CN101310343A - 存储器诊断装置 - Google Patents
存储器诊断装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101310343A CN101310343A CNA2006800425185A CN200680042518A CN101310343A CN 101310343 A CN101310343 A CN 101310343A CN A2006800425185 A CNA2006800425185 A CN A2006800425185A CN 200680042518 A CN200680042518 A CN 200680042518A CN 101310343 A CN101310343 A CN 101310343A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- word
- test
- mentioned
- local field
- memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
- G11C29/025—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters in signal lines
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/10—Test algorithms, e.g. memory scan [MScan] algorithms; Test patterns, e.g. checkerboard patterns
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
- G11C29/56008—Error analysis, representation of errors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C2029/1202—Word line control
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Abstract
本发明提供一种存储器诊断装置,其能够在维持一定程度的诊断精度的同时进行高速的耦合故障诊断。该存储器诊断装置具有:字内测试单元,其在存储器的每个字中,针对该字内的各位而测试耦合故障;字间测试单元,其在存储器的每个由多个字构成的局部字段中,针对局部字段内的各字间测试耦合故障;以及块间测试单元,其测试存储器中的局部字段间的耦合故障。
Description
技术领域
本发明涉及一种对序列控制装置等的存储器的故障进行自动诊断的存储器诊断装置。
背景技术
要求高可靠性的嵌入式******,例如紧急停止序列控制装置,要求最少一天进行一次存储器诊断,所以需要高速且诊断精度高的存储器诊断方法。
作为存储器(RAM)故障的一种存在耦合故障,即,在对某存储器单元进行写入/读取时,其他存储器单元的数据值变化。作为该耦合故障的诊断方法,例如具有Walkpath或Galpat(Galloping Pattern测试)等。在Walkpath中,首先向作为测试对象的整个存储器区域统一写入0,然后将某1位的目标存储器单元反转为1,测试其余存储器区域(背底)的数据值是否正确。然后,为了测试而对目标存储器单元再次进行读取,并再次反转。针对后续的所有存储器单元重复执行上述流程。然后,向整个存储器区域写入1,并重复同样的流程。这样,在Walkpath中,在统一写入数据的存储器区域中***1个反转要素,对其余所有单元的内容是否正确进行校验。在Galpat中,与Walkpath不同,每次在读取其余的存储器单元中的1个后,对反转存储器单元(目标存储器单元)执行测试读取。
另外,作为其他现有的存储器诊断方法,例如存在专利文献1。在专利文献1中,在存储器的地址55h和AAh中写入测试数据AAAAh,在其他的地址中写入测试数据5555h,然后从存储器中顺序读取数据。对于才地址55h或AAh中读取的数据,与测试数据AAAAh进行比较,对于从其他地址中读取的数据,与测试数据5555h进行比较,在一致的情况下判断为正常,在不一致的情况下判断为异常。在专利文献1中,例如在发生第7位固定为0的故障的情况下,由于地址AAh成为2Ah,所以向地址2Ah覆盖写入测试数据AAAAh,在读取地址2Ah的数据时,输出数据AAAAh,与作为期待值的5555h不一致,可以检测出地址线的故障。
专利文献1:专利第3570388号公报
发明内容
但是,由于在专利文献1中,没有针对在由多位构成的测试数据内的各位单元之间发生的耦合故障进行诊断,所以在诊断精度上存在问题。另外,由于以地址值反转的组为前提,所以每次的测试数据长度必须小于或等于存储器数据长度,无法将测试数据变长而进行处理的高速化。
另外,在Walkpath或Galpat的方法中,可以检测出哪些地址间发生耦合故障,但由于必须重复向地址写入测试模板和进行所有地址的读取测试,所以产生存储器访问次数增加,诊断时间变长的问题。例如,如果存储器大小为N位,则需要N的2次方的存储器访问,所以如果存储器大小大于或等于兆位,则诊断时间超过数十小时,因而无法将Walkpath或Galpat的方法直接应用在需要定期进行存储器诊断的上述序列器***等中。
本发明就是鉴于上述问题而提出的,其目的在于得到一种存储器诊断装置,其能够在维持一定程度的诊断精度的同时进行高速的存储器故障诊断。
为了解决上述课题、实现目的,本发明是一种诊断存储器的故障的存储器诊断装置,其特征在于,具有:块内测试单元,其在上述存储器的每个规定的块中,针对该块内的各位而测试故障;以及块间测试单元,其测试上述存储器中的各块间的故障。
