CN101368260A - 用于在基底上沉积涂层的方法和设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及用于在基底上沉积涂层的方法。该方法包括以下步骤：通过电弧蒸镀进行沉积所述涂层；通过双磁控溅射进行沉积所述涂层；所述沉积步骤被顺序或同时进行。
Description
技术领域
本发明在第一方面涉及用于在基底上沉积涂层的方法。
根据第二方面，本发明涉及可操作用于在基底上沉积涂层的设备。
根据第三方面，本发明涉及用于在基底上沉积涂层的至少一个计算机程序产品。
背景技术
电弧蒸镀方法是在利用物理汽相沉积(PVD)在切削工具上沉积涂层时一种广泛使用的沉积方法。优点在于涂层的高粘附性，通常还具有高韧性和高耐磨性。粘附性在很大程度上取决于电弧等离子体中的强电离。然而，缺点在于涂层上的宏观金属颗粒，液滴，从而难以沉积绝缘层。液滴是靶材在电弧过程中的局部快速融化而产生的，且液滴的大小可以与涂层厚度处于相同的量级。切削工具的磨损通常发生在液滴处，这是因为材料比涂层更软，且液滴当在加工过程中暴露于加工材料时相当更容易被扯掉。液滴还导致表面粗糙，这增大了加工过程中，尤其是在加工覆层材料(例如，不锈钢)时的磨损。由于包括阳极在内的所有区域均涂有绝缘层，因此作为晶体Al2O3的绝缘层在PVD中且尤其是利用电弧蒸镀法非常难以沉积。利用标准的DC电弧蒸镀对绝缘层进行沉积会导致阳极电消失、充电效应以及对阳极和阴极造成意外的电弧放电。
磁控溅射并不像沉积方法一样被广泛用于切削工具，部分原因在于磁控溅射导致的涂层的粘附性较差，这是因为与例如电弧蒸镀法相比，等离子体的电离程度较低。标准的磁控溅射在沉积绝缘层时也具有缺陷，使(绝缘)阳极和阳极电弧电消失。
但是，可以沉积具有少量缺陷的光滑涂层，以及可以沉积大量不同的材料，且通过调节靶材的成分而可容易地对成分进行控制。
双磁控溅射(DMS)是一种溅射方法，其采用连接到两个磁控管的双极性脉冲电源，这两个磁控管在电源脉冲的过程中交替地用作阴极和阳极。也就是说，没有单独的阳极可变成被涂覆。因此，双磁控溅射既可用于沉积电绝缘的涂层(诸如，例如厚的晶体Al2O3(参见US-5698314)，也可用于沉积光滑的导电涂层(例如，(Ti，Al)N(参见WO-A1-2006/041366)。双磁控溅射具有一些优点，诸如光滑的涂层，许多不同种类的源材料，然而主要的缺点在于，诸如与其他溅射方法相比，相对于基底的粘附性较差。但是，利用DMS技术可以沉积厚的晶体涂层，而这是在利用具有消失阳极的沉积***(例如，利用标准的电弧蒸镀或标准的溅射技术)时所不可能实现的。此外，与标准的溅射相反，DMS技术通过只是调节加工参数就能对具有不止一种金属构成成分的涂层材料的成分提供简单控制(参见WO-A1-2006/041366)。因此，在加工过程中可以容易地改变成分，并且成分不仅通过调节靶材成分来调节，如与在标准磁控溅射中的情况一样。
电绝缘层通常具有高的耐热和耐氧化磨损以及耐氧化性，但与难熔的金属层(例如，TiN或者(Ti，Al)N)相比具有较低的耐磨性和刚性。
利用除DMS之外的任意其他方法都难以沉积厚的绝缘涂层，诸如高晶体化的Al2O3。
通过例如US-5306407，EP-A1-0668369和US-A-4877505已经知道了溅射与电弧蒸镀工艺的组合。US-5306407中公开的方法具体包括在涂层过程之前的金属离子蚀刻步骤。EP-A1-0668369中的优选方法是利用溅射工艺开始沉积过程，这与通常的做法相反，即，电弧蒸镀工艺由于比在溅射中的离子化程度更高而导致更高的粘附性。
WO-A1-02/070776公开了同时了利用几种电弧蒸镀和磁控溅射技术的方法。主要优点在于降低了毒害，也就是说，靶材的表面在反应溅射中越来越多地被产生的涂层覆盖，涂层为例如SiN(当在氮气环境中利用Si的电弧蒸镀来沉积SiN时)。
US-A1-2001/0008707涉及一种方法，用于通过将利用电弧蒸镀的第一层与随后的溅射层组合在一起，而在具有低耐热性的物品上沉积有色涂层。
