CN101247879A - 用于弱减废气的方法及设备 - Google Patents

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Abstract

根据本发明的第一态样，提供一第一弱减设备。第一弱减设备包括(1)一氧化单元，适用于接收一半导体组件制程室的流出物流、(2)一第一水洗涤单元，适用于接收氧化单元的流出物流、以及(3)一催化单元，适用于接收第一水洗涤单元的流出物流。本发明尚提供许多其它态样。

Description

用于弱减废气的方法及设备
相关申请
本申请主张美国临时专利申请号60/690,340、申请日为公元2005年6月13日(代理人文件编号：10324/L)的申请的优先权，其一并附上供作参考。
技术领域
本发明一般是关于半导体组件的制造，且特别是关于弱减(abating)半导体组件制造设备的方法及设备。
背景技术
氟碳化合物、氯氟碳化合物、碳氢化合物及其它含氟气体常用于制程室中制造主动与被动电子电路，或者在此制造过程中，常会产生此类的副产物。这些气体会毒害人类与环境。此外，其也可能会吸收大量红外线，而导致全球暖化。特别是氟化的化合物或全氟化物(PFCs)影响甚钜，其为长久稳定的化合物，通常可存在数千年之久。PFC的例子有四氟化碳(CF4)、六氟化乙烷(C2F6)、全氟环丁烷(C4F8)、二氟甲烷(CH2F2)、全氟环丁烷(C4F6)、全氟丙烷(C3F8)、三氟甲烷(CHF3)、六氟化硫(SF6)、三氟化氮(NF3)、与氟化碳醯(COF2)等。
另一有毒气体为分子氟(F2)。长期暴露在F2浓度1ppm的微量下都会遭到毒害，并且F2很难再分解或减弱为无毒的型态。从前，含氟物质是经由够高的烟囱排放出去，如此排放物下降至地面时，空气中的F2浓度就可低于管制值。然而，此法由环境观点看来并不理想，亦因生成F2的含氟气体制程空间会受限于烟囱高度，而不利于生产制造。故需要可减少排出物中有毒气体量的设备与方法，尤其是减少制程室释出的含F2的排放物。
发明内容
根据本发明的第一态样，提供一第一弱减设备。第一弱减设备包括(1)一氧化单元，适用于接收一半导体组件制程室的流出物流、(2)一第一水洗涤单元，适用于接收氧化单元的流出物流、以及(3)一催化单元，适用于接收第一水洗涤单元的流出物流。
根据本发明的第二态样，提供一第二弱减设备。第二弱减设备包括(1)一氧化单元，适用于接收一半导体组件制程室的流出物流与弱减此流出物流、(2)一第一水洗涤单元，适用于接收氧化单元的流出物流与洗涤此流出物流、(3)一第二水洗涤单元，适用于接收第一水洗涤单元的流出物流与洗涤此流出物流、(4)一催化单元，适用于接收第二水洗涤单元的流出物流与弱减此流出物流、(5)一第三水洗涤单元，适用于接收催化单元的流出物流与洗涤此流出物流、以及(6)一第四水洗涤单元，适用于接收第三水洗涤单元的流出物流与洗涤此流出物流。
根据本发明的第三态样，提供一弱减半导体组件制造***中废气流的方法。方法包括(1)接收废气流、(2)在一氧化室中弱减此废气流、(3)于氧化室中弱减废气流后，洗涤此废气流、(4)在一催化室中弱减此废气流、以及(5)于催化室中弱减废气流后，洗涤此废气流。
根据本发明的第四态样，提供一形成弱减***的方法。方法包括(1)提供一具一氧化室与至少一洗涤器的第一弱减***、(2)提供一具一催化室与至少一洗涤器的第二弱减***、以及(3)装配第一与第二弱减***，以形成一单一弱减单元，其中一废物流先于第一弱减***中进行弱减处理，再于第二弱减***中进行弱减处理。本发明还提供许多其它态样。
本发明的其它特征和态样在参照下述说明、申请专利范围与所附图式后，将变得更明显易懂。
附图说明
图1为本发明第一实施例的处理***的示意图。
图2为本发明图1中弱减***的第一实施例的示意图。
图3为本发明图2中弱减***的侧视图，其已移开催化***，故可接近氧化***中后氧化洗涤器的侧边以供维修。
图4为本发明图1中弱减***的第二实施例的示意图。
图5为本发明图4中弱减***的另一实施例的示意图。
图6为本发明中用于加热催化床的第一装置的示意图。
图7为本发明中用于加热催化床的第二装置的示意图。
图8为本发明中用于加热催化床的第三装置的示意图。
图9为本发明中用于加热催化床的第四装置的示意图。
图10为本发明一实施例的交叉热交换器的示意图，其可做为第4、5图中催化***的热交换器及/或氧化***的热交换器。
主要组件符号说明
100  处理***                102  处理工具
104  弱减***                106  排放装置
108  氧化室                  110  后氧化洗涤器
112  催化室                  114  后催化洗涤器
204  弱减***                206  氧化***
208  催化***                302  侧边
304  轮子                    306、308  箭头
404  (弱减)***              406  氧化***
408  催化***                410  氧化室
412、414  洗涤器             416  催化室
418  第一导管                420  加热器
422  热交换器                424  洗涤器
426  第二导管                428  洗涤器
430  风箱                    432  污水槽
434、436、438  排水管线      440  泵
442  冷却区                  444  循环泵
446  循环水管线              448  热交换器
450  反应器                  452  入口组件
454  外壁                    456  内壁
458  加热组件                460  中央流道
462  入口                    464  横向区
466  污水区                  468  阻障物
470  柱状区段                472  填料
474  洒水喷嘴                476  蒸气释出口
478  传感器                  480  填料
