CN101326214B

CN101326214B - 高分子化合物及使用该化合物的高分子发光元件

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Publication number: CN101326214B
Application number: CN2006800463914A
Authority: CN
Inventors: 野口公信; 铃木智之
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2005-10-07
Filing date: 2006-10-05
Publication date: 2011-10-05
Anticipated expiration: 2026-10-05
Also published as: TW200724558A; GB0808121D0; DE112006002642T5; CN101326214A; KR20080051163A; GB2452359A; WO2007043439A1; GB2452359B

Abstract

本发明提供一种作为取代基具有吩噁嗪结构或吩噻嗪结构的共轭高分子化合物。

Description

高分子化合物及使用该化合物的高分子发光元件

技术领域

本发明涉及高分子化合物以及使用它的高分子发光元件(以下称为高分子LED)。

背景技术

高分子量的发光材料与低分子量的发光材料不同，其可溶于溶剂，可采用涂布法来形成发光元件中的发光层，从这一点对高分子量的发光材料进行着各种研究，作为其例，已知有具有2种主链含有芳香环的重复单元，作为末端基具有芳基即苯基(式量77)的高分子化合物(参照专利文献1、专利文献2及专利文献3)。

另外，作为主链的重复单元，已知有含有吩噁嗪-二基或吩噻嗪-二基的高分子化合物(参照专利文献4及专利文献5)。

但是，上述的高分子化合物，在作为高分子LED发光层的发光材料时，荧光强度、耐久性等特性在实用上还不充分，作为高分子LED发光层的发光材料，要求显示出更出色的特性的高分子化合物。

专利文献1：国际公开第99/54385号小册子

专利文献2：国际公开第01/49769号小册子

专利文献3：美国专利第5777070号说明书

专利文献4：美国专利第2004-72989号说明书

专利文献5：日本专利特开2004-137456号公报

发明内容

本发明的目的在于，提供一种作为高分子LED发光层的发光材料显示出出色的特性的高分子化合物。

本发明人等为了解决上述课题而进行了研究，结果发现，一种具有从由下述式(1)所示的重复单元构成的组中选择的一种以上重复单元的高分子化合物，其中，具有从由下述式(2)或(3)所示的1价基团构成的组中选择的基团作为取代基的高分子化合物显示很强的荧光强度，作为高分子LED发光层的发光材料显示出色的特性，以至完成了本发明。

本发明的高分子化合物作为发光材料显示出色的特性。使用该高分子化合物的高分子发光元件为高性能，可以作为背光灯的面状光源、平版显示器等装置使用。另外，本发明的高分子化合物可用作激光用色素、有机太阳电池用材料、有机晶体管用有机半导体、导电性薄膜用材料。

具体实施方式

本发明的高分子化合物含有一种以上下述式(1)所示的重复单元。

即，本发明涉及如下上述的高分子化合物，其具有从由下述式(1)所示的重复单元构成的组中选择的一种以上重复单元的高分子化合物，其特征在于，作为取代基具有从由下述式(2)或(3)所示的1价基团构成的组中选择的基团。

-Ar₁-(Z’)p- (1)

(在此，Ar₁表示亚芳基、2价杂环基或2价芳香族胺基。Z’表示-CR₄＝CR₅-或-C≡C-。R₄及R₅分别独立地表示氢原子、烷基、芳基、1价杂环基或氰基。P表示0或1。)

[化1]

(式中，A₁表示-O-、-S-或-C(O)-，Ar⁰¹表示直接结合、亚芳基、2价杂环基或2价芳香族胺基，R⁰⁵及R⁰⁷分别独立地表示直接结合、-R₁-、-O-R₁-、-R₁-O-、-R₁-C(O)O-、-R₁-OC(O)-、-R₁-N(R₂₀)-、-O-、-S-、-C(O)O-或-C(O)-，R₁表示亚烷基或亚烯基，R₂₀表示氢原子、烷基、芳基、1价杂环基或氰基。其中，Ar⁰¹为直接结合时，R⁰⁷也是直接结合。R⁰¹及R⁰²分别独立地表示取代基。a及b分别独立地表示0至4的整数，多个R⁰¹及R⁰²可相同，也可不同。)

[化2]

(式中，B₁表示-O-、-S-或-C(O)-，Ar⁰²表示氢原子、芳基、1价杂环基或1价芳香族胺基，Ar⁰³表示直接结合、亚芳基、2价杂环基或2价芳香族胺基，R⁰⁶、R⁰⁸及R⁰⁹分别独立地表示直接结合、-R₁-、-O-R₁-、-R₁-O-、-R₁-C(O)O-、-R₁-OC(O)-、-R₁-N(R₂₀)-、-O-、-S-、-C(O)O-或-C(O)-，R₁表示亚烷基或亚烯基，R₂₀表示氢原子、烷基、芳基、1价杂环基或氰基。其中，Ar⁰³为直接结合时，R⁰⁹也是直接结合。R⁰³及R⁰⁴分别独立地表示取代基。c为0至4的整数，d为0至3的整数。多个R⁰³及R⁰⁴可相同，也可不同。)

本发明的高分子化合物含有一种以上上述式(1)所示的重复单元。

在上述式(1)中，Ar₁表示亚芳基、2价杂环基或2价芳香族胺基。在此，Ar₁除了上述式(2)所示的基团、上述式(3)所示的基团之外，还可以具有烷基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烯基、芳基炔基、芳基氨基、1价杂环基或氰基等取代基。在Ar₁具有多个取代基的情况下，它们可相同或分别不同。

在上述式(1)中，亚芳基是指从芳香烃去除2个氢原子后残留的原子团，碳数通常为6～60左右。碳数中不包含取代基的碳数。这里的芳香烃包括持有缩合环的结构、独立的苯环、或2个以上缩合环直接或隔着亚乙烯基等基团结合的结构。

作为亚芳基可例示亚苯基(例如下述式1～3)、萘二基(下述式4～13)、亚蒽基(下述式14～19)、亚联苯基(下述式20～25)、三亚苯基(下述式26～28)、稠环化合物基团(下述式29～38)、1，2-二苯乙烯-二基(下述式A～D)，二1，2-二苯乙烯-二基(下述式E及F)、苯并芴-二基(下述式G、H、I及K)等。

[化3]

[化4]

[化5]

[化6]

[化7]

[化8]

其中，优选亚苯基(例如上述式1～3)、萘二基(上述式4～13)、亚蒽基(上述式14～19)、亚联苯基(上述式20～25)、三亚苯基(上述式26～28)、稠环化合物基团(上述式29～38)、1，2-二苯乙烯-二基(上述式A～D)，二1，2-二苯乙烯-二基(上述式E及F)、苯并芴-二基(上述式G、H、I及K)。

在上述式1～38、A～I及K中，R表示上述式(2)所示的基团、上述式(3)所示的基团、氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烯基、芳基炔基、芳基氨基、1价杂环基或氰基。上述例中，具有多个R，它们可相同或不同。R中至少一个为上述式(2)所示的基团或上述式(3)所示的基团。其中，不限在高分子主链的分子链末端具有上述式(2)所示的基团、上述式(3)所示的基团的情况。

这里，作为烷基，可以是直链、支链或者环状中的任一种，碳数通常为1～20左右，具体地，可列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、环己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3，7-二甲基辛基、月桂基等，优选戊基、己基、辛基、2-乙基己基、癸基、3，7-二甲基辛基。

烷氧基可以是直链、支链或者环状中的任一种，碳数通常为1～20左右，具体地，可列举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、月桂氧基等，优选戊氧基、己氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基。

烷硫基可以是直链、支链或者环状中的任一种，碳数通常为1～20左右，具体地，可列举出甲硫基、乙硫基、丙硫基、异丙硫基、丁硫基、异丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、己硫基、环己硫基、庚硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3，7-二甲基辛硫基、月桂硫基等，优选戊硫基、己硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、癸硫基、3，7-二甲基辛硫基。

烷基甲硅烷基可以是直链、支链或者环状中的任一种，碳数通常为1～60左右，具体地，可列举甲基甲硅烷基、乙基甲硅烷基、丙基甲硅烷基、异丙基甲硅烷基、丁基甲硅烷基、异丁基甲硅烷基、叔丁基甲硅烷基、戊基甲硅烷基、己基甲硅烷基、庚基甲硅烷基、辛基甲硅烷基、2-乙基己基甲硅烷基、壬基甲硅烷基、癸基甲硅烷基、3，7-二甲基辛基甲硅烷基、月桂基甲硅烷基、三甲基甲硅烷基、乙基二甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、异丙基二甲基甲硅烷基、丁基二甲基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、戊基二甲基甲硅烷基、己基二甲基甲硅烷基、庚基二甲基甲硅烷基、辛基二甲基甲硅烷基、2-乙基己基-二甲基甲硅烷基、壬基二甲基甲硅烷基、癸基二甲基甲硅烷基、3，7-二甲基辛基-二甲基甲硅烷基、月桂基二甲基甲硅烷基等，优选戊基甲硅烷基、己基甲硅烷基、辛基甲硅烷基、2-乙基己基甲硅烷基、癸基甲硅烷基、3，7-二甲基辛基甲硅烷基、戊基二甲基甲硅烷基、己基二甲基甲硅烷基、辛基二甲基甲硅烷基、2-乙基己基-二甲基甲硅烷基、癸基二甲基甲硅烷基、3，7-二甲基辛基-二甲基甲硅烷基。

烷基氨基可以是直链、支链或者环状中的任一种，可为单烷基氨基也可为二烷基氨基，碳数通常为1～40左右，具体地，可列举甲基氨基、二甲基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、丙基氨基、异丙基氨基、丁基氨基、异丁基氨基、叔丁基氨基、戊基氨基、己基氨基、环己基氨基、庚基氨基、辛基氨基、2-乙基己基氨基、壬基氨基、癸基氨基、3，7-二甲基辛基氨基、月桂基氨基等，优选戊基氨基、己基氨基、辛基氨基、2-乙基己基氨基、癸基氨基、3，7-二甲基辛基氨基。

芳基的碳数通常为6～60左右，具体地，可以例示苯基、C₁～C₁₂烷氧基苯基(C₁～C₁₂表示碳数为1～12。以下也相同。)、C₁～C₁₂烷基苯基、1-萘基、2-萘基等，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基、C₁～C₁₂烷基苯基。

芳氧基，碳数通常为6～60左右，具体地，可以例示苯氧基、C₁～C₁₂烷氧基苯氧基、C₁～C₁₂烷基苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基等，优选C₁～C₁₂烷氧基苯氧基、C₁～C₁₂烷基苯氧基。

芳烷基的碳数通常为7～60左右，具体地，可以例示苯基-C₁～C₁₂烷基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基、1-萘基-C₁～C₁₂烷基、2-萘基-C₁～C₁₂烷基等，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基。

芳基烷氧基的碳数通常为7～60左右，具体地，可以例示苯基-C₁～C₁₂烷氧基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷氧基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷氧基、1-萘基-C₁～C₁₂烷氧基、2-萘基-C₁～C₁₂烷氧基等，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷氧基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷氧基。

芳基烯基的碳数通常为8～60左右，具体地，可以例示苯基-C₂～C₁₂烯基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂烯基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂烯基、1-萘基-C₂～C₁₂烯基、2-萘基-C₂～C₁₂烯基等，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂烯基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂烯基。

作为芳基炔基，碳数通常为8～60左右，具体地，可以例示苯基-C₂～C₁₂炔基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂炔基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂炔基、1-萘基-C₂～C₁₂炔基、2-萘基-C₂～C₁₂炔基等，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂炔基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂炔基。

芳基氨基的碳数通常为6～60左右，具体地，可以例示苯基氨基、二苯基氨基、C₁～C₁₂烷氧基苯基氨基、二(C₁～C₁₂烷氧基苯基)氨基、二(C₁～C₁₂烷基苯基)氨基、1-萘基氨基、2-萘基氨基等，优选C₁～C₁₂烷基苯基氨基、二(C₁～C₁₂烷基苯基)氨基。

1价杂环基是指从杂环化合物除去1个氢原子后残余的原子团，碳原子数通常为4～60左右，具体地，可以例示噻嗯基、C₁～C₁₂烷基噻嗯基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、C₁～C₁₂烷基吡啶基等，优选噻嗯基、C₁～C₁₂烷基噻嗯基、吡啶基、C₁～C₁₂烷基吡啶基。

在上述取代基为含有烷基链的基团的情况下，该烷基链可以被杂原子或含有杂原子的基团中断。这里，作为杂原子可例示氧原子、硫原子、氮原子等。作为杂原子或含有杂原子的基团例如可以举出以下基团。

[化9]

在此，作为R’例如可以举出氧原子、碳数1～20的烷基、碳数6～60的芳基、碳数4～60的1价杂环基。

在上述式(1)中，2价杂环基是指从杂环化合物中除去2个氢原子后残留的原子团，碳数通常为4～60左右。碳数不包含取代基的碳数。

此处，杂环化合物是指在具有环式结构的有机化合物中，构成环的元素不仅是碳原子，而且在环内还含有氧、硫、氮、磷、硼等杂原子的化合物。例如可列举以下物质。

含有作为杂原子的氮的基团；吡啶-二基(下述式39～44)、二氮杂亚苯基(下述式45～48)、喹啉二基(下述式49～63)、喹喔啉二基(下述式64～68)、吖啶二基(下述式69～72)、联吡啶二基(下述式73～75)、菲咯啉二基(下述式76～78)等。

含有作为杂原子的硅、氮、氧、硫、硒等、且具有芴结构的基团(下述式79～93)。

含有作为杂原子的硅、氮、氧、硫、硒等的5元环杂环基(下述式94～98)。

含有作为杂原子的硅、氮、氧、硫、硒等的5元稠环杂环基(下述式99～108)。

含有作为杂原子的硫等的5元环杂环基、且在该杂原子的α位上键合而成为二聚体或低聚物的基团(下述式109～110)。

含有作为杂原子的硅、氮、氧、硫、硒等的5元环杂环基、且在该杂原子的α位上键合苯基的基团(下述式111～117)。

[化10]

[化11]

[化12]

[化13]

[化14]

[化15]

[化16]

[化17]

[化18]

