CN101308800B - 金属反射壁的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种金属反射壁的制造方法，其包括在金属板上形成空腔结构的工序，其中，在上述金属板的背面层叠形成有叠层基板，上述空腔结构的侧壁为反射壁；上述工序包括第一步骤和第二步骤，在第一步骤中，在上述金属板的正面形成掩膜材料，该掩膜材料具有与上述空腔结构的开口部对应的掩膜开口部；在第二步骤中，根据上述掩膜材料的图形对上述金属板实施湿法蚀刻从而在该金属板的侧壁形成反射壁；在上述第二步骤的进行湿法蚀刻的过程中，进一步通过挤压加工沿着由上述湿法蚀刻所形成的反射壁折弯上述第一掩膜。由此，即使发光元件的短边侧的宽度变小，也能够确保LED芯片搭载面的区域和金属反射壁的厚度，从而稳定地形成金属反射壁。

Description

金属反射壁的制造方法
技术领域
本发明涉及一种发光元件的金属反射壁的制造方法，该发光元件适用于从侧面照射诸如液晶面板的薄型显示体。
背景技术
以往，作为用于从侧面照射液晶等的显示面板的背光灯光源，采用了发光二极管(以下，称之为“LED”)等的发光元件。为了有效地取出LED的发光并使其出射，人们提出了各种各样结构的发光元件。
例如，图10(a)和图10(b)所示的专利文献1(日本国专利申请公开特开2004-282004号公报，公开日：2004年10月7日)所记载的发光元件。
图10(a)是表示现有发光元件的平面图；图10(b)是表示图10(a)所示的发光元件的I-I方向的向视图。
如图10(a)和图10(b)所示，现有的发光元件具有LED501、形成于基板505上的第1电极503、在与该第1电极503相隔一定距离的位置上形成的第2电极504、用于反射LED501所发出的光的金属反射体502。
金属反射体502具有反射面502a，该反射面502a是通过对LED501的搭载位置的周围进行蚀刻而形成的，金属反射体502层叠在基板505上并与基板505形成为一体。由于透明树脂等覆盖LED501的搭载面的表面，在金属反射体502的反射面502a的上端边缘形成具有凸面外缘的透明树脂透镜506。
在此，较为理想的是具有以下结构的金属反射体502，即，将由LED501的发光面出射的光有效地从透明树脂透镜506出射的结构。以下说明在现有发光元件的制造方法中的金属反射体502的形成工序。
图11(a)表示在现有发光元件的制造工序中，金属反射体502形成之前的状态。图11(b)表示在现有发光元件的制造工序中，金属反射体502形成之后的状态。
如图11(a)所示，在金属层512上形成掩膜层511，该掩膜层511至少在LED501所搭载的位置具有开口。如图11(b)所示，对金属层512进行选择性的蚀刻从而形成反射面502a。这时，为了提高金属反射体502的侧面的反射率，通过改变蚀刻程度来控制反射面502a的形状，形成曲面。
另一方面，上述金属反射体502的制造方法也被用作形成其它构件的方法。例如，专利文献2(日本国专利申请公开特开2005-167086号公报，公开日：2005年6月23日)揭示了一种通过类似于上述制造方法的方法来形成LED搭载用基板中的金属凸部的结构。
图12是表示现有LED搭载用基板的剖面图。
如图12所示，现有的LED搭载用基板在LED601的搭载位置设置有金属凸部603，且散热用图形602b位于LED601和金属凸部603之间。由此，通过散热用图形602b和金属凸部603向金属基板604散发LED601所产生的热量，从而提高散热效果。另外，LED601与电极部602a电连接，在电极部602a的表面设有反射体605，反射体605包围LED601。
根据上述制造方法，金属凸部603通过以下方法形成，即，在金属基板604上形成金属层，在该金属层的表面形成抗蚀剂后，对表面金属层进行选择性的蚀刻。
发光元件具有对金属板进行湿法蚀刻而形成的反射面。但是发光元件并不是单个地进行制造，而是在一张金属板内均匀配置多个发光元件并同时进行制造，最后，通过刀片(刃)进行裁切，形成单个的发光元件。
图13(a)是表示从短边一侧的侧面观察在被裁切成单个发光元件之前的剖面图。图13(b)是表示图13(a)所示的发光元件在不具有掩膜材料705时的平面图。图13(c)是表示图13(a)所示的发光元件在具有掩膜材料705时的平面图。另外，为了便于说明，图13(a)～图13(c)仅表示两个发光元件。
图13(a)～图13(c)所示的发光元件包括Cu配线层701、树脂层702、蚀刻停止层703、具有反射面704a的金属反射壁704和由金属形成的掩膜材料705。在该发光元件中，对金属板进行蚀刻而形成反射面704a必须满足以下的3个条件。
条件A：LED芯片搭载面706平坦且具有较大宽度。
条件B：尽可能地使与LED芯片搭载面706平行的方向上的金属反射壁704的厚度B增大。
条件C：使与LED芯片搭载面706垂直的方向上的金属反射壁704的高度C大于预定高度。
以下说明上述条件A。在搭载LED芯片并通过引线键合进行导电连接时，须确保搭载时工具的位置。因此，在LED芯片搭载面706上，有必要确保、增大最低限度的宽度A。另外，为了良好地搭载LED芯片，LED芯片搭载面706必须平坦。
以下说明上述条件B。通过刀片对箭头X所示的部分进行裁切而形成单个的发光元件，因此，如果金属反射壁704的厚度B较薄，在进行裁切时有可能导致反射壁704破损。另外，当发光元件被裁切而形成单个的发光元件时，如果金属反射壁704的厚度t较薄，作为产品最终也将出现问题。因此，需要考虑裁切时所使用刀片的宽度P，尽量地增大金属反射壁704的厚度B。
以下参照图14(a)和图14(b)说明上述条件C。图14(a)和图14(b)是说明金属反射壁704的高度C的图。
如图14(a)和图14(b)所示，发光元件具有以下结构，即，向金属反射壁704的反射面704a所形成的内周侧的空间内填充密封树脂709从而覆盖LED芯片707和引线708，使密封树脂709的露出面与金属反射壁704的顶面形成在同一面上。由此，因为密封树脂709的形成区域是根据金属反射壁704的高度C来决定的，所以，需要根据LED芯片707或引线708不从密封树脂709露出的位置关系来设定金属反射壁704的高度C。
另外，较之于图14(b)所示的金属反射壁704的高度C较高的情况，在图14(a)所示的金属反射壁704的高度C较低的情况下的指向角(光的出射角度)α将变大。如果指向角α过大则损耗的光将变多，因此并不理想。由此，需要考虑LED芯片707或引线708不会从密封树脂709露出的位置关系以及指向角α来设定金属反射壁704的高度C。
理想的是满足上述3个条件，但是，对于上述专利文献1、2所揭示的通常方法，即，对于以掩膜材料进行保护的情况下对金属板进行蚀刻的方法，由于金属是各向同性地被蚀刻的材料，所以，难以使反射面的开口部形成所期望的形状。
例如，如图15所示，假设金属反射壁704的高度C(从蚀刻停止层703至开口部的高度)大于封装化时发光元件的宽度W。在这种情况下，由于蚀刻是各向同性地进行，所以，会产生这样问题：虽在开口部的横方向上蚀刻到满足LED芯片搭载面的区域，但是在开口部的高度方向上仍无法蚀刻到蚀刻停止层703(箭头Z)的问题。
与之相反，假设金属反射壁704的高度C小于封装化时发光元件的宽度W。在这种情况下，虽在开口部的高度方向上蚀刻到蚀刻停止层703，但由于横方向的蚀刻未进行到所需位置，因此，反射面704a将成为在LED芯片搭载面附近上升变得弯曲的形状。因此，无法充分地确保LED芯片搭载面的区域。
在此，由于在应成为LED芯片搭载面的面上设有蚀刻停止层703，所以蚀刻能够进一步的进行。但是，掩膜材料705附近的金属反射壁704的开口宽度过度增宽，导致掩膜材料705附近的金属反射壁704的厚度过薄，从而产生强度不充分而无法保持形状的问题。
基于上述理由，为了维持金属反射壁704的高度C为所期望的高度，且要确保LED芯片搭载面的区域和确保金属反射壁704的厚度B，将出现必须扩大发光元件的尺寸的问题，特别是必须扩大各个封装化后的短边侧的宽度W的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而进行开发的，其目的在于提供一种金属反射壁的制造方法，即，即使封装化后的发光元件的短边侧的宽度较小，也可确保LED芯片搭载面的区域和金属反射壁的厚度，并稳定地形成金属反射壁的制造方法。
为了解决上述问题，本发明的金属反射壁的制造方法包括在金属板上形成空腔结构的工序，其中，在上述金属板的底面层叠形成有基板，上述空腔结构的侧壁为反射壁；上述工序包括第一步骤和第二步骤，其中，在第一步骤中，在上述金属板的正面形成第一掩膜，该第一掩膜具有与上述空腔结构的开口部对应的掩膜开口部；在第二步骤中，根据上述第一掩膜对上述金属板实施湿法蚀刻从而在该金属板的侧壁形成反射壁；在上述第二步骤的进行湿法蚀刻的过程中，以覆盖上述空腔结构的开口部附近的方式进一步通过挤压加工沿着由上述湿法蚀刻所形成的反射壁向下折弯上述第一掩膜。
根据上述结构，金属板的底面层叠形成有基板，在金属板的正面形成第一掩膜，该第一掩膜具有与上述空腔结构的开口部对应的掩膜开口。然后根据上述第一掩膜对上述金属板实施湿法蚀刻从而在该金属板的侧壁形成反射壁。此时，在进行湿法蚀刻的过程中，进一步通过挤压加工沿着由上述湿法蚀刻所形成的反射壁折弯上述第一掩膜。
由此，能够利用上述第一掩膜保护空腔结构的开口部的边缘，并对金属箔的正面进行湿法蚀刻。由此，确保金属反射板的外周侧的侧壁和空腔结构侧的反射壁之间的厚度在预定以上，并能够稳定地保持其形状和强度，且在金属反射板的空腔结构中，能够抑制其开口部的开口宽度，增加其底部的底面宽度。
因此，即使减少封装化后的发光元件的短边侧的宽度，也能够确保金属板的空腔结构中的底部区域和金属板厚度，并稳定地形成空腔结构。另外，通过上述蚀刻方法形成具有较小开口部的反射壁，能够防止在金属板空腔内所填充的材料(例如树脂材料等)的剥离。
本发明的其他目的、特征和优点在以下的描述中会变得十分明了。此外，以下参照附图来明确本发明的优点。
附图说明
图1(a)表示本发明的金属反射壁的制造方法的一实施方式，是表示在形成透光性密封体之前上述发光元件的状态的立体图。
图1(b)是表示在形成了透光性密封体之后上述发光元件的状态的立体图。
图2是表示上述发光元件的结构的剖面图。
图3(a)～图3(b)是表示上述发光元件的制造工序的工序图。
图4(a)～图4(g)是表示上述发光元件中的上述金属反射壁的制造工序的工序图。
图5(a)～图5(d)是表示在上述发光元件的图4(g)所示的制造工序后的制造工序的工序图。
图6(a)是表示掩膜的开口部为长方形时的图。
图6(b)是表示掩膜的开口部为在其4角上形成有切口的长方形时的图。
图7是表示上述发光元件的结构的立体图。
图8(a)是表示对金属板实施第1次蚀刻后的通常状态的图。
图8(b)是表示对金属板实施第1次蚀刻后的掩膜材料向上翻卷时的状态的图。
图8(c)是表示对金属板实施第1次蚀刻后的向下挤压掩膜材料的状态的图。
图9(a)和图9(b)是表示上述发光元件中的上述金属反射壁的其它制造工序的工序图。
图10(a)是表示现有发光元件的结构的顶面图。
图10(b)是表示现有发光元件的剖面图。
图11(a)和图11(b)是表示现有发光元件中的上述金属反射壁的制造工序的工序图。
图12是表示现有发光元件的结构的剖面图。
图13(a)是表示现有发光元件的结构的剖面图。
图13(b)是表示上述现有发光元件的在没有掩膜材料的情况下的顶面图。
图13(c)是表示上述现有发光元件的在具有掩膜材料的情况下的顶面图。
图14(a)是表示在金属反射壁较低的情况下现有发光元件的结构的剖面图。
图14(b)是表示在金属反射壁较高的情况下现有发光元件的结构的剖面图。
图15是表示在现有发光元件中未蚀刻到基板的状态的剖面图。
具体实施方式
下面，参照附图说明本发明的一实施方式。
图1(a)是表示在形成透光性密封体110之前发光元件100的一构成例的立体图。图1(b)是表示在形成了透光性密封体110之后发光元件100的一构成例的立体图。
图2是表示发光元件100的详细结构的剖面图。
本实施方式的发光元件100的光出射面与被设置在便携式电话等的显示画面的液晶面板的侧面相对。即，发光元件100被用作为从侧面照射液晶面板的背光灯。
如图1(a)和图1(b)所示，本实施方式的发光元件100包括LED芯片101、金属反射板102、叠层基板106(顶面层103、中间层104、底面层105)、第1电极部107、第2电极部108、绝缘构件109以及透光性密封体110。
LED芯片101是由GaN系半导体材料等形成的半导体芯片，其发光面101a发出蓝色光。另外，通过贴片键合向第1电极部107安装LED芯片101，使该LED芯片101的发光面101a朝上。另外，LED芯片101的发光面101a上具有阴极电极和阳极电极的电极端子(未图示)。
金属反射板102形成以下结构，即，反射从LED芯片101的发光面101a所发射出的光，并将其引导至光出射面113。另外，金属反射板102由铜形成，金属反射板102在基板的安装面上与叠层基板106形成一体，并包围LED芯片101、第2电极部108和绝缘构件109。具体来说，金属反射板102与第1电极部107形成一体，并在其内部一侧露出一部分的第1电极部107。
