CN101154454A - 闪速存储器件及其擦除方法 - Google Patents
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Claims (10)
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060096208 | 2006-09-29 | ||
KR20060096208 | 2006-09-29 | ||
KR10-2006-0096208 | 2006-09-29 | ||
KR1020070054607 | 2007-06-04 | ||
KR10-2007-0054607 | 2007-06-04 | ||
KR1020070054607A KR100908526B1 (ko) | 2006-09-29 | 2007-06-04 | 플래쉬 메모리 장치 및 그의 소거 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101154454A true CN101154454A (zh) | 2008-04-02 |
CN101154454B CN101154454B (zh) | 2012-11-14 |
Family
ID=39256036
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2007101517195A Expired - Fee Related CN101154454B (zh) | 2006-09-29 | 2007-09-27 | 闪速存储器件的擦除方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100908526B1 (zh) |
CN (1) | CN101154454B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2007-06-04 KR KR1020070054607A patent/KR100908526B1/ko active IP Right Grant
- 2007-09-27 CN CN2007101517195A patent/CN101154454B/zh not_active Expired - Fee Related
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CN111564170A (zh) * | 2019-02-13 | 2020-08-21 | 旺宏电子股份有限公司 | 存储器装置 |
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CN111863094A (zh) * | 2019-04-29 | 2020-10-30 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种控制擦除性能的方法以及装置 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100908526B1 (ko) | 2009-07-20 |
CN101154454B (zh) | 2012-11-14 |
KR20080029750A (ko) | 2008-04-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CI01 | Correction of invention patent gazette |
Correction item: Description Correct: Correct False: Error Number: 46 Volume: 28 |
|
CI02 | Correction of invention patent application |
Correction item: Description Correct: Correct False: Error Number: 46 Page: Description Volume: 28 |
|
ERR | Gazette correction |
Free format text: CORRECT: DESCRIPTION; FROM: ERROR TO: CORRECT |
|
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Granted publication date: 20121114 Termination date: 20160927 |
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CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |