CN101127366A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示装置，该显示装置包括：绝缘基底；半导体层，形成在绝缘基底上，并包含硅和氟；源电极，源电极的至少一部分形成在半导体层上；漏电极，漏电极的至少一部分形成在半导体层上，漏电极与源电极分开，并在源电极和漏电极之间具有沟道区；欧姆接触层，形成在半导体层和源电极之间以及半导体层和漏电极之间；绝缘层，形成在半导体层上。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种显示装置及其制造方法，更具体地讲，涉及一种包括具有改进的特性的薄膜晶体管的显示装置及其制造方法。
背景技术
近来，已经采用平板显示器来代替阴极射线管(CRT)，所述平板显示器例如为液晶显示器(LCD)或有机发光二极管(OLED)。
LCD包括：第一基底，薄膜晶体管(TFT)形成在第一基底上；第二基底，与第一基底相对地设置；液晶层，置于这两个基底之间。LCD还可包括位于第一基底后面的背光单元。根据液晶层中的液晶分子的取向来控制来自背光单元的光的透过率，而液晶层中的液晶分子的取向由通过TFT施加到像素电极的电压确定。
OLED包括当被提供有电子和空穴时发光的有机发光层。OLED具有所需的驱动电压低、重量轻、形状细长、视角宽和响应快的优点。有机发光层的发光强度通过由连接到TFT的像素电极提供的空穴的量确定。
在包括TFT的平板显示器中，显示品质显著地受到TFT品质的影响。然而，随着时间的过去，TFT由于使用而使其品质和性能趋于劣化。
发明内容
本发明提供了一种具有特性改进的TFT的显示装置及其制造方法。根据本发明的一个实施例，一种显示装置包括：绝缘基底；半导体层，形成在所述绝缘基底上，并包含硅和氟；源电极，所述源电极的至少一部分形成在所述半导体层上；漏电极，所述漏电极的至少一部分形成在所述半导体层上，所述漏电极与所述源电极分开，并在所述源电极和所述漏电极之间具有沟道区；欧姆接触层，形成在所述半导体层和所述源电极之间以及所述半导体层和所述漏电极之间；绝缘层，形成在所述半导体层上。
根据本发明的另一实施例，所述半导体层在所述沟道区中的部分比所述半导体层的周边部分薄。
根据本发明的另一实施例，所述半导体层包含多晶硅。
根据本发明的另一实施例，所述显示装置还包括设置在所述绝缘层上并对应于所述沟道区的栅电极。
根据本发明的另一实施例，所述显示装置还包括缓冲层，所述缓冲层设置在所述绝缘基底和所述半导体层之间并包含氧化硅。
根据本发明的另一实施例，接触孔形成在所述绝缘层中，以暴露所述漏电极，所述显示装置还包括像素电极，所述像素电极通过所述接触孔连接到所述漏电极。
根据本发明的另一实施例，所述显示装置还包括形成在所述像素电极上的有机层。
根据本发明的一个实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：绝缘基底；半导体层，形成在所述绝缘基底上，并包含硅；源电极，所述源电极的至少一部分形成在所述半导体层上；漏电极，所述漏电极的至少一部分形成在所述半导体层上，所述漏电极与所述源电极分开，并在所述源电极和所述漏电极之间具有沟道区；欧姆接触层，形成在所述半导体层和所述源电极之间以及所述半导体层和所述漏电极之间；界面层，形成在所述沟道区中的半导体层上，并包含硅和氟；绝缘层，形成在所述界面层上。
根据本发明的一个实施例，提供了一种制造显示装置的方法，所述方法包括：在绝缘基底上顺序地形成半导体层和欧姆接触层；在所述欧姆接触层上形成源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极彼此分开，并在所述源电极和所述漏电极之间具有沟道区；通过去除所述欧姆接触层的不被所述源电极和所述漏电极覆盖的部分来暴露设置在所述源电极和所述漏电极之间的半导体层；对所述暴露的半导体层进行酸处理；在所述酸处理之后，在所述半导体层上形成绝缘层。
根据本发明的另一实施例，采用氢氟酸、硫酸和硝酸中的至少一种执行所述酸处理。
根据本发明的另一实施例，采用氢氟酸执行所述酸处理。
根据本发明的另一实施例，所述氢氟酸的浓度以体积百分比计为0.001至10。
根据本发明的另一实施例，采用浸渍法或喷射法执行所述酸处理。
根据本发明的另一实施例，所述方法还包括在所述酸处理之后采用氢等离子体处理所述半导体层。
根据本发明的另一实施例，所述形成半导体层的步骤包括：在所述绝缘基底上形成非晶硅层，并使所述非晶硅层结晶。
根据本发明的另一实施例，所述方法还包括在所述绝缘基底上形成包含氧化硅的缓冲层，其中，所述非晶硅层形成在所述缓冲层上。
根据本发明的另一实施例，所述方法还包括对应于所述沟道区在所述绝缘层上形成栅电极。
根据本发明的另一实施例，所述方法还包括：在所述绝缘层中形成接触孔，以暴露所述漏电极；形成像素电极，所述像素电极通过所述接触孔连接到所述漏电极。
根据本发明的另一实施例，所述方法还包括在所述像素电极上形成有机层。
在随后的描述中，本发明另外的特征将被阐明，从描述中部分将变得清楚，或者通过实践本发明而获知。
由权利要求来限定本发明的范围，其中，权利要求通过引用包含在该部分中。通过考虑下面对一个或多个实施例的详细描述，将向本领域技术人员提供对本发明实施例更加完全的理解，并实现本发明实施例的另外的优点。将参考首先简要描述的附图。
附图说明
通过阅读随后的描述和附图，可获得对本发明更进一步的理解，在附图中：
图1是根据本发明第一实施例的显示装置中的像素的等效电路图。
图2是根据本发明第一实施例的显示装置的剖视图。
图3A至图3H示出了根据本发明第一实施例的显示装置的制造方法。
图4示出了沿着图2中的A-A线截取的氟的浓度。
图5示出了根据酸处理的TFT的特性变化。
图6示出了根据酸处理和氢等离子体处理的TFT的特性变化。
图7A至图7B示出了根据酸处理程度的TFT的特性变化。
图8至图10是根据本发明第二实施例至第四实施例的显示装置的剖视图。
通过参照随后的详细描述，本发明的实施例将被最好地理解。应当理解，相同的标号用于指代一幅或多幅附图中示出的相同的元件。还应理解，可以不必按照比例来绘制附图。
具体实施方式
在随后的描述中，如果层被称作形成在另一层“上”，则第三层可设置在这两个层之间，或者这两个层可以彼此接触。换句话说，应当理解，当元件例如层、膜、区或者基底被称作在另一元件“上”时，它可以直接在该另一元件上，或者也可以存在中间元件。此外，当层被称作“直接”形成“在”另一层上时，应明白这两个层彼此接触。
图1是根据本发明第一实施例的显示装置中的像素的等效电路图。
一个像素包括多条信号线。信号线包括：栅极线，用于传输扫描信号；数据线，用于传输数据信号；电源线，用于传输驱动电压。数据线和电源线邻近设置，且彼此平行地设置。栅极线与数据线和电源线垂直地延伸。
各个像素包括有机发光元件LD、开关薄膜晶体管Tsw、驱动薄膜晶体管Tdr和电容器C。
驱动薄膜晶体管Tdr包括控制端、输入端和输出端。控制端连接到开关薄膜晶体管Tsw，输入端连接到电源线，输出端连接到有机发光元件LD。
有机发光元件LD包括连接到驱动薄膜晶体管Tdr的输出端的阳极和连接到共电压Vcom的阴极。有机发光元件LD发射具有可变强度的光，从而根据来自驱动薄膜晶体管Tdr的输出电流来显示图像。来自驱动薄膜晶体管Tdr的电流的强度根据控制端与输出端之间的电压而改变。
开关薄膜晶体管Tsw包括控制端、输入端和输出端。控制端连接到栅极线，输入端连接到数据线，输出端连接到驱动薄膜晶体管Tdr的控制端。开关薄膜晶体管Tsw根据施加到栅极线的扫描信号将施加到数据线的数据信号发送到驱动薄膜晶体管Tdr。
电容器C连接在驱动薄膜晶体管Tdr的控制端与驱动薄膜晶体管Tdr的输入端之间。电容器C充有输入到驱动薄膜晶体管Tdr的控制端的数据信号，并保持该数据信号。
在下文中，将参照图2来描述根据本发明第一实施例的显示装置1。图2仅示出了驱动薄膜晶体管Tdr，而没有示出开关薄膜晶体管Tsw。缓冲层111形成在由玻璃、石英、陶瓷、塑料等制成的绝缘基底110上。缓冲层111可由氧化硅(SiOx)制成，并防止在使半导体层121结晶的过程中绝缘基底110中的杂质渗入半导体层121。半导体层121包含多晶硅，并形成在缓冲层111上。
