CN101348715B - 荧光体和发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种荧光体，其采用在360nm～460nm的范围具有发光峰的光激励而发光。所述的荧光体，其特征在于，含有含Y、Si、O和N的结晶相和含Tb和Ce的激活剂。

Description

荧光体和发光装置
技术领域
本发明涉及荧光体和发光装置。
背景技术
发光二极管(Light-emitting diode：LED)发光装置由作为激励光源的LED芯片与荧光体的组合构成，根据其组合可以实现各种颜色的发光色。放出白光的白色LED发光装置中使用了放出波长为360～500nm的光的LED芯片与荧光体的组合。例如，可举出放出紫外或近紫外区的光的LED芯片与荧光体组合物的组合。荧光体混合物中含有蓝色系荧光体、绿色或黄色系荧光体、以及红色系荧光体。对于在白色LED发光装置中使用的荧光体，要求很好地吸收作为激励光源的LED芯片的发光波长为360～500nm的近紫外线区至蓝色波段的光，并且高效率地发出可见光。然而，这些白色LED与具有半值宽为80nm以上的宽带域发光光谱的荧光体组合使用。因此，在显色性和发光效率上存在极限。
曾有文献记载了Ce激活(活化)的钇硅氧氮化物荧光体(例如，参照专利文献1的段落0006)。所述荧光体具有例如由Y2Si3O3N4:Ce所示的组成。
另外，曾有人提出一种荧光体，其虽然不是钇硅氧氮化物，但是是对La3Si8O4N11或La3Si8-xAlxO4+xN11-x进行了Tb激活的荧光体(例如参照专利文献2)。所述荧光体，从未图示出的激励光谱来看，Tb3+的实用的激励带被限制至约300nm附近的紫外区。因此可以认为，作为光源即使使用近紫外至蓝色波段的发光元件，也基本得不到发光。
此外，紫外发光LED作为照明用途波长过短，因此分散荧光体的树脂的老化较大。而且，365nm紫外发光LED，由在370～440nm范围发光的LED芯片来看，存在制造成本高、由电向光的转换效率低的问题。
专利文献1日本特开2003-96446号公报
专利文献2日本特开2005-112922号公报
发明内容
本发明的目的是提供由在360nm～460nm具有发光峰的光激励而发光的荧光体以及使用了所述荧光体的发光装置。
本发明的一个方式所涉及的钇硅氧氮化物荧光体，其特征在于，含有结晶相和激活剂，所述结晶相含有Y、Si、O和N，所述激活剂含有Tb和Ce。
本发明的另一个方式所涉及的钇硅氧氮化物荧光体，其特征在于，含有结晶相和激活剂，所述结晶相含有Y、Si、O、N和M(M为选自La、Gd和Lu的至少一种)，所述激活剂含有Tb和Ce。
本发明的一个方式所涉及的发光装置，其特征在于，具备发出在360nm～460nm的波段具有发光峰的光的发光元件、设置于上述发光元件上并含有荧光体的发光层，上述荧光体的至少一部分为本发明所述的荧光体。
发明效果
根据本发明，可提供由在360nm～460nm具有发光峰的光激励而发光的荧光体以及使用了所述荧光体的发光装置。
附图说明
图1为以往的荧光体和本发明的一个实施方式所涉及的荧光体的发光光谱。
图2为本发明的另一实施方式所涉及的荧光体的发光光谱。
图3为本发明的另一实施方式所涉及的荧光体的发光光谱。
图4为本发明的另一实施方式所涉及的荧光体的发光光谱。
图5为本发明的另一实施方式所涉及的荧光体的发光光谱。
图6为本发明的另一实施方式所涉及的荧光体的发光光谱。
图7为本发明的另一实施方式所涉及的荧光体的发光光谱。
图8为本发明的另一实施方式所涉及的荧光体的激励光谱。
图9为本发明的另一实施方式所涉及的荧光体的激励光谱。
图10为本发明的另一实施方式所涉及的荧光体的X射线衍射图。
图11为本发明的另一实施方式所涉及的荧光体的X射线衍射图。
图12为本发明的另一实施方式所涉及的荧光体的由365nm激励得到的显微照片。
图13为本发明的另一实施方式所涉及的荧光体的由365nm激励得到的显微照片。
图14为本发明的一个实施方式所涉及的发光装置的剖面图。
图15为本发明的另一实施方式所涉及的发光装置的剖面图。
图16为发光元件的放大图。
图17为本发明的另一实施方式所涉及的发光装置的剖面图。
图18为本发明的一个实施方式所涉及的白色LED发光装置的发光光谱。
图19为使用了以往例的荧光体的白色LED发光装置的发光光谱。
符号说明
200…树脂管座；201…引线(lead)；202…引线；203…树脂部
204…反射面；205…凹部；206…发光芯片
207…接合线；208…接合线；209…荧光层
210…荧光体；211…树脂层；100…树脂管座；101…引线
102…引线；103…树脂部；104…反射面；105…开口部
106E…稳压二极管；106F…半导体发光元件；107…粘合剂
109…接合线；110…荧光体；111…封装体
122…缓冲层；123…n型接触层；124…活性层
125…p型覆盖层；126…p型接触层；127…n侧电极
128…p侧电极；132…n型覆盖层；138…透光性基板
142…凸块；144…凸块；150…n型硅基板
152…p型区；154...p侧电极；156…n侧电极；158…n侧电极
160…配线层；162…高反射膜；50、50’…引线
51…半导体发光元件；52...固定材；53…接合线
54…预浸渍材；55...浇铸材。
具体实施方式
以下说明本发明的实施方式。以下所示的实施方式是例举用于将本发明的技术思想具体化的荧光体和发光装置的实施方式，本发明并不限于以下实施方式。
另外，本说明书并不将权利要求书所示的构件特定为实施方式。特别是在实施方式中记载的构成部件的尺寸、材质、形状、其相对配置等并不限定本发明的范围，只不过是简单的说明例而已。再者，各附图表示的构件的大小和位置关系等有时为了明确说明而夸张一些。此外，关于相同的名称、符号，表示同一或同质构件，省略详细的说明。构成本发明的各要素，可以为由同一构件构成多个要素、由同一构件兼用作多个要素的方式，相反地，也可以由多个构件分担实现同一构件的功能。
本发明者们反复进行研讨和研究的结果，发现了采用在360nm～460nm的范围具有发光峰的光激励而进行发光的钇硅氧氮化物荧光体。在本说明书中，所谓钇硅氧氮化物荧光体，是指具有含有Y、Si、O和N的结晶相的荧光体。由于含有特定的激活剂，因此本发明的实施方式所涉及的荧光体采用在360nm～460nm的范围具有发光峰的光激励而进行发光。
钇硅氧氮化物通常可以由下述通式(B)表示。
YaSibOcNd    (B)
如果a、b、c和d在以下所示的范围内，就可以看作实质上为化学计量组成比，因此发光效率不会遭受较大损害。再者，准确的化学计量组成比为：a＝2、b＝3、c＝3、d＝4。
1.9≤a≤2.1  (3)；2.8≤b≤3.1  (4)
2.7≤c≤3.1  (5)；3.8≤d≤4.2  (6)
本发明的一个实施方式所涉及的荧光体，将钇硅氧氮化物作为结晶相而含有，将铽和铈作为激活剂而含有。由于与铽一同地含有铈，因此本发明的一个实施方式所涉及的钇硅氧氮化物荧光体，采用在360nm～460nm的范围具有发光峰的光激励时，在特定的波段显示Tb3+的窄带域发光光谱。这是由本发明者们首次发现的知识见解。
比360nm短的波长的紫外发光LED，制造成本高，从电向光的转换效率低。而且，分散荧光体的树脂的老化较大，因此在实用方面，激励波长的下限规定为360nm。另一方面，以超过460nm的波长激励时，得不到Tb3+的窄带域发光光谱，因此激励波长的上限规定为460nm。
窄带域发光光谱是起因于Tb3+的5D4→7FJ跃迁(J＝6、5、4、3)的发光谱带。由于该发光谱带是从外部遮蔽的4f-4f跃迁所引起的发光，因此构成元素和晶体结构等周边环境的影响小，大致取得离子固有的值。因此窄带域发光光谱的峰在480nm～495nm、540nm～550nm、570nm～590nm、和610nm～630nm的波段显现。本发明的一个实施方式所涉及的荧光体，通过采用在近紫外区～蓝色波段具有峰波长的光，即在360nm～460nm的波段具有发光峰的光进行激励，在上述的波段的至少一个中显示Tb3+的窄带域发光光谱的峰。另外，虽然与铽的发光比较的话较小，但是仍可确认在470nm～500nm附近具有峰强度的Ce3+的宽带域发光。
再者，所谓窄带域发光光谱，是指所测定的发光谱带的半值宽为50nm以内的窄带域发光的光谱。发光光谱可以通过采用在360nm～460nm的波段具有发光峰的光激励荧光体，将所得到的发光利用分光光度计测定来求得。作为激励源，例如可以使用360nm的近紫外区LED和460nm的蓝色波段LED等，作为分光光度计，例如可举出例如日本大琢电子(株)的IMUC-7000G等。
本发明的一个实施方式所涉及的钇硅氧氮化荧光体可以由下述通式(A1)表示。
(Y1-x1-y1Tbx1Cey1)aSibOcNd    (A1)
在上述通式(Al)中，x1和y1均大于0。在不含有Tb的情况(x1＝0)下，采用在360～460nm具有发光峰的光激励的结果，所得到的只是Ce3+的宽带域发光。不能够得到起因于Tb3+的窄带域发光。另一方面，在不含有Ce的情况(y1＝0)下，采用在360～460nm具有发光峰的光激励时，起因于Tb3+的540nm～550nm、570nm～590nm、610nm～630nm的窄带域发光变得非常小。采用在360～460nm具有发光峰的光激励时，为了得到起因于Tb3+的窄带域发光，Tb和Ce均作为必需的激活剂含于本发明的一个实施方式所涉及的荧光体中。
在Tb的含有量x1过大的情况下，发生浓度消光现象，(Y1-x1-y1Tbx1Cey1)aSibOcNd荧光体的发光强度有可能降低。如果x1为0.6以下，就可以避免这样的不良情况。x1更优选为0.05≤x1≤0.4的范围内。
在Ce的含有量y1过大的情况下也发生浓度消光，(Y1-x1-y1Tbx1Cey1)aSibOcNd荧光体的发光强度有可能变弱。如果y1为0.2以下，就可以避免这样的不良情况。另外，Ce3+的离子半径与Y3+、Tb3+相比较大，因此本来就存在难以对Y2Si3O3N4母体进行激活的倾向。y1更优选为0.005≤y1≤0.1的范围内。
此外，为了高效地得到铽的窄带域发光，相比于Ce激活量，Tb激活量多一些为好。例如，如果x1/y1的值为1～100左右的范围，则其效果更加得到发挥。xl/y1的值更优选为2～80的范围内。
对于具有由上述通式(Al)表示的组成的荧光体而言，在由选自镧、钆和镥的3价的阳离子置换了Y位的情况下，铽的窄带域发光增大。所述的荧光体可以由下述通式(A2)表示。
(Y1-w2-x2-y2Mw2Tbx2Cey2)aSibOcNd    (A2)
M选自La、Gd和Lu，w2、x2和y2均大于0。Y和M(M为La、Gd、Lu的任一种以上的元素)以完全固溶的状态存在。从铽的窄带域发光显著地增大来看，作为M优选镧。
如果M的含有量w2为0.01以上，就可以充分得到提高发光强度的效果。由于镧等作为M而含有的元素的离子半径与钇的离子半径差异较大，因此M的含有量受到限制，w2的上限限于0.3左右。w2优选在0.04≤w2≤0.3的范围内，进而更优选在0.04≤w2≤0.2的范围内。
上述通式(A2)中的x2相当于上述通式(Al)中的x1。由于与x1的情况同样的理由，x2的范围优选为0＜x2≤0.6，更优选为0.05≤x2≤0.4。y2也相当于上述通式(Al)中的y1。由于与y1的情况同样的理由，y2的范围优选为0＜y2≤0.2，更优选为0.005＜y2≤0.1。关于x2/y2也由于与xl/y1的值同样的理由，如果为1～100左右的范围，则其效果更加得到发挥，x2/y2的值更优选为2～80的范围内。
本发明的实施方式所涉及的荧光体中的各元素的含有量，可采用例如如下的手法进行分析。在分析Y、M、Tb、Ce和Si等金属元素时，将合成了的荧光体进行碱熔融。所得到的熔融物使用例如エスアイアイ·ナノテクノロジ一(株)SPS1200AR等，通过内部标准的ICP发射光谱法进行分析。另外，为了分析非金属元素O，将所合成的荧光体在惰性气体中熔融。将熔融物使用例如LECO公司制的TC-600等通过红外吸收法进行分析。关于非金属元素N，将所合成的荧光体在惰性气体中熔融。将其使用例如LECO公司制的TC-600等通过热导率法进行分析。这样一来就可以求得荧光体的组成。
将如上所述的本发明的实施方式所涉及的荧光体与在360nm～460nm的波段具有发光峰的发光元件组合，就可以得到本发明的实施方式所涉及的LED发光装置。由于发光层中含有含特定的激活剂的钇硅氧氮化物荧光体，因此本发明的实施方式所涉及的LED发光装置，与使用了以往的荧光体的LED发光装置相比，可以提高效率和显色性。
本发明的实施方式所涉及的荧光体可以采用例如以下的方法来制造。作为起始原料，可以使用构成元素的氧化物或氮化物粉末。称量所规定量的起始原料，加入结晶生长剂，用球磨机等进行混合。例如，作为Y原料，可举出Y2O3和YN等，作为Si原料，可举出SiO2和Si3N4等。另外，作为Tb原料，可以使用Tb4O7和TbN等，作为Ce原料可以使用CeO2和CeN等。此外，作为La原料可举出La2O3和LaN等，作为Gd原料可举出Gd2O3、GdN等，作为Lu原料可举出Lu2O3和LuN等。氧化物等起始原料相应于作为目标的化合物的组成比进行调合。原料粉末可以采用例如不使用溶剂的干式混合法进行混合。或者也可以采用乙醇等有机溶剂的湿式混合法。
在以往的氮化物荧光体和氧氮化物荧光体的合成中必需氮化物原料。例如，在为CaAlSiN3:Eu荧光体的情况下，Ca2N3、AlN以及EuN被用作为合成原料。这样的原料粉末为厌气性，因此对于合成时的称量和混合而言，要求手套箱等的隔断大气(水蒸气)的环境。与此相对，本发明的实施方式所涉及的荧光体，可以采用Y2O3、La2O3、Si3N4、Tb4O7以及CeO2这些原料来合成，这些原料在大气(水蒸气)中的稳定性高到不屑与Ca2N3比较的程度。可以使用这样的原料进行称量和混合。因此，本发明的实施方式所涉及的荧光体能够采用极为简便而低成本的合成装置来制造，可以显著削减制造成本。
作为结晶生长剂，可举出氯化铵等铵的氯化物、氟化物、溴化物或碘化物等、碱金属的氯化物、氟化物、溴化物或碘化物等。还可以使用碱土类金属的氯化物、氟化物、溴化物或碘化物等。为了防止吸湿性的增加，结晶生长剂的添加量优选为原料粉末整体的0.01重量％～0.3重量％左右。
将混合这样的原料粉末而成的混合原料收纳于坩埚等容器中，进行热处理得到烧成品。热处理可在N2或N2/H2气氛中进行。通过在所述的气氛中进行热处理，可以在防止原料的吸湿性和合成荧光体母体的同时，促进作为原料使用的氧化物中的铽和铈的还原。热处理的条件优选为1600℃～1900℃、1～5小时。在温度过低的情况下或时间过短的情况下，使原料粉末充分反应会变得困难。而在温度过高的情况下或时间过长的情况下，原料粉末或生成物有可能升华。
烧成压力优选为大气压以上，为了抑制氮化硅的分解，更优选为5个大气压以上。也可以将所得到的烧成品粉碎，再次收纳于容器中，在N2或N2/H2气氛中进行二次烧成。二次烧成时的粉碎没有特别规定，只要将一次烧成品的块用乳钵等研碎，使表面积增大即可。
使用上述的方法制作了Tb浓度x1＝0.1且Ce浓度yl＝0的(Y0.81La0.09Tb0.1)2Si3O3N4荧光体。由于在含有Tb和Ce的激活剂中不含有Ce，因此该荧光体是以往的荧光体。还制作了Tb浓度x2＝0且Ce浓度y2＝0.1的(Y0.81La0.09Ce0.1)2Si3O3N4荧光体。由于在含有Tb和Ce的激活剂中不含有Tb，因此该荧光体是以往的荧光体。此外，制作了Tb浓度x1＝0.05且Ce浓度yl＝0.025的(Y0.925Tb0.05Ce0.025)2Si3O3N4荧光体。该荧光体由于含有含Tb和Ce的激活剂，因此是本发明的实施方式所述的荧光体。
将得到的荧光体采用峰波长为389nm的近紫外LED激励，测定了发光光谱。其结果示于图1。如图所示，由(Y0.81La0.09Tb0.1)2Si3O3N4荧光体和(Y0.925Tb0.05Ce0.025)2Si3O3N4荧光体可以得到峰波长为545nm的起因于Tb3+的窄带域的发光光谱。然而，(Y0.81La0.09Tb0.1)2Si3O3N4荧光体的峰强度只不过为(Y0.925Tb0.05Ce0.025)2Si3O3N4荧光体的情形的4％左右。
可知由近紫外光激励引起的(Y0.81La0.09Tb0.1)2Si3O3N4荧光体的发光强度完全不满足实用化。另外，由(Y0.81La0.09Ce0.1)2Si3O3N4荧光体只能得到峰波长为485nm的起因于Ce3+的宽带域的发光光谱。
一般地，将铽激活了的荧光体，通过Tb3+的5d-4f跃迁来吸收激励光，通过4f-4f跃迁产生发光。采用在254nm以上的长波段具有峰强度的激励光时，在上述波长范围存在Tb3+的吸收带(激励带)存在，因此基本不能吸收激励光，不进行发光。
然而，由Tb和Ce激活了的本发明的实施方式所涉及的荧光体，当照射在近紫外至蓝色范围等254nm以上的长波段具有峰强度的激励光时，母体中的Ce3+吸收激励光，所吸收的能量转移至Tb3+。其结果，可以得到Tb3+的发光。即，Ce3+起双重激活荧光体的增敏剂的作用，通过由该Ce3+→Tb3+的共振传递过程所引起的能量传递，就得到了Tb3+的发光。
另外，采用上述的方法制作了(Y0.833La0.092Tb0.05Ce0.025)2Si3O3N4荧光体、(Y0.833Gd0.092Tb0.05Ce0.025)2Si3O3N4荧光体和(Y0.742Lu0.083Tb0.15Ce0.025)2Si3O3N4荧光体。将所得到的荧光体采用峰波长为391nm的近紫外LED进行激励，测定了发光光谱。其结果分别示于图2和图3。
如图2所示，通过近紫外光激励，由(Y0.833La0.092Tb0.05Ce0.025)2Si3O3N4荧光体和(Y0.833Gd0.092Tb0.05Ce0.025)2Si3O3N4荧光体得到了峰波长为545nm的起因于Tb3+的发光。另外，如图3所示，对于(Y0.742Lu0.083Tb0.15Ce0.025)2Si3O3N4荧光体而言，也得到了峰波长为545nm的起因于Tb3+的发光。由图2和图3的结果可知，通过将Tb和Ce共激活来对Y2Si3O3N母体进行共激活时，通过添加La、Gd或Lu这些稀土类，可以提高发光强度。
