CN101299595A - 一种功率放大器温度补偿方法及装置*** - Google Patents

Abstract

本发明适用于电子技术领域，提供了一种功率放大器温度补偿方法及装置***，所述方法包括：获取待温度补偿的功放管的当前工作温度，自动调试出在该当前工作温度下所述功放管的最佳栅压值；根据上述当前工作温度及最佳栅压值以及温补系数自动计算出所述功放管在一定温度范围内的温补数据；实时地监测所述功放管的工作温度，根据该工作温度在所述温补数据中查找对应的补偿数据，并用该补偿数据对所述功放管进行温度补偿。本发明通过为需要进行温度补偿的各功放管自动拟合相应的温补数据，并通过数字温度传感器来获取功放管的温度信息，及采用单独的参考电压模块为D/A转换模块提供参考电压，可提高对LDMOS功放管的温度补偿精度，增强抗干扰性。

Description

一种功率放大器温度补偿方法及装置***

技术领域

本发明属于电子技术领域，尤其涉及一种功率放大器温度补偿方法及装置***。

背景技术

LDMOS功放管的静态工作电流直接影响着功放管的性能，给功放管提供不同的栅压可以得到不同的静态工作电流，随着环境温度的改变，如果功放管的栅压维持不变，则功放管的静态工作电流会发生漂移，从而导致功放管的性能恶化。

一方面来讲，场效应管的开启电压随着温度的升高而变小，另一方面，电子迁移率随着温度的升高而变小，这两方面相互影响，使场效应管的静态电流随温度变化呈现出不同的特性。根据LDMOS工艺的特性，有研究表明，温度每升高1℃，LDMOS功放管的栅压需降低约2mV，才能维持其静态工作电流，这就是所谓的栅压补偿。

传统的栅压补偿方法可分为两大类，一类是模拟温度补偿方法，另一类是数字温度补偿方法。模拟的温度补偿主要利用三极管PN结的负温度系数来实现，其特点是电路原理简单，易实现，但缺点是补偿精度很低，且生产一致性差，随着第三代移动通信的发展，对功放管的工作稳定性要求越来越高，此方法的应用范围将逐渐缩小。

数字温度补偿方法相对于模拟温度补偿方法来讲，补偿精度有很大提高。现有的数字温度补偿方法通常是通过模拟的温度传感器检测出LDMOS功放管的当前工作温度，然后通过模/数(Analog/Digital，A/D)转换器将温度传感器输出的模拟电压转换为数字电压后发送给微控制单元(Micro Controller Unit，MCU)，MCU则对照预存在闪存(FLASH)中的温度-电压表根据不同的温度输出不同的电压，该数字电压信号通过数/模(Digital/Analog，D/A)转换器后输出到功放管的栅极。但现有的数字温度补偿方法存有以下问题：

1、采用模拟的温度传感器，其缺点是易受射频信号的干扰，射频信号的强弱会影响温度检测的准确性，从而会对温度补偿的准确性造成影响，即使用充分的屏蔽技术来隔离射频信号和温度传感器也依然无法克服这个缺陷。而且，采用模拟温度传感器，就必需用到A/D转换器将模拟电压转换成数字信号，其实现成本较高。

2、FLASH中预存的温度-电压表只有一个，且表中的数据是固定不变的，在写入MCU程序的时候将该表一并写入MCU，可操作性较差，在对不同的功放管进行温度补偿时均采用该表，而不同的功放管在同一温度下所需的栅压值会有微小差别，不同批次的功放管的这种差别就会更大，现有的这种数字温度补偿方法对功放管本身的一致性要求很高，造成成本上的增加和补偿精度的下降。

3、D/A转换器的参考电压与其他功能电路共用稳压器件，造成参考电压精度不高，且易受温度影响，导致在高温或低温时给功放管的补偿电压会不准确，而且，其他功能电路的不稳定性也会直接影响到栅压补偿电路，抗干扰性不强。