其中，优选二苯并呋喃-二基(上述式85～87)、二苯并噻吩-二基(上述式88～90)等。

上述式39～117中，R表示与上述相同的含义。

上述式(1)中，2价芳香族胺基是指从芳香族胺去除2个氢原子后残留的原子团，碳数通常为4～60左右，碳数中不包含取代基的碳数。作为2价芳香族胺基团可以举出下述通式(50)所示的基团。

-Ar₆-N(Ar₅)-Ar₇- (50)

式中，Ar₆及Ar₇分别独立地为可具有取代基的亚芳基、下述通式(4)所示的基团或下述通式(5)所示的基团。Ar₅表示可具有取代基的芳基、下述通式(6)所示的基团或下述通式(7)所示的基团。另外，还可以在Ar₆和Ar₅之间、Ar₅和Ar₆之间或Ar₆和Ar₇之间形成环。

[化19]

式中，Ar₈及Ar₉分别独立地表示可具有取代基的亚芳基。R₇及R₈分别独立地表示氢原子、烷基、芳基、1价杂环基或氰基。1是0或1。

[化20]

式中，Ar₁₀及Ar₁₁分别独立地表示可具有取代基的亚芳基。Ar₁₂为可具有取代基的芳基。另外，还可以在Ar₁₀和Ar₁₂之间、Ar₁₀和Ar₁₁之间或Ar₁₁和Ar₁₂之间形成环。

[化21]

式中，Ar₁₃表示可具有取代基的亚芳基。Ar₁₆及Ar₁₇分别独立地为可具有取代基的芳基。另外，还可以在Ar₁₃和Ar₁₆之间、Ar₁₃和Ar₁₇之间或Ar₁₆和Ar₁₇之间形成环。

[化22]

式中，Ar₁₄表示可具有取代基的亚芳基。Ar₁₅表示可具有取代基的芳基。R₁₁及R₁₂分别独立地表示氢原子、烷基、芳基、1价杂环基或氰基。R是0或1。

上述式(4)的Ar₈及Ar₉、式(5)的Ar₁₀及Ar₁₁、式(6)的Ar₁₃及式(7)的Ar₁₄可具有烷基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烯基、芳基炔基、芳基氨基、1价杂环基、氰基等取代基。

另外，上述式(50)的Ar₅、上述式(5)的Ar₁₂、上述式(6)的Ar₁₆和Ar₁₇、及上述式(7)的Ar₁₅可具有烷基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烯基、芳基炔基、芳基氨基、1价杂环基、氰基等取代基。

作为2价芳香族胺基，具体可以例示以下基团。

[化23]

在上述式118～122中，R表示与上述相同的含义。

在本发明的高分子化合物中，从高分子化合物的荧光强度或耐热性的观点出发，优选亚芳基为下述通式(1-1)、(1-2)所示的基团，(1-3)、(1-4)所示的基团。

[化24]

[式中，R_p1、R_q1、R_p2、R_q2、R_p3、R_q3、R_p4及R_q4分别独立地表示上述式(2)所示的基团、上述式(3)所示的基团、烷基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烯基、芳基炔基、芳基氨基、1价杂环基或氰基。a是0～3的整数，b是0～5的整数。在R_p1、R_q1、R_p2、R_q2、R_p3、R_q3、R_p4及R_q4为多个的情况下，它们可相同或不同。R_w1、R_x1、R_w2、R_x2、R_w3、R_x3、R_w4及R_x4分别独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烯基、芳基炔基、芳基氨基、1价杂环基或氰基，R_w1和R_x1、R_w2和R_x2、R_w3和R_x3、R_w4和R_x4可分别彼此结合形成环。]

在上述式(1-1)、(1-2)、(1-3)及(1-4)中，从在有机溶剂中的溶解性、元件特性、容易合成高分子化合物或荧光强度等观点出发，优选R_p1、R_q1、R_p2、R_q2、R_p3、R_q3、R_p4及R_q4为上述式(2)所示的基团、上述式(3)所示的基团、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基。更优选烷基、烷氧基、芳基。

在上述式(1-1)、(1-2)、(1-3)及(1-4)中，从在有机溶剂中的溶解性、元件特性、容易合成高分子化合物或荧光强度等观点出发，作为R_w1、R_x1、R_w2、R_x2、R_w3、R_x3、R_w4及R_x4优选为烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基，更优选烷基、芳基。

作为烷基、烷氧基、芳基，更具体而言，可以例示甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基、环己基、庚基、环己基甲基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3，7-二甲基辛基、月桂基、三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基等碳数通常为1～20左右的直链、支链或环状的烷基，甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、环己基甲基氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、月桂氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己基、全氟辛基、甲氧基甲基氧基、2-甲氧基乙基氧基等碳数通常为1～20左右的烷氧基，苯基、C₁～C₁₂烷氧基苯基、C₁～C₁₂烷基苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、五氟苯基等碳数通常为6～60的左右的芳基等。

在此，作为C₁～C₁₂烷氧基，具体而言，可以例示甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、月桂氧基等，作为C₁～C₁₂烷基苯基，具体而言，可以例示甲基苯基、乙基苯基、二甲基苯基、丙基苯基、

基、甲基乙基苯基、异丙基苯基、丁基苯基、异丁基苯基、叔丁基苯基、戊基苯基、异戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基、十二烷基苯基等。

对于上述式(1-1)、(1-2)、(1-3)及(1-4)所示的具体例而言，作为R_w1和R_x1、R_w2和R_x2、R_w3和R_x3、R_w4和R_x4分别彼此结合形成环而成的化合物，分别可例示下述式组(1-1-2)、(1-2-2)、(1-3-2)及(1-4-2)。这些结构还可以具有取代基。

[化25]

[化26]

[化27]

[化28]

在上述式(1-1)及(1-2)中，从高分子量化的观点及提高耐热性的观点出发，优选a＝b＝0。

在本发明的高分子化合物中，从容易合成单体的角度出发，优选含有式(1-1)、(1-3)、(1-4)所示的基团的化合物，进而优选式(1-1)。

从提高已合成的高分子化合物在有机溶剂中的溶解性的观点和耐热性的平衡出发，R_w1、R_x1优选为烷基，更优选碳数3以上的烷基，更优选7以上，进而优选8以上。最优选为正辛基，是下述式(80)所示的结构。

[化29]

另外，从容易合成高分子化合物或荧光强度的观点出发，2价杂环基特别优选为下述式(70)所示的基团。

[化30]

[式中，C环及D环分别独立地表示芳香环。C环及D环还可以具有从由上述式(2)所示的基团、上述式(3)所示的基团、烷基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烯基、芳基炔基、芳基氨基、1价杂环基及氰基构成的组中选择的取代基。在存在多个取代基的情况下，它们可相同或不同。E是O或S。]

作为上述式(70)所示的基团，例如可举出由下述式(2a)～(2d)的任一个表示的基团。

[化31]

(式中，X表示O或S，R^a表示取代基，m独立地表示0～5的整数，n独立地表示0～3的整数。在存在多个R^a的情况下，它们可相同或不同。)

R^a所示的取代基与作为上述R所示的取代基而进行说明、例示的取代基相同。另外，从高分子化合物的溶解性的角度出发，m优选为1～3的整数，n优选为1或2。

从容易合成高分子化合物或荧光强度的观点出发，上述式(2a)所示的基团优选为下述式(2E)所示的基团。

[化32]

[式中，Y表示O或S。R^j及R^k分别独立地表示上述式(2)所示的基团、上述式(3)所示的基团、氢原子、烷基、烷氧基或芳基。]

上述式(2E)中，从容易合成高分子化合物的观点出发，R^j及R^k优选为相同的基团(即。双方均为氢原子、烷基、烷氧基或芳基)，优选烷氧基。R^j及R^k所示的烷基、芳基与作为上述R所示的取代基而进行说明、例示的取代基相同。另外，从高分子化合物的溶解性或荧光强度的角度出发，作为R^j及R^k所示的烷氧基，优选为丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、月桂氧基，进而优选为戊氧基、己氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基。

作为上述式(70)所示的重复单元，例如可举出如下上述化合物：

[化33]

(式中，R分别独立地表示氢原子、上述式(2)所示的基团、上述式(3)所示的基团、烷基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烯基、芳基炔基、芳基氨基、1价杂环基或氰基。)，从高分子化合物的耐热性或高分子量化的观点出发，优选如下上述化合物：

[化34]

(式中，R具有与上述相同的含义。)。

上述式中，虽在一个结构式中具有多个R，但它们可相同或不同。上述式中，R所示的基团与作为上述R所示的取代基而进行说明、例示的基团相同。

在上述式(1)中，Z’表示-C(R₄)＝C(R₅)-或-C≡C-。R₄、R₅分别独立地为氢原子、烷基、芳基、1价杂环基或氰基。从稳定性的观点出发优选-C(R₄)＝C(R₅)-。

Z’作为-C(R₄)＝C(R₅)-即重复单元，优选下述式128～135所示的基团。

[化35]

在此，R表示与上述相同的含义。

p是0或1。从光氧化稳定性的观点出发，p优选为0。

在上述式(2)中，A₁表示-O-、-S-或-C(O)-。

在上述式(2)中，Ar⁰¹表示直接结合、亚芳基、2价杂环基或2价芳香族胺基。亚芳基、2价杂环基或2价芳香族胺基表示与上述相同的含义。

在上述式(2)中，R⁰⁵表示直接结合、-R₁-、*-O-R₁-、*-R₁-O-、*-R₁-C(O)O-、*-R₁-OC(O)-、*-R₁-N(R₂₀)-、-O-、-S-、*-C(O)O-或-C(O)-(其中，*标记表示在*标记侧与Ar⁰¹结合。)，R⁰⁷表示直接结合、-R₁-、-O-R₁-*、-R₁-O-*、-R₁-C(O)O-*、-R₁-OC(O)-*、-R₁-N(R₂₀)-*、-O-、-S-、-C(O)O-*或-C(O)-(其中，*标记表示在*标记侧与Ar⁰¹结合。)，R₁表示亚烷基或亚烯基。R₂₀表示氢原子、烷基、芳基、1价杂环基或氰基。从容易合成或稳定性的观点出发，R⁰⁵优选直接结合、-R₁-、*-O-R₁-，R⁰⁷优选直接结合、-R₁-、-O-R₁-*。

在上述式(2)中，R⁰¹及R⁰²分别独立地表示取代基。作为取代基，表示烷基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烯基、芳基炔基、芳基氨基、1价杂环基或氰基。

a及b分别独立地为0至4的整数，多个R⁰¹及R⁰²可相同或不同。

作为上述式(2)所示的基团，具体可例示以下基团。

[化36]

[化37]

在此，R表示与R⁰¹相同的含义。R₁表示与上述相同的含义。

在上述式(3)中，B₁表示-O-、-S-或-C(O)-。

在上述式(3)中，Ar⁰²表示氢原子、芳基、1价杂环基或1价芳香族胺基。

在此，作为芳基，碳数通常为6～60左右，具体而言，可例示苯基、C₁～C₁₂烷氧基苯基(C₁～C₁₂表示碳数为1～12。以下也同样)、C₁～C₁₂烷基苯基、1-萘基、2-萘基等，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基、C₁～C₁₂烷基苯基。

1价杂环基是指从杂环化合物去除1个氢原子后残留的原子团，碳数通常为2～60左右。

作为1价杂环基，例如可以举出以下基团。

含有作为杂原子的氮的1价杂环基；吡啶基、二氮杂苯基、喹啉基、喹喔啉基、吖啶基、联二吡啶、菲咯啉-基等。

含有作为杂原子的硅、氮、硫、硒、氧等、且具有芴结构的基团(具有上述式79～93所示的环的基团)。

含有作为杂原子的硅、氮、硫、硒、氧等的5元环杂环基(具有上述式94～98所示的环的基团)。

含有作为杂原子的硅、氮、硫、硒、氧等的5元稠环杂环基(具有上述式99～108所示的环的基团)。

含有作为杂原子的硫等的5元环杂环基、且在该杂原子的α位上键合而成为二聚体或低聚物的基团(具有上述式109～110所示的环的基团)。

含有作为杂原子的硅、氮、硫、硒、氧等的5元环杂环基、且在该杂原子的α位上键合苯基的基团(具有上述式111～117所示的环的基团)。

1价芳香族胺基是指从芳香族胺去除1个氢原子后残留的原子团，碳数通常为4～60左右。碳数中不包含取代基的碳数。作为1价芳香族胺基可以例示下述式123～127所示的基团。

[化38]

在此，R表示与R⁰¹相同的含义。

在上述式(3)中，R⁰⁶表示直接结合、-R₁-、-O-R₁-*、-R₁-O-*、-R₁-C(O)O-*、-R₁-OC(O)-*、-R₁-N(R₂₀)-*、-O-、-S-、-C(O)O-*或-C(O)-(其中，*标记表示在*标记侧与Ar⁰²结合。)，R₁表示亚烷基或亚烯基。R₂₀表示氢原子、烷基、芳基、1价杂环基或氰基。从容易合成或稳定性的观点出发，R⁰⁶优选直接结合、-R₁-、-O-R₁-*。

R⁰⁸表示直接结合、-R₁-、*-O-R₁-、*-R₁-O-、*-R₁-C(O)O-、*-R₁-OC(O)-、*-R₁-N(R₂₀)-、-O-、-S-、*-C(O)O-或-C(O)-(其中，*标记表示在*标记侧与Ar⁰³结合。)，R⁰⁹表示直接结合、-R₁-、-O-R₁-*、-R₁-O-*、-R₁-C(O)O-*、-R₁-OC(O)-*、-R₁-N(R₂₀)-*、-O-、-S-、-C(O)O-*或-C(O)-(其中，*标记表示在*标记侧与Ar⁰³结合。)，R₁表示亚烷基或亚烯基。R₂₀表示氢原子、烷基、芳基、1价杂环基或氰基。从容易合成或稳定性的观点出发，R⁰⁸优选直接结合、-R₁-、*-O-R₁-，R⁰⁹优选直接结合、-R₁-、-O-R₁-*。

R⁰³及R⁰⁴分别独立地表示取代基。作为取代基为烷基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烯基、芳基炔基、芳基氨基、1价杂环基或氰基。

c为0至4的整数，d为0至3的整数。多个R⁰³及R⁰⁴可相同或不同。

作为上述式(3)所示的基团，具体可例示以下基团。

[化39]

