CN101197390A - 有机发光显示设备 - Google Patents

有机发光显示设备 Download PDF

Info

Publication number
CN101197390A
CN101197390A CNA2007101941619A CN200710194161A CN101197390A CN 101197390 A CN101197390 A CN 101197390A CN A2007101941619 A CNA2007101941619 A CN A2007101941619A CN 200710194161 A CN200710194161 A CN 200710194161A CN 101197390 A CN101197390 A CN 101197390A
Authority
CN
China
Prior art keywords
thin film
electrode
semitransparent thin
display device
emitting display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2007101941619A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101197390B (zh
Inventor
李炳德
李钟赫
赵尹衡
吴敏镐
李昭玲
李善英
金元钟
金容铎
崔镇白
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung SDI Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung SDI Co Ltd filed Critical Samsung SDI Co Ltd
Publication of CN101197390A publication Critical patent/CN101197390A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101197390B publication Critical patent/CN101197390B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供了一种可增强有机发光显示设备的对比度的有机发光显示设备。该有机发光显示设备包括：基板；配置在基板上用于显示图像的有机发光装置；形成在有机发光装置上的密封部件；形成于面向外面的密封部件的上表面上的半透明薄膜，用于透射一部分外部光并反射另一部分外部光；形成在半透明薄膜上的钝化薄膜，通过覆盖半透明薄膜来保护该半透明薄膜；以及形成于密封部件与有机发光装置之间用于增加对比度的透射黑层，其中，半透明薄膜的折射率大于钝化薄膜的折射率。

Description

有机发光显示设备
相关专利申请的交叉引用
本申请要求2006年12月6日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请10-2006-0123371的权益，其全部公开内容引用在此作为参考。
技术领域
本发明涉及一种有机发光显示设备，尤其涉及一种带有增强了对比度并具有抗冲击性的有机发光显示设备。
背景技术
近来，显示设备已日趋被可移动的薄型平板显示设备所替代。在各种平板显示设备中，由于有机和无机有机发光显示设备是发射型的设备且具有宽视角、高对比度、及较短的响应时间的优点，有机和无机有机发光显示设备被期待作为下一代的显示设备。具有由有机材料构成的发光层的有机发光显示设备具有优于无机发光显示设备的特征，如高亮度、低驱动电压、短响应间，且同样可以是多色彩的。
形成的平板显示设备轻而薄，以便使其便携并能在户外使用。当在户外使用平板显示设备时，由于阳光的反射，平板显示设备的对比度和可见度会降低。特别对于有机发光显示设备，在有机发光显示设备的金属反射薄膜上的阳光的反射极为严重。
同样，有机发光显示设备的外表面受外部冲击而破坏的可能性也很高。
发明内容
本发明提供了一种增强了对比度与抗冲击性的有机发光显示设备。
根据本发明的一个方面，提供了一种有机发光显示设备，包括：基板；配置在基板上用于显示图像的有机发光装置；形成在有机发光显示装置上的密封部件；形成于面向外面的密封部件的上表面上的半透明薄膜，用于透射一部分外部光并反射另一部分外部光；形成在半透明薄膜上的钝化薄膜，通过覆盖半透明薄膜来保护该半透明薄膜；以及形成于密封部件与有机发光装置间的用于增加对比度的透射黑层，其中，半透明薄膜的折射率大于钝化薄膜的折射率。
传输黑层可以由石墨或金刚石之类的碳质(DLC)构成。
钝化薄膜可以由热固性性树脂构成，而且钝化薄膜可由聚氨酯丙烯酸酯(urethane acrylate)或环氧树脂构成。
半透明薄膜的光学透射率可以为40％至80％。
半透明薄膜的折射率可以为1.5至5.0。
半透明薄膜可以由金属胶体构成。
半透明薄膜可以包含银、金或钛。
根据本本发明的另一方面，提供一种有机发光显示设备包括：基板；配置在基板上的用于显示图像的有机发光装置；形成在有机发光设备上的密封部件；形成于面向外面的密封部件的上表面的半透明薄膜，用于透射一部分外部光并反射另一部分的外部光；形成在半透明薄膜上的钝化薄膜，该钝化薄膜通过覆盖半透明薄膜来保护该半透明薄膜；以及形成在与有机放光装置的非显示区域对应的区域中的黑矩阵层；以及形成于密封部件与有机发光装置间的用于增加对比度的透射黑层，其中，半透明薄膜的折射率大于钝化薄膜的折射率。
根据本发明的另一方面，提供一种有机发光显示设备包括：基板；有机发光装置，该有机发光装置形成在基板上，并包含：第1电极、第2电极、以及形成在第1电极与第2电极间的有机发光层；绝缘薄膜，该绝缘薄膜形成在第1电极上且包含一个使第1电极露出的开口；密封有机发光装置的密封部件；形成于面向外面的密封部件的上表面上的半透明薄膜，用于透射一部分外部光并反射另一部分外部光；形成在半透明薄膜上的钝化薄膜，通过覆盖半透明薄膜来保护该半透明薄膜；以及形成于密封部件与有机发光装置间的用于增加对比度的透射黑层，其中，有机发光层和第2电极被相继形成在透过绝缘层限定的开口露出的第1电极上，半透明薄膜的折射率大于钝化薄膜的折射率，而且，绝缘薄膜为深黑色。
根据本发明的另一方面，提供了一种有机发光显示设备包括：基板；形成在基板上的有机发光装置，包含：第1电极、第2电极、以及形成在第1电极与第2电极间的有机发光层；形成在第1电极上且包含一个使第1电极露出的开口的绝缘薄膜；密封有机发光显示装置的密封部件；形成于面向外面的密封部件的上表面上的半透明薄膜，用于透射一部分外部光并反射另一部分的外部光；形成在半透明薄膜上的钝化薄膜，该钝化薄膜通过覆盖半透明薄膜来保护该半透明薄膜；以及形成在与有机放光装置的非显示区域对应的区域中的黑矩阵层；以及形成于密封部件与有机发光装置间的用于增加对比度的透射黑层，其中，有机发光层和第2电极相继形成在通过开口露出的第1电极上，半透明薄膜的折射率大于钝化薄膜的折射率，而且，绝缘薄膜为深黑色。
附图说明
本发明的上述及其它优点和技术特征在通过参考附图详细描述示范性实施例后会变得明显。
图1是表示根据本发明一实施例的有机发光显示设备的示意剖视图。
图2至图4是表示根据本发明一实施例对图1的有机发光显示设备的修改形式的示意剖视图。
图5是表示本发明另一实施例的有机发光显示设备的示意剖视图。
具体实施方式
以下根据表示本发明示范性实施例的附图对本发明进行更充分的描述。
图1是表示根据本发明一实施例的有机发光显示设备的示意剖视图。有机发光显示设备主要分为有源矩阵型(AM)有机发光显示设备和无源矩阵型(PM)有机发光显示设备。图1所示的有机发光显示设备是有源矩阵型有机发光显示设备，然而本发明并不限定于有源矩阵型有机发光显示设备，而同样可以是无源矩阵型有机发光显示设备。
如图1所示，根据本发明一实施例的有机发光显示设备包括：基板10、有机发光装置30、密封部件50、半透明薄膜51、钝化薄膜52、透射黑层21、以及黑矩阵层22。
基板10可由以SiO2作为主要成份的透明玻璃材料构成，然而，基板10并不限定于此。即基板10可由透明塑料材料构成。在底部发射型有机发光显示设备中，图像是通过基板10显示的，基板10必须由透明材料构成。然而，如图1所示，在顶部发射型有机发光显示设备中，图像是通过密封部件50显示的，基板10不必由透明材料形成。
缓冲层11可以形成于基板10的上表面，用以保证基板10的平整性并防止杂质渗入有机发光显示设备。缓冲层11可由SiO2和SiNx中的至少一种构成。
薄膜晶体管(TFT)形成于基板10的上表面上。每个象素中至少形成一个薄膜晶体管，且该薄膜晶体管与有机发光装置30电连接。
详细说来，具有预定图案的半导体层12形成在缓冲层11上。半导体层12可由非结晶硅或多晶硅的有机或无机半导体构成，且包括源区、漏区及沟道区。
栅极绝缘膜13由SiO2或SiNx形成于半导体层12和缓冲层11的上表面，栅极14形成于栅极绝缘膜13的上表面的预定区域内。栅极14与栅极连线(未图示)相连来向薄膜晶体管提供开/关信号。
夹层绝缘层15形成在栅极14上，且源极16和漏极17通过接触孔分别与半导体层12的源区和漏区连接。薄膜晶体管受钝化薄膜18的保护，该钝化薄膜18可以是有机绝缘薄膜和无机绝缘薄膜中的至少一种。无机绝缘薄膜可由SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST，或PZT形成。有机绝缘薄膜可由普通的多用途聚合物形成，所述多用途聚合物例如：聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯、具有苯酚基的聚合物衍生物、丙烯酰基聚合物(acryl polymer)、酰亚胺聚合物、芳基酯聚合物、酰胺聚合物、氟化物聚合物、p-gilyrene聚合物、乙烯醇聚合物，或者这些聚合物的混合物。钝化薄膜18可以形成无机绝缘薄膜和有机绝缘薄膜的合成堆。
作用为有机发光装置30的正电极的第1电极31形成在钝化薄膜18上，且覆盖第一电极31的像素定义层36由绝缘材料构成。在像素定义层36中形成预定开口以后，有机发光装置30的有机发光层32形成在由开口限定的区域中。然后，形成作用为有机发光装置30的负电极的第2电极33以覆盖整个像素。第1电极31和第2电极33的极性是可颠倒的。
有机发光装置30根据电流通过发光来显示图像，且包括：第1电极31、有机发光层32及第2电极33，该第1电极31通过接触孔与薄膜晶体管的漏极17电连接。
第1电极31可利用光刻法以预定图形形成。在无源矩阵型有机发光显示设备中，第1电极31的图形可成形为分开预定距离的长条形状，而在有源矩阵型有机发光显示设备中，第1电极31的图形可形成为与像素的形状对应的形状。第2电极33配置在第1电极31的上方，且可通过与外部终端(未图示)连接来用作负电极。在无源矩阵型有机发光显示设备中，第2电极33可形成为跨越第1电极31的图形的长条形状，且在有源矩阵型有机发光显示设备中，第2电极33可形成在显示有图像的整个区域中。第1电极31和第2电极33的极性是可颠倒的。在图像通过基板10来显示的底部发射型有机发光显示设备中，第1电极31是透明电极，而第2电极33可以是反射电极。第1电极31可以由具有高功函数(work function)的材料构成，例如，ITO、IZO、ZnO或In2O3，而第2电极33可以由具有低功函数的金属构成，例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li或Ca。
在图像通过第2电极33来显示的顶部发射型有机发光显示设备中，第1电极31可以是反射电极，而第2电极33可以是透明电极。此时，作为第1电极31的反射电极使用具有高功函数的材料如ITO、IZO、ZnO或In2O3形成在反射薄膜上。反射薄膜由如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或这些金属的化合物构成。用作第2电极33的透明电极可通过淀积具有低功函数的金属如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或这些金属的化合物并通过在其金属淀积物上采用透明导电材料如ITO、IZO、ZnO或In2O3形成辅助电极层或电极总线来形成。
 在双边发射型有机发光显示设备中，第1和第2电极31、33可以形成为透明电极。
夹在第1电极31与第2电极33间的有机发光层32根据第1电极31与第2电极33的电驱动来发光。有机发光层32可以由低分子量有机材料或聚合有机材料构成。在有机发光层32由低分子量有机材料构成时，空穴传输层(HTL)和空穴注入层(HIL)从有机发光层32向第1电极31的方向层叠，而电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)从有机发光层32向第2电极33的方向层叠。除上述层以外，可根据需要层叠其它各层。有机发光层32的低分子量有机材料可以是包含铜酞菁(CuPc)、氮、N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基-联苯胺以及三-8-羟基喹啉铝(Alq3)的各种材料。
在有机发光层32由聚合有机材料构成时，仅空穴传输层可从有机发光层32向第1电极31的方向形成。聚合空穴传输层可通过喷墨打印或旋涂法用聚-(2，4)-亚乙基-二羟基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)形成在第1电极31上。聚合有机发光层32可由聚苯乙炔(poly-phenylenevinylene，PPV)、可溶性PPV、氰基-PPV、或聚芴来构成，且用喷墨打印法、旋涂法或使用激光的热量转录(thermal transcribing)法等常规方法来形成彩色图案。
对有机发光装置30进行密封的密封部件50形成在有机发光装置30上。密封部件50防止有机发光装置30接触到外界的湿气或氧气。在图1所示的顶部发射型有机发光显示设备中，密封部件50由透明材料构成。为此，可使顶部发射型有机发光显示设备形成为由例如玻璃基板、塑料基板或有机和无机材料层叠而成的多层结构。
透射一部分外部光并反射另一部分的外部光的半透明薄膜51形成于面向外面的密封部件50的上表面上。所形成的半透明薄膜51的反射率可以为1.5至5。半透明薄膜51可采用金属例如银、金或者钛形成为金属胶体。半透明薄膜51可以在用旋涂、浸涂或者阻挡涂覆(bar coating)等方法涂覆了金属胶体后采用退火处理而容易地成形。半透明薄膜51可以通过控制半透明薄膜51的厚度或者控制金属胶体形成时的工艺条件而具有40％到80％的光学透射率。所形成的半透明薄膜51可以具有10nm到10μm的厚度。若半透明薄膜51的厚度过厚，则半透明薄膜51的光学透射率会降低，从而导致有机发光装置30发出的光的光学效率降低。因此，所形成的半透明薄膜51的厚度小于10um。若半透明薄膜51的厚度过薄，则半透明薄膜51的光学透射率会过度增加。这样，外部光会透过半透明薄膜51，结果被反射电极反射的外部光的量会增加。
钝化薄膜52形成在半透明薄膜51上。所形成的钝化薄膜52的折射率小于半透明薄膜51的折射率。所形成的钝化薄膜52由具有高抗冲击性的热固性树脂构成，例如聚氨酯丙烯酸酯(urethane acrylate)或环氧树脂。因此，钝化薄膜52是透明的。具体说来，钝化薄膜52可以在通过旋涂、浸涂或阻挡涂覆来涂覆薄膜后通过利用退火或紫外线的硬化工艺来形成。形成的钝化薄膜52的厚度可以是10nm至30μm。形成的钝化薄膜52的厚度可以是10nm或以上以抵抗冲击。然而，若其厚度过厚，则有机发光显示设备的整体厚度会增大。因此，形成的钝化薄膜52的厚度为30μm或以下。
钝化薄膜52由具有高抗冲击性并能保护薄半透明薄膜5 1不受外部冲击的热固性树脂构成。
根据本实施例的有机发光显示设备具有其中的半透明薄膜51和钝化层薄膜52形成为重叠于密封部件50上的结构，而半透明薄膜51的折射率大于钝化薄膜52的折射率从而防止外部光在钝化薄膜52表面上反射。即，半透明薄膜51和钝化薄膜52的结合可以用作传统的圆偏光镜(circular polarizer)。尤其，通过组合具有光学透射率为40％至80％的半透明薄膜51和由透明材料形成的钝化薄膜52，根据本实施例的有机发光显示设备的光学透射率很容易与传统圆偏光镜匹配。
透射黑层21形成于密封部件50和有机发光装置30之间。参考图1，透射黑层21形成于面对有机发光装置30的密封部件50的表面上。使用溅射法或者化学气相淀积(CVD)法，透射黑层21在250℃或以下的温度下由石墨或金刚石等碳质(DLC)构成，用于防止透射黑层21和有机发光装置30的劣化。
透射黑层21增加了有机发光显示设备的对比度。为了增加有机发光显示设备的对比度，透射黑层21必须具有合适的光学透射率。低的光学透射率有助于增加有机发光显示设备的对比度。而低的光学透射率减小了有机发光装置30所产生的光的萃取率(extraction rate)。尤其，还必须考虑半透明薄膜51和钝化薄膜52的光学透射率。形成的透射黑层21具有35％到80％的光学透射率，因此即使同时使用透射黑层21、半透明薄膜51和钝化薄膜52时，根据本实施例的有机发光显示设备的光学透射率能够被控制为40％到60％。也就是说，根据本实施例的有机发光显示设备能够防止外部光反射，并且能够增加对比度，同时维持大约40％的光学透射率(其为传统的圆偏光镜的光学透射率)，甚至当同时使用了透射黑层21、半透明薄膜51和钝化薄膜52时得到更高的光学透射率。透射黑层21可以包含5％到35％的氢，从而由石墨或者DLC形成的透射黑层21可以具有期望的光学透射率。
有机发光显示设备期望的光学透射率可以通过控制透射黑层21的厚度来获得。因而，为了增加有机发光显示设备的光学透射率，增加透射黑层21的厚度，并且为了减小有机发光显示设备的光学透射率，减小透射黑层21的厚度。通过形成厚度为5nm至70nm的透射黑层21可以得到具有期望的光学透射率的透射黑层21。
根据本实施例，通过考虑采用半透明薄膜51、钝化薄膜52以及有机发光显示设备的条件，可以形成具有合适厚度的透射黑层21。
由于透射黑层21的构成，能够更进一步增加根据本实施例的有机发光显示设备的对比度。
透射黑层21上可以形成黑矩阵层22。在黑矩阵层22上形成图案，以在有机发光装置30的非显示区域上进行淀积。有机发光装置30的显示区域就是有机发光层32所在的区域，而有机发光装置30的非显示区域是有机发光层32不存在的其余区域。黑矩阵层22可以由具有深黑色的石墨或者铬形成以吸收外部光，然而，黑矩阵层22也可以由能够吸收外部光的任何材料形成。
根据本实施例的有机发光显示设备包含半透明薄膜51和钝化薄膜52，钝化薄膜52的折射率小于半透明薄膜51并且在密封部件50上具有高抗冲击性。因而具体说来，可以减小基板10的界面处的外部光反射，并且可以保护有机发光显示设备的外表面不受外部冲击。
同样，透射黑层21形成于有机发光装置30与密封部件50之间，用于控制有机发光显示设备的光学透射率，从而增加有机发光显示设备的对比度。通过在有机发光装置30的非显示区域中形成黑矩阵层22，可以进一步增加有机发光显示设备的对比度。
根据本发明的其他实施例，图2到图4示意示出图1中有机发光显示设备的修改形式。下文中，将主要描述与图1所示有机发光显示设备的不同点。与图1中元件基本相同的元件用相同的标号来表示。
如图2所示，根据本实施例的有机发光显示设备包括基板10、有机发光装置30、密封部件50、半透明薄膜51、钝化薄膜52、透射黑层41以及黑矩阵层42。透射黑层41形成在面向有机发光装置30的密封部件50的表面上。黑矩阵层42形成在第二电极33上。其他结构与图1所示的有机发光装置一样，因此，其详细描述就不再重复。
如图3所示，根据本实施例的有机发光显示设备包含基板10、有机发光装置30、密封部件50、半透明薄膜51、钝化薄膜52、透射黑层61以及黑矩阵层62。黑矩阵层62和透射黑层61依次形成在面向有机发光装置30的密封部件50的表面上。详细而言，黑矩阵层62形成在密封部件50与透射黑层61之间。
如图4所示，根据本实施例的有机发光显示设备包含基板10、有机发光装置30、密封部件50、半透明薄膜51、钝化薄膜52、透射黑层71以及黑矩阵层72。透射黑层71形成在有机发光装置30的第二电极33上。经图形处理的黑矩阵层72形成在透射黑层71上。
图5示意示出根据本发明另一实施例的有机发光显示设备的截面图。下文中将主要描述图5中有机发光显示设备与图1中有机发光显示设备的区别。与图1中元件基本相同的元件用相同的标号来表示。
如图5所示，根据本实施例的有机发光显示设备包含基板10、有机发光装置30、密封部件50、半透明薄膜51、钝化薄膜52、像素限定薄膜46、透射黑层21以及黑矩阵层22。
用作有机发光装置30正电极的第一电极31形成在钝化薄膜18上，并且用绝缘材料形成覆盖钝化薄膜18的像素限定层46。在像素限定层46上形成预定开口之后，在开口限定的区域中形成有机发光装置30的有机发光层32。然后，形成用作有机发光装置30的负电极的第二电极33，以覆盖全部像素。第一电极31和第二电极32的极性可以翻转。所形成的像素限定层46可以与绝缘层一样具有深黑色，并且这时，可以使外部光的反射最小，从而增加有机发光显示设备的对比度。
也可以如将图1中的有机发光显示设备修改成如图2至图4那样，来修改图5中的有机发光显示设备。
根据本发明的有机发光显示设备提高了对比度。
尽管上文中参考示范性实施例示出了本发明并对其进行了描述，然而，本领域的技术人员应该理解，在不背离权利要求书所定义的范围内，可以对上文中实施例的形式和细节作各种变更。

Claims (11)

1.一种有机发光显示设备，其特征在于，包括：
基板；
配置在所述基板上用于显示图像的有机发光装置；
形成在所述有机发光装置上的密封部件；
形成于面向外面的所述密封部件的上表面上的半透明薄膜，用于透射一部分外部光并反射另一部分外部光；
形成在所述半透明薄膜上的钝化薄膜，用于通过覆盖所述半透明薄膜来保护所述半透明薄膜；以及
形成于所述密封部件与所述有机发光装置之间的用于增加对比度的透射黑层，
其中，所述半透明薄膜的折射率大于所述钝化薄膜的折射率。
2.一种有机发光显示设备，其特征在于，包括：
基板；
配置在所述基板上用于显示图像的有机发光装置；
形成在所述所述有机发光装置上的密封部件；
形成于面向外面的所述密封部件的上表面上的半透明薄膜，用于透射一部分外部光并反射另一部分外部光；
形成在所述半透明薄膜上的钝化薄膜，用于通过覆盖所述半透明薄膜来保护所述半透明薄膜；以及
形成在与所述有机放光装置的非显示区域对应的区域中的黑矩阵层；以及
形成于所述密封部件与所述有机发光装置之间用于增加对比度的透射黑层，其中，所述半透明薄膜的折射率大于所述钝化薄膜的折射率。
3.一种有机发光显示设备，其特征在于，包括：
基板；
形成在所述基板上的有机发光装置，包含：第1电极、第2电极以及形成在所述第1电极与所述第2电极之间的有机发光层；
形成在所述第1电极上绝缘薄膜，包含一个使所述第1电极露出的开口；
密封所述有机发光装置的密封部件；
形成于面向外面的所述密封部件的上表面上的半透明薄膜，用于透射一部分外部光并反射另一部分外部光；
形成在所述半透明薄膜上的钝化薄膜，用以通过覆盖所述半透明薄膜来保护所述半透明薄膜；以及
形成于所述密封部件与有机发光装置之间用于增加对比度的透射黑层，
其中，所述有机发光层和第2电极被相继地形成在通过绝缘薄膜限定的开口而露出的所述第1电极上，
所述半透明薄膜的折射率大于所述钝化薄膜的折射率，而且
所述绝缘薄膜为深黑色。
4.一种有机发光显示设备，其特征在于，包括：
基板；
形成在所述基板上的有机发光装置，包含：第1电极、第2电极以及形成在所述第1电极与第2电极之间的有机发光层；
形成在所述第1电极上的绝缘薄膜，包含一个使所述第1电极露出的开口；
密封所述有机发光装置的密封部件；
形成于面向外面的所述密封部件的上表面上的半透明薄膜用于透射一部分外部光并反射另一部分外部光；
形成在所述半透明薄膜上的钝化薄膜，用以通过覆盖所述半透明薄膜来保护所述半透明薄膜；以及
形成在与所述有机放光装置的非显示区域对应的区域中的黑矩阵层；
形成于所述密封部件与有机发光装置之间用于增加对比度的透射黑层，
其中，所述有机发光层和第2电极被相继地形成在通过所述绝缘薄膜限定的开口而露出的所述第1电极上，
所述半透明薄膜的折射率大于所述钝化薄膜的折射率，而且
所述绝缘薄膜为深黑色。
5.如权利要求1至4中任一项所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述透射黑层由石墨或金刚石之类的碳质(DLC)来构成。
6.如权利要求1至4中任一项所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述钝化薄膜由热固性树脂构成。
7.如权利要求6所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述钝化薄膜由聚氨酯丙烯酸酯(urethane acrylate)或环氧树脂构成。
8.如权利要求1至4中任一项所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述半透明薄膜的光学透射率为40％至80％。
9.如权利要求1至4中任一项所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述半透明薄膜的折射率为1.5至5.0。
10.如权利要求1至4中任一项所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述半透明薄膜由金属胶体构成。
11.如权利要求1至4中任一项所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述半透明薄膜包含银、金或钛。
CN2007101941619A 2006-12-06 2007-12-06 有机发光显示设备 Active CN101197390B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2006-0123371 2006-12-06
KR1020060123371A KR100829750B1 (ko) 2006-12-06 2006-12-06 유기 발광 표시 장치
KR1020060123371 2006-12-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101197390A true CN101197390A (zh) 2008-06-11
CN101197390B CN101197390B (zh) 2012-02-08

Family

ID=39266439

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007101941619A Active CN101197390B (zh) 2006-12-06 2007-12-06 有机发光显示设备

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8022616B2 (zh)
EP (1) EP1930968B1 (zh)
JP (1) JP4558763B2 (zh)
KR (1) KR100829750B1 (zh)
CN (1) CN101197390B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103258840A (zh) * 2008-07-21 2013-08-21 三星显示有限公司 显示面板及制造具有触摸感应界面的显示面板的方法
TWI582983B (zh) * 2012-12-27 2017-05-11 大日本印刷股份有限公司 彩色濾光片形成基板及有機ｅｌ顯示裝置
CN107799551A (zh) * 2016-09-01 2018-03-13 株式会社日本显示器 显示装置
CN111755490A (zh) * 2020-06-22 2020-10-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
CN112242418A (zh) * 2019-07-19 2021-01-19 乐金显示有限公司 发光显示装置
CN112912948A (zh) * 2018-12-05 2021-06-04 凸版印刷株式会社 黑色矩阵基板及具备黑色矩阵基板的显示装置

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008234922A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置、ラインヘッド、及び電子機器
KR101041145B1 (ko) * 2008-07-09 2011-06-13 삼성모바일디스플레이주식회사 폴리실세스퀴옥산 공중합체, 그의 제조방법, 이를 이용하는폴리실세스퀴옥산 공중합체 박막, 및 이를 이용하는유기전계발광표시장치
US8629842B2 (en) 2008-07-11 2014-01-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US8928597B2 (en) 2008-07-11 2015-01-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US8058783B2 (en) * 2008-07-25 2011-11-15 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display for suppressing reflection of external light
JP5470813B2 (ja) * 2008-11-20 2014-04-16 ソニー株式会社 反射板、表示装置およびその製造方法
KR100965250B1 (ko) * 2008-12-10 2010-06-22 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR100989135B1 (ko) * 2009-01-07 2010-10-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101058106B1 (ko) 2009-08-06 2011-08-24 삼성모바일디스플레이주식회사 표시 장치
KR101097330B1 (ko) * 2010-01-19 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 제조 하는 방법
KR101135539B1 (ko) 2010-03-05 2012-04-13 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
US8427747B2 (en) 2010-04-22 2013-04-23 3M Innovative Properties Company OLED light extraction films laminated onto glass substrates
JP6163736B2 (ja) * 2012-07-13 2017-07-19 大日本印刷株式会社 カラーフィルタ形成基板および有機ｅｌ表示装置
KR101954220B1 (ko) 2012-09-14 2019-03-06 삼성디스플레이 주식회사 박막 봉지 유닛, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102082780B1 (ko) * 2013-01-10 2020-03-02 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
JP6236793B2 (ja) * 2013-02-08 2017-11-29 大日本印刷株式会社 カラーフィルタ形成基板とカラーフィルタ形成基板の製造方法、および有機ｅｌ表示装置
KR102141558B1 (ko) * 2013-12-24 2020-08-05 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR102282997B1 (ko) 2014-09-05 2021-07-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102299189B1 (ko) * 2014-12-09 2021-09-08 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법
JP2017212384A (ja) 2016-05-27 2017-11-30 ソニー株式会社 発光素子及び表示装置
KR102508750B1 (ko) * 2017-11-30 2023-03-13 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
KR102643070B1 (ko) 2018-12-07 2024-02-29 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5173800A (en) * 1975-12-29 1992-12-22 King William J Light control with color enhancement
DE2915847C2 (de) * 1978-09-29 1986-01-16 Nitto Electric Industrial Co., Ltd., Ibaraki, Osaka Elektrooptisch aktivierbare Anzeige
JP3551475B2 (ja) * 1994-06-25 2004-08-04 凸版印刷株式会社 薄膜型ｅｌ素子
JP3278611B2 (ja) * 1998-05-18 2002-04-30 日本電気株式会社 有機ｅｌ素子の封止方法
JP2000040591A (ja) * 1998-07-21 2000-02-08 Sony Corp 有機電界発光素子
JP2000172198A (ja) * 1998-12-01 2000-06-23 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2000173347A (ja) * 1998-12-02 2000-06-23 Mikuni Color Ltd 透明導電膜用組成物
JP2001230072A (ja) * 2000-02-18 2001-08-24 Denso Corp 有機ｅｌ表示装置
US6515310B2 (en) * 2000-05-06 2003-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electric apparatus
US6956324B2 (en) * 2000-08-04 2005-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
JP2002055203A (ja) * 2000-08-11 2002-02-20 Fuji Photo Film Co Ltd 透明導電性反射防止フイルム及びそれを用いた表示装置
JP2002071905A (ja) * 2000-09-04 2002-03-12 Fuji Photo Film Co Ltd 反射防止透明導電性積層フィルム
JP4255643B2 (ja) * 2001-02-21 2009-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
KR100437765B1 (ko) * 2001-06-15 2004-06-26 엘지전자 주식회사 고온용 기판을 이용한 박막트랜지스터 제조방법과 이를 이용한 표시장치의 제조방법
TW546857B (en) * 2001-07-03 2003-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
KR20030010334A (ko) * 2001-07-26 2003-02-05 석경영 상가 정보지를 이용한 제휴카드 판촉방법 및 시스템
JP3724725B2 (ja) 2001-11-01 2005-12-07 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
US7098069B2 (en) * 2002-01-24 2006-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of preparing the same and device for fabricating the same
JP2003303679A (ja) * 2002-04-09 2003-10-24 Canon Inc 有機発光素子パッケージ
JP2004140267A (ja) * 2002-10-18 2004-05-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP4526776B2 (ja) * 2003-04-02 2010-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
TW591567B (en) * 2003-06-10 2004-06-11 Ritdisplay Corp Full color display panel with mirror function
KR20050034126A (ko) * 2003-10-08 2005-04-14 주식회사 엘리아테크 적층 보호막을 갖는 유기 이엘 소자
JP2005293946A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Sanyo Electric Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
TWI367686B (en) 2004-04-07 2012-07-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device, electronic device, and television device
KR100577693B1 (ko) * 2004-05-20 2006-05-10 광주과학기술원 콜로이드 다중 입자층 구조를 이용한 반사 방지막과 이의제조방법
EP2329902A1 (en) 2004-06-25 2011-06-08 Mitsubishi Materials Corporation Metal colloid particles, metal colloid and use of the colloid
US8013809B2 (en) * 2004-06-29 2011-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of the same, and electronic apparatus
JP4239983B2 (ja) 2004-07-13 2009-03-18 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置
JP4541184B2 (ja) * 2005-02-28 2010-09-08 株式会社クラレ 難燃性熱可塑性重合体組成物
GB0510721D0 (en) 2005-05-25 2005-06-29 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent device
TWI299239B (en) * 2005-11-10 2008-07-21 Au Optronics Corp Organic light emitting display
US20070116934A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Miller Scott M Antireflective surfaces, methods of manufacture thereof and articles comprising the same