欧姆接触层122形成在半导体层121上，并被划分成在半导体层121上的两部分。半导体层121的暴露在欧姆接触层122的这两部分之间的部分形成沟道区。沟道区中的半导体层121上的界面B包含氟。半导体层121的在沟道区中的部分比半导体层121的其它的在欧姆接触层122下面的部分薄。欧姆接触层122由高度掺杂有n-型杂质的n+多晶硅制成。
源电极131和漏电极132分别形成在欧姆接触层122的两部分上。源电极131和漏电极132同时形成，并可包括金属单层或金属多层。
第一绝缘层141形成在源电极131、漏电极132和半导体层121上。第一绝缘层141可由氮化硅(SiNx)制成。
栅电极151形成在第一绝缘层141上，以与沟道区对应。栅电极151可包括金属单层或金属多层。
第二绝缘层161形成在栅电极151和第一绝缘层141上。第二绝缘层161被设置为平坦化层，并可由有机材料制成。有机材料可使用苯并环丁烯(BCB)树脂、聚烯烃、丙烯酸树脂、聚酰亚胺和氟塑料中的一种。
由透明电极制成的像素电极162形成在第二绝缘层161上。像素电极包含透明导电材料，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。接触孔142形成在第一绝缘层141和第二绝缘层161中，以暴露漏电极132。像素电极162通过接触孔142电连接到漏电极132。像素电极162被称作阳极，并向有机层170提供空穴。
壁163形成在相邻的像素电极162之间。壁163划分像素电极162，以限定像素区。壁163可包含具有耐热性和耐溶剂性的光致抗蚀剂材料(例如丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等)或者无机材料(例如SiO2、TiO2等)。壁163可具有有机层和无机层的双层结构。
有机层170形成在像素电极162的不被壁163覆盖的部分上。有机层170包括空穴注入层171和发光层172。
空穴注入层171可包含空穴注入材料，例如聚3，4-乙撑二氧噻吩(poly-3，4-ethylenedioxythiophene，PEDOT)、聚苯乙烯磺酸盐(polystyrenesulfonate，PSS)等，通过喷墨(ink-jetting)水悬浮状态的空穴注入材料来形成空穴注入层171。
发光层172可包含聚芴衍生物、聚对苯撑乙烯撑衍生物、聚苯撑衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物和聚噻吩衍生物；或者可包含掺杂有紫苏烯(Perillene)系颜料、若丹明(Rhodamine)、红荧烯(Rubrene)、紫苏烯、9，10-二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼罗红(Nile red)、香豆素6(Cumarine 6)、喹吖啶酮等的上述化合物(compound)。
共电极180形成在壁163和发光层172上。共电极180被称作阴极，并向发光层172提供电子。共电极180可包括分层的钙层和铝层。
从像素电极162提供的空穴和从共电极180提供的电子在发光层172中结合成激子，随后激子在被去激发(inactivate)的同时产生光。
显示装置1还可包括：钝化层(未示出)，用于保护共电极180；包封构件(未示出)，用于防止潮气和空气渗入有机层170。包封构件可包括包封树脂和包封罐(encapsulation can)。
将参照图3A至图3H来描述根据第一实施例的显示装置1的制造方法。
参照图3A，将缓冲层111、由非晶硅制成的半导体层121a和由非晶硅制成的欧姆接触层122a顺序地形成在绝缘基底110上。将由非晶硅制成的半导体层121a和由非晶硅制成的欧姆接触层122a形成在整个缓冲层111上。
参照图3B，将由非晶硅制成的半导体层121a和由非晶硅制成的欧姆接触层122a图案化，并通过热使由非晶硅制成的半导体层121a和由非晶硅制成的欧姆接触层122a结晶，以形成由多晶硅制成的半导体层121和欧姆接触层122。半导体层121a和欧姆接触层122a中的非晶硅通过结晶转变成多晶硅。
结晶工艺可以是固相结晶(SPC)、激光结晶、快速热退火(RTA)等。