[化40]

[化41]

[化42]

[化43]

在此，R表示与R⁰³相同的含义。R₁表示与上述相同的含义。

在本发明的高分子化合物中，从溶解性或荧光强度的观点出发，进而优选包含下述式(30)所示的重复单元的化合物。

-Ar₄-(Z)_t- (30)

上述式(30)中的Ar₄为亚芳基、2价杂环基或2价芳香族胺基。作为Ar₄，可以例示与Ar₁相同的基团。其中，Ar₄不包含上述式(2)所示的基团、上述式(3)所示的基团。

上述式(30)中，Z表示-CR₇＝CR₈-或-C≡C-。R₇及R₈分别独立地表示氢原子、烷基、芳基、1价杂环基或氰基。t表示0或1。从稳定性的观点出发优选-CR₇＝CR₈-。从光氧化稳定性的观点出发，更优选t为0。

作为式(30)所示的重复单元，具体而言，可以举出上述式1至117、上述式A至F、上述式118～122及上述式128～133中所述的结构的重复单元。其中优选亚苯基(例如，上述式1～3)、萘二基(上述式4～13)、亚蒽基(上述式14～19)、亚联苯基(上述式20～25)、亚三联苯基(上述式26～28)、稠环化合物基团(上述式29～38)、二苯并呋喃-二基(上述式85～87)、二苯并噻吩-二基(上述式88～90)、1，2-二苯乙烯-二基、二1，2-二苯乙烯-二基、2价芳香族胺基(上述式118～119及122)亚芳基亚乙烯基(下述式128～133)、苯并芴-二基(上述式G、H、I及K)等，其中优选亚苯基、亚联苯基、芴-二基(上述式36～38)、二苯并呋喃-二基(上述式85～87)、二苯并噻吩-二基(上述式88～90)、1，2-二苯乙烯-二基、二1，2-二苯乙烯-二基、苯并芴-二基(上述式G、H、I及K)、2价芳香族胺基。

[化44]

在此，R表示与所述相同的含义。其中，不包含上述式(2)所示的基团、上述式(3)所示的基团。

本发明的高分子化合物可以是作为构成其主链的上述式(1)的Ar₁、其亚芳基、2价杂环基或2价芳香族胺基的取代基，而至少具有1个上述式(2)所示的基团及/或上述式(3)所示的基团的化合物(该取代基可以是1种也可以是2种以上。)，还可以是在该高分子链的分子末端的至少一方作为末端基具有上述式(2)所示的基团及/或上述式(3)所示的基团的化合物(该取代基可以是1种也可以是2种以上。)。

从高分子化合物的高分子量化的观点出发，上述式(1)的Ar₁优选为至少1个具有上述式(2)所示的基团及/或上述式(3)所示的基团的物质。

还有，本发明的高分子化合物在不损坏荧光特性或电荷输送特性的前体下还可以含有上述式(1)及(30)所示的重复单元以外的重复单元，但优选实质上由式(1)所示的重复单元构成的化合物、实质上由式(1)及式(30)所示的重复单元构成的化合物。重复单元以亚乙烯基或非共轭部分部分连结也可，重复单元中包含它们的亚乙烯基或非共轭部分也可。作为包含上述非共轭部分的结合结构，可以例示以下所示结构、将以下所示的结构和亚乙烯基组合而成的结构以及在以下所示的结构中组合其中的2个以上而成的结构等。在此，R’是从与上述取代基相同的取代基中选择的基团，Ar表示碳数6～60个的烃基。

[化45]

就本发明的高分子化合物而言，数均分子量用聚苯乙烯换算为10³～10⁸，从成膜性的角度出发优选为3×10³～5×10⁶，更优选为5×10³～2×10⁶，进而优选为1×10⁴～1×10⁶。

本发明的高分子化合物优选为固态且具有荧光性的化合物。进而优选为固态且具有荧光性，并且数均分子量用聚苯乙烯换算为10³～10⁸的化合物。

另外，本发明的高分子化合物还可具有磷光。

作为对于本发明的高分子化合物的良溶剂，可例示氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、四氢呋喃、甲苯、二甲苯、均三甲基苯、十氢萘、正丁基苯等。根据这些高分子化合物的结构和分子量的不同而异，它们通常可以在这些溶剂中溶解0.1重量％以上。

本发明的高分子化合物，可以是无规、嵌段或者接枝共聚物，也可以是具有它们的中间结构的高分子、例如带有嵌段性的无规共聚物。从获得荧光的量子收率高的高分子化合物的观点考虑，与完全的无规共聚物相比，优选带有嵌段性的无规共聚物或嵌段共聚物或者接枝共聚物。还包含主链上具有支链、且末端部为3个以上的情况或是树枝状聚合物。

接着，对本发明的高分子化合物的制造方法进行说明。

《上述式(1)所示的重复单元的Ar₁具有上述式(2)或上述式(3)所示的基团作为取代基的情况(侧链取代)》

本发明的高分子化合物例如可通过将下述式所示的化合物作为原料之一进行缩聚，来制造。

[化46]

[式中，R表示上述式(2)所示的基团、上述式(3)所示的基团、氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烯基、芳基炔基、芳基氨基、1价杂环基或氰基。上述例中，存在多个R，但它们可相同或不同。其中，R中至少一个为上述式(2)所示的基团或上述式(3)所示的基团。D₁及D₂分别独立地表示卤原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、硼酸酯、锍甲基、鏻甲基、膦酸酯甲基、单卤化甲基、硼酸基、甲酰基、氰基甲基或乙烯基。]

在此，作为烷基磺酸酯基，可以例示甲烷磺酸酯基、乙烷磺酸酯基、三氟甲烷磺酸酯基等，作为芳基磺酸酯基，可以例示苯磺酸酯基、对甲苯磺酸酯基等，作为芳基烷基磺酸酯基，可以例示苄基磺酸酯基等。

作为硼酸酯基，可以例示下述式所示的基团。

[化47]

作为锍甲基可以例示下述式所示的基团。

-CH₂S⁺Me₂X^-、-CH₂S⁺Ph₂X^-(X表示卤素原子。)

作为鏻甲基可以例示下述式所示的基团。

-CH₂P⁺Ph₃X^-(X表示卤素原子。)

作为膦酸酯甲基可以例示下述式所示的基团。

-CH₂P(O)(OR’”)₂

(R’”表示烷基、芳基或芳基烷基。)

作为单卤化甲基，可以例示氟化甲基、氯化甲基、溴化甲基、碘化甲基。

作为缩聚的方法，例如在主链具有亚乙烯基的情况下，根据需要使用其他单体，例如可例示：

〔1〕利用具有醛基的化合物和具有鏻盐基的化合物的Wittig反应来实现聚合；

〔2〕利用具有醛基和鏻盐基的化合物的Wittig反应来实现聚合；

〔3〕利用具有乙烯基的化合物和具有卤素原子的化合物的Heck反应来实现聚合；

〔4〕利用具有乙烯基和卤素原子的化合物的Heck反应来实现聚合；

〔5〕利用具有醛基的化合物和具有烷基膦酸酯基的化合物的Horner-Wadsworth-Emmons法反应来实现聚合；

〔6〕利用具有醛基和烷基膦酸酯基的化合物的Horner-Wadsworth-Emmons法反应来实现聚合；

〔7〕利用具有2个以上卤化甲基的化合物的脱卤化氢法反应来实现缩聚；

〔8〕利用具有2个以上锍盐基的化合物的锍盐分解法反应来实现缩聚；

〔9〕利用具有醛基的化合物和具有乙腈基的化合物的Knoevenagel反应来实现聚合；

〔10〕利用具有醛基和乙腈基的化合物的Knoevenagel反应来实现聚合等的方法；

〔11〕利用具有2个以上醛基的化合物的McMurry反应来实现聚合等的方法。

另外，作为本发明的高分子化合物的制造方法，例如，可以例示：

〔12〕利用Suzuki偶合反应来实现聚合的方法；

〔13〕利用Grignard反应来实现聚合的方法；

〔14〕利用Ni(0)催化剂来实现聚合的方法；

〔15〕利用FeCl₃等氧化剂来实现聚合的方法、电化学氧化聚合的方法、或者

〔16〕利用使具有适当脱离基的中间体高分子分解的方法等。

作为使用了Ni(0)催化剂的反应，可以例示在零价镍配位化合物{Ni(COD)₂}的存在下进行聚合的方法。

作为零价镍配位化合物，可以例示双(1，5-环辛二烯)镍(0)、(亚乙基)双(三苯基膦)镍(0)、四(三苯基膦)镍等。其中，从通用性和廉价的角度出发优选双(1，5-环辛二烯)镍(0)。

另外，从提高收率的角度出发，优选添加中性配位基。

在此，中性配位基是指不具有阴离子和阳离子的配位基，可以例示2，2’-联二吡啶、1，10-菲咯啉、亚甲基双噁唑啉、N，N’-四甲基亚乙基二胺等含氮配位基，三苯基膦、三甲苯基膦、三丁基膦、三苯氧基膦等叔膦配位基等，从通用性、廉价的角度出发优选含氮配位基，从高反应性、高收率的角度出发特别优选2，2’-联二吡啶。特别是从提高聚合物收率的角度出发，优选向含有双(1，5-环辛二烯)镍(0)的体系中加入作为中性配位基的2，2’-联二吡啶的体系。

作为聚合溶剂，只要是不阻碍聚合的溶剂既可，没有特别的限定，例如可举出酰胺系溶剂、芳香族烃系溶剂、醚系溶剂、酯系溶剂等。

在此，作为酰胺系溶剂，例如可以举出N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺等。

作为芳香族烃系溶剂，是由芳香族烃化合物构成的溶剂，例如，可以举出，苯、甲苯、二甲苯、三甲基苯、四甲基苯、丁基苯、萘、四氢化萘等，优选甲苯、二甲苯、四氢化萘、四甲基苯等。

另外，作为醚系溶剂，是由用氧原子结合烃基而成的化合物构成的基团，例如可以举出二异丙基醚、四氢呋喃、1，4-二噁烷、二苯基醚、乙二醇二甲醚、叔丁基甲基醚等，优选对于高分子化合物而言是良溶剂的四氢呋喃、1，4-二噁烷等。

另外，从改善聚合性、溶解性的观点出发，还可以混合使用这些溶剂。

聚合反应通常在氩、氮等惰性气体气氛下进行。

聚合时间通常为0.5～100小时左右，但从制造成本的角度出发，优选在30小时以内。

聚合温度通常为0～200℃左右，但从高收率、低加热费的角度出发，优选0～100℃。

还有，聚合反应通常在氩、氮等惰性气体气氛下、在零价镍配位化合物催化剂不失活的反应体系中进行。

作为在Pd催化剂的存在下进行反应的例子，例如可以举出Suzuki偶合反应。

作为在Suzuki偶合反应中使用的钯催化剂，可以例示醋酸钯、钯[四(三苯基膦)]配位化合物、双(三环己基膦)钯配位化合物等。

作为磷配位基，可以例示三苯基膦、三(o-甲苯基)膦、1，3-双(二苯基膦基)丙烷等。

例如，使用钯[四(三苯基膦)]，将碳酸钾、碳酸钠、氢氧化钡等无机盐基，三乙胺等有机盐基，或氟化铯等无机盐，相对于单体添加当量以上，优选添加1～10当量而进行反应。将无机盐作为水溶液，以2相体系进行反应也可。作为溶剂，可以例示N，N-二甲基甲酰胺、甲苯、二甲氧基乙烷、四氢呋喃等。虽然也跟溶剂有关，但适合在50～160℃左右的温度下使用。升温至溶剂的沸点附近，进行回流也可。反应时间为0.2小时至200小时左右。还有，聚合反应通常在氩、氮等惰性气体气氛下、在Pd(0)催化剂不失活的反应体系中进行。

其中，利用Wittig反应的聚合、利用Heck反应的聚合、利用Horner-Wadsworth-Emmons法的聚合、利用Knoevenagel反应的聚合以及利用Suzuki偶合反应进行聚合的方法、利用Grignard反应进行聚合的方法、利用Ni(0)催化剂进行聚合的方法，容易控制结构，因此是优选的。进而，从容易获取原料和聚合反应操作的简便出发，更优选利用Ni(0)催化剂进行聚合的方法。

《在具有上述式(1)所示的重复单元的高分子链的至少一方具有上述式(2)及/或上述式(3)所示的基团的情况(末端基)》

本发明的高分子化合物可通过如下所述方法制造，即：使对应于一种以上重复单元的单体聚合而得到在末端具有脱离基的聚合物，使该聚合物、和对应于上述式(2)及/或(3)的单体反应的方法；在共存有对应于上述式(2)及/或(3)的单体的情况下，使对应于一种以上重复单元的单体聚合的方法等。

本发明的高分子化合物例如可通过如下所述方法制造，即：使通式(101)及/或(102)所示的一种以上单体、与通式(104)及/或(105)所示的单体反应的方法。

Y₁-Ar₁₁-Y₂(101)

Y₃-Ar₂-Y₄(102)

Y₇-E₁(104)

Y₈-E₂(105)

(式中，Ar₁及Ar₂分别独立地表示亚芳基、2价杂环基或2价芳香族胺基。E₁及E₂分别独立地表示上述式(2)及/或(3)的基团。Y₁、Y₂、Y₃、Y₄、Y₇及Y₈分别独立地表示脱离基。其中，E₁及E₂彼此不同。)

作为脱离基，可以举出卤素原子、烷基磺酰氧基、芳基磺酰氧基或-B(OR₁₁)₂(在此，R₁₁为氢原子或烷基。)所示的基团。

在此，作为卤素原子，可以举出氯原子、溴原子、碘原子，优选氯原子、溴原子，最优选溴原子。对于烷基磺酰氧基而言，可以被氟原子取代，可以举出三氟甲烷磺酰氧基等。对于芳基磺酰氧基而言，可以被烷基取代，可以举出苯基磺酰氧基、三磺酰氧基等。