482  洒水喷嘴                483  管线
484、486  导管               488  流体管线
490、492  管线               494  蒸发单元
495  催化表面                496、498  喷嘴
497、499  填料               504  弱减***
506  热交换器                508  洗涤器
600  第一装置                602  热交换器
604  反应管                  606  箭头
608、608’  弱减床           610  内管
612  排放管                  614  界面
616  冷却器                  618  废物管
620  反应加热器              622  色缘装置
624  废物流加热器            626  电源供应器
700  第二装置                800  第三装置
802  外管                    900  第四装置
902  输送管                  1000  热交换器
1002  第一入口               1006  第二入口
1004  第一组流道             1008  第二组流道
1010  隔热材料               C  控制器
F  箭头
具体实施方式
本发明提出用于弱减半导体组件制造设备的方法与设备。例如，本发明可用来弱减全氟化物(PFCs)、有害空气污染物(HAPs)、挥发性有机化合物(VOCs)、或其它进行半导体制程时及/或洁净半导体组件制造设备时所产生的类似物质，其中半导体组件制造设备是例如与等离子辅助化学气相沉积(PECVD)、低介电系数或高介电系数的材料沉积、高密度等离子化学气相沉积(HDPCVD)、次大气压化学气相沉积(SACVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、金属化学气相沉积(MCVD)、蚀刻、外延成长、快速热处理(RTP)、离子植入等相关的制程及/或制程室。在一实施例中，本发明可用来弱减于洁净CVD制程室时所产生的PFC。
根据本发明一或多个实施例，可结合电氧化(electric oxidation)、热催化与水洗涤(water scrubbing)技术来改善弱减效果。此结合技术对几乎所有的半导体气态副产物(包括PFCs、HAPs、VOCs)的弱减率可达99％。
本发明的实施例可修改并应用到现有产品，如控制分解与氧化(CDO)***，其可从美国加州圣荷西市的美呈科技(Metron Technology)的Ecosys部门取得。例如，CDO***可结合一热弱减***，如从爱尔兰都柏林的Guild Associates取得的Trinity***。
因弱减处理是使用水与电，故不需使用如甲烷或氢气等可燃或易燃的燃料。
本发明的实施例将配合图1至10描述于下。
图1为根据本发明的第一实施例的处理***100的示意图。参照图1，处理***100包括一或多个连接于一弱减***104的处理工具102。弱减***104则连接于一排放装置106，如排气房(house exhaust)。
一或多个处理工具102可包括例如一或多个蚀刻室、沉积室、或其它用于半导体组件制造的制程室。弱减***104可用来弱减一单一制程室或工具、或多个制程室或工具。
如图1所示，弱减***104包括一连接于一或多个处理工具102的氧化室108、一连接于氧化室108的后氧化洗涤器110、一连接于后氧化洗涤器110的催化室112、以及一连接于催化室112与排放装置106的后催化洗涤器114。氧化室108、后氧化洗涤器110、催化室112与后催化洗涤器114的实施例将参考第2至5图描述于后。
在操作使用时，一或多种废气流从处理工具102生成而传递到氧化室108。例如，废气流可于处理工具102所进行的蚀刻、沉积、洁净或其它半导体制程中产生。在氧化室108内，一试剂(如氢气)会与各废气流结合，此结合后的混合物被加热到一适当温度后，会转化成较易处理的形态。例如，含卤素的气体可与一试剂(如氢气)结合而产生酸性气体，如氟生成氟化氢(HF)、氯生成氯化氢(HCl)，其随后可在后氧化洗涤器110中洗涤而移除。易燃性与自燃性材料、HAPs与VOCs也可使用类似的弱减方式。
试剂的例子例如包括氢气、碳氢化合物(如甲烷、丙烷、天然气等)、氨气、空气、氧气、水蒸气、醇类、醚类、钙化合物、胺类、其混合气体、液体及/或固体等，然其它试剂亦可使用。弱减及/或转化废气流为较易处理形态的温度例如是介于约650℃至950℃之间，然其它温度范围亦可采用。
在后氧化洗涤器110内，固态氧化副产物(如二氧化硅、三氧化钨等)、酸及/或微粒可从废气流中移除。例如，氧化室108中氟或氯与氢的反应可能产生酸性气体(如氟化氢或氯化氢)，其可在后氧化洗涤器110内经由水洗涤而移除的。
在后氧化洗涤器110内洗涤之后，废气流会进入催化室112。在催化室112内将额外弱减此废气流。例如，PFCs、残余卤素(如氟)、HAPs、及/或VOCs可经由废气流与催化室112内催化剂间的反应而被弱减。来自后氧化洗涤器110的废气流内的水蒸气有助于弱减处理，此将进一步说明于后。
举例来说，催化室112可包括一催化表面，其为催化减少废气流中有毒气体含量的反应。催化表面例如为由催化材料所构成或支撑微细***催化剂的结构、泡沫状或颗粒状催化床、或为催化室1112壁上或其零件上的涂布层。例如，催化表面可包含支撑结构的表面，支撑结构包含具催化剂埋设其中的蜂巢状构件，以形成一具高表面积的结构，流出物经由此构件而由催化室112的入口流至出口。催化表面例如可设在一含陶瓷材料的结构上，陶瓷材料例如为菫青石、氧化铝、硅铝合金、铝硅酸盐矿物、碳化硅、氮化硅、沸石、及其均等物；或者催化表面可包含如氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、或其与其它氧化物的组合的涂布材料。催化表面还可注入催化金属，如铂(Pt)、钯(Pd)、铷(Rh)、铜(Cu)、镍(Ni)、钴(Co)、银(Ag)、钼(Mo)、钨(W)、钒(V)、镧(La)或其组成物、或其它已知可用来提高催化活性的材料。