固相结晶是通过在低于600℃的温度下长时间退火而获得大尺寸结晶的硅晶粒的工艺。激光结晶是利用例如准分子激光退火和连续横向结晶来获得结晶硅的工艺。快速热退火是通过在低温下采用光快速照射非晶硅的表面来获得结晶硅的工艺。
可选地，可使由非晶硅制成的半导体层121a和由非晶硅制成的欧姆接触层122a结晶，然后将其图案化。
参照图3C，沉积第一金属层(未示出)，并将其图案化，以形成源电极131和漏电极132。源电极131和漏电极132彼此分开，且在源电极131和漏电极132之间具有沟道区。欧姆接触层122暴露在沟道区中。
参照图3D，蚀刻沟道区中的欧姆接触层122，以将欧姆接触层122划分成两部分，从而暴露半导体层121在欧姆接触层122的这两部分之间的部分。部分地蚀刻半导体层121，因此半导体层121在沟道区中的部分比半导体层121在欧姆接触层122下面的部分薄。
采用等离子体来蚀刻欧姆接触层122，半导体层121在沟道区中的表面会受到影响，且会被等离子体损坏。即，硅-硅键和硅-氢键断裂，从而产生具有非键合部位(non-bonding site)的不稳定硅原子。此外，退火后的硅会返回到非晶态。不稳定的硅原子会与杂质(例如污染元素)结合，并保持不稳定，从而降低了TFT的性能、稳定性和可靠性。
可采用CF4和SF6来蚀刻欧姆接触层122。在这个工艺中，由于蚀刻欧姆接触层122的速度大于将氟原子引入到半导体层121中的速度，所以没有将氟原子引入到半导体层121中。
在TFT T中，当向栅电极151施加电压时，在半导体层121中形成正常的电流通路。然而，如果存在不稳定的硅，则电流被不稳定的硅吸收(trap)，从而不能实现正常的Ion/Ioff特性，并且漏电流增大。
图3E示出了采用酸来处理半导体层121的暴露部分，从而去除不稳定的硅原子。
通过将暴露的半导体层121浸在氢氟酸中来执行酸处理。氢氟酸的浓度以体积百分比计可以在0.001至10之间，所述处理可以耗时几十秒至几十分钟。如果氢氟酸的浓度以体积百分比计小于0.001，则所述处理耗费过多的时间。如果氢氟酸的浓度以体积百分比计大于10，则会损坏绝缘基底110。
可在正常的或更高的压力和温度下执行酸处理，以提高效率。
通过酸处理，将暴露的半导体层121的表面抛光，并蚀刻不稳定的硅原子或非晶硅原子，以从所述表面去除不稳定的硅原子或非晶硅原子。
酸处理的蚀刻速度可以是大约每分钟40，因此半导体层121略微变薄。在酸处理过程中，半导体层121被掺杂有来自氢氟酸的氟，因此在半导体层121上形成包含氟的界面B。欧姆接触层122的邻近于沟道区的部分也会掺杂有氟。
可选择地，可利用喷射法代替浸渍(dipping)法采用硝酸或硫酸来抛光沟道区中的半导体层121。
随后，采用氢等离子体处理半导体层121，从而改进了半导体层121与第一绝缘层141的结合。
参照图3F，形成第一绝缘层141和栅电极151。通过化学气相沉积(CVD)来沉积氮化硅材料，以形成第一绝缘层141。沉积第二金属层(未示出)并将其图案化，以形成对应于沟道区的栅电极151。
参照图3G，形成第二绝缘层161、像素电极162和壁163。第二绝缘层161包含有机材料，并可通过旋转涂覆、狭缝涂覆(slit coating)、丝网印刷等来形成。当形成第二绝缘层161时，形成接触孔142，以暴露漏电极132。
沉积ITO或IZO层，并对其进行光刻，以形成像素电极162。随后，在整个像素电极162和第二绝缘层161上涂覆壁材料层，并对壁材料层进行光刻，以形成壁163。壁材料层包括光致抗蚀剂材料，通过旋转涂覆、狭缝涂覆等来形成壁163。
参照图3H，通过喷墨将空穴注入溶液171a滴在像素电极162上，以形成空穴注入层171，其中，空穴注入溶液171a是包含空穴注入材料的聚合物溶液。将空穴注入溶液171a干燥，从而形成空穴注入层171。随后，通过与空穴注入层171的形成工艺相同的工艺形成发光层172，随后将共电极180形成在整个发光层172上，从而完成图2中示出的显示装置1。
在根据第一实施例的显示装置1中，通过酸处理来改进TFT的特性，这将参照图4至图7B来描述。