发明内容

本发明的目的旨在：解决现有技术中对各LDMOS功放管的温度补偿均基于同一个、固定不变的温补数据表，采用模拟温度传感器来检测功放管的温度准确性差，以及与其他电路共用参考电压电路造成对LDMOS功放管的温度补偿精度不高、抗干扰性较差、生产成本较大的问题；提供一种采用数字温度传感器检测功放管温度、对各待测功放管自动计算对应的温补数据，以及用单独参考电压模块为D/A转换模块提供参考电压，具有温度补偿精度高、抗干扰性强的功率放大器温度补偿方法及装置***。

本发明的目的是这样实现的：

一种功率放大器温度补偿方法，所述方法包括下述步骤：

A、获取待温度补偿的功放管的当前工作温度，自动调试出在该当前工作温度下所述功放管的最佳栅压值，并再次获取自动调试结束后所述功放管的当前工作温度；

B、根据上述自动调试前/后获取的当前工作温度及最佳栅压值以及温补系数自动计算出所述功放管在一定温度范围内的温补数据；

C、实时地监测所述功放管的工作温度，根据该工作温度在所述温补数据中查找对应的补偿数据，并用该补偿数据对所述功放管进行温度补偿。

所述步骤A具体包括下述步骤：

a1、获取待温度补偿的功放管的当前工作温度，并根据该当前工作温度给所述功放管输入初始栅压；

a2、获取所述功放管的工作电流，判断该工作电流是否等于预设值，是，则以最近一次输入给所述功放管的栅压的值为最佳栅压值，并再次获取所述功放管的当前工作温度，否则执行下述步骤a3；

a3、当所述工作电流大于/小于所述预设值，则减小/增大上述初始栅压值或最近一次调整后的栅压值，并根据调整后的栅压值将电压信号输入到所述功放管的栅极，并返回执行上述步骤a2。

所述一定温度范围具体为-40℃～85℃。

所述温补数据根据其各组数据中温度值的正负属性被分为正温数据区和负温数据区，所述步骤C具体包括下述步骤：

c1、实时地监测所述功放管的工作温度；

c2、当所述工作温度高于85℃或者低于-40℃，则设置获取的所述工作温度值为85℃或者-40℃；

c3、根据获取的所述工作温度值的正负属性在相应的所述正温数据区或负温数据区中查找与所述工作温度值对应的补偿数据；

c4、根据所述补偿数据输出相应的电压信号至所述功放管的栅极。

所述功放管的当前工作温度和工作温度通过数字温度传感器获取。

本发明所述提供的一种功率放大器温度补偿装置，包括有：

数字温度传感器524，用于检测获取待温度补偿的功放管51的工作温度，并根据该工作温度输出相应的数字信号；

控制单元521，用于接收并存储温补数据，以及根据所述数字温度传感器524输出的数字信号获取所述功放管51的工作温度，并根据该工作温度在所述温补数据中查找对应的栅压值，并根据该栅压值输出相应的数字电压信号；

D/A转换模块523，用于将所述控制单元521输出的数字电压信号转换为模拟电压信号，并输出至所述功放管51；以及

电压参考模块522，用于单独为所述D/A转换模块523提供参考电压。

所述控制单元521包括：

用于存储温补数据的FLASH和SRAM；以及

温补数据获取模块5213，用于将接收的温补数据存与所述FLASH，及将从FLASH读取的温补数据存入SRAM，以及根据所述工作温度在所述SRAM中的温补数据中查找对应的栅压值，并根据该栅压值输出相应的数字电压信号。

本发明所述提供的一种功率放大器温度补偿***，包括温度补偿装置52和计算装置53，所述计算装置53包括：

温补数据计算模块532，用于通过电流测试电路获取待温度补偿的功放管51实时的静态工作电流信息，并根据该工作电流信息自动调整栅压值信息并输出，以及计算温补数据；以及

存储器531，用于存储所述温补数据计算模块532调整后的栅压值信息以及计算出的温补数据；

所述温度补偿装置52包括：

数字温度传感器524，用于检测获取待温度补偿的功放管51的工作温度，并根据该工作温度输出相应的数字信号；

控制单元521，用于接收所述温补数据计算模块532输出的栅压值信息并输出相应的数字电压信号，以及接收并存储所述温补数据计算模块532输出的温补数据，以及根据所述数字温度传感器524输出的数字信号获取所述功放管51的工作温度，并根据该工作温度在所述温补数据中查找对应的栅压值，并根据该栅压值输出相应的数字电压信号；