如图2所示，在金属反射板102的内侧形成有反射壁102a，该反射壁102a在叠层方向上具有弓状的剖面。另外，金属反射板102的内周侧的形状是通过对大致呈长方体的金属板进行蚀刻而成。另外，也可以通过先对金属箔进行挤压加工形成凹陷形状，再对该凹陷形状进行蚀刻来形成金属反射板102的内周侧的形状。由此，因为是对已形成的凹陷形状进行蚀刻，所以，能够更简单地形成金属反射板102的内周侧的形状。
由于通过湿法蚀刻形成金属反射板102的外周一侧的侧面，所以垂直于叠层基板106的断面形成为平缓的曲线状，其中，上述金属反射板102的外周侧面与发光元件100的短边方向平行。具体来说，从上述金属反射板102的外周侧面的上端向下端形成为远离LED芯片101的平缓的曲线状。另外，垂直于发光元件100的短边方向的上述金属反射板102的外周侧面是通过裁切金属反射板102和叠层基板106形成的侧面。
叠层基板106是通过从安装面侧开始依次层叠顶面层103、中间层104和底面层105而构成。
首先说明顶面层103的结构。
在顶面层103上形成有分别与LED芯片101连接的第1电极部107和第2电极部108，第1电极部107和第2电极部108作为向LED芯片101提供驱动电流的电极端子。另外，为了使第2电极部108与第1电极部107之间绝缘，在第2电极部108***形成有包围第2电极部108的绝缘构件109。将顶面层103也就是叠层基板106的正面作为安装LED芯片101的安装面。
在安装面上第1电极部107包围绝缘构件109，且绝缘构件109形成于第2电极部108的***。也就是说，在形成于安装面上的金属反射板102和绝缘构件109之间形成有作为安装面金属反射膜的第1电极部107。
另外，通过引线键合，第1电极部107连接LED芯片101的阴极电极。第1电极部107和金属反射板102由同一种金属(在本实施方式中为铜)一体形成。
另外，作为第1电极部107和金属放射板102的材料并不仅限于铜，也可以利用其它金属来形成，较为理想的是利用反射性良好的铜、银、金、镍和铝。
如上所述，由于金属反射板102和第1电极部107形成一体，在整个元件中金属所占的比率增大，因此不但其散热性得以提高，对于防止光泄漏也具有改善作用。
第2电极部108由铜形成，通过引线键合与LED芯片101的阳极电极连接。另外，在安装面上的金属反射板102所包围的区域内，绝缘构件109包围第2电极部108的外缘，第2电极部108形成岛状。
另外，对第2电极部108的形状并不做特别的限定，除了本实施方式所示的形状以外，还可以是三角形、四角形或矩形等形状，为避免电场集中优选在角部具有弧度的形状。
在本实施方式中，如上所述，LED芯片101的阴极电极连接第1电极部107，LED芯片101的阳极电极连接第2电极部108。但是，并不限于本实施方式的结构，也可以是LED芯片101的阳极电极连接第1电极部107，LED芯片101的阴极电极连接第2电极部108的结构。第1电极部107和第2电极部108的电位不同，可以根据设计而任意地连接LED芯片101的阳极电极或阴极电极。
绝缘构件109通过树脂形成，使第2电极部108与第1电极部107绝缘。另外，绝缘构件109形成为包围第2电极部108外周的环状。
因此，即使在安装面上由金属反射板102包围的几乎整个区域内广范围形成作为安装面金属反射膜的第1电极部107，由于通过绝缘构件109能够使第2电极部108与上述区域的其它部位绝缘，所以能够通过上述安装面金属反射膜对由LED芯片101射向基板侧的大部分光进行反射，并引导至光出射方向上所设置的光出射面113。其中，上述第1电极部107包围绝缘构件109，绝缘构件109包围上述第2电极部108。因此，能够减少被基板所吸收的光以及减少通过基板从背面向元件外部泄漏的光量，从而提高从光出射面113出射的出射光强度。
另外，在发光元件100中，由于减少了由散热性较低的树脂所形成区域的大小而大范围地形成作为安装面金属反射膜的第1电极部107，从而能够提高发光元件100的散热性。而且，由于第1电极部107和金属反射板102一体形成，所以能够有效地向外部发散金属反射板102产生的热量。
综合上述，在顶面层103形成有第1电极部107和第2电极部108。其中，第1电极部107和金属反射板102层叠并形成一体化，与第2电极108之间相隔绝缘构件109；第2电极部108被绝缘构件109包围。另外，顶面层103还形成有导电部的层，该导电部用于使中间层104和形成于安装面的各电极部进行电连接。可以根据第1电极部107和第2电极部108的形状等适当地选择导电部的形成区域。
中间层104使顶面层103与形成于底面层105上的各电极部进行电连接。中间层104是由导电部的层构成，使得顶面层103和底面层105电连接。
以下说明底面层105。
底面层105由环氧玻璃基板等的粘合材料利用粘合带层叠而成。另外，底面层105连接其它构件，并形成有与外部进行电信号的输入/输出的阳极电极和阴极电极。
阳极电极和阴极电极通过以下方法形成，即，底面层105介于粘合带与中间层104挤压粘合，在这种状态下，对各通孔的内周面实施镀铜111。该形成于通孔的镀铜111分别电连接第1电极部107和第2电极部108。另外，在对金属反射板102的内周侧的反射壁102a实施镀银112时，阴极电极和阳极电极上将形成镀银112。
透光性密封体110对叠层基板106和金属反射板102所包围的内部空间(空腔内)进行密封。另外，透光性密封体110由树脂形成，在本实施方式中，树脂采用硅酮。LED芯片101的发光面101a所发出的光从光出射面113出射，其中，该光出射面113被设置在透光性密封体110的光出射方向上。
对金属反射面102的顶面和内周侧的反射壁102a实施镀银112。由于银对蓝色光的反射率较高，所以，通过实施镀银112，能够有效地反射从LED芯片101出射的光并将其导至光出射面113。
另外，透光性密封体110具有保护LED芯片101和镀银112的功能。如上所述，为了有效地反射LED芯片101发出的光，对金属反射板102实施对于蓝色光其反射率高的镀银112。但是，由于银的反应性高，所以容易因腐蚀性气体等而发生变色、劣化。对此，通过透光性密封体110来进行保护，防止银在恶劣条件下发生反应或剥落。
如上所述，在本实施方式中，由上述安装面和金属反射板102所包围的区域的、在LED芯片101出射光的出射方向上的上端部形成有作为光出射面113的开口，透光性密封体110填充上述区域。进而，在上述区域中，中间部位于光出射面113(上端开口部)和成为底面的安装面之间，且中间部的平面方向剖面的最大宽度大于光出射面113的平面方向的最大宽度，即，平面方向的剖面从上述中间部向上述光出射面113逐渐收缩。