另外,本发明是一种诊断存储器的故障的存储器诊断装置,其特征在于,具有:字内测试单元,其在上述存储器的每个字中,针对该字内的各位而测试故障;字间测试单元,其在上述存储器的每个由多个字构成的局部字段中,针对局部字段内的各字间测试故障;以及块间测试单元,其测试上述存储器中的局部字段之间的故障。
发明的效果
根据本发明,由于存储器的故障诊断分为块内测试、块间测试的层次进行,所以虽然故障发生位置的确定变为以字为单位,但与Walkpath或Galpat的方法相比,可以减少存储器访问次数、缩短诊断时间。由此,可以在普通应用程序的间歇中执行存储器诊断。
另外,根据本发明,由于存储器故障诊断分为字内测试、字间测试、局部字段间测试的层次进行,所以虽然故障发生位置的确定变为以局部字段为单位,但与现有方法相比,可以减少存储器访问次数,缩短诊断时间。由此,可以在普通应用程序的间隙中执行存储器诊断。
附图说明
图1是表示本发明所涉及的存储器诊断装置的实施方式的框图。
图2是示意地表示实施方式1的存储器诊断步骤的工序图。
图3是表示实施方式1的存储器诊断的字内测试步骤的流程图。
图4是表示实施方式1的存储器诊断的字间测试步骤的流程图。
图5是实施方式1的存储器诊断的示意图。
图6是示意地表示实施方式2的存储器诊断步骤的工序图。
图7是表示实施方式2的存储器诊断的局部字段间测试步骤的流程图。
图8是实施方式2的存储器诊断的示意图。
具体实施方式
下面,基于附图详细说明本发明所涉及的存储器诊断装置的实施方式。另外,本发明并不限于该实施方式。
实施方式1
图1示出用于实施本发明所涉及的存储器诊断的结构。在图1中,随机访问存储器(RAM)的测试区域13及保留区域14通过总线12与CPU 11连接。CPU 11执行存储在非易失性存储器15中的***控制用的应用软件。另外,在此情况下,在非易失性存储器15中存储下述说明的存储器诊断程序,CPU 11在存储器诊断时,执行存储在非易失性存储器15中的存储器诊断程序。CPU 11具有用于在测试区域13中写入测试数据的寄存器16。测试区域13和保留区域14也可以是由同一存储器上的不同区域构成。
图2示出实施方式1的存储器诊断处理步骤。在实施方式1中,分为字和整体这两个层次对测试区域13进行诊断。即,在实施方式1中,首先测试字内的各位间的包括耦合故障在内的故障(步骤S100),然后测试字间的包括耦合故障在内的故障(步骤S110)。
首先,根据图3说明字内的各位间的耦合故障测试步骤。首先,对于测试区域13的起始字,测试是否在该字包含的位间没有耦合故障。在执行针对该起始字的存储器诊断处理之前,将测试区域13的起始字的存储数据预先备份至保留区域14中。然后,以0将寄存器16初始化,然后使最低位为1(步骤S200),将该寄存器值(0000…001)写入测试区域13的起始字中(步骤S210),读取该字(在此情况下为起始字),确认读取的数据值是否与寄存器值相同(步骤S220)。然后将寄存器16移位(步骤S240),将移位后的寄存器值(0000…010)写入该起始字中后读取(步骤S210),确认读取的数据值是否与寄存器值相同(步骤S220)。重复上述诊断直至1移动至最高位(步骤S230)。由于如果寄存器值与读取的存储器字值不同,则在该存储器字中存在耦合故障,所以报告错误(步骤S295)。上述诊断可以持续进行,也可以中断。
然后,以1将寄存器16初始化,使最低位为0(步骤S250),将该寄存器值(1111…110)写入测试区域13的起始字中(步骤S260),读取该字(在此情况下为起始字),确认读取的数据值是否与寄存器值相同(步骤S270)。然后将寄存器16移位(步骤S290),将移位后的寄存器值(1111…101)写入该起始字中后读取(步骤S260),确认读取的数据值是否与寄存器值相同(步骤S270)。重复上述诊断直至0移动至最高位(步骤S280)。由于如果寄存器值与读取的存储器字值不同,则在该存储器字中存在耦合故障,所以报告错误(步骤S295)。如果针对该起始字的诊断完毕,则从保留区域14向测试区域13恢复起始字的数据。通过上述的确认,可以测试起始字的内部是否没有位间的耦合故障。
如上述所示,针对起始字的字内测试完毕,接下来可以进行将起始字作为被测试字进行后述字间测试,但在本实施方式的情况下,是针对测试区域13中的所有字与上述相同地执行字内测试。
在图3的说明中,字内测试从最低位开始进行,但也可以将字内测试从最高位开始进行。另外,也可以首先以1将字内整体初始化,然后以0将字内整体初始化而执行字内测试。并且,也可以通过按照AAAAh或5555h等特定模板来初始化被测试字,针对移位后的多个特定模板,进行将该特定模板和从字中读取的数据进行比较的处理,从而进行字内测试。总而言之,只要可以确认在字内的各位上写入0和1,不会影响到其他位即可。
这样,如果针对所有字的字内测试完毕,则接着执行字间测试,其测试在测试区域13的某一个字和其他字之间是否没有耦合故障。根据图4说明字间测试步骤。在执行该字间测试之前,将测试区域13的存储数据复制至保留区域14中。
首先,以0将测试区域13的整体初始化。然后向进行了字内测试的1个被测试字的所有位上写入1(步骤S300),顺序读取测试区域13的其他字的存储数据,确认读取的数据值全部为0(步骤S310~S330)。由于在读取的数据值存在1的情况下,在数据值中含有1的字和被测试字之间存在耦合故障,所以报告错误(步骤S380)。
然后,以1将测试区域13整体初始化,随后向上述被测试字的所有位上写入0(步骤S340),顺序读取测试区域13的其他字的存储数据,确认读取的数据值全部为1(步骤S350~S370)。由于在读取的数据值存在0的情况下,在数据值中含有0的字和被测试字之间存在耦合故障,所以报告错误(步骤S380)。通过上述处理,可以诊断1个被测试字和其他字之间没有耦合故障。
接下来,以下一地址的字作为被测试字而重复相同的测试。通过从测试区域13的起始字按顺序对全部字进行上述字间测试,可以进行测试区域13整体的诊断。如果字间测试完毕,则从保留区域14向测试区域13恢复存储器值。然后,使CPU 11重新开始进行作为嵌入式***的动作。
图5示意地示出上述实施方式1的存储器诊断步骤。首先,使用1移位和0移位这2种移位模板,从起始字至最终字执行各字内部的位间测试。然后,以0将测试区域整体初始化,同时在被测试字的所有位上写入1,进行被测试字和其他字之间的耦合故障的测试,然后以1将测试区域整体初始化,同时在被测试字的所有位上写入0,进行被测试字和其他字之间的耦合故障的测试。针对所有字重复进行上述处理。
如果测试区域13的存储器大小为N位,则根据现有的Walkpath或Galpat的方法,为了诊断N位的测试区域,需要N2的存储器访问次数。如果使1个字为L位,则在实施方式1的方法中,由于字内测试需要L2×(N/L)次,字间测试需要(N/L)2次,所以访问次数成为L2×(N/L)+(N/L)2次。在N=L2的情况下,实施方式1的方法可以实现大约L倍的高速化。
另外,在上述说明中,首先针对所有的字执行字内测试,结束后再针对所有的字执行字间测试,但也可以每次针对1个字交替进行字内测试和字间测试,即,在1个字的字内测试结束后,将该字内测试完毕的字作为被测试字而进行字间测试,然后进行下一个字的字内测试,将该字内测试结束后的下一个字作为被测试字执行字间测试。另外,也可以每次针对多个字交替进行字内测试和字间测试,即,顺序连续进行规定数量的字(例如8个字)的字内测试,然后针对这些字内测试完毕的多个字顺序连续进行字间测试,随后顺序连续进行下一规定数量的字(例如8个字)的字内测试,然后针对这些字内测试完毕的多个字顺序连续进行字间测试。另外,在字间测试中,只要是已经进行了字内测试的字,就能够以任意顺序选择被测试字。另外,也可以在字间测试时,将被测试字依次设定为从起始字至最终字的所有字,并执行图4的步骤S300~S330所示的测试,使被测试字为全1,同时使其他字为全0,然后,将被测试字依次设定为从起始字至最终字的所有字,并执行图4的步骤S340~S370所示的测试,使被测试字为全0,同时使其他字为全1。
另外,也可以选择任意的测试模板作为初始化模板和被测试字的测试模板。但是,由于在初始化值和被测试字的测试模板这两者中都为1或都为0时,在位间产生耦合故障的情况下,会产生漏检,所以初始化模板和被测试字的测试模板,必须采用例如AAAAh和5555h这样彼此间位值反转的关系的模板。
另外,在上述内容中,在测试区域13的测试完毕之前,CPU 11不进行诊断之外的处理。这是由于CPU 11用于进行处理的存储器(测试区域13)中填入了诊断数据。但是,在CPU 11要进行诊断之外的处理,例如处理嵌入式***的应用程序的定时中,如果将表示在规定的存储器诊断序列中存储器诊断完成至哪一个序列的中断序列信息,记录在保留区域14或非易失性区域15中,则可以在从保留区域14向测试区域13复制数据而使CPU 11执行诊断之外的处理后,再次从测试区域13向保留区域14复制数据,参照中断序列信息重新开始诊断。
例如,在每次针对1个字交替进行字内测试和字间测试的情况下,CPU 11在进行诊断之外的处理之前,将表示被测试字从起始位置完成至何处的完成字信息记录在保留区域14或非易失性区域15中。然后,CPU 11从保留区域14向测试区域13复制数据,进行诊断之外的处理。在CPU 11重新开始存储器诊断的情况下,从测试区域13向保留区域14复制数据,从记录的完成字的下一字开始作为被测试字重新开始测试。根据上述处理,由于能够以时分方式进行存储器诊断,所以可以在应用程序处理的间隙进行存储器诊断,不会延误应用程序处理。
另外,也可以首先将测试区域13复制至保留区域14,然后使CPU 11在进行应用程序处理时访问保留区域14而进行处理,在存储器诊断时访问测试区域13。如果存储器诊断完成,则将保留区域14复制至测试区域13,切换测试区域13和保留区域14的地址。如果如上述进行,则不需要在以时分方式进行上述存储器诊断时进行测试区域13-保留区域14之间的复制,因此与上述方式相比能够进一步实现高速化。
这样,根据实施方式1,由于存储器的耦合故障诊断分为字内测试、字间测试的层次进行,所以虽然故障发生位置的确定变为以字为单位(即,在本方式中无法检测跨越不同字的耦合故障),但与Walkpath或Galpat的方法相比,可以减少存储器访问次数,缩短诊断时间。由此,可以在嵌入式***的应用程序的间隙执行存储器诊断。另外,通过在将诊断暂时中断时,记录字间测试完成的字地址,在诊断重新开始时从该地址重新执行,从而能够以时分方式进行存储器诊断。
另外,根据上述实施方式1,以字为单位进行字内测试及字间测试,但也能够以任意的块单位进行块内测试及块间测试。作为块的单位,例如为具有1个字、与多个字对应的存储器量即后述的局部字段。
实施方式2
下面,使用图6~图8等说明本发明的实施方式2。图6示出实施方式2的存储器诊断处理步骤。在实施方式2中,将存储器分为字、局部字段(array)及整体这三个层次进行诊断。所谓局部字段是指与多个字对应的存储器量。即,在实施方式2中,首先测试字内的各位间的包括耦合故障在内的故障(步骤S400),然后测试局部字段内的字间的包括耦合故障在内的故障(步骤S410),然后测试局部字段间的包括耦合故障在内的故障(步骤S420)。
在执行该字间测试之前,将测试区域13的起始局部字段的存储数据复制至保留区域14。首先,对于测试区域13的起始局部字段的起始字,与上述的图3所示的步骤相同地进行字内测试。如果该字内测试正常,则与上述图4所示的步骤相同,将已测试的字作为被测试字在局部字段内进行字间测试,以测试在起始局部字段中,已测试的字(在此情况下为起始字)和包括该字的局部字段中的其他字之间是否没有耦合故障。