在-B(OR₁₁)₂所示的基团中，R₁₁为氢原子或烷基。作为烷基碳数通常为1～20左右，可以举出甲基、乙基、丙基、丁基、己基、辛基、十二烷基等。另外，烷基之间也可以连结形成环。

作为-B(OR₁₁)₂所示的基团，具体而言，可以举出以下基团：

[化48]

优选：

[化49]

通式(104)及(105)单体的总加入量相对于通式(101)及(102)的单体的总加入量，通常为0.1～20摩尔％，优选为0.2～10摩尔％。

作为本发明的高分子化合物的制造方法，可以例示，例如将上述对应的单体，利用Suzuki反应进行聚合的方法(Chem.Rev.，第95卷，2457页(1995年))、利用Grignard反应进行聚合的方法(共立出版，高分子機能材料シリ一ズ第2卷，高分子の合成と反応(2)，432-3页)、利用山本聚合法进行聚合的方法(Prog.Polym.Sci.，第17卷，1153-1205页，1992年)、利用FeCl₃等氧化剂进行聚合的方法、以电化学氧化聚合的方法(丸善，実験化学講座第4版，28卷，339-340页)等。

对使用Suzuki反应的情况进行说明。这种情况下，例如可使用如下所述的单体，使这些单体在Pd(0)催化剂的存在下反应来制造，上述单体是：Y₁及Y₂分别独立地为-B(OR₁₁)₂(在此，R₁₁是氢原子或烷基)所示的基团，Y₃及Y₄分别独立地为卤素原子、烷基磺酰氧基或芳基磺酰氧基，Y₇为-B(OR₁₁)₂(在此，R₁₁是氢原子或烷基)所示的基团，Y₈为卤素原子、烷基磺酰氧基或芳基磺酰氧基的单体。

还有，在这种情况下，供给于反应的、具有2个脱离基的2种以上单体中，至少1种为具有2个-B(OR₁₁)₂(在此，R₁₁是氢原子或烷基)的单体，至少1种为具有2个卤素原子、烷基磺酰氧基或芳基磺酰氧基的单体，在要求这样的单体的反应中，通常，使式(101)～(102)所示的单体反应0.2～100小时左右之后，在该体系中添加单体(105)，使其反应0.5～50小时左右，之后，将单体(104)添加到体系中，使其反应0.5～50小时左右。

作为Pd(0)催化剂，例如，使用钯[四(三苯基膦)](0)、钯乙酸酯系(例如用三苯基膦衍生物还原醋酸钯而得的催化剂系)等、另外，二氯双(三苯基膦)钯(II)等，将碳酸钾、碳酸钠、氢氧化钡等无机盐基，三乙胺等有机盐基，或氟化铯等无机盐，相对于单体添加当量以上，优选添加1～10当量而进行反应。将无机盐作为水溶液，以2相体系进行反应也可。作为溶剂，可以例示N，N-二甲基甲酰胺、甲苯、二甲氧基乙烷、四氢呋喃等。虽然也跟溶剂有关，但适合在50～160℃左右的温度下使用。升温至溶剂的沸点附近，进行回流也可。反应时间为0.2小时至200小时左右。还有，聚合反应通常在氩、氮等惰性气体气氛下、在Pd(0)催化剂不失活的反应体系中进行。

对使用三本聚合法的情况进行说明。这种情况下，例如，使用Y₁、Y₂、Y₃、Y₄、Y₇及Y₈分别独立地为卤素原子、烷基磺酰氧基或芳基磺酰氧基的单体，使这些单体在Ni(0)配位化合物的存在下反应，由此可以制造作为目的的聚合物。反应通常是将单体(101)、(102)、(104)及(105)的全部进行混合而实施。

聚合是在Ni(0)配位化合物(零价镍配位化合物)的存在下进行。作为镍配位化合物，包括：将零价镍直接使用的方法；和使镍盐在还原剂的存在下反应，在体系内产生零价镍，使其反应的方法。作为零价镍配位化合物，可以例示双(1，5-环辛二烯)镍(0)、(亚乙基)双(三苯基膦)镍(0)、四(三苯基膦)镍等。其中，从通用性和廉价的角度出发优选双(1，5-环辛二烯)镍(0)。另外，从提高收率的角度出发，优选添加中性配位基。在此，中性配位基是指不具有阴离子和阳离子的配位基，可以例示2，2’-联二吡啶、1，10-菲咯啉、亚甲基双噁唑啉、N，N’-四甲基亚乙基二胺等含氮配位基，三苯基膦、三甲苯基膦、三丁基膦、三苯氧基膦等叔膦配位基等，从通用性、廉价的角度出发优选含氮配位基，从高反应性、高收率的角度出发特别优选2，2’-联二吡啶。特别是从提高聚合物收率的角度出发，优选向含有双(1，5-环辛二烯)镍(0)的体系中加入作为中性配位基的2，2’-联二吡啶的体系。在体系内使零价镍反应的方法中，作为镍盐可以举出氯化镍、醋酸镍等。作为还原剂，可以举出锌、氢氧化钠、肼及其衍生物、锂铝水合物等，根据需要作为添加物可以使用碘化铵、碘化锂、碘化钾等。作为聚合溶剂，只要是不阻碍聚合的溶剂既可，没有特别的限定，但优选含有一种以上芳香族烃系溶剂及/或醚系溶剂的溶剂。在此，作为芳香族烃系溶剂，例如，可以举出，苯、甲苯、二甲苯、三甲基苯、四甲基苯、丁基苯、萘、四氢化萘等，优选甲苯、二甲苯、四氢化萘、四甲基苯等。另外，作为醚系溶剂，例如可以举出二异丙基醚、四氢呋喃、1，4-二噁烷、二苯基醚、乙二醇二甲醚、叔丁基甲基醚等，优选对于高分子化合物而言是良溶剂的四氢呋喃、1，4-二噁烷等。溶剂中最优选四氢呋喃。另外，从改善聚合性、溶解性的角度出发，作为溶剂只要不阻碍聚合反应，也可以使用芳香族烃系溶剂及/或醚系溶剂、和芳香族烃系溶剂及醚系溶剂以外的溶剂的混合溶剂。

反应操作等例如可基于特开2000-44544号公报中所述的方法进行。对于山本聚合法而言，例如，聚合反应通常是在氩、氮等惰性气体气氛中，四氢呋喃溶剂中，60℃温度下，零价镍配位化合物、中性配位基的存在下进行。聚合时间通常为0.5～100小时左右，但从制造成本的角度出发，优选在10小时以内。聚合温度通常为0～200℃左右，但从高收率、低加热费的角度出发，优选20～100℃。

另外，在使用中性配位基的情况下，从反应收率和成本的角度出发，作为其使用量，相对于零价镍配位化合物1摩尔，优选为0.5～10摩尔左右，更优选为0.8～1.5摩尔，进而优选为0.9～1.1摩尔。

零价镍配位化合物的使用量，只要是不阻碍聚合反应的量就没有特别的限定，但若使用量过少，则有分子量变低的倾向，若使用量过大，则有后处理变得繁琐的倾向。因此，相对于单体1摩尔，优选为0.1～10摩尔，更优选为1～5摩尔，进而优选为1.7～3.5摩尔。

制造出本发明的高分子化合物之后，可根据需要对其进行酸清洗、碱清洗、中和、水清洗、有机溶剂清洗、再沉淀、离心分离、萃取、柱色谱分析等惯用的分离操作、精制操作、干燥等其他操作。

在将本发明的高分子化合物用作电子材料的情况下，其纯度对各特性产生影响，因此优选在本发明的制造方法中，充分地进行上述分离操作、精制操作，充分地除去未反应单体、副产物、催化剂残渣等。

干燥只要是在充分地除去残存的溶剂的条件下进行既可。为了防止高分子化合物变性，优选在惰性气氛下遮光干燥。另外，优选在高分子化合物不会热变性的温度下进行干燥。

本发明的高分子化合物可用作发光材料。进而，可用作电荷输送材料、有机半导体材料、光学材料、或通过掺杂而用作导电材料。

<高分子组合物>

本发明的高分子组合物包括：固态且具有荧光，并且用聚苯乙烯换算的数均分子量为10³～10⁸的上述本发明的高分子化合物以外的高分子化合物、和上述本发明的高分子化合物。上述本发明的高分子化合物以外的高分子化合物只要改善了溶剂中的溶解性、荧光强度、寿命或亮度等作为元件时的特性等，就没有特别的限定，具体而言，可以举出特开2001-247861号、特开2001-507511号、特开2001-504533号、特开2001-278958号、特开2001-261796号、特开2001-226469号、专利第3161058号公报等中所述的高分子化合物，但不限定于此。作为上述本发明的高分子化合物以外的高分子化合物的种类，可以举出聚芴系化合物、聚芴系高分子化合物、聚亚芳基系化合物、聚亚芳基系高分子化合物、聚亚芳基亚乙烯基系化合物、聚亚芳基亚乙烯基系高分子化合物、聚1，2-二苯乙烯基系化合物、聚1，2-二苯乙烯基系高分子化合物、聚1，2-二苯乙烯基亚乙烯基系化合物、聚1，2-二苯乙烯基亚乙烯基系高分子化合物、聚吡啶二基系化合物、聚吡啶二基系高分子化合物、烷氧基聚噻吩系化合物、烷氧基聚噻吩系高分子化合物等，但不限定于此。其中，优选聚芴系高分子化合物、聚亚芳基系高分子化合物、聚亚芳基亚乙烯基系高分子化合物、聚1，2-二苯乙烯基系高分子化合物、聚1，2-二苯乙烯基亚乙烯基高分子化合物。

对于混合的比例而言，只要能改善溶剂中的溶解性、荧光强度、寿命或亮度等作为元件时的特性等的比例就没有特别限定，本发明的高分子化合物的比例相对于高分子组合物整体，通常为5～95重量％的范围。

另外，作为本发明的高分子组合物，可以举出含有2种以上具有本发明的取代基的高分子化合物的组合物。作为具有本发明的取代基的高分子化合物，可以以聚芴系聚合物、聚亚芳基系聚合物、聚亚芳基亚乙烯基系聚合物、聚1，2-二苯乙烯基系聚合物、聚1，2-二苯乙烯基亚乙烯基系聚合物、聚吡啶二基系聚合物、烷氧基聚噻吩系聚合物，举出具有本发明的取代基的高分子化合物，对于本发明的高分子组合物而言，可以适当组合这些高分子化合物的2种以上而得到。另外，其配合比例没有特别的限定，但优选使组合物中包含最多的高分子化合物的比例，相对于高分子组合物整体，而在5～90重量％的范围。

<组合物(液态组合物)>

本发明的组合物包含：上述本发明的高分子化合物、和该高分子化合物以外的聚苯乙烯换算的数均分子量为10³～10⁸的高分子化合物。作为该高分子化合物以外的聚苯乙烯换算的数均分子量为10³～10⁸的高分子化合物，可例示聚(亚苯基)及其衍生物、聚(苯并芴)及其衍生物、聚(二苯并呋喃)及其衍生物、聚(二苯并噻吩)及其衍生物、聚(咔唑)及其衍生物、聚(噻吩)及其衍生物、聚(亚苯基亚乙烯基)及其衍生物、聚(芴亚乙烯基)及其衍生物、聚(苯并芴亚乙烯基)及其衍生物、聚(二苯并呋喃亚乙烯基)及其衍生物等。其中，这些衍生物是上述式(1)所示的重复单元以外的化合物。

本发明液态组合物可用于制作高分子发光元件等发光元件或有机晶体管。液态组合物是含有上述高分子化合物和溶剂而成的组合物。在本说明书中，“液态组合物”是指在制作元件时为液态，典型的是指常压(即，1个大气压)、25℃下为液态。另外，液态组合物通常有时被称为墨液、墨液组合物、溶液等。

本发明的液态组合物，除了上述高分子化合物以外，还可以含有低分子发光材料、空穴输送材料、电子输送材料、稳定剂、用于调节粘度及/或表面张力的添加剂、抗氧化剂等。这些任意成分可单独使用一种，还可以并用两种以上。

作为本发明的液态组合物可含有的低分子荧光材料，例如可以举出，萘衍生物、蒽、蒽衍生物、苝、苝衍生物、聚次甲基系色素、呫吨系色素、香豆素系色素、花青色系色素、将8-羟基喹啉的金属配位化合物作为配位基具有的金属配位化合物、将8-羟基喹啉衍生物作为配位基具有的金属配位化合物、其他的荧光性金属配位化合物、芳香族胺、四苯基环戊二烯、四苯基环丁二烯、1，2-二苯乙烯系、含硅芳香族系、噁唑系、N-氧化噁二唑、噻唑系、四芳基甲烷系、噻二唑系、吡唑系、间环芳、乙炔等低分子化合物的荧光性材料。具体而言，例如可以举出特开昭57-51781号、特开昭59-194393号公报等中所述的材料、公知的材料。

作为本发明的液态组合物可含有的空穴输送材料，例如，可列举出聚乙烯基咔唑及其衍生物、聚硅烷及其衍生物、在侧链或主链上具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、1，2-二苯乙烯衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)及其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)及其衍生物等。

作为本发明的液态组合物可含有的电子输送材料，例如，可列举出噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷及其衍生物、苯醌及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷及其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基亚乙基及其衍生物、联对苯醌衍生物、或者8-羟基喹啉及其衍生物的金属配位化合物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、聚芴及其衍生物等。

作为本发明的液态组合物可含有的稳定剂，例如，可以举出酚系抗氧化剂、磷系抗氧化剂等。

作为本发明的液态组合物可含有的用于调节粘度及/或表面张力的添加剂，只要将用于提高粘度的高分子量的化合物(增粘剂)或贫溶剂、用于降低粘度的低分子量的化合物、用于降低表面张力的表面活性剂等适宜组合来使用即可。

作为上述的高分子量的化合物，只要是通常溶解于液态组合物的溶剂中、且不会阻碍发光和电荷输送的高分子化合物即可。作为高分子量的化合物，例如，可以使用高分子量的聚苯乙烯、高分子量的聚甲基丙烯酸甲酯等。上述高分子量化合物的聚苯乙烯换算的重均分子量优选为50万以上，更优选为100万以上。另外，也可以将贫溶剂作为增粘剂使用。