另外，对与透光性密封体110接触的下述区域的内周面实施粗糙化处理，从而使其成为凹凸形状，即，金属反射板102的反射壁102a被实施镀银112的区域和第1电极部107、第2电极部108被实施镀银112的区域。
关于凹凸形状，优选诸如陡峭的山峰与山谷连续的形状。关于表面粗糙化处理的方法，使用现有技术中通常利用的方法即可，例如，在对金属反射板102进行蚀刻的形成工序、或者该工序之后在安装面上除去被设置在金属反射板102与顶面层103之间的镍层(未图示)的蚀刻工序中，通过改变通常情况下的腐蚀剂和蚀刻条件，对金属反射板102的表面实施粗糙化处理从而形成凹凸形状。
如上所述，由于镀银112的反应性较高、且易被腐蚀，所以，需要对镀银112进行保护并防止其剥离、劣化。对此，根据本实施方式的上述结构，透光性密封体110与镀银112紧密地接触，从而使透光性密封体110作为保护膜的作用得以提高。
另外，透光性密封体110含有荧光体。由此，LED芯片101所发出的蓝色光在透光性密封体110中将变成黄色光。因此，通过将从LED芯片101发出的蓝色光和从荧光体发出的黄色光进行合成从而能够使得从光出射面113射出白色光。
由LED芯片101发出的蓝色光而获得白色光的方法有多种，例如，上述采用黄色荧光体的方法、采用绿色荧光体和红色荧光体的方法等。组合上述方法，通过对光进行混合合成就能得到白色光。
如上所述，在本实施方式的发光元件100中，金属反射板102被直立地设置在LED芯片101的光出射方向上，并完全包围上述LED芯片101的周围，其中，该金属反射板102用于反射从LED芯片发出的出射光，并将其引导至设置在光出射方向的光出射面。因此，能够通过金属反射板102有效地反射从LED芯片101向周围发出的光并将其引导至上述光出射面。由此，能够抑制元件侧面的漏光，从而提高光出射面113的出射光强度。
另外，在安装面上的被金属反射板102所包围的区域中，在第2电极部108和绝缘构件109的形成区域之外的区域，形成有作为安装面金属反射膜的第1电极部107，其中，上述绝缘构件109使第2电极部108与第1电极部107之间绝缘。因此，能够通过第1电极部107对从LED芯片101射向叠层基板106侧的大部分光进行反射，并引导至设置在光出射方向的光出射面113。由此，能够减少被叠层基板106所吸收的光以及通过基板从背面向元件外部泄漏的光量，提高从光出射面113的出射光强度。
另外，上述发光元件100的透光性密封体110采用的是硅酮，由于硅酮的粘合性较弱，所以仅使硅酮粘合于平面时则容易发生剥落。
但是，在如上所述的本实施方式的发光元件100中，金属反射板102的开口部小于中间部，因此，能够防止透光性密封体110从发光元件100剥落。其中，上述开口部作为光出射面113，其位于光出射方向的上端，上述中间部位于上述开口部和安装面一侧的底面部之间。
进而，在金属反射板102的、与透光性密封体110接触的内周面上形成凹凸形状，其中，该内周面被实施镀银112。由此，透光性密封体110和金属反射板102的接触面积增大，所以，可提高透光性密封体110和金属反射板102的紧密接合度，从而能够抑制透光性密封体110的剥落。
另外，金属反射板102的开口部和外周侧的侧面形状可以根据易于蚀刻的形状或设计来决定。进而，由于光源小型化的要求，较为理想的是发光元件的外形尺寸需要尽可能地小。为了确保光源的发光面积，在不断实现元件的小型化的同时，较为理想的是将金属反射板102的开口部尽可能大。
另外，本实施方式说明了具有1个LED芯片101的结构，但并不限于此，也能够对应具有2个以上的LED芯片的结构。像这样，通过在1个发光元件内适当地配置搭载多个LED芯片，能够在不使元件结构大型化的条件下提高光出射强度。
另外，本实施方式的发光元件100形成以下结构较为理想，即，在上述安装面和金属反射板102所包围的区域中的、LED芯片101的光出射方向的上端部形成有开口该开口作为光出射面113，透光性密封体110填充上述区域。在上述区域中，中间部位于光出射面113(上端开口部)和成为底面的安装面之间，且中间部的平面方向剖面的最大宽度大于光出射面113的平面方向的最大宽度，即，平面方向的剖面从上述中间部向上述光出射面113逐渐收缩。
作为在发光元件100中搭载的LED芯片，通常采用出射蓝色光的蓝色LED。因此，为了提高金属反射板102的反射率，而在金属反射板102的表面实施对蓝色光具有较高反射率的镀银。但如上所述，由于银的反应性较高，因此，容易腐蚀、劣化。所以，需要对镀银进行保护并防止镀银剥离和劣化。在发光元件100中，填充透光性密封体110，并使其与镀银112紧密地接触。
因此，一般来说，利用其粘合性比环氧树脂等较弱的硅酮等作为透光性密封体110的密封树脂。如上所述，通过缩小透光性密封体110的开口面的开口即光出射面113的开口，能够提高透光性密封体110对金属反射板102的反射壁102a的紧密接合性，从而能够抑制透光性密封体110的剥离。由此，能够在稳定的状态下通过透光性密封体110对金属反射板102的反射壁102a进行保护。
(本实施方式的第1制造工序)
以下说明本实施方式的发光元件100的制造方法。
首先参照图3(a)和图3(b)说明本实施方式的发光元件100的简单的制造工序。图3(a)表示在形成反射壁102a之前的金属反射板102的状态，图3(b)表示在形成反射壁102a之后的金属反射板102的状态。另外，发光元件100不是单个地制造，而是在一张金属箔内均匀配置多个发光元件来同时进行制造。在图3(a)和图3(b)中，为了省略说明而仅表示了1个发光元件。
以下说明在图3(a)所表示的状态之前的发光元件100的制造工序。
利用金属箔201(金属板)(此处为铜箔)作为最初的衬底。在该金属箔201的基板形成侧的整个面(最终将成为LED芯片搭载面侧)上，形成与金属箔201不同金属的金属镀敷层202(此处为镍)。在与该镍的金属镀敷层202相反侧的面上，形成配线层和混合了环氧树脂的多层配线树枝层(顶面层103和中间层104)。该制造方法是利用填充导孔(Viafilling)法等形成多层配线树脂层的一般方法，但对其制造方法并不作特别的限定。在多层配线树脂层上粘贴底面层105(此处为环氧玻璃基板)，底面层105由树脂片等构成，且具有用于引出底面电极的通孔。
另外，如上所述，底面层105形成与中间层104的下部粘合的结构，一般作为在安装发光元件100或液晶面板背光灯后的电极来使用，在此，省略其详细说明。
多层配线树脂层以下的结构并不限于上述结构，也可以形成没有多层配线树脂层的结构。但，最终必须是配线层从成为LED芯片搭载面的正面贯通至底面的结构。
根据上述，制得如图3(a)所示状态为止的发光元件100。
接着，在粘合底面层105后，利用上述光学工艺，对金属箔201的未形成图案的面(成为光出射面113的面)实施蚀刻。在粘合底面层105后，利用镍对金属箔201的未形成图案的整个面进行电镀处理，详细说明将于后述。之后，形成图案使得光出射面113的区域具有开口，将该形成图案的镀镍用作为掩膜材料。其后，对金属箔201实施蚀刻，使得最终到达叠层基板106的顶面层103(上述镍的金属镀敷层202)并使顶面层103露出，从而确保作为LED芯片101的搭载面所必需的平坦区域，其中，上述顶面层103作为蚀刻停止层起作用，且最终成为LED芯片101的搭载面。由此，如图3(b)所示，形成空腔结构，即，金属反射板102的反射壁102a和叠层基板106的顶面层103(镍的金属镀敷层202)所包围的内部空间。
为了提高金属反射板102的反射率，利用对LED芯片101所发出光具有高反射率的银等进行电镀。
根据上述结构，金属箔201通过蚀刻成为金属反射板102，金属反射板102的内周侧具有反射壁102a。在金属反射板102的经蚀刻被除去的底面部，再除去镍的金属镀敷层202，从而使叠层基板106的顶面层103露出并将其作为安装面。另外，形成于叠层基板106的顶面层103上的第2电极部108通过绝缘构件109与第1电极部107绝缘，其中，绝缘构件109包围第2电极部108地形成。由于第1电极部107和金属反射板102由同种金属一体化成形，所以第2电极部108将被配置成至少不接触金属反射板102的结构。
另外，对LED芯片101进行配置后通过利用引线的引线键合进行导电连接，之后，向由金属反射板102和叠层基板106的顶面层103所包围的内部空间(空腔结构)中注入环氧树脂或硅酮等树脂并将其固化而形成透光性密封体110，使得LED芯片101和引线被密封。另外，可根据必要而使透光性密封体110中含有荧光体。在透光性密封体110成型后，沿着裁切线进行切割，由此将多个发光元件进行分离而获得单个的发光元件100。
由此，通过上述制造方法，由于能够使金属反射板102和叠层基板106一体化，所以能够提高散热性。进而，由于微小地形成第2电极部108，所以能够使发光元件100薄型化，从而能够使采用了本发光元件的液晶面板背光灯实现薄型化。
在此，本发明以金属反射板102的反射壁102a的制造方法(金属反射壁的制造方法)为特征。以下详细说明本实施方式中的发光元件100的金属反射板102的反射壁102a的制造方法。
图4(a)～图4(g)是表示本实施方式的发光元件100中的金属反射板102的反射壁102a的制造工序的流程图。图4(a)～图4(g)是在图3(a)到图3(b)所示工序之间所进行的工序。另外，省略图示顶面层103以下的叠层。
在图3(a)所示的工序后，如图4(a)所示，在金属箔201上形成图形，使得要成为光出射面113的区域具有开口部，从而形成掩膜材料211(第1掩膜)。
如图6(a)所示，当如图1(a)所示的金属反射板102的开口部为长方形时，掩膜材料211的开口部形成为相同形状的长方形(四边形)。或者，如图6(b)所示，掩膜材料211的开口部也可以形成为在其4个角上形成有切口Xa的长方形。即，在金属箔201上形成掩膜材料211，使得在图7所示的金属反射板102的开口部115的4个角X的部分上形成有图6(b)所示的4个角的切口Xa。
接着，如图4(b)所示，在金属箔201上形成掩膜材料211后，进行湿法蚀刻。图4(b)表示湿法蚀刻的过程。
如图4(b)所示，通常在湿法蚀刻的过程中，掩膜材料211的、开口部所形成的端部呈平坦状态。在这种情况下，通过如图15所示的现有的方法，即以掩膜材料作为保护对金属板实施湿法蚀刻的方法，由于金属是各向同性地被蚀刻的材料，难以使反射壁102a的开口部形成所期望的形状。
对此，如图4(c)所示，在本实施方式的发光元件100的金属反射板102的反射壁102a的制造方法中，通从上方朝顶面层103(叠层基板106)的方向挤压掩膜材料211，从而沿着开口部的边缘折弯掩膜材料211。
该挤压方法是通过利用橡胶等弹性体使该弹性体从掩膜材料211的上方朝顶面层103方向挤压来进行的。此时，弹性体进入到通过湿法蚀刻而形成的台阶形状中，存在于弹性体和金属箔201之间的掩膜材料211则沿着开口部的边缘被折弯。另外，上述弹性体优选能够使掩膜材料211产生塑性变形而折弯，并且具有能够延伸至开口部内部的弹性。
由此，由于折弯后的掩膜材料211覆盖金属反射板102的开口部附近，所以能够使蚀刻不再向开口部附近进行，而使蚀刻向未被掩膜材料211覆盖的顶面层103方向进行。
接着，根据图4(c)所示的挤压加工后的掩膜材料211进一步实施湿法蚀刻，由此，将如图4(f)所示地在金属箔201的内周侧形成具有反射壁102a的金属反射板102。这样，能够使反射壁102a的开口部形成所希望的形状。最后如图4(g)也就是图3(b)所示，将掩膜材料211剥离后形成具有空腔结构的金属反射板102。另外，上述说明表示这样的情况，即跳过对图4(d)和图4(e)所示的工序，从图4(c)直接移动至图4(f)所示的工序的情况。
在上述说明的湿法蚀刻的过程中，如图4(b)所示，掩膜材料211的形成有开口部的端部呈平坦状态。但是，在进行湿法蚀刻的过程中，由于湿法蚀刻的水压或叠层应力的释放而产生变形(或者多种因素)，掩膜材料211可能会出现向上方(与顶面层103相反的方向)翻卷的情况。
例如，在图4(b)所示的掩膜材料211的状态下，形成有开口部的端部不成为平坦的状态，而出现向上翻卷的情况。另外，即使如图4(c)所示的使掩膜材料211折弯，在其后的湿法蚀刻的过程中，如图4(d)所示，也可能再出现掩膜材料211向上翻卷的情况。
这样，由于掩膜材料211向上翻卷，腐蚀剂就容易存在于金属箔201的开口部附近，从而加速开口部附近的蚀刻。例如，当由于水压而发生翻卷时，掩膜材料211的开口部的端部将成为没有被固定的可易于移动的薄膜，从而不能维持该开口部的宽度。因此，由于发生翻卷而使在横方向上的蚀刻加速，从而导致开口部的宽度变大。
为了防止上述情况发生，可以利用与图4(c)所示的工序相同的挤压方法，将从上方朝顶面层103(叠层基板106)的方向对向上翻卷的掩膜材料211进行挤压，使掩膜材料211的向上翻卷的部分折弯。由此，既能维持开口部的宽度，又能进行蚀刻。
以下利用图4(d)所示的状态进行说明，即，在图4(d)所示的状态后，如图4(e)所示地沿着开口部的边缘使掩膜材料211折弯。然后，根据图4(e)所示的被实施挤压加工后的掩膜材料211，进一步进行湿法蚀刻，由此，如图4(f)所示地，金属箔201形成为金属反射板102，金属反射板102的内周侧具有反射壁102a。由此，即使掩膜材料211在湿法蚀刻的过程中向上翻卷，也能够使反射壁102a的开口部形成所希望的形状。最后如图4(g)所示，将掩膜材料211剥离，从而形成具有空腔结构的金属反射板102。
如上所述，在本实施方式的发光元件100的金属反射板102的反射壁102a的制造方法中，在利用掩膜材料211进行湿法蚀刻的过程中，掩膜材料211向上翻卷或不向上翻卷，都可以利用弹性体沿着开口部的边缘折弯掩膜材料211。然后，根据折弯后的掩膜材料211进一步进行湿法蚀刻，能够使反射壁102a的开口部形成所希望的形状。
另一方面，在进一步进行湿法蚀刻的过程中，随着湿法蚀刻的进行，当掩膜材料211向上翻卷时，与第一次相同地再次利用弹性体沿着开口部的边缘折弯掩膜材料211。也就是说，如图4(c)～图4(e)所示，根据掩膜材料211进行湿法蚀刻，如果在进行湿法蚀刻的过程中发生掩膜材料211向上翻卷的情况，则进行以下工序，即，利用挤压加工从上朝顶面层103的方向折弯掩膜材料211，直至贯通金属箔201到达叠层基板106的顶面层103(镍的金属镀敷层202)。由此，能够将金属箔201制成具有所期望形状的内周侧的反射壁102a的金属反射板102。
另外，利用掩膜材料211保护金属箔201的开口部的边缘，由此，能够进行蚀刻，并能够防止在蚀刻完成时金属反射板102的外周侧的侧壁和空腔结构侧的反射壁102a之间的厚度过薄。由此，比较相同时间内在横方向上进行蚀刻的量，可知：掩膜翻卷的金属箔(掩膜呈易于移动的薄膜状态)＞掩膜不翻卷的金属箔＞掩膜挤压加工的金属箔。另外，在形成图6(b)所示的掩膜材料211的开口部时，由于在其4角上形成有切口，所以在进行挤压加工时，能够简单地折弯上述角部。
另外，也可以追加以下步骤，作为形成金属反射板102的内周侧的反射壁102a的最后的制造工序。
图5(a)～图5(d)是表示接着图4(g)所示的制造工序之后进行的制造工序的流程图。另外，图中省略顶面层103以下的叠层。
如图5(a)所示，在图4(g)的工序以后，对剥离了掩膜材料211的金属反射板102的、顶面层103(叠层基板106)一侧和与之相反一侧的表面实施电镀处理，形成镍的金属镀敷212(第1金属镀敷)，金属镀敷212之后将成为掩膜材料213。该金属镀敷212的材质，优选镍、金、锡、铅或者其合金。
接着，如图5(b)所示，除去镍的金属镀敷212中的、形成于顶面层103上的镍金属镀敷，将镍的金属镀敷212加工成掩膜材料213(第2掩膜)，其中，上述形成于顶面层103上的镍金属镀敷是由上述工序的湿法蚀刻所形成的反射壁102a包围。即，仅在镍的金属镀敷212的上述底面上形成图形，设置开口部。
接着，如图5(c)所示，根据上述形成的掩膜材料213进行湿法蚀刻，由此，最终形成反射壁102a的形状，其中，反射壁102a位于金属反射板102的内周侧。然后，如图5(d)所示，剥离掩膜材料213。
根据上述，通过进行修正、追加的调整，而最终能够形成良好的位于金属反射板102的内周侧的反射壁102a。
另外，对于图4(d)所示的在蚀刻时所产生的掩膜材料211的向上翻卷，会由于微妙的水压的强弱而改变向上翻卷的程度，因此会使掩膜材料211附近的开口部的形状产生偏差。因此，由于上述开口部的形状的偏差会直接关系到反射壁102a的内面形状的偏差，所以并不理想。对此，可以将掩膜材料211的厚度增加至充分的厚度，使其具有足够的强度。例如，在掩膜材料211为镍时，只要其厚度为3μm以上，就不会因水压而翻卷，能够保持如图8(a)所示的初期形状，进行有着良好再现性且安定的蚀刻。另外，还能够适于量产。
另外，掩膜材料211优选不会由于蚀刻时的水压而发生变形，能够在上述挤压工序时被折弯后也不会由于上述水压而发生变形。作为掩膜材料211的材质，优选镍、金、锡、铅或者其合金。掩膜材料211的厚度可以根据掩膜材质进行适当地调整。通过这样选定的掩膜材料211，能够消除掩膜材料211的向上翻卷，在蚀刻过程中1次完成对掩膜材料211的折弯工序。
在上述金属反射板102的反射壁102a的制造方法中，包括第1步骤和第2步骤，其中，在第1步骤中，在金属箔201的形成光出射面113的表面上，形成掩膜材料211，该掩膜材料211具有与空腔结构的成为光出射面113的开口部对应的掩膜开口部，在第2步骤中，根据掩膜材料211对金属箔201实施湿法蚀刻，在金属箔201的侧壁上形成反射壁102a；在第2步骤的进行湿法蚀刻的过程中，通过挤压加工沿着由上述湿法蚀刻所形成的反射壁102a折弯掩膜材料211。
根据上述方法，在金属箔201的底面层叠形成有叠层基板106，在金属箔201的顶面形成有掩膜材料211，该掩膜材料211具有与空腔结构的开口部对应的掩膜开口部。根据掩膜材料211对金属箔201实施湿法蚀刻，在金属箔201的侧壁上形成反射壁102a。然后如图8(a)或图8(b)所示地，在进行湿法蚀刻的过程中，进一步如图8(c)所示地通过挤压加工沿着由上述湿法蚀刻所形成的反射壁102a折弯掩膜材料211。
由此，既能通过掩膜材料211对金属箔201的开口部边缘进行保护，又能对金属箔201的表面进行湿法蚀刻。因此，所制造的金属反射板102的外周侧的侧壁和空腔结构侧的反射壁102a之间的厚度能够维持在预定以上，并且稳定地保持其形状和强度。另外，在金属反射板102的空腔结构中，能够抑制其开口部的开口宽度，并增加其底部的底面宽度。
例如，在现有技术中，当利用宽度为240μm的LED芯片时，如果不对掩膜材料211进行挤压时，相对于高度为250μm以上的铜壁，短边侧的封装宽度最小只能减小到800μm。
对此，利用上述金属反射板102的反射壁102a的制造方法对掩膜材料211进行挤压时，相对于同样高度为250μm以上的铜壁，短边侧的封装宽度能够减小至600μm。进而在利用上述制造方法的情况下，如果设定短边侧封装的宽度为800μm，所形成的铜壁的高度可以达到300μm以上。
另外，在本实施方式的发光元件100的金属反射板102的上述反射壁102a的制造方法中，首先对金属箔201进行湿法蚀刻，直至露出叠层基板106的顶面层103(镍的金属镀敷层202)，通过依次反复湿法蚀刻和挤压加工，形成金属反射板102的反射壁102a。
由此，即使在挤压加工后进行湿法蚀刻时掩膜材料211再次向上翻卷，也能够通过再次挤压加工从而以掩膜材料211确实地保护空腔结构的开口部的边缘。
(本实施方式的第2制造工序)
以下说明本实施方式的发光元件100的其它制造方法。
图9(a)表示金属反射板102的反射壁102a形成之前的状态，图9(b)是表示金属反射板102的反射壁102a形成之后的状态。另外，发光元件100不是单个地制造，而是在一张金属箔内均匀配置多个发光元件并同时进行制造。在图9(a)和图9(b)中，为了省略说明而仅表示了1个发光元件。
为了提高对金属反射板102的反射壁102a的开口端形状的控制性，能够利用以下制造方法进行制造。即，利用如图9(a)所示的金属箔201，其中，金属箔201通过预先向对应金属箔201的蚀刻部分进行挤压加工，形成有凹部205。
然后，通过与图3(a)和图3(b)的上述工序同样的工序，形成如图9(b)所示的空腔结构，即由金属反射板102的反射壁102a和叠层基板106的顶面层103(镍的金属镀敷层202)所包围的内部空间。另外，也同样地实施如图4(a)～图4(g)所示的各工序，也可以适当地实施图5(a)～图5(d)所示的各工序。
在本实施方式的第2制造工序中，由于在进行湿法蚀刻之前预先在金属箔201上形成有凹部205，所以能够减少要湿法蚀刻的量。由此，能够提高对金属反射板102的剖面形状的控制性，使金属反射板102的剖面形状的开口端变窄。另外，由于能够进一步使发光元件100薄型化，所以能够使利用了本发光元件的液晶面板背光灯进一步薄型化。
本发明并不限于上述各实施方式，可以根据权利要求所示的范围进行各种的变化，适当地组合不同实施方式所记述的技术手段而得到的实施方式也包含于本发明的技术范围之内。
本发明适用于对诸如液晶面板的薄型的显示体从侧面进行照射的发光元件的金属反射壁的制造方法，但并不限于此，也能够适用于其它领域。
如上所述，本发明的金属反射壁的制造方法包括在金属板上形成空腔结构的工序，其中，上述金属板的底面层叠形成有基板，上述空腔结构的侧壁为反射壁；上述工序包括第1步骤和第2步骤，其中，在第1步骤中，在上述金属板的正面形成第1掩膜，该第1掩膜具有与上述空腔结构的开口部对应的掩膜开口部；在第2步骤中，根据上述第1掩膜对上述金属板实施湿法蚀刻从而在该金属板的侧壁形成反射壁；在上述第2步骤的湿法蚀刻的过程中，进一步通过挤压加工沿着由上述湿法蚀刻所形成的反射壁折弯上述第1掩膜。
根据上述结构，能够利用上述第1掩膜保护空腔结构的开口部的边缘，并对金属箔的表面进行湿法蚀刻。由此，确保金属反射板的外周侧的侧壁和空腔结构侧的反射壁之间的厚度在预定以上，并能够稳定地保持其形状和强度，且在金属反射板的空腔结构中能够抑制其开口部的开口宽度，增加其底部的底面宽度。
因此，能够取得这样效果，即，即使减少封装化后的发光元件的短边侧的宽度，也能够确保金属板的空腔结构的底部的区域和金属板的厚度，并且稳定地形成空腔结构。另外，通过上述蚀刻方法而形成其开口部较小的反射壁，所以，能够防止填充于金属板的空腔内的材料(例如树脂材料等)的剥离。
另外，本发明的金属反射壁的制造方法优选，在上述第2步骤中，首先进行上述湿法蚀刻，在上述基板露出之前依次反复上述湿法蚀刻和上述挤压加工。
根据上述结构，首先进行上述湿法蚀刻，在上述基板露出之前依次反复上述湿法蚀刻和上述挤压加工。由此，即使在挤压加工后的湿法蚀刻中第1掩膜再次向上翻卷，也能够通过再次挤压加工而使第1掩膜确实地保护空腔结构的开口部的边缘。
另外，本发明的金属反射壁的制造方法优选上述挤压加工是挤压弹性体的加工。
根据上述结构，通过利用弹性体对具有掩膜开口部的第1掩膜进行挤压，弹性体从开口部沿着通过湿法蚀刻所形成的反射壁改变其形状并进入空腔结构内。此时，由于挤压弹性体直至反射壁，所以存在于弹性体和上述反射壁之间的第1掩膜也沿着上述反射壁被折弯。由此，能够沿着上述反射壁简单地折弯上述第1掩膜。
另外，本发明的金属反射壁的制造方法优选采用橡胶作为上述弹性体。
另外，本发明的金属反射壁的制造方法，优选上述第1掩膜的厚度是可确保上述第1掩膜在上述第2步骤的挤压加工时的压力下发生塑性变形并折弯的厚度，其中，上述压力是不损伤上述基板的压力。
根据上述结构，由于上述第1掩膜具有可确保上述第1掩膜在上述第2步骤的挤压加工时的压力下发生塑性变形并折弯的厚度，其中，上述压力是不损伤上述基板的压力，所以通过挤压加工沿着湿法蚀刻所形成的反射壁来折弯形成于金属板正面的上述第1掩膜时，能够不对基板造成损伤并确实地折弯第1掩膜。
另外，本发明的金属反射壁的制造方法优选的是，上述第1掩膜的厚度是在上述第2步骤的湿法蚀刻时的水压下上述第1掩膜的经上述挤压加工所折弯的折弯部可保持固定的厚度。
根据上述结构，上述第1掩膜的厚度是可确保经上述挤压加工所折弯的折弯部能够在上述第2步骤的湿法蚀刻时的水压下保持固定的厚度，由此，在通过挤压加工而折弯第1掩膜后再进行湿法蚀刻时，能够防止因湿法蚀刻的水压而使第1掩膜再次向上翻卷。
另外，本发明的金属反射壁的制造方法优选的是，上述掩膜开口部具有在角部设置有切口的四边形。
根据上述结构，上述掩膜开口部具有在其角部设置了切口的四边形，由此在对第1掩膜进行挤压加工时，能够简单地折弯上述角部。
另外，本发明的金属反射壁的制造方法优选的是，上述工序还包括：第3步骤，在第2步骤之后，从已形成有上述反射壁的上述金属板剥离上述第1掩膜；第4步骤，对上述金属板的已实施上述湿法蚀刻的面实施第1金属镀敷，其中，上述金属板已被剥离了上述第1掩膜；第5步骤，除去在上述金属板上形成的第1金属镀敷中的、由上述反射壁包围的底面上的第1金属镀敷，从而形成第2掩膜；以及第6步骤，根据上述第2掩膜对上述金属板实施湿法蚀刻。
根据上述结构，在剥离上述第1掩膜后，对上述金属板的已实施上述湿法蚀刻的面实施第1金属镀敷，其中，上述金属板已被剥离了上述第1掩膜。接着除去在上述金属板上形成的第1金属镀敷中的、由上述反射壁包围的底面上的第1金属镀敷，从而形成第2掩膜，根据上述第2掩膜对上述金属板实施湿法蚀刻。由此，能够进行修正、追加的调整从而恰当地形成上述反射壁的形状。
另外，本发明的金属反射壁的制造方法优选的是，作为上述第1金属镀敷的材质，采用镍、金、锡、铅或者其合金。
另外，本发明的金属反射壁的制造方法优选的是，上述金属板由铜形成。
根据上述结构，利用在金属中反射性良好的铜。因此，通过上述方法制造的金属反射壁能够具有良好的反射性。
另外，本发明的金属反射壁的制造方法优选作为上述第1掩膜的材质，采用镍、金、锡、铅或者其合金。
以上，对本发明进行了详细的说明，上述具体实施方式或实施例仅仅是揭示本发明的技术内容的示例，本发明并不限于上述具体示例，不应对本发明进行狭义的解释，可在本发明的精神和权利要求的范围内进行各种变更来实施之。

Claims (11)

1.一种金属反射壁的制造方法，其特征在于：
包括在金属板上形成空腔结构的工序，其中，在上述金属板的背面层叠形成有基板，上述空腔结构的侧壁为反射壁；
