CN101198633A

CN101198633A - 高分子材料和高分子发光器件

Info

Publication number: CN101198633A
Application number: CNA2006800218556A
Authority: CN
Inventors: 中谷智也; 山田武
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2005-06-22
Filing date: 2006-06-21
Publication date: 2008-06-11
Also published as: TW200710122A; GB0801069D0; DE112006001679T5; GB2442656A; GB2442656B; WO2006137436A1; US20100084965A1; KR20080020635A

Abstract

本发明公开了一种具有主链和官能侧链的发光或电荷－输送高分子化合物，主链含有作为重复单元的二价杂环基，不含5元环的二价稠合多环烃基，由下式(1)表示的基团或二价芳族胺基，而官能侧链含有至少一个选自空穴注入/输送基团，电子注入/输送基团和发光基团中的官能团。此高分子化合物的特征在于，该官能团直接结合到重复单元的饱和碳上，或通过－R_J－X－基团(其中R_J为任选取代的亚烷基；X表示直接键，氧原子，硫原子，C＝O，C(＝O)－O，S＝O，SiR⁸R⁹，NR¹⁰，BR¹¹，PR¹²，或P(＝O)R¹³)在X处结合到重复单元上。(式中，环A和环B独立表示任选取代的芳族烃环，并且环A中的芳族烃环和环B中的芳族烃环具有彼此不同的环结构；环A和/或环B上分别存在两个悬空键；Bw和Rx独立表示氢原子或取代基，且Rw和Rx可结合在一起形成环)。

Description

高分子材料和高分子发光器件

技术领域

本发明涉及高分子化合物和使用该高分子化合物的高分子发光器件。

背景技术

高聚合物重量的发光材料和电荷输送材料可溶于溶剂中并且能够通过涂布方法在发光器件中形成有机层。因此，已经研究了各种类型的材料。例如，已知具有下列结构的高分子化合物，其中两个苯环(参见，例如，非专利文件1和专利文件1)与环戊二烯环稠合。

[式1]

作为另一个实例，已知高分子化合物，其在共轭的主链和侧链中具有功能取代基如空穴注入/输送基团，电子注入/输送基团或发光基团(参见，例如，专利文件2和3和非专利文件2和3)。

专利文件1：国际公布WO99/54385小册子，

专利文件2：JP-A-2004-277568

专利文件3：WO2001-62822

非专利文件1：Advanced Materials，Vol.9，No.10(1997)，p.798

非专利文件2：Advanced Materials，2002，14(11)，809-811

非专利文件3：J.Polymer Science，Part A；2005，43(3)，859-869

发明内容

本发明要解决的问题

在将高分子化合物用作发光器件用发光材料时，为了获得高的发光性质，高分子化合物必须具有良好的正电荷(空穴)和负电荷(电子)注入性和输送性，并且具有高的发光效率。但是，不能认为上面提及的常规高分子化合物具有足够的性质。在这些情形下，需要开发具有高电荷注入性/输送性并且具有高发光效率的高分子化合物。

解决问题的手段

因此，本发明提供一种发光或电荷输送高分子化合物，所述的高分子化合物具有在主链中作为重复单元的二价杂环基，不含5元环的二价稠合多环烃基，由下式(1)表示的基团或二价芳族胺基，并且具有功能侧链，所述的侧链含有至少一个官能团，所述的官能团选自：空穴注入/输送基团，电子注入/输送基团和发光基团，

其特征在于，所述的官能团直接结合到重复单元的饱和碳上，或通过-R_J-X-(其中R_J为可以被取代的亚烷基；X表示直接键，氧原子，硫原子，C＝O，C(＝O)-O，S＝O，SiR⁸R⁹，NR¹⁰，BR¹¹，PR¹²，或P(＝O)R¹³)在X处结合到重复单元上。

[式2]

其中环A和环B各自独立地表示可以具有取代基的芳族烃环；环A的芳族烃基和环B的芳族烃基彼此的环结构不同；环A和/或B环上分别存在两个悬空键；Rw和Rx各自独立地表示氢原子或取代基；并且Rw和Rx可以彼此结合形成环。

本发明的高分子化合物具有如高电荷注入性和输送性和高发光效率的效果。在侧链具有空穴注入/输送基团时，高被占用分子轨道(HOMO)的能量增加，结果空穴注入性和空穴输送性改善，从而提高了发光效率。在侧链具有电子注入/输送基团时，最低空余轨道(LUMO)的能量降低，结果电子注入性和电子输送性改善，从而提高了发光效率。在侧链具有发光基团时，预期发光效率提高，或者发射具有与主链的波长不同的波长的光。

在其主链具有电子输送性并且侧链具有空穴注入/输送基团的高分子化合物的情况下，可以在不抑制主链的电子输送性的情况下增加新的功能，并且可以控制电子和空穴的输送性，结果可以预期功能改善。

在其主链具有电子输送性并且侧链具有发光基团的高分子化合物的情况下，可以发射具有与主链的波长不同的波长的光。此外，在使用具有高效率的发光基团时，还可以改善发光效率。

在其主链具有电子输送性并且侧链具有电子注入/输送基团的高分子化合物的情况下，可以改善主链的电子输送性。

在其主链具有空穴输送性并且侧链具有电子注入/输送基团的高分子化合物的情况下，可以在不抑制主链的空穴输送性的情况下增加新的功能，并且可以控制电子和空穴的输送性，结果可以预期功能改善。

在其主链具有空穴输送性并且侧链具有发光基团的高分子化合物的情况下，可以发射具有与主链的波长不同的波长的光。此外，在使用具有高效率的发光基团时，还可以改善发光效率。

在其主链具有空穴输送性并且侧链具有空穴注入/输送基团的高分子化合物的情况下，可以改善主链的空穴输送性。

此外，在其主链能够发射光并且侧链具有空穴注入/输送基团或电子注入/输送材料的高分子化合物的情况下，可以控制电子和空穴的输送性，结果可以预期发光效率的改善。此外，在其主链能够发光并且侧链具有发光基团的高分子化合物的情况下，可以通过控制主链和侧链的光发射颜色，来控制高分子化合物的整个颜色。

类似地，通过将主链的功能与侧链的功能分开，可以在不抑制主链的功能的情况下增加功能，结构可以预期功能改善。

因此，可以将含有根据本发明的高分子化合物的高分子LED用作液晶显示器的背光或照明用的曲面和平面光源，并且用于器件如节段型显示器和点矩阵平板显示器。

实施本发明的最佳方式

本发明的高分子化合物具有在主链中的二价杂环基，不含5元环的二价稠合多环烃基，或由下式(1)表示的基团或二价芳族胺基。

二价杂环基是指从杂环化合物中除去两个氢原子而得到的残余原子团，并且二价杂环基可以具有取代基。

杂环化合物是指具有环结构的有机化合物，所述的环结构可以不必由碳原子单独组成，并且可以包括：杂原子如氧，硫，氮，磷，硼或砷。在二价杂环基中，优选芳族杂环基。

取代基的实例可以包括烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酸亚氨基，一价杂环基，羧基，取代的羧基，氰基和硝基。

二价杂环基不包括取代基的碳原子在内的碳原子的数量通常为约3至60。二价杂环基包括取代基的碳原子在内的碳原子的总数量通常为约3至100。

烷基可以是线性、支化或环状的，并且可以具有取代基。碳原子的数量通常为约1至20。其具体实例包括甲基，乙基，丙基，异丙基，丁基，异丁基，叔丁基，戊基，己基，环己基，庚基，辛基，2-乙基己基，壬基，癸基，3，7-二甲基辛基，月桂基，三氟甲基，五氟乙基，全氟丁基，全氟己基和全氟辛基。

烷氧基可以是线性、支化或环状的，并且可以具有取代基。碳原子的数量通常为约1至20。其具体实例包括甲氧基，乙氧基，丙氧基，异丙氧基，丁氧基，异丁氧基，叔丁氧基，戊氧基，己氧基，环己氧基，庚氧基，辛氧基，2-乙基己氧基，壬氧基，癸氧基，3，7-二甲基辛氧基，月桂氧基，三氟甲氧基，五氟乙氧基，全氟丁氧基，全氟己基，全氟辛基，甲氧基甲氧基和2-甲氧基乙氧基。

烷硫基可以是线性、支化或环状的，并且可以具有取代基。碳原子的数量通常为约1至20。其具体实例包括甲硫基，乙硫基，丙硫基，异丙硫基，丁硫基，异丁硫基，叔丁硫基，戊硫基，己硫基，环己硫基，庚硫基，辛硫基，2-乙基己硫基，壬硫基，癸硫基，3，7-二甲基辛硫基，月桂硫基和三氟甲硫基。

芳基是通过从芳族烃中除去一个氢原子而得到的残余原子团，并且包括具有稠环的芳基，和具有两个或更多个直接结合其上或者通过基团如亚乙烯基结合其上的独立苯环或稠环的芳基。芳基通常具有约6至60个碳原子，并且优选7至48个碳原子。其具体实例包括苯基，C₁-C₁₂烷氧基苯基(C₁-C₁₂表示碳原子的数量为1至12，并且以下，也将采用相同的定义)，C₁-C₁₂烷基苯基，1-萘基，2-萘基，1-蒽基，2-蒽基，9-蒽基和五氟苯基，并且优选C₁-C₁₂烷氧基苯基和C₁-C₁₂烷基苯基。C₁-C₁₂烷氧基的具体实例包括：甲氧基，乙氧基，丙氧基，异丙氧基，丁氧基，异丁氧基，叔丁氧基，戊氧基，己氧基，环己氧基，庚氧基，辛氧基，2-乙基己氧基，壬氧基，癸氧基，3，7-二甲基辛氧基和月桂氧基。C₁-C₁₂烷基苯基的具体实例包括：甲基苯基，乙基苯基，二甲基苯基，丙基苯基，2，4，6-三甲苯基，甲基乙基苯基，异丙基苯基，丁基苯基，异丁基苯基，叔丁基苯基，戊基苯基，异戊基苯基，己基苯基，庚基苯基，辛基苯基，壬基苯基，癸基苯基和十二烷基苯基。

芳氧基通常具有约6至60个碳原子，并且优选7至48。其具体实例包括苯氧基，C₁-C₁₂烷氧基苯氧基C₁-C₁₂烷基苯氧基，1-萘氧基，2-萘氧基和五氟苯氧基，并且优选C₁-C₁₂烷氧基苯氧基和C₁-C₁₂烷基苯氧基。

C₁-C₁₂烷氧基的具体实例包括：甲氧基，乙氧基，丙氧基，异丙氧基，丁氧基，异丁氧基，叔丁氧基，戊氧基，己氧基，环己氧基，庚氧基，辛氧基，2-乙基己氧基，壬氧基，癸氧基，3，7-二甲基辛氧基和月桂氧基。

C₁-C₁₂烷基苯氧基的具体实例包括：甲基苯氧基，乙基苯氧基，二甲基苯氧基，丙基苯氧基，1，3，5-三甲基苯氧基，甲基乙基苯氧基，异丙基苯氧基，丁基苯氧基，异丁基苯氧基，叔丁基苯氧基，戊基苯氧基，异戊基苯氧基，己基苯氧基，庚基苯氧基，辛基苯氧基，壬基苯氧基，癸基苯氧基和十二烷基苯氧基。

芳硫基在芳族环上可以具有取代基，并且通常具有约3至60个碳原子。其具体实例包括苯硫基，C₁-C₁₂烷氧基苯硫基，C₁-C₁₂烷基苯硫基，1-萘基硫基，2-萘基硫基，五氟苯硫基，吡啶基硫基，哒嗪基硫基，嘧啶基硫基，pyrazyl硫基和triazyl硫基。

芳烷基可以具有取代基并且通常具有约7至60个碳原子。其具体实例包括苯基-C₁-C₁₂烷基，C₁-C₁₂烷氧基苯基-C₁-C₁₂烷基，C₁-C₁₂烷基苯基-C₁-C₁₂烷基，1-萘基-C₁-C₁₂烷基和2-萘基-C₁-C₁₂烷基。

芳烷氧基可以具有取代基并且通常具有约7至60个碳原子。其具体实例包括苯基-C₁-C₁₂烷氧基，C₁-C₁₂烷氧基苯基-C₁-C₁₂烷氧基，C₁-C₁₂烷基苯基-C₁-C₁₂烷氧基，1-萘基-C₁-C₁₂烷氧基和2-萘基-C₁-C₁₂烷氧基。

芳烷硫基可以具有取代基并且通常具有约7至60个碳原子。其具体实例包括苯基-C₁-C₁₂烷硫基，C₁-C₁₂烷氧基苯基-C₁-C₁₂烷硫基，C₁-C₁₂烷基苯基-C₁-C₁₂烷硫基，1-萘基-C₁-C₁₂烷硫基和2-萘基-C₁-C₁₂烷硫基。

芳烯基通常具有约8至60个碳原子。其具体实例包括苯基-C₂-C₁₂烯基，C₁-C₁₂烷氧基苯基-C₂-C₁₂烯基，C₁-C₁₂烷基苯基-C₂-C₁₂烯基，1-萘基-C₂-C₁₂烯基和2-萘基-C₂-C₁₂烯基；并且优选C₁-C₁₂烷氧基苯基-C₂-C₁₂烯基和C₂-C₁₂烷基苯基-C₁-C₁₂烯基。

芳炔基通常具有约8至60个碳原子。其具体实例包括苯基-C₂-C₁₂炔基，C₁-C₁₂烷氧基苯基-C₂-C₁₂炔基，C₁-C₁₂烷基苯基-C₂-C₁₂炔基，1-萘基-C₂-C₁₂炔基和2-萘基-C₂-C₁₂炔基；并且优选C₁-C₁₂烷氧基苯基-C₂-C₁₂炔基和C₁-C₁₂烷基苯基-C₂-C₁₂炔基。

取代的氨基可以包括被一个或两个基团取代的氨基，所述的基团选自：烷基，芳基，芳烷基和一价杂环基。所述的烷基，芳基，芳烷基或一价杂环基可以具有取代基。取代的氨基不包括取代基的碳原子在内的碳原子的数量通常为约1至60，并且优选2至48。

具体实例包括：甲基氨基，二甲基氨基，乙基氨基，二乙基氨基，丙基氨基，二丙基氨基，异丙基氨基，二异丙基氨基，丁基氨基，异丁基氨基，叔丁基氨基，戊基氨基，己基氨基，环己基氨基，庚基氨基，辛基氨基，2-乙基己基氨基，壬基氨基，癸基氨基，3，7-二甲基辛基氨基，月桂基氨基，环戊基氨基，二环戊基氨基，环己基氨基，二环己基氨基，吡咯烷基，哌啶基，二(三氟甲基)氨基，苯基氨基，二苯基氨基，C₁-C₁₂烷氧基苯基氨基，二(C₁-C₁₂烷氧基苯基)氨基，二(C₁-C₁₂烷基苯基)氨基，1-萘基氨基，2-萘基氨基，五氟苯基氨基，吡啶基氨基，哒嗪基氨基，嘧啶基氨基，pyrazyl氨基，triazyl氨基苯基-C₁-C₁₂烷基氨基，C₁-C₁₂烷氧基苯基-C₁-C₁₂烷基氨基，C₁-C₁₂烷基苯基-C₁-C₁₂烷基氨基，二(C₁-C₁₂烷氧基苯基-C₁-C₁₂烷基)氨基，二(C₁-C₁₂烷基苯基-C₁-C₁₂烷基)氨基，1-萘基-C₁-C₁₂烷基氨基和2-萘基-C₁-C₁₂烷基氨基。

取代的甲硅烷基可以包括被1、2或3个基团取代的甲硅烷基，所述的基团选自：烷基，芳基，芳烷基和一价杂环基。

取代的甲硅烷基通常具有约1至60个碳原子，并且优选3至48个碳原子。所述的烷基，芳基，芳氧基或一价杂环基可以具有取代基。注意：所述的烷基，芳基，芳烷基和一价杂环基可以具有取代基。

其具体实例包括三甲代甲硅烷基，三乙基甲硅烷基，三丙基甲硅烷基，三-异丙基甲硅烷基，二甲基-异丙基甲硅烷基，二乙基-异丙基甲硅烷基，叔丁基甲硅烷基二甲基甲硅烷基，戊基二甲基甲硅烷基，己基二甲基甲硅烷基，庚基二甲基甲硅烷基，辛基二甲基甲硅烷基，2-乙基己基-二甲基甲硅烷基，壬基二甲基甲硅烷基，癸基二甲基甲硅烷基，3，7-二甲基辛基-二甲基甲硅烷基，月桂基二甲基甲硅烷基，苯基-C₁-C₁₂烷基甲硅烷基，C₁-C₁₂烷氧基苯基-C₁-C₁₂烷基甲硅烷基，C₁-C₁₂烷基苯基-C₁-C₁₂烷基甲硅烷基，1-萘基-C₁-C₁₂烷基甲硅烷基，2-萘基-C₁-C₁₂烷基甲硅烷基，苯基-C₁-C₁₂烷基二甲基甲硅烷基，三苯基甲硅烷基，三-对-二甲苯基甲硅烷基，三苄基甲硅烷基，二苯基甲基甲硅烷基，叔丁基二苯基甲硅烷基和二甲基苯基甲硅烷基。

卤素原子的实例包括：氟原子，氯原子，溴原子和碘原子。

酰基通常具有约2至20个碳原子，并且优选2至18个碳原子。其具体实例包括乙酰基，丙酰基，丁酰基，异丁酰基，戊酰基，苯甲酰基，三氟乙酰基和五氟苯甲酰基。

酰氧基通常具有约2至20个碳原子，并且优选2至18个碳原子。其具体实例包括乙酰氧基，丙酰氧基，丁酰氧基，异丁酰氧基，戊酰氧基，苯甲酰氧基，三氟乙酰氧基和五氟苯甲酰氧基。

亚胺残基具有约2至20个碳原子，并且优选2至18个碳原子。其具体实例包括

由下式表示的基团。

[式3]

酰胺基具有约2至20个碳原子，并且优选2至18个碳原子。其具体实例包括甲酰胺基，乙酰胺基，丙酰胺基，丁酰胺基，苯甲酰胺基，三氟乙酰胺基，五氟苯甲酰胺基，二甲酰胺基，二乙酰胺基，二丙酰胺基，二丁酰胺基，二苯甲酰胺基，二(三氟乙酰胺基)和二(五氟苯甲酰胺基)。

酸亚氨基可以是通过除去结合到酸亚氨基的氮原子上的氢原子而得到的残基，并且具有约4至20个碳原子。其具体实例包括由下列表示的基团。

[式4]

一价杂环基是指从杂环化合物中除去一个氢原子而得到的原子团，并且通常具有约4至60个碳原子，并且优选4至20个碳原子。注意：所述杂环的碳原子数不包括：取代基的碳原子数。此处的杂环化合物是指具有环结构的有机化合物，所述的环结构可以不必由碳原子单独组成，并且可以包括：杂原子如氧，硫，氮，磷或硼。其具体实例包括噻吩基，C₁-C₁₂烷基噻吩基，吡咯基，呋喃基，吡啶基，C₁-C₁₂烷基吡啶基，哌啶基，喹啉基和异喹啉基；并且优选噻吩基，C₁-C₁₂烷基噻吩基，吡啶基和C₁-C₁₂烷基吡啶基。

取代的羧基是被烷基，芳基，芳烷基或一价杂环基取代的羧基，并且通常具有约2至60个碳原子，并且优选2至48个碳原子。其具体实例包括甲氧羰基，乙氧羰基，丙氧羰基，异丙氧羰基，丁氧羰基，异丁氧羰基，叔丁氧羰基，戊氧羰基，己氧羰基，环己氧羰基，庚氧羰基，辛氧羰基，2-乙基己氧羰基，壬氧羰基，癸氧羰基，3，7-二甲基辛氧羰基，十二烷氧羰基，三氟甲氧羰基，五氟乙氧羰基，全氟丁氧羰基，全氟己氧羰基，全氟辛氧羰基，苯氧羰基，萘氧羰基和吡啶氧羰基。注意：所述的烷基，芳基，芳烷基或一价杂环基可以具有取代基。注意：所述取代的羧基的碳原子数不包括取代基的碳原子数。

二价杂环基的实例包括：

二价6元单环的杂环基(下式(1-1)至(1-6))，

二价5元单环的杂环基(下式(1-7)至(1-11))，

各自通过稠合一个6元环和一个5元环而形成的杂环基(下式(1-12)至(1-26))，

各自通过稠合两个6元环而形成的杂环基(下式(1-27)至(1-33))，

各自通过稠合两个6元环和一个5元环而形成的杂环基(下式(1-34)至(1-38)，和

各自通过稠合三个6元环而形成的杂环基(下式(1-39)至(1-51))。

[式5]

[式6]

[式7]

[式8]

[式9]

[式10]

[式11]

在式(1-1)至(1-51)中，X₁至X₈₆各自独立地表示氮原子，硼原子，-Si(R¹)＝，-P＝，-P(R²)(R³)＝和-P(＝O)＝。

在式(1-1)至(1-51)中，Y₁至Y₂₉各自独立地表示氧原子，硫原子，硒原子，碲原子，-N(R⁴)-，-B(R⁵)-，-Si(R⁶)(R⁷)-，-P(R⁸)-和-P(＝O)(R⁹)-。

R¹至R⁹可以是氢原子，烷基，芳基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基和一价杂环基。

烷基，芳基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基和一价杂环基的实例与上面作为取代基的实例列出的那些相同。

考虑到发光效率，

二价杂环基的优选实例包括：

二价6元单环的杂环基，

通过稠合一个6元环和一个5元环而形成的杂环基，

通过稠合两个6元环而形成的杂环基，

通过稠合两个6元环和一个5元环而形成的杂环基，和

通过稠合三个6元环而形成的杂环基；

其更优选的实例包括：

通过稠合一个6元环和一个5元环而形成的杂环基，

通过稠合两个6元环而形成的杂环基，

通过稠合两个6元环和一个5元环而形成的杂环基，和

通过稠合三个6元环而形成的杂环基；并且

其进一步优选的实例包括：

通过稠合两个6元环而形成的杂环基，

通过稠合两个6元环和一个5元环而形成的杂环基，和

通过稠合三个6元环而形成的杂环基。

考虑到发光效率，在二价6元单环的杂环基中，优选由式(1-1)至(1-5)表示的杂环基，更优选由式(1-1)至(1-3)和(1-5)表示的杂环基，并且进一步优选由式(1-1)至(1-3)表示的杂环基。

考虑到发光效率，在二价5元单环的杂环基中，优选由式(1-7)至(1-10)表示的杂环基，更优选由式(1-7)和(1-8)表示的杂环基。

考虑到发光效率，在通过稠合一个6元环和一个5元环而得到的杂环基中，优选由式(1-12)至(1-16)，(1-20)，(1-21)，(1-24)和(1-25)表示的杂环基，更优选由式(1-12)，(1-16)，(1-20)，(1-21)，(1-24)和(1-25)表示的杂环基，并且进一步优选由式(1-12)，(1-16)，(1-20)和(1-24)表示的杂环基。

考虑到发光效率，在通过稠合两个6元环而得到的杂环基中，优选由式(1-27)至(1-32)表示的杂环基，更优选由式(1-27)，(1-28)，(1-30)和(1-31)表示的杂环基，并且进一步优选由式(1-28)和(1-30)表示的杂环基。

考虑到发光效率，在通过稠合两个6元环和一个5元环而得到的杂环基中，优选由式(1-34)至(1-36)表示的杂环基，更优选由式(1-34)和(1-35)表示的杂环基，并且进一步优选由式(1-34)表示的杂环基。

考虑到发光效率，在通过稠合三个6元环而得到的杂环基中，优选由式(1-39)至(1-41)，(1-44)，(1-45)和(1-48)至(1-50)表示的杂环基，更优选由式(1-39)至(1-41)，(1-44)，(1-45)，(1-48)和(1-49)表示的杂环基，并且进一步优选由式(1-39)，(1-41)，(1-44)，(1-45)和(1-48)表示的杂环基。

考虑到合成容易性，X₁至X₈₆优选为氮原子，硼原子和-Si(R¹)＝；更优选为氮原子和-Si(R¹)＝；并且进一步优选为氮原子。

考虑到合成容易性，Y₁至Y₂₉优选为氧原子，硫原子，-N(R⁴)-，-B(R⁵)-，-Si(R⁶)(R⁷)-和-P(R⁸)-；更优选为氧原子，硫原子，-N(R⁴)-，-B(R⁵)-和-Si(R⁶)(R⁷)；并且进一步优选为氧原子，硫原子，-N(R⁴)-和-Si(R⁶)(R⁷)-。

不含5元环的二价稠合多环烃基是指通过从稠合多环烃中除去两个氢原子而得到的残余原子团，并且可以具有取代基。

取代基的实例与上面作为取代基的实例列出的相同。

不含5元环的二价稠合多环烃基不包括取代基的碳原子在内的碳原子的数量通常为约10至50。

不含5元环的二价稠合多环烃基包括取代基的碳原子在内的碳原子的总数通常为约10至150。

不含5元环的二价稠合多环烃基的实例包括：

由在邻位线性稠合的6元环单独组成的二价基团(下式(2-1)至(2-4))，

由包括在邻位稠合的6元环但不包括邻位线性稠合的6元环的6元环单独组成二价基团(下式(2-5)至(2-11))，

由包括在邻位和迫位稠合的6元环的6元环单独组成二价基团(下式(2-12)至(2-17))，并且

包括4元、7元和8元环的二价基团(下式(2-18)至(2-21))。

[式12]

[式13]

[式14]

[式15]

考虑到发光效率，优选：

由在邻位线性稠合的6元环单独组成的二价基团，

由包括在邻位稠合的6元环但不包括邻位线性稠合的6元环的6元环单独组成的二价基团，和

由包括在邻位和迫位稠合的6元环的6元环单独组成的二价基团；并且更优选：

由在邻位线性稠合的6元环单独组成的二价基团，和

由包括在邻位和迫位稠合的6元环的6元环单独组成的二价基团。

考虑到发光效率，在由在邻位线性稠合的6元环单独组成的二价基团中，优选由上述式(2-1)至(2-3)表示的基团；更优选由上述式(2-1)和(2-2)表示的基团；并且进一步优选由上述式(2-1)表示的基团。

考虑到发光效率，在由包括在邻位稠合的6元环但不包括邻位线性稠合的6元环的6元环单独组成的二价基团中，优选由上述式(2-5)至(2-8)表示的基团；更优选由上述式(2-5)和(2-6)表示的基团；并且进一步优选由上述式(2-5)表示的基团。

考虑到发光效率，在由包括在邻位和迫位稠合的6元环的6元环单独组成的二价基团中，优选由上述式(2-13)至(2-15)表示的基团；并且更优选由上述式(2-13)和(2-14)表示的基团。

考虑到发光效率，在包括4元、7元和8元环的二价基团中，优选由上述式(2-18)至(2-20)表示的基团；并且更优选由上述式(2-18)和(2-20)表示的基团。

在式(1)中，环A和环B各自独立地表示可以具有取代基的芳族烃环；但是，环A和环B的芳族烃环的环结构彼此不同。

作为芳族烃环，优选单个苯环或多个苯环的稠环。其实例包括：芳族烃环如苯环，萘环，蒽环，并四苯环，并五苯环，芘环和菲环。优选实例包括：苯环，萘环，蒽环和菲环。

环A和环B的组合实例包括：优选苯环/萘环，苯环/蒽环，苯环/菲环，萘环/蒽环，萘环/菲环和蒽环/菲环的组合；并且更优选苯环/萘环的组合。

注意：所述的″环A和环B的芳族烃环的环结构彼此不同″意义如下：

式(1)中所示的结构的下列部分的平面图中，

[式16]

相对于在位于式中心的5元环的项点和与项点相对的边的中点之间连接的对称轴(由上式中的虚线表示)，芳族烃环和环A和环B是不对称的

例如在环A和环B是萘环的情况下，

[式17]

环A和环B的结构在环结构方面不同。

环A和环B也是萘环的另一种情况下，

[式18]

环A和环B的结构在环结构方面相同。

在芳族烃环具有取代基时，优选取代基选自：烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酸亚氨基，一价杂环基，羧基，取代的羧基，氰基和硝基。

烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，取代的氨基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酸亚氨基，一价杂环基，羧基和取代的羧基的实例与上面作为取代基的实例所列的相同。

在式(1)中，Rw和Rx各自独立地表示氢原子或取代基，并且优选表示氢原子，烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，取代的氨基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酸亚氨基，一价杂环基，羧基，取代的羧基或氰基。Rw和Rx可以彼此结合形成环。

烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酸亚氨基，一价杂环基，羧基和取代的羧基的定义和具体实例与上述取代基的那些相同。

在Rw和Rx彼此结合形成环时，环的实例包括C₄-C₁₀环烷基环，C₄-C₁₀环烯基环，以及C₆-C₁₀芳族烃环和C₄-C₁₀杂环。

环烷基环的实例包括：环丁烷，环戊烷，环己烷，环庚烷，环辛烷，环壬烷和环癸烷。

环烯基环的实例包括：具有不低于两个双键的环。其具体实例包括环己烯环，环己二烯环和环辛三环。

杂环的实例包括：四氢呋喃环，四氢噻吩环，四氢吲哚环，四氢喹啉环，六氢吡啶环和四氢异喹啉环。

式(1)的重复单元的具体实例包括：在下式1A-1至1A-64、1B-1至1B-64和1C-1至1C-64中所示的结构，并且下列结构具有取代基如烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酸亚氨基，一价杂环基，羧基，取代的羧基，氰基和/或硝基。

注意，在下列式中，芳族烃环的悬空键可以任意设置，并且Rw和Rx表示如上相同的含义。

[式19]

[式20]

[式21]

[式22]

[式23]

[式24]

[式25]

[式26]

[式27]

[式28]

[式29]

[式30]

[式31]

[式32]

[式33]

[式34]

[式35]

[式36]

[式37]

[式38]

考虑到发光效率，在式(1)中所示的重复单元优选具有在上述式(1A-1)至(1A-13)中所示的结构；更优选在(1A-1)至(1A-6)中所示的结构；并且进一步优选在(1A-1)至(1A-3)中所示的结构。

二价芳族胺基是指从芳族胺中除去两个氢原子而得到的残余原子团。其碳原子数通常为约5至100，并且优选15至60。芳族胺的碳原子数不包括取代基的碳原子数。

二价芳族胺基的实例包括：由下式(4)表示的基团。

[式39]

其中Ar₁，Ar₂，Ar₃和Ar₄各自独立地表示亚芳基或二价杂环基；Ar₅，Ar₆和Ar₇各自独立地表示芳基或一价杂环基；Ar₁，Ar₂，Ar₃，Ar₄和Ar₅可以具有取代基；并且k和1各自独立地表示0或更大的整数。

此处所用的亚芳基是指通过从芳族烃中除去两个氢原子而得到的原子团，并且包括具有稠环的亚芳基，和具有两个或更多个直接结合其上或者通过基团如亚乙烯基结合其上的独立苯环或稠环的亚芳基。亚芳基可以具有取代基。

对取代基的类型没有特别限制。考虑到溶解性，荧光性，合成容易性和所得器件的特性，取代基的优选实例包括：烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酸亚氨基，一价杂环基，羧基，取代的羧基，氰基和硝基。

亚芳基除取代基之外的碳原子数通常为约6至60，并且优选6至20。亚芳基包括取代基的碳原子在内的碳原子的总数通常为约6至100。

亚芳基的实例包括：亚苯基(例如，下式1至3)，萘-二基(下式4至13)，蒽-二基(下式14至19)，联苯-二基(下式20至25)，芴-二基(下式36至38)，三联苯-二基(下式26至28)，稠环化合物基团(下式29至35)和茚并萘-二基(下式G至N)。

[式40]

[式41]

[式42]

[式43]

[式44]

[式45]

二价杂环基是指通过从杂环化合物中除去两个氢原子而得到的残余原子团，并且可以具有取代基。

杂环化合物是指具有环结构的有机化合物，所述的环结构可以不必由碳原子单独组成，并且可以包括：杂原子如氧，硫，氮，磷，硼或砷。在二价杂环基中，优选芳族杂环基。对取代基的类型没有特别限制；但是，考虑到溶解性，荧光性，合成容易性和所得器件的特性，取代基的优选实例包括：烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酸亚氨基，一价杂环基，羧基，取代的羧基，氰基和硝基。

二价杂环基不包括取代基的碳原子在内的碳原子的数量通常为约3至60。二价杂环基包括取代基的碳原子在内的碳原子的总数通常为约3至100。

二价杂环基的实例包括：

二价吡啶-二基(下式39至44)，

二氮杂亚苯基(下式45至48)，

喹啉二基(下式49至63)，

喹喔啉二基(下式64至68)，

吖啶二基(下式69至72)，

联吡啶二基(下式73至75)和菲咯啉二基(下式76至78)，其含有作为杂原子的氮；

具有芴结构并且含有氧，硅，氮或硒等作为杂原子的基团(下式79至93)；

含有氧，硅，氮，硫，硒，硼或磷等作为杂原子的5元杂环基(下式94至98，O至Z和AA至AC)；

含有氧，硅，氮，硫或硒等作为杂原子的5元稠合杂环基(下式99至110)；

由含有氧，硅，氮，硫或硒等作为杂原子的5元杂环基形成并且在杂原子的α-位结合的二聚体或低聚体(下式111和112)；

5元杂环基，其含有氧，硅，氮，硫或硒等作为杂原子并且在杂原子的α-位结合到苯基上(下式113至119)；

5元稠合杂环基，其含有氧，硅，氮，硫或硒等作为杂原子，并且被苯基，呋喃基，噻吩基取代(下式120至125)；和

含有氧和氮作为杂原子的6元杂环基(下式AD至AG)。

[式46]

[式47]

[式48]

[式49]

[式50]

[式51]

[式52]

[式53]

[式54]

[式55]

[式56]

[式57]

[式58]

式39至98，O至Z和AA至AG中的R与如上所定义的相同。

芳基和一价杂环基与如上所定义的相同。

在Ar₁，Ar₂，Ar₃，Ar₄和Ar₅具有取代基时，取代基的实例包括：烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酸亚氨基，一价杂环基，羧基，取代的羧基，氰基和硝基。

烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，取代的氨基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酸亚氨基，一价杂环基，羧基和取代的羧基的实例与上面作为取代基的实例列出的那些相同。

考虑到合成容易性，式(4)的Ar₁，Ar₂，Ar₃和Ar₄优选各自独立地为亚芳基；更优选为上述1至12的二价基团；进一步优选为上述1，2，4，7和12的基团，并且最优选上述1的基团。

考虑到合成容易性，式(4)的Ar₅，Ar₆和Ar₇优选各自独立地为芳基；更优选为可以具有取代基的苯基，并且进一步优选为具有烷基作为取代基的苯基。

此处的取代基的实例包括：烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酸亚氨基，一价杂环基，羧基，取代的羧基，氰基和硝基。

考虑到发光效率，式(4)的k和l优选各自独立地为0至2的整数(两个端点都包括)；更优选为0至1的整数(两个端点都包括)；并且进一步优选0至1的整数(两个端点都包括)且0≤k+1≤1。

根据本发明的高分子化合物具有官能侧链，所述的官能侧链含有选自空穴注入/输送基团，电子注入/输送基团和发光基团中的至少一个官能团。

作为空穴注入/输送基团，可以提及的有：空穴注入性比主链的空穴注入性优良的一价基团，或空穴输送性比主链的空穴输送性优良的一价基团。

空穴注入性通常取决于高分子化合物的最高被占用分子轨道(HOMO)的能量值。HOMO能量值的绝对值越小，空穴注入性越好。

作为空穴注入性比主链的空穴注入性优良的一价基团，可以提及的有：HOMO能量的绝对值比主链的HOMO能量的绝对值小的一价基团。

HOMO能量是通过采用循环伏安法(CV)测量高分子化合物的氧化电位并且基于氧化电位值计算能量而得到的。在根据本发明的高分子化合物的情况下，氧化电位取负值。氧化电位越小(氧化电位的绝对值越大)，HOMO能量的绝对值越小。因此，空穴注入性得到改善。

空穴的输送性通常取决于高分子化合物的空穴迁移率。空穴迁移率越高，空穴注入性越好。

作为空穴输送性比主链的空穴输送性优良的一价基团，可以提及的有：空穴迁移率比主链的空穴迁移率高的一价基团。

对空穴迁移率的测量方法没有特别限制；但是，高分子化合物的空穴迁移率可以由飞行时间(TOF)法测量。

作为电子注入/输送基团，可以提及的有：电子注入性比主链的电子注入性优良的一价基团，或电子输送性比主链的电子输送性优良的一价基团。

电子注入性通常取决于高分子化合物的最低空余分子轨道(LUMO)的能量值。LUMO能量值的绝对值越大，电子注入性越好。

作为电子注入性比主链的电子注入性优良的一价基团，可以提及的有：LUMO能量绝对值比主链的LUMO能量绝对值大的一价基团。

LUMO能量是通过采用循环伏安法(CV)测量高分子化合物的还原电位并且基于还原电位值计算能量而得到的。在根据本发明的高分子化合物的情况下，还原电位取负值。还原电位越大(还原电位的绝对值越小)，LUMO能量的绝对值越大。因此，电子注入性得到改善。

电子输送性通常取决于高分子化合物的电子迁移率。电子迁移率越高，电子注入性越好。

作为电子输送性比主链的电子输送性优良的一价基团，可以提及的有：电子迁移率比主链的电子迁移率高的一价基团。

对电子迁移率的测量方法没有特别限制；但是，高分子化合物的电子迁移率可以由飞行时间(TOF)法测量。

发光基团是发射与主链的波长不同的波长的颜色的一价基团。例如，通常可以提及的有：HOMO能量比主链的HOMO能量大(HOMO能量的绝对值更小)并且LUMO能量比主链的LUMO能量小(LUMO能量的绝对值更大)的一价基团。

HOMO和LUMO能量的测量方法与上述相同。

空穴注入/输送基团的实例可以包括：

含有两个或更多个氮原子的一价芳族胺，

含有两个或更多个氮原子的一价咔唑衍生物，

含有两个或更多个氮原子的一价金属配合物，

含有至少一个氮原子和至少一个不同于氮原子的杂原子的一价基团，

含有除氮原子以外的杂原子的一价基团，和

含有一个氮原子单独作为杂原子的一价基团。

含有两个或更多个氮原子的一价芳族胺的实例包括：由下式(H-1)至(H-14)表示的那些；

含有两个或更多个氮原子的一价咔唑衍生物的实例包括：由下式(H-15)至(H-19)表示的那些；

含有两个或更多个氮原子的一价金属配合物的实例包括：由下式(H-20)至(H-22)表示的那些；

含有至少一个氮原子和至少一个不同于氮原子的杂原子的一价基团的实例包括：由下式(H-23)至(H-25)表示的那些；

含有除氮原子以外的杂原子的一价基团的实例包括：由下式(H-26)至(H-29)表示的那些；和

含有一个氮原子单独作为杂原子的一价基团的实例包括：通过从由下式(H-30)至(H-31)表示的那些中除去一个R或除去R上的氢原子而得到的残基。

[式59-1]

[式59-2]

[式60]

[式61]

[式62]

[式63]

[式64]

在式(H-1)至(H-31)中，R优选选自：氢原子，烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酸亚氨基，一价杂环基，羧基，取代的羧基，氰基和硝基。

在式(H-26)和(H-30)中，R′优选选自：氢原子，烷基，芳基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基和一价杂环基。

作为空穴注入/输送基团，可以使用低聚体和聚合物。

其具体实例可以包括：从化合物中除去一个R或R上的氢原子而得到的残基，在所述的化合物中，类型可以相同或不同的不少于两种化合物通过结合到R上的碳-至-碳键结合，如上述式(H-1)至(H-31)中所示。

电子注入/输送基团的实例包括：

含有至少一个不同于氮原子的杂原子的一价Al或Zn配合物；

含有至少一个不同于氮原子的杂原子和选自周期表第II至第IV周期的元素中的元素的除Al和Zn配合物外的一价金属配合物；

含有至少一个不同于氮原子的杂原子和至少一个氮原子的一价基团；

含有至少一个硫原子单独作为杂原子的一价基团；

含有两个或更多个氮原子单独作为杂原子的一价基团；和

含有一个氮原子单独作为杂原子的一价基团。

含有至少一个不同于氮原子的杂原子的一价Al或Zn配合物的实例包括：由下式(E-1)至(E-10)表示的那些；

含有至少一个不同于氮原子的杂原子和选自周期表第II至第IV周期的元素中的元素的除Al和Zn配合物外的一价金属配合物的实例包括：由下式(E-11)至(E-16)表示的那些；

含有至少一个不同于氮原子的杂原子和至少一个氮原子的一价基团的实例包括：由下式(E-17)至(E-27)表示的那些；

含有至少一个硫原子单独作为杂原子的一价基团的实例包括：由下式(E-28)至(E-31)表示的那些；

含有两个或更多个氮原子单独作为杂原子的一价基团的实例包括：由下式(E-32)至(E-40)表示的那些；和

含有一个氮原子单独作为杂原子的一价基团的实例包括：通过从下式(E-41)至(E-44)中除去一个R或R上的氢原子而得到的残基。

[式65]

[式66]

[式67]

[式68]

[式69]

[式70]

在式(E-1)至(E-44)中，R可以如相对于式(H-1)至(H-29)所述相同地定义。

作为电子注入/输送基团，可以使用低聚物和聚合物。

其具体实例可以包括：从化合物中除去一个R或R上的氢原子而得到的残基，在所述的化合物中，类型可以相同或不同的不少于两种化合物通过结合到R上的碳-至-碳键结合，如上述式(E-1)至(E-44)中所示。

含有至少一个硫原子单独作为杂原子的一价基团的实例包括：由下式(E-28)至(E-31)表示的那些；和

含有两个或更多个氮原子单独作为杂原子的一价基团的实例包括：由下式(E-32)至(E-40)表示的那些。

发光基团的实例包括：

一价稠合多环芳族烃基，

含有两个或更多个结合在其中的稠和多环芳族烃基的一价基团，

含有至少一个氮原子和/或氧原子单独作为杂原子的一价杂环基，和

含有至少一个硫原子作为杂原子的一价杂环基。

一价稠合多环芳族烃基的实例包括

由下式(L-1)至(L-5)表示的那些；

含有两个或更多个结合在其中的稠和多环芳族烃基的一价基团的实例包括：由下式(L-6)至(L-8)和(L-23)至(L-26)表示的那些；

含有至少一个氮原子和/或氧原子单独作为杂原子的一价杂环基的实例包括：由下式(L-9)至(L-15)表示的那些；和

含有至少一个硫原子作为杂原子的一价杂环基的实例包括：由下式(L-16)至(L-22)表示的那些。

[式71]

[式72]

[式73]

[式74]

[式75]

在式(L-1)至(L-26)中，R可以如相对于式(H-1)至(H-31)所述相同地定义

在式(L-9)，(L-10)，(L-19)和(L-20)中，R′可以如相对于式(H-26)至(H-30)所述相同地定义。

作为发光基团，可以使用低聚物和聚合物。

其具体实例可以包括：从化合物中除去一个R或R上的氢原子而得到的残基，在所述的化合物中，类型可以相同或不同的不少于两种化合物通过结合到R上的碳-至-碳键结合，如上述式(L-1)至(E-26)中所示。

官能侧链可以单独存在，或可以存在两种或更多种官能侧链。

考虑到改善空穴输送性，官能侧链优选为空穴注入/输送基团；更优选为

含有两个或更多个氮原子的一价芳族胺，

含有两个或更多个氮原子的一价咔唑衍生物，

含有两个或更多个氮原子的一价金属配合物，或

含有至少一个氮原子和至少一个不同于氮原子的杂原子的一价基团；

进一步优选为，

含有两个或更多个氮原子的一价芳族胺，

含有两个或更多个氮原子的一价咔唑衍生物，或

含有两个或更多个氮原子的一价金属配合物；并且最优选为，

含有两个或更多个氮原子的一价芳族胺，或

含有两个或更多个氮原子的一价咔唑衍生物。

考虑到改善空穴注入性/输送性，官能侧链优选为由下式(H-A)表示的一价基团。

[式76]

在式(H-A)中，Ar₁₀₁和Ar₁₀₂各自独立地表示亚芳基和二价杂环基或具有金属配合物结构的二价基团；Ar₁₀₃，Ar₁₀₄和Ar₁₀₅各自独立地表示芳基和一价杂环基；Ar₁₀₂和Ar₁₀₃，以及Ar₁₀₄和Ar₁₀₆可以彼此结合形成环。

亚芳基，二价杂环基，芳基和一价杂环基与如上所定义的相同。

具有金属配合物结构的二价基团是指通过从具有有机配体的金属配合物的有机配体中除去两个氢原子而得到的二价基团。

有机配体的碳原子数通常为约4至60。其实例包括：8-羟基喹啉及其衍生物，苯并喹啉醇及其衍生物，2-苯基-吡啶及其衍生物，2-苯基-苯并噻唑及其衍生物，2-苯基-苯并噁唑及其衍生物，和卟啉及其衍生物。

配合物的中心金属的实例包括：铝，锌，铍，铱，铂，金，铕和铽。

具有有机配体的金属配合物的实例包括：作为低分子量荧光材料和磷光材料已知的金属配合物和三重态发光配合物。

具有金属配合物结构的二价基团的具体实例包括：由下式126至132表示的那些。

[式77]

在上述式126至132中，R与如上定义的相同。

考虑到合成，Ar₁₀₂优选亚芳基，并且进一步优选为由式1至19中的任一个表示的基团。

考虑到合成，Ar₁₀₃，Ar₁₀₄和Ar₁₀₅优选各自独立地为芳基，并且进一步优选为苯基，1-萘基，2-萘基，1-蒽基，2-蒽基或9-蒽基。

考虑到合成，Ar₁₀₁优选为亚芳基。

在Ar₁₀₂和Ar₁₀₃，以及Ar₁₀₄和Ar₁₀₅各自形成环时，该环优选通过-JJ-(-JJ-表示直接键合，-O-，-S-和-CH₂-)形成。

考虑到改善电子输送性，官能侧链优选为电子注入/输送基团；更优选为

含有至少一个不同于氮原子的杂原子的一价Al或Zn配合物；

含有至少一个不同于氮原子的杂原子和选自周期表第II至第IV周期的元素中的元素的除Al和Zn配合物外的一价配合物；

含有至少一个硫原子单独作为杂原子的一价基团；或

含有两个或更多个氮原子单独作为杂原子的一价基团；并且

进一步优选

含有至少一个不同于氮原子的杂原子的一价Al或Zn配合物；

含有至少一个硫原子单独作为杂原子的一价基团；或

含有两个或更多个氮原子单独作为杂原子的一价基团。

此外，考虑到改善电子输送性，官能侧链优选为由下式(E-A)至(E-C)中的任何一个表示的一价基团。

[式78]

在式(E-A)至(E-C)中，Ar₁₀₇至Ar₁₁₁各自独立地为亚芳基，二价杂环基或具有金属配合物结构的二价基团；Ar₁₀₆，Ar₁₀₈，Ar₁₀₉和Ar₁₁₀各自独立地为芳基和一价杂环基；Q₁为氧原子，硫原子或-N(R₁₀₁)-；Q₂，Q₃，Q₄，Q₅，和Q₆表示氮原子或-C(R₁₀₂)-；并且R₁₀₁和R₁₀₂是与上面在R的情况下所定义的那些相同的基团。

亚芳基，二价杂环基，具有金属配合物结构的二价基团，芳基和一价杂环基与如上所定义的相同。

考虑到改善电子注入性/输送性，上述式(E-A)的Ar₁₀₆优选为一价杂环基。

考虑到合成，上述式(E-B)的Ar₁₀₇优选为二价杂环基和由式39至72和111至125表示的基团中的任何一个。

此外，考虑到合成，上述式(E-B)的Ar₁₀₈优选为一价杂环基。

此外，考虑到合成，上述式(E-C)的Ar₁₀₉和Ar₁₁₀优选各自独立地为芳基，并且进一步优选为苯基，1-萘基，2-萘基，1-蒽基，2-蒽基，或9-蒽基。

此外，考虑到合成，A₁₁₁优选为亚芳基，并且进一步优选为由式1至19表示的基团中的任何一个。

考虑到改善电子注入性/输送性，在式(E-A)至(E-C)中，优选式(E-A)和(E-B)，并且进一步优选式(E-B)。

考虑到改善发光效率，官能侧链优选为发光基团；

更优选为，

一价稠合多环芳族烃基，

含有两个或更多个结合其中的稠合多环芳族烃基的一价基团，或

含有至少一个氮原子和/或氧原子单独作为杂原子的一价杂环基并且进一步优选，

含有至少一个氮原子和/或氧原子单独作为杂原子的一价杂环基。

考虑到改善发光效率，官能侧链优选为含有由(L-A)或(L-B)表示的部分结构的一价基团。

[式79]

在式(L-A)或(L-B)中，Q₇和Q₈表示氧原子，硫原子，-C(R₁₀₃R₁₀₄)-，-Si(R₁₀₅R₁₀₆)-，-N(R₁₀₇)-，-C(＝O)-，或-S(＝O)-；Q₉，Q₁₀，Q₁₁和Q₁₂表示氮原子或-C(R₁₀₈)-；并且R₁₀₃至R₁₀₈表示与上面在R的情况下所定义的那些相同的基团。

考虑到改善发光效率，Q₇和Q₈表示氧原子，-C(R₁₀₃R₁₀₄)-，-N(R₁₀₇)-和-C(＝O)-；并且进一步优选为氧原子，-N(R₁₀₇)-和-C(＝O)-。

考虑到改善发光效率，Q₉，Q₁₀，Q₁₁和Q₁₂优选为-C(R₁₀₈)-。

根据本发明的高分子化合物的特征在于，在官能侧链中含有的官能团直接结合到重复单元的饱和碳上，或通过-R_J-X-结合到重复单元上。

″官能团直接结合到重复单元的饱和碳上″是指官能侧链的官能团直接结合到重复单元中含有的饱和碳上。

官能团直接结合到其上的重复单元饱和碳的实例包括：在下式中位于用*标记的位置处的那些。

[式80]

-(R_J-X)-的R_J表示可以被取代的亚烷基。X表示直接键，氧原子，硫原子，C＝O，C(＝O)-O，S＝O，SiR⁸R⁹，NR¹⁰，BR¹¹，PR¹²或P(＝O)R¹³；更优选为直接键，氧原子，硫原子，C＝O，C(＝O)-O，SiR⁸R⁹，NR¹⁰，或BR¹¹；进一步优选为直接键，氧原子，硫原子，SiR⁸R⁹或NR¹⁰；并且最优选为直接键，氧原子，和硫原子。

可以被取代的亚烷基通常具有约1至12个碳原子。取代基的实例包括：烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酸亚氨基，一价杂环基，羧基，取代的羧基和氰基。

亚烷基的优选实例包括：-C₃H₆-，-C₄H₈-，-C₅H₁₀-，-C₆H₁₂-，-C₈H₁₆-，和-C₁₀H₂₀-。

此处的R⁸至R¹³与在R¹至R⁷的情况下所定义的那些相同。

在重复单元为二价杂环基时，考虑到合成，X优选为氧原子或硫原子，并且进一步优选为氧原子。

在重复单元是其重复单元不含5元环的二价稠合多环烃基或由上述式(1)表示的二价基团时，考虑到合成，X优选为直接键。

在重复单元为二价芳族胺时，考虑到合成，X优选为氧原子或硫原子，并且进一步优选为氧原子。

考虑到合成，优选具有两条官能侧链。

高分子LED用高分子化合物的适宜特性之一是空穴注入性。空穴注入性通常取决于高分子化合物最高被占用分子轨道(HOMO)的能量值。HOMO能量的绝对值越小，空穴注入性越好。在根据本发明的高分子化合物中，考虑到空穴注入性，HOMO能量的绝对值优选为5.6eV或更小；进一步优选为5.5eV或更小；并且最优选为5.4eV或更小。

HOMO能量是通过采用循环伏安法(CV)测量高分子化合物的氧化电位并且基于氧化电位值计算能量而得到的。在根据本发明的高分子化合物的情况下，氧化电位取负值。氧化电位越小(氧化电位的绝对值越大)，HOMO能量的绝对值越小。因此，空穴注入性得到改善。在基于氧化电位的值计算HOMO能量时，由于计算方法根据在CV中使用的电极类型和溶剂而变化，所以参考电化学手册，第5版(2000，由Maruzen Co.，Ltd.出版)，通过校正电极和溶剂之间的误差而进行计算。

高分子LED用高分子化合物的适宜特性之一是电子注入性。电子注入性通常取决于高分子化合物最低空余分子轨道(LUMO)的能量值。LUMO能量值的绝对值越大，电子注入性越好。根据本发明的高分子化合物中，考虑到电子注入性，LUMO能量的绝对值优选为2.2eV或更大；进一步优选为2.4eV或更大；并且最优选为2.5eV或更大。

与HOMO能量计算的情况类似，LUMO能量是通过采用循环伏安法(CV)测量高分子化合物的还原电位并且基于还原电位值计算能量而得到的。在根据本发明的高分子化合物的情况下，还原电位取负值。还原电位越大(还原电位的绝对值越小)，LUMO能量的绝对值越大。因此，电子注入性得到改善。在基于还原电位的值计算LUMO能量时，由于计算方法根据在CV中使用的电极类型和溶剂而变化，所以参考电化学手册，第5版(2000，由Maruzen Co.，Ltd.出版)，通过校正电极和溶剂之间的误差而进行计算。

根据本发明的高分子化合物，考虑到器件的寿命性质，按聚苯乙烯计的数均分子量优选为10³至10⁸；更优选为10³至10⁷；并且最优选为10⁴至10⁷。

此处所用的数均分子量和重均分子量是根据尺寸排阻色谱(SEC)(由Shimadzu Corporation制造的LC-10Avp)按聚苯乙烯计得到的。将待测量的聚合物溶解于四氢呋喃中，以得到约0.5重量％的浓度。将50μl所得溶液倒入到GPC中。将四氢呋喃用作GPC的移动相并且以0.6mL/min的流量供给。柱子是通过将两根TSKgel SuperHM-H柱子(由Tosoh Corporation制造)直接串联连接到一根TSKgel Super H2000柱子(由Tosoh Corporation制造)而制备的。作为检测器，使用差示折光率检测器(RID-10A，由ShimadzuCorporation制造)。

此处将描述本发明中使用的高分子化合物的优选实例。

考虑到发光效率，器件的耐久性和合成容易性，

在主链的重复单元为二价杂环基时，优选下式(5-1)至(5-17)；

在主链的重复单元为不含5元环的二价稠合多环烃基时，优选下式(5-18)至(5-35)；

在主链的重复单元为由上述式(3)表示的基团时，优选下式(5-36)至(5-55)；并且

在主链的重复单元为二价芳族胺基时，优选下式(5-56)至(5-60)。

由式(5-1)至(5-60)表示的聚合物可以具有取代基。

取代基的实例可以与上述的相同。

[式81-1]

[式81-2]

[式82-1]

[式82-2]

[式83-1]

[式83-2]

[式84]

式中，X₈₇至X₁₀₁与在X₁至X₈₆的情况下定义的那些相同；Y₃₀至Y₃₆与在Y₁至Y₂₉的情况下定义的那些相同；-J-表示-R_J-X-；Fun表示空穴注入/输送基团和/或电子注入/输送基团和/或发光基团；并且R_W1至R_W4和R_X1至R_X4与在R_W至R_X的情况下定义的那些相同。

R_J和X与上面定义的那些相同。

空穴注入/输送基团和/或电子注入/输送基团和/或发光基团与上面定义的那些相同。

考虑到发光效率，器件的耐久性和合成容易性，在式(5-1)至(5-60)中，X₈₇至X₁₀₁优选为氮原子，硼原子和-Si(R¹)＝；更优选为氮原子和-Si(R¹)＝；并且进一步优选为氮原子。

考虑到发光效率，器件的耐久性和合成容易性，在式(5-1)至(5-60)中，Y₃₀至Y₃₆优选为氧原子，硫原子，-N(R⁴)-，-B(R⁵)-，-Si(R⁶)(R⁷)-和-P(R⁸)-；更优选为氧原子，硫原子和-N(R⁴)-，-B(R⁵)-和-Si(R⁶)(R⁷)-；并且进一步优选为氧原子，硫原子和-N(R⁴)-和-Si(R⁶)(R⁷)-。

考虑到发光效率，器件的耐久性和合成容易性，在上述式(5-1)至(5-60)中，

在J位可以被取代的亚烷基具有取代基时，优选烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基和一价杂环基；更优选为烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基和一价杂环基；进一步优选烷基，烷氧基，芳基和一价杂环基；并且最优选烷基，烷氧基和芳基。

考虑到发光效率，器件的耐久性和合成容易性，在可以被取代并且结合到主链上的亚烷基的碳原子被取代时，优选-O-，-S-，-CO-，-，-SiR⁸R⁹-，-NR¹⁰-和-BR¹¹-；优选-O-，-S-，-SiR⁸R⁹-和-NR¹⁰-；优选-O-，-S-和-NR¹⁰-；并且最优选-O-和-NR¹⁰。

考虑到发光效率，器件的耐久性和合成容易性，在上述式(5-1)至(5-60)中，在Fun为空穴注入/输送基团时，

优选通过从式(H-1)至(H-31)中除去一个R或R上的氢原子而得到的残基；

更优选通过从式(H-1)至(H-3)，(H-5)和(H-15)至(H-17)中除去一个R或R上的氢原子而得到的残基；并且

进一步优选通过从式(H-1)，(H-2)，(H-15)和(H-16)中除去一个R或R上的氢原子而得到的残基。

考虑到发光效率，器件的耐久性和合成容易性，在上述式(5-1)至(5-60)中，在Fun为电子注入/输送基团时，

优选通过从式(E-1)至(E-44)中除去一个R或R上的氢原子而得到的残基；

更优选通过从式(E-1)至(E-10)，(E-28)至(E-31)，和(E-41)至(E-44)中除去一个R或R上的氢原子而得到的残基；

进一步优选通过从式(E-1)，(E-2)，(E-4)至(E-6)和(E-28)，(E-31)，(E-41)和(E-42)中除去一个R或R上的氢原子而得到的残基；并且

最优选通过从式(E-1)，(E-2)，(E-28)，(E-31)，(E-41)和(E-42)中除去一个R或R上的氢原子而得到的残基。

考虑到发光效率，器件的耐久性和合成容易性，在上述式(5-1)至(5-60)中，在Fun为发光基团时，

优选通过从式(L-1)至(L-26)中除去一个R或R上的氢原子而得到的残基；

更优选通过从式(L-6)至(L-8)和(L-9)至(L-16)中除去一个R或R上的氢原子而得到的残基；

进一步优选通过从式(L-6)，(L-7)，和(L-9)至(L-14)中除去一个R或R上的氢原子而得到的残基；并且

最优选通过从式(L-6)，(L-7)和(L-9)至(L-14)中除去一个R或R上的氢原子而得到的残基。

考虑到发光效率，器件的耐久性和合成容易性，在上述式(H-1)至(H-31)，(E-1)至(E-44)和(L-1)至(L-26)中，R优选为氢原子，烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基和一价杂环基；更优选为氢原子，烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基和一价杂环基；进一步优选为氢原子，烷基，烷氧基，芳基和一价杂环基；并且最优选为氢原子，烷基，烷氧基和芳基。

考虑到发光效率，器件的耐久性和合成容易性，在其中主链的重复单元为二价杂环基的上述式(5-1)至(5-17)中，

优选式(5-1)至(5-4)，(5-7)至(5-9)和(5-10)至(5-13)；

更优选式(5-1)，(5-2)，(5-7)至(5-9)和(5-10)至(5-13)；并且

进一步优选式(5-7)，(5-8)，(5-11)和(5-13)。

考虑到发光效率，器件的耐久性和合成容易性，在作为不含5元环的二价稠合多环烃基的上述式(5-18)至(5-35)中，

优选式(5-18)至(5-21)，(5-24)至(5-31)，(5-32)和(5-33)；

更优选式(5-18)，(5-19)，(5-24)至(5-31)，(5-32)和(5-33)；并且

进一步优选式(5-25)，(5-26)，(5-29)和(5-30)。

考虑到发光效率，器件的耐久性和合成容易性，在作为由上述式(3)表示的基团的式(5-36)至(5-55)中，

优选式(5-36)，(5-38)至(5-40)，(5-42)至(5-44)，(5-46)至(5-48)，(5-50)至(5-52)，和(5-54)；并且

进一步优选式(5-36)，(5-40)，(5-44)至(5-48)和(5-52)。

考虑到发光效率，器件的耐久性和合成容易性，在作为二价芳族胺基的式(5-56)至(5-60)中，最优选式(5-56)至(5-58)。

考虑到发光效率，器件的耐久性和合成容易性，在由式(5-1)至(5-60)表示的基团具有取代基时，

优选烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基和一价杂环基；

更优选烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基和一价杂环基；并且

进一步优选烷基，烷氧基，芳基和一价杂环基；并且最优选烷基，烷氧基和芳基。

考虑到改变发光波长、改善发光效率和改善耐热性，根据本发明的高分子化合物优选为含有上述重复单元和一种或多种其它类型的重复单元的共聚物。″其它类型的重复单元″的实例优选包括：由下式(8)表示的那些。

-Ar₈- (8)

其中Ar₈各自独立地表示亚芳基，二价杂环基或具有金属配合物结构的二价基团。

亚芳基，二价杂环基或具有金属配合物的二价基团表示如上所述相同的基团。

在由上述式(8)表示的重复单元中，优选由下式(9)，(1 0)，(11)或(12)表示的那些。

[式85]

其中R_a表示烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酸亚氨基，一价杂环基，羧基，取代的羧基或氰基；a表示0至4的整数；并且在存在多个R_a时，它们可以相同或不同。

[式86]

其中

R_b和R_c各自独立地为烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酸亚氨基，一价杂环基，羧基，取代的羧基或氰基；

b和c各自独立地表示0至3的整数；

并且

在存在多个R_b和R_c时，它们可以相同或不同。

[式87]

R_d表示烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酸亚氨基，一价杂环基，羧基，取代的羧基，或氰基；

d表示0至2的整数；

Ar₉和Ar₁₀各自独立地表示亚芳基，二价杂环基或具有金属配合物的二价基团；

m和n各自独立地表示0或1；

Z₁为O，S，SO，SO₂，Se或Te；并且

在存在多个R_d时，它们可以相同或不同。

[式88]

其中

R_e和R_f各自独立地表示烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，卤素原子，酰基，酰氧基，亚胺残基，酰胺基，酸亚氨基，一价杂环基，羧基，取代的羧基或氰基；

e和f各自独立地表示0至4的整数；

Z₂为O，S，SO，SO2，Se，Te N-R¹⁴或SiR¹⁵R¹⁶；

Z₃和Z₄各自独立地表示N或C-R¹⁷；

R¹⁴，R¹⁵，R¹⁶和R¹⁷各自独立地表示氢原子，烷基，芳基，芳烷基或一价杂环基；并且

在存在多个R_c，R_f和R¹⁷时，它们可以相同或不同。

在由式(12)表示的重复单元的中心处的5元环的实例包括：噻二唑，噁二唑，***，噻吩，呋喃和矽咯(silole)。

在由上述式(8)表示的重复单元中，考虑到改变发光波长，改善发光效率和改善耐热性，还优选由上述式(13)表示的重复单元。

[式89]

其中Ar₁₁，Ar₁₂，Ar₁₃和Ar₁₄各自独立地表示亚芳基或二价杂环基；Ar₁₅，Ar₁₆和Ar₁₇各自独立地表示芳基或一价杂环基；Ar₁₁，Ar₁₂，Ar₁₃，Ar₁₄和Ar₁₅可以具有取代基；并且o和p各自独立地表示0或1的整数，且0≤o+p≤1。

由上述式(13)表示的重复单元的具体实例包括：由下式133至140表示的那些。

[式90]

[式91]

[式92]

在上述式中，R与在上述式1至132中的情况下的相同。为了增加高分子化合物在溶剂中的溶解性，高分子化合物优选具有不同于氢原子的至少一个原子，并且优选包括取代基的重复单元的对称性低。

在上述式中，在R为包括烷基的取代基时，为了增加高分子化合物在溶剂中的溶解性，优选含有至少一个环状或支链烷基。

此外，在上述式中，在R部分含有芳基和杂环基时，这些基团可以具有一个或多个取代基。

在由上述式(13)表示的重复单元中，优选Ar₁₁，Ar₁₂，Ar₁₃和Ar₁₄各自独立地表示亚芳基；Ar₁₅，Ar₁₆和Ar₁₇各自独立地表示芳基。

它们中，Ar₁₅，Ar₁₆和Ar₁₇优选各自独立地表示具有3个或更多个取代基的芳基；更优选具有3个或更多个取代基的苯基，具有3个或更多个取代基的萘基，或具有3个或更多个取代基的蒽基；并且进一步优选为具有3个或更多个取代基的苯基。

它们中，优选Ar₁₅，Ar₁₆和Ar₁₇各自独立地表示下式(13-1)并且满足关系：o+p＝1。

[式93]

其中R¹⁴，R¹⁵和R¹⁶各自独立地表示烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，甲硅烷氧基，取代的甲硅烷氧基，一价杂环基，或卤素原子。

更优选地，在式(13-1)中，R¹⁴和R¹⁵各自独立地表示具有3个或更少碳原子的烷基，具有3个或更少碳原子的烷氧基或具有3个或更少碳原子的烷硫基；并且R₁₂为具有3至20个碳原子的烷基，具有3至20个碳原子的烷氧基或具有3至20个碳原子的烷硫基。

考虑到发光效率，由上述式(8)表示的重复单元优选为稠环，并且更优选为由上述式30至38，G至N，49至93，O至Z和AA至AC中任何一个表示的二价基团。

它们中，考虑到合成，优选由上述式30至32，36，G，J，K，M，49至68，79至93表示的二价基团；并且更优选由上述式30，31，36，G，K，M，54，65，67，79，82，83，87，和93表示的二价基团；并且进一步优选由上述式36，G，K，79，82，83，87和93表示的二价基团。

根据本发明的高分子化合物可以是无规、嵌段或接枝共聚物，或具有它们之间的中间结构的聚合物，例如类似于嵌段共聚物的无规共聚物。考虑到得到具有高荧光和磷光量子产额的发光聚合物，与完全的无规共聚物相比，更优选类似于嵌段共聚物的无规共聚物、嵌段共聚物或接枝共聚物。不仅包括具有支化主链和三个或更多个端基的共聚物，而且包括树枝状聚合物(dendrimer)。

在根据本发明的高分子化合物中，如果可聚合基团作为其端基保留，则可能降低使用该聚合物的所得器件的发光性和寿命。因此，可以由稳定基团保护端基。优选具有延续到主链的共轭结构的共轭键的稳定基团，例如，可以提及通过碳-至-碳键结合到芳基或杂环基上的结构。其具体实例包括在JP-A-09-45478的式10中所示的取代基。

用于根据本发明的高分子化合物的良溶剂的实例包括：氯仿，二氯甲烷，二氯乙烷，四氢呋喃，甲苯，二甲苯，1，3，5-三甲基苯，1，2，3，4-四氢化萘，十氢化萘和正丁基苯。高分子化合物的浓度根据高分子化合物的结构和分子量而变化；但是，高分子化合物可以以0.1重量％或更大的浓度溶解于这些溶剂中。

接着，将解释制备根据本发明的高分子化合物的方法。

根据本发明的高分子化合物可以通过使用由V₁-Q-V₂表示的化合物作为原料之一并且将原料进行缩聚来制备。

Q具有官能侧链，所述的官能侧链具有包括空穴注入/输送基团和/或电子注入/输送基团和/或发光基团的官能团。直接结合到重复单元的饱和碳原子上或通过-R_J-X-(R_J和X与如上定义的相同)结合到重复单元上的官能团表示二价杂环基，不含5元环的二价稠合多环烃基，由上述式(3)表示的基团或二价芳族胺基。

V₁和V₂各自独立地表示参加缩聚的取代基。

此外，在根据本发明的高分子化合物具有除-Q-外的重复单元时，缩聚可以在化合物存在下进行，所述的化合物用作除-Q-外的重复单元，并且具有参加缩聚的取代基。

作为具有两个参加缩聚的取代基并且用作除由-Q-表示的重复单元外的重复单元的化合物，例如，可以提及的存由V₃-Ar₈-V₄表示的化合物(其中Ar₈与如上定义的相同，V₃和V₄各自独立地表示参加缩聚的取代基。

通过将除由V₁-Q-V₂表示的化合物之外的由V₃-Ar₈-V₄表示的化合物进行缩聚，可以制备根据本发明的高分子化合物。

作为用作除由上述式(8)表示的重复单元外的重复单元并且具有两个对应于上述式(13)且参加缩聚的取代基的化合物，可以提及由下式(14)表示的化合物。

[式94]

其中Ar₁₁，Ar₁₂，Ar₁₃，Ar₁₄，Ar₁₅，Ar₁₆，Ar₁₇，o和p的定义和优选实例与如上定义的相同；并且V₅和V₆各自独立地表示参加缩聚的取代基。

在根据本发明的制备方法中，参加缩聚的取代基的实例包括：卤素原子，烷基磺酸酯基，芳基磺酸酯基，芳基烷基磺酸酯基，硼酸酯基，锍-甲基，鏻-甲基，膦酸酯-甲基，单卤化甲基，-B(OH)，甲酰基，氰基和乙烯基。

此处的卤素原子的实例包括：氟原子，氯原子，溴原子和碘原子。

烷基磺酸酯基的实例包括：甲磺酸酯基，乙磺酸酯基和三氟甲磺酸酯基。芳基磺酸酯基的实例包括：苯磺酸酯基和对甲苯磺酸酯基。芳基磺酸酯基的实例包括：苄基磺酸酯基。

硼酸酯基的实例包括：由下式表示的基团。

[式95]

其中Me表示甲基，并且Et表示乙基。

锍-甲基的实例包括：由下式表示的基团。

-CH₂S⁺Me₂X^-，-CH₂S⁺Ph₂X^-

其中X表示卤素原子，并且Ph表示苯基。

鏻-甲基的实例包括：由下式表示的基团。

-CH₂P⁺Ph₂X^-，

其中X表示卤素原子。

膦酸酯-甲基的实例包括：由下式表示的基团。

-CH₂PO(OR′)₂，

其中X表示卤素原子，R′表示烷基，芳基或芳烷基。

单卤化-甲基的实例包括：氟化甲基，氯化甲基，溴化甲基和碘化甲基。

作为参加缩聚的取代基的优选取代基根据聚合反应的类型而变化。例如，在反应如使用镍(0)配合物的Yamamoto偶合反应中，可以提及卤素原子，烷基磺酸酯基，芳基磺酸酯基或芳基烷基磺酸酯基。在反应如使用镍催化剂或钯催化剂的Suzuki偶合反应中，可以提及烷基磺酸酯基，卤素原子，硼酸酯基或-B(OH)₂。

更具体而言，根据本发明的制备方法可以如下进行：在碱或适宜的催化剂存在下，在从有机溶剂的熔点至沸点(两个端点都包括)的温度，例如，根据在如以下出版物的出版物中描述的已知方法：使用化合物，该化合物具有多个参加缩聚的取代基并且用作单体，需要时，将其溶解于有机溶剂中，

″Organic Reactions″，Vol.No.14，p.270-490，John Wiley&Sons，Inc.，(1965)；

Organic Syntheses″，Collective Volume VI，p.407-411，John Wiley&Sons，Inc，(1988)；

Chem.Rev.，Vol.No.95，p.2457(1995)；

J.Organomet.Chem.，Vol.No.576，p.147(1999)；和

Makromol.Chem.，Macromol.Symp.，Vol.No.12，p.229(1987)。

根据参加缩聚的取代基，通过采用已知的缩合反应，可以制备根据本发明的高分子化合物。

例如，可以提及的有：由Suzuki偶合反应聚合相应单体的方法，通过格利雅反应的聚合方法，使用Ni(0)配合物的聚合方法，使用氧化剂如FeCl₃的聚合方法，电化学氧化聚合方法，和通过分解具有适宜离去基团的中间聚合物的方法聚合。

它们中，优选通过Suzuki偶合反应的聚合方法，通过格利雅反应的聚合方法和使用Ni(0)配合物的聚合方法，原因在于可以容易地进行结构控制。

在本发明的制备方法中，可以优选提及的有：这样的方法，其中参加缩聚的取代基(Y₁，Y₂，Y₃，Y₄，Y₅和Y₆)各自独立地选自：卤素原子，烷基磺酸酯基，芳基磺酸酯基，和芳基烷基磺酸酯基，并且在Ni(0)配合物存在下进行缩合和聚合。

原料化合物的实例包括：

二卤化化合物，双(烷基磺酸酯)化合物，双(芳基磺酸酯)化合物，双(芳基烷基磺酸酯)化合物，或卤素-烷基磺酸酯化合物，卤素-芳基磺酸酯化合物，卤素-芳基烷基磺酸酯化合物，烷基磺酸酯-芳基磺酸酯化合物，烷基磺酸酯-芳基烷基磺酸酯化合物，和烷基磺酸酯-芳基烷基磺酸酯化合物。

在此情况下，可以提及的有：通过使用以下化合物作为原料制备顺序(in sequence)控制的高分子化合物的方法：卤素-烷基磺酸酯化合物，卤素-芳基磺酸酯化合物，卤素-芳基烷基磺酸酯化合物，芳基烷基磺酸酯-芳基磺酸酯化合物，烷基磺酸酯-芳基烷基磺酸酯化合物，或芳基磺酸酯-芳基烷基磺酸酯化合物。

在本发明的制备方法，可以优选提及的有：这样的方法，其中参加缩聚的取代基(Y₁，Y₂，Y₃，Y₄，Y₅和Y₆)各自独立地选自：卤素原子，烷基磺酸酯基，芳基磺酸酯基，芳基烷基磺酸酯基，硼酸基和硼酸酯基，并且在Ni催化剂或钯催化剂存在下进行缩合和聚合，使得相对于硼酸(-B(OH)₂)基和硼酸酯基的总摩尔数(K)，在全部原料化合物中含有的卤素原子，烷基磺酸酯基，芳基磺酸酯基和芳基烷基磺酸酯基的总摩尔数(J)的比例基本上变为基本上1(K/J通常落入0.7至1.2范围内)。

原料的具体组合的实例包括：二卤化化合物，双(烷基磺酸酯)化合物，双(芳基磺酸酯)化合物或双(芳基烷基磺酸酯)化合物，和二硼酸化合物或二硼酸酯化合物的组合。

此外，可以提及的有：卤素-硼酸化合物，卤素-硼酸酯化合物，烷基磺酸酯-硼酸化合物，烷基磺酸酯-硼酸酯化合物，芳基磺酸酯-硼酸化合物，芳基磺酸酯-硼酸酯化合物，芳基烷基磺酸酯-硼酸化合物，芳基烷基磺酸酯-硼酸化合物，和芳基烷基磺酸酯-硼酸酯化合物。

在此情况下，可以提及的有：通过使用以下化合物作为原料制备顺序控制的高分子化合物的方法：卤素-硼酸化合物，卤素-硼酸酯化合物，烷基磺酸酯-硼酸化合物，烷基磺酸酯-硼酸酯化合物，芳基磺酸酯-硼酸化合物，芳基磺酸酯-硼酸酯化合物，芳基烷基磺酸酯-硼酸化合物，芳基烷基磺酸酯-硼酸化合物或芳基烷基磺酸酯-硼酸酯化合物。

此处的有机溶剂根据使用的化合物和反应而变化。通常，为了抑制副反应，对所使用的溶剂充分地进行脱氧处理，并且优选在惰性气氛下进行反应。此外，类似地，优选进行脱水处理。但是，此不用于在例如Suzuki偶合反应中在水和溶剂的两相中进行反应的情况。

溶剂的实例包括

饱和烃如戊烷，己烷，庚烷，辛烷和环己烷；

不饱和烃如苯，甲苯，乙基苯和二甲苯；

卤化饱和烃如四氯化碳，氯仿，二氯甲烷，氯丁烷，溴丁烷，氯戊烷，溴戊烷，氯己烷，溴己烷，氯环己烷和溴环己烷；

卤化不饱和烃如氯苯，二氯苯和三氯苯；

醇如甲醇，乙醇，丙醇，异丙醇，丁醇和叔丁醇；

羧酸如甲酸，乙酸和丙酸；

醚如二甲基醚，二乙基醚，甲基-叔丁基醚，四氢呋喃，四氢吡喃和二噁烷；

胺如三甲胺，三乙胺，N，N，N′，N′-四甲基乙二胺和吡啶；和

酰胺如N，N-二甲基甲酰胺，N，N-二甲基乙酰胺，N，N-二乙基乙酰胺，和N-甲基吗啉氧化物。它们可以单独或以混合物的形式使用。它们中，优选醚，并且进一步优选四氢呋喃和二***。

为了进行反应，可以适宜地加入碱和适宜的催化剂。可以根据所采用的反应而选择它们。碱或催化剂优选充分地溶解于所使用的溶剂中。作为混合碱或催化剂的方法，可以提及的有：将碱或催化剂加入到反应溶液中，同时在惰性气氛如氩和氮中温和地搅拌反应溶液的方法；和相反地，将反应溶液温和地加入到碱或催化剂的溶液中的方法。

在将根据本发明的高分子化合物用于例如高分子LED中时，由于高分子化合物的纯度对器件的性能如发光性有影响，所以优选在进行聚合之前，由方法如蒸馏、升华纯化或重结晶纯化单体，然后进行聚合。此外，在聚合之后，优选进行纯化处理，如沉淀纯化，或由色谱进行的分级。

接着，将解释根据本发明的高分子化合物的应用。

本发明的高分子化合物通常在固态发射荧光或磷光，并且可以用作高分子发光材料(高分子量的发光材料)。

高分子化合物具有优异的电荷输送性，并且适宜用作高分子LED材料和用作电荷输送材料。使用所述高分子发光材料的高分子LED是高性能高分子LED，其能够在低压下高效率地被驱动。因此，可以将高分子LED用作背光用的曲面和平面光源，或液晶显示器的照明，并且用于器件如节段型显示器和点矩阵平板显示器。

此外，可以将本发明的高分子化合物用作激光染料，有机太阳能电池用的材料，有机晶体管用的有机半导体和导电薄膜如导电薄膜或有机半导体薄膜用的材料。

此外，可以将本发明的高分子化合物用作发射荧光或磷光的发光薄膜用的材料。

接着，将解释根据本发明的高分子LED。

本发明的高分子LED的特征在于具有有机层，所述的有机层位于由阳极和阴极组成的电极之间，并且含有根据本发明的高分子化合物。

有机层可以是发光层，空穴输送层，空穴注入层，电子输送层，电子注入层和夹层中的任何一种；但是，有机层优选为发光层。

此处的发光层是指具有发光功能的层。空穴输送层是指具有输送空穴功能的层。电子输送层是指具有输送电子功能的层。此外，夹层是指位于发光层和阴极之间、邻近发光层和起着将发光层与阴极隔开或将发光层与空穴注入层或空穴输送层隔开的层。注意：电子输送层和空穴输送层统称为电荷输送层。此外，电子注入层和空穴注入层统称为电荷注入层。可以使用各自独立地由两层或更多层组成的发光层，空穴输送层，空穴注入层，电子输送层，电子注入层。

在有机层用作发光层时，由有机层组成的发光层可以进一步含有空穴输送性材料，电子输送性材料或发光材料。此处的发光材料是指发射荧光和/或磷光的材料。

在根据本发明的高分子化合物与空穴输送性材料混合时，空穴输送性材料相对于总混合物的混合比率为1重量％至80重量％，并且优选5重量％至60重量％。

在根据本发明的高分子材料与电子输送性材料混合时，电子输送性材料相对于总混合物的混合比率为1重量％至80重量％，并且优选5重量％至60重量％。

在根据本发明的高分子化合物与发光材料混合时，发光材料相对于总混合物的混合比率为1重量％至80重量％，并且优选5重量％至60重量％。

在根据本发明的高分子化合物与发光材料，空穴输送性材料和/或电子输送性材料混合时，发光材料相对于总混合物的混合比率为1重量％至50重量％，并且优选5重量％至40重量％；并且空穴输送性材料加上电子输送性材料的比率为1重量％至50重量％，并且优选5重量％至40重量％。因此，本发明的高分子化合物的含量为98重量％至1重量％，并且优选90重量％至20重量％。

作为空穴输送性材料，电子输送性材料和发光材料，可以使用已知的低分子量化合物，三重态发光配合物或高分子化合物；但是，优选使用高分子化合物。

作为高分子空穴输送性材料，电子输送性材料和发光材料，可以提及的有：聚芴及其衍生物和共聚物；聚亚芳基及其衍生物和共聚物；聚亚芳基亚乙烯基及其衍生物和共聚物；和芳族胺的共聚物及其衍生物，它们公开例如于WO99/13692、WO99/48160、GB2340304A、WO00/53656、WO01/19834、WO00/55927、GB2348316、WO00/46321、WO00/06665、WO99/54943、WO99/54385、US5777070、WO98/06773、WO97/05184、WO00/35987、WO00/53655、WO01/34722、WO99/24526、WO00/22027、WO00/22026、WO98/27136、US573636、WO98/21262、US5741921、WO97/09394、WO96/29356、WO96/10617、EP0707020、WO95/07955、JP-A-2001-181618、JP-A-2001-123156、JP-A-2001-3045、JP-A-2000-351967、JP-A-2000-303066、JP-A-2000-299189、JP-A-2000-252065、JP-A-2000-136379、JP-A-2000-104057、JP-A-2000-80167、JP-A-10-324870、JP-A-10-114891、JP-A-9-111233和JP-A-9-45478中。

作为低分子量化合物的荧光材料，可以使用的有：萘衍生物，蒽或其衍生物；苝或其衍生物；染料如聚甲炔基，呫吨基，香豆素基或花青基染料，8-羟基喹啉的金属配合物或其衍生物；芳族胺；四苯基环戊二烯或其衍生物；或四苯基丁二烯或其衍生物。

更具体而言，可以使用已知化合物，例如，在JP-A-57-51781和59-194393中描述的化合物。

三重态发光配合物的实例包括：含有铱作为中心金属的Ir(ppy)₃Btp₂Ir(acac)，含有铂作为中心金属的PtOEP和含有铕作为中心金属的Eu(TTA)₃phen。

[式96]

[式97]

[式98]

[式99]

三重态发光配合物的具体实例描述例如于Nature，(1998)，395，151；Appl.Phys.Lett.(1999)，75(1)，4；Proc.SPIE-lnt.Soc.Opt.Eng.(2001)，4105(Oranic Light-Emitting Materials and Devices IV)，119；J.Am.Chem.Soc.，(2001)，123，4304；Appl Phys.Lett.，(1997)，71(18)，2596；Syn，Met.，(1998)，94(1)，103；Syn.Met.，(1999)，99(2)，1361；Adv.Mater.，(1999)，11(10)，852；和Jpn.J.Appl.Phys.，34，1883(1995)中。

根据本发明的组合物含有至少一种选自空穴输送性材料，电子输送性材料和发光材料中的材料并且含有根据本发明的高分子化合物，并且被用作发光材料或电荷输送材料。

可以根据应用，决定至少一种选自空穴输送性材料，电子输送性材料和发光材料中的材料相对于本发明的高分子化合物的含量比率；但是，在组合物作为发光材料时，含量比率优选与发光层中的相同。

可以将两种或更多种根据本发明的高分子化合物的混合物作为组合物使用。为了提高高分子LED的性质(性能)，组合物优选含有两种或更多种聚合物，所述的聚合物选自：

在侧链含有空穴注入/输送基团的高分子化合物，

在侧链含有电子注入/输送基团的高分子化合物，和

在侧链含有发光基团的高分子化合物。

在本发明的高分子LED具有的发光层中，膜厚度的最佳值根据所使用的材料而不同，并且可以进行选择，以具有适宜的驱动电压值和发光效率值。膜厚度为例如1nm至1μm，优选2nm至500nm，并且进一步优选5nm至200nm。

形成发光层的方法的实例包括：由溶液形成膜的方法。由溶液形成膜的方法的实例包括：涂布方法如旋涂方法，流延方法，微型凹版印刷涂布方法，凹版印刷涂布方法，棒涂布方法，辊涂布方法，绕线棒涂布方法，浸涂方法，喷涂方法，丝网印刷方法，苯胺印刷方法，胶印方法，和喷墨印刷方法。考虑到图案形成和多色涂布的容易性，优选印刷方法如丝网印刷方法，苯胺印刷方法，胶印方法，和喷墨印刷方法。

作为印刷方法中使用的油墨组合物，可以使用任何组合物，只要含有至少一种根据本发明的高分子化合物即可。该组合物除了根据本发明的高分子化合物外，还可以含有空穴输送性材料，电子输送性材料，发光材料，溶剂，并且可以含有添加剂如稳定剂。

基于组合物不包括溶剂在内的总重量，根据本发明的高分子化合物在油墨组合物中的比率通常为20重量％至100重量％，并且优选40重量％至100重量％。

此外，在油墨组合物中含有溶剂时，基于组合物的总重量，溶剂的比率通常为1重量％至99.9重量％，优选为60重量％至99.5重量％，并且更优选为80重量％至99.0重量％。

油墨组合物的粘度根据印刷方法而改变。在喷墨印刷方法的情况下，在油墨组合物通过喷射装置时，25℃时的粘度优选落在1至20mPa·s的范围内，以防止喷射时的堵塞和弯曲。

本发明的溶液除了根据本发明的高分子化合物外，还可以含有用于控制粘度和/或表面张力的添加剂。添加剂的实例包括：高分子量的高分子化合物(增稠剂)和用于增加粘度的不良溶剂，并且可以适宜地组合使用用于降低粘度的低分子量的高分子化合物和用于降低表面张力的表面活性剂。

作为高分子量的高分子化合物，可以使用任何聚合物，只要它可溶于与根据本发明的高分子化合物的溶剂相同的溶剂并且它不抑制发光和电荷输送即可。可以使用高分子量的聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯或具有比本发明高分子化合物更高分子量的高分子化合物。重均分子量优选为五十万或更高，并且更优选为一百万或更高。

可以将不良溶剂用作增稠剂。更具体而言，可以通过加入少量用于溶液固体物质的不良溶剂而增加粘度。在为此目的加入不良溶剂时，可以使用任何类型和加入量的溶剂，只要溶液的固体物质不沉淀即可。考虑到贮存期间的稳定性，相对于溶剂的总量，不良溶剂的量优选为50重量％或更小，并且进一步优选30重量％或更小。

根据本发明的溶液除了根据本发明的高分子化合物外还可以含有抗氧化剂，用于改善贮存稳定性。作为抗氧化剂，可以使用任何抗氧化剂，只要它可以溶于根据本发明的高分子化合物用的相同溶剂，并且它不抑制发光或电荷输送即可。例如，可以提及的有：酚基抗氧化剂和磷基抗氧化剂。

在根据本发明的溶液用作油墨组合物时，使用的溶剂没有特别限制；但是，可以优选提及的有：能够溶解或均匀地分散油墨组合物除溶剂之外的组分即可。溶剂的实例包括

氯基溶剂如氯仿，二氯甲烷，1，2-二氯乙烷，1，1，2-三氯乙烷，氯苯和邻-二氯苯；

醚基溶剂如四氢呋喃，二噁烷和茴香醚；

芳族烃基溶剂如甲苯和二甲苯；

脂族烃基溶剂如环己烷；甲基环己烷，正戊烷，正己烷，正庚烷，正辛烷，正壬烷和正癸烷；

酮基溶剂如丙酮，甲基乙基酮，环己酮，苯甲酮和苯乙酮；

酯溶剂如乙酸乙酯，乙酸丁酯，乙基-溶纤剂乙酸酯，苯甲酸甲酯和乙酸苯酯；

多元醇如1，2-亚乙基二醇，乙二醇单丁基醚，乙二醇单乙基醚，乙二醇单甲基醚，二甲氧基乙烷，丙二醇，二乙氧基甲烷，三甘醇单乙基醚，甘油，和1，2-己二醇，和这些的衍生物；

醇基溶剂如甲醇，乙醇，丙醇，异丙醇和环己醇；

亚砜基溶剂如二甲亚砜；和

酰胺基溶剂如N-甲基-2-吡咯烷酮和N，N-二甲基甲酰胺。

这些溶剂可以单独使用，或者以这些的组合使用。

它们中，考虑到溶解性，在成膜时的均匀性和高分子化合物的粘度性质等，优选使用的有：芳族烃基溶剂，脂族烃基溶剂，酯基溶剂和酮基溶剂；并且更优选甲苯，二甲苯，乙基苯，二乙基苯，三甲基苯，正丙基苯，异丙基苯，正丁基苯，异丁基苯，仲丁基苯，茴香醚，乙氧基苯，1-甲基萘，环己烷，环己酮，环己基苯，双环己基，环己烯基-环己酮，正庚基-环己烷，正己基-环己烷，2-丙基-环己酮，2-庚酮，3-庚酮，4-庚酮，2-辛酮，2-壬酮，2-癸酮，二环己基酮，苯乙酮和苯甲酮。

作为溶液溶剂种类的数量，考虑到成膜性，器件特性等，优选两种或更多种的溶剂，更优选2至3种溶剂，并且进一步优选2种溶剂。

在溶液中含有2种溶剂时，它们中的一种在25℃可以以固态存在。考虑到成膜性，溶剂中的一种的沸点优选为180℃或更高，并且更优选为200℃或更高。考虑到粘度，优选两种溶剂在60℃溶解1重量％或更多的芳族聚合物，并且两种溶剂中的一种在25℃可以溶解1重量％或更多的芳族聚合物。

在溶液中含有2种溶剂时，考虑到粘度和成膜性，基于溶液中溶剂的总重量，沸点最高的溶剂的含量为40至90重量％，更优选为50至90重量％，并且进一步优选为65至85重量％。

在溶液中含有的根据本发明的高分子化合物的种数可以为1或2种或更多种。可以含有与根据本发明的高分子化合物不同的高分子化合物，只要它不损害器件性质等即可。

本发明的溶液可以在1至1000ppm范围内含有水和金属及其盐。金属的实例包括：锂，钠，钙，钾，铁，铜，镍，铝，锌，铬，锰，钴，铂和铱。此外，可以在1至1000ppm范围内含有硅，磷，氟，氯，和溴。

通过使用根据本发明的溶液，根据以下方法，可以制备薄膜：旋涂方法，流延方法，微型凹版印刷涂布方法，凹版印刷涂布方法，棒涂布方法，辊涂布方法，绕线棒涂布方法，浸涂方法，喷涂方法，丝网印刷方法，苯胺印刷方法，胶印方法，喷墨印刷方法等。它们中，优选在由丝网印刷方法，苯胺印刷方法，胶印方法，或喷墨印刷方法，并且更优选由喷墨印刷方法形成膜时，使用本发明的溶液。

通过使用根据本发明的溶液制备的薄膜的实例包括：发光薄膜，导电薄膜和有机半导体薄膜。

本发明导电薄膜的表面电阻优选为1KΩ/□或更小。通过掺杂路易斯酸、离子化合物等，可以提高薄膜的电导率。表面电阻更优选为100KΩ/□或更小，并且进一步优选为10KΩ/□。

在本发明的有机半导体薄膜中，电子迁移率和空穴迁移率中较大的一个的值优选不小于10^-5cm²/V/秒，更优选为不小于10^-3cm²/V/秒，并且进一步优选为不小于10^-1cm²/V/秒。

在具有由例如SiO₂形成的绝缘膜和在其中形成的栅极电极的Si衬底上形成有机半导体薄膜，并且形成Au等的源极和漏极，可以形成有机晶体管。

此外，根据本发明的高分子LED的实例包括：

通过在阴极和发光层之间安置电子输送层而形成的高分子LED；

通过在阳极和发光层之间安置空穴输送层而形成的高分子LED；和

通过在阴极和发光层之间安置电子输送层和在阳极和发光层之间安置空穴输送层而形成的高分子LED。

此外，根据本发明的高分子LED的实例包括：

例如，具体提及下列结构a)至d)：

a)阳极/发光层/阴极

b)阳极/空穴输送层/发光层/阴极

c)阳极/发光层/电子输送层/阴极

d)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极

(其中标记″/″是指单独的层彼此相邻地层叠)。

此外，在每种结构中，可以在发光层和与发光层相邻的阳极之间安置夹层。

更具体而言：

a′)阳极/夹层/发光层/阴极

b′)阳极/空穴输送层/夹层/发光层/阴极

c′)阳极/夹层/发光层/电子输送层/阴极

d′)阳极/空穴输送层/夹层/发光层/电子输送层/阴极

在根据本发明的高分子LED具有空穴输送层时，采用的空穴输送性材料的实例包括：聚乙烯咔唑或其衍生物；聚硅烷或其衍生物；在侧链或主链中具有芳族胺的聚硅氧烷衍生物；吡唑啉衍生物；芳基胺衍生物；1，2-二苯乙烯衍生物；三苯基-二胺衍生物；聚苯胺或其衍生物；聚噻吩或其衍生物；聚吡咯或其衍生物；聚(对亚苯基亚乙烯基)或其衍生物；和聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物。

空穴输送性材料的具体实例包括：在JP-A-63-70257，JP-A-63-175860，JP-A-2-135359，JP-A-2-135361，JP-A-2-209988，JP-A-3-37992，和JP-A-3-152184中描述的那些。

它们中，作为用于空穴输送层中的空穴输送性材料，可以优选提及的有：高分子空穴输送性材料如聚乙烯咔唑或其衍生物，聚硅烷或其衍生物，在侧链或主链中具有芳族胺化合物的聚硅氧烷衍生物，聚苯胺或其衍生物，聚噻吩或其衍生物，聚(对亚苯基亚乙烯基)或其衍生物，和聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物；和更优选，聚乙烯咔唑或其衍生物，聚硅烷或其衍生物，在侧链或主链中具有芳族胺的聚硅氧烷衍生物。

低分子化合物的空穴输送性材料的实例包括：吡唑啉衍生物，芳基胺衍生物，1，2-二苯乙烯衍生物和三苯基二胺衍生物。低分子化合物的空穴输送性材料优选通过将其分散在高分子粘合剂中使用。

作为混合的高分子粘合剂，优选使用不特别限制电荷传递的粘合剂。此外，适宜使用对可见光没有强吸收的粘合剂。高分子粘合剂的实例包括：聚(N-乙烯基咔唑)，聚苯胺或其衍生物，聚噻吩或其衍生物，聚(对亚苯基亚乙烯基)或其衍生物，聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物，聚碳酸酯，聚丙烯酸酯，聚丙烯酸甲酯，聚甲基丙烯酸甲酯，聚苯乙烯，聚氯乙烯和聚硅氧烷。

由乙烯基单体，通过阳离子聚合或自由基聚合，可以得到聚(N-乙烯基咔唑)或其衍生物。

聚硅烷或其衍生物的实例包括：在Chem.Rev.Vol.No.89，p.1359(1989)和英国专利GB2300196的公开说明书中所述的化合物。作为其合成方法，可以使用在这些文件中所述的方法。特别是，可以适宜地使用Kipping方法。

在聚硅氧烷或其衍生物中，由于聚硅氧烷骨架结构没有空穴输送性，适宜地使用在侧链或主链中具有上述低分子量空穴输送性材料结构的聚硅氧烷或其衍生物。具体地，可以提及在侧链或主链中具有空穴输送性芳族胺的聚硅氧烷或其衍生物。

形成空穴传递层膜的方法没有特别限制。在低分子量空穴输送性材料的情况下，可以提及由具有高分子粘合剂的混合溶液形成膜的方法。在高分子量空穴输送性材料的情况下，可以提及由溶液形成膜的方法。

作为在由溶液形成膜中使用的溶剂，优选可以溶解或均匀地分散空穴输送性材料的溶剂。溶剂的实例包括

醚基溶剂如四氢呋喃和二噁烷；

芳族烃基溶剂如甲苯和二甲苯；

酮基溶剂如丙酮，甲基乙基酮和环己酮；

酯溶剂如乙酸乙酯，乙酸丁酯和乙基溶纤剂乙酸酯；

多元醇如乙二醇，乙二醇单丁基醚，乙二醇单乙基醚，乙二醇单甲基醚，二甲氧基乙烷，丙二醇，二乙氧基甲烷，三甘醇单乙基醚，甘油和1，2-己二醇，和这些的衍生物；

醇基溶剂如甲醇，乙醇，丙醇，异丙醇和环己醇；

亚砜基溶剂如二甲亚砜；和

酰胺基溶剂如N-甲基-2-吡咯烷酮和N，N-二甲基甲酰胺.

这些溶剂可以单独或组合使用。

由溶液形成膜的方法的实例包括：旋涂方法，流延方法，微型凹版印刷涂布方法，凹版印刷涂布方法，棒涂布方法，辊涂布方法，绕线棒涂布方法，浸涂方法，喷涂方法，丝网印刷方法，苯胺印刷方法，胶印方法和喷墨印刷方法。

至于空穴输送层的膜厚度，其最佳值根据使用的材料而改变。可以选择膜厚度，使得驱动电压和发光效率适宜地取值。但是，至少要求具有足够的膜厚度，以不产生针孔。不优选极厚的膜，因为器件的驱动电压增加。因此，空穴输送层的膜厚度为例如1nm至1μm，优选2nm至500nm，并且进一步优选5nm至200nm。

在根据本发明的高分子LED具有电子输送层时，作为使用的电子输送性材料，可以使用已知的材料。其实例包括

噁二唑的金属配合物或其衍生物；

蒽醌二甲烷或其衍生物，

苯醌或其衍生物，

萘醌或其衍生物，

蒽醌或其衍生物，

四氰基蒽醌-二甲烷或其衍生物，

芴酮衍生物，

二苯基-二氰基乙烯或其衍生物；

二苯酚合苯醌衍生物，或

8-羟基喹啉或其衍生物；

聚喹啉或其衍生物；

聚喹喔啉或其衍生物；和

聚芴或其衍生物。

具体实例包括：在JP-A-63-70257，JP-A-63-175860，JP-A-2-135359，JP-A-2-135361，JP-A-2-209988，JP-A-3-37992和JP-A-3-152184中描述的那些。

它们中，优选提及的有：噁二唑金属配合物或其衍生物，

苯醌或其衍生物，

蒽醌或其衍生物，或

8-羟基喹啉或其衍生物；

聚喹啉或其衍生物；

聚喹喔啉或其衍生物；和

聚芴或其衍生物，并且进一步优选，

2-(4-联苯(viphenyl))-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑，苯醌，蒽醌，三(8-喹啉基)铝和聚喹啉。

对电子输送层的成膜方法没有特别限制。使用低分子量电子输送性材料形成膜的方法的实例包括：由粉末形成膜的真空沉积方法和由溶液或熔融状态形成膜的方法。使用高分子量电子输送性材料的成膜方法的实例包括：由溶液或熔融状态形成膜的方法。在由溶液或熔融状态形成膜的方法中，可以将如上所述的高分子粘合剂一起使用。

至于由溶液形成膜中使用的溶剂，优选能够溶解或均匀地分散电子输送性材料和/或高分子粘合剂的溶剂。溶剂的实例包括

醚基溶剂如四氢呋喃和二噁烷；

芳族烃基溶剂如甲苯和二甲苯；

酮基溶剂如丙酮，甲基乙基酮和环己酮；

酯溶剂如乙酸乙酯，乙酸丁酯和乙基-溶纤剂乙酸酯；

醇基溶剂如甲醇，乙醇，丙醇，异丙醇和环己醇；

亚砜基溶剂如二甲亚砜；和

酰胺基溶剂如N-甲基-2-吡咯烷酮和N，N-二甲基甲酰胺。

这些溶剂可以单独或组合使用。

作为由溶液或熔融状态形成膜的方法，可以使用的有：涂布方法如旋涂方法，流延方法，微型凹版印刷涂布方法，凹版印刷涂布方法，棒涂布方法，辊涂布方法，绕线棒涂布方法，浸涂方法，喷涂方法，丝网印刷方法，苯胺印刷方法，胶印方法和喷墨印刷方法。

至于电子输送层的膜厚度，其最佳值根据使用的材料而改变。可以选择膜厚度，使得驱动电压和发光效率适宜地取值。但是，至少要求具有足够的膜厚度，以不产生针孔。不优选极厚的膜，因为器件的驱动电压增加。因此，电子输送层的膜厚度为例如1nm至1μm，优选2nm至500nm，并且进一步优选5nm全200nm。

在相邻电极安置的电荷输送层中，通常，将具有改善来自电极的电荷的注入效率的功能和降低器件驱动电压的作用的电荷输送层在某些情况下特别称作电荷注入层(空穴注入层，电子注入层)。

为了改善与电极的粘合性质和改善来自电极的电荷的注入，可以相邻电极安置电荷注入层或厚度为2nm或更小的绝缘层。备选地，为了改善与界面的粘合性质或防止污染，可以将薄缓冲层***到在电荷输送层和发光层之间的界面中。

考虑到器件的发光效率和寿命，可以适宜地设置叠加的层的次序、数量和厚度。

在本发明中，作为其中安置有电荷注入层(电子注入层，空穴注入层)的高分子LED，可以提及的有：具有与阴极相邻的电荷注入层的高分子LED和具有与阳极相邻的电荷注入层的高分子LED。

例如，可以具体地提及下列结构e)至p)。

e)阳极/电荷注入层/发光层/阴极

f)阳极/发光层/电荷注入层/阴极

g)阳极/电荷注入层/发光层/电荷注入层/阴极

h)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/阴极

i)阳极/空穴输送层/发光层/电荷注入层/阴极

j)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电荷注入层/阴极

k)阳极/电荷注入层/发光层/电子输送层/阴极

l)阳极/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极

m)阳极/电荷注入层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极

n)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极

o)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极

p)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极.

此外，在每一种结构中，可以在发光层和与发光层相邻的阳极之间安置夹层。在此情况下，夹层可以用作空穴注入层和/或空穴输送层。

电荷注入层的具体实例包括：

含有导电聚合物的层；

在阳极和空穴输送层之间形成的并且电离电位值在阳极材料的电离电位值和空穴输送层中含有的空穴输送性材料的电离电位值之间的层；和

在阴极和电子输送层之间安置的并且电子亲合势值在阳极材料的电子亲合势值和电子输送层中含有的电子输送性材料的电子亲合势值之间的层。

在电荷注入层是含有导电聚合物的层时，导电高分子的电导率优选为10^-5S/cm至10³(两个端点都包括)，更优选10^-5S/cm至10²(两个端点都包括)，并且进一步优选为10^-5S/cm至10¹(两个端点都包括)，以降低发光像素之间的泄漏电流。

在电荷注入层是含有导电聚合物的层时，导电高分子的电导率优选为10^-5S/cm至10³S/cm(两个端点都包括)，更优选10^-5S/cm至10²S/cm(两个端点都包括)，并且进一步优选为10^-5S/cm至10¹S/cm(两个端点都包括)，以降低发光像素之间的泄漏电流。

为了将导电高分子的电导率设置在10^-5S/cm至10³(两个端点都包括)，通常将适量的离子掺杂在导电聚合物中。

如果将离子掺杂入空穴注入层中，它们的类型是阴离子，并且如果将它们掺杂入电子注入层时，它们的类型是阳离子。阴离子的实例包括：聚苯乙烯磺酸离子，烷基苯磺酸离子和樟脑磺酸离子。阳离子的实例包括：锂离子，钠离子，钾离子和四丁基铵离子。

电荷注入层的膜厚度为1nm至100nm，并且优选2nm至50nm。

结合在与电极相邻的层中使用的材料，可以适宜地选择电荷注入层中使用的材料。其实例包括：

聚苯胺或其衍生物；

聚噻吩或其衍生物；

聚吡咯或其衍生物；

聚亚苯基亚乙烯基或其衍生物；

聚亚噻吩基亚乙烯基或其衍生物；

聚喹啉或其衍生物；

聚喹喔啉或其衍生物；

导电聚合如在主链或侧链中含有芳族胺结构的聚合物；

金属酞菁(如铜酞菁)；和

碳。

膜厚度为2nm或更小的绝缘层具有促进电荷注入的功能。绝缘层的材料的实例包括：金属氟化物，金属氧化物和有机绝缘材料。具有膜厚度为2nm或更小的绝缘层的高分子LED的实例包括

具有与阴极相邻的膜厚度为2nm或更小的绝缘层的高分子LED，和

具有与阳极相邻的膜厚度为2nm或更小的绝缘层的高分子LED。

例如，可以具体提及下列结构q)至ab)。

q)阳极/膜厚度为2nm或更小的绝缘层/发光层/阴极

r)阳极/发光层/膜厚度为2nm或更小的绝缘层/阴极

s)阳极/膜厚度为2nm或更小的绝缘层/发光层/膜厚度为2nm或更小的绝缘层/阴极

t)阳极/膜厚度为2nm或更小的绝缘层/空穴输送层/发光层/阴极

u)阳极/空穴输送层/发光层/膜厚度为2nm或更小的绝缘层/阴极

v)阳极/膜厚度为2nm或更小的绝缘层/空穴输送层/发光层/膜厚度为2nm或更小的绝缘层/阴极

w)阳极/膜厚度为2nm或更小的绝缘层/发光层/电子输送层/阴极

x)阳极/发光层/电子输送层/膜厚度为2nm或更小的绝缘层/阴极

y)阳极/膜厚度为2nm或更小的绝缘层/发光层/电子输送层/膜厚度为2nm或更小的绝缘层/阴极

z)阳极/膜厚度为2nm或更小的绝缘层/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极

aa)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/膜厚度为2nm或更小的绝缘层/阴极

ab)阳极/膜厚度为2nm或更小的绝缘层/空穴输送层/发光层/电子输送层/膜厚度为2nm或更小的绝缘层/阴极

在将夹层应用到上述a)至ab)的结构时，优选将夹层安置在阳极和发光层之间，并且由具有在阳极，空穴注入层，或空穴输送层和构成发光层的高分子化合物之间的中间电离电位的材料形成。

用于夹层的材料的实例包括

聚乙烯咔唑或其衍生物；和

在侧链或主链中具有芳族胺的聚合物，如聚亚芳基衍生物，芳基胺衍生物，或三苯基-二胺衍生物。

不限制夹层的成膜方法；但是，在使用高分子材料时，a可以提及由溶液形成膜的方法。

至于由溶液形成膜使用的溶剂，可以使用能够溶解或均匀地分散空穴输送性材料的溶剂。溶剂的实例包括：

醚基溶剂如四氢呋喃和二噁烷；芳族烃基溶剂如甲苯和二甲苯；

酮基溶剂如丙酮，甲基乙基酮和环己酮；

酯溶剂如乙酸乙酯，乙酸丁酯，和乙基-溶纤剂乙酸酯；

多元醇如乙二醇，乙二醇单丁基醚，乙二醇单乙基醚，乙二醇单甲基醚，二甲氧基乙烷，丙二醇，二乙氧基甲烷，三甘醇单乙基醚，甘油，和1，2-己二醇，和这些的衍生物；

醇基溶剂如甲醇，乙醇，丙醇，异丙醇和环己醇；

亚砜基溶剂如二甲亚砜；和

酰胺基溶剂如N-甲基-2-吡咯烷酮和N，N-二甲基甲酰胺。

这些有机溶剂可以单独使用，或以这些的组合使用。

由溶液形成膜的方法的实例包括：涂布方法如旋涂方法，流延方法，微型凹版印刷涂布方法，凹版印刷涂布方法，棒涂布方法，辊涂布方法，绕线棒涂布方法，浸涂方法，喷涂方法，丝网印刷方法，苯胺印刷方法，胶印方法，和喷墨印刷方法。

夹层的膜厚度根据使用的材料而具有不同的最佳值并且可以选择，以具有适宜的驱动电压值和发光效率值。膜厚度为例如1nm至1μm，优选为2nm至500nm，并且进一步优选为5nm至200nm。

在与发光层相邻安置夹层时，具体地，在两种层都由涂布方法形成时，用于两种层的材料有时彼此混合，并且不利地影响器件的特性。

在由涂布方法安置夹层，然后由涂布方法形成发光层时，作为降低用于两种层的材料的污染的方法，可以提及的有：这样的方法，其中由涂布方法形成夹层，然后，将夹层加热至赋予其不溶于用于形成发光层的有机溶剂的性质，然后形成发光层。通常在约150℃至300℃的温度和约1分钟至1小时进行加热。在此情况下，可以在加热之后和形成发光层之前，通过使用用于形成发光层的溶剂漂洗夹层，可以除去不能溶解于溶剂中的组分。在通过加热充分地进行不溶性处理时，不需要用溶剂的漂洗。为了通过加热充分地进行不溶性处理，优选在夹层中使用含有至少一个可聚合基团的高分子化合物。此外，相对于分子中重复单元的数量，可聚合基团的数量优选为5％。

作为根据本发明的高分子LED在其上形成的衬底，可以使用任何衬底，只要在形成电极然后形成有机材料层时它不受影响即可。衬底的实例包括：由玻璃，塑料，高分子膜和硅形成的衬底。在使用不透明衬底时，优选相对的电极是透明或半透明的。

通常，在根据本发明的高分子LED中，阳极或阴极中的至少一个是透明或半透明的。优选阳极是透明或半透明的。

作为用于阳极的材料，可以使用的有：例如，导电金属氧化物膜和半透明金属薄膜。其具体实例包括由导电玻璃形成的膜(NESA)，所述的导电玻璃由以下形成：例如，氧化铟，氧化锌，氧化锡；及这些的复合物，如铟锡氧化物(ITO)，铟/锌/氧化物，金，铂，银和铜；并且优选ITO，铟/锌/氧化物和氧化锡。形成方法的实例包括：真空沉积方法，溅射方法，离子镀方法和电镀方法。此外，作为阳极，可以使用的有：有机导电膜如聚苯胺或其衍生物或聚噻吩或其衍生物。

考虑到光透明性和电导率，可以适宜地设置阳极的膜厚度，并且膜厚度为例如10nm至10μm，优选为20nm至1μm，并且进一步优选为50nm至500nm。

为了促进电荷的注入，可以在阳极上安置平均厚度为2nm并且由酞菁衍生物，导电聚合物或碳形成的层或由金属氧化物，金属氟化物或有机绝缘材料形成的层。

作为用于在根据本发明的高分子LED中使用的阴极的材料，优选具有小功函的材料。使用的材料的实例包括

金属如锂，钠，钾，铷，铯，铍，镁，钙，锶，钡，铝，钪，钒，锌，钇，铟，铈，钐，铕，铽，和镱；

它们中的至少两种形成的合金；

由它们的至少一种和选自下列金属中的一种形成的合金：金，银，铂，铜，锰，钛，钴，镍，钨和锡；

石墨；和石墨嵌入化合物。

合金的实例包括

镁-银合金，镁-铟合金，镁-铝合金，铟-银合金，锂-铝合金，锂-镁合金，锂-铟合金和钙-铝合金。阴极可以具有由两层或更多层组成的层叠结构。

考虑到电导率和耐久性，可以适宜地设置阴极的膜厚度，并且膜厚度为例如10nm至10μm，优选为20nm至1μm，并且进一步优选为50nm至500nm。

形成阴极的方法的实例包括：真空沉积方法，溅射方法，层压方法，在层压方法中，通过热压粘合形成金属薄膜。此外，可以在阴极和有机层之间安置由导电聚合物形成的层或由例如金属氧化物，金属氟化物或有机绝缘材料形成的并且平均膜厚度为2nm或更小的层。备选地，在形成阴极之后，可以采用保护层，用于保护高分子LED。为了长时间地稳定使用高分子LED，可以优选用保护层和/或保护盖在外部保护器件。

作为保护层，可以使用的有例如：高分子化合物，金属氧化物，金属氟化物和金属硼酸盐。此外，作为保护盖，可以使用的有例如：玻璃板和其表面上进行降低透水性处理的塑料板。优选使用用热塑性树脂或热固性树脂将盖与器件的衬底紧密地粘合，由此密封它们的方法。通过使用隔体保持空间，容易防止器件受到损害。如果将惰性气体如氮气或氩气引入到该空间中，可以防止阴极的氧化。此外，如果将干燥剂如氧化钡放入该空间中，可以抑制在制造步骤中吸附的水含量损害器件。优选采用这些方法中的至少一种。

根据本发明的高分子LED可以用作节段型显示器、点矩阵显示器和液晶显示器的平面光源或背光。

为了通过使用根据本发明的高分子LED得到平面发光，放置平面阳极和平面阴极，以使它们彼此重叠。为了得到图案化发光，有以下方法：

其中在平面发光器件的表面上安置具有图案化视窗的掩模的方法；

其中将在不发光部分中使用的有机材料层形成特别厚，以基本上从该部分不发光的方法；和

其中形成阳极和阴极中的一个或两个以具有图案的方法。

根据这些方法中的任何一种形成备案，并且排列几个电极，以独立地开/关。如此，可以得到能够显示数值、字母和简单符号的节段型显示器。此外，为了得到点矩阵器件，将阳极和阴极都以条状形成并且排列，使得它们彼此垂直相交。通过分开采用多种发光颜色不同的聚合物荧光体的方法，或通过使用滤色器或荧光转换滤光器的方法，可以实现分色(sectorcolor)显示和多色显示。点矩阵器件可以被动驱动，或者可以与例如TFT组合而主动地驱动。可以将这些显示器用作计算机、电视、便携手持装置、移动电话、汽车导航和摄像机的取景器等的显示器。

此外，平面发光器件是薄膜自发发光器件并且适宜用作液晶显示器的背光用的平面光源，或用作平面照明光源。此外，如果使用挠性衬底，还可以将平面发光器件用作曲面光源或显示器。

现在，将参考下面的实施例更具体地解释本发明，但所述的实施例不应当认为是用于限制本发明的。

按聚苯乙烯计的数均分子量由SEC得到。

柱子：TOSOH，TSKgel Super HM-H(2根柱子+TSKgel Super H 2000(4.6mm l.d.×15cm)，检测器：RI(SHIMADZU RID-10A)，将四氢呋喃(THF)用作移动相。

(合成实施例1)

化合物M-1的合成

[式100]

在300ml四颈烧瓶中，在氩气气氛下，混合N-苯基-1，4-苯二胺(5.53g，30mmol)，4-溴-正丁基苯(25.57g，120mmol)，Pd₂(dba)₃(820mg，0.9mmol)，t-BuONa(8.65g，90mmol)和甲苯(120ml)。向反应溶液中，加入(t-Bu)₃P(360mg，1.8mmol)，并且加热至100℃3小时。在冷却后，加入200ml的甲苯。将反应溶液用NaCl水溶液(100ml×3)洗涤，接着用水(200ml)洗涤。在有机层用硫酸钠干燥后，将它浓缩。得到的液体由硅胶柱色谱(甲苯∶己烷＝1∶3)纯化，然后由硅胶柱色谱(己烷→甲苯∶己烷＝1∶3)进一步纯化，得到10.2g的化合物M-1。

¹H-NMR；δ0.97(9H，t)，1.37(6H，m)，1.58(6H，m)，2.55(6H，t)，6.85-7.07(18H，m)，7.17(2H，t)。

(合成实施例2)

化合物M-2的合成

[式101]

在100ml四颈烧瓶中，在氩气气氛下混合化合物M-1(1.45g，2.5mmol)，NBS(0.49g，0.27mmol)和DMF(20ml)。将反应溶液于0℃搅拌4小时。在反应完成之后，加入100ml的己烷。将反应混合物用KCl水溶液(100ml×2)洗涤，接着用水(100ml×2)洗涤。在有机层用硫酸钠干燥之后，将它浓缩。得到的液体由硅胶柱色谱(甲苯∶己烷＝1∶6)纯化两次，得到960mg的化合物M-2。

LC-MS(APCI方法)；m/z 660.2([M+H]⁺)

(合成实施例3)

化合物M-3的合成

[式102]

在300ml三颈烧瓶中，在氩气气氛下，混合8-溴辛烯(1.91g，10mmol)和THF(10ml)。于室温，将9-BBN/0.5M-THF溶液(20ml，10mmol)向其中滴加20分钟，并且于室温搅拌12小时。

向反应溶液中，加入化合物M-2(2.64g，4.0mmol)，PdCl₂(dppf)(160mg，0.20mmol)，THF(10ml)和3M NaOH水溶液(7ml)。将得到的反应溶液回流4.5小时。在反应完成之后，冷却反应溶液。向反应溶液中，加入己烷(20ml)。在用水冷却反应溶液的同时，将过氧化氢溶液(2ml)滴加10分钟，并且于室温搅拌3小时。将得到的有机层用水(200ml×3)洗涤，用硫酸钠干燥，浓缩，并且由硅胶柱色谱(甲苯∶己烷＝1∶10→甲苯∶己烷＝1∶3)纯化两次，得到1.81g的化合物M-3。

LC-MS(APCI方法)；m/z 772.3([M+H]⁺)

(合成实施例4)

化合物M-5的合成

[式103]

在氩气气氛下，混合化合物M-3(2.1当量)，化合物M-4(1当量)，碳酸钾(10当量)，18-冠-6醚(0.5当量)和甲苯(作为溶剂)，并且回流使反应进行。在反应完成之后，将有机层用水洗涤，并且由硅胶柱色谱纯化，得到化合物M-5。

注意，化合物M-4可以由根据EP1344788的方法得到。

(合成实施例5)

化合物M-6的合成

[式104]

在300ml三颈烧瓶中，在氩气气氛下混合8-溴辛烯(12.61g，66mmol)和THF(40ml)。于室温，将9-BBN/0.5M-THF溶液(132ml，66mmol)向其中滴加50分钟，并且于室温搅拌16小时。

向反应溶液中，加入化合物9-溴蒽(7.71g，30mmol)，PdCl₂(dppf)(1.22g，1.5mmol)，THF(60ml)和3M-NaOH水溶液(40ml)，并且回流6.5小时。在反应完成之后，冷却反应溶液，并且将己烷(70ml)加入到反应溶液中。在用水冷却反应溶液的同时，将过氧化氢溶液(10ml)滴加30分钟，并且于室温搅拌4小时。将得到的有机层用水(200ml×3)洗涤，用硫酸钠干燥，浓缩，并且硅胶柱色谱(己烷→甲苯＝1∶2)纯化两次，得到3.4g的化合物M-6。

LC-MS(APCI方法)；m/z 370.1([M+H]⁺)

¹H-NMR；δ1.42(8H，m)，1.86(4H，m)，3.41(2H，t)，3.60(2H，t)，7.46(4H，m)，7.99(2H，d)，8.26(2H，d)，8.33(1H，s)。

(合成实施例6)

化合物M-7的合成

[式105]

在200mL三颈烧瓶中，在氩气气氛下混合化合物M-4(0.358g 1.0mmol)，化合物M-6(0.757g，2.1mmol)，碳酸钾(0.7g)，18-冠-6醚(0.3g)，甲苯(40ml)和离子交换水(20ml)，并且回流24小时。在反应完成之后，除去水层。将得到的溶液用水(50ml×4)洗涤。将有机层用无水硫酸钠干燥，并且使其通过快速柱(硅胶/甲苯)纯化。将得到的溶液浓缩至5ml。向得到的油中，加入50ml的甲醇，并且将得到的固体物质过滤且干燥，得到708mg的化合物M-7。

LC-MS(APCI方法)；m/z 933([M+H]⁺)

¹H-NMR；δ1.42-1.60(16H，m)，1.84-1.90(8H，m)，3.60(4H，t)，4.09(4H，t)，7.20(2H，s)，7.44-7.52(8H，m)，7.74(2H，s)，8.12(4H，d)，8.26(4H，d)，8.32(2H，s)。

(实施例1)

高分子化合物P-1的合成

[式106]

在惰性气氛下，将化合物M-5和2，2′-联吡啶溶解于预先用氩气鼓泡的脱水四氢呋喃中。然后，将双(1，5-环辛二烯)镍(0){Ni(COD)₂}加入到反应溶液中。在反应溶液的温度升高到60℃之后，将反应进行3小时。将反应溶液冷却至室温，并且滴加至25％氨水(1mL)/甲醇/离子交换水的溶液混合物中，并且搅拌1小时。将沉淀的物质过滤，在减压下干燥，然后溶解于甲苯中。向其中加入钠沸石并且搅拌。在过滤不溶性物质后，将滤液通过氧化铝柱纯化。然后，加入4％氨水，搅拌，然后除去水层。此外，向有机层中，加入离子交换水，并且搅拌，然后除去水层。此后，将有机层在减压下浓缩，并且加入到甲醇中，且搅拌。将沉淀的物质过滤并且在减压下浓缩，以合成高分子化合物P-1。

(实施例2)

高分子化合物P-2的合成

[式107]

在惰性气氛下，将化合物M-7(0.204g)，2，7-二溴-3，6-二辛氧基二苯并呋喃(0.140g)和2，2′-联吡啶(0.172g)溶解于预先用氩气鼓泡的脱水四氢呋喃(15mL)中。然后，将双(1，5-环辛二烯)镍(0){Ni(COD)₂}(0.303g)加入到反应溶液中。在将反应溶液的温度升高至60℃后，将反应进行3小时。将反应溶液冷却至至室温，并且滴加到25％氨水(5mL)/甲醇(24mL)/离子交换水(24mL)的溶液混合物中，并且搅拌1小时。将沉淀的物质过滤，在减压下干燥，随后溶解于甲苯(15ml)中。向其中加入钠沸石(0.1g)，并且搅拌30分钟。在过滤不溶性物质后，通过氧化铝柱纯化滤液。然后，加入4％氨水(20mL)，搅拌2小时，然后除去水层。此外，向有机层中，加入离子交换水(约20mL)，并且搅拌，然后除去水层。此后，将有机层加入到80ml的甲醇中，并且搅拌0.5小时。将沉淀的物质过滤并且在减压下干燥，得到0.144g的高分子化合物P-2。注意：其数均分子量和重均分子量按聚苯乙烯计分别为Mn＝5.4×10⁴和Mw＝1.5×10⁵。

2，7-二溴-3，6-二辛氧基二苯并呋喃是根据JP-A-2004-059899中所述的方法合成的。

(实施例3)

高分子化合物P-3的合成

[式108]

在惰性气氛下，将化合物M-7(0.269g)，2，7-二溴-3，6-二辛氧基二苯并噻吩(0.045g)和2，2′-联吡啶(0.172g)溶解于预先用氩气鼓泡的脱水四氢呋喃(15mL)中。然后，将双(1，5-环辛二烯)镍(0){Ni(COD)₂}(0.303g)加入到反应溶液中。在反应溶液的温度升高到60℃后，将反应进行3小时。

将反应溶液冷却到室温，并且滴加到25％氨水(5mL)/甲醇(24mL)/离子交换水(24mL)的溶液混合物中，并且搅拌1小时。将沉淀的物质过滤，在减压下干燥，随后溶解于甲苯(15mL)中。向其中加入钠沸石(0.1g)，并且搅拌30分钟。在过滤不溶性物质后，将滤液通过氧化铝柱纯化。然后，加入4％氨水(20mL)，并且搅拌2小时，然后除去水层。此外，向有机层中，加入离子交换水(约20mL)，并且搅拌1小时，然后除去水层。此后，将有机层加入到80ml的甲醇，并且搅拌0.5小时。将沉淀的物质过滤并且在减压下干燥，得到0.078g的高分子化合物P-3。

注意：其数均分子量和重均分子量按聚苯乙烯计分别为Mn＝1.0×10⁵和Mw＝5.1×10⁵。

2，7-二溴-3，6-二辛氧基二苯并噻吩是根据JP-A-2004-002703中所述的方法合成的。

(实施例4)

高分子化合物P-4的合成

[式109]

在惰性气氛下，混合化合物M-7(0.225g)，化合物M-8(0.441g)2，7-双(1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-9，9-二辛基芴(0.640g)和双(三苯膦)二氯化钯(0.9mg)，Aliquat 336(0.2g，由Aldrich制造)，甲苯(9ml)和2M Na₂CO₃水溶液(3ml)，并且回流3小时。在反应完成之后，加入苯基硼酸(20mg)和THF(2ml)的溶液混合物，并且进一步回流4小时。然后，将二乙基二硫代氨基甲酸钠的水溶液加入到其中，并且于85℃搅拌4小时。在冷却后，将反应溶液用水(30ml)洗涤三次，用3％乙酸水溶液(30ml)洗涤4次，并且用水(30ml)洗涤3次，且通过氧化铝柱和硅胶柱纯化。将得到的甲苯溶液滴加到甲醇(250ml)中，并且搅拌1小时。此后，将得到的固体物质过滤并且干燥。得到的高分子化合物P-4的产量为240mg。

注意：高分子化合物P-10的数均分子量和重均分子量按聚苯乙烯计分别为9.4×10⁴和2.5×10⁵。

[式110]

(合成实施例7)

高分子化合物P-5的合成

高分子化合物P-5是根据EP1344788中所述的方法合成的(其数均分子量和重均分子量按聚苯乙烯计为Mn＝1.1×10⁵和Mw＝2.7×10⁵)。高分子化合物(P-5)

[式111]

(实施例8)

高分子化合物P-6的合成

[式112]

在惰性气氛下，将2，7-二溴-3，6-二辛氧基二苯并呋喃(0.045g)，2，7-二溴-3，6-二辛氧基二苯并噻吩(0.045g)和2，2′-联吡啶(0.172g)溶解于预先用氩气鼓泡的脱水四氢呋喃(15mL)中。然后，将双(1，5-环辛二烯)镍(0){Ni(COD)₂}(0.303g)加入到其中，并且搅拌。在得到溶液的温度升高至60℃之后，将反应进行3小时。

将反应溶液冷却到室温，并且滴加到25％氨水(5mL)/甲醇(24mL)/离子交换水(24mL)的溶液混合物中，并且搅拌1小时。将沉淀的物质过滤，在减压下干燥，随后溶解在甲苯(15ml)中。向其中加入钠沸石(0.1g)，并且搅拌30分钟。在过滤不溶性物质之后，将滤液通过氧化铝柱纯化。然后，加入4％氨水(20mL)，并且搅拌2小时，然后除去水层。此外，向有机层中，加入离子交换水(约20mL)，并且搅拌1小时，然后除去水层。此后，将有机层加入到80ml的甲醇，并且搅拌0.5小时。将沉淀的物质过滤，并且在减压下干燥，得到0.078g的高分子化合物P-6。

HOMO和LUMO能量值是由循环伏安计(ALS 600，由P.A.S制造)测定的并且是在含有0.1重量％的四氟硼酸四丁基铵的乙腈溶剂中测量的。将高分子化合物溶解于氯仿中，以得到约0.2重量％的溶液。然后，向工作电极上，涂覆1mL的高分子化合物的氯仿溶液，并且蒸发溶剂，以形成高分子化合物的薄膜。在用氮气吹扫的手套箱中，使用银/银离子电极作为参比电极和玻璃状碳电极作为工作电极，并且使用铂电极作为相反电极，进行测量。电位的扫描频率都是在50mV/s测量的。

<氧化电位的测量>

(实施例5)

由上述方法，可以测量高分子化合物P-1的氧化电位，得到HOMO能量。预期高分子化合物P-1的HOMO能量的绝对值低于没有侧链基团的高分子化合物的HOMO能量的绝对值。

(实施例6)

<氧化电位的测量>

由上述方法测量高分子化合物P-2的氧化电位。基于得到的氧化电位，计算HOMO能量。

(比较例1)

<氧化电位的测量>

由上述方法测量高分子化合物P-5的氧化电位。基于得到的氧化电位，计算HOMO能量。

表1

	实施例6	比较例1
	实施例6	比较例1	高分子化合物	P-2	P-5
氧化电位(mV)	889	1227	高分子化合物	P-2	P-5
氧化电位(mV)	889	1227	HOMO能级(eV)的绝对值	5.8	5.9

(实施例7)

<氧化电位的测量>

由上述方法测量高分子化合物P-3的氧化电位。基于得到的氧化电位，计算HOMO能量。

(比较例2)

<氧化电位的测量>

由上述方法测量高分子化合物P-6的氧化电位。基于得到的氧化电位，计算HOMO能量。

表2

	实施例7	比较例2
	实施例7	比较例2	高分子化合物	P-3	P-6
氧化电位(mV)	742	1103	高分子化合物	P-3	P-6
氧化电位(mV)	742	1103	HOMO能级(eV)的绝对值	5.7	5.8

(实施例8)

溶液的制备

将上面得到的高分子化合物P-1溶解于甲苯中，以制备聚合物浓度为1.2重量％的甲苯溶液。

EL器件的制备

在通过溅射方法在其上形成150nm厚的ITO膜的玻璃衬底上，使用溶液由旋涂形成70nm厚的薄膜，并且在200℃的电热板上干燥10分钟，所述的溶液是通过使聚(3，4)亚乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸(BaytronP AI4083，由Bayer制造)的悬浮溶液通过0.2μm膜过滤器而得到的。然后，使用上面得到的甲苯溶液，以1000rpm的旋转速度进行旋涂，得到膜。此外，将膜于80℃在减压下干燥1小时，并且将氟化锂沉积到约4nm的厚度。将钙沉积至约5nm的厚度作为阴极，然后将铝沉积至约72nm的厚度。如此，可以制备EL器件。注意：在真空度达到1×10^-4Pa或更小之后，开始金属的沉积。

EL器件的性能

在将电压施加到得到的器件时，可以观察到来自器件的EL发光。

(实施例9)

溶液的制备

将上面得到的高分子化合物P-2溶解于二甲苯中，以制备聚合物浓度为1.2重量％的二甲苯溶液。

EL器件的制备

在通过溅射方法在其上形成150nm厚的ITO膜的玻璃衬底上，使用溶液由旋涂形成70nm厚的薄膜，并且在200℃的电热板上干燥10分钟，所述的溶液是通过使聚(3，4)亚乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸(BaytronP AI4083，由Bayer制造)的悬浮溶液通过0.2μm膜过滤器而得到的。然后，使用上面得到的二甲苯溶液，以1000rpm的旋转速度进行旋涂，形成膜。形成的膜的厚度为约73nm。将膜于80℃在减压下干燥1小时，并且将钡沉积至约5nm的厚度作为阴极，然后将铝沉积至约80nm的厚度。如此，可以制备EL器件。注意：在真空度达到1×10^-4Pa或更小之后，开始金属的沉积。

EL器件的性能

在将电压施加到得到的器件时，由器件得到峰值在440nm的EL发光。器件的最大发光效率为0.15cd/A。

(实施例10)

溶液的制备

将上面得到的高分子化合物P-3溶解于二甲苯中，以制备聚合物浓度为1.2重量％的二甲苯溶液。

EL器件的制备

以与实施例9中基本上相同的方式制备EL器件，不同之处在于，使用上面得到的二甲苯溶液。此时，在旋涂过程中的转数为1500rpm，并且得到的膜的厚度为77nm。

EL器件的性能

在将电压施加到得到的器件时，由器件得到峰值在435nm的EL发光。器件的最大发光效率为0.16cd/A。

(实施例11)

溶液的制备

将上面得到的高分子化合物P-4溶解于二甲苯中，以制备聚合物浓度为1.2重量％的二甲苯溶液。

EL器件的制备

以与实施例9中基本上相同的方式制备EL器件，不同之处在于，使用上面得到的二甲苯溶液。此时，在旋涂过程中的转数为1000rpm，并且得到的膜的厚度为76nm。

EL器件的性能

在将电压施加到得到的器件时，由器件得到峰值在440nm的EL发光。

工业适用性

可以将含有根据本发明的高分子化合物的高分子LED用作液晶显示器的背光或照明用的曲面和平面光源，并且用于节段型显示器和点矩阵平板显示器。

Claims

1.一种发光或电荷输送高分子化合物，所述的高分子化合物具有在主链中作为重复单元的二价杂环基，不含5元环的二价稠合多环烃基，由下式(1)表示的基团或二价芳族胺基，并且具有功能侧链，所述的侧链含有至少一个官能团，所述的官能团选自：空穴注入/输送基团，电子注入/输送基团和发光基团，

其特征在于，所述的官能团直接结合到重复单元的饱和碳上，或通过-R_J-X-(其中R_J为可以被取代的亚烷基；X表示直接键，氧原子，硫原子，C＝O，C(＝O)-O，S＝O，SiR⁸R⁹，NR¹⁰，BR¹¹，PR¹²，或P(＝O)R¹³)在X处结合到重复单元上，

[式1]

其中环A和环B各自独立地表示可以具有取代基的芳族烃环；环A的芳族烃环和环B的芳族烃环彼此的环结构不同；环A和/或环B上分别存在两个键；Rw和Rx各自独立地表示氢原子或取代基；并且Rw和Rx可以彼此结合形成环。

2.根据权利要求1所述的高分子化合物，所述的高分子化合物具有作为官能侧链的空穴注入/输送基团。

3.根据权利要求2所述的高分子化合物，其中所述的空穴注入/输送基团含有至少一个不同于氮原子的杂原子或至少两个氮原子。

4.根据权利要求3所述的高分子化合物，其中所述的空穴注入/输送基团含有至少两个氮原子。

5.根据权利要求1至4中任何一项所述的高分子化合物，所述的高分子化合物具有作为官能侧链的电子注入/输送基团。

6.根据权利要求5所述的高分子化合物，其中所述的电子注入/输送基团含有至少一个不同于氮原子的杂原子或至少两个氮原子。

7.根据权利要求6所述的高分子化合物，其中所述的电子注入/输送基团含有至少两个氮原子。

8.根据权利要求6所述的高分子化合物，其中在所述电子注入/输送基团中含有的所述不同于氮原子的杂原子为硫原子。

9.根据权利要求5所述的高分子化合物，其中所述的电子注入/输送基团含有金属配合物，所述的金属配合物含有选自元素周期表第一至第三周期的元素。

10.根据权利要求1至9中任何一项所述的高分子化合物，所述的高分子化合物包含作为官能侧链的发光基团。

11.根据权利要求10所述的高分子化合物，其中所述的发光基团含有杂环或稠合多环芳族烃。

12.根据权利要求1至11中任何一项所述的高分子化合物，其中所述高分子化合物的数均分子量按聚苯乙烯计为10³至10⁸。

13.根据权利要求1至12中任何一项所述的高分子化合物，其中所述高分子化合物的绝对HOMO能量值为5.6eV或更小。

14.根据权利要求1至13中任何一项所述的高分子化合物，其中所述高分子化合物的绝对LUMO能量值为2.2eV或更大。

15.根据权利要求1至14中任何一项所述的高分子化合物，其中所述的重复单元是二价杂环基，并且所述的官能侧链通过-R_J-O-(R_J与如上定义的相同)在O处结合到重复单元上。

16.一种组合物，其特征在于，包含至少一种选自空穴输送材料、电子输送材料和发光材料中的材料，和至少一种根据权利要求1至15中任何一项所述的高分子化合物。

17.组合物，其特征在于，包含至少两种根据权利要求1至15中任何一项所述的高分子化合物。

18.一种溶液，其特征在于，包含根据权利要求1至15中任何一项所述的高分子化合物。

19.一种溶液，其特征在于，包含根据权利要求16和17中任何一项的组合物。

20.根据权利要求18和19中任何一项所述的溶液，其特征在于，包含至少两种有机溶剂。

21.根据权利要求18至20中任何一项所述的溶液，其中所述溶液的粘度在25℃时为1至20mPa·s。

22.一种发光薄膜，其包含根据权利要求1至15中任何一项所述的高分子化合物。

23.根据权利要求22所述的发光薄膜，其中所述发光薄膜的发光量子产额为50％或更大。

24.一种导电薄膜，其包含根据权利要求1至15中任何一项所述的高分子化合物。

25.一种有机半导体薄膜，其包含根据权利要求1至15中任何一项所述的高分子化合物。

26.一种有机晶体管，其包含根据权利要求25所述的有机半导体薄膜。

27.一种形成根据权利要求18至20中任何一项的薄膜的方法，其特征在于，使用喷墨法。

28.一种高分子发光器件，其特征在于，具有在由阳极和阴极组成的电极之间的有机层，所述的有机层含有根据权利要求1至15中任何一项所述的高分子化合物或根据权利要求16和17任何一项所述的组合物。

29.根据权利要求28所述的高分子发光器件，其中所述的有机层是发光层。

30.根据权利要求28所述的高分子发光器件，其中所述的发光层进一步含有空穴输送材料、电子输送材料或发光材料。

31.根据权利要求28所述的高分子发光器件，其包含在由阳极和阴极组成的电极之间的发光层和电荷输送层，其中所述的电荷输送层含有根据权利要求1至15中任何一项所述的高分子化合物或根据权利要求16和17任何一项所述的高分子组合物。

32.根据权利要求28所述的高分子发光器件，其包含在由阳极和阴极组成的电极之间的发光层和电荷输送层，和在电荷输送层和电极之间的电荷注入层，其中所述的电荷注入层含有根据权利要求1至15中任何一项所述的高分子化合物或根据权利要求16和17任何一项所述的高分子组合物。

33.一种平面光源，其特征在于，包含根据权利要求28至32中任何一项所述的高分子发光器件。

34.一种节段显示器，其特征在于，包含根据权利要求28至32中任何一项所述的高分子发光器件。

35.一种点矩阵显示器，其特征在于，包含根据权利要求28至32中任何一项所述的高分子发光器件。

36.一种液晶显示器，其特征在于，包含作为背光的根据权利要求28至32中任何一项所述的高分子发光器件。