D/A转换模块523，用于将所述控制单元521输出的数字电压信号转换为模拟电压信号，并输出至所述功放管51；以及

电压参考模块522，用于单独为所述D/A转换模块523提供参考电压。

所述控制单元521包括：

用于存储温补数据的FLASH和SRAM；以及

温补数据获取模块5213，用于接收所述温补数据计算模块532输出的栅压值信息并输出相应的数字电压信号，以及接收所述温补数据计算模块532输出的温补数据，并根据所述温补数据计算模块532输出控制指令将温补数据存与所述FLASH或从FLASH读取温补数据存入SRAM，以及根据获取的所述工作温度在所述SRAM中的温补数据中查找对应的栅压值，并根据该栅压值输出相应的数字电压信号。

本发明的突出优点是：本发明通过为需要进行温度补偿的各功放管自动拟合相应的温补数据，并通过数字温度传感器来获取功放管的温度信息，及采用单独的参考电压模块为D/A转换模块提供参考电压，从而可实现对LDMOS功放管温度补偿精度的大幅提高，温度补偿装置的抗干扰性增强、生产成本下降。

附图说明

图1是本发明实施例提供的功率放大器温度补偿方法的实现流程图；

图2是本发明实施例提供的电流调试流程图；

图3是本发明实施例提供的温补数据写入FLASH的流程图；

图4是本发明实施例提供的功放管的一次温度补偿的实现流程图；

图5是本发明实施例提供的功率放大器温度补偿***的结构图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明实施例提供的功率放大器温度补偿方法及装置***通过实时地检测LDMOS功放管的工作温度，并根据该工作温度为LDMOS功放管提供最佳的栅压值，从而可以使LDMOS功放管在任何温度下都工作于最佳通信功放工作点。

图1示出了本发明实施例提供的功率放大器温度补偿方法的实现流程，详述如下：

在步骤S101中，***上电后，获取LDMOS功放管常温下的当前工作温度，并自动调试出该工作温度下功放管的最佳栅压值。

本发明实施例中，本步骤具体的实现流程如图2所示：

在步骤S201中，获取功放管常温下的当前工作温度，设该温度为T0。

在步骤S202中，根据上述当前工作温度，在其±5℃的范围内，给功放管输入一个初始栅压值，其中，首次输入的栅压值可以为一个预设值，之后输入的栅压值则为自动调整后的值。

在步骤S203中，通过电流表实时地获取功放管的工作电流值。

在步骤S204中，判断该工作电流值是否与预设的工作电流值相同，是，则结束对栅压值的调整，即以最近一次调整后输入的栅压值作为上述当前工作温度下功放管的最佳栅压值，设为D0；否，则执行步骤S205。

在步骤S205中，判断上述工作电流值是否大于预设的工作电流值，是，则执行骤S207；否，则执行步骤S206。

在步骤S206中，在上述预设值或上一次调整后的栅压值的基础上增大栅压值，保存并将该调整后的栅压值输入功放管，以增大功放管的工作电流。

在步骤S207中，在上述预设值或上一次调整后的栅压值的基础上减小栅压值，保存并将该调整后的栅压值输入功放管，以减小功放管的工作电流。

在上述过程中，功放管的工作温度可能会发生变化，所以在结束后再一次检测获取功放管的当前工作温度。

作为本发明的另一个实施例，也可以设T0的值为上述自动调试结束后再次检测的功放管的当前工作温度值。

在步骤S103中，根据上述工作温度T0及对应的最佳栅压值D0以及温补系数自动计算出功放管在一定温度范围内的温补数据。

在本发明实施例中，上述温补系数包括一次、二次、三次系数，分别设为a1、a2、a3。这三个系数的值可以预先通过对一定数量的功放管样本利用实验检测和计算获得，具体计算方法如下：

设进行实验的功放管样本量为n，在本发明实施例中，通过对每个样本在-40℃～85℃的温度范围内，在m(m≥3)个不同的温度点Ts(1≤s≤m)分别实时测出每个温度点下该样本的栅压值Ys(1≤s≤m)，根据该m组(Ts，Ys)数据及下述公式1即可计算出每个样本的(a1_x，a2_x，a3_x)(1≤x≤n)数据。

$Y_s=\underset{t=1}{\overset{3}{\mathrm{\Σ}}}\mathrm{coe}{f}_t{T}_s^t,s=\mathrm{1,2},...,m$ 公式1

其中，coef₁、coef₂、coef₃分别对应a1_x、a2_x、a3_x。

根据获得的n组(a1_x，a2_x，a3_x)数据及下述公式2、公式3和公式4即可计算出a1、a2和a3。

$a1=\frac{\underset{x=1}{\overset{n}{\mathrm{\Σ}}}a{1}_x}{n}$ 公式2

$a2=\frac{\underset{x=1}{\overset{n}{\mathrm{\Σ}}}a{2}_x}{n}$ 公式3

$a3=\frac{\underset{x=1}{\overset{n}{\mathrm{\Σ}}}a{3}_x}{n}$ 公式4

根据上述T0、D0及a1、a2、a3的值，利用下述公式5即可自动拟合出LDMOS功放管在-40℃～85℃的温度范围内的所有温补数据，即不同的温度对应的最佳栅压值的数据表。

Y(Ti)＝D0+a1(Ti-T0)+a2(Ti-T0)²+a3(Ti-T0)³     公式5

其中，Ti为-40℃～85℃范围内的任一温度点，Y(Ti)为功放管在工作温度为Ti时的最佳栅压值。

获得上述温补数据后，将该数据写入温度补偿装置中的控制单元的存储器的实现流程则如图3所示。

本发明实施例中，所述控制单元可以是MCU、CPU等，所述存储器包括FLASH和静态随机存储器(Static Radom Access Memory，SRAM)。

在步骤S301中，判断控制写入温补数据的指令是否正确，是，则继续执行步骤S302；否，则执行步骤S305。

在步骤S302中，对指令内容进行解析，判断该指令是否是将温补数据写入FLASH的指令，是，则执行步骤S303；否，则执行步骤S307。

在步骤S303中，将所有温补数据写入FLASH保存。

在步骤S304中，在完成数据写入后，再从FLASH中将温补数据读出，并与用于写入FLASH的温补数据进行比较，以判断写入FLASH的数据是否正确，是，则执行步骤S306；否，则执行步骤S305。

在步骤S305中，返回向FLASH写入温补数据的操作失败的消息，并提示用户需要重新写入。

在步骤S306中，返回向FLASH写入温补数据的操作成功的消息。

在步骤S307中，从FLASH中读取温补数据并写入SRAM，如果SRAM中已存有温补数据时，则以用于写入的温补数据对SRAM中已有的数据进行更新。

在实施本步骤前，至少已成功实施一次上述步骤S303、S304。

作为本发明的一个实施例，上述SRAM中对于温补数据的存储可按照温度的正负属性分区域存储。从而，在本步骤中，对需要写入或更新的每组(温度-电压)的温补数据，可先判断其温度是正温或负温，再依据判断结果以温度为地址指针在SRAM中的正温区或负温区写入或更新该组温补数据。