上述工序包括第一步骤和第二步骤，其中，在第一步骤中，在上述金属板的正面形成第一掩膜，该第一掩膜具有与上述空腔结构的开口部对应的掩膜开口部；在第二步骤中，根据上述第一掩膜对上述金属板实施湿法蚀刻从而在该金属板的侧壁形成反射壁；
在上述第二步骤中，在进行上述湿法蚀刻的过程中，以覆盖上述空腔结构的开口部附近的方式，进一步通过挤压加工沿着由上述湿法蚀刻所形成的反射壁向下折弯上述第一掩膜。
2.根据权利要求1所述的金属反射壁的制造方法，其特征在于：
在上述第二步骤中，首先进行上述湿法蚀刻，在上述基板露出之前依次反复进行上述湿法蚀刻和上述挤压加工。
3.根据权利要求1所述的金属反射壁的制造方法，其特征在于：
上述挤压加工是挤压弹性体的加工。
4.根据权利要求3所述的金属反射壁的制造方法，其特征在于：
采用橡胶作为上述弹性体。
5.根据权利要求1所述的金属反射壁的制造方法，其特征在于：
上述第一掩膜的厚度是在上述第二步骤的挤压加工时的压力下可使上述第一掩膜发生塑性变形并折弯的厚度，其中，上述压力是不损伤上述基板的压力。
6.根据权利要求5所述的金属反射壁的制造方法，其特征在于：
上述第一掩膜的厚度是在上述第二步骤的湿法蚀刻时的水压下上述第一掩膜的经上述挤压加工所折弯的折弯部可保持固定的厚度。
7.根据权利要求1所述的金属反射壁的制造方法，其特征在于：
上述掩膜开口部具有在角部设置有切口的四边形状。
8.根据权利要求1所述的金属反射壁的制造方法，其特征在于，
上述工序还包括：第三步骤，在第二步骤之后，从已形成上述反射壁的上述金属板上剥离上述第一掩膜；
第四步骤，对上述金属板的已实施上述湿法蚀刻的面实施第一金属镀敷，其中，上述金属板已被剥离了上述第一掩膜；
第五步骤，除去在上述金属板上形成的第一金属镀敷中的、由上述反射壁包围的底面上的第一金属镀敷，形成第二掩膜；以及
第六步骤，根据上述第二掩膜对上述金属板实施湿法蚀刻。
9.根据权利要求8所述的金属反射壁的制造方法，其特征在于：
作为上述第一金属镀敷的材质，采用镍、金、锡、铅或者其合金。
10.根据权利要求1所述的金属反射壁的制造方法，其特征在于：
上述金属板由铜制成。
11.根据权利要求1所述的金属反射壁的制造方法，其特征在于：
作为上述第一掩膜的材质，采用镍、金、锡、铅或者其合金。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010067902A (ja) * 2008-09-12 2010-03-25 Toshiba Corp 発光装置
EP2584621A4 (en) * 2010-06-15 2015-12-16 Furukawa Electric Co Ltd PCB FOR AN OPTICAL SEMICONDUCTOR COMPONENT, METHOD FOR PRODUCING THE PCB FOR AN OPTICAL SEMICONDUCTOR COMPONENT AND OPTICAL SEMICONDUCTOR COMPONENT
JP6034175B2 (ja) * 2012-01-10 2016-11-30 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
WO2014024371A1 (ja) * 2012-08-10 2014-02-13 パナソニック株式会社 半導体発光装置
JP5398939B1 (ja) * 2012-08-10 2014-01-29 パナソニック株式会社 半導体発光装置
US8941130B2 (en) 2012-08-10 2015-01-27 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device
WO2014068804A1 (ja) * 2012-10-31 2014-05-08 パナソニック株式会社 発光装置及びその製造方法
KR102624113B1 (ko) * 2018-06-08 2024-01-12 서울바이오시스 주식회사 발광 소자 패키지 및 이의 제조 방법
JP7217692B2 (ja) * 2019-10-31 2023-02-03 京セラ株式会社 光導波路パッケージおよび発光装置
TW202205433A (zh) * 2020-06-19 2022-02-01 日商東京威力科創股份有限公司 蝕刻方法、基板處理裝置及基板處理系統
CN117954564A (zh) * 2024-03-26 2024-04-30 深圳市佑明光电有限公司 一种无光晕的Mini LED背光模组及其制备方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5610473A (en) * 1994-09-09 1997-03-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Color cathode-ray tube
JPH10172450A (ja) * 1996-12-13 1998-06-26 Matsushita Electron Corp 陰極線管及びその製造方法
JP2001131707A (ja) * 1999-10-29 2001-05-15 Dainippon Printing Co Ltd カラーブラウン管用シャドウマスク
JP2004282004A (ja) 2002-09-17 2004-10-07 Daiwa Kogyo:Kk 発光素子搭載用基板及びその製造方法
JP2004317732A (ja) * 2003-04-15 2004-11-11 Seiko Epson Corp 凹部付き基板、マイクロレンズ基板、透過型スクリーンおよびリア型プロジェクタ
JP4255367B2 (ja) 2003-12-04 2009-04-15 デンカＡｇｓｐ株式会社 発光素子搭載用基板及びその製造方法
JP5214128B2 (ja) * 2005-11-22 2013-06-19 シャープ株式会社 発光素子及び発光素子を備えたバックライトユニット
WO2008093830A1 (ja) * 2007-02-02 2008-08-07 Panasonic Corporation 撮像装置、その製造方法および携帯端末装置
WO2009001725A1 (ja) * 2007-06-28 2008-12-31 Sharp Kabushiki Kaisha バックライト装置、液晶表示装置、および照明装置

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