特别是添加了La的(Y0.833La0.092Tb0.05Ce0.025)2Si3O3N4荧光体，与未添加La的样品比较，得到了约1.5倍的发光强度。这样的发光强度的提高，可以推测原因是，La元素在稀土类元素中性质与碱土类金属最近似，反应性高。即可以认为，La具有助熔剂(flux)那样的效果，添加了La的荧光体，结晶性提高，发光强度提高了。此外可以推测，由于La与Y、Tb比较，离子半径大，因此通过含有可以消除晶格中的缺陷和畸变等等也是原因之一。
接着，改变激励光的波长对(Y0.833La0.092Tb0.05Ce0.025)2Si3O3N4荧光体进行激励，测定了发光光谱。激励光的波长设为360nm、400nm和440nm这3种。采用各个激励光得到的发光光谱示于图4、图5和图6。可知在采用任一波长进行了激励的情况下，Tb、Ce和La被激活了的荧光体，起因于Tb3+的发光峰都存在于493nm、547nm、587nm和626nm附近。
另外，将(Y0.697La0.078Tb0.20Ce0.025)2Si3O3N4荧光体采用在457nm处具有峰波长的蓝色LED进行激励，测定了发光光谱。其结果示于图7。对于蓝色LED也确认了峰波长为545nm的起因于Tb3+的发光峰。
如上所述，本发明的实施方式所涉及的荧光体通过采用在360nm～460nm具有峰波长的光进行激励，可以得到起因于Tb3+的窄带域发光。具体地讲，在480nm～495nm、540nm～550nm、570nm～590nm、610nm～630nm这四个中的至少一个部位可以得到起因于Tb3+的5D4→7FJ跃迁((J＝6、5、4、3)的窄带域发光。
其原因可考虑如下。一般地，将Tb3+激活了的荧光体的发光，在由Tb3+的5d-4f跃迁引起的吸收之后，由于4f-4f跃迁而进行发光。采用254nm左右的紫外线时，由于由5d-4f跃迁所引起的吸收、由4f-4f跃迁所引起的发光而高效率地发光。然而，采用在300nm以上的长波段具有峰强度的激励光时，由于Tb3+没有吸收带，因此基本不能吸收激励光，不进行发光。
本发明的实施方式所涉及的荧光体，将Ce与Tb一起进行共激活。添加有作为共激活剂的Ce的(Y1-x1-y1Tbx1Cey1)aSibOcNd荧光体，采用在360nm～460nm具有峰的光进行激励时，通过Ce3+的5d-4f跃迁而吸收该激励光，吸收了的能量从Ce3+的5d谱带转移到Tb3+的5D4，得到了Tb3+的峰值发光。可以推测这是起因于Ce起增敏剂的作用，能够吸收近紫外区的光所致。
然而，如果在全部的荧光体中将Tb和Ce共激活，则采用近紫外激励光并不能得到Tb的窄带域发光。如果Ce3+的5d谱带的位置与Tb3+的5D4的能量位置大致相同，则上述的能量转移就不发生。本发明的一个实施方式所涉及的(Y1-x1-y1Tbx1Cey1)aSibOcNd荧光体，是Ce3+的5d谱带的位置与Tb3+的5D4的能量位置接近的稀奇的荧光体。
测定了具有由上述通式(A1)表示的组成的荧光体和具有由上述通式(A2)表示的组成的荧光体的激励光谱。其结果，确认了任一荧光体直到460nm附近都存在吸收。激励光谱可以使用例如(株)日立制作所的F-3000荧光分光光度计，采用扩散散射法进行荧光体粉末的测定而得到。
图8表示观测了(Y0.925Tb0.05Ce0.025)2Si3O3N4荧光体的545nm的发光的激励光谱，图9表示观测了(Y0.833La0.092Tb0.05Ce0.025)2Si3O3N4荧光体的545nm的发光的激励光谱。由图8和图9可知，(Y0.925Tb0.05Ce0.025)2Si3O3N4荧光体和(Y0.833La0.092Tb0.05Ce0.025)2Si3O3N4荧光体均能以360nm～460nm的波长范围进行激励。
由于激励光谱的峰在390nm附近，因此可以采用370nm～410nm的紫外至近紫外区的激励光最高效地进行激励。相反，以超过460nm的激励波长进行激励时，起因于Tb3+的窄带域发光的发光强度降低，在实用方面变得不能使用。
另外，为了鉴定(Y0.925Tb0.05Ce0.025)2Si3O3N4荧光体和(Y0.833La0.092Tb0.05Ce0.025)2Si3O3N4荧光体的结晶相，利用粉末X射线衍射分析法(X-raydiffractometry：XRD)测定衍射图，将测定的衍射图与JCPDS(JointCommittee on Powder Diffraction Standards)卡比较，进行了结晶相的鉴定。
关于XRD测定，可以将合成了的荧光体样品采用例如(株)マツク·サイエンス公司(ブル一カ一·エイエツクスエス(株))M18XHF22-SRA等测定荧光体样品的衍射图，进行与JCPDS卡的比较。
对于(Y0.925Tb0.05Ce0.025)2Si3O3N4荧光体和(Y0.833La0.092Tb0.05Ce0.025)2Si3O3N4荧光体进行了XRD测定。所得到的X射线衍射图分别示于图10和图11。所得到的衍射图与JCPDS卡#45-249的正方晶系Y2Si3O3N4相的衍射图大致一致。
由该结果可知，在将铽和铈激活了的(Y1-x1-y1Tbx1Cey1)aSibOcNd荧光体中，Y和Tb以及Ce固溶着。另外可知，在添加M并将铽和铈激活了的(Y1-w2-x2-y2Mw2Tbx2Cey2)aSibOcNd荧光体中，Y、M、Tb和Ce固溶着。M的添加量w2在0.01≤w2≤0.3的范围内时，基本不能确认Y2Si3O3N4相以外的结晶相。由此可知Y、M、Tb和Ce固溶着。
另外，具有由上述通式(A2)表示的组成的荧光体，如果在如上所述的XRD测定中与Y2Si3O3N4相的峰一致的话，就可以说生成了Y2Si3O3N4相。
所合成的荧光体由于在Y位置换有Tb、Ce等激活剂元素、M等添加元素，因此通过XRD测定得到的衍射峰，受到由置换元素导致的晶格常数的变化的影响。因此有时与JCPDS卡#45-249所记载的Y2Si3O3N4相的衍射图并不准确地一致。然而，即使有2θ为数度的峰偏移，这样的衍射图也可以看作与Y2Si3O3N4相的衍射图相同。