当废气流流出催化室112后，会流进后催化洗涤器114。在后催化洗涤器114内将移除废气流中可溶解的催化作用副产物与酸等等。接着，任一处理后的废气流将提供至排放装置106。须注意的是，排放装置106可依需求增加弱减及/或洗涤功能。
图2为图1中弱减***104的第一实施例的示意图，其对应于图2中的弱减***204。参照图2，弱减***204类似图1中的弱减***104，且包括氧化室108、后氧化洗涤器110、催化室112、及后催化洗涤器114。然而，图2中的弱减***204更修改为包括一具氧化室108与后氧化洗涤器110的氧化***206、及一具催化室112与后催化洗涤器114的催化***(或称为催化背负式器械；catalytic backpack)208。
根据一或多个实施例，弱减***204可结合控制分解与氧化(CDO)***(其可从美国加州圣荷西市的美呈科技(Metron Technology)的Ecosys部门取得)与一热弱减***(如可从爱尔兰都柏林的Guild Associates取得的Trinity***)。美国专利证书号6,261,524与6,423,284所描述的氧化***范例可再加以修改并与如美国专利证书号6,468,490与6,824,748所述的催化***结合。这些专利将一并附上以供参考。
上述CDO***是一电氧化炉，用以移除废气流中的易燃物、自燃物、HAPs、及/或VOCs(如使用氢气或其它适合的试剂)。CDO***中之后氧化洗涤器是用来移除氧化副产物、酸与其它微粒。连接于氧化***(如CDO***)的催化***可利用催化室与其洗涤器(如并流及/或逆流水洗涤器)，来弱减未经氧化***弱减的PFCs与额外的HAPs或VOCs、及移除酸与可溶解的催化作用副产物等。催化***弱减额外的HAP与VOC的特性可有效增加频宽及/或整体弱减***的使用时间，此将进一步说明于后。
在至少一实施例中，一连锁控制***可设于催化***中，其连通于氧化***206、处理工具102与处理***100的泵，以降低工具/***所遭受的冲击。例如，控制***可监控及/或调节弱减***104的入口压力，如此任何连接至弱减***的处理工具将不会因弱减***而产生变异。在此或其它实施例中，催化***可使用氧化***中现存的水输送列(water train)(如下所述)。例如，催化***可排放废水流(如水与氢氟酸的废弃物)至氧化室的污水槽。
在一些实施例中，当一催化***连接到一CDO***时，其下的氧化***会因催化***的存在而变得不易检修。例如，CDO***一般是从CDO单元中后氧化洗涤器的侧边维修。因此，在检修氧化***时是期望催化***的位置能轻易移动及/或调整。例如，图3为弱减***204的侧视图，其已移开催化***208，故可从氧化***206中后氧化洗涤器的侧边302进行检修。催化***208例如可包括轮子304、滑橇、滚轴、轨道等，使催化***208可以相对于氧化***206而依箭头306、308所指的方向移动。适当的电缆及/或铅锤固定装置也可配加，使催化***208相对于氧化***206可进行侧向移动。催化***208相对于氧化***206的前后移动(箭头308方向)可容许接近氧化室108正面、后氧化洗涤器110侧边、催化室112正面、及后催化洗涤器114侧边。
图4为图1中弱减***104的第二实施例的示意图，其对应于图4中的弱减***404。弱减***404类似图2中的弱减***，且包括一连接于催化***408的氧化***406。
氧化***406包括一连接于第一(水)洗涤器412的氧化室410。第二(水)洗涤器414连接于第一洗涤器412与下述的催化***408。
催化***408包括一催化室416，其藉由流经第一加热器420与第一热交换器422的第一导管418而连接到氧化***406的第二洗涤器414(如图所示)。催化室416还藉由流经第一热交换器422的第二导管426而连接到一第三(水)洗涤器424。一第四(水)洗涤器428连接于第三洗涤器424与风箱430。风箱430例如可连接至排气房(如图1的排放装置106)。用以在弱减***404中产生引流或流动的引出装置(eductor)或类似装置亦可取代风箱430。
氧化室410、第一洗涤器412与第二洗涤器414排出的液体经由第一排水管线434流至污水槽432。催化***408可采用自有的排水管线/污水槽。但在图4的实施例中，催化***408的第三洗涤器424与第四洗涤器428分别藉由第二排水管线436及第三排水管线438而排放液体至污水槽432。
一污水槽泵440连接于污水槽432，以抽吸污水槽432内的废弃物至例如一排放室或其它排水装置。污水槽432中的水可利用循环泵444与循环水管线446，而再循环供应至氧化室410的冷却区442(如下述的液态涡流)、氧化***406的第一洗涤器412、及催化***408的第三洗涤器424。此再循环水可由第二热交换器448或类似机构而加以冷却。或者，可供应干净的水至洗涤器412、424。同样地，干净水(如图标)或再循环水可分别提供给氧化***406与催化***408最终的洗涤器414、428。
在图4的实施例中，氧化室410包括一热氧化反应器450，其连接于入口组件452以输送制程气体与辅助流体至反应器450。热氧化反应器450包括一外壁454与一内壁456，二者围出环状或其它形状的加热组件458。内壁456围住一反应器的中央流道460。加热组件458例如可藉由电气加热而提供内壁456一热表面，以提高温度而处理待处理的流出物。内壁456或「内衬」可由任一适合材料所组成，例如镍合金(如Inconel金属合金)。
虽然热氧化反应器450在此为一电气加热单元，然其亦可采用其它适合的型式。可替代型式的例子包括运用火焰(flame-based)的热氧化器(如使用氧做为氧化剂并使用氢或甲烷做为燃料)、催化性氧化器、蒸发氧化器等。热氧化器可采用任一适合的加热方式，如电阻加热、红外线照射、微波照射、对流传热、或固态传导等。
热氧化反应器450可装配一控制热电耦(未绘示)。热电耦是用来监控加热组件458的温度。热电耦可适当安排而传递讯号给一热能控制器(未绘示)。此热能控制器可调整电气加热能量并响应给环状加热组件458，因而使内壁456的热壁面达到预定温度。如此，壁面可维持在一适合热氧化处理流经热氧化单元的流出物(沿图4中箭头F所指方向)的温度范围。