然后,针对测试区域13的起始局部字段中的起始字的下一字,与上述图3所示的步骤相同地进行字内测试。如果该字内测试正常,则与上述图4所示的步骤相同,将已测试的字作为被测试字在局部字段内进行字间测试,以测试在起始局部字段中,已测试的字(在此情况下为起始字的下一字)和包括该字的局部字段中的其他字之间是否没有耦合故障。接下来,相同地对起始局部字段内的各字进行字内测试及字间测试。
然后,进行局部字段间测试,针对已测试的局部字段(在此情况下为起始局部字段)和其他局部字段之间是否没有耦合故障进行测试。根据图7说明局部字段间测试步骤。在执行该局部字段间测试之前,将测试区域13的存储数据复制至保留区域14中。
首先,以0将测试区域13的整体初始化,然后将已进行局部字段内测试的1个局部字段作为被测试局部字段,向该被测试局部字段的所有位写入1(步骤S500)。然后顺序读取测试区域13中的被测试局部字段之外的局部字段的存储数据,确认读取的数据值全部为0(步骤S510~S530)。在读取的数据值存在1的情况下,在数据值中包括1的局部字段和被测试局部字段之间存在耦合故障,所以报告错误(步骤S580)。
然后,以1将测试区域13的整体初始化,然后向上述被测试局部字段的所有位写入0(步骤S540),顺序读取测试区域13的被测试局部字段之外的局部字段的存储数据,确认读取的数据值全部为1(步骤S550~570)。在读取的数据值存在0的情况下,在数据值中包括0的局部字段和被测试局部字段之间存在耦合故障,所以报告错误(步骤S580)。通过上述处理,可以诊断在1个被测试局部字段和其他局部字段之间没有耦合故障。
然后,针对下一个局部字段,与上述相同地进行字内测试及字间测试,然后将该局部字段作为被测试局部字段,进行上述局部字段间测试。通过针对测试区域13内的所有局部字段顺序执行上述处理,可以针对测试区域13的整个区域进行耦合故障诊断。这样,如果整个存储器的测试完毕,则从保留区域14向测试区域13恢复存储器值。然后,CPU 11重新开始作为嵌入式***的动作。
图8示意地示出上述实施方式2的存储器诊断步骤。首先,对起始局部字段,对各字进行字内测试,然后对该局部字段进行字间测试。然后将测试区域整体初始化,进行局部字段间测试。对测试区域的所有局部字段,重复字内测试、字间测试、局部字段间测试,由此完成整个测试区域的测试。
假设测试区域13由N个M字的局部字段构成。如果使用Walkpath或Galpat的方法,则在诊断MN个字的测试区域时,在字内测试之外还需要(M×N)2的存储器访问次数。如果是实施方式2的方法,则在局部字段的字间测试中为N×(M2)次,在局部字段间测试中为N×(NM)次,存储器访问次数共计为N×(M2)+N×(NM)次。如果在这里使M=N=1000,即为1兆字的存储器,则实施方式2的方式与现有的方式相比,存储器访问次数为千分之一。
另外,在上述说明中,在1个局部字段内交替进行字内测试和字间测试,但也可以在1个局部字段内,完成针对所有字的字内测试后,对各字执行字间测试。另外,也可以在1个局部字段内,每次针对多个字交替进行字内测试和字间测试。另外,在字间测试中,只要是已进行字内测试的字,就能够以任何顺序选择被测试字。也可以在进行1个局部字段内的字间测试时,将被测试字依次设定为1个局部字段内的起始字至最终字的所有字,并执行图4的步骤S300~S330所示的测试,使被测试字为全1,同时使其他字为全0,然后,将被测试字依次设定为1个局部字段内的起始字至最终字的所有字,并执行图4的步骤S340~S370所示的测试,使被测试字为全0,同时使其他字为全1。
另外,也可以首先对测试区域内的所有字执行字内测试,然后执行各局部字段内的字间测试,随后执行局部字段间测试。另外,在局部字段间测试中,只要是已进行字间测试的局部字段,就能够以任意顺序选择被测试局部字段。
另外,也可以选择任意的测试模板作为初始化模板和被测试字的测试模板。但是,由于在初始化值和被测试字的测试模板这两者中都为1或都为0时,在位间产生耦合故障的情况下,会产生漏检,所以初始化模板和被测试字的测试模板,必须采用例如AAAAh和5555h这样彼此间位值反转的关系的模板。相同地,初始化模板及被测试局部字段的测试模板也可以选择任意的测试模板。在此情况下,也必须采用具有彼此间位值反转的关系的模板。
另外,在实施方式2中,在CPU 11要进行诊断之外的处理,例如处理嵌入式***的应用程序的定时中,如果将表示在规定的存储器诊断序列中存储器诊断完成至哪一个序列的中断序列信息,记录在保留区域14或非易失性区域15中,则可以在从保留区域14向测试区域13复制数据而使CPU 11执行诊断之外的处理后,再次从测试区域13向保留区域14复制数据,参照中断序列信息重新开始诊断。
例如,CPU 11在进行诊断之外的处理之前,将表示被测试字从起始位置完成至何处的完成字信息记录在保留区域14或非易失性区域15中。然后,CPU 11从保留区域14向测试区域13复制数据,进行诊断之外的处理。在CPU 11重新开始存储器诊断的情况下,从测试区域13向保留区域14复制数据,从记录的完成字的下一字开始作为被测试字重新开始测试。也可以不记录已完成字间测试的字,而是记录已完成局部字段间测试的局部字段地址。根据上述处理,由于能够以时分方式进行存储器诊断,所以可以在应用程序处理的间隙进行存储器诊断,不会延误应用程序处理。
另外,也可以首先将测试区域13复制至保留区域14,然后使CPU 11在进行应用程序处理时访问保留区域14而进行处理,在存储器诊断时访问测试区域13。如果存储器诊断完成,则将保留区域14复制至测试区域13,切换测试区域13和保留区域14的地址。如果如上述进行,则不需要在以时分方式进行上述存储器诊断时进行测试区域13一保留区域14之间的复制,因此与上述方式相比能够进一步实现高速化。