作为本发明的液态组合物可含有的抗氧化剂，只要是在组合物含有溶剂的情况下，通常溶解于该溶剂中、且不会阻碍发光和电荷输送的抗氧化剂即可。作为抗氧化剂，可列举出酚系抗氧化剂、磷系抗氧化剂等。通过使用抗氧化剂，可以改善本发明的高分子材料在溶剂中的保存稳定性。

在本发明的液态组合物含有空穴输送材料的情况下，该液态组合物中的空穴输送材料的比例通常为1重量％～80重量％，优选为5重量％～60重量％。在本发明的液态组合物含有电子输送材料的情况下，该液态组合物中的电子输送材料的比例通常为1重量％～80重量％，优选为5重量％～60重量％。

在制作高分子发光元件时，在使用该液态组合物进行成膜的情况下，在涂敷该液态组合物之后，只通过干燥除去溶剂即可，另外在混合电荷输送材料或发光材料时，也可以适用相同的方法，所以在制造上非常有利。其中，在干燥时，可以在加温到50～150℃左右的状态下干燥，另外，也可以在减压至10^-3Pa左右使其干燥。

作为使用液态组合物的成膜方法，可以使用旋涂法、浇铸法、微凹板涂敷法、凹板涂敷法、棒涂法、辊涂法、线锭涂敷法、浸涂法、喷涂法、网板印刷法、凸版印刷法、胶版印刷法、喷墨打印法等涂敷法。

液态组合物中的溶剂的比例相对该液态组合物的全部重量，通常为1重量％～99.9重量％，优选为60重量％～99.9重量％，进而优选为90重量％～99.8重量％。液态组合物的粘度根据印刷法而不同，在25℃下优选为0.5～500mPa·s的范围，在喷墨打印机法等液态组合物经由喷出装置的情况下，为了防止喷出时的堵塞或弯曲飞跃，在25℃下粘度优选为0.5～20mPa·s的范围。

作为液态组合物中含有的溶剂，优选可以溶解或分散该液态组合物中的该溶剂以外的成分的溶剂。作为该溶剂，可以例示氯仿、二氯甲烷、1，2-二氯乙烷、1，1，2-三氯乙烷、氯苯、邻二氯苯等氯系溶剂，四氢呋喃、二噁烷等醚系溶剂，甲苯、二甲苯、三甲基苯、均三甲基苯等芳香族烃系溶剂，环己烷、甲基环己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷等脂肪族烃系溶剂，丙酮、甲基乙基甲酮、环己酮等酮系溶剂，醋酸乙酯、醋酸丁酯、苯甲酸甲酯、乙基溶纤剂乙酸酯(ethyl cellosolveacetate)等酯系溶剂，乙二醇、乙二醇一丁醚、乙二醇一***、乙二醇一甲醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三甘醇一***、甘油、1，2-己二醇等多元醇及其衍生物，甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、环己醇等醇系溶剂，二甲亚砜等亚砜系溶剂，N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺等酰胺系溶剂。另外，这些溶剂可以单独使用一种，也可以组合使用多种。在所述溶剂中，从粘度、成膜性等观点出发，优选含有一种以上：具有至少含有1个苯环的结构而且熔点在0℃以下、沸点在100℃以上的有机溶剂。

作为溶剂的种类，从液态组合物中的溶剂以外的成分向有机溶剂的溶解性、成膜时的均一性、粘度特性等观点出发，优选芳香族烃系溶剂、脂肪族烃系溶剂、酯系溶剂、酮系溶剂，优选甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲基苯、均三甲基苯、正丙苯、异丙苯、正丁苯、异丁苯、叔丁苯、茴香酰、乙氧基苯、1-甲基萘、环己烷、环己酮、环己基苯、二环己基、环己烯基环己酮、正庚基环己烷、正己基环己烷、苯甲酸甲酯、2-丙基环己酮、2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、2-辛酮、2-壬酮、2-癸酮、二环己基甲酮，更优选含有二甲苯、回香酰、均三甲基苯、环己基苯、二环己基、苯甲酸甲酯中的至少一种。

从成膜性的观点或元件特性等观点出发，液态组合物中含有的溶剂的种类优选为2种以上，更优选为2～3种，进而优选为2种。

在液态组合物中含有2种溶剂的情况下，其中的1种溶剂也可以在25℃下为固体状态。从成膜性的观点出发，优选1种溶剂的沸点为180℃以上，另一种溶剂的沸点不到180℃，更优选1种溶剂的沸点为200℃以上，另一种溶剂的沸点不到180℃。另外，从粘度的观点出发，在60℃下，优选从液态组合物中已除去溶剂所得的成分的0.2重量％以上溶解于溶剂中，优选在25℃下，从液态组合物已除去溶剂所得的成分的0.2重量％以上溶解于2种溶剂中的1种溶剂。

在液态组合物中含有3种溶剂的情况下，其中的1～2种溶剂也可以在25℃下为固体状态。从成膜性的观点出发，优选3种溶剂中的至少1种溶剂为沸点180℃以上的溶剂，至少一种溶剂为沸点180℃以下的溶剂，更优选3种溶剂中的至少1种溶剂为沸点200℃以上300℃以下的溶剂，至少一种溶剂为沸点180℃以下的溶剂。另外，从粘度的观点出发，在60℃下，优选从液态组合物中已除去溶剂所得的成分的0.2重量％以上溶解于3种溶剂中的2种溶剂，优选在25℃下，从液态组合物已除去溶剂所得的成分的0.2重量％以上溶解于3种溶剂中的1种溶剂。

在液态组合物中含有2种以上溶剂的情况下，从粘度及成膜性的观点出发，沸点最高的溶剂优选为液态组合物中含有的全部溶剂的重量的40～90重量％，更优选为50～90重量％，进而优选为65～85重量％。

—薄膜—

对本发明的薄膜进行说明。该薄膜是使用上述高分子化合物而成的。作为薄膜的种类，可以例示发光性薄膜、导电性薄膜、有机半导体薄膜等。

从元件的亮度或发光电压等的观点出发，发光性薄膜的发光量子收率优选为50％以上，更优选为60％以上，进而优选为70％以上。

导电性薄膜的表面电阻优选为1KΩ/□以下。通过在薄膜中掺杂路易斯酸、离子性化合物等，可以提高电导性。更优选表面电阻为100Ω/□以下，进一步优选表面电阻为10Ω/□以下。

对于有机半导体薄膜而言，电子迁移率或空穴迁移率中大的一方优选为10^-5cm²/V/秒以上，更优选为10^-3cm²/V/秒以上、进而优选为10^-1cm²/V/秒以上。另外，可使用有机半导体薄膜，制作有机晶体管。具体而言，可在形成有SiO₂等绝缘膜和门电极的Si基板上形成有机半导体薄膜，用Au形成源电极和漏电极，由此作为有机晶体管。

—有机晶体管(高分子场效应晶体管)—

接着，对作为有机晶体管的一方式的高分子场效应晶体管进行说明。

对于本发明的高分子化合物而言，用作高分子场效应晶体管的材料，其中适合用作活性层。作为高分子场效应晶体管的结构，通常，源电极及漏电极接触由高分子构成的活性层而被设置，进而挟持与活性层接触的绝缘层而设置门电极也可。

高分子场效应晶体管通常形成在支撑基板上。作为支撑基板，只要是不阻碍作为场效应晶体管的特性的材质就没有特别的限定，但也可使用玻璃基板或柔性的薄膜基板或塑料基板。

高分子场效应晶体管可以通过公知的方法，例如特开平5-110069号公报中所述的方法制造。

在形成活性层时，使用有机溶剂可溶性的高分子化合物在制造上非常有利，因此是优选的。作为用使有机溶剂可溶性的高分子化合物溶解于溶剂中而得到的溶液成膜的方法，可以使用旋涂法、浇铸法、微凹板涂敷法、凹板涂敷法、棒涂法、辊涂法、线锭涂敷法、浸涂法、喷涂法、网板印刷法、凸版印刷法、胶版印刷法、喷墨打印法等涂敷法。

优选在制作高分子场效应晶体管后，密封而成的密封高分子场效应晶体管。由此，高分子场效应晶体管得以与大气阻断、可抑制高分子场效应晶体管的特性的下降。

作为密封的方法，可以举出用紫外线(UV)固化树脂、热固化树脂或无机的SiONx膜等覆盖的方法，用UV固化树脂、热固化树脂等贴合玻璃板或薄膜的方法等。为了使与大气的阻断效果有效，在制造高分子场效应晶体管后，优选不使密封为止的工序暴露在大气中的状态下(例如，经干燥的氮气氛、真空中等)进行。

—有机太阳电池—

接着，对有机太阳电池进行说明。对作为有机太阳电池的一方式的有机光电转换元件、利用光电效应的固体光电转换元件进行说明。

就本发明的高分子化合物而言，用作有机光电转换元件的材料，其中适合用作利用有机半导体和金属的界面的肖特基势垒型元件的有机半导体层，又，适合用作利用有机半导体和无机半导体或有机半导体之间的界面的pn异质结型元件的有机半导体层。

进而，适合用作增大给予体·接受体的接触面积的整体(bulk)异质结型元件中的电子供给性高分子、电子接收性高分子，又，适合用作使用高分子·低分子复合体系的有机光电转换元件，例如作为电子接收体的分散亚呋喃(フラ一レン)衍生物而成的整体异质结型有机光电转换元件的电子供给性共轭系高分子(分散支撑体)。

作为有机光电转换元件的结构，例如在pn异质结型元件中，设置欧姆性电极，例如在ITO上形成p型半导体层，进而层叠n型半导体层，在其上设置欧姆性电极既可。

有机光电转换元件通常形成在支撑基板上。作为支撑基板，只要是不阻碍作为有机光电转换元件的特性的材质就没有特别的限定，但也可使用玻璃基板或柔性的薄膜基板或塑料基板。

有机光电转换元件可以通过公知的方法，例如Synth.Met.，102，982(1999)中所述的方法或Science，270，1789(1995)中所述的方法制造。

—高分子发光元件(高分子LED)—

在将本发明的高分子化合物用作高分子LED的发光材料的情况下，由于利用来自薄膜的发光或磷光，因此作为本发明的高分子化合物，优选为固体状态且具有荧光或磷光的化合物。

本发明的高分子LED的特征是，在由阳极和阴极构成的电极之间具有发光层，该发光层中含有本发明的高分子组合物。

本发明的高分子LED中还包括：在至少一方电极和发光层之间，邻接该电极而设置包含导电性高分子的层的高分子发光元件；在至少一方电极和发光层之间，邻接该电极而设置平均膜厚在2nm以下的绝缘层的高分子发光元件。

另外，作为本发明的高分子LED，可列举出在阴极与发光层之间设置电子输送层的高分子LED，在阳极与发光层之间设置空穴输送层的高分子LED，在阴极与发光层之间设置电子输送层、且在阳极与发光层之间设置空穴输送层的高分子LED等。

作为本发明的高分子LED的结构，具体地可列举出以下的a)～d)的结构。

a)阳极/发光层/阴极

b)阳极/空穴输送层/发光层/阴极

c)阳极/发光层/电子输送层/阴极

d)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极

(此处，“/”表示各层相邻地进行层叠。以下相同。)

此处，发光层是指具有发光功能的层，空穴输送层是指具有输送空穴的功能的层，电子输送层是指具有输送电子的功能的层。还有，将电子输送层和空穴输送层统称为电荷输送层。发光层、空穴输送层、电子输送层，也可以各自独立地使用2层以上。

另外，与电极相邻设置的电荷输送层中，对于具有改善来自电极的电荷注入效率的功能、具有降低元件驱动电压的效果的层，有时特别地将其称为电荷注入层(空穴注入层、电子注入层)。

进而，为了提高与电极的密合性和改善来自电极的电荷注入效率，可以与电极相邻地设置上述的电荷注入层或者膜厚2nm以下的绝缘层，另外，为了提高界面的密合性和防止混合等，也可以在电荷输送层和发光层的界面***薄的绝缘层。关于层叠的层顺序和数量、以及各层的厚度，可以根据发光效率和元件寿命适宜地使用。

在本发明中，作为设置了电荷注入层(电子注入层、空穴注入层)的高分子LED，可列举出与阴极相邻地设置电荷注入层的高分子LED、与阳极相邻地设置电荷注入层的高分子LED。例如，具体地可列举出以下的e)～p)的结构。

e)阳极/电荷注入层/发光层/阴极

f)阳极/发光层/电荷注入层/阴极

g)阳极/电荷注入层/发光层/电荷注入层/阴极

h)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/阴极

i)阳极/空穴输送层/发光层/电荷注入层/阴极

j)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电荷注入层/阴极

k)阳极/电荷注入层/发光层/电子输送层/阴极

l)阳极/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极

m)阳极/电荷注入层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极

n)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极

o)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极

p)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极

作为电荷注入层的具体例，可列举出含有导电性高分子的层；在阳极与空穴输送层之间设置的、含有如下所述的一种材料的层，该材料所具有的离子化势能约为阳极材料与在空穴输送层中所含有的空穴输送材料的中间值；在阴极与电子输送层之间设置的、含有如下所述的一种材料的层，该材料所具有的电子亲合力约为阴极材料与在电子输送层中所含有的电子输送材料的中间值。

上述电荷注入层为含有导电性高分子的层的情况下，该导电性高分子的电导率，优选为10^-5S/cm以上且10³S/cm以下，为了减小发光象素间的漏电流，更优选为10^-5S/cm以上且10²S/cm以下，进一步优选为10^-5S/cm以上且10¹S/cm以下。为了使该导电性高分子的电导率为10^-5S/cm以上且10³S/cm以下，一般可向该导电性高分子中掺杂适量的离子。

所掺杂的离子的种类，如果是空穴注入层，则为阴离子；如果是电子注入层，则为阳离子。作为阴离子的例子，可列举出聚苯乙烯磺酸离子、烷基苯磺酸离子、樟脑磺酸离子等；作为阳离子的例子，可列举出锂离子、钠离子、钾离子、四丁基铵离子等。作为电荷注入层的膜厚，例如为1nm～100nm，优选为2nm～50nm。