US-5234561涉及用于随后的电弧蒸镀和磁控溅射的方法和***。这个应用用于在例如珠宝的装饰品上进行装饰，且主要目的在于利用具有类似颜色和良好粘附性的涂层(TiN)来代替金子。
US-5698314和US-5879823涉及与其他涂层一起的PVD沉积的Al2O3层，但并没有提及电弧蒸镀的层与DMS层的组合。
US-A1-2001/0008707，US-A1-2006/0102077和US-B1-6315877中描述了用于利用一个或两个门，以及快门来进行沉积工艺的设备。为了以高的沉积速度和/或许多不同的靶材和/或不同类型的源来实现成本有效的涂层设备，这一任务的困难之处在于在基底台周围实现尽可能多的源，以及实现一个或多个加热器和用于泵送***的大凸缘。例如，用于以较高温度进行沉积的强力加热***减少用于电弧或溅射源的空间。沉积速度不仅仅取决于源的数量，还取决于这些源在加工过程中的应用。较大数量的源还能够导致层的堆叠或具有不同组成的多层。US-B1-6315877中描述的设备与通常的涂层设备的不同之处在于，加热器被放置在接收的中心。这导致在设备壁处具有更多用于源的空间，但是这使得基底台的拆卸复杂。
上述沉积技术均不能单独以良好的粘附性、高的耐磨性和刚性、以及高的耐热性和耐氧化性使涂层***沉积，也不能仅通过调节涂层参数较大程度地改变涂层组分而使涂层***沉积，并且组合有良好粘附性的耐磨内层。
发明内容
通过根据权利要求1所述的用于在基底上沉积涂层的方法来解决上述问题。该方法包括以下步骤：
-通过电弧蒸镀进行沉积；
-通过双磁控溅射进行沉积；
所述沉积被顺序或同时进行。
这种方法的主要优点在于可使涂层***沉积，并具有良好的粘附性、高的耐磨性和刚性、高的耐热和耐氧化性，允许涂层组成较大改变，以及允许涂层***的光滑表面。
在上下文中，另一优点在于所述涂层包括至少一个通过电弧蒸镀沉积的层以及至少一个通过双磁控溅射沉积的层。
根据另一实施方式，一个优点在于所述涂层包括至少一个通过电弧蒸镀和双磁控溅射沉积的层。
此外，在上下文中，优点在于所述涂层包括通过电弧蒸镀沉积的最内层。
在上下文中，优点在于所述涂层包括通过双磁控溅射沉积的最外层。
此外，在上下文中，优点在于，所述方法还包括以下步骤：
-利用金属离子对所述基底进行等离子蚀刻。
在上下文中，还一优点在于，所述方法还包括：
-利用非金属离子对所述基底进行等离子蚀刻。
此外，在上下文中，优点在于，利用双磁控溅射沉积的至少一个所述层是电绝缘的。
在上下文中，还一优点在于，至少一个所述电绝缘层是氧化层。
根据另一实施方式，优点在于，至少一个所述电绝缘层是Al2O3层。
此外，在上下文中，优点在于，所述基底是切削工具基底。
在上下文中，还一优点在于，所述方法在真空下进行，而不会破坏所述真空。
还可利用根据权利要求13所述的操作用于在基底上沉积涂层的设备来解决上述问题。该设备包括用于接收所述基底的真空室。该设备包括中间部分，第一门部分和第二门部分。第一和第二门部分可在关闭位置和打开位置之间操作，当在关闭位置时，中间部分和第一与第二门部分提供真空室。该设备还包括多个(n个)设置在第一和第二门部分上的凸缘。n个凸缘每个均包括一个或几个磁控溅射源，和/或一个或几个电弧蒸镀源。此外，该设备还包括在每个源前方的可动快门。该设备还包括控制装置，可操作用于：控制至少一个电弧蒸镀源通过电弧蒸镀进行沉积，和控制至少两个磁控溅射源通过双磁控溅射进行沉积。该至少一个电弧蒸镀源和该至少两个磁控溅射源可用于顺序或同时运行。
这个设备的主要优点在于，可使涂层***沉积，并具有良好的粘附性、高的耐磨性和刚性、高的耐热和耐氧化性，允许涂层组成较大改变，以及允许涂层***的光滑表面。
在上下文中，还一优点在于，所述涂层包括至少一个通过所述至少一个电弧蒸镀源沉积的层，和至少一个通过所述至少两个磁控溅射源沉积的层。
