CN101339897A - 真空处理装置和真空处理方法和存储介质 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够以高的精度进行压力调整的真空处理装置和真空处理方法和存储介质的技术。在其内部对被处理体进行真空处理的处理容器(20)，与另一端侧连接有真空排气单元(52)的8个排气通路(51)连接，设置与上述8个排气通路(51)之中的4个排气通路(51)对应，基于处理容器(20)内的压力检测值和压力设定值，自动控制排气通路(51)的开度的压力控制阀AV，与设置有该压力控制阀AV的排气通路(51)以外的排气通路(51)对应，设置将排气通路(51)的开度固定在被选择的开度的闸阀GV。

Description

真空处理装置和真空处理方法和存储介质

技术领域

本发明涉及在处理容器内，在对例如FPD(平板显示器)基板等被处理体等进行规定的真空处理时，进行上述处理容器内的压力控制的技术。

背景技术

在LCD(液晶显示器)基板等FPD基板的制造工序中，存在在减压气氛下对被处理体实施蚀刻处理、成膜处理等规定的真空处理的工序。关于进行这些工序的真空处理装置的一个例子，以进行上述蚀刻处理的装置为例，基于图9进行简单说明，图中1为真空腔室，在该真空腔室1的内部设置有用于载置被处理体例如FPD基板S的载置台11，并且以与该载置台11相对的方式设置有成为等离子体发生用的上部电极的处理气体供给部12。而且通过一边从处理气体供给部12向真空腔室1内供给处理气体，通过排气通路13利用真空泵14对真空腔室1内进行真空排气，一边从高频电源15向上述处理气体供给部12施加高频电力，在基板S的上方的空间形成处理气体的等离子体，由此对基板S进行蚀刻处理。

可是，随着基板S的大型化，装置也大型化，在一边向真空腔室1内供给大流量的处理气体，一边进行在例如2Pa左右的低压下实施处理的工艺等的情况下，要求大的排气能力。因此，需要在一个真空腔室1内设置多个排气管路，例如如图10所示那样，在真空腔室1的底部，沿着真空腔室1的周围，设置有例如从6***到8***的排气管路，在各自的排气通路13上设有真空泵14和自动压力控制阀(APC阀；Automatic Pressure Controller阀)16。该APC阀16是以检测真空腔室1内的压力，并基于该检测值和压力设定值，自动控制其开度的方式构成的阀。

而且在上述蚀刻处理装置中，在进行规定的工艺时，使用上述所有的真空泵14对真空腔室1内进行排气，此时利用APC阀16对排气通路13的流导进行控制，如此将真空腔室1内的压力控制在规定的压力。

但是，在图11中模式地表示真空腔室1内的压力和APC阀16的开度的关系，但这样的压力曲线描述了急剧下降，接着倾斜度变小，变得平缓，接近水平的曲线。在此，在曲线倾斜度大的压力范围内相对于压力的变化量的APC阀16的开度的变化量小，因此阀16的分辨率低。另一方面，在曲线倾斜度小的压力范围内相对于压力的变化量的APC阀16的开度的变化量大，因此阀16的分辨率高。这样根据压力范围，APC阀16的分辨率不同，但在分辨率低的压力范围内，由于难以进行开度的细微调整，所以真空腔室1的压力变动变大。

另一方面，要求在上述的蚀刻处理装置中，进行下述条件不同的各种工艺，即，向真空腔室1内供给大流量的处理气体并在低压状态下进行处理的工艺；供给大流量的处理气体并在高压状态下进行处理的工艺；供给小流量的处理气体并在低压状态下进行处理的工艺；或者供给小流量的处理气体并在高压状态下进行处理的工艺等。但是，在如上述蚀刻处理装置那样仅具备APC阀16的结构中，如上所述，因为存在APC阀16的分辨率低的压力范围，所以在各种工艺中，难以进行高精度的压力控制，难以进行良好的处理。