电荷注入层中使用的材料，只要按照与电极或相邻的层的材料之间的关系适宜地选择即可，可列举出聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚亚苯基亚乙烯基及其衍生物、聚亚噻吩基亚乙烯基及其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、在主链或侧链上含有芳香族胺结构的聚合物等的导电性高分子、金属酞菁(铜酞菁等)、碳等。

膜厚2nm以下的绝缘层是具有能使电荷注入变得容易的功能的绝缘层。作为上述绝缘层的材料，可列举出金属氟化物、金属氧化物、有机绝缘材料等。作为设置膜厚2nm以下的绝缘层的高分子LED，可列举出与阴极相邻地设置膜厚2nm以下的绝缘层的高分子LED、与阳极相邻地设置膜厚2nm以下的绝缘层的高分子LED。

具体地可列举出例如，以下的q)～ab)的结构。

q)阳极/膜厚2nm以下的绝缘层/发光层/阴极

r)阳极/发光层/膜厚2nm以下的绝缘层/阴极

s)阳极/膜厚2nm以下的绝缘层/发光层/膜厚2nm以下的绝缘层/阴极

t)阳极/膜厚2nm以下的绝缘层/空穴输送层/发光层/阴极

u)阳极/空穴输送层/发光层/膜厚2nm以下的绝缘层/阴极

v)阳极/膜厚2nm以下的绝缘层/空穴输送层/发光层/膜厚2nm以下的绝缘层/阴极

w)阳极/膜厚2nm以下的绝缘层/发光层/电子输送层/阴极

x)阳极/发光层/电子输送层/膜厚2nm以下的绝缘层/阴极

y)阳极/膜厚2nm以下的绝缘层/发光层/电子输送层/膜厚2nm以下的绝缘层/阴极

z)阳极/膜厚2nm以下的绝缘层/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极

aa)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/膜厚2mm以下的绝缘层/阴极

ab)阳极/膜厚2nm以下的绝缘层/空穴输送层/发光层/电子输送层/膜厚2nm以下的绝缘层/阴极

发光层含有本发明的高分子化合物或高分子组合物，但也可以在发光层中混合上述高分子化合物以外的发光材料而使用。另外，在本发明的高分子LED中，含有上述高分子化合物以外的发光材料的发光层也可以与含有上述高分子化合物的发光层一起层叠。作为该发光材料，可以使用公知的材料。作为该发光材料，可以使用公知的材料。对于低分子化合物，可以使用例如，萘衍生物、蒽或其衍生物、苝或其衍生物、聚次甲基系、呫吨系、香豆素系、花青系等色素系、8-羟基喹啉或其衍生物的金属配位化合物、芳香族胺、四苯基环戊二烯或其衍生物、或者四苯基丁二烯或其衍生物等。

具体地可以使用例如特开昭57-51781号、特开昭59-194393号公报中记载的发光材料等公知的发光材料。

进而，作为该发光材料，可以使用下述的三重态发光配位化合物或其衍生物等。

[化50]

[化51]

[化52]

另外，例如可以使用WO03/001616中所述的、含有三重态发光配位化合物的高分子化合物等。

发光层的成膜方法没有特别的限定，例如可以例示利用由溶液成膜的方法。

作为由溶液成膜的方法，可以使用旋涂法、浇铸法、微凹板涂敷法、凹板涂敷法、棒涂法、辊涂法、线锭涂敷法、浸涂法、喷涂法、网板印刷法、凸版印刷法、胶版印刷法、喷墨打印法等涂敷法。

作为在由溶液的成膜中使用的溶剂，可例示甲苯、二甲苯、氯仿、四氢呋喃。

作为发光层的膜厚，根据所使用的材料不同，最佳值不同，只要按照能使驱动电压和发光效率达到适度的值的条件来选择即可，例如可为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，更优选为5nm～200nm。

在本发明的高分子LED具有空穴输送层的情况下，作为所使用的空穴输送材料，可列举出聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链上具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、1，2-二苯乙烯衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)或其衍生物、或者聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物等。

具体地，作为该空穴输送材料，可列举出特开昭63-70257号公报、特开昭63-175860号公报、特开平2-135359号公报、特开平2-135361号公报、特开平2-209988号公报、特开平3-37992号公报、特开平3-152184号公报中记载的材料等。

其中，作为用于空穴输送层的空穴输送材料，优选为聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链上具有芳香族胺化合物的聚硅氧烷衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)或其衍生物、或者聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物等高分子空穴输送材料，更优选为聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链上具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物。在低分子空穴输送材料的情况下，优选使其分散于高分子粘合剂中使用。

聚乙烯基咔唑或其衍生物可以通过例如由乙烯基单体进行阳离子聚合或者自由基聚合来获得。

作为聚硅烷或其衍生物，可列举出在Chem.Rev.、第89卷、1359页(1989年)；英国专利GB2300196号公开说明书中记载的化合物等。合成方法也可以采用这些文献中记载的方法，特别优选采用Kipping法。

聚硅氧烷或其衍生物由于硅氧烷骨架结构中几乎没有空穴输送性，因此优选使用在侧链或主链上具有上述低分子空穴输送材料的结构的聚合物。

特别地，可列举出在侧链或主链上具有空穴输送性的芳香族胺的结构的聚合物。

空穴输送层的成膜方法没有特别限制，对于低分子空穴输送材料，可列举出由与高分子粘合剂的混合溶液进行成膜的方法。另外，对于高分子空穴输送材料，可列举出由溶液进行成膜的方法。

作为用于溶液成膜的溶剂，只要是能使空穴输送材料溶解的溶剂，就没有特别限制。作为该溶剂，可列举出氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯系溶剂；四氢呋喃等醚系溶剂；甲苯、二甲苯等芳香族烃系溶剂；丙酮、甲基乙基甲酮等酮系溶剂；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯等酯系溶剂。

作为所混合的高分子粘合剂，优选不会明显抑制电荷输送的粘合剂，而且优选使用对可见光不会强力吸收的粘合剂。作为该高分子粘合剂，可列举出聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等。

作为空穴输送层的膜厚，根据所使用的材料不同，最佳值不同，只要按照能使驱动电压和发光效率达到适度的值的条件来选择即可，必须是至少不会发生针孔的厚度，但是如果厚度过大，则会使元件的驱动电压提高，因此不好。因此，作为该空穴输送层的膜厚，可以为例如1nm～1μm，优选为2nm～500nm，更优选为5nm～200nm。

在本发明的高分子LED具有电子输送层的情况下，作为所使用的电子输送材料，可以使用公知的材料，可列举出噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基亚乙基或其衍生物、联对苯醌衍生物、或者8-羟基喹啉或其衍生物的金属配位化合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物等。

具体地可列举出在特开昭63-70257号公报、特开昭63-175860号公报、特开平2-135359号公报、特开平2-135361号公报、特开平2-209988号公报、特开平3-37992号公报、特开平3-152184号公报中记载的材料等。

其中，优选噁二唑衍生物、苯醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、或者8-羟基喹啉或其衍生物的金属配位化合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物，更优选2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑、苯醌、蒽醌、三(8-羟基喹啉)铝、聚喹啉。

作为电子输送层的成膜法，没有特别限制，对于低分子电子输送材料，可列举出由粉末的真空蒸镀法、或者由溶液或熔融状态进行成膜的方法；对于高分子电子输送材料，可列举出由溶液或熔融状态进行成膜的方法。当由溶液或熔融状态进行成膜时，也可以合并使用高分子粘合剂。

作为用于由溶液进行成膜的溶剂，只要是能将电子输送材料及/或高分子粘合剂溶解的溶剂，就没有特别限制。作为该溶剂，可列举出氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯系溶剂；四氢呋喃等醚系溶剂；甲苯、二甲苯等芳香族烃系溶剂；丙酮、甲基乙基甲酮等酮系溶剂；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯等酯系溶剂。

作为由溶液或熔融状态进行成膜的方法，可以使用旋涂法、浇铸法、微凹板涂敷法、凹板涂敷法、棒涂法、辊涂法、线锭涂敷法、浸涂法、喷涂法、网板印刷法、凸版印刷法、胶版印刷法、喷墨打印法等涂敷法。

作为用于混合的高分子粘合剂，优选不会明显地抑制电荷输送的粘合剂，而且优选使用对可见光不会强力吸收的粘合剂。作为该高分子粘合剂，可列举出聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)或其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、或者聚硅氧烷等。

作为电子输送层的膜厚，根据所使用的材料不同，最佳值不同，只要按照能使驱动电压和发光效率达到适度的值的条件来选择即可，但是必须是至少不会发生针孔的厚度，如果厚度过大，则会使元件的驱动电压提高，因此不好。因此，作为该电子输送层的膜厚，可为例如1nm～1μm，优选为2nm～500nm，更优选为5nm～200nm。

用于形成本发明的高分子LED的基板，只要在形成电极、形成有机物的层时不会发生变化的基板即可，可列举出例如玻璃、塑料、高分子薄膜、硅基板等。在不透明基板的情况下，优选其配对电极为透明或半透明的。

本发明的高分子LED中，通常，由阳极和阴极构成的电极的至少一方为透明或半透明的，阳极侧优选为透明或半透明的。作为阳极材料，可以使用导电性的金属氧化物膜、半透明的金属薄膜等。具体地，可以使用那些由氧化铟、氧化锌、氧化锡、以及属于它们的复合体的铟—锡氧化物(ITO)、铟—锌氧化物等构成的导电性玻璃制成的膜(NESA等)、以及金、铂、银、铜等，优选ITO、铟—锌氧化物、氧化锡。作为制作方法，可列举出真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、电镀法等。另外，作为该阳极，可以使用聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等的有机透明导电膜。对于阳极的膜厚，可以根据光的透过性和电导率来适宜选择，例如可为10nm～10μm，优选为20nm～1μm，更优选为50nm～500nm。另外，为了使电荷注入更容易，可以在阳极上设置由酞菁衍生物、导电性高分子、碳等构成的层、或者由金属氧化物、金属氟化物、有机绝缘材料等构成的平均膜厚2nm以下的层。

作为本发明的高分子LED中使用的阴极材料，优选功函数小的材料。可以使用例如，锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、钪、钒、锌、钇、铟、铈、钐、铕、铽、镱等金属、以及由它们当中2种以上形成的合金、或者由它们当中1种以上与金、银、铂、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡中1种以上形成的合金、石墨或者石墨层间化合物等。作为合金的例子，可列举出镁—银合金、镁—铟合金、镁—铝合金、铟—银合金、锂—铝合金、锂—镁合金、锂—铟合金、钙—铝合金等。也可以将阴极形成2层以上层叠结构。对于阴极的膜厚，可以根据电导率和耐久性来适宜选择，例如可为10nm～10μm，优选为20nm～1μm，更优选为50nm～500nm。

作为阴极的制作方法，可以采用真空蒸镀法、溅射法、或者将金属薄膜热压合的层压法等。另外，可以在阴极与有机物层之间，设置由导电性高分子构成的层、或者由金属氧化物、金属氟化物、有机绝缘材料等构成的平均膜厚2nm以下的层，在制成阴极后，也可以设置用于保护该高分子LED的保护层。为了长期稳定地使用该高分子LED，以及为了从外部保护元件，优选设置保护层及/或保护罩。

作为该保护层，可以使用高分子化合物、金属氧化物、金属氟化物、金属硼化物等。另外，作为保护罩，可以使用玻璃板、对表面施行低透水率处理的塑料板等，可以采用将该保护罩用热效应树脂或光固性树脂与元件基板贴合在一起并进行密封的方法。如果使用隔板来维持空间，则可以容易地防止元件受到损伤。如果在该空间内封入氮气或氩气等惰性的气体，则可以防止阴极的氧化，进而可以通过在该空间内设置氧化钡等干燥剂来容易地抑制在制造工序中吸附的水分对元件带来的损害。其中，优选采用任何1种以上的方案。

本发明的高分子LED可以作为面状光源、分段显示装置、点矩阵显示装置、液晶显示装置的背照灯等来使用。

为了使用本发明的高分子LED来获得面状发光，只要将面状阳极与阴极重叠地配置即可。另外，为了获得图案状发光，有以下几种方法：在上述面状发光元件的表面上设置一种形成了图案形状的窗口的模板的方法；形成非常厚的非发光部的有机物层，从而使其实际上不发光的方法；将阳极或阴极的任一方、或者双方的电极形成图案状的方法。按照这些方法中的任一种方法，通过形成图案以及将几个电极按照可以独立地进行开/关的方式来配置，即可以得到能够显示数字或文字、简单的符号等的分段型的显示元件。进而，为了制成点矩阵元件，只要将阳极和阴极皆形成条带状并使其垂直交叉地进行配置即可。通过将多种发光色不同的高分子发光体分开涂布的方法，或者使用滤色片或者使用荧光转换过滤装置的方法，均可以达到部分彩色显示、多彩色显示的目的。点矩阵元件可以无源驱动，也可以与TFT等组合进行有源驱动。这些显示元件可以作为计算机、电视、移动终端、移动电话、车载导航装置(carnavigation)、摄像机的取景器等的显示装置使用。

进而，上述面状的发光元件是自发光薄型的，适合用于液晶显示装置的背照灯用的面状光源、或者面状的照明用光源。另外，如果使用挠性基板，则也可以作为曲面状的光源或显示装置使用。

另外，本发明的高分子化合物可以用作激光用色素、有机太阳电池用材料、有机晶体管用的有机半导体、导电性薄膜用材料。

实施例

下面示出实施例，以便更详细地说明本发明，但本发明不受这些实施例的限定。

在此，对于数均分子量及重均分子量而言，以四氢呋喃为溶剂，利用凝胶渗透色谱(GPC)(岛津制作所：LC-10Avp)，求出聚苯乙烯换算的数均分子量及重均分子量。

实施利1

<单体(1)的合成>

合成例(1)

将下述化合物(A)：

[化53]

5.0g和吩噁嗪2.56g溶解于60g的o-二氯苯中。向该溶液中加入40％氢氧化钠水溶液后，加入苄基三乙基氯化铵3.2g，在105℃下反应25小时。还有，反应是在氮气气氛下进行的。

反应后，冷却该溶液，然后静置，分液，回收上层。接着，用离子交换水清洗该溶液后，减压下馏去溶剂。接着，向该溶液加入40g甲苯，经过滤后，使该溶液通过填充有氧化铝的柱，进行精制。从该溶液，在减压下馏去溶剂，然后进行减压干燥，从而得到2.0g下述单体(1)。