这样,根据实施方式2,由于存储器的耦合故障诊断分为字内测试、字间测试、局部字段间测试的层次进行,所以虽然故障发生位置的确定变为以局部字段为单位(即,在本方式中无法检测跨越不同局部字段的耦合故障的位置),但与现有方法相比,可以减少存储器访问次数,缩短诊断时间。由此,可以在嵌入式***的应用程序的间隙执行存储器诊断。另外,通过在将诊断暂时中断时,记录已完成字间测试的字地址、或已完成局部字段间测试的地址,在诊断重新开始时从该地址重新执行,从而能够以时分方式进行存储器诊断。
工业实用性
如上所示,本发明所涉及的存储器诊断装置,适用于要求高可靠性的嵌入式***,例如最少一天进行一次存储器诊断的紧急停止序列控制装置的存储器诊断中。
Claims (6)
1.一种存储器诊断装置,其诊断存储器的故障,
其特征在于,具有:
块内测试单元,其在上述存储器的每个规定的块中,针对该块内的各位而测试故障;以及
块间测试单元,其测试上述存储器中的各块间的故障。
2.根据权利要求1所述的存储器诊断装置,其特征在于,
块内测试单元在使测试模板变化的同时重复执行下述处理,即,向该块中写入规定的测试模板后,将从该块读取的数据和上述测试模板进行比较,
上述块间测试单元在按顺序改变将要被写入反转测试模板的块的同时重复执行下述处理,即,向所有块中写入规定的第1测试模板,并且向1个块中写入反转测试模板,然后针对除了被写入反转测试模板的块之外的块,将从该块读取的数据和上述第1测试模板进行比较,其中,上述反转测试模板是通过将上述第1测试模板反转而获得的。
3.根据权利要求1或2所述的存储器诊断装置,其特征在于,
上述块为1个字。
4.根据权利要求1或2所述的存储器诊断装置,其特征在于,
上述块为多个字。
5.一种存储器诊断装置,其诊断存储器的故障,
其特征在于,具有:
字内测试单元,其在上述存储器的每个字中,针对该字内的各位而测试故障;
字间测试单元,其在上述存储器的每个由多个字构成的局部字段中,针对局部字段内的各字间测试故障;以及
块间测试单元,其测试上述存储器中局部字段间的故障。
6.根据权利要求5所述的存储器诊断装置,其特征在于,
字内测试单元在使测试模板变化的同时重复执行下述处理,即,向该字中写入规定的测试模板后,将从该字读取的数据和上述测试模板进行比较,
上述字间测试单元在按顺序改变将要被写入反转第1测试模板的字的同时重复执行下述处理,即,向1个局部字段中写入规定的第1测试模板,并且向该局部字段内的1个字中写入反转第1测试模板,然后针对除了被写入反转第1测试模板的字之外的字,将从该字读取的数据和上述第1测试模板进行比较,其中,上述反转第1测试模板是通过将上述第1测试模板反转而获得的,
上述局部字段间测试单元在按顺序改变将要被写入反转第2测试模板的局部字段的同时重复执行下述处理,即,向存储器中写入规定的第2测试模板,并且向该存储器内的1个局部字段中写入反转第2测试模板,然后针对除了被写入反转第2测试模板的局部字段之外的局部字段,将从该局部字段读取的数据和上述第2测试模板进行比较,其中,上述反转第2测试模板是通过将上述第2测试模板反转而获得的。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP329309/2005 | 2005-11-14 | ||
JP2005329309 | 2005-11-14 | ||
PCT/JP2006/318568 WO2007055068A1 (ja) | 2005-11-14 | 2006-09-20 | メモリ診断装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101310343A true CN101310343A (zh) | 2008-11-19 |
CN101310343B CN101310343B (zh) | 2014-04-30 |
Family
ID=38023075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200680042518.5A Active CN101310343B (zh) | 2005-11-14 | 2006-09-20 | 存储器诊断装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7966531B2 (zh) |
JP (1) | JP4312818B2 (zh) |
KR (1) | KR100946853B1 (zh) |
CN (1) | CN101310343B (zh) |
DE (1) | DE112006002842B4 (zh) |
TW (1) | TWI370456B (zh) |
WO (1) | WO2007055068A1 (zh) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102792383A (zh) * | 2010-02-24 | 2012-11-21 | 恩德莱斯和豪瑟尔两合公司 | 检测存储器元件的功能能力的方法 |
CN103282892A (zh) * | 2011-02-18 | 2013-09-04 | 三菱电机株式会社 | 存储器诊断装置、存储器诊断方法以及程序 |
CN103295645A (zh) * | 2012-02-23 | 2013-09-11 | 安凯(广州)微电子技术有限公司 | 一种动态存储器的扫描检测方法及*** |
CN103455436A (zh) * | 2013-09-23 | 2013-12-18 | 北京经纬恒润科技有限公司 | 一种ram检测方法及*** |
CN103824600A (zh) * | 2014-03-05 | 2014-05-28 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 存储器测试方法及装置 |
CN105575437A (zh) * | 2014-10-10 | 2016-05-11 | 上海华虹集成电路有限责任公司 | 智能卡eeprom的测试方法 |
CN105630644A (zh) * | 2015-12-18 | 2016-06-01 | 无锡飞翎电子有限公司 | 洗衣机中微控制单元的内存检测方法及*** |
CN105788646A (zh) * | 2016-03-29 | 2016-07-20 | 杭州和利时自动化有限公司 | 一种ram检测方法及*** |
CN107924355A (zh) * | 2015-11-05 | 2018-04-17 | 日立汽车***株式会社 | 电子控制装置及电子控制方法 |
CN110970085A (zh) * | 2018-09-30 | 2020-04-07 | 长鑫存储技术有限公司 | Dram良率分析*** |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012027544A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Toshiba Corp | ライトバックキャッシュを備える情報処理装置、及びその主メモリ診断方法 |
US8516315B2 (en) * | 2010-09-03 | 2013-08-20 | Stmicroelectronics International N.V. | Testing of non stuck-at faults in memory |
TWI467593B (zh) * | 2010-09-06 | 2015-01-01 | Fugu Tech Entpr Co Ltd | 用於一非揮發性記憶體陣列之標記方法及初始化方法 |
JP5986474B2 (ja) | 2012-09-28 | 2016-09-06 | 株式会社東芝 | メモリ故障診断装置、メモリ故障診断方法 |
WO2016143077A1 (ja) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | 三菱電機株式会社 | メモリ診断装置及びメモリ診断プログラム |
US10510431B2 (en) | 2017-09-22 | 2019-12-17 | Qualcomm Incorporated | Detecting random telegraph noise defects in memory |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61222100A (ja) | 1985-03-26 | 1986-10-02 | Sharp Corp | 半導体メモリの試験方法 |
JPS62122000A (ja) | 1985-11-21 | 1987-06-03 | Nec Corp | 記憶素子 |
JP2602204B2 (ja) | 1985-11-29 | 1997-04-23 | 株式会社日立製作所 | 半導体メモリ装置 |
JP2520234B2 (ja) | 1986-05-10 | 1996-07-31 | 工業技術院長 | メモリ試験装置 |
US4891811A (en) * | 1987-02-13 | 1990-01-02 | International Business Machines Corporation | Efficient address test for large memories |
JPH03101000A (ja) | 1989-09-13 | 1991-04-25 | Fujitsu Ltd | 記憶媒体の試験方法 |
US5107501A (en) | 1990-04-02 | 1992-04-21 | At&T Bell Laboratories | Built-in self-test technique for content-addressable memories |
AU660011B2 (en) * | 1991-04-26 | 1995-06-08 | Nec Corporation | Method and system for fault coverage testing memory |
JPH05342113A (ja) | 1992-06-05 | 1993-12-24 | Japan Aviation Electron Ind Ltd | 組み込み型システムのramの故障検出方法 |
JPH0773665A (ja) | 1993-06-16 | 1995-03-17 | Nec Corp | 半導体メモリ装置の試験方法 |
US5396619A (en) | 1993-07-26 | 1995-03-07 | International Business Machines Corporation | System and method for testing and remapping base memory for memory diagnostics |
US6496950B1 (en) * | 1999-08-11 | 2002-12-17 | Lsi Logic Corporation | Testing content addressable static memories |
WO2001020614A1 (en) | 1999-09-15 | 2001-03-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of testing a memory |
EP1332416A2 (en) * | 2000-09-06 | 2003-08-06 | Infineon Technologies AG | Bist for parallel testing of on-chip memory |