此外，关于(Y0.875Tb0.10Ce0.025)2Si3O3N4荧光体和(Y0.698La0.077Tb0.20Ce0.025)2Si3O3N4荧光体进行了荧光显微镜观察。显微镜观察是通过将合成的荧光体样品使用例如(株)尼康的ECLIPSE80i等，利用365nm激励光等观察荧光体的发光来进行的。由荧光显微镜观察的结果确认了：合成的(Y0.875Tb0.10Ce0.025)2Si3O3N4荧光体和(Y0.698La0.077Tb0.20Ce0.025)2Si3O3N4荧光体，是粒径为5μm～30μm，采用365nm～435nm的激励光时均匀地进行绿色发光的粒子。
图12和图13表示出(Y0.875Tb0.10Ce0.025)2Si3O3N4荧光体和(Y0.698La0.077Tb0.20Ce0.025)2Si3O3N4荧光体的由365nm激励得到的显微镜观察结果。
本发明的实施方式所涉及的荧光体基本上可以如上所述通过将原料粉末混合并进行烧成而制造。烧成后的荧光体在用于发光装置等时，优选适当地实施洗涤等后处理。作为洗涤，可以采用使用稀盐酸等的酸洗涤，通过该酸洗涤，实质上除去未反应的氮化物原料等，可以只得到所希望的荧光体。在一部分的氧氮化物和AlN等氮化物中存在在大气中、水中不稳定的物质，但本发明的实施方式所涉及的荧光体无论是在大气中还是在酸水溶液中都是稳定的。因此，对烧成后的样品实施的后处理的自由度非常大。
此外，在所制造的荧光体粒子的表面，在需要防湿等时有时可以涂布由选自硅树脂、环氧树脂、氟树脂、四乙氧基硅烷(TEOS)、二氧化硅、硅酸锌、硅酸铝、聚磷酸钙、硅油和硅润脂(silicone grease)的至少一种形成的表层材料。硅酸锌和硅酸铝例如分别由ZnO·cSiO2(1≤c≤4)和Al2O3·dSiO2(1≤d≤10)表示。
荧光体粒子表面不需要被表层材料完全地覆盖，其一部分可以露出。如果在荧光体粒子的表面存在由如上所述的材质形成的表层材料，就可以得到其效果。表层材料可以使用其分散液或溶液配置于荧光体粒子表面。将粒子在分散液或溶液中浸渍所规定的时间之后，通过加热等使其干燥，由此可配置表层材料。为了不损害作为荧光体的本来的功能，并得到表层材料的效果，优选表层材料以荧光体粒子的0.1～5％左右的体积比例存在。
另外，本发明的实施方式所涉及的荧光体可以相应于对使用的发光装置的涂布方法进行分级。例如对于使用360～430nm的激励光的通常的白色LED等而言，荧光体可以分级为5～50μm左右来使用。荧光体的粒径如1μm以下那样过小时，表面的非发光层的比例增加，发光强度降低。而粒径过大时，在LED上涂布时，荧光体会堵塞涂布装置，合格率降低，而且成为所得到的发光装置的色不匀的原因。为了避免这样的不良情况，本发明的实施方式所涉及的荧光体优选分级为5～50μm左右来使用。
如上所述，当采用在360nm～460nm的范围具有峰波长的激励光对将铽和铈激活了的钇硅氧氮化物荧光体进行激励时，就可以得到起因于Tb3+的窄带域发光。另外，通过将本发明的实施方式所涉及的荧光体与在波长360nm～460nm的范围具有发光峰的发光元件组合，可以得到高效率、高显色性的发光装置。作为发光元件可以使用LED芯片和激光二极管的任一种。
本发明的实施方式所涉及的发光装置可以得到77以上的平均显色评价数Ra。这是由起因于主要作为激活剂使用的铽的5D4→7F6跃迁((J＝6、5、4、3)的490nm附近的窄带域发光所导致的。490nm附近的发光具有添埋以往为了创造白色而使用的蓝色波段的发光与绿色波段或黄色波段的发光之间的效果。因此，Ra值变高。另外，由于将激励光的能量转换成与明视灵敏度曲线的峰一致的Tb3+窄带域发光，因此可以得到高效率(高光通量)的发光。
本发明的实施方式所涉及的荧光体为绿色～黄色系荧光体。因此，通过与蓝色系荧光体以及红色系荧光体组合使用，可以得到白光发光装置。例如，在使用近紫外区的光源的情况下，通过在本发明的实施方式所涉及的荧光体基础上与蓝色系荧光体以及红色系荧光体组合，可以提供白光发光装置。
蓝色系荧光体可以称为在430nm～510nm的蓝紫色～蓝色的波段具有主发光峰的荧光体。作为蓝色系荧光体，可举出例如(Sr，Ca，Ba，Mg)5(PO4)3(Cl，Br):Eu、(Sr，Ca，Ba，Mg)5(PO4)3Cl:Eu等卤磷酸盐荧光体、2SrO·0.84P2O5·0.16B2O3:Eu等磷酸盐荧光体、BaMgAl10O17:Eu、BaMg2Al16O27:Eu、BaMgAl10O17:Eu，Mn等碱土类金属铝酸盐荧光体等。再者，所谓主发光峰，是迄今由文献、专利等报道的发光光谱的峰强度最大的波长。由制作荧光体时的少量的元素添加、一点点的组成变动所引起的10nm左右的发光峰变化等可以看作迄今所报道的主发光峰。
红色系荧光体可以称为在580nm～680nm的橙色～红色的波段具有主发光峰的荧光体。作为红色荧光体，可以使用例如(Sr，Ca，Ba)2SiO4:Eu等硅酸盐荧光体、3.5MgO·0.5MgF·GeO2:Mn4+等氧氟化物荧光体、YVO4:Eu等氧化物荧光体、(La，Gd，Y)2O2S:Eu等氧硫化物荧光体、(Ca，Sr，Ba)S:Eu等硫化物荧光体、(Sr，Ba，Ca)2Si5N8:Eu、(Sr，Ca)AlSiN3:Eu等氮化物荧光体等。
除了上述的荧光体以外，根据用途还可以使用蓝绿色荧光体、黄色荧光体。
再者，作为光源也可以使用蓝色LED，此时也可根据需要省略蓝色系的荧光体。
图14示出本发明的一个实施方式所涉及的发光装置的剖面。
图示的发光装置，其树脂管座(stem)200具有将引线框成型而成的引线201和引线202、与其一体成型而成的树脂部203。树脂部203具有上部开口部比底面部宽的凹部205，在该凹部的侧面设有反射面204。
