷化镓的分解率较传统石英***大大提高,在1200℃到1500℃的高温下,砷化镓分解率接近100%;并且对砷进行了高效收集,既消除了对环境的污染又有利于对砷的后续利用;由于在真空中分解,避免了氧化法分离产生剧毒的氧化砷物质,也避免在操作过程造成环境污染和对操作人员健康损害。
除上述实施例外,本发明还可以有其他实施方式,凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案,均落在本发明要求的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法,其特征在于将砷化镓置于真空容器中加热,加热温度控制在1200℃到1500℃之间。
2.根据权利要求1所述的一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法,其特征在于所述加热温度进一步控制在1250℃到1450℃之间。
3.根据权利要求1所述的一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法,其特征在于所述真空容器由不锈钢制成。
4.根据权利要求1所述的一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法,其特征在于所述真空容器设有冷却装置。
5.根据权利要求4所述的一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法,其特征在于所述冷却装置为水冷装置。
6.根据权利要求1所述的一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法,其特征在于所述真空容器内设有三相交流电加热装置。
7.根据权利要求1所述的一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法,其特征在于还包括砷收集步骤,真空容器设有置于在加热区上部的砷蒸汽导管和砷收集盲管,砷收集盲管设有冷却装置,砷蒸汽受冷而凝结在砷收集盲管壁上。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN103184339A (zh) * 2011-12-29 2013-07-03 广东先导稀材股份有限公司 砷化镓的处理设备及处理方法
CN104532012A (zh) * 2014-12-17 2015-04-22 华东师范大学 从氮化镓芯片生产废料中回收镓、金的方法
CN106591599A (zh) * 2017-02-08 2017-04-26 磐石创新(北京)电子装备有限公司 一种砷化镓废料分离回收装置及方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103184339A (zh) * 2011-12-29 2013-07-03 广东先导稀材股份有限公司 砷化镓的处理设备及处理方法
CN104532012A (zh) * 2014-12-17 2015-04-22 华东师范大学 从氮化镓芯片生产废料中回收镓、金的方法
CN104532012B (zh) * 2014-12-17 2016-08-24 华东师范大学 从氮化镓芯片生产废料中回收镓、金的方法
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