JP3570388B2 (ja) | 2001-04-17 | 2004-09-29 | 日本電気株式会社 | メモリ診断装置及び診断方法 |
DE10135966B4 (de) * | 2001-07-24 | 2015-06-03 | Qimonda Ag | Verfahren und Vorrichtung zum On-Chip-Testen von Speicherzellen einer integrierten Speicherschaltung |
JP2003141897A (ja) | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メモリの検査装置および方法およびプログラム記憶媒体およびプログラム |
JP2003281899A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-03 | Sony Corp | 半導体記憶装置とその試験方法 |
JP3838932B2 (ja) | 2002-03-28 | 2006-10-25 | Necエレクトロニクス株式会社 | メモリ装置及びメモリ装置の試験方法 |
JP4179827B2 (ja) | 2002-08-30 | 2008-11-12 | Necエレクトロニクス株式会社 | メモリのテスト回路 |
CN1523367A (zh) | 2003-02-17 | 2004-08-25 | 上海华园微电子技术有限公司 | 一种测试电可擦除电可编程存储器的性能及其故障的方法 |
JP2005050393A (ja) | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Toshiba Lsi System Support Kk | 半導体装置およびその故障検出方法 |
CN100428364C (zh) | 2004-04-07 | 2008-10-22 | 华为技术有限公司 | 存储器地址线测试方法 |
-
2006
- 2006-09-20 WO PCT/JP2006/318568 patent/WO2007055068A1/ja active Application Filing
- 2006-09-20 JP JP2007544073A patent/JP4312818B2/ja active Active
- 2006-09-20 DE DE112006002842.1T patent/DE112006002842B4/de active Active
- 2006-09-20 US US12/093,562 patent/US7966531B2/en active Active
- 2006-09-20 KR KR1020087011725A patent/KR100946853B1/ko active IP Right Grant
- 2006-09-20 CN CN200680042518.5A patent/CN101310343B/zh active Active
- 2006-10-04 TW TW095136911A patent/TWI370456B/zh active
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102792383A (zh) * | 2010-02-24 | 2012-11-21 | 恩德莱斯和豪瑟尔两合公司 | 检测存储器元件的功能能力的方法 |
CN102792383B (zh) * | 2010-02-24 | 2015-09-09 | 恩德莱斯和豪瑟尔两合公司 | 检测存储器元件的功能能力的方法 |
CN103282892A (zh) * | 2011-02-18 | 2013-09-04 | 三菱电机株式会社 | 存储器诊断装置、存储器诊断方法以及程序 |
CN103282892B (zh) * | 2011-02-18 | 2016-01-20 | 三菱电机株式会社 | 存储器诊断装置以及存储器诊断方法 |
CN103295645A (zh) * | 2012-02-23 | 2013-09-11 | 安凯(广州)微电子技术有限公司 | 一种动态存储器的扫描检测方法及*** |
CN103295645B (zh) * | 2012-02-23 | 2016-03-09 | 安凯(广州)微电子技术有限公司 | 一种动态存储器的扫描检测方法及*** |
CN103455436B (zh) * | 2013-09-23 | 2016-09-14 | 北京经纬恒润科技有限公司 | 一种ram检测方法及*** |
CN103455436A (zh) * | 2013-09-23 | 2013-12-18 | 北京经纬恒润科技有限公司 | 一种ram检测方法及*** |
CN103824600B (zh) * | 2014-03-05 | 2017-01-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 存储器测试方法及装置 |
CN103824600A (zh) * | 2014-03-05 | 2014-05-28 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 存储器测试方法及装置 |
CN105575437A (zh) * | 2014-10-10 | 2016-05-11 | 上海华虹集成电路有限责任公司 | 智能卡eeprom的测试方法 |
CN107924355A (zh) * | 2015-11-05 | 2018-04-17 | 日立汽车***株式会社 | 电子控制装置及电子控制方法 |