在步骤S308中，返回向SRAM写入温补数据成功的消息。

在步骤S105中，实时地查询功放管的工作温度，并在上述温补数据中查找出该工作温度对应的最佳栅压值，补偿给功放管。

图4示出了本发明实施例提供的LDMOS功放管的一次温度补偿的实现流程，详述如下：

在步骤S401中，实时地监测LDMOS功放管的当前工作温度。

在步骤S402中，判断上述工作温度是否为正温，即工作温度是否大于或等于0℃，是，则执行步骤S403；否，则执行步骤S406。

在步骤S403中，再判断上述工作温度是否大于85℃，是，则执行步骤S404；否，则执行步骤S405。

在步骤S404中，设定获取的功放管的当前工作温度为85℃。

在步骤S405中，以温度为指针，在上述SRAM中的正温区中通过查找获取上述功放管的当前工作温度对应的功放管的最佳栅压值数据，即本次用于对功放管进行补偿的数据。

在步骤S406中，判断上述工作温度是否小于-40℃，是，则执行步骤S407；否，则执行步骤S408。

在步骤S407中，设定获取的功放管的当前工作温度为-40℃。

在步骤S408中，以温度为指针，在上述SRAM中的负温区中通过查找获取上述功放管的当前工作温度对应的功放管的最佳栅压值数据，即本次用于对功放管进行补偿的数据。

在步骤S409中，根据上述获取的补偿数据通过D/A转换器对功放管进行温度补偿。

本次补偿结束后则返回执行上述步骤S401。如此，通过循环执行图4所示的流程，对功放管进行实时的监测和补偿，可以实现功放管的静态工作电流不因工作温度的变化而变化。

在本发明实施例中，为了避免对功放管造成损坏，同时也为了节约FLASH的资源，所以当上述当前工作温度高于85℃或低于-40℃时，一律按85℃或-40℃进行补偿处理。

本发明实施例提供的功率放大器温度补偿方法可同时对多个LDMOS功放管进行温度补偿，也可对多种不同的LDMOS功放管进行温度补偿。对于要进行温度补偿的各LDMOS功放管，在本发明实施例中，将分别通过上述步骤S101、S103为每个LDMOS功放管自动拟合出对应的温补数据表，在温度补偿过程中，也将对各功放管分别进行监测，并根据各对应的温补数据进行补偿。

图5示出了本发明实施例提供的功率放大器温度补偿***的结构，所述***包括温度补偿装置52和计算装置53，为了便于说明，仅示出了与本发明实施例相关的部分，这些部分可以是软件、硬件或软硬件结合的模块。

***上电后，为获得温补数据，温度补偿装置52中的数字温度传感器524检测LDMOS功放管51常温下的当前工作温度，将获取的温度信息转换为数字电压信号发送给温度补偿装置52中的控制单元521的温补数据获取模块5213，温补数据获取模块5213根据该数字电压信号分析出LDMOS功放管51的当前工作温度信息，并将该温度信息发送给计算装置53中的温补数据计算模块532。温补数据计算模块532可将该温度信息存储至存储器531，同时根据该温度信息从存储器531中读取一个初始栅压值并发送给温补数据获取模块5213，由D/A转换模块523将上述初始栅压值信息转换为模拟电压信号输到LDMOS功放管51的栅极。

其后，温补数据计算模块532则通过电流测试电路54实时地获取LDMOS功放管51的静态工作电流信息，并根据该电流信息增大或减小栅压值，并输出，同时将调整后的栅压值覆盖保存至存储器531，直至LDMOS功放管51的静态工作电流达到存储器531中预设的工作电流值，则以最近一次调整后的栅压值为上述当前工作温度对应的最佳栅压值。

所述电流测试电路54可以为电流表等任何可测取电流值的设备，所述计算装置53可以为计算机等设备。所述电流测试电路54与所述计算装置53间通过串口进行通信，从而实现了整个过程的自动化，经实践测试，这个过程的总时间不超过50秒，大大提高了生产效率，同时也排除了人工操作出错的可能性。

温补数据计算模块532根据获取的上述当前工作温度及调整所得的上述最佳栅压值，以及预存于存储器531中的三个温补系数值，自动拟合计算出LDMOS功放管51在-40℃～85℃的范围内的所有温补数据，保存至存储器531，并将该温补数据及控制指令发送给温补数据获取模块5213，所述控制指令包括有控制温补数据获取模块5213将温补数据写入FLASH5211，以及在写入后从FLASH5211中读取温补数据并返回的信息。温补数据获取模块5213则通过对上述控制指令进行校验、解析后，根据指令内容将接收的温补数据写入FLASH5211，并在数据写入后再从FLASH5211中读取温补数据发送给温补数据计算模块532。温补数据计算模块532将该返回的温补数据与存储器531中的温补数据进行比较，如果发现不相同，则重新发送温补数据并控制温补数据获取模块5213重新写入。