[H-NMR：溶剂CDCl3；1.5～1.8ppm(6H)、3.4～3.6ppm(2H)、3.9～4.1ppm(2H)、6.4～7.4ppm(11H)]

[化54]

<高分子化合物1的合成>

向反应容器中加入2，7-二溴-9，9-二辛基芴1.18g、2，7-二溴-9，9-二异戊基芴0.26g、所述单体(1)0.12g、和2，2’-联二吡啶1.4g，然后，用氮气置换反应体系内。在其中，预先用氩气吹泡，加入经脱气的四氢呋喃(脱水溶剂)80g。接着，向该混合溶液中加入双(1，5-环辛二烯)镍(0)2.5g，室温下反应14小时。还有，反应是在氮气气氛下进行的。

反应后，向该溶液中注入甲醇120ml/离子交换水120ml混合溶液，搅拌约1小时。接着，将生成的沉淀经过滤进行回收。接着，将该沉淀减压干燥后，溶解于甲苯中。过滤该甲苯溶液，除去不溶物后，使该甲苯溶液通过填充有氧化铝的柱，由此进行精制。

接着，用约5％氨水清洗该甲苯溶液，静置、分液，然后回收甲苯溶液。接着，用离子交换水清洗该甲苯溶液，静置、分液，然后回收甲苯溶液。接着，将该甲苯溶液注入到甲醇中，使其生成再沉淀物。

接着，回收生成的沉淀，将该沉淀减压干燥，得到聚合物0.48g。将该聚合物称为高分子化合物1。得到的高分子化合物1的聚苯乙烯换算重均分子量为1.0×10⁵，数均分子量为4.1×10⁴。

由添加推断的高分子化合物1中包含的重复单元的结构如下所述，由添加推断的摩尔比是重复单元A/重复单元B/重复单元C＝72/18/10。

[化55]

重复单元A 重复单元B 重复单元C

实施例2

<高分子化合物2的合成>

向反应容器中加入下述结构式：

[化56]

所示的单体(2)0.61g、所述单体(1)0.19g、和2，2’-联二吡啶0.7g，然后，用氮气置换反应体系内。在其中，预先用氩气吹泡，加入经脱气的四氢呋喃(脱水溶剂)50g。接着，向该混合溶液中加入双(1，5-环辛二烯)镍(0)1.24g，室温下反应32小时。还有，反应是在氮气气氛下进行的。

反应后，向该溶液中注入甲醇40ml/离子交换水40ml混合溶液，搅拌约1小时。接着，将生成的沉淀经过滤进行回收。接着，将该沉淀减压干燥后，溶解于甲苯中。过滤该甲苯溶液，除去不溶物后，使该甲苯溶液通过填充有氧化铝的柱，由此进行精制。

接着，回收生成的沉淀，将该沉淀减压干燥，得到聚合物0.11g。将该聚合物称为高分子化合物2。得到的高分子化合物2的聚苯乙烯换算重均分子量为7.5×10⁴，数均分子量为1.4×10⁴。

由添加推断的高分子化合物2中包含的重复单元的结构如下所述，由添加推断的摩尔比是重复单元D/重复单元E＝70/30。

[化57]

重复单元D 重复单元E

比较例1

<高分子化合物3的合成>

向反应容器中加入2，7-二溴-9，9-二辛基芴0.59g、2，7-二溴-9，9-二异戊基芴0.13g、下述结构式：

[化58]

所示的单体(3)0.071g、和2，2’-联二吡啶0.56g，然后，用氮气置换反应体系内。在其中，预先用氩气吹泡，加入经脱气的四氢呋喃(脱水溶剂)60g。接着，向该混合溶液中加入双(1，5-环辛二烯)镍(0)1.0g，在60℃下反应4小时。还有，反应是在氮气气氛下进行的。

反应后，冷却该溶液，之后向该溶液中注入甲醇40ml/离子交换水40ml混合溶液，搅拌约1小时。接着，将生成的沉淀经过滤进行回收。接着，将该沉淀减压干燥后，溶解于甲苯中。过滤该甲苯溶液，除去不溶物后，使该甲苯溶液通过填充有氧化铝的柱，由此进行精制。接着，用1当量盐酸水溶液清洗该甲苯溶液，静置、分液，然后回收甲苯溶液。接着，用约5％氨水清洗该甲苯溶液，静置、分液，然后回收甲苯溶液。接着，用离子交换水清洗该甲苯溶液，静置、分液，然后回收甲苯溶液。接着，将该甲苯溶液注入到甲醇中，使其生成再沉淀物。

接着，回收生成的沉淀，将该沉淀减压干燥，得到聚合物0.29g。将该聚合物称为高分子化合物3。得到的高分子化合物3的聚苯乙烯换算重均分子量为4.2×10⁵，数均分子量为8.9×10⁴。

由添加推断的高分子化合物3中包含的重复单元的结构如下所述，由添加推断的摩尔比是重复单元F/重复单元G/重复单元H＝72/18/10。

[化59]

重复单元F 重复单元G 重复单元H

比较例2

<高分子化合物4的合成>

向反应容器中加入所述单体(2)0.61g、所述单体(3)0.21g、和2，2’-联二吡啶0.56g，然后，用氮气置换反应体系内。在其中，预先用氩气吹泡，加入经脱气的四氢呋喃(脱水溶剂)60g。接着，向该混合溶液中加入双(1，5-环辛二烯)镍(0)1.0g，在室温下反应40小时。还有，反应是在氮气气氛下进行的。

反应后，向该溶液中注入甲醇40ml/离子交换水40ml混合溶液，搅拌约1小时。接着，将生成的沉淀经过滤进行回收。接着，将该沉淀减压干燥后，溶解于甲苯中。过滤该甲苯溶液，除去不溶物后，使该甲苯溶液通过填充有氧化铝的柱，由此进行精制。接着，用1当量盐酸水溶液清洗该甲苯溶液，静置、分液，然后回收甲苯溶液。接着，用约5％氨水清洗该甲苯溶液，静置、分液，然后回收甲苯溶液。接着，用离子交换水清洗该甲苯溶液，静置、分液，然后回收甲苯溶液。接着，将该甲苯溶液注入到甲醇中，使其生成再沉淀物。

接着，回收生成的沉淀，将该沉淀减压干燥，得到聚合物0.35g。将该聚合物称为高分子化合物4。得到的高分子化合物4的聚苯乙烯换算重均分子量为7.2×10⁴，数均分子量为2.0×10⁴。

由添加推断的高分子化合物4中包含的重复单元的结构如下所述，由添加推断的摩尔比是重复单元M/重复单元N＝70/30。

[化60]

重复单元M 重复单元N

合成例(2)

将下述化合物(C)：

[化61]

7.4g和吩噁嗪2.7g溶解于60g的o-二氯苯中。向该溶液中加入40％氢氧化钠水溶液后，加入苄基三乙基氯化铵3.2g，在105℃下反应25小时。还有，反应是在氮气气氛下进行的。

反应后，冷却该溶液，然后静置，分液，回收上层。接着，用离子交换水清洗该溶液后，减压下馏去溶剂。接着，向该溶液加入40g甲苯，过滤。使该溶液通过填充有氧化铝的柱，进行精制，减压下馏去溶剂。接着，用甲醇清洗得到的沉淀，然后进行减压干燥，从而得到2.7g下述单体(4)。

[H-NMR：溶剂CDCl3；1.5～1.9ppm(6H)、3.4～3.6ppm(2H)、3.8～4.0ppm(2H)、6.4～7.4ppm(12H)]

[化62]

<高分子化合物5的合成>

向反应容器中加入所述单体(2)0.79g、所述单体(4)0.064g、和2，2，-联二吡啶0.56g，然后，用氮气置换反应体系内。在其中，预先用氩气吹泡，加入经脱气的四氢呋喃(脱水溶剂)60g。接着，向该混合溶液中加入双(1，5-环辛二烯)镍(0)1.0g，在60℃下反应4小时。还有，反应是在氮气气氛下进行的。

反应后，冷却该溶液，向该溶液中注入甲醇40ml/离子交换水40ml混合溶液，搅拌约1小时。接着，将生成的沉淀经过滤进行回收。接着，将该沉淀减压干燥后，溶解于甲苯中。过滤该甲苯溶液，除去不溶物后，使该甲苯溶液通过填充有氧化铝的柱，由此进行精制。接着，用1当量盐酸水溶液清洗该甲苯溶液，静置、分液，然后回收甲苯溶液。接着，用约5％氨水清洗该甲苯溶液，静置、分液，然后回收甲苯溶液。接着，用离子交换水清洗该甲苯溶液，静置、分液，然后回收甲苯溶液。接着，将该甲苯溶液注入到甲醇中，使其生成再沉淀物。

接着，回收生成的沉淀，将该沉淀减压干燥，得到聚合物0.14g。将该聚合物称为高分子化合物5。得到的高分子化合物5的聚苯乙烯换算重均分子量为2.5×10⁴，数均分子量为1.8×10⁴。

由添加推断的高分子化合物5中包含的重复单元、末端的结构如下所述，由添加推断的摩尔比是重复单元A’/末端基B’＝90/10。

[化63]

重复单元A’ 末端基B’

实施例4

<单体(5)的合成>

合成例(3)

将下述化合物(D)：

[化64]

3.15g溶解于N，N-二甲基甲酰胺100g中。用冰冷却该溶液后，向该溶液中经约80分钟滴加预先将N-溴代琥珀酰亚胺1.62g溶解于N，N-二甲基甲酰胺50g中而成的溶液。

滴加后，接着在0～5℃下反应4小时。接着，将该反应溶液升温至室温，接着在室温下反应一夜。还有，反应是在氮气气氛下进行的。

反应后，向该反应溶液中加入离子交换水，清洗之后，从该溶液在减压下馏去溶剂。接着，向得到的沉淀中加入甲苯，溶解后，过滤该甲苯溶液，除去不溶物。接着，使该甲苯溶液通过填充有氧化铝的柱，进行精制。从该溶液在减压下馏去溶剂后，减压干燥，得到下述单体(5)2.0g。

[H-NMR：溶剂CDCl3；0.9～1.0ppm(3H)、1.3～1.7ppm(4H)、2.6～2.7ppm(2H)、5.7～6.0ppm(2H)、6.5～6.8(5H、7.1～7.4(4H))]

[化65]

<高分子化合物6的合成>

向反应容器中加入所述单体(2)0.79g、所述单体(5)0.059g、和2，2’-联二吡啶0.56g，然后，用氮气置换反应体系内。在其中，预先用氩气吹泡，加入经脱气的四氢呋喃(脱水溶剂)60g。接着，向该混合溶液中加入双(1，5-环辛二烯)镍(0)1.0g，在60℃下反应4小时。还有，反应是在氮气气氛下进行的。

接着，回收生成的沉淀，将该沉淀减压干燥，得到聚合物0.20g。将该聚合物称为高分子化合物6。得到的高分子化合物6的聚苯乙烯换算重均分子量为2.5×10⁴，数均分子量为1.6×10⁴。

由添加推断的高分子化合物6中包含的重复单元、末端的结构如下所述，由添加推断的摩尔比是重复单元C’/末端基D’＝90/10。

[化66]

重复单元C’ 末端基D’

比较例3

<高分子化合物7的合成>

向反应容器中加入所述单体(2)0.79g、所述单体(3)0.071g、和2，2’-联二吡啶0.56g，然后，用氮气置换反应体系内。在其中，预先用氩气吹泡，加入经脱气的四氢呋喃(脱水溶剂)60g。接着，向该混合溶液中加入双(1，5-环辛二烯)镍(0)1.0g，在60℃下反应4小时。还有，反应是在氮气气氛下进行的。

接着，回收生成的沉淀，将该沉淀减压干燥，得到聚合物0.29g。将该聚合物称为高分子化合物7。得到的高分子化合物7的聚苯乙烯换算重均分子量为1.0×10⁵，数均分子量为4.4×10⁴。

由添加推断的高分子化合物7中包含的重复单元结构如下所述，由添加推断的摩尔比是重复单元E’/重复单元F’＝90/10。

[化67]

重复单元E’ 重复单元F’

实施例5

<高分子化合物8的合成>

向反应容器中加入所述单体(5)0.059g、2，7-二溴-9，9-二辛基芴0.59g、2，7-二溴-9，9-二异戊基芴0.13g、和2，2’-联二吡啶0.56g，然后，用氮气置换反应体系内。在其中，预先用氩气吹泡，加入经脱气的四氢呋喃(脱水溶剂)60g。接着，向该混合溶液中加入双(1，5-环辛二烯)镍(0)1.0g，60℃下反应4小时。还有，反应是在氮气气氛下进行的。

接着，回收生成的沉淀，将该沉淀减压干燥，得到聚合物0.20g。将该聚合物称为高分子化合物8。得到的高分子化合物8的聚苯乙烯换算重均分子量为3.2×10⁴，数均分子量为1.6×10⁴。

由添加推断的高分子化合物8中包含的重复单元、末端基结构如下所述，由添加推断的摩尔比是重复单元A”/重复单元B”/末端基C”＝72/18/10。

[化68]

重复单元A” 重复单元B” 末端基C”

实施例6

<高分子化合物9的合成>

向反应容器中加入下述结构式：

[化69]

所示的单体(6)0.81g、所述单体(5)0.059g、和2，2’-联二吡啶0.58g，然后，用氮气置换反应体系内。在其中，预先用氩气吹泡，加入经脱气的四氢呋喃(脱水溶剂)60g。接着，向该混合溶液中加入双(1，5-环辛二烯)镍(0)1.0g，在室温下反应23小时。还有，反应是在氮气气氛下进行的。

反应后，向该溶液中注入甲醇40ml/离子交换水40ml混合溶液，搅拌约1小时。接着，将生成的沉淀经过滤进行回收。接着，将该沉淀减压干燥后，溶解于甲苯中。过滤该甲苯溶液，除去不溶物后，用约5％醋酸水溶液清洗该甲苯溶液，静置、分液，然后回收甲苯溶液。接着，用4％氨水清洗该甲苯溶液，静置、分液，然后回收甲苯溶液。接着，用离子交换水清洗该甲苯溶液，静置、分液，然后回收甲苯溶液。接着，将该甲苯溶液注入到甲醇中，使其生成再沉淀物。

接着，回收生成的沉淀，将该沉淀减压干燥，得到聚合物0.31g。将该聚合物称为高分子化合物9。得到的高分子化合物9的聚苯乙烯换算重均分子量为2.9×10⁴，数均分子量为1.5×10⁴。

由添加推断的高分子化合物9中包含的重复单元、末端的结构如下所述，由添加推断的摩尔比是重复单元D”/末端基E”＝90/10。

[化70]

重复单元D” 末端基E”

实施例7

<高分子化合物10的合成>

向反应容器中加入所述单体(6)0.81g、所述单体(1)0.063g、和2，2’-联二吡啶0.58g，然后，用氮气置换反应体系内。在其中，预先用氩气吹泡，加入经脱气的四氢呋喃(脱水溶剂)60g。接着，向该混合溶液中加入双(1，5-环辛二烯)镍(0)1.0g，室温下反应23小时。还有，反应是在氮气气氛下进行的。

接着，回收生成的沉淀，将该沉淀减压干燥，得到聚合物0.40g。将该聚合物称为高分子化合物10。得到的高分子化合物10的聚苯乙烯换算重均分子量为1.4×10⁵，数均分子量为4.7×10⁴。

由添加推断的高分子化合物10中包含的重复单元的结构如下所述，由添加推断的摩尔比是重复单元F”/重复单元G”＝90/10。

[化71]

重复单元F” 重复单元G”

实施例8

<单体(7)的合成>

合成例4

将上述化合物(A)5.0g和吩噁嗪2.8g溶解于60g的o-二氯苯中。向该溶液中加入40％氢氧化钠水溶液后，加入苄基三乙基氯化铵3.2g，在105℃下反应25小时。还有，反应是在氮气气氛下进行的。

反应后，冷却该溶液，然后静置，分液，回收上层。接着，用离子交换水清洗该溶液后，减压下馏去溶剂。接着，向该溶液加入40g甲苯，经过滤后，使该溶液通过填充有氧化铝的柱，进行精制。从该溶液，在减压下馏去溶剂，得到2.0g沉淀。接着，用硅胶柱(甲苯/己烷＝2/8混合溶剂)精制该沉淀1.5g。从分取的溶液，在减压下馏去溶剂，然后进行减压干燥，从而得到0.9g下述单体(7)。

[H-NMR：溶剂CDCl3；1.5～2.0ppm(6H)、3.8～4.0ppm(4H)、6.7～7.3ppm(11H)]

[化72]

<高分子化合物11的合成>

向反应容器中加入所述单体(6)0.72g、所述单体(7)0.13g、和2，2’-联二吡啶0.56g，然后，用氮气置换反应体系内。在其中，预先用氩气吹泡，加入经脱气的四氢呋喃(脱水溶剂)60g。接着，向该混合溶液中加入双(1，5-环辛二烯)镍(0)1.0g，室温下反应23小时。还有，反应是在氮气气氛下进行的。

接着，回收生成的沉淀，将该沉淀减压干燥，得到聚合物0.34g。将该聚合物称为高分子化合物11。得到的高分子化合物11的聚苯乙烯换算重均分子量为4.9×10⁴，数均分子量为2.5×10⁴。

由添加推断的高分子化合物11中包含的重复单元的结构如下所述，由添加推断的摩尔比是重复单元H’”/重复单元I’”＝80/20。

[化73]

重复单元H’” 重复单元I’”

实施例9

<高分子化合物12的合成>

向反应容器中加入所述单体(2)0.70g、所述单体(7)0.13g、和2，2’-联二吡啶0.56g，然后，用氮气置换反应体系内。在其中，预先用氩气吹泡，加入经脱气的四氢呋喃(脱水溶剂)60g。接着，向该混合溶液中加入双(1，5-环辛二烯)镍(0)1.0g，室温下反应23小时。还有，反应是在氮气气氛下进行的。

接着，回收生成的沉淀，将该沉淀减压干燥，得到聚合物0.21g。将该聚合物称为高分子化合物12。得到的高分子化合物12的聚苯乙烯换算重均分子量为3.0×10⁴，数均分子量为6.3×10³。

由添加推断的高分子化合物12中包含的重复单元的结构如下所述，由添加推断的摩尔比是重复单元J’”/重复单元K’”＝80/20。

[化74]

重复单元J’” 重复单元K’”

实施例10

<高分子化合物的荧光特性评价>

将高分子化合物的0.8wt％甲苯溶液旋涂于石英板上而制作高分子化合物的薄膜。使用荧光分光光度计(JOBINYVON-SPEX公司制Fluorolog)，在激发波长350nm下测定该薄膜的荧光光谱。为了得到对薄膜的相对的荧光强度，以水的拉曼线的强度为基准，求出用使用分光光度计(Varian公司制Cary5E)测定的激发波长下的吸光度去除如下所述的值而得到的值，该值为将绘制波数的荧光光谱在测定范围内进行积分而得到的值。

荧光峰波长和荧光强度的测定结果示于表1。含有本发明的侧链基的高分子化合物1的荧光强度比起高分子链中含有吩噁嗪环的高分子化合物3强。另外，含有本发明的侧链基的高分子化合物2的荧光强度比起高分子链中含有吩噁嗪环的高分子化合物4强。

含有本发明的末端基的高分子化合物5及6的荧光强度比起高分子链中含有吩噁嗪环的高分子化合物7强。

含有本发明的末端基的高分子化合物8的荧光强度比起高分子链中含有吩噁嗪环的高分子化合物3强。

[表1]

表1

实施例11

<元件特性的评价>

在利用溅射法而带有约150nm厚度的ITO膜的玻璃基板上，使用聚(亚乙基二氧化噻吩)/聚苯乙烯磺酸的溶液(bayer公司，BaytronP)，利用旋涂法，以约50nm的膜厚成膜，在加热板上，在约200℃下干燥10分钟。接着，使用以高分子化合物1和高分子化合物2的3∶7(重量比)混合物成为约1.5wt％的方式配制而成的甲苯溶液，利用旋涂法，以1500rpm的转速成膜。进而，将其在减压、80℃下干燥1小时之后，蒸镀氟化锂约4nm，作为阴极，蒸镀约20nm的钙，接着蒸镀约50nm的铝，从而制作EL元件。还有，当真空度达到1×10^-4pa以下时，开始金属的蒸镀。通过向得到的元件施加电压，可以得到蓝色的EL发光。

产业上的可利用性

在高分子LED的发光层中，将本发明的高分子化合物用作发光材料时，其高分子LED的特性出色。因而，该高分子LED优选用于液晶显示器的背光灯或作为照明用的曲面状或平面状的光源、分段型的显示元件。点矩阵的平板显示器等装置。另外，本发明的高分子化合物可用作激光用色素、有机太阳电池用材料、有机晶体管用的有机半导体、导电性薄膜用材料。

Claims

1.一种高分子化合物，其具有从由下述式(1)所示的重复单元构成的组中选择的一种以上重复单元，其特征在于，

具有从由下述式(2)或式(3)所示的1价基团构成的组中选择的基团作为取代基，

-Ar₁-(Z’)p-(1)

在此，Ar₁表示亚芳基、2价杂环基或2价芳香族胺基，所述2价杂环基是指从杂环化合物中除去2个氢原子后残留的原子团，碳数为4～60，碳数中不包含取代基的碳数，所述2价芳香族胺基是指从芳香族胺除去2个氢原子后残留的原子团，碳数为4～60，碳数中不包含取代基的碳数，Z’表示-CR₄＝CR₅-或-C≡C-，R₄及R₅分别独立地表示氢原子、烷基、芳基、1价杂环基或氰基，P表示0或1，

[化1]

式中，A₁表示-O-、-S-或-C(O)-，Ar⁰¹表示直接结合、亚芳基、2价杂环基或2价芳香族胺基，R⁰⁵及R⁰⁷分别独立地表示直接结合、-R₁-、-O-R₁-、-R₁-O-、-R₁-C(O)O-、-R₁-OC(O)-、-R₁-N(R₂₀)-、-O-、-S-、-C(O)O-或-C(O)-，R₁表示亚烷基或亚烯基，其中，Ar⁰¹为直接结合的情况下，R⁰⁷也为直接结合，R₂₀表示氢原子、烷基、芳基、1价杂环基或氰基，R⁰¹及R⁰²分别独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烯基、芳基炔基、芳基氨基、1价杂环基或氰基，a及b分别独立地为0至4的整数，多个R⁰¹及R⁰²可相同，也可不同，

[化2]

式中，B₁表示-O-、-S-或-C(O)-，Ar⁰²表示氢原子、芳基、1价杂环基或1价芳香族胺基，Ar⁰³表示直接结合、亚芳基、2价杂环基或2价芳香族胺基，所述2价杂环基是指从杂环化合物中除去2个氢原子后残留的原子团，碳数为4～60，碳数中不包含取代基的碳数，所述2价芳香族胺基是指从芳香族胺除去2个氢原子后残留的原子团，碳数为4～60，碳数中不包含取代基的碳数，R⁰⁶、R⁰⁸及R⁰⁹分别独立地表示直接结合、-R₁-、-O-R₁-、-R₁-O-、-R₁-C(O)O-、-R₁-OC(O)-、-R₁-N(R₂₀)-、-O-、-S-、-C(O)O-或-C(O)-，R₁表示亚烷基或亚烯基，R₂₀表示氢原子、烷基、芳基、1价杂环基或氰基，其中，Ar⁰³为直接结合的情况下，R⁰⁹也为直接结合，R⁰³及R⁰⁴分别独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烯基、芳基炔基、芳基氨基、1价杂环基或氰基，c为0至4的整数，d为0至3的整数，多个R⁰³及R⁰⁴可相同，也可不同。

2.根据权利要求1所述的高分子化合物，其中，

上述式(1)的Ar₁至少具有一个上述式(2)所示的基团。

3.根据权利要求1所述的高分子化合物，其中，

上述式(1)的Ar₁至少具有一个上述式(3)所示的基团。

4.根据权利要求1所述的高分子化合物，其中，

高分子链的分子链末端的至少一方具有上述式(2)所示的基团。

5.根据权利要求1所述的高分子化合物，其中，

高分子链的分子链末端的至少一方具有上述式(3)所示的基团。

6.根据权利要求1～5中任意一项所述的高分子化合物，其中，

进而含有下述式(30)所示的重复单元，

-Ar₄-(Z)_t-(30)

在此，Ar₄表示可具有取代基的亚芳基、可具有取代基的2价杂环基或可具有取代基的2价芳香族胺基，其中，所述2价杂环基是指从杂环化合物中除去2个氢原子后残留的原子团，碳数为4～60，碳数中不包含取代基的碳数，所述2价芳香族胺基是指从芳香族胺除去2个氢原子后残留的原子团，碳数为4～60，碳数中不包含取代基的碳数，所述取代基表示烷基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烯基、芳基炔基、芳基氨基、1价杂环基或氰基，所述取代基中不包含上述式(2)及上述式(3)，具有多个取代基的情况下，彼此相同或不同，Z表示-CR₇＝CR₈-或-C≡C-，R₇及R₈分别独立地表示氢原子、烷基、芳基、1价杂环基或氰基，t表示0或1。

7.根据权利要求1～5中任意一项所述的高分子化合物，其中，

聚苯乙烯换算的数均分子量为10³～10⁸。

8.根据权利要求1～5中任意一项所述的高分子化合物，其中，

所述高分子化合物为固体状态且具有荧光。

9.根据权利要求1～5中任意一项所述的高分子化合物，其中，

所述高分子化合物为固体状态且具有荧光，并且聚苯乙烯换算的数均分子量为10³～10⁸。

10.根据权利要求1～5中任意一项所述的高分子化合物，其中，

所述高分子化合物为固体状态且具有磷光。

11.一种高分子组合物，其特征在于，

包括：聚苯乙烯换算的数均分子量为10³～10⁸，固体状态且具有荧光，并且不具有上述式(2)及上述式(3)所示取代基的高分子化合物；和权利要求1～10中任意一项所述的高分子化合物而成。

12.一种高分子发光元件，其特征在于，

在由阳极及阴极构成的电极间具有发光层，该发光层含有权利要求1～10中任意一项所述的高分子化合物。

13.一种高分子发光元件，其特征在于，

在由阳极及阴极构成的电极间具有发光层，该发光层含有权利要求11所述的高分子组合物。

14.根据权利要求12或13所述的高分子发光元件，其中，

在至少一方电极和发光层之间，邻接该电极而设置包含导电性高分子的层。

15.根据权利要求12或13所述的高分子发光元件，其中，

在至少一方电极和发光层之间，邻接该电极而设置平均膜厚在2nm以下的绝缘层。

16.根据权利要求12或13所述的高分子发光元件，其中，

在阴极和发光层之间，邻接该发光层而设置电子输送层。

17.根据权利要求12或13所述的高分子发光元件，其中，

在阳极和发光层之间，邻接该发光层而设置空穴输送层。

18.根据权利要求12或13所述的高分子发光元件，其中，

在阴极和发光层之间，邻接该发光层而设置电子输送层；以及

在阳极和发光层之间，邻接该发光层而设置空穴输送层。

19.一种面状光源，其特征在于，

包含：权利要求12～18中任意一项所述的高分子发光元件。

20.一种分段显示装置，其特征在于，

包含：权利要求12～18中任意一项所述的高分子发光元件。

21.一种点矩阵显示装置，其特征在于，

包含：权利要求12～18中任意一项所述的高分子发光元件。

22.一种液晶显示装置，其特征在于，

将权利要求12～18中任意一项所述的高分子发光元件作为背光灯。

23.一种溶液组合物，其特征在于，

包含：权利要求1～10中任意一项所述的高分子化合物。

24.一种薄膜，其特征在于，

包含：权利要求1～10中任意一项所述的高分子化合物。

25.一种晶体管，其特征在于，

包含：权利要求1～10中任意一项所述的高分子化合物。

26.一种太阳电池，其特征在于，

包含：权利要求1～10中任意一项所述的高分子化合物。