在凹部205的大致圆形底面中央部，利用Ag膏等固定了发光芯片206。作为发光芯片206，可以使用进行紫外发光的发光芯片或进行可见波段的发光的发光芯片。例如，可以使用GaAs系、GaN系等的半导体发光二极管等。发光芯片206的电极(未图示出〕，利用由Au等制成的接合线207和208分别与引线201和引线202连接。再者，引线201和202的配置可以适当变更。
在树脂部203的凹部205内配置有荧光层209。该荧光层209可通过将本发明的实施方式所涉及的荧光体210以5重量％～50重量％的比例分散于例如由硅树脂形成的树脂层211中而形成。荧光体可以采用作为有机材料的树脂、作为无机材料的玻璃等各种的粘合剂进行附着。
作为有机材料的粘合剂，除了上述的硅树脂以外，环氧树脂、丙烯酸树脂等耐光性优异的透明树脂也适合。作为无机材料的粘合剂，使用了碱土类硼酸盐等的低熔点玻璃等、用于使粒径大的荧光体附着的超微粒子的二氧化硅、氧化铝等、利用沈淀法得到的碱土类磷酸盐等较适合。这些粘合剂可以单独使用，也可以将两种以上组合使用。
另外，在荧光层中使用的荧光体，可以根据需要对其表面实施涂覆处理。通过该表面涂覆，可以防止荧光体因热、湿度、紫外线等外在因素而劣化。此外，可以调整荧光体的分散性，可以容易地进行荧光体层的设计。
作为发光芯片206，也可使用在同一面上具有n型电极和p型电极的倒装芯片型的发光芯片。在该情况下，可以消除接合线(wire)的断线和剥离、接合线所引起的光吸收等的起因于接合线的问题，得到可靠性高的高辉度的半导体发光装置。另外，也可在发光芯片206中使用n型基板，形成为如下的构成。具体地讲，在n型基板的背面形成n型电极，在基板上的半导体层上面形成p型电极，将n型电极或p型电极固定在引线上。p型电极或n型电极可以利用接合线与另一引线连接。发光芯片206的尺寸、凹部205的尺寸和形状可以适当变更。
图15示出本发明的另一实施方式所涉及的发光装置的剖面图。图示的发光装置，具有树脂管座100、固定于其上的半导体发光元件106F以及覆盖该半导体发光元件106F的封装体111。封装树脂管座100具有由引线框形成的引线101、102、与其一体地成型而成的树脂部103。引线101、102配置使得各自的一端接近地对置。引线101、102的另一端向相互相反的方向延伸，并从树脂部103导出到外部。
在树脂部103设有开口部105，在开口部的底面，通过粘合剂107固定有保护用稳压二极管106E。在保护用稳压二极管106E之上安装有半导体发光元件106F。即，在引线101之上固定有二极管106E。接合线109从二极管106E连接到引线102上。
半导体发光元件106F被树脂部103的内壁面包围，该内壁面向着光取出的方向倾斜，作为反射光的反射面104发挥作用。填充至开口部105内的封装体111含有荧光体110。半导体发光元件106F层叠于保护用稳压二极管106E之上。作为荧光体110，使用本发明的实施方式所涉及的荧光体。
以下详细说明发光装置的芯片周边部分。如图16所示，保护用二极管106E具有在n型硅基板150的表面形成有p型区152的平面(planar)结构。在p型区152上形成有p侧电极154，在基板150的背面形成有n侧电极156。与该n侧电极156对置地在二极管106E的表面也形成有n侧电极158。这样的2个n侧电极156和158通过设于二极管106E的侧面的配线层160连接。此外，在设有p侧电极154和n侧电极158的二极管106E的表面形成有高反射膜162。高反射膜162是对由发光元件106F放出的光具有高反射率的膜。
对于半导体发光元件106F而言，在透光性基板138上顺次层叠有缓冲层122、n型接触层123、n型覆盖层132、活性层124、p型覆盖层125和p型接触层126。此外，n侧电极127形成于n型接触层123上，p侧电极128形成于p型接触层126上。由活性层124放出的光透过透光性基板138而被取出。
这样结构的发光元件106F，通过凸块以倒装芯片式固定在二极管106E上。具体地讲，发光元件106F的p侧电极128通过凸块142与二极管106E的n侧电极158电连接。另外，发光元件106F的n侧电极127通过凸块144与二极管106E的p侧电极154电连接。接合线109与二极管106E的p侧电极154接合，该接合线109与引线102连接。
图17示出炮弹型的发光装置的例子。半导体发光元件51介由固定材52安装在引线50′上，并由预浸渍材54覆盖。引线50通过接合线53与半导体发光元件51连接，并由浇铸材55封入。在预浸渍材54中含有本发明的实施方式所涉及的荧光体。
如上所述，本发明的实施方式涉及发光装置，例如白色LED具有窄带域光谱的光。因此，最适合作为将滤色器等的滤光器和光源组合使用的发光器件，例如液晶用背光用的光源等。以往的白色LED，由于组合了宽带域发光的荧光体，因此在整个可见光区具有宽带域的光谱光，因此在将白色LED和滤色器组合的情况下，存在作为光源的白色LED的光量的大部分被滤光器吸收的缺点。
然而，本发明的实施方式所涉及的白色LED具有窄带域光谱的光，因此在与滤光器组合时，可以高效率地利用特定的波长。特别是在红色荧光体中使用3.5MgO·0.5Mg F·GeO2:Mn4+等的氧氟化物荧光体、(La，Gd，Y)2O2S:Eu等的氧硫化物荧光体的情况下，不仅本发明的窄带域绿色成分，红色成分也成为窄带域发光，可以高效率地利用由发光装置放出的白色光。具体地讲，最适于液晶的背光光源、使用了蓝色发光层的无机电致发光装置的绿色成分等。
以下示出实施例和比较例更详细地说明本发明，但本发明只要不超出其主旨，就并不被以下的实施例限定。
(实施例1)
制备了(Y0.875Tb0.1Ce0.025)2Si3O3N4荧光体。作为原料粉末，准备Y2O3粉末19.2g、Si3N4粉末12.9g、Tb4O7粉末1.7g和CeO2粉末0.8g，用球磨机均匀地混合。
将所得到的混合原料收容于烧成容器中，将其在N2气氛中、在1500℃～1900℃烧成1～5小时，得到了烧成品。将所得到的烧成品在水中粉碎，利用稀盐酸进行酸洗涤并过筛后，通过抽吸过滤进行了脱水。
最后，在干燥机中在1000℃下干燥，再过筛，得到了本实施例的荧光体。将所得到的实施例1的荧光体通过ICP发射光谱法实施定量分析的结果，确认了大致为如装料那样的组成。