在对LDMOS功放管51进行实时地温度补偿前，温补数据计算模块532将控制温补数据获取模块5213从FLASH5211中读取温补数据并写入SRAM5212，此后对温补数据的更新、写入、读出，以及温度补偿过程都采用所述SRAM5212中的数据，从而可有效避免因误操作带来的所述FLASH5211中数据被改写的风险。

在温度补偿装置52对LDMOS功放管51进行实时地监测和温度补偿的过程中，温度补偿装置52通过数字温度传感器524实时地获取LDMOS功放管51的工作温度信息，并发送给控制单元521的温补数据获取模块5213。温补数据获取模块5213则根据所述工作温度信息在SRAM5212中的温补数据中查找出相应的栅压值，根据该栅压值输出相应的数字电压信号给D/A转换模块523，D/A转换模块523将该数字电压信号转换为模拟电压信号，输入至LDMOS功放管51的栅极，从而实现对LDMOS功放管51的温度补偿。其中，所述D/A转换模块523采用12位的D/A转换器。

作为本发明的一个实施例，可将温补数据按照各温度的正负属性分类，并在所述SRAM5212中分区存储。上述温补数据获取模块5213在SRAM5212中查找时则可根据获取的上述工作温度的正负属性，在SRAM5212中的相应区内查找，从而可提高补偿的效率。

本发明实施例采用数字温度传感器524来获取和输出LDMOS功放管51的工作温度信息，且数字温度传感器524和控制单元521间采用I²C总线进行传输，由于数字信号和I²C总线都具备很强的抗干扰能力，从而可有效地解决现有补偿***易受射频干扰的问题，此外，基于数字温度传感器524的上述特性，在PCB板布局的时候，数字温度传感器524可以尽量靠近LDMOS功放管51，使得采集的温度可以更接近于LDMOS功放管51工作的实际温度，补偿效果将会有很大提高。

在本发明实施例中，还通过采用包括有高精度电压参考芯片的电压参考模块522单独为所述D/A转换模块523提供稳定的参考电压信号，所述电压参考芯片输出电压范围为4.1～5.0V，输出电压精度可达到0.1％，电压温漂则小于100ppm/℃，可有效地解决现有技术中因参考电压精度不高和抗干扰能力差导致功放管性能跳变大及高低温补偿一致性差的问题。

本发明实施例通过为需要进行温度补偿的各功放管自动拟合相应的温补数据，并通过数字温度传感器来获取功放管的温度信息，及采用单独的参考电压模块为D/A转换模块提供参考电压，从而可以实现对LDMOS功放管温度补偿精度的大幅提高、温度补偿装置的生产成本下降。

经实践测试，本发明实施例提供的功率放大器温度补偿方法可以使高低温功放管性能测试通过率达到100％，生产效率大幅提高，每只单板的实际调试时间小于50秒，而使用本发明实施例提供的功率放大器温度补偿装置的模块则可实现工作状态稳定，即使环境温度发生变化，也可保证模块的输出性能指标始终稳定于最佳值。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1、一种功率放大器温度补偿方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：

A、获取待温度补偿的功放管的当前工作温度，自动调试出在该当前工作温度下所述功放管的最佳栅压值，并再次获取自动调试结束后所述功放管的当前工作温度；

B、根据上述自动调试前/后获取的当前工作温度及最佳栅压值以及温补系数自动计算出所述功放管在一定温度范围内的温补数据；

C、实时地监测所述功放管的工作温度，根据该工作温度在所述温补数据中查找对应的补偿数据，并用该补偿数据对所述功放管进行温度补偿。

2、如权利要求1所述的功率放大器温度补偿方法，其特征在于，所述步骤A具体包括下述步骤：

a1、获取待温度补偿的功放管的当前工作温度，并根据该当前工作温度给所述功放管输入初始栅压；

a2、获取所述功放管的工作电流，判断该工作电流是否等于预设值，是，则以最近一次输入给所述功放管的栅压的值为最佳栅压值，并再次获取所述功放管的当前工作温度，否则执行下述步骤a3；

a3、当所述工作电流大于/小于所述预设值，则减小/增大上述初始栅压值或最近一次调整后的栅压值，并根据调整后的栅压值将电压信号输入到所述功放管的栅极，并返回执行上述步骤a2。