此外，上述APC阀16，如上所述，为基于压力检测值和压力设定值自动调整开度的结构，每个都具备用于调整开度的控制器，价格高昂，因此这样的阀16的增加是导致装置成本高涨的主要原因之一。

因此，本发明者们对在真空腔室1内设置多***的排气通路的结构中，组合设置上述APC阀和开度固定在多处的半固定阀的结构进行了研究。另外，本发明者们针对在与真空腔室连接的多个排气通路上设置APC阀和半固定阀的结构进行了现有技术文献的调查，但没有发现应当记载的现有技术文献。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种能够以高精度进行压力调整的技术。

因此，本发明的真空处理装置，其特征在于，包括：在其内部对被处理体进行真空处理的处理容器，

一端侧与该处理容器连接，用于对该处理容器的内部进行真空排气的n(n为2以上的整数)个排气通路，

与这些排气通路的另一端侧连接的真空排气单元，

用于检测上述处理容器内的压力的压力检测单元，

与上述n个排气通路之中的k(1≤k≤n-1)个排气通路对应设置的、将排气通路的流导固定在被选择的值的半固定控制单元，和

与设置有该半固定控制单元的排气通路以外的排气通路对应设置的、基于上述压力检测单元的检测值和压力设定值，自动控制排气通路的流导的常时可变控制单元。

此外，本发明能够构成为：包括，对应存储处理容器的上述压力设定值和上述半固定控制单元的设定信息进行存储的存储部，和从上述存储部读出与被指定的压力设定值对应的上述设定信息，向上述半固定控制单元输出控制信号的单元。在此，上述存储部能够构成为：上述压力设定值和上述设定信息，与上述半固定控制单元的每一个对应存储。

此时，上述半固定控制单元，其特征在于，包括以能够将上述排气通路的流导选择为最大、最小、以及最大和最小之间的值的任一个的方式构成的阀，上述设定信息为该阀的开度。此外，上述半固定控制单元也可以构成为：包括以能够将上述排气通路的流导选择为最大、最小、和最大与最小之间的值的任一个的方式构成的阀，上述设定信息为该阀的开度。

此外，本发明的真空处理方法，其是在通过n(n为2以上的整数)个排气通路与真空排气单元连接的处理容器的内部，对被处理体进行真空处理的真空处理方法，其特征在于，包括：

将被处理体搬入到上述处理容器内部的工序；

将与上述n个排气通路之中的k(1≤k≤n-1)个排气通路对应设置的，用于将排气通路的流导固定在被选择的值的半固定控制单元的开度固定在某个位置的工序；

利用与设置有上述半固定控制单元的排气通路以外的排气通路对应设置的、基于处理容器内的压力检测值和压力设定值自动控制排气通路的流导的常时可变控制单元，调整上述排气通路的流导，并且对在其内部保持有被处理体的处理容器进行真空排气的工序；和

在被真空排气的处理容器的内部，对被处理体进行真空处理的工序。

进一步，本发明的存储介质，储存有对被处理体进行真空处理的真空处理装置所使用的计算机程序，其特征在于：

上述程序组合成步骤群以进行上述的真空处理方法。

根据本发明，在处理容器所连接的多个排气通路的几个上设置常时可变控制单元，在剩余的排气通路上设置半固定控制单元，因此相对于仅使用常时可变控制单元时分辨率低的压力范围，能够提高常时可变控制单元的分辨率。由此，能够进行高精度的压力控制，能够进行良好的处理。此外，由于组合设置常时可变控制单元和低价的半固定控制单元，所以能够将装置的部件成本抑制的较低。