根据另一实施方式，优点在于，所述涂层包括至少一个通过所述至少一个电弧蒸镀源和所述至少两个磁控溅射源沉积的层。
另外，在上下文中，优点在于，所述控制装置可操作用于控制所述至少一个电弧蒸镀源来沉积包括在所述涂层中的最内层。
在上下文中，还一优点在于，所述控制装置可操作用于控制所述至少两个磁控溅射源来沉积包括在所述涂层中的最外层。
此外，在上下文中，优点在于，所述设备还包括具有布置在所述中间部分顶侧上的泵凸缘的泵送***，所述泵送***可操作用于在所述真空室中提供真空。
在上下文中，还一优点在于，所述设备还包括布置在所述中间部分的第一外侧中的第一加热器装置，和布置在所述中间部分的第二外侧中的第二加热器装置，其中所述第一和第二加热器装置可操作用于在所述真空室中实现高达800°的加工温度。
此外，在上下文中，优点在于，所述第一和第二加热器装置包括由电阻加热合金制成的杆。
在上下文中，还一优点在于，当所述第一和第二门部分处于所述关闭位置时，所述真空室具有八边形的截面，且其中n等于6。
此外，在上下文中，优点在于，所述设备还包括用于利用金属离子对所述基底进行等离子蚀刻的装置。
根据另一实施方式，优点在于，所述设备还包括可利用非金属离子对所述基底进行等离子蚀刻的装置。
在上下文中，还一优点在于，通过所述至少两个磁控溅射源沉积的至少一个所述层是电绝缘的。
此外，在上下文中，优点在于，至少一个所述电绝缘层是氧化层。
根据另一实施方式，优点在于，至少一个所述电绝缘层是Al2O3层。
在上下文中，还一优点在于，所述基底是切削工具基底。
此外，在上下文中，优点在于，所述至少两个磁控溅射源和所述至少一个电弧蒸镀源可在真空中操作，而不会破坏所述真空，即，不会使所述真空室中的压力增大超过1mbar。
上述问题还可通过根据权利要求29所述的至少一个计算机程序产品来解决。所述至少一个计算机产品可直接装载到至少一个数字计算机的内部存储器中，且包括软件代码部分，用于在至少一个产品在至少一个计算机内运行时执行根据本发明的方法的步骤。
这个计算机程序产品的主要优点在于，可使涂层***沉积，并具有良好的粘附性、高的耐磨性和刚性、高的耐热和耐氧化性，允许涂层组成较大改变，以及允许涂层***的光滑表面。
应注意，在本说明书中使用的术语“包括/包括有”旨在表示给定的特性、步骤或组分的存在，而并不排除一个或多个其他的特性、特征、整数、步骤、其组分或组群的存在。
附图说明
下面将参照附图描述本发明的实施方式，在图中：
图1是根据本发明的用于在基底上沉积涂层的方法的第一实施方式的流程图；
图2是根据本发明的用于在基底上沉积涂层的方法的第二实施方式的流程图；
图3是根据本发明的操作用于在基底上沉积涂层的设备的示意性立体图；
图4是图3所示的设备的示意性立体图；
图5示意地示出了根据本发明的多个计算机程序产品。
具体实施方式
图1中公开了根据本发明的用于在基底上沉积涂层的方法的第一实施方式的流程图。该方法开始于方框50。该方法在方框52继续进行步骤：利用电弧蒸镀进行沉积。之后，该方法在方框54继续进行步骤：利用双磁控溅射进行沉积。该方法在方框56结束。
图2中公开了根据本发明的用于在基底上沉积涂层的方法的第二实施方式的流程图。该方法开始于方框60。之后，该方法在方框62继续执行步骤：通过电弧蒸镀进行沉积，并同时通过双磁控溅射进行沉积。该方法在方框64结束。
从图1和图2中可知，这里公开的两个实施方式的不同之处在于，方法的第一实施方式中的步骤是顺序执行的，而相同的步骤在方法的第二实施方式中是同时执行的。
根据本发明的方法的另一实施方式，涂层包括至少一个通过电弧蒸镀沉积的层和至少一个通过双磁控溅射沉积的层。
在该方法的另一可选方式中，涂层包括至少一个通过电弧蒸镀和双磁控溅射沉积的层。
此外，涂层还包括通过电弧蒸镀沉积的最内层。由此，产生的最内层具有良好的粘附性。
在本发明的另一实施方式中，涂层还可包括通过双磁控溅射沉积的最外层。由此，实现光滑的外层。
此外，该方法还可以包括：利用金属离子或可选地利用非金属离子对基底进行等离子蚀刻。
根据另一可选方式，该方法还包括：利用非金属离子对基底进行等离子蚀刻。
在该方法的另一实施方式中，利用双磁控溅射沉积的至少一个所述层是电绝缘的。
此外，在该方法的一个实施方式中，至少一个所述电绝缘层是氧化层。
在该方法的另一实施方式，至少一个所述电绝缘层是Al2O3层。
此外，所述基底可以是切削工具基底。
优选的是，根据本发明的方法在真空下进行，而不会破坏所述真空。
在图3和图4中还示出了根据本发明的操作用于在基底上沉积涂层的设备10的立体图。
设备10包括用于接收所述基底的真空室12。该设备10具有三个不同的主要部分，即中间部分14，第一门部分16和第二门部分18。第一和第二门部分16，18通过铰链15在一端与中间部分14连接，如图3和图4所示。这表示，第一和第二门部分16，18可打开以在沉积加工之前将基底放置在基底台上，或者在沉积加工结束后取出已处理过的基底。应指出，图3和图4中仅示出了门部分16，18处于关闭位置，由此可以在真空室12中获得真空。
从图3和图4中可知，在这个具体的情况下，设备10包括设置在第一和第二门部分16，18上的6个凸缘201-206。每个凸缘201-206均包括一个或几个磁控溅射源(未示出)和/或一个或几个电弧蒸镀源(未示出)。设备10还包括控制装置(未示出)，其可操作用于控制至少一个电弧蒸镀源以通过电弧蒸镀进行沉积，和控制至少两个磁控溅射源以通过双磁控溅射进行沉积。通过这个设备10，所述至少一个电弧蒸镀源和所述至少两个磁控溅射源可顺序或同时运行。设备10还包括设置在每个源的前方的可动快门(未示出)。从图3和图4中可知，示出了6个用于可动快门的顶部凸缘301-306。所述可动快门可在打开位置和关闭位置之间操作，当在关闭位置时，可避免表面意外暴露于辐射通量。快门在正常情况下处于关闭位置，而且仅当使用其中的一些源时才处于打开位置。应指出，各个快门都是单独控制。
为了在真空室12中提供真空，设备10包括具有设置在中间部分14的顶侧上的泵凸缘321，322，323的泵送***(未示出)(参见图3和图4)。
设备10还包括布置在中间部分14的第一外侧中的第一加热器装置(未示出)。在图3和图4中，示出了用于第一加热器装置的两个凸缘。设备10还包括布置在中间部分14的第二外侧中的第二加热器装置(未示出)。第一和第二加热器装置可操作用于在真空室12中实现高达800°的加工温度。第一和第二加热器装置可以为由电阻加热合金制成的杆的形式。
从图3和图4中可知，在公开的实施方式中，当第一和第二门部分16，18处于所述关闭位置时，设备10以及真空室12因此具有八边形的截面。在这个公开的实施方式中，设备10如上所述的具有6个凸缘201-206。
在最普遍的情况下，设备10包括多个数量为n个、布置在第一和第二门部分16，18上的凸缘201-20n。这表示，设备10且因此真空室12具有n+2个侧边的截面。
根据设备10的一个实施方式，涂层包括至少一个通过所述至少一个电弧蒸镀源沉积的层以及至少一个通过所述至少两个磁控溅射源沉积的层。
根据设备10的另一实施方式，涂层包括至少一个通过所述至少一个电弧蒸镀源和所述至少两个磁控溅射源沉积的层。
此外，控制装置可操作用于控制至少一个所述电弧蒸镀源来沉积包括在涂层中的最内层。
根据设备10的还一实施方式，控制装置可操作用于控制所述至少两个磁控溅射源来沉积包括在涂层中的最外层。
此外，设备10可包括用于利用金属离子对所述基底进行等离子蚀刻的装置(未示出)。
根据设备10的另一实施方式，设备还包括可利用非金属离子对所述基底进行等离子蚀刻的装置(未示出)。
此外，根据另一可选形式，通过所述至少两个磁控溅射源沉积的至少一个所述层是电绝缘的。
根据设备10的另一实施方式，至少一个所述电绝缘层是氧化层。
此外，根据另一可选形式，至少一个所述电绝缘层是Al2O3层。
优选的是，所述基底是切削工具基底。
根据设备10的还一实施方式，所述至少两个磁控溅射源和所述至少一个电弧蒸镀源可在真空中操作，而不会破坏所述真空。
设备10的设计允许高的加工温度、低的基础压力、高的生产率和/或高达6种不同的靶材，并且能够生产具有具有均匀层厚的、由全部6种靶材构成的层，以及可容易地从电弧源改变为磁控溅射源。
电弧蒸镀源和磁控溅射源可顺序或同时运行。同时运行的沉积导致了多层的或共同沉积的层。
根据基底台的设计，多层涂层是周期性的或非周期性的。
在图5中，示意地示出了根据本发明的一些计算机程序产品1021，…102n。在图5中，示出了n个不同的数字计算机1001，…，100n，其中n是整数。在图5中，示出了n个不同的计算机程序产品1021，…，102n，这里示出的为不同形式的CD盘。不同的计算机程序产品1021，…，102n被直接装载到n个不同计算机1001，…，100n的内部存储器中。每个计算机产品1021，…，102n均包括软件代码部分，用于当在计算机1001，…，100n上运行产品1021，…，102n时执行根据图1或图2的所有的步骤。计算机程序产品1021，…，102n可例如为磁盘，RAM盘，磁带，磁性光盘或一些其他合适产品的形式。
本发明并不限于上述实施方式。本领域技术人员应明白：在所附权利要求的范围内可进行许多不同的改进。
Claims (29)
1.用于在基底上沉积涂层的方法，该方法包括以下步骤：
-通过电弧蒸镀进行沉积所述涂层；
-通过双磁控溅射进行沉积所述涂层；
所述沉积步骤被顺序或同时进行。
2.根据权利要求1所述的用于在基底上沉积涂层的方法，其特征在于，所述涂层包括至少一个通过电弧蒸镀沉积的层以及至少一个通过双磁控溅射沉积的层。
3.根据权利要求1或2所述的用于在基底上沉积涂层的方法，其特征在于，所述涂层包括至少一个通过电弧蒸镀和双磁控溅射沉积的层。
4.根据权利要求2或3所述的用于在基底上沉积涂层的方法，其特征在于，所述涂层包括通过电弧蒸镀沉积的最内层。
5.根据权利要求2-4中任一项所述的用于在基底上沉积涂层的方法，其特征在于，所述涂层包括通过双磁控溅射沉积的最外层。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的用于在基底上沉积涂层的方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：
-利用金属离子对所述基底进行等离子蚀刻。
7.根据权利要求1-5中任一项所述的用于在基底上沉积涂层的方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：
-利用非金属离子对所述基底进行等离子蚀刻。
8.根据权利要求2-7中任一项所述的用于在基底上沉积涂层的方法，其特征在于，利用双磁控溅射沉积的所述层中的至少一个是电绝缘的。
9.根据权利要求8所述的用于在基底上沉积涂层的方法，其特征在于，所述电绝缘层中的至少一个是氧化层。
10.根据权利要求8或9所述的用于在基底上沉积涂层的方法，其特征在于，所述电绝缘层中的至少一个是Al2O3层。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的用于在基底上沉积涂层的方法，其特征在于，所述基底是切削工具基底。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的用于在基底上沉积涂层的方法，其特征在于，所述方法在真空下进行，而不会破坏所述真空。
13.操作用于在基底上沉积涂层的设备(10)，其中所述设备(10)包括用于接收所述基底的真空室(12)，所述设备包括中间部分(14)，第一门部分(16)和第二门部分(18)，其中所述第一门部分和第二门部分(16，18)可在关闭位置和打开位置之间操作，当在关闭位置时，所述中间部分(14)和第一门部分与第二门部分(16，18)提供所述真空室(12)，所述设备(10)还包括多个数量为n的、设置在所述第一门部分和第二门部分(16，18)上的凸缘(201，…，20n)，所述n个凸缘(201，…，20n)每个均包括一个或几个磁控溅射源，和/或一个或几个电弧蒸镀源，所述设备(10)还包括在每个源前方的可动快门，其中所述设备(10)还包括控制装置，其操作用于控制至少一个电弧蒸镀源以通过电弧蒸镀进行沉积，和控制至少两个磁控溅射源以通过双磁控溅射进行沉积，其中所述至少一个电弧蒸镀源和所述至少两个磁控溅射源能够顺序或同时运行。
14.根据权利要求13所述的操作用于在基底上沉积涂层的设备(10)，其特征在于，所述涂层包括至少一个通过所述至少一个电弧蒸镀源沉积的层，和至少一个通过所述至少两个磁控溅射源沉积的层。
15.根据权利要求13或14所述的操作用于在基底上沉积涂层的设备(10)，其特征在于，所述涂层包括至少一个通过所述至少一个电弧蒸镀源和所述至少两个磁控溅射源沉积的层。
16.根据权利要求14或15所述的操作用于在基底上沉积涂层的设备(10)，其特征在于，所述控制装置能够操作用于控制所述至少一个电弧蒸镀源来沉积包括在所述涂层中的最内层。
17.根据权利要求14-16中任一项所述的操作用于在基底上沉积涂层的设备(10)，其特征在于，所述控制装置能够操作用于控制所述至少两个磁控溅射源来沉积包括在所述涂层中的最外层。
18.根据权利要求13-17中任一项所述的操作用于在基底上沉积涂层的设备(10)，其特征在于，所述设备(10)还包括具有布置在所述中间部分(14)顶侧上的泵凸缘的泵送***，所述泵送***操作用于在所述真空室(12)中提供真空。
19.根据权利要求13-18中任一项所述的操作用于在基底上沉积涂层的设备(10)，其特征在于，所述设备(10)还包括布置在所述中间部分(14)的第一外侧中的第一加热器装置，和布置在所述中间部分(14)的第二外侧中的第二加热器装置，其中所述第一加热器装置和第二加热器装置操作用于在所述真空室(12)中实现高达800°的处理温度。
20.根据权利要求19所述的操作用于在基底上沉积涂层的设备(10)，其特征在于，所述第一加热器装置和第二加热器装置包括由电阻加热合金制成的杆。
21.根据权利要求13-20中任一项所述的操作用于在基底上沉积涂层的设备(10)，其特征在于，当所述第一门部分和第二门部分(16，18)处于所述关闭位置时，所述真空室(12)具有八边形的截面，且其中n等于6。
22.根据权利要求13-21中任一项所述的操作用于在基底上沉积涂层的设备(10)，其特征在于，所述设备(10)还包括操作用于利用金属离子对所述基底进行等离子蚀刻的装置。
23.根据权利要求13-21中任一项所述的操作用于在基底上沉积涂层的设备(10)，其特征在于，所述设备(10)还包括操作利用非金属离子对所述基底进行等离子蚀刻的装置。
24.根据权利要求14-23中任一项所述的操作用于在基底上沉积涂层的设备(10)，其特征在于，通过所述至少两个磁控溅射源而沉积的所述层中的至少一个是电绝缘的。
25.根据权利要求24所述的操作用于在基底上沉积涂层的设备(10)，其特征在于，所述电绝缘层中的至少一个是氧化层。
26.根据权利要求24或25所述的操作用于在基底上沉积涂层的设备(10)，其特征在于，所述电绝缘层中的至少一个是Al2O3层。
27.根据权利要求13-26中任一项所述的操作用于在基底上沉积涂层的设备(10)，其特征在于，所述基底是切削工具基底。
28.根据权利要求13-27中任一项所述的操作用于在基底上沉积涂层的设备(10)，其特征在于，所述至少两个磁控溅射源和所述至少一个电弧蒸镀源能够在真空中操作，而不会破坏所述真空。
29.至少一个计算机程序产品(1021，…102n)，其可被直接装载到至少一个数字计算机(1001，…100n)的内部存储器中，该计算机程序产品包括软件代码部分，用于在所述至少一个产品(1021，…102n)在所述至少一个计算机(1001，…100n)内运行时执行根据权利要求1的方法的步骤。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20090218 |