此外，如下述表1所示，使各构成元素的含有量变化，制作了实施例2～14和比较例1～3的荧光体。比较例1、2的荧光体不含有Ce，比较例3的荧光体不含有Tb。
对于各荧光体，求出545nm附近的Tb3+的峰强度，将实施例1的情况的峰强度设为1，算出峰强度比，汇总于下述表1。
表1
  荧光体组成   峰强度比
  实施例2   (Y0.925Tb0.05Ce0.025)2Si3O3N4   0.48
  实施例3   (Y0.833La0.092Tb0.05Ce0.025)2Si3O3N4   0.71
  实施例4   (Y0.697Gd0.078Tb0.20Ce0.025)2Si3O3N4   1.22
  实施例5   (Y0.742Lu0.083Tb0.15Ce0.025)2Si3O3N4   1.20
  实施例6   (Y0.879La0.046Tb0.05Ce0.025)2Si3O3N4   0.60
  实施例7   (Y0.647La0.278Tb0.05Ce0.025)2Si3O3N4   0.51
  实施例8   (Y0.630La0.070Tb0.20Ce0.100)2Si3O3N4   0.59
  实施例9   (Y0.698La0.077Tb0.20Ce0.025)2Si3O3N4   1.23
  实施例10   (Y0.711La0.079Tb0.20Ce0.010)2Si3O3N4   1.39
  实施例11   (Y0.535La0.060Tb0.40Ce0.005)2Si3O3N4   1.28
  实施例12   (Y0.652La0.073Tb0.25Ce0.025)2Si3O3N4   1.27
  实施例13   (Y0.787La0.044Gd0.044Tb0.10Ce0.025)2Si3O3N4   1.03
  实施例14   (Y0.743La0.041Lu0.041Tb0.15Ce0.025)2Si3O3N4   1.22
  比较例1   (Y0.900Tb0.10)2Si3O3N4   0.03
  比较例2   (Y0.810La0.09Tb0.10)2Si3O3N4   0.04
  比较例3   (Y0.810La0.09Ce0.10)2Si3O3N4   0.12
如参照图1所说明，在比较例的荧光体、即不含有Ce的情况下，在389nm激励中，Tb特征性的发光非常小，不实用。另一方面，在不含有Tb的情况下，在389nm激励中，只能确认起因于Ce的宽带域的发光。
与之相对，实施例的荧光体，通过389nm等的近紫外光激励，可以确认起因于Tb3+的窄带域发光光谱。这可以从例如图1所示的实施例1的(Y0.875Tb0.1Ce0.025)2Si3O3N4荧光体的发光光谱推测。
将实施例1的(Y0.875Tb0.1Ce0.025)2Si3O3N4荧光体、市售的蓝色荧光体(Sr，Ca，Ba，Mg)5(PO4)3Cl:Eu荧光体、和红色荧光体(La，Y)2O2S:Eu荧光体混合，得到了荧光体混合物。使该荧光体混合物分散于硅树脂中，制备了树脂混合物。
将所得到的树脂混合物与峰波长为393nm的LED芯片组合，制作了白色LED发光装置。具体地讲，如图15所示介由凸块安装LED芯片，得到被称为倒装芯片的结构的发光装置。将该白色LED装置作为实施例15。
对于实施例15的白色LED装置，调整荧光体的混合比例从而将色温度调整成4200K时的发光光谱示于图18。调整成色温度4200K的白色LED发光装置，其平均显色评价数Ra＝84.1。平均显色评价数Ra可以由由白色LED发光装置得到的发光光谱求得。
从平均显色评价数Ra为80以上来看，本实施例的发光装置是在照明用途等中也可以实用的显色性非常高的发光装置。
接着，除了将实施例1的荧光体变更为BaMgAl10O17:Eu，Mn绿色荧光体以外，与上述同样地制备了树脂混合物。除了使用所得到的树脂混合物以外，采用与上述同样的手法制备了白色LED发光装置。将该白色LED装置作为比较例4。使用比较例1的荧光体代替实施例1的荧光体的情况下，采用近紫外光附近的激励光时，比较例1的荧光体基本不发光。因此为在非常低的发光强度下基本不能调整色温度的发光装置。具体地讲，使用了比较例1的荧光体的发光装置的平均显色评价数Ra为42。
比较例3的荧光体，其发光强度弱。而且，所得到的为Ce3+的蓝色发光，因此即使将(Sr，Ca，Ba，Mg)5(PO4)3Cl:Eu荧光体和红色荧光体(La，Y)2O2S:Eu荧光体混合，也不能够调整成白色。
将比较例4的白色LED装置调整为色温度4200K时的发光光谱示于图19。调整为色温度4200K的白色LED发光装置，其平均显色评价数Ra＝42.2。
由实施例15与比较例4的比较明确知道，使用了实施例的荧光体的白色LED装置，对于调整为色温度4200K的白色LED装置而言，显示出比比较例优异的平均显色评价数Ra。
此外，使用实施例2～11、14的荧光体、和蓝色荧光体以及红色荧光体，与近紫外LED芯片按下述表2所示进行组合，制作了实施例16～26的发光装置。具体地讲，向固定于框上的LED芯片浇铸含有荧光体的树脂，制作了图17所示的炮弹型结构的发光装置。
表2
  激励光的峰波长(nm) 使用的荧光体
  实施例16   389   (Sr，Ca，Ba，Mg)5(PO4)3Cl:Eu+实施例2+La2O2S:Eu
  实施例17   392   (Sr，Ca，Ba，Mg)5(PO4)3Cl:Eu+实施例3+(Sr，Ca)2SiO4:Eu
  实施例18   391   (Sr，Ca，Ba，Mg)5(PO4)3Cl:Eu+实施例4+(Sr，Ca)AlSiN3:Eu
  实施例19   391   (Sr，Ca，Ba，Mg)5(PO4)3Cl:Eu+实施例5+(Ba，Sr，Ca)2Si5N8:Eu
  实施例20   390   (Sr，Ca，Ba，Mg)5(PO4)3Cl:Eu+实施例6+(Sr，Ca)AlSiN3:Eu
  实施例21   390   (Sr，Ca，Ba，Mg)5(PO4)3Cl:Eu+实施例7+(Sr，Ca)AlSiN3:Eu
  实施例22   392   (Sr，Ca，Ba，Mg)5(PO4)3Cl:Eu+实施例8+(Sr，Ca)AlSiN3:Eu
  突施例23   389   (Sr，Ca，Ba，Mg)5(PO4)3Cl:Eu+实施例9+La2O2S:Eu
  实施例24   392   BaMgAl10O17:Eu+实施例10+(Sr，Ca)AlSiN3:Eu
  实施例25   392   (Sr，Ca，Ba，Mg)5(PO4)3Cl:Eu+实施例11+CaAlSiN3:Eu
  实施例26   389   (Sr，Ca，Ba，Mg)5(PO4)3Cl:Eu+实施例14+La2O2S:Eu
实施例16～26的发光装置，调整荧光体的混合比例，将色温度调整为4200K。
将实施例16～26的发光装置的平均显色评价数Ra汇总于下述表3。
表3
  平均显色评价数Ra
  实施例16   80.1
  实施例17   88.2
  实施例18   93.8
  实施例19   83.2
  实施例20   93.1
  实施例21   94.9
  实施例22   94.0
  突施例23   85.5
  实施例24   92.3
  实施例25   91.2
  实施例26   86.1
如上述表3所示可知，实施例的白色LED装置，平均显色评价数Ra均为80以上，都较大。与使用了比较例1的荧光体的发光装置的平均显色评价数Ra为42相比较，平均显色评价数格外提高。
另外，如下述表4所示，使用实施例9的荧光体、和蓝色荧光体以及红色荧光体，并组合392～394nm的峰波长的LED芯片，制作了实施例27～30的发光装置。具体地讲，将含有荧光体的树脂与固定于框上的LED芯片接合，制作了图14所示的表面安装结构的发光装置。再者，调整了荧光体的混合比例，使得发光装置的色温度为2800K、3500K、5000K以及6500K。
表4
  色温度(K) 使用的荧光体
  实施例27   2800  (Sr，Ca，Ba，Mg)5(PO4)3Cl:Eu+实施例9+La2O2S:Eu
  实施例28   3500  (Sr，Ca，Ba，Mg)5(PO4)3Cl:Eu+实施例9+La2O2S:Eu
  实施例29   5000  (Sr，Ca，Ba，Mg)5(PO4)3Cl:Eu+实施例9+La2O2S:Eu
  实施例30   6500  (Sr，Ca，Ba，Mg)5(PO4)3Cl:Eu+实施例9+La2O2S:Eu
将实施例27～30中的平均显色评价数Ra汇总于下述表5。
表5
  平均显色评价数Ra
  实施例27   80.7
  实施例28   83.3
  实施例29   87.2
  实施例30   88.9
如上述表5所示，调整为2800K～6500K的色温度的实施例的白色LED装置，平均显色评价数Ra均为80以上，是不仅在背光用途中，在照明用途等中也可以实用的、显色性非常高的发光装置。
此外，如下述表6所示，将荧光体和LED芯片组合，制作了实施例31～33的发光装置。作为发光装置，采用与上述同样的手法制作了图15所示的构成的发光装置。
表6
  激励光的峰波长(nm) 使用的荧光体
实施例31 400   (Sr，Ca，Ba，Mg)5(PO4)3Cl:Eu+实施例12+(Sr，Ca)2SiO4:Eu
实施例32 420   实施例12+(Sr，Ca)2SiO4:Eu+3.5MgO·0.5MgF10·GeO2:Eu
实施例33 440   实施例12+(Sr，Ca)2SiO4:Eu+3.5MgO·0.5MgF10·GeO2:Eu
将实施例31～33中的平均显色评价数Ra汇总于下述表7。
表7
  平均显色评价数Ra
  实施例31   82.3
  实施例32   77.2
  实施例33   83.8
如上述表7所示，实施例的白色LED装置，平均显色评价数Ra均为77以上，因此是可以充分实用的发光装置。
本发明中表示数值范围的“以上”和“以下”均包括本数。

Claims (8)

1.一种钇硅氧氮化物荧光体，其特征在于，具有由下述通式(A1)表示的组成，
(Y1-x1-y1，Tbx1，Cey1)aSibOcNd           (A1)
其中，0＜x1≤0.6，0＜y1≤0.2，
a、b、c和d在以下所示的范围内：
1.9≤a≤2.1    (3)；
2.8≤b≤3.1    (4)；
2.7≤c≤3.1    (5)；
3.8≤d≤4.2    (6)。
2.如权利要求1所述的钇硅氧氮化物荧光体，其特征在于，在所述通式(A1)中，a＝2、b＝3、c＝3、d＝4。
3.一种钇硅氧氮化物荧光体，其特征在于，具有由下述通式(A2)表示的组成，
(Y1-w2-x2-y2，Mw2，Tbx2，Cey2)aSibOcNd    (A2)
其中，M为选自La、Gd和Lu的至少一种，0.01≤w2≤0.3，0＜x2≤0.6，0＜y2≤0.2，
a、b、c和d在以下所示的范围内：
1.9≤a≤2.1    (3)；2.8≤b≤3.1    (4)；
2.7≤c≤3.1    (5)；3.8≤d≤4.2    (6)。
4.如权利要求3所述的钇硅氧氮化物荧光体，其特征在于，在所述通式(A2)中，a＝2、b＝3、c＝3、d＝4。
5.如权利要求3或4所述的钇硅氧氮化物荧光体，其特征在于，所述M为La。
6.一种发光装置，其特征在于，具备：发出在360nm～460nm的波段具有发光峰的光的发光元件和含有荧光体的发光层，所述荧光体的至少一部分为权利要求1～5的任一项所述的荧光体。
7.如权利要求6所述的发光装置，其特征在于，所述发光层含有在580nm～680nm的范围具有主发光峰的第2荧光体。
8.如权利要求6所述的发光装置，其特征在于，所述发光层含有在430nm～510nm的范围具有主发光峰的第3荧光体。
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