此实施例的热氧化反应器450是用来接收来自CDA供应管线(未绘示)的CDA入口462的清洁干空气(CDA)。CDA供应管线可连结至适当的CDA供应源。引入的空气流入热氧化单元的外壁454与内壁456间的环状空间，并与加热组件458接触而加热至适当温度。加热后的空气接着流过内壁456中的孔洞(未绘示)而流入反应器的中央流道460。在此可混入氧化剂至流出气体中，以形成可氧化的流出气体混合物，以供反应器450进行热氧化。另外，氧化剂可加在入口组件452做为另一引入流体流，以助热氧化反应器450内的氧化反应进行。
热氧化反应器450的下端连结于冷却区442(如一冷却单元)。在一些实施例中，冷却区442包括一洒水喷嘴数组(未绘示)，藉由相关的入水导管(如循环水管线446)而提供水。当热氧化反应器450排出气流至冷却区442时，洒水喷嘴数组用来初步冷却此热流出气流。或者，冷却区442可包括一如前述美国专利证书号6,261,524所揭露的液态涡流(未绘示)来冷却流出气流。
冷却区442包括延伸至第一洗涤器412的横向区464。横向区464接着再连结至冷却区442的污水区466。污水区466下端连接于一斜面排出/汽化阻障物468。一导电性液位传感器/制程室清除组件(未绘示)可连结至污水区466，并连接至供应此构件CDA的CDA供应支线。
冷却区442的污水区466上端连接至一洗涤除雾柱状区段470的下端，而洗涤除雾柱状区段470是由第一与第二洗涤器412、414所构成。洗涤除雾柱状区段470可在其第一洗涤器412下部填入二次洗涤填料472。柱状区段470的第一洗涤器412上部为装配一洒水喷嘴474，藉由水在填料472上方往下逆流而可洗涤其中往上流动的流出气体。或者也可使用并流流入的水。洒水喷嘴474中的水是由循环水管线446提供，但也可使用干净的水。
第一洗涤器412上部可装配一蒸气释出口476，其连接于一蒸气释出管线(未绘示)以释放柱状区段470内过大的压力。一排放温度传感器478还可设置在第一洗涤器412上部，以监控柱状区段470的温度。
洗涤除雾柱状区段470的第二洗涤器414内同样可填入二次洗涤填料480，且配装一连接于干净水供应管线483的洒水喷嘴482。在一些实施例中，干净水供应管线483可包括一阀门(未绘示)，若有需要可激活此阀门来额外洗涤及处理特殊的流出气流。在另一实施例中，第二洗涤器414亦可使用再循环水。
洗涤除雾柱状区段470的第二洗涤器414可连接于一排放温度传感器(未绘示)，用以监控流出气流的温度。一压力显示器(未绘示)亦可连接于洗涤除雾柱状区段470的第二洗涤器414，以监控柱状区段470内的压力。
在一些实施例中，可提供CDA至柱状区段470，用以例如稀释柱状区段470上端排放的流出物。一限制流动的孔洞(未绘示)及/或一位于孔洞上游处的流动控制阀(未绘示)可用来选择性限制CDA流至柱状区段470上端。
如图所示，用来输送制程气体与辅助流体至热氧化反应器450的入口组件452可装配制程气体入口导管484、486，以接收一或多个制程室的排放制程气体。制程气体入口导管484、486使流出的排放制程气体流进热氧化反应器450。该些制程气体入口导管484、486可设置一或多个辅助流体附加管线(如流体管线488)，使辅助制程流体加入至流经制程气体入口导管484、486的主要流出物中。
入口组件452还可包括一保护气体供应管线490与一氢或试剂供应管线492。试剂供应管线492连结至一试剂气体供应源，如水及/或CDA供应器。保护气体可为热氧化反应器450、或流出物弱减***的入口或相关管路与通道的净化气体。保护气体例如包括氮气、氦气、氩气等。
某些实施例为引进水蒸气至热氧化反应器450中以做为一氢源气体。水蒸气在高温下使用，此温度适合热氧化反应器450所进行的热氧化制程及/或流出气体中被弱减的卤素元素。一蒸发单元494(如加热器)可从一适当供应源(如半导体制造设备中的供水管线、都市或工业供水管线等)取得水源。或者，氢源气体供应器可包括一半导体制造设备中的蒸气管线或其它水蒸气源。又或者，氢源气体供应器可包括一化学反应容器，使试剂材料反应形成水蒸气。例如，碳氢化合物试剂(如甲烷、丙烷、天然气等)可引入化学反应容器内，使其与个别引入的氧化剂(如空气、氧气、氧气量较高的空气、臭氧等的含氧气体)混合并反应生成水蒸气。
水蒸气可提供氢源给热氧化反应器450，并与流出气体内的卤素成分反应，卤素成分例如为氟与氟化物、硼、碘、氯、及其它对应的含卤素化合物、错合物与反应基。例如，氟与水蒸气反应后会很快转换生成氟化氢，其在洗涤步骤中可轻易从流出气体中移除。洗涤步骤亦可移除流出物中其它酸性气体，故可产生一卤素/酸性气体减量的流出物。
流入图4所示的弱减***的流出气体中的氟或其它卤素将在反应器450上部被弱减(如在卤素有机会攻击热区域(thermal section)之前)，而其中反应器450的入口是注入蒸气。在一些实施例中，水蒸气可注入于制程气体流与热氧化反应器450内壁456之间，以避免内壁456遭到攻击。
入口组件452的设计范例说明于前述美国专利证书号6,261,524与6,423,284。其它适合的入口设计亦可采用。
水蒸气或甲烷(CH4)当作氢源试剂的使用温度例如为650℃至950℃；且温度越低，腐蚀速度与F2攻击内壁456的机率越低。其它温度范围亦可使用。
在至少一实施例中，氧化***406类似先前美国专利证书号6,423,284所述的氧化***，且操作方法亦雷同。其它氧化***也可采用。
在废气流于氧化室410内氧化后，此废气流由第一与第二洗涤器412、414洗涤。废气流接着流经(第一)导管418而流至催化室416。
第一与第二洗涤器412、414的附加好处为废气流在进入催化室416前可先进行预洗涤处理。预洗涤处理移除了可能会破坏催化室416或降低其功效的废气流中的气态或微粒成分。例如，若废气流存有四氟化硅(SiF4)，则SiF4可能会因水气存在而分解与沉积硅，进而降低催化剂活性或于催化剂上形成沉积。SiF4蒸气例如常在蚀刻与洁净的过程中产生。利用例如水的洗涤液洗涤废气流，可减少废气流的SiF4含量(如藉由产生氧化硅与氟化氢)。氧化硅与氟化氢产物比较容易从废气流中移除。氟化氢可溶于水，而氧化硅可利用过滤而移除的。
催化室416可包括一催化表面495，其是催化减少废气流中有毒气体含量的反应。催化表面495例如为由催化材料所构成或支撑微细***催化剂的结构、泡沫状或颗粒状催化床、或为催化室416壁上或其零件上的涂布层。例如，催化表面可包含支撑结构的表面，而支撑结构包含具催化剂埋设其中的蜂巢状构件，以形成一具高表面积的结构，流出物则通过此构件而由催化室416的入口流至出口。催化表面495例如可设在一含陶瓷材料的结构上，陶瓷材料例如为菫青石、氧化铝、硅铝合金、铝硅酸盐矿物、碳化硅、氮化硅、沸石、及其均等物；或者催化表面可包含如氧化锆、氧化铝、氧化钛、或其与其它氧化物的组合的涂布材料。催化表面还可注入催化金属，如铂、钯、铷、铜、镍、钴、银、钼、钨、钒、镧或其组成物、或其它已知可用来提高催化活性的材料。