附图说明

图1是表示本发明的一实施方式涉及的蚀刻处理装置的截面图。

图2是表示上述蚀刻处理装置所设置的排气通路、和控制部的结构图。

图3是表示上述蚀刻处理装置所使用的压力控制阀的概略立体图。

图4是表示上述压力控制阀的作用的平面图。

图5是表示上述蚀刻处理装置所使用的闸阀的概略立体图。

图6是表示上述闸阀的作用的平面图。

图7是表示上述蚀刻处理装置的处理容器的压力、和压力控制阀的开度的关系的特性图。

图8是表示为了确认本发明的效果而进行的实施例1和比较例1的测定数据的特性图。

图9是表示现有的蚀刻处理装置的截面图。

图10是表示现有的蚀刻处理装置的排气通路的平面图。

图11是表示现有的蚀刻处理装置的处理容器的压力、和压力控制阀的开度的关系的特性图。

符号说明

2蚀刻处理装置

20处理容器

21容器本体

22盖体

3载置台

4上部电极

31高频电源部

52真空排气单元

47处理气体供给部

66压力检测单元

8控制部

AV压力控制阀

GV闸阀

S FPD基板

具体实施方式

以下，关于本发明的实施方式，以在用于对被处理体例如FPD基板进行蚀刻处理的蚀刻处理装置上应用本发明的真空处理装置的情况为例进行说明。图1是上述蚀刻处理装置2的纵断截面图。该蚀刻处理装置2具备用于在其内部对FPD基板S实施蚀刻处理的接地的处理容器20，该处理容器20，例如平面形状形成为四角形状，由容器本体21和盖体22构成。

上述FPD基板S为角型被处理体，上述处理容器20例如设定为水平截面的一边为3.5m，另一边为3.0m左右的大小，上述容器本体21和盖体22由例如铝(Al)等热传导性良好的材质构成。图中的23为用于将被处理体搬入到处理容器20内的搬出搬入口，24为用于开闭上述搬出搬入口23的开闭器。

在上述容器本体21的内部配置有用于将基板S载置在其上的载置台3。该载置台3与等离子体发生用的高频电源31电连接，作为用于使处理容器20内发生等离子体的下部电极起作用。该载置台3隔着绝缘部件32配设在容器本体21的底面上，由此下部电极以从处理容器20电浮起的状态设置。

另一方面，在处理容器20内部的上述载置台3的上方，以与该载置台3的表面相对的方式，设有平板状的上部电极4，该上部电极4被支撑在角板状的上部电极基座41上。这些上部电极4和上部电极基座41由例如铝构成。此外，上述上部电极41，通过框架状的导电部件42，以从处理容器20的顶部吊下的状态被支撑，由此上部电极4以与处理容器20电导通的状态设置，并且由上部电极基座41、导通部件42和处理容器20的顶部包围周围的区域作为气体供给空间43而构成。

而且，在上部电极4和上部电极基座41之间，在上部电极基座41侧沿横方向分散形成有凹部，利用该凹部，在上部电极4和上部电极基座41之间形成有处理气体的扩散空间44，该扩散空间44，通过形成于上部电极41的供给孔45与上述气体供给空间43连接。此外，在处理容器20的顶部，以与上述供给空间43连接的方式，设有处理气体供给通路46，该处理气体供给通路46的另一端侧与处理气体供给部47连接。

如此，当从处理气体供给部47通过气体供给空间43向扩散空间44供给处理气体时，该处理气体通过设置在上部电极4的气体供给孔48向上述基板S上的处理空间供给，由此进行对基板S的蚀刻处理。

另一方面，在容器本体21的底壁上连接有n(n为2以上的整数)个例如6～8个排气通路51，在该排气通路51的另一端侧分别连接有由例如真空泵构成的真空排气单元52。该排气通路51例如在容器本体21的底面沿着容器本体21的周方向而设置，在该例子中在容器本体21的四角形状的底面，一个边设置有2个排气通路51，如此处理容器20的底面与全部8个排气通路51连接。

此外，在上述n个排气通路51之中的k(1≤k≤n-1)个排气通路51上，作为半固定控制单元的闸阀GV与排气通路51对应设置，在设置有该闸阀GV的排气通路51以外的排气通路51上，作为常时可变控制单元的自动压力控制阀(以下称为“APC阀；压力控制阀”)AV与排气通路51对应设置。在图1中，用“闸阀GV”、“压力控制阀AV”来分别代表多个闸阀GV、压力控制阀AV。

在本例子中，例如图2所示，在8个排气通路51之中，与4个排气通路51对应设置压力控制阀AV1～AV4，与剩下的4个排气通路51对应设置闸阀GV1～GV4。这4个压力控制阀AV1～AV4、4个闸阀GV1～GV4，以例如在处理容器20的四角形状的底面，在与相互相对的一对边连接的排气通路51上设置相同种类的阀的方式安装。

接着，包括压力控制阀AV1～AV4、闸阀GV1～GV4，对与处理容器20的压力控制相关联的部分进行叙述。首先在处理容器20内，用于检测处理容器20内的压力的压力检测单元66设置在例如处理容器20的侧壁部。另外，该压力检测单元66可以设置在处理容器20的底壁，也可以设置在处理容器20的侧壁。

接着，使用图3对上述压力控制阀AV进行具体说明。该阀AV例如具备平面形状为大致椭圆状的中空的阀箱61，在该阀箱61的上面和下面，以分别相互相对的方式，形成有与上述排气通路51分别连接的开口部62a、62b。在阀箱61的内部，例如比上述开口部62b大的圆板状的阀台63，通过驱动臂64，在完全堵塞上述下方侧的开口部62b的位置(参照图4(c))，和该开口部62b的侧面的位置(参照图4(a))之间，移动自由地设置。图中65为上述驱动臂64的驱动机构。

此外，图中67为配置在压力控制阀AV的附近的控制器。该控制器67是基于上述压力检测单元66的检测值，和从后述的控制部8输入的与处理容器20的处理工艺对应的压力设定值的偏差，控制驱动机构65的驱动的单元。如此，利用控制器67通过驱动机构65控制驱动臂64的驱动，调整阀台63覆盖的开口部62b的面积，由此调整该阀AV的开度，结果调整设置有该压力控制阀AV的排气通路51的流导。因此，本发明的常时可变控制单元由压力控制阀AV和控制器67构成。

此外，上述闸阀GV，以将其开度固定在被选择的开度的方式构成。该闸阀GV例如如图5所示，例如具备平面形状为四角形状的中空的阀箱71，在该阀箱71的上面和下面，以分别相互相对的方式，形成有与上述排气通路51分别连接的开口部72a、72b。在阀箱71的内部，例如比上述开口部72b大的板状的阀台73，利用驱动机构75，通过驱动臂74，以在预先设定的多个地方的位置移动的方式设置。

在本例子中，阀台73与上述下方侧的开口部72b相邻，构成为能够在该开口部72b完全开口的全开位置(参照图6(a))，完全覆盖该开口部72b的全闭位置(参照图6(c))，以及上述全开位置和全闭位置之间的开度(以下称为“半开”)的位置(参照图6(b))的3个地方的位置移动，如此在该闸阀GV中，构成为其开度选择性地固定在全开、全闭、和半开的3个地方的位置。

在此当使闸阀GV的开度为全开时，排气通路51的流导最大，当使闸阀GV的开度为全闭时，排气通路51的流导最小，当使闸阀GV的开度为半开时，排气通路51的流导为最大和最小之间的值。此时，该闸阀GV的开度，通过预先实验，根据工艺压力和处理气体的流量，将闸阀GV1～GV4的每个设定为适当的开度，例如利用后述的控制部8，根据处理工艺选择其开度，并进行控制。

这样的压力控制阀AV以及闸阀GV，例如在设置8***的排气通路的情况下，优选将压力控制阀AV设定为4个左右，在设置6***的排气通路的情况下，优选将压力控制阀AV设定为4个左右。此外，能够适当选择设置压力控制阀AV和闸阀GV的地方。

此外，上述蚀刻处理装置以通过控制部8进行控制的方式构成。该控制部8例如由计算机构成，例如如图2所示，具备CPU81、程序82、存储器。在该程序82中编入有从控制部8向蚀刻处理装置的各部发送控制信号，进行规定的蚀刻处理的命令(各步骤)。该程序82储存在计算机存储介质例如软盘、光盘、硬盘、MO(磁光盘)等存储部，然后安装到控制部8中。

而且，该控制部8具备方案储存部83和数据存储部84。上述方案储存部83为储存与各种处理工艺对应的工艺方案的部位，例如在每个处理工艺，记载有处理气体的种类和处理气体的流量、处理容器20的压力设定值、处理温度等。在上述数据存储部84中对应存储有处理容器20的压力控制值和闸阀GV的开度。例如如图2所记载的那样，作成将处理气体流量和压力设定值设为参数，在压力设定值P1～P2、P2～P3、P3～P4的每一个中，闸阀GV1～GV4的开度，与各自的闸阀GV1～GV4的每一个对应记载的表格。

在此，在被选择的工艺方案中，在处理气体流量的差不是很大的情况下，作为参数仅使用压力设定值，能够根据压力设定值来决定闸阀GV的开度，但在处理气体流量的差大的情况下，优选将处理气体流量和压力设定值作为参数，根据它们来决定闸阀GV的开度。关于是否像这样将处理气体流量设为用于决定闸阀GV的开度的参数，能够根据工艺方案来设定。

此外，在上述程序82中包含有从上述数据存储部84读出与被指定的压力设定值对应的闸阀GV1～GV4的开度，输出闸阀GV1～GV4的控制信号的程序。即，该程序构成为：当选择规定的处理的工艺方案时，将该方案所记载的处理压力指定为压力设定值，从数据存储部84读出与该压力设定值对应的闸阀GV1～GV4的开度，向各闸阀GV1～GV4输出开度指令。在本例子中，通过如上述那样设定闸阀GV的开度，将排气通路51的流导设定为某个值，因此闸阀GV的开度与闸阀GV的设定信息相当。

接着，对本发明的蚀刻处理方法进行说明。首先利用控制部8，从方案储存部83选择目的的蚀刻处理的工艺方案。在控制部8中，基于该工艺方案，向蚀刻处理装置的各部输出控制信号，如此对被处理体进行规定的蚀刻处理。

具体而言，首先，将基板S搬入到处理容器20内，载置到载置部3上，关闭开闭器24。在该时刻，使闸阀GV和压力控制阀AV的开度为全开，使各真空排气单元52动作。接着，从处理气体供给部47向基板S喷出作为处理气体的蚀刻处理用的处理气体，同时从高频电源31向载置部3供给高频电力，另一方面，利用控制部8控制闸阀GV的开度，同时自动调整压力控制阀AV的开度，并且将处理容器20的内部空间减压至规定的压力。如此在基板S的上面的空间形成等离子体，从而进行对基板S的蚀刻处理。

此时，上述处理容器20的压力按照如下方式进行控制。即，读取在控制部8中被选择的工艺方案所记载的处理压力(压力设定值)和处理气体流量，从数据存储部84中读出与它们对应的闸阀GV1～GV4的开度，向各闸阀GV1～GV4输出开度指令，如此将这些闸阀GV1～GV4的开度固定在各自设定的位置。另一方面，从控制部8对压力控制阀AV1～AV4的各自的控制器67，输出该工艺方案所记载压力设定值，在各控制器67中基于该压力设定值和来自压力检测单元66的压力设定值对各自的压力控制阀AV1～AV4的开度进行调整，如此将处理容器20的内部空间在压力控制的状态下减压至规定的压力。

在这样的蚀刻处理装置2中，在4***的排气管路上设置有闸阀GV1～GV4，并且在剩余的4***的排气管路上设置有压力控制阀AV1～AV4，因此与在8***的排气管路上都设置压力控制阀AV的结构相比，如从后述的实施例知道的那样，就与闸阀GV的开度的组合对应的压力范围而言，压力控制阀AV的分辨率增大。

使用图7所示的模式图进行具体说明。该图是模式地表示使用2个压力控制阀AV进行处理容器的压力控制的情况，和使用1个压力控制阀AV和一个闸阀GV进行上述压力控制的情况的，各自的处理容器的压力变化的图。在该模式图中，横轴表示压力控制阀AV的开度，纵轴表示处理容器的压力。

首先在图7(a)中，实线为组合了1个压力控制阀AV和一个闸阀GV的情况，表示闸阀GV的开度固定在全闭的情况的压力曲线(压力曲线L1)，点划线表示使用2个压力控制阀AV的情况的压力曲线(压力曲线L2)。虽然描述了两压力曲线L1、L2同时急剧下降，接着倾斜度变小而平缓，接近水平那样的曲线，但是两者的倾斜度不同。即，因为闸阀GV的开度为全闭，所以压力曲线L1与压力曲线L2相比，在更高的压力范围内倾斜度变小，接近水平。如上所述，在压力曲线L的倾斜度小的压力范围内，相对于压力变化份的压力控制阀AV的开度的变化份增大，但在本例子中，如图所示，在与高的压力范围P1～P2对应的压力控制阀的开度范围内，组合闸阀GV和压力控制阀AV的结构的开度范围B1与仅使用压力控制阀AV的结构的开度范围B2相比变得宽广。

此外，在图7(b)中，实线为组合了1个压力控制阀AV和一个闸阀GV的情况，表示闸阀GV的开度固定在全开的情况的压力曲线(压力曲线L3)，点划线表示使用2个压力控制阀AV的情况的压力曲线(压力曲线L2)，但在这种情况下，因为闸阀GV的开度为全开，所以压力曲线L3与压力曲线L2相比，在更低的压力范围内倾斜度变小，接近水平。因而，在与该低的压力范围P3～P4对应的压力控制阀的开度范围内，如图所示，组合闸阀GV和压力控制阀AV的结构的开度范围B3与仅使用压力控制阀AV的结构的开度范围B2相比变得宽广。

如此，使用闸阀GV和压力控制阀AV的组合，根据闸阀GV的开度的组合，能够调整压力曲线的形状。此时，在压力曲线的倾斜度更平缓的压力范围内，相对于压力的变化份的压力控制阀AV的开度的变化份增大，因此即该压力控制阀AV的分辨率增高，能够抑制处理容器20内的压力变动，能够进行精度良好的压力控制。因此，即使是在1台蚀刻处理装置中进行各种处理工艺的情况，通过根据各种的处理工艺压力，选择闸阀GV的开度的组合，能够增大压力控制阀AV的分辨率，由此能够进行精度良好的压力调整，能够实施良好的处理。

此外，因为闸阀GV比压力控制阀AV廉价，所以与仅使用压力控制阀AV的情况相比，组合使用压力控制阀AV和闸阀GV的情况，能够降低整体的部件成本，能够抑制组合有这些部件的装置的装置成本的高涨。此时，闸阀GV的个数越多，越能够实现部件成本的降低。

【实施例】

以下对为了确认本发明的效果而进行的实施例进行说明。在以下的实验中，在图1所示的蚀刻处理装置中，使用在处理容器2上连接有6个排气通路51的装置进行实验。

(实施例1)

在上述排气通路51中的2个上分别设置压力控制阀，并且在其它的4个排气通路51上分别设置闸阀GV，将闸阀GV的开度设为全闭，利用真空排气单元52对处理容器20进行排气，求得此时的处理容器20内的压力和压力控制阀AV的开度的关系。在图8中用▲的数据表示该结果。图中的横轴表示压力控制阀AV的开度，纵轴表示处理容器的压力，此时的2个压力控制阀AV的开度相同。

(比较例1)

在上述6个排气通路51的每一个上都分别设置压力控制阀AV，利用真空排气单元52对处理容器20进行排气，求得此时的处理容器20内的压力和压力控制阀AV的开度的关系。在图8中用◆的数据表示该结果。此时的压力控制阀AV的开度6个都相同。

结果，在处理容器的压力为5.32Pa(40mTorr)～13.3Pa(100mTorr)的情况下，认为相对于在实施例1中压力控制阀AV的开度C1为11.1～35.0％，在比较例1中压力控制阀AV的开度C2为9.2～12.0％，在上述5.32Pa(40mTorr)～13.3Pa(100mTorr)的压力范围内，如实施例1那样，可知组合设置压力控制阀AV和闸阀GV的结构，压力控制阀AV的分辨率增大，能够进行更细微的压力调整，能够进行高精度的压力调整。