3、如权利要求1所述的功率放大器温度补偿方法，其特征在于，所述一定温度范围具体为-40℃～85℃。

4、如权利要求1所述的功率放大器温度补偿方法，其特征在于，所述温补数据根据其各组数据中温度值的正负属性被分为正温数据区和负温数据区，所述步骤C具体包括下述步骤：

c1、实时地监测所述功放管的工作温度；

c2、当所述工作温度高于85℃或者低于-40℃，则设置获取的所述工作温度值为85℃或者-40℃；

c3、根据获取的所述工作温度值的正负属性在相应的所述正温数据区或负温数据区中查找与所述工作温度值对应的补偿数据；

c4、根据所述补偿数据输出相应的电压信号至所述功放管的栅极。

5、如权利要求1-2，4中任一项所述的功率放大器温度补偿方法，其特征在于，所述功放管的当前工作温度和工作温度通过数字温度传感器获取。

6、一种功率放大器温度补偿装置，其特征在于，所述装置包括：

数字温度传感器524，用于检测获取待温度补偿的功放管51的工作温度，并根据该工作温度输出相应的数字信号；

控制单元521，用于接收并存储温补数据，以及根据所述数字温度传感器524输出的数字信号获取所述功放管51的工作温度，并根据该工作温度在所述温补数据中查找对应的栅压值，并根据该栅压值输出相应的数字电压信号；

D/A转换模块523，用于将所述控制单元521输出的数字电压信号转换为模拟电压信号，并输出至所述功放管51；以及

电压参考模块522，用于单独为所述D/A转换模块523提供参考电压。

7、如权利要求6所述的功率放大器温度补偿装置，其特征在于，所述控制单元521包括：

用于存储温补数据的FLASH和SRAM；以及

温补数据获取模块5213，用于将接收的温补数据存与所述FLASH，及将从FLASH读取的温补数据存入SRAM，以及根据所述工作温度在所述SRAM中的温补数据中查找对应的栅压值，并根据该栅压值输出相应的数字电压信号。

8、一种功率放大器温度补偿***，其特征在于，所述***包括温度补偿装置52和计算装置53，所述计算装置53包括：

温补数据计算模块532，用于通过电流测试电路获取待温度补偿的功放管51实时的静态工作电流信息，并根据该工作电流信息自动调整栅压值信息并输出，以及计算温补数据；以及

存储器531，用于存储所述温补数据计算模块532调整后的栅压值信息以及计算出的温补数据；

所述温度补偿装置52包括：

数字温度传感器524，用于检测获取待温度补偿的功放管51的工作温度，并根据该工作温度输出相应的数字信号；

控制单元521，用于接收所述温补数据计算模块532输出的栅压值信息并输出相应的数字电压信号，以及接收并存储所述温补数据计算模块532输出的温补数据，以及根据所述数字温度传感器524输出的数字信号获取所述功放管51的工作温度，并根据该工作温度在所述温补数据中查找对应的栅压值，并根据该栅压值输出相应的数字电压信号；

D/A转换模块523，用于将所述控制单元521输出的数字电压信号转换为模拟电压信号，并输出至所述功放管51；以及

电压参考模块522，用于单独为所述D/A转换模块523提供参考电压。

9、如权利要求8所述的功率放大器温度补偿装置52，其特征在于，所述控制单元521包括：

用于存储温补数据的FLASH和SRAM；以及

温补数据获取模块5213，用于接收所述温补数据计算模块532输出的栅压值信息并输出相应的数字电压信号，以及接收所述温补数据计算模块532输出的温补数据，并根据所述温补数据计算模块532输出控制指令将温补数据存与所述FLASH或从FLASH读取温补数据存入SRAM，以及根据获取的所述工作温度在所述SRAM中的温补数据中查找对应的栅压值，并根据该栅压值输出相应的数字电压信号。

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