当第二洗涤器414流出的废气流流入催化室416后，第一交叉热交换器422及/或加热器420(如电力、气体或其它型式加热器)会加热此废气流至一足以在催化室416中产生催化反应与弱减有毒气体的温度。热可改善弱减效率并延长催化剂使用寿命。温度等于或小于700℃、或介于约50℃至约300℃均可使用，然其它温度范围亦可采用。
第一交叉热交换器422可包含任一适合的交叉热交换器，以获得催化室416出口所产生的热，而将其用于加热从催化室416入口进入的废气流。交叉热交换器422的实施例将参考第6至10图说明于后。
如所述，废气流流经催化室416以弱减其中的有毒气体。若已加热此废气流，则经弱减的废气流可在洗涤与排放前先行降温。在一些实施例中，可采用一冷却***，如一冷水冷却***(未绘示)，其喷洒冷水使已弱减的废气流降温。经弱减的废气流接着进入第三洗涤器424，在此，弱减的废气流中的酸性材料会溶于例如水的溶剂，以形成较易排放或丢弃的酸性溶液。
在弱减氟的过程中，催化室416内会产生HF。由于HF具有毒性且不宜接触到皮肤，故若废气流含有HF会有安全的虞且不易处理。此外，HF具高度腐蚀性，特别是在高温、潮湿与含氧的环境下。镍基(nickel-based)合金(例如Inconel600或625TM)在催化弱减环境中具良好的抗腐蚀性，并且可有效密封气体而避免HF漏出***外。
当废气流流过第三洗涤器424，一水喷嘴496分散洗涤液给此废气流，洗涤液例如为由循环水管线446或干净水管线提供的水。在至少一实施例中，喷洒液体的方向为气体流动方向的逆流方向。「逆流」表示其至少一部分的流动方向实质上与气体流动方向相反。如此，藉由重力与水流可促使反应生成物(如氧化硅微粒与HF)输送到污水槽432。或者也可采用并流方向。第三洗涤器424可选择性加入提高表面积的材料或其它填料497，例如不同尺寸的塑料或陶瓷颗粒(如聚氯乙烯球(PVC ball))，来增加柱状区段内水/气体间的接触表面积，进而促进各种破坏反应。
废气流流经第三洗涤器424而达第四洗涤器428。第四洗涤器428可包括用来分散洗涤液的喷嘴498，例如将干净水供应管线483提供的水反向喷洒至废气流。或者可采用并流方向及/或循环水。
第四洗涤器428更可具有提高表面积的材料或类似弱减***404中其它洗涤器所用的填料499。第四洗涤器428利用干净的水而对废气流进行另一层级的洗涤，并进一步将反应生成物传输到污水槽432。
风箱430可提供通风效果或产生负压而将废气流引出弱减***404外。如上所述，其也可采用引出装置或其它机构。CDA或其它干燥气体可加到风箱430口或附近，以调节排放的湿度及/或稀释排放物。若使用一引出装置，则可采用干燥气体做为驱动气体(drive gas)，以降低排放露点(dewpoint)及/或稀释排放物。
一控制器C可连接到弱减***404并控制其操作。控制器C可包括一或多个微处理器、微控制器、专用硬件电路、或其组合物等。在至少一实施例中，控制器C为适当程序化的微处理器。例如，若催化***为搭配现有的氧化***，则氧化***的控制器可被程序化来控制催化***的操作(如利用附加的可程序逻辑控制器或合适的硬件)。
图5为图4中弱减***404的另一实施例的示意图，其对应于图5中的弱减***504。图5的弱减***504类似图4的弱减***404，但包括一些其它的特征。例如在至少一实施例中，弱减***504包括一附加的交叉热交换器506。交叉热交换器506位在氧化室410冷却区442的横向区464内，并用于获得热氧化反应器450出口所产生的热，且使用此获得的热而预热任一流入催化室416的废气流。交叉热交换器506设于第一交叉热交换器422的上游处，而在任一废气流进入催化室416之前，提供其额外的热源(除了交叉热交换器422与加热器420所提供的热源以外)。交叉热交换器506可类似第一热交换器422，然其它适合的热交换器亦可使用。热交换器的实施例将参考第6至10图说明于后。
在一些实施例中，可于氧化***406的第一洗涤器412前使用一附加的湿式洗涤器508，如一高压洗涤器。例如，湿式洗涤器508可包括复数个喷嘴(未绘示)，用以形成一废气流流贯其中的水帘(water curtain)。湿式洗涤器508的入口/导管(未绘示)可加以排列以导引废气流几乎沿着湿式洗涤器508的内面切线流动。如此可增加废气流停留在湿式洗涤器508的时间，故可提高在其内部进行的任何水洗涤制程的处理效率。其它的入口/导管配置方式亦可采用。
水及/或其它气体及/或流体可经由喷嘴(未绘示)而放射状分散至湿式洗涤器508的内腔体中。喷嘴可为雾化型喷嘴，且可分散高压水气。在一些实施例中，喷嘴可分散直径约10微米至100微米的水滴，较佳为约50微米或小于50微米的水滴。亦可分散更大及/或更小的水滴。湿式洗涤器508的至少一实施例采用雾化型喷嘴来产生直径约10微米至100微米的水滴，而使水滴与废气流彼此接触约0.1秒至5秒，较佳为约2.5秒至5秒。喷嘴及/或其它水分散器还可导引水帘沿着湿式洗涤器508内腔体的各表面流动，以防止微粒沉积于其表面。
在一些实施例中，喷嘴所分散的水滴可藉由静电处理而加强的。即喷嘴分散的水滴可利用偏压电极而充电，以避免水滴聚集。其它控制水滴大小、流动方向及/或形成的***及/或方法亦可用于湿式洗涤器508。
图6为本发明中用于加热催化床(如第4及5图的催化室416)的第一装置600的示意图。参照图6，第一装置600包括一位于反应管604内的热交换器602，而反应管604用于输送沿着箭头606的方向进入的废物流(如制程副产物)。一部分的反应管604可具有一弱减床608，如催化床。在此实施例中，弱减床608可置于一内管610附近。如图6所示，内管610连接于热交换器602。热交换器602还可穿过反应管604管壁而在界面614处连接至一排放管612。排放管612可连接于一冷却器616。例如，冷却器616可为图4中催化***408的洗涤器424及/或428。冷却器616连接于一废物管618，用以处置经过处理的废物流(例如丢到图4的污水槽432)。
第一装置600还可包括一反应加热器620与一位于反应管604附近的绝缘装置622。图6绘示反应加热器620与绝缘装置622的截面。一废物流加热器624可置于反应管604内。废物流加热器624连接至一电源供应器626。
热交换器602可为一钢铁合金(如镍基(nickel-based)合金)的螺旋管，其例如是从美国西弗吉尼亚州杭丁顿市的Inco公司取得的Inconel600或625TM，然亦可采用其它适合的形状及/或材料。例如，尽管本实施例是采用螺旋状，但此或其它实施例也可采用多鳍状。另外，材料可为任一材料，只要其能运输废物流、及交换热交换器602内、外区域的热。在一些实施例中，废物流温度为约800℃至约900℃，然也可能是更高或更低的温度。
同样地，反应管604、内管610、排放管612及废物管618可由Inconel600或625TM构成，但也可使用其它适合的材料。例如，若废物流的性质(如腐蚀性与温度等)不会破坏不锈钢，某些实施例则可使用较便宜的不锈钢合金来制作排放管612。虽然反应管604、内管610、排放管612及废物管618一般为圆管，但其它适合的形状及/或尺寸亦可使用。反应管604、内管610、排放管612及废物管618所输送的废物流温度约为室温至900℃，然也可能是更高或更低的温度。
反应加热器620可为陶瓷加热器型式，例如可从美国密苏里州圣路易市的Watlow公司取得的陶瓷加热器产品，然亦可使用其它适合的加热器。反应加热器620的陶瓷部分可具部分绝缘性质。为加强绝缘效果，可使用绝缘装置622或任一合适的绝缘装置。绝缘装置622可避免操作员受伤及/或防止设备被破坏。如图6所示，绝缘装置622可围绕反应加热器620，然其它适当的反应加热器620与绝缘装置622配置亦可用来加热反应管604及废物流。
废物流加热器624可为一电气加热装置，然亦可采用其它适合的加热装置。如图6所示，废物流加热器624可部分置于反应管604内，以接触反应管604中的废物流。虽然图6绘示的废物流加热器624为杆状，但在此及其它实施例中亦可采用其它形状。废物流加热器624的温度可高于废物流的温度。如此，废物流加热器624可加热废物流加热器624周围的废物流至一预定温度。废物流加热器624可利用电源供应器626的电力来加热废物流，但其亦可利用其它适合的电源供应器。
在操作时，废物流可依箭头606方向流入反应管604，然后流动于热交换器602外部表面。如下所述，热交换器602的温度可高于废物流的温度。因此，热交换器602的热可转移到废物流，进而加热废物流。废物流可流经热交换器602与废物流加热器624。废物流加热器624的温度可高于热交换器602的温度，然其亦可具其它适当的温度。废物流加热器624可加热废物流至一预定温度，以例如进行弱减处理。随后，废物流可通过弱减床608(如图4的催化室416)而过滤的。在过滤过程中，废物流可与弱减床608反应(如化学反应或物理反应等)，藉以改变废物流的化学组成，使的具有较理想的成分。此反应可在高温下进行。
须注意的是，如图6所示，废物流是在被废物流加热器624加热前，先由热交换器602加热。如此，热交换器602可使用废物流与弱减床608反应后的余热来预热后续流入的废物流。
废物流在通过弱减床608而过滤后，可经由内管610流至热交换器602。因废物流在过滤的过程中可能会降温，故其温度可能略低于弱减温度。但弱减后的废物流温度一般是高于流入的废物流的温度。是以如上所述，热交换器602可加热后续流入的废物流。弱减后的废物流可流过热交换器602与排放管612而至冷却器616(如图4中催化***408的洗涤器424及/或428)。冷却器616可进一步冷却及/或弱减废物流中的化学组成。接着，废物管618可丢弃废物流至例如图4的污水槽432。一类似热交换器(例如没有催化床)可做为图5中氧化***406的热交换器506。
图7为本发明中用于加热催化床(如第4及5图的催化室416)的第二装置700的示意图。参照图7，第二装置700包括一弱减床608’(如一催化床)，其类似第一装置600的弱减床608。如图7所示，第二弱减床608’位于内管610中。
在操作时，废物流的流动方式类似图6所述的方式。废物流沿着比图6还长的路径流过弱减床608’。因此，废物流与弱减床608’间的反应时间及/或停留时间变得较长，故可弱减更多废物流中的化学成分。一类似的热交换器(例如没有催化床)可做为图5中氧化***406的热交换器506。
图8为本发明中用于加热催化床(如第4及5图的催化室416)的第三装置800的示意图。参照图8，第三装置800包括一连接于反应管604与热交换器602的外管802。第三装置800还可包括第二装置700中的部分组件。须注意冷却器616是连接于反应管604。如图8所示，部分外管802可置于反应管604外、且位于绝缘装置622与反应加热器620之间，然亦可采用其它配置方式。例如在另一实施例中，外管802可置于反应加热器620与反应管604之间。外管802可类似上述图6的内管610。例如，外管802可由镍合金(如InconelTM)或其它适合材料构成。
在操作时，废物流可流经反应管604、弱减床608后，再进入高温的外管802。弱减后的废物流可由反应加热器620与绝缘装置622间的外管802输送，藉以加热或维持外管802中的废物流温度。接着，类似第一装置600及第二装置700，弱减后的废物流可流入热交换器602，以将热交换器602加热至高于接续流入的废物流的温度。因此如图6与图7所述，热交换器602可预热后续流入的废物流。一类似热交换器(例如没有催化床)可做为图5中氧化***406的热交换器506。
图9为本发明中用于加热催化床(如第4及5图的催化室416)的第四装置900的示意图。参照图9，除图6所述的部分组件外，第四装置900还包括一输送管902。输送管902可设于反应管604内的弱减床608中。如图9所示，输送管902位在弱减床608的中央附近，然其亦可设置在其它适当的位置。部分输送管902越过弱减床608而延伸至反应管604中接近废物流流入处的区域。
输送管902可为一热输送管，然亦可采用其它适合的装置。例如，输送管902可为一中空热输送管，且一热输送液置于其内。热输送液可为一工作流体，如减压水、丙酮、溶剂、氨水等，然亦可使用其它适合的流体。输送管902的材质可类似图6中内管610的材质，然其亦可由其它适当的材料构成。虽然图9的输送管902为圆柱状，但其亦可为其它适当的形状。
在操作时，可将反应加热器620中输送管902第一区域的温度升高到弱减温度，例如为弱减床608(如一催化床)内的废物流温度。藉此，热输送液可提高整个输送管902的温度。例如，部分热输送液可变成气态而上升到接续流入的废物流进入反应管604的第二区域附近。由于热输送液的温度高于接续流入的废物流的温度，故热输送管902可将热转移给废物流。后续流入的废物流的温度可因此提升，而使热输送液冷凝为液态并流回第一区域。一类似的热交换器(例如没有催化床)可做为图5中氧化***406的热交换器506。
图10为交叉热交换器1000的一实施例的示意图，其可用于第4、5图中催化***408的热交换器422及/或氧化***406的热交换器508。此热交换器类似美国专利证书号6,824,748所述的热交换器。
参照图10，待弱减的废气流(如位于第4、5图的催化室416内)从第一入口1002进入交叉热交换器1000，并分散至第一组流道1004。已弱减的废气流(如从氧化室410及/或催化室416流出的气流)从第二入口1006进入热交换器1000，并分散至第二组流道1008，其邻接于输送待弱减的废气流的第一组流道1004，且将热转移给第一组流道1004。已弱减的废气流中的热因而转移给待弱减的废气流。一隔热材料1010围住热交换器1000，以防止热散逸至大气中，并增进热交换器1000的效能。热交换器1000可由抗腐蚀性材料构成，例如Inconel的镍基合金或其它适合的材料。
氧化、后氧化洗涤、催化与后催化洗涤的组合提供了完全弱减的解决方案，其可应用于沉积制程(如化学气相沉积(CVD))、蚀刻制程、洁净制程(如NF3洁净)、及其它半导体制程。例如，HAPs与VOCs可藉由氧化移除，而PFCs及任何残留的HAPs与VOCs可藉由催化移除。酸及可溶性副产物可利用洗涤移除。几乎所有的半导体相关的气态副产物(包括HAPs、VOCs与PFCs)的弱减率均可达99％。
举例来说，原位(in-situ)CVD室进行的洁净制程一般会产生高流量的CF4、C2F6、C3F8及/或其它气体，例如每一制程室含高达1.2slm的C3F8、1.5slm的C2F6与2.0slm的CF4。在此所述的弱减***可用来弱减原位CVD室进行的洁净制程及/或类似制程所产生的PFC。至少一实施例中，氧化室108是使用电气加热，而不需使用燃料。在此实施例中，CVD PFC的弱减处理不需使用燃料，故风险低。再者，在此所述的弱减***100或其它弱减***可参照第2至5图修改现有的氧化室，而具有一「背负式」催化室/洗涤器。此种配置结构不会影响CVD效能或产能、不用冒高风险来再认证现有制造设备品质、且不需耗费高成本来修改现有***以供弱减PFC之用。
上述弱减***可有效弱减的气体及/或化学组成例如包括乙硼烷(B2H6)、氯化硼(BCl3)、氟化硼(BF3)、溴(Br2)、乙烯(C2H4)、四氯化碳(CCl4)、甲烷(CH4)、氯仿(CHCl3)、氯(Cl2)、一氧化碳(CO)、碳酰氟(COF2)、二氯硅甲烷(dichlorosilane；DCS)、二乙基胺(diethylamine；DEA)、二甲基胺(dimethylamine；DMA)、乙醇、氟(F2)、氢化锗(GeH4)、氢气、溴化氢(HBr)、氯化氢(HCl)、氟化氢(HF)、氧化亚氮(N2O)、氨(NH3)、臭氧(O3)、八甲基环四硅氧烷(octo-methyl-cyclic-tetra-siloxane；OMCTS)、磷化氢(PH3)、四溴化硅(SiBr4)、四氯化硅(SiCl4)、四氟化硅(SiF4)、硅烷(SiH4)、二氧化硫(SO2)、4-(二甲基氨)钛(tetra-kis-dimethyl-amino-titanium；TDMAT)、三乙基硼酸盐(tri-ethyl-borate；TEB)、四乙氧基硅烷(tetra-ethyl-ortho-silicate；TEOS)、三乙基磷酸盐(tri-ethyl-phosphate；TEPO)、氯化铊(TlCl4)、三甲基硅烷(trimethylsilane；TMS)、氟化钨(WF6)、四氟乙烯(C2F4)、六氟乙烷(C2F6)、八氟丙烷(C3F8)、过氟环丁烷(C4F6)、全氟环丁烷(C4F8)、四氟化碳(CF4)、三氟甲烷(CHF3)、三氟化氮(NF3)、六氟化硫(SF6)等。当然其亦可用于弱减其它的气体及/或化学组成。
亦得知结合氧化反应与催化反应可更有效弱减卤素元素。例如，只有氧化反应也许足够弱减单一制程室。但在弱减多个制程室时，氧化室的弱减效率会降低。在此实施例中，加设催化室(如催化***)可大幅提高弱减能力。在一些实施例中，相较于单一氧化室，多加催化室后弱减氟与氯的程度几乎可提高二倍。
在另一实施例中，氧化室108、410可弱减约2公升/分钟的含氟废物流，其弱减率至少为99％。藉由增加催化室416可提高弱减量为4公升/分钟。即在一些实施例中，同时采用氧化室与催化室的弱减***的弱减量几乎为单一氧化室的二倍。
此外，结合氧化室与催化室可有效增加催化室的效能及/或使用寿命。例如，任一制程所产生的微粒(如会毒害催化剂的SiF4)若覆盖在催化室中的催化材料上，将会降低催化室的效能。在废物流进入催化床之前，在催化反应前先利用氧化反应移除有害废气流生成物及/或副产物。由于催化材料没有被污染物所降解，故可提高催化床的使用寿命与效能。再者，「预氧化」减少了待弱减的废气流的流量(如有效弱减HAPs、VOCs等)，因此可提高催化床的使用寿命与效能。下列表1说明了结合氧化反应与催化反应可增加弱减量。
                 表1
  气体   只用催化反应的弱减量(sccm/一公升催化剂)   结合氧化与催化反应的弱减量(sccm/一公升催化剂)
  CF4   63   126
  C3F8   50   100
  C4F8   55   110
  C2F6   58   116
  NF3   ＞67   ＞134
  CHF3   ＞67   ＞134
  SF6   ＞67   ＞134
使用氧化或催化反应都可有效弱减各种气体及/或化学组成。但若此些气体及/或化学组成是由本发明的氧化与催化反应的结合***所弱减，则弱减***的整体弱减效率、弱减量与使用寿命均可大幅改善。可达上述功效的气体及/或化学组成的例子包括C2H4、CHCl3、CO、COF2、DMA、GeH4、H2、NH3、O3、PH3、SiCl4、SiF4等。
上述说明仅用来揭露本发明的实施例。任何熟习此技艺者在不脱离本发明的精神和范围内，将可修改上述的装置与方法。例如，于氧化室108、410及/或催化室112、416之后可使用任一数量的洗涤器，如1个、2个、3个、4个等。
其它型式及/或数量的热交换器亦可使用。例如，可采用具热气流在内管与冷气流在外管(或反之亦然)的同心管热交换器，其如同气体-至-气体的热交换器。
在一些实施例中，催化室416可为绝缘及/或防水。催化室416后的第一个洗涤器可为一并流洗涤器，而催化室416后的最后一个洗涤器可为一逆流洗涤器。其它结构亦可采用。一附加水热交换器可用于催化***408中，例如用来冷却洗涤器的再循环水。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (35)

1.一种弱减设备，其至少包含：
氧化单元，其适用以接收来自半导体组件制程室的流出物流；
第一水洗涤单元，其适用以接收来自该氧化单元的该流出物流；以及
催化单元，其适用以接收来自该第一水洗涤单元的该流出物流。
2.如权利要求1所述的弱减设备，其中上述的氧化单元用于移除该流出物流中的有害空气污染物(HAPs)及挥发性有机气体(VOCs)。
3.如权利要求2所述的弱减设备，其中上述的催化单元用于移除该流出物流中的全氟化物(PFCs)。
4.如权利要求3所述的弱减设备，其中上述的第一水洗涤单元用于移除该流出物流中的酸性副产物。
5.如权利要求1所述的弱减设备，更包含一第二水洗涤单元，用于接收来自该催化单元的该流出物流。
6.如权利要求1所述的弱减设备，其中上述的弱减装置的整体弱减量大于该氧化单元或该催化单元单独的一弱减量。
7.如权利要求1所述的弱减设备，其中上述的弱减装置用来弱减含卤素的废物流，且该弱减设备的整体弱减量大于该氧化单元的弱减量。
8.如权利要求7所述的弱减设备，其中上述的弱减装置用来弱减含卤素的废物流，且该弱减设备的整体弱减量至少为该氧化单元的弱减量的两倍。
9.如权利要求1所述的弱减设备，其中上述的弱减装置每单位催化剂体积所具的整体弱减量大于该催化单元每单位催化剂体积所具的弱减量。
10.如权利要求9所述的弱减设备，其中上述的弱减装置每单位催化剂体积所具的整体弱减量至少为该催化单元每单位催化体积所具的弱减量的两倍。
11.如权利要求1所述的弱减设备，更包含热交换器，用于于在废物流进入该催化单元之前，先加热该废物流。
12.如权利要求11所述的弱减设备，其中上述的热交换器是利用该氧化单元的已加热废物流，而适用以在该废物流进入该催化单元之前来加热该废物流。
13.如权利要求11所述的弱减设备，其中上述的热交换器是利用该催化单元的已加热废物流，而适用以在该废物流进入该催化单元之前来加热该废物流。
14.如权利要求13所述的弱减设备，其中上述的热交换器包含位于该催化单元内的管状物，用以接收流过该催化单元内的催化剂的废物流。
15.如权利要求15所述的弱减设备，其中上述的催化单元用于相对于该氧化单元移动，以提供对至少该第一水洗涤单元的检修通道。
16.如权利要求1所述的弱减设备，更包含压力调节装置，该压力调节装置连接于该弱减装置的输出处，适用以提供气流或产生负压而将废气流引出该弱减装置外。
17.如权利要求16所述的弱减设备，其中上述的压力调节装置用于调节排放湿气。
18.如权利要求16所述的弱减设备，其中上述的压力调节装置用于稀释该废气流。
19.如权利要求16所述的弱减设备，其中上述的压力调节装置为风箱。
20.如权利要求16所述的弱减设备，其中上述的压力调节装置为引出装置。
21.如权利要求1所述的弱减设备，其中上述的氧化单元为第一弱减***的一部分，该催化单元为第二弱减***的一部分，且该第二弱减***已修改而适于该第一弱减***。
22.一种弱减设备，其至少包含：
氧化单元，用于接收半导体组件制程室的一流出物流，并弱减该流出物流；
第一水洗涤单元，用于接收该氧化单元的该流出物流，并洗涤该流出物流；
第二水洗涤单元，用于接收该第一水洗涤单元的该流出物流，并洗涤该流出物流；
催化单元，用于接收该第二水洗涤单元的该流出物流，并弱减该流出物流；
第三水洗涤单元，用于接收该催化单元的该流出物流，并洗涤该流出物流；以及
第四水洗涤单元，用于接收该第三水洗涤单元的该流出物流，并洗涤该流出物流。
23.如权利要求22所述的弱减设备，更包含热交换器，其用于在废物流进入该催化单元之前，先加热该废物流。
24.如权利要求23所述的弱减设备，其中上述的热交换器是利用该氧化单元的已加热废物流，而适用以在该废物流进入该催化单元之前来加热该废物流。
25.如权利要求23所述的弱减设备，其中上述的热交换器是利用该催化单元的已加热废物流，而适用以在该废物流进入该催化单元之前来加热该废物流。
26.如权利要求22所述的弱减设备，其中上述的催化单元用于相对于该氧化单元移动，以提供对至少该第一水洗涤单元与该第二水洗涤单元的检修通道。
27.如权利要求22所述的弱减设备，其中上述的氧化单元、该第一水洗涤单元与该第二水洗涤单元为第一弱减***的一部分，该催化单元、该第三水洗涤单元与该第四水洗涤单元为第二弱减***的一部分，且该第二弱减***已修改而适于该第一弱减***。
28.一种弱减半导体组件制造***的废气流的方法，该方法至少包含：
接收该废气流；
在氧化室中弱减该废气流；
于该氧化室中弱减该废气流之后，洗涤该废气流；
在催化室中弱减该废气流；以及
于该催化室中弱减该废气流之后，洗涤该废气流。
29.如权利要求28所述的方法，其中上述的于该氧化室中弱减该废气流之后，洗涤该废气流的步骤包含使该废气流流经至少二水洗涤器。
30.如权利要求28所述的方法，其中上述的于该催化室中弱减该废气流之后，洗涤该废气流的步骤包含使该废气流流经至少二水洗涤器。
31.如权利要求28所述的方法，更包含使用热交换器，以于该废气流进入该催化室之前，先加热该废气流。
32.如权利要求31所述的方法，其中上述的使用该热交换器以加热该废气流的步骤包含利用该氧化室中已加热的废物流来加热该废气流。
33.如权利要求31所述的方法，其中上述的使用该热交换器以加热该废气流的步骤包含利用该催化室中已加热的废物流来加热该废气流。
34.一种形成弱减***的方法，该方法至少包含：
提供具氧化室与至少一洗涤器的第一弱减***；
提供具催化室与至少一洗涤器的第二弱减***；以及
装配该第一弱减***与该第二弱减***，以形成单一弱减单元，其中废物流先于该第一弱减***中进行弱减处理，再于该第二弱减***中进行弱减处理。
35.如权利要求34所述的方法，更包含配置该第一弱减***与该第二弱减***，以提供该第一弱减***与该第二弱减***的检修通道。
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