CN105630644A (zh) * | 2015-12-18 | 2016-06-01 | 无锡飞翎电子有限公司 | 洗衣机中微控制单元的内存检测方法及*** |
CN105630644B (zh) * | 2015-12-18 | 2019-05-21 | 无锡飞翎电子有限公司 | 洗衣机中微控制单元的内存检测方法及*** |
CN105788646A (zh) * | 2016-03-29 | 2016-07-20 | 杭州和利时自动化有限公司 | 一种ram检测方法及*** |
CN110970085A (zh) * | 2018-09-30 | 2020-04-07 | 长鑫存储技术有限公司 | Dram良率分析*** |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112006002842T5 (de) | 2008-12-11 |
KR20080063407A (ko) | 2008-07-03 |
US7966531B2 (en) | 2011-06-21 |
TWI370456B (en) | 2012-08-11 |
DE112006002842B4 (de) | 2017-06-01 |
JPWO2007055068A1 (ja) | 2009-04-30 |
US20090089631A1 (en) | 2009-04-02 |
JP4312818B2 (ja) | 2009-08-12 |
TW200725632A (en) | 2007-07-01 |
CN101310343B (zh) | 2014-04-30 |
KR100946853B1 (ko) | 2010-03-09 |
WO2007055068A1 (ja) | 2007-05-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101310343B (zh) | 存储器诊断装置 | |
KR101075091B1 (ko) | 반도체 메모리 장치 및 그 테스트 방법 | |
KR100922422B1 (ko) | 반도체 시험 장치 및 반도체 메모리의 시험 방법 | |
KR101519491B1 (ko) | 누적 테스트를 위한 반도체 메모리 장치 및 이를 포함하는 시스템 | |
US8300467B2 (en) | Nonvolatile memory device and related method of operation | |
CN101246736B (zh) | 存储器***及其数据读取方法 | |
KR20060127014A (ko) | 비휘발성 메모리용 플렉시블 및 영역 효율성 컬럼 리던던시 | |
US7073100B2 (en) | Method for testing embedded DRAM arrays | |
CA1058324A (en) | Memory diagnostic arrangement | |
CN101447233A (zh) | 提高otp存储器可测性的***和方法 | |
US20080052570A1 (en) | Memory device testable without using data and dataless test method | |
TW201715399A (zh) | 資料儲存裝置及其資料維護方法 | |
US8015460B2 (en) | Test mode for parallel load of address dependent data to enable loading of desired data backgrounds | |
JP4086584B2 (ja) | 試験工程を簡略化できるメモリカード及びメモリカードの試験方法 | |
JP2009099202A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US8762926B2 (en) | Method and apparatus for diagnosing a fault of a memory using interim time after execution of an application | |
Kuo et al. | An efficient fault detection algorithm for nand flash memory | |
US6629190B2 (en) | Non-redundant nonvolatile memory and method for sequentially accessing the nonvolatile memory using shift registers to selectively bypass individual word lines | |
CN108572786B (zh) | 避免读取扰动的数据搬移方法以及使用该方法的装置 | |
TWI502350B (zh) | 快閃記憶體的存取裝置及方法 | |
US8392777B2 (en) | Centralized MBIST failure information | |
JP2001356971A (ja) | マルチプロセッサメモリをテストするシステム及び方法 | |
CN100365787C (zh) | 支持写缓冲的flash内部单元测试方法 | |
CN108572920B (zh) | 避免读取扰动的数据搬移方法以及使用该方法的装置 | |
KR19990023110A (ko) | 원 칩 클럭 동기식 메모리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |