CN101192495A - 等离子体显示器的后板结构 - Google Patents
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Abstract
一种等离子体显示器的后板结构,横向阻隔壁与纵向阻隔壁交错形成晶格状的放电晶胞,横向阻隔壁或纵向阻隔壁具有朝向放电晶胞的突出部使荧光体填入时空气从其两侧排出,改善荧光体印刷过程中由气泡造成的放电晶胞底部荧光物质厚度不均的现象,并可增加荧光物质的堆积密度以增加放电空间,进而解决面板闪点的问题,提升等离子体显示器的工艺合格率与发光效率;而且,横向阻隔壁与纵向阻隔壁可进一步设计成具有高度差以改善荧光体填入时的抽气效率。
Description
【技术领域】
本发明是关于一种等离子体显示器后板的阻隔壁结构,特别是一种具有突出部的阻隔壁结构。
【背景技术】
近年来,各类型的平面显示技术皆蓬勃发展,例如液晶显示器(Liquid CrystalDisplay,LCD)、场发射显示器(Field Emission Display,FED)、及等离子体显示器(Plasma Display Panel,PDP)等。在平面显示器(Flat Panel Display,FPD)中,PDP具有结构较为简单、容易制作大尺寸萤幕、寿命长、大于160°的超广视角、以及整体外型轻薄不占空间等优点,所以广泛应用于各种大尺寸的显示装置,例如大尺寸的FPD电视。
PDP的基本原理是施加电场于氖(Ne),氦(He),氙(Xe)等惰性气体(inert gas),使其产生放电现象并发出紫外光,彩色荧光物质(phosphor material)受紫外光激发后再发出可见光。
PDP的显示区域是由多个像素(image cell)所组成,新一代的PDP通常是由横向阻隔壁(barrier rib)与纵向阻隔壁互相交错形成晶格状(lattice-like)的放电晶胞(discharge cell),请参考先前技术的图1A至图1C,图1A是部分放电晶胞的上视示意图,图1B是单一放电晶胞的上视示意图,图1C是单一放电晶胞的立体示意图,每一放电晶胞12系为两相邻的纵向阻隔壁14与两相邻的横向阻隔壁16所交错包围的空间。
通常,荧光物质会涂布在放电晶胞的底面及包围每一放电晶胞12的阻隔壁的侧面以增加涂布面积并进而提升PDP的发光效率;荧光物质的涂布是采用与放电晶胞相对应的网板进行对位印刷,图1D是先前技术的填入荧光体墨浆(phosphor paste)于放电晶胞的示意图,多个电极20平行设置于玻璃基板18上,一介电层(DielectricLayer)22设置于玻璃基板18上且覆盖电极20,多个横向阻隔壁16设置于该介电层22上,两相邻的横向阻隔壁16之间的空间为放电晶胞12,一刮刀28把荧光体墨浆(phosphor paste)26透过一格子状网板24的网孔填入放电晶胞12,但在此荧光体墨浆26的印刷过程中容易包入气泡32,因此荧光体墨浆26的溶剂在受热挥发后,荧光物质会产生膜厚不均的现象,如图1E所示,放电晶胞12内的荧光物质34的膜厚不均,甚至放电晶胞12的底面具有空洞36,所以此像素的发光效率不良,甚至会产生面板闪点的问题。
【发明内容】
为了解决先前技术的等离子体显示器在荧光体印刷过程中由气泡造成的放电晶胞底部荧光物质厚度不均的问题,本发明的目的之一是提供一种具有突出部的阻隔壁结构,突出部使荧光体填入时空气可从其两侧排出,荧光物质即可均匀涂布在放电晶胞的底面及包围放电晶胞的阻隔壁的侧面。
为了解决先前技术的等离子体显示器发光效率不良,甚至会产生面板闪点的问题,本发明的目的之一是提供一种具有突出部的阻隔壁结构以消除面板闪点并提升发光效率。
本发明的目的之一是提供一种等离子体显示器后板的具有突出部的阻隔壁结构以增加放电晶胞的荧光物质堆积密度,进而增加放电晶胞的放电空间。
本发明的目的之一是提供一种等离子体显示器后板的具有突出部的阻隔壁结构,而且横向阻隔壁与纵向阻隔壁具有高度差以改善荧光体填入时的抽气效率。
因此,本发明的等离子体显示器后板的具有突出部的阻隔壁结构能改善放电晶胞的荧光物质厚度不均的现象,并可增加荧光物质的堆积密度以增加放电空间,进而解决面板闪点的问题,提升等离子体显示器的工艺合格率与发光效率。
为了达到上述目的,本发明之一实施例提供一种等离子体显示器后板结构,包括:一基板;多个电极平行设置于该基板上;一介电层设置于基板上且覆盖所述电极;多个横向阻隔壁设置于介电层上;多个纵向阻隔壁设置于介电层上;其中,横向阻隔壁与纵向阻隔壁系交错形成晶格状的多个放电晶胞,其中,每一放电晶胞系为两相邻的横向阻隔壁与两相邻的纵向阻隔壁所交错包围的空间且其底面为介电层表面,且两相邻的横向阻隔壁与两相邻的纵向阻隔壁其中的至少任一具有一突出部朝向每一放电晶胞;及一荧光物质涂布于放电晶胞的底面、朝向放电晶胞的横向阻隔壁的侧面、与朝向放电晶胞的纵向阻隔壁的侧面。
【附图说明】
图1A是先前技术的部分放电晶胞的上视示意图。
图1B是先前技术的单一放电晶胞的上视示意图。
图1C是先前技术的单一放电晶胞的立体示意图。
图1D是先前技术的填入荧光体墨浆于放电晶胞的示意图。
图1E是先前技术的荧光物质膜厚不均的示意图。
图2A是本发明一实施例的部分放电晶胞的上视示意图。
图2B是本发明一实施例的单一放电晶胞的上视示意图。
图2C是本发明一实施例的单一放电晶胞的立体示意图。
图2D是本发明一实施例的填入荧光体墨浆于放电晶胞的示意图。
图2E是本发明一实施例的荧光物质涂布的示意图。
图3是本发明一实施例的单一放电晶胞的上视示意图。
图4A是对照组的单一放电晶胞的裂片位置上视示意图。
图4B是对照组的单一放电晶胞沿着“a-a”’横向裂片线裂片的后的量测位置与尺寸的剖面示意图。
图4C是对照组的单一放电晶胞沿着“b-b”’纵向裂片线裂片的后的量测位置与尺寸的剖面示意图。
图4D是本发明一实施例的单一放电晶胞的裂片位置上视示意图。
图4E是本发明一实施例的单一放电晶胞42沿着图4D的“c-c”’横向裂片线的剖面示意图。
图4F是本发明一实施例的单一放电晶胞42沿着图4D的“d-d”’纵向裂片线的剖面示意图。
图4G是对照组的放电晶胞12沿着图4A的“b-b”’纵向裂片线的纵切面照片。
图4H是本发明一实施例的放电晶胞42沿着图4D的“d-d”’纵向裂片线的纵切面照片。
图5是本发明一实施例的单一放电晶胞的上视示意图。
图6是本发明一实施例的单一放电晶胞的上视示意图。
图7A是本发明一实施例的单一放电晶胞的立体示意图。
图7B是本发明一实施例的部分放电晶胞的立体照片。
【具体实施方式】
请参考本发明一实施例的图2A至图2C,图2A是部分放电晶胞的上视示意图,图2B是单一放电晶胞的上视示意图,图2C是单一放电晶胞的立体示意图,横向阻隔壁46与纵向阻隔壁44互相交错形成晶格状的放电晶胞42,每一放电晶胞42系为两相邻的纵向阻隔壁44与两相邻的横向阻隔壁46所交错包围的空间,在此实施例中,两相邻的横向阻隔壁46分别具有一突出部40朝向每一放电晶胞42,且突出部40的高度可以小于或等于横向阻隔壁46的高度,在此实施例中,突出部40的高度系小于横向阻隔壁46的高度,如图2C所示。
在此实施例中,荧光物质系涂布在放电晶胞的底面及包围放电晶胞的阻隔壁的侧面以增加涂布面积并进而提升PDP的发光效率,且本实施例的荧光物质涂布可采用与放电晶胞相对应的网板进行对位印刷,图2D是本发明一实施例的填入荧光体墨浆于放电晶胞的示意图,多个电极50平行设置于玻璃基板48上,一介电层(DielectricLayer)52设置于玻璃基板48上且覆盖电极50,多个横向阻隔壁46设置于该介电层52上,两相邻的横向阻隔壁46之间的空间为放电晶胞42,一刮刀58把荧光体墨浆56透过一格子状网板54的网孔填入放电晶胞42,因为网板54的网孔通常比放电晶胞42的开口小,所以荧光体墨浆56填入时会先碰到横向阻隔壁46的突出部40,而空气会从突出部40的两侧逸出,所以不会形成气泡,荧光体墨浆56的溶剂在受热挥发后会形成膜厚均匀的荧光物质,如图2E所示,荧光物质64均匀覆盖在横向阻隔壁46的侧面与突出部40的表面,而且也均匀覆盖在放电晶胞42的底面。
图3是本发明一实施例的单一放电晶胞的上视示意图,用以说明阻隔壁突出部的尺寸设计要求,在此实施例中,横向阻隔壁46的突出部40的型体系为梯形延伸体,梯形长边与横向阻隔壁相连,梯形短边与梯形长边相对且朝向放电晶胞42,突出部40的厚度G为梯形长边与梯形短边的之间的垂直距离,梯形长边的尺寸E为放电晶胞42的横向宽度W1的20%至50%,梯形短边的尺寸F为放电晶胞42的横向宽度W1的10%至30%,突出部40的厚度G为放电晶胞42的纵向宽度W2的5%至20%,相关的尺寸设计要求条列于表一。
表一.本发明一实施例的放电晶胞的尺寸设计要求。
为了验证本发明的功效,本发明制作了样品,并量测本发明一实施例与对照组的样品的荧光物质膜厚,加以比较,请再参考图3,本发明一实施例与对照组的样品的尺寸条列于表二。
单位:μm | W2 | W1 | G | F | E |
本发明 | 980 | 290 | 130 | 65 | 90 |
对照组 | 980 | 290 | 0 | 0 | 0 |
表二.本发明与对照组的样品的尺寸。
本发明以相同的荧光体墨浆填入量及相同的网板印刷工艺条件分别在对照组与本实施例的样品涂布荧光物质,为了量测荧光物质的膜厚,必须先裂片才能照相与量测。
请参考图4A至图4H,图4A是对照组的单一放电晶胞的裂片位置上视示意图,荧光物质34涂布于放电晶胞12的纵向阻隔壁14与横向阻隔壁16的侧面,“a-a”’是沿着放电晶胞12的纵向中线的横向裂片线,“b-b”’是沿着放电晶胞12的横向中线的纵向裂片线。图4B是对照组的单一放电晶胞沿着“a-a”’横向裂片线裂片的后的量测位置与尺寸的剖面示意图,“Wa”为放电晶胞12的横向宽度,“Ha”为放电晶胞12的纵向阻隔壁14的高度,“Ca”、“La”、与“Ra”分别代表量测荧光物质34在电晶胞12的底部中央、左侧阻隔壁的高度中央、与右侧阻隔壁的高度中央所得的膜厚;图4C是放电晶胞12沿着“b-b”’纵向裂片线裂片的后的剖面示意图,与图4B类似,“Wa”’为放电晶胞12的纵向宽度,“Ha”’为放电晶胞12的横向阻隔壁16的高度,“Ca”’、“La”’、与“Ra”’分别代表量测荧光物质34在电晶胞12的底部中央、左侧阻隔壁的高度中央、与右侧阻隔壁的高度中央所得的膜厚。
图4D是本实施例的单一放电晶胞的裂片位置上视示意图,两横向阻隔壁46分别具有一突出部40朝向放电晶胞42,荧光物质64涂布于放电晶胞42的纵向阻隔壁44与横向阻隔壁46的侧面,“c-c”’是沿着放电晶胞42的纵向中线的横向裂片线,“d-d”’是沿着放电晶胞42的横向中线的纵向裂片线。图4E是本实施例的单一放电晶胞42沿着“c-c”’横向裂片线的剖面示意图,“Wb”为放电晶胞42的横向宽度,“Hb”为放电晶胞42的纵向阻隔壁44的高度,“Cb”、“Lb”、与“Rb”分别代表量测荧光物质64在电晶胞42的底部中央、左侧阻隔壁的高度中央、与右侧阻隔壁的高度中央所得的膜厚;图4F是本实施例的单一放电晶胞42沿着“d-d”’纵向裂片线的剖面示意图,“Wc”为放电晶胞42的纵向宽度,“Hc”为放电晶胞42的横向阻隔壁46的高度,“Cc”、“Lc”、与“Rc”分别代表量测荧光物质64在电晶胞42的底部中央、左侧阻隔壁的高度中央、与右侧阻隔壁的高度中央所得的膜厚。
图4G是对照组的放电晶胞12沿着“b-b”’纵向裂片线的纵切面照片,图4H是本实施例的放电晶胞42沿着“d-d”’纵向裂片线的纵切面照片,实体照片提供于此以供熟悉此技艺者与前述的示意图比对,进而能更具体的了解本发明。
对照组的荧光物质膜厚的量测结果条列于表三。
表三.对照组的荧光物质膜厚的量测结果。
本实施例的荧光物质膜厚的量测结果条列于表四。
表四.本实施例的荧光物质膜厚的量测结果。
因此,在相同的荧光体墨浆填入量及相同的网板印刷工艺条件下,比较对照组与本实施例的荧光物质膜厚,从表三与表四中可以发现,本实施例的荧光物质膜厚较小,而且侧底比也更趋近理想值2∶1,可知其堆积密度较佳而有更大的放电空间。
因此,本发明的特征之一是包围放电晶胞的横向阻隔壁具有朝向放电晶胞的突出部,此突出部使荧光体填入时空气可从其两侧排出,进而改善荧光体印刷过程中由气泡造成的放电晶胞底部荧光物质厚度不均的现象,并可增加荧光物质的堆积密度以增加放电空间。
根据本发明的精神,只要包围放电晶胞的两相邻的横向阻隔壁与两相邻的纵向阻隔壁其中的至少任一具有一朝向放电晶胞的突出部,荧光物质即可均匀涂布在放电晶胞的底面及包围放电晶胞的阻隔壁的侧面,而且,阻隔壁的突出部的型体并没有限制,例如前述的实施例,包围放电晶胞的两横向阻隔壁的突出部为梯形延伸体,而两纵向阻隔壁没有突出部。
图5是本发明一实施例的单一放电晶胞的上视示意图,两相邻的横向阻隔壁76与两相邻的纵向阻隔壁74包围形成放电晶胞72,两横向阻隔壁76的其中之一具有一朝向放电晶胞72的突出部70,突出部70的型体为长方体。
图6是本发明一实施例的单一放电晶胞的上视示意图,两相邻的横向阻隔壁86与两相邻的纵向阻隔壁84包围形成放电晶胞82,两横向阻隔壁86与两相邻的纵向阻隔壁84均分别具有一朝向放电晶胞82的突出部80,突出部80的型体为部分圆形延伸体。
此外,横向阻隔壁与纵向阻隔壁可进一步设计成具有高度差以改善荧光体填入时的抽气效率,图7A是本发明一实施例的单一放电晶胞的立体示意图,两相邻的纵向阻隔壁94与两相邻的横向阻隔壁96交错包围形成放电晶胞92,横向阻隔壁96具有突出部90朝向放电晶胞92,在此实施例中,横向阻隔壁96的高度系小于纵向阻隔壁94。图7B是本实施例的部分放电晶胞的立体照片,实体照片提供于此以供熟悉此技艺者与图7A的示意图比对,进而能更具体的了解本发明。
综上所述,本发明的等离子体显示器后板的具有突出部的阻隔壁结构能改善荧光体印刷过程中由气泡造成的放电晶胞底部荧光物质厚度不均的现象,并可增加荧光物质的堆积密度以增加放电空间,进而解决面板闪点的问题,提升等离子体显示器的工艺合格率与发光效率;而且,横向阻隔壁与纵向阻隔壁可进一步设计成具有高度差以改善荧光体填入时的抽气效率。
以上所述的实施例仅系为说明本发明的技术思想及特点,其目的在使熟习此项技艺的人士能够了解本发明的内容并据以实施,当不能限定本发明的专利范围,即大凡依本发明所揭示的精神所作的均等变化或修饰,仍应涵盖在本发明的专利范围内。
Claims (19)
1.一种等离子体显示器后板结构,包含:
一基板;
多个电极,平行设置于该基板上;
一介电层,设置于该基板上,且覆盖所述电极;
多个横向阻隔壁,设置于该介电层上;及
多个纵向阻隔壁,设置于该介电层上;其中,所述横向阻隔壁与所述纵向阻隔壁交错形成晶格状的多个放电晶胞,其中,每一所述放电晶胞为两相邻的所述横向阻隔壁与两相邻的所述纵向阻隔壁所交错包围的空间且该放电晶胞底面为该介电层表面,且该两相邻的所述横向阻隔壁与该两相邻的所述纵向阻隔壁其中至少任一系具有一突出部朝向每一所述放电晶胞。
2.根据权利要求1所述的等离子体显示器后板结构,其特征在于,该两相邻的所述横向阻隔壁分别具有一突出部朝向每一所述放电晶胞。
3.根据权利要求1所述的等离子体显示器后板结构,其特征在于,该两相邻的所述纵向阻隔壁分别具有一突出部朝向每一所述放电晶胞。
4.根据权利要求1所述的等离子体显示器后板结构,其特征在于,该两相邻的所述横向阻隔壁与该两相邻的所述纵向阻隔壁分别具有一突出部朝向每一所述放电晶胞。
5.根据权利要求1所述的等离子体显示器后板结构,其特征在于,所述电极的材质为金属。
6.根据权利要求1所述的等离子体显示器后板结构,其特征在于,更包含一荧光物质涂布于所述放电晶胞的底面、朝向所述放电晶胞的所述横向阻隔壁的侧面、与朝向所述放电晶胞的所述纵向阻隔壁的侧面。
7.根据权利要求6所述的等离子体显示器后板结构,其特征在于,该荧光物质以网板印刷的方法涂布。
8.根据权利要求1所述的等离子体显示器后板结构,其特征在于,该突出部的型体为长方体、部分圆形延伸体、梯形延伸体的其中之一或其组合。
9.根据权利要求1所述的等离子体显示器后板结构,其特征在于,该突出部的型体为一梯形延伸体,其中,该梯形延伸体的梯形长边与包围该放电晶胞的该横向阻隔壁或该纵向阻隔壁相连,该放电晶胞与该梯形延伸体相连的边为一第一边,与该放电晶胞的该第一边垂直的边为一第二边,该第一边的长度为一第一宽度,该第二边的长度为一第二宽度,且该梯形长边的尺寸系为该第一宽度的20%至50%,该梯形延伸体的梯形短边系与该梯形长边相对且朝向该放电晶胞,且该梯形短边的尺寸系为该第一宽度的10%至30%,该突出部的厚度系为该梯形长边与该梯形短边的之间的垂直距离,且该突出部的厚度系为该第二宽度的5%至20%。
10.根据权利要求1所述的等离子体显示器后板结构,其特征在于,该阻隔壁的该突出部的高度不大于该阻隔壁。
11.根据权利要求1所述的等离子体显示器后板结构,其特征在于,所述横向阻隔壁与所述纵向阻隔壁的高度相同。
12.根据权利要求1所述的等离子体显示器后板结构,其特征在于,所述横向阻隔壁的高度与所述纵向阻隔壁具有一高度差。
13.根据权利要求1所述的等离子体显示器后板结构,其特征在于,该基板的材质为玻璃。
14.根据权利要求1所述的等离子体显示器后板结构,其特征在于,所述横向阻隔壁与所述纵向阻隔壁的制作方法为喷砂方法或蚀刻方法。
15.根据权利要求1所述的等离子体显示器后板结构,其特征在于,该突出部的制作方法为喷砂方法或蚀刻方法。
16.一种等离子体显示器后板结构,包含:
一基板;
多个电极,平行设置于该基板上;
一介电层,设置于该基板上,且覆盖所述电极;
多个横向阻隔壁,设置于该介电层上;
多个纵向阻隔壁,设置于该介电层上;其中,所述横向阻隔壁与所述纵向阻隔壁交错形成晶格状的多个放电晶胞,其中,每一所述放电晶胞为两相邻的所述横向阻隔壁与两相邻的所述纵向阻隔壁所交错包围的空间且其底面为该介电层表面,且该两相邻的所述横向阻隔壁与该两相邻的所述纵向阻隔壁其中至少任一系具有一突出部朝向每一所述放电晶胞;及
-荧光物质,涂布于所述放电晶胞的底面、朝向所述放电晶胞的所述横向阻隔壁的侧面、与朝向所述放电晶胞的所述纵向阻隔壁的侧面。
17.根据权利要求16所述的等离子体显示器后板结构,其特征在于,所述电极的材质为金属。
18.根据权利要求16所述的等离子体显示器后板结构,其特征在于,该基板的材质为玻璃。
19.根据权利要求16所述的等离子体显示器后板结构,其特征在于,该突出部的型体为长方体、部分圆型延伸体、梯形延伸体的其中之一或其组合。
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