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103258840A (zh) * 2008-07-21 2013-08-21 三星显示有限公司 显示面板及制造具有触摸感应界面的显示面板的方法
CN103258840B (zh) * 2008-07-21 2016-05-04 三星显示有限公司 显示面板及制造具有触摸感应界面的显示面板的方法
US9772709B2 (en) 2008-07-21 2017-09-26 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
TWI582983B (zh) * 2012-12-27 2017-05-11 大日本印刷股份有限公司 彩色濾光片形成基板及有機ｅｌ顯示裝置
CN104884980B (zh) * 2012-12-27 2017-06-06 大日本印刷株式会社 彩色滤光片形成基板及有机el显示装置
US9673263B2 (en) 2012-12-27 2017-06-06 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Color filter forming substrate and organic EL display device
CN107799551A (zh) * 2016-09-01 2018-03-13 株式会社日本显示器 显示装置
CN107799551B (zh) * 2016-09-01 2021-09-07 株式会社日本显示器 显示装置
CN112912948A (zh) * 2018-12-05 2021-06-04 凸版印刷株式会社 黑色矩阵基板及具备黑色矩阵基板的显示装置
CN112912948B (zh) * 2018-12-05 2023-06-02 凸版印刷株式会社 黑色矩阵基板及具备黑色矩阵基板的显示装置
CN112242418A (zh) * 2019-07-19 2021-01-19 乐金显示有限公司 发光显示装置
CN111755490A (zh) * 2020-06-22 2020-10-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
WO2021258456A1 (zh) * 2020-06-22 2021-12-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
CN111755490B (zh) * 2020-06-22 2022-07-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
US8022616B2 (en) 2011-09-20
EP1930968B1 (en) 2016-04-27
KR100829750B1 (ko) 2008-05-15
US20080138657A1 (en) 2008-06-12
EP1930968A3 (en) 2011-06-01
CN101197390B (zh) 2012-02-08
JP4558763B2 (ja) 2010-10-06
JP2008147161A (ja) 2008-06-26
EP1930968A2 (en) 2008-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101197390B (zh) 有机发光显示设备
CN101106181B (zh) 有机发光器件
CN107221549B (zh) 显示设备
CN101257747B (zh) 有机发光显示装置
CN104576684B (zh) 有机发光显示器及其制造方法
EP1965233B1 (en) Polarizer and flat panel display apparatus including the same
US20100238547A1 (en) Retardation layer and organic light-emitting device including the same
US9496510B2 (en) Flexible substrate, method of manufacturing the same, and organic light emitting diode display
KR20100107313A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20120035040A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US7868527B2 (en) Polarizer, method of manufacturing the same, and flat panel display device including the polarizer
KR100932933B1 (ko) 편광자 및 그를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR100846599B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US7911136B2 (en) Polarizer and organic light emitting display apparatus including the same
KR100838068B1 (ko) 편광자 및 그를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR100777747B1 (ko) 편광자 및 그를 포함하는 유기 발광 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20090206

Address after: Gyeonggi Do Korea Suwon

Applicant after: Samsung Mobile Display Co., Ltd.

Address before: Gyeonggi Do Korea Suwon

Applicant before: Samsung SDI Co., Ltd.

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG SDI CO., LTD.

Effective date: 20090206

C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD.

Effective date: 20121108

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20121108

Address after: South Korea Gyeonggi Do Yongin

Patentee after: Samsung Display Co., Ltd.

Address before: Gyeonggi Do Korea Suwon

Patentee before: Samsung Mobile Display Co., Ltd.