在以上的本发明中，也可以使压力检测单元66与每一个压力控制阀AV相对对应而设置，基于对应的压力检测单元66的检测值和压力设定值自动调整压力控制阀AV的开度。进一步，也可以不在每一个压力控制阀AV上设置控制压力控制阀AV的驱动机构65的控制器67，而准备共通的控制器，利用一台控制器对多个压力控制阀AV的开度进行调整。

进一步在本发明中，半固定控制单元也可以构成为在全开和全闭之间选择排气通路的开度。此外，也可以将设置半固定控制单元的排气通路以具有多个流路的方式相对流路大致水平地分割设置，上述半固定控制单元选择将上述排气通路的多个流路的全部或几个打开，或将全部关闭，将上述排气通路的流导固定在被选择的值。

此外，本发明的真空处理装置不仅能够适用于蚀刻处理，而且能够适用于进行灰化和CVD等其它的真空处理。此外，真空处理并不是一定限定于等离子体处理，可以是其它的气体处理，也可以是气体处理以外的真空处理。此外，作为被处理体除了FPD基板之外，也可以是半导体基板。

Claims (7)

1.一种真空处理装置，其特征在于，包括：

在内部对被处理体进行真空处理的处理容器；

一端侧与该处理容器连接，用于对该处理容器的内部进行真空排气的n个排气通路，其中，n为2以上的整数；

与这些排气通路的另一端侧连接的真空排气单元；

用于检测所述处理容器内的压力的压力检测单元；

与所述n个排气通路之中的k个排气通路对应设置的、将排气通路的流导固定在被选择的值的半固定控制单元，其中，1≤k≤n-1；和

与设置有该半固定控制单元的排气通路以外的排气通路对应设置的、基于所述压力检测单元的检测值和压力设定值，自动控制排气通路的流导的常时可变控制单元。

2.如权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，包括：

将处理容器的所述压力设定值和所述半固定控制单元的设定信息对应进行存储的存储部；和

从所述存储部读出与被指定的压力设定值对应的所述设定信息，向所述半固定控制单元输出控制信号的单元。

3.如权利要求2所述的真空处理装置，其特征在于：

在所述存储部中，所述压力设定值和所述设定信息，与所述半固定控制单元的每一个对应进行存储。

4.如权利要求2或3所述的真空处理装置，其特征在于：

所述半固定控制单元包括以能够将所述排气通路的流导选择为最大和最小中的任一个的方式构成的阀，所述设定信息为该阀的开度。

5.如权利要求2或3所述的真空处理装置，其特征在于：

所述半固定控制单元包括以能够将所述排气通路的流导选择为最大、最小、和最大与最小之间的值中的任一个的方式构成的阀，所述设定信息为该阀的开度。

6.一种真空处理方法，其是在通过n个排气通路与真空排气单元连接的处理容器的内部，对被处理体进行真空处理的真空处理方法，其中，n为2以上的整数，其特征在于，包括：

将被处理体搬入到所述处理容器内部的工序；

将与所述n个排气通路之中的k个排气通路对应设置的、用于将排气通路的流导固定在被选择的值的半固定控制单元的开度固定在某个位置的工序，其中，1≤k≤n-1；

利用在设置有所述半固定控制单元的排气通路以外的排气通路上设置的、勇于基于处理容器内的压力检测值和压力设定值而自动控制排气通路的流导的常时可变控制单元，调整所述排气通路的流导，并且对在内部保持有被处理体的处理容器进行真空排气的工序；和

在已被真空排气的处理容器的内部，对被处理体进行真空处理的工序。

7.一种存储介质，储存有对被处理体进行真空处理的真空处理装置所使用的计算机程序，其特征在于：

所述程序以执行权利要求6所述的真空处理方法的方式组合步骤组。

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