CN101258542A - 磁记录介质以及磁记录和再现装置 - Google Patents

Abstract

本发明的目标是提供磁记录介质以及磁记录和再现装置，通过优化构成软磁性衬层的软磁性层材料和衬层材料，能够记录和再现高密度数据。在本发明中，垂直磁记录介质A在非磁性基底1上至少有软磁性衬层a、衬层5、中间层6和垂直磁记录层。构成软磁性衬层a的软磁性层2、4具有非晶结构，并由饱和磁通密度Bs大于1.1T的CoAl合金或CoFeAl合金构成。

Description

磁记录介质以及磁记录和再现装置

相关申请的交叉引用

要求获得2005年12月26日提交的日本专利申请2005-372064的优先权。这个申请是根据35U.S.C.§111(a)提交的一个申请，根据35U.S.C.§119(e)，要求获得按照35U.S.C§111(b)于2006年1月3日提交的临时申请60/755,088的申请日权益。

技术领域

本发明涉及到磁记录介质以及使用该磁记录介质的磁记录和再现装置。

背景技术

将通常是在磁记录介质面内取向的磁记录层的易磁化轴重新定向，可以使磁性转变区(即记录位之间的边界)附近的退磁场(demagnetizingfield)变得更小。于是，当记录密度增加时静磁特性是稳定的，并且抗热涨落性增加，所以，垂直磁记录***是可以增强表面记录密度的合适***。

当在基底和垂直磁记录层之间提供由软磁性材料构成的软磁性衬层时，就成了所谓的垂直双层介质，可以获得高的记录性能。在这种情形中，软磁性衬层具有使来自磁头的记录磁场返回的作用，从而增强了记录和再现效率。

通常建议使用诸如CoZrNb、CoTaZr和FeCoB等非晶材料作为形成上述软磁性衬层的软磁性材料。例如，可以使用CoZr合金(参见专利文件1)或者FeAlSi、FeTaN(参见专利文件2)。已经提出了各种材料用于上述软磁性衬层之上的衬层。例如，可以使用诸如Ti合金(参见专利文件3)和NiFeCr(参见专利文件4)等hcp结构或诸如Ta等非晶结构。

如果使用CoZrNb或CoTaZr作为上述软磁性衬层，那么，在这两种材料中的CoFe合金中，在高温和高湿度下会发生Co或Fe的腐蚀问题。已经观察到，在加入Fe以增加饱和磁通密度(Bs)的CoFe合金中，这个问题更加显著。

如果在衬层中使用无磁性材料，那么，磁头和软磁性衬层表面之间的距离会因衬层的厚度而进一步增加，软磁性衬层的厚度不得不增加以便能够进行充分的写入。通过在衬层中使用具有软磁特性的材料，软磁性衬层的作用以及位于衬层上面的中间层的晶体取向都可以得到控制。然而，已经观察到，当在衬层中使用Ni、Ni合金、NiFe合金或NiCo合金材料时，晶体取向根据软磁性衬层材料会发生显著变化。

专利文件1：日本待审专利申请，首次公开No.H6-282834。

专利文件2：日本待审专利申请，首次公开No.H11-149628。

专利文件3：日本专利公开No.2669529。

专利文件4：日本待审专利申请，首次公开No.2003-123239。

发明内容

过去所提出的磁记录介质的配置不足以获得具有优秀的记录和再现特性以及具有好的生产率的磁记录介质。一直以来都希望找到解决这个问题的方法以及容易制造的磁记录介质。

在考虑了上述情况后，本发明的目标是提供磁记录介质以及磁记录和再现装置，通过优化构成软磁性衬层的软磁性层材料和衬层材料，可以记录和再现高密度数据。

本发明采用下述配置来实现上述目标。

(1)本发明的磁记录介质包括至少由在非磁性基底上的软磁性衬层、衬层、中间层以及垂直磁记录层形成的垂直磁记录介质，其中，所述软磁性衬层包括具有非晶结构并由饱和磁通密度Bs大于1.1T的CoAl合金构成的软磁性层。

(2)本发明的磁记录介质包括至少由在非磁性基底上的软磁性衬层、衬层、中间层以及垂直磁记录层形成的垂直磁记录介质，其中，所述软磁性衬层由饱和磁通密度Bs大于1.4T的CoFeAl合金非晶结构的软磁性层构成。

(3)本发明的磁记录介质中，所述软磁性层中Al的含量大于0.2at％但小于7at％。

(4)本发明的磁记录介质中，所述软磁性层中Al的含量大于0.3at％但小于3at％。

(5)本发明的磁记录介质中，所述软磁性层中Fe的含量小于50at％。

(6)本发明的磁记录介质还至少包括Ta、Nb或Zr之一作为所述软磁性层的成分。

(7)本发明的磁记录介质还包括Ni或Cr作为所述软磁性层的成分。

(8)本发明的磁记录介质具有软磁性衬层，该软磁性衬层包括两层AFC(反铁磁耦合，Anti-Ferro-Coupling)结构以及在这两层软磁性层之间形成的Ru膜。

(9)本发明的磁记录介质中，所述软磁性衬层的饱和磁通密度与膜厚之积Ms·t(T·nm)大于3但小于8。

(10)本发明的磁记录介质中，所述衬层材料为Ni、Ni合金、NiFe合金或NiCo合金，位于其上的所述Ru合金的Δθ50小于6度。

(11)本发明的磁记录介质中，所述中间层由Ru或Ru合金构成。

(12)本发明的磁记录介质中，所述软磁性衬层的膜厚大于20nm但小于80nm。

(13)本发明的磁记录介质中，所述中间层的厚度小于16nm。

(14)本发明的磁记录介质中，所述软磁性层为CoFeAlZrNb、CoFeAlHfNb、CoFeAlTaNb、CoFeAlZrNbCr或CoFeAlZrNbNi。

(15)本发明的磁记录介质在所述非磁性基底和所述软磁性衬层之间还有阻挡层。

(16)本发明的磁记录介质中，所述阻挡层所包含的主要元素选自软磁性衬层所包含的元素中除Co和Fe之外的元素。

(17)本发明的磁记录介质中，所述阻挡层具有非晶结构。

(18)本发明的磁记录介质中，所述阻挡层的膜厚大于1nm但小于20nm。

(19)本发明的磁记录和再现装置包括磁记录介质和用来在所述磁记录介质上记录和再现信息的磁头，其中，所述磁头为单磁极磁头，所述磁记录介质为根据(1)到(18)中的任何一项的磁记录介质。

如上所述，根据本发明，在非磁性基底上垂直磁记录介质至少包括软磁性衬层、衬层、中间层以及垂直磁记录层，其中，由饱和磁通密度Bs大于1.1T的软磁性层形成的软磁性衬层由CoAl合金构成，衬层由Ni、Ni合金、NiFe合金或NiCo合金构成。所以，可以提供能记录和再现高密度信息并具有很好的生产率的磁记录介质以及磁记录和再现装置。

附图说明

图1是剖面图，显示了与本发明相关的磁记录介质的第一个例子；

图2显示了与本发明相关的磁记录介质中所用的软磁性衬层的基底表面中的组分的MH回线；

图3是一个配置图，显示了使用与本发明相关的磁记录介质的磁记录和再现装置的一个例子。

参考数字的说明：

A：磁记录介质；a：软磁性衬层；1：非磁性基底；2：第一软磁性层；3：非磁性中间层；4：第二软磁性层；5：衬层；6：中间层；7：垂直磁记录层；8：保护层；9：润滑层；10：磁记录介质；12：磁记录和再现装置；13：主轴电机；14：磁头；15：磁头致动器；16：记录-再现信号处理***。

具体实施方式

图1显示了本发明的磁记录介质的第一个例子。

这里所示的磁记录介质A包括第一软磁性层2、由Ru构成的非磁性中间层3、和第二软磁性层4，这些层一起在非磁性基底1上构成了软磁性衬层，在此之上顺序形成衬层5、中间层6、垂直磁记录层7、保护层8和润滑层9。

作为非磁性基底1，可以使用由诸如铝或铝合金等金属材料制成的金属基底，也可以使用由诸如玻璃、陶瓷、硅、碳化硅或碳等非金属材料制成的非金属基底。

本例中所用的玻璃基底可以是非晶玻璃和晶化玻璃。通用的钠钙玻璃或者硅铝酸盐玻璃可以用作所述非晶玻璃。锂基晶化玻璃可以用作所述晶化玻璃。

通过使用平均表面粗糙度Ra小于0.8nm(更优选的是小于0.5nm)的非磁性基底1，可以使中间层以及垂直磁记录层的晶体取向得到增强，从而使记录和再现特性得到增强。此外，适宜于高记录密度介质的磁头的低高度飞行是一个有利的特点。另外，表面微波纹度(Wa)小于0.3nm(优选小于0.25nm)对于高记录密度记录中所采用的磁头的低高度飞行来说是优选的，是一个有利的特点。

软磁性衬层包括两个软磁性层以及在这两个软磁性层之间所形成的Ru层。在所述Ru层之上和之下的软磁性层是AFC耦合的。

软磁性层2、4优选由CoAl合金构成，更优选由CoFeAl合金构成。饱和磁通密度Bs应该大于1.1T，更优选大于1.4T。通过使用这些材料，可以获得高的饱和磁通密度和高的抗腐蚀性。另外，当Ni、Ni合金、NiFe合金或CoNi合金被用于衬层5中时，可以获得出色的记录和再现特性。

通过在软磁性层2中加入Al，可以显著地提高记录和再现特性以及抗腐蚀性。所加入的Al的量应该大于0.2at％而小于7at％(优选大于0.3at％而小于5at％)。如果所加入的Al的量小于0.2at％，那么，不能充分地阻止Co或Fe的腐蚀，所以这个量是不优选的。如果Al的量超过7at％，那么，记录和再现特性会退化，这个量也是不优选的。在软磁性层2、4中的CoAl或CoFeAl中优选加入Ta、Nb或Zr中的不止一种。通过加入这些元素，可以改善软磁性层2、4的非晶化，并增强抗腐蚀性。随着在软磁性层4中加入这些元素，可以增强衬层5和中间层6的晶体取向特性，所以加入这些元素是优选的。

加入Ta、Zr、Nb的量优选大于5at％而小于12at％。如果加入这些元素的量小于5at％，并且如果在软磁性层2、4中使用晶体结构，那么，衬层5的晶体颗粒尺寸会增加，噪声会增加，并且抗腐蚀性会退化，所以，这样的数量是不优选的。此外，从饱和磁通密度的角度看，所加入的Al、Ta、Nb的总量优选超过15at％(更优选小于12at％)。

Ni和Cr的加入用来提高薄膜的抗腐蚀性，所以所加入的量优选于小于5at％。随着所加入的量的增加，抗腐蚀性会增加，但饱和磁通密度会下降，所以这个增加是不优选的。

软磁性层2、4中的Fe含量优选低于50at％(更优选大于10at％而小于40at％)。如果Fe的含量超过50at％，那么抗腐蚀性会退化，所以，这个含量是不优选的。

软磁性衬层的厚度优选大于20nm而小于80nm。如果软磁性衬层的厚度小于20nm，那么，来自磁头的磁通量就不能被充分吸收，写入就会变得不充分，并且记录和再现特性会退化，所以这个厚度是不优选的。如果软磁性衬层的厚度超过80nm，那么，生产率会大大地减小，所以这个厚度是不优选的。

当CoFeAlZrNb、CoFeAlHfNb、CoFeAlTaNb、CoFeAlZrNbCr或CoFeAlZrNbNi被用作软磁性层2、4的材料时，作为设置在其上的预定材料的衬层5的取向特性会增强。另外，中间层6的厚度可以减小，于是，软磁性层2、4的厚度就可以减小。因此，可以在记录和再现特性以及生产率之间获得好的平衡。

特别优选的是，软磁性层2、4采用非晶结构。通过采用非晶结构，可以防止表面粗糙度Ra增加；可以使磁头飞行高度减小，另外，可以获得高记录密度。如果使用晶体结构，那么在晶粒之间会形成晶粒边界部分，这是腐蚀的根源，所以这种结构是不优选的。

指数Hbias表示构成软磁性衬层a的软磁性层2、4的AFC耦合量，它优选于大于50Oe。

参考图2来描述Hbias。图2显示了软磁性衬层a的基底表面中的组分的MH回线(在形成软磁性衬层a的软磁性层2、4的易磁化轴的方向上)。如果用Ms表示饱和磁通密度，那么，Hbias就被定义为饱和磁通密度Ms的一半(即，Ms/2)处的磁场。采用上述材料作为软磁性层2、4，如果设置在软磁性层2、4之间的非磁性中间层3(Ru)的厚度取预定的厚度(0.6到0.8nm)，那么，就可以获得软磁性衬层a。这使得外磁场抗性和WATE抗性增强。

软磁性层2、4的矫顽力Hc优选为10Oe或更小(更优选的是小于10Oe)。注意，1Oe约为79A/m。

可以使用例如溅射方法来形成具有上述配置的软磁性层2、4。在形成软磁性衬层a时，优选在基底的径向施加磁场来形成所述膜。衬层5用来控制设置于其上的垂直磁记录层的取向和晶粒大小。衬层5优选由Ni、Ni合金、NiFe合金或NiCo合金构成。

在上述衬层5中的Ni、Ni合金、NiFe合金或NiCo合金中可以加入若干元素，目的是为了减小晶粒大小并增加晶格大小相对于中间层6的一致性。特别是为了减小晶粒大小的话，可以使用B、Mn等等，所加入的量优选低于6at％。为了增加晶格大小相对于中间层6的一致性，可以加入Ru、Pt、W、Mo、Ta、Nb、Ti。

衬层5中的Ni、Ni合金、NiFe合金或NiCo合金的饱和磁通密度Bs应该大于0.1T，更优选大于0.3T。如果小于0.1T，那么，在写入期间，一部分软磁性衬层的作用会减弱，这样会使记录和再现特性退化，所以是不优选的。

衬层5的厚度优选大于1nm而小于10nm。如果衬层5的厚度小于1nm，那么，衬层的作用就变得不充分了，不能起到使颗粒大小变得更细小的作用，并且取向会退化，所以这样的值是不优选的。如果衬层5的厚度超过10nm，那么晶粒大小会增加，所以，这样的值也是不优选的。

非磁性中间层3优选由Ru或Ru合金构成。

非磁性中间层3的厚度优选小于16nm(更优选的是小于12nm)。通过在软磁性层2、4中使用CoAl合金或CoFeAl合金并在衬层5中使用预定的材料可以实现这一点。通过减小非磁性中间层3的厚度，可以减小磁头和软磁性衬层a之间的距离，并使来自磁头的磁通量变得更陡。于是，可以进一步减小软磁性层2、4的厚度，并增加生产率。

垂直磁记录层7的易磁化轴在垂直于基底表面的方向上。元素应该至少包括Co和Pt；此外，可以加入氧化物或Cr、B、Cu、Ta、Zr，以便提高SNR特性。

可以使用诸如SiO₂、SiO、Cr₂O₃、CoO、Ta₂O₃和TiO₂等氧化物来形成垂直磁记录层7。氧化物的体积百分比优选在15％到40％的范围内。如果氧化物的体积百分比低于15％，那么，SNR特性就变得不足。这是不优选的。如果氧化物的体积百分比超过40％，只是不能获得高记录密度所需要的矫顽力，所以，这样的值是不优选的。

垂直磁记录层7的成核场(-Hn)优选大于2.0kOe。如果-Hn小于2.0kOe，那么会发生热涨落，这是不优选的。

垂直磁记录层7的厚度优选在6到20nm的范围内。如果垂直磁记录层7是例如粒状氧化物层，并且如果所述粒状氧化物层的厚度在这个范围内，那么可以保证有足够的输出，并且不会发生OW特性的退化。所以，厚度在这个范围内是优选的。

垂直磁记录层7可以是单层结构，也可以是由具有不同组分的材料所构成的多层结构。所述结构优选为这样一种结构，该结构是由特别含有氧化物的层和不含氧化物的层顺序层叠起来的。

保护层8防止垂直磁记录层的腐蚀，也防止磁头在接触介质时所导致的对介质表面的损伤。因此，可以使用常规的已知的材料。例如，可以使用含有C、SiO₂、ZrO₂的材料。从高记录密度的角度考虑，保护层的厚度优选大于1nm但小于5nm，使得可以减小磁头和介质之间的距离。

在润滑层9中可以使用常规已知的材料，诸如全氟聚醚、乙醇氟化物、羧酸氟化物等。

本发明所述的磁记录介质优选在非磁性基底和软磁性衬层之间还包括一个阻挡层。

所述阻挡层所具有的主要元素优选软磁性衬层所包含的元素中除Co和Fe之外的元素中所选择。于是，通过使用这种材料作为阻挡层，可以控制由于原有的或吸附的水成分所导致的腐蚀的发生。

所述阻挡层优选具有非晶结构。当阻挡层为晶体结构时，腐蚀从颗粒边界开始发生。通过使用具有非晶结构的阻挡层，可以提高抗腐蚀性，因为没有一个部分具有不稳定点或不同的密度。

本例中的磁记录介质A是在非磁性基底1上的垂直磁记录介质，至少包括软磁性衬层a、衬层5、中间层6以及垂直磁记录层。所述软磁性衬层a为CoAl合金，包括软磁性层2、4，其饱和磁通密度Bs大于1.1T，所述衬层可以由Ni、Ni合金、NiFe合金或CoNi合金构成。因此，这种磁记录介质能对高密度信息进行记录和再现，并具有出色的生产率。

图3显示了使用上述磁记录介质的磁记录和再现装置的例子。这里所示的磁记录和再现装置12包括磁记录介质10、用来转动地驱动所述磁记录介质10的主轴电机13、用来在磁记录介质10上记录和再现信息的磁头14、磁头致动器15、以及记录-再现信号处理***16。记录-再现信号处理***16能够处理输入数据并将记录信号发送给磁头14，以及能处理来自磁头14的再现信号并输出数据。

[例子]

这里通过参考例子来描述本发明的优点。然而，应该明白，本发明并不只是限于这些例子。

(例1)

将玻璃基底(非晶基底MEL3，直径2.5英寸，MYG有限公司(MYGCo.，Ltd.)制造)放入DC磁控溅射***(型号C3010，Anelva有限公司(Anelva Co.，Ltd.)制造)的薄膜形成腔内，将薄膜形成腔内的空气抽真空到1×10^-5Pa。

形成厚度为30nm的由70Co-20Fe-2Al-4Zr-4Nb(Co含量70at％，Fe含量20at％，Al含量2at％，Zr含量4at％，Nb含量4at％)所构成的第一软磁性层、厚度为0.6nm的由Ru构成的非磁性中间层3、以及厚度为30nm的由70Co-20Fe-2Al-4Zr-4Nb构成的第二软磁性层4，作为软磁性衬层a。通过XRD可以证实，第一和第二软磁性层2、4的晶体结构为非晶结构。

接着，衬层5由厚度为5nm的Ni构成，中间层6由厚度为12nm的Ru构成，垂直磁记录层7由厚度为10nm的60Co-10Cr-20Pt-10SiO₂以及厚度为6nm的65Co-18Cr-14Pt-3B构成。

接着，通过CVD方法形成厚度为4nm的保护层8。

通过浸蘸的方法形成由全氟聚醚构成的润滑层9，于是就获得了垂直磁记录介质A。

(对照例1、2)

除了使用91Co-5Zr-4Nb或71Co-20Fe-5Zr-4Nb作为第一软磁性层和第二软磁性层的材料之外，按照例1置备对照例1、2中的磁记录介质。

对所述例子以及对照例中的磁记录介质的静磁特性以及记录和再现特性进行评估。使用Neoarc有限公司(Neoarc Co.，Ltd.)制造的Kerr效应测量设备来估计静磁特性，使用美国GUZIK制造的读写分析仪RWA1632和旋转台S1701MP来测量并估计记录和再现特性。

为了估计记录和再现特性，使用薄膜磁头(具有记录单元中的TMR元件和用于写入的单磁极)，采用1000kFCI的线性记录密度来测量记录频率状况。为了估计覆写(overwrite，OW)特性，对写入500kFCI信号然后写入67kFCI信号后剩下的第一信号进行测量。进行腐蚀测试，使用光学显微镜来观察几个腐蚀斑，这些腐蚀斑是在高温和高湿度(80℃，80％)下240小时后留下的。上述评估的结果示于表1。

表1中的例子可以与对照例1、2进行比较，并证实了记录和再现特性是非常好的。可以看到，甚至当中间层6使用了12nm较小厚度的Ru时，也可以获得出色的记录和再现特性。当使用了诸如CoZrNb或CoTaZr等Bs较低的材料时，覆写(OW)特性退化了，这意味着薄膜厚度不足。

还证实了对例1中的样品所进行的腐蚀测试中没有观察到腐蚀斑。从上面可以得出结论，记录和再现特性提高了，通过加入Al可以大大地提高抗腐蚀性。

(例2到10)

除了改***磁性层的组分外，总体上根据例1来制备磁记录介质。表2显示了评估的结果。

对于表2所示例子中具有不同组分的所有的样品来说，都可以获得出色的特性。

表2所示的例2中的样品具有0.3at％的Al，在该样品中有少量的腐蚀斑。相反，在含Al 2at％、3at％以及7at％的样品中，没有腐蚀斑出现。此外，如在表1中的对照例2中所观察到的，在不含Al的样品中可以在很大范围上产生腐蚀斑。因此就证实了，通过在CoFeZrNb***中加入Al，可以增强抗腐蚀性。然而，将加入了7at％的Al的例4中的样品和加入了3at％的Al的例3中的样品进行比较，记录和再现特性的SNR开始减小，所以，可以得出结论，所加入的Al的量上限优选取为7at％。

另外，表1中例1和对照例1、2的比较显示，通过在CoFeZrNb基合金中加入Fe，可以提高饱和磁通密度。然而，根据表2中的例6，在含有50at％的Fe的样品中出现了腐蚀斑。根据上面数据可以得出结论，必须加入Fe以提高该***的饱和磁通密度，但如果Fe的含量过多，即使加入了Al，也会开始出现腐蚀斑。所以，即使是在加入了Al的CoFeZrNb基合金中，Fe的含量也优选低于50at％。

(例11、12、13)

除了改***磁性衬层的厚度外，根据例1来制备磁记录介质。表3显示了评估的结果。

从表3所示的结果可以看到，在软磁性衬层的厚度大于20nm的例子中，所有样品都获得了出色的特性。在软磁性衬层的厚度为15nm的例13中，样品的矫顽力稍稍减小，SNR也稍稍地降低。

(例14-31)

除了改变衬层的厚度和材料外，根据例1来制备磁记录介质。表4显示了评估的结果。

从表4的结果中可以证实，当样品的衬层中使用Ni、Ni合金、NiFe合金或NiCo合金时，可以获得特别出色的特性。即，矫顽力高，也发现SNR特性和抗腐蚀性极好。

(例32-41)

除了改变中间层的材料和厚度外，根据例1来制备磁记录介质。表5显示了评估的结果。

从表5中的结果可以得出结论，在使用CoFeAlZrNb、CoFeHfTaAl作为中间层材料的样品中可以获得出色的特性。中间层的厚度在8到25nm范围内的所有样品都可以获得出色的特性。即，矫顽力高，也发现SNR特性和抗腐蚀性极好。

(例42)

除了在非磁性基底和软磁性衬层之间形成厚度为8nm的具有非晶结构的60Nb-40Cr层作为阻挡层之外，根据例2中的方法制备磁记录介质。作为静磁特性，磁记录介质的矫顽力为4630Oe，SNR特性为24.2dB，腐蚀斑(每个表面)为0。

工业实用性

如上所述，根据本发明，在非磁性基底上垂直磁记录介质至少包括软磁性衬层、衬层、中间层以及垂直磁记录层，其中，由饱和磁通密度Bs大于1.1T的软磁性层形成的软磁性衬层由CoAl合金构成，该衬层由Ni、Ni合金、NiFe合金或NiCo合金构成。所以，可以提供能记录和再现高密度信息并具有很好的生产率的磁记录介质以及磁记录和再现装置。

Claims (19)

1.一种垂直磁记录介质，包括：

非磁性基底；以及

在所述非磁性基底上的软磁性衬层、衬层、中间层以及垂直磁记录层，

其中，所述软磁性衬层包括具有非晶结构并由饱和磁通密度Bs大于1.1T的CoAl合金构成的软磁性层。

2.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，所述软磁性层由饱和磁通密度Bs大于1.4T的CoFeAl合金构成。

3.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，所述软磁性层中Al的含量大于0.2at％但小于7at％。

4.根据权利要求3所述的磁记录介质，其中，所述软磁性层中Al的含量大于0.3at％但小于3at％。

5.根据权利要求2所述的磁记录介质，其中，所述软磁性层中Fe的含量小于50at％。

6.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，所述软磁性层中的成分中还至少包括Ta、Nb和Zr之一。

7.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，所述软磁性层中的成分中还包括Ni或Cr。

8.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，所述软磁性衬层包括两层AFC(反铁磁耦合)结构以及在这两层软磁性层之间形成的Ru膜。

9.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，所述软磁性衬层的饱和磁通密度与膜厚之积Ms·t(T·nm)大于3但小于8。

10.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，所述衬层材料为Ni、Ni合金、NiFe合金或NiCo合金，设置于其上的所述Ru合金的Δθ50小于6度。

11.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，所述中间层由Ru或Ru合金构成。

12.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，所述软磁性衬层的膜厚大于20nm但小于80nm。

13.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，所述中间层的厚度小于16nm。

14.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，所述软磁性层为CoFeAlZrNb、CoFeAlHfNb、CoFeAlTaNb、CoFeAlZrNbCr或CoFeAlZrNbNi。

15.根据权利要求1所述的磁记录介质，在所述非磁性基底和所述软磁性衬层之间还包括阻挡层。

16.根据权利要求15所述的磁记录介质，其中，所述阻挡层所包含的主要元素选自所述软磁性衬层所包含的除Co和Fe之外的元素。

17.根据权利要求15所述的磁记录介质，其中，所述阻挡层具有非晶结构。

18.根据权利要求15所述的磁记录介质，其中，所述阻挡层的膜厚大于1nm但小于20nm。

19.本发明中的磁记录和再现装置，包括，磁记录介质和用来在所述磁记录介质上记录和再现信息的磁头，其中，所述磁头为单磁极磁头，所述磁记录介质为根据权利要求1到18中的任何一项所述的磁记录介质。

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