图4顺次示出了沿着图2中的A-A线截取的第一绝缘层141、半导体层121和缓冲层111中的氟的浓度。(a)线示出了在采用氢氟酸进行120秒酸处理的情况下的氟的浓度；(b)线示出了在采用氢氟酸进行60秒酸处理的情况下的氟的浓度：(c)线示出了在采用氢氟酸进行60秒的酸处理，然后采用氧等离子体进行清洗的情况下的氟的浓度；(d)线示出了在采用氧等离子进行清洗，而没有采用氢氟酸进行酸处理的情况下的氟的浓度。
通过二次离子质谱(SIMS)测量氟的浓度。
在图4中，在仅使用去离子水的(d)情况下，基本上检测不到氟。另一方面，在(a)、(b)和(c)情况下，在半导体层121上检测氟，氟的浓度根据工艺时间的增加而增大。因为氟渗入半导体层121，所以在第一绝缘层141的下部也检测到氟。
图5示出了在快速形成第一绝缘层141的GH情况下和在缓慢形成第一绝缘层141的GL情况下氢氟酸处理对Ion/Ioff特性的影响。如果形成第一绝缘层141的速度快，则形成低密度的氮化硅层。如果形成第一绝缘层141的速度慢，则形成高密度的氮化硅层。
在GH情况和GL情况下，Ioff值均不随氢氟酸处理而显著变化。另一方面，在GH情况和GL情况下，Ion值均由于采用氢氟酸进行酸处理而增大。因此，Ion/Ioff的特性由于氢氟酸处理而被改进，而与第一绝缘层141的形成条件无关。
图6示出了根据氢氟酸处理和氢等离子体处理的TFT的阈值电压Vth漂移特性的变化。
在情况1下，采用氢等离子体对通过蚀刻欧姆接触层122而暴露的半导体层121进行处理，而不对其进行氢氟酸处理。在情况2下，不采用氢氟酸对半导体层121进行处理，在蚀刻欧姆接触层122之前采用氢等离子体对半导体层121进行处理，同时形成第一绝缘层141。在情况3下，采用氢氟酸对半导体层121进行处理。
情况2包括在制造工艺的不同步骤中在各种程度的等离子体处理下的实验，情况3包括在各种条件的等离子体处理下的实验。
在没有氢氟酸处理的情况1和情况2下，阈值电压Vth与时间成比例地增大，而与氢等离子体处理无关，从而降低了TFT的品质。另一方面，在具有氢氟酸处理的情况3下，阈值电压Vth恒定，而与氢等离子体处理无关。如果采用氢氟酸对半导体层121进行处理，则阈值电压Vth增大0.2V需50000小时。如果不采用氢氟酸对半导体层121进行处理，则阈值电压Vth增大0.2V需几千小时。
图7A和图7B示出了根据酸处理程度的TFT的特性变化。图7A和图7B示出了在处于相同条件的TFT中根据栅电极与漏电极之间的电压差VGS的漏电极与源电极之间的电流量IDS的变化。
在图7A中，通过将半导体层121在氢氟酸中浸渍60秒来对其进行处理；在图7B中，通过将半导体层121在氢氟酸中浸渍120秒两次来对其进行处理。随着浸渍时间的增加，TFT的特性变得均匀。
如上所述，对暴露的半导体层121进行酸处理，因此TFT T的品质变得均匀，特性变得优良。
同时，通过湿法例如喷墨来形成第一实施例中的有机层170。可选地，可通过干法例如气相沉积来形成有机层170。在这种情况下，除了发光层172之外，还可在整个绝缘基底110上形成空穴传输层、电子传输层、电子注入层等。以空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的顺序来形成有机层170。
可由具有强荧光性的胺衍生物或具有芳香稠环的胺衍生物来形成空穴注入层和空穴传输层，所述具有强荧光性的胺衍生物例如为三苯基二胺(triphenyldiamine)衍生物、苯乙烯胺(styrylamine)衍生物。
可由喹啉衍生物制成电子传输层，所述喹啉衍生物具体地例如为三(8-羟基喹啉)铝、苯基蒽衍生物或四芳基乙烯(tetraarylethene)衍生物。
在另一实施例中，由干法来形成有机层，发光层发射白色的光。在底部发射显示装置中，滤色器形成在发光层和绝缘基底之间，以使光具有颜色。在顶部发射显示装置中，滤色器形成在共电极上，以使光具有颜色。
参照图8，将描述根据第二实施例的显示装置2。
在显示装置2中，栅电极151设置在半导体层121的下面，没有形成缓冲层111。在显示装置2中，采用氢氟酸来处理包含氟的半导体层121，从而改进TFT的特性。可由氮化硅制成绝缘层143和144。
参照图9，将描述根据第三实施例的显示装置3。
显示装置3中的半导体层121由非晶硅制成。然而，半导体层121通过采用氢氟酸的处理而变得包含氟，从而改进了TFT的特性。
参照图10，将描述根据第四实施例的显示装置4。
显示装置4包括：第一基底100，形成有TFT T；第二基底200，与第一基底100相对；液晶层300，设置在两个基底100和200之间。
对于第二基底200，黑矩阵220在绝缘基底210上形成矩阵形式。黑矩阵220可由包含黑颜料的有机材料制成，并形成为对应于第一基底100上的TFT T和导线(未示出)。
滤色器层230形成在黑矩阵220之间。滤色器层230由有机材料制成，并包括具有不同颜色的多个子层。由透明导电材料制成的共电极250和保护(overcoat)层240形成在黑矩阵220和滤色器层230上。
液晶层300设置在两个基底100和200之间，通过由像素电极和共电极250形成的电场来使液晶层300中的液晶分子取向(arrange)。
如上所述，本发明提供了一种显示装置，该显示装置包括具有改进的特性的TFT。
此外，本发明提供了一种制造显示装置的方法，该显示装置包括具有改进的特性的TFT。
对本领域技术人员将清楚的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可做出各种修改和变化。因此，意图在于，只要对本发明的修改和变化落入权利要求及其等同物的范围内，本发明就覆盖这些修改和变化。

Claims (19)

1.一种显示装置，包括：
绝缘基底；
半导体层，形成在所述绝缘基底上，并包含硅和氟；
源电极，所述源电极的至少一部分形成在所述半导体层上；
漏电极，所述漏电极的至少一部分形成在所述半导体层上，所述漏电极与所述源电极分开，并在所述源电极和所述漏电极之间具有沟道区；
欧姆接触层，形成在所述半导体层和所述源电极之间以及所述半导体层和所述漏电极之间；
绝缘层，形成在所述半导体层上。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述半导体层在所述沟道区中的部分比所述半导体层的周边部分薄。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述半导体层包含多晶硅。
4.如权利要求3所述的显示装置，还包括设置在所述绝缘层上并对应于所述沟道区的栅电极。
5.如权利要求4所述的显示装置，还包括缓冲层，所述缓冲层设置在所述绝缘基底和所述半导体层之间并包含氧化硅。
6.如权利要求4所述的显示装置，其中，接触孔形成在所述绝缘层中，以暴露所述漏电极，所述显示装置还包括像素电极，所述像素电极通过所述接触孔连接到所述漏电极。
7.如权利要求6所述的显示装置，还包括形成在所述像素电极上的有机层。
8.一种显示装置，包括：
绝缘基底；
半导体层，形成在所述绝缘基底上，并包含硅；
源电极，所述源电极的至少一部分形成在所述半导体层上；
漏电极，所述漏电极的至少一部分形成在所述半导体层上，所述漏电极与所述源电极分开，并在所述源电极和所述漏电极之间具有沟道区；
欧姆接触层，形成在所述半导体层和所述源电极之间以及所述半导体层和所述漏电极之间；
界面层，形成在所述沟道区中的半导体层上，并包含硅和氟；
绝缘层，形成在所述界面层上。
9.一种制造显示装置的方法，包括以下步骤：
在绝缘基底上顺序地形成半导体层和欧姆接触层；
在所述欧姆接触层上形成源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极彼此分开，并在所述源电极和所述漏电极之间具有沟道区；
通过去除所述欧姆接触层的不被所述源电极和所述漏电极覆盖的部分来暴露设置在所述源电极和所述漏电极之间的半导体层；
对所述暴露的半导体层进行酸处理；
在所述酸处理之后，在所述半导体层上形成绝缘层。
10.如权利要求9所述的方法，其中，采用氢氟酸、硫酸和硝酸中的至少一种执行所述酸处理。
11.如权利要求10所述的方法，其中，采用氢氟酸执行所述酸处理。
12.如权利要求11所述的方法，其中，所述氢氟酸的浓度以体积百分比计为0.001至10。
13.如权利要求10所述的方法，其中，采用浸渍法或喷射法执行所述酸处理。
14.如权利要求11所述的方法，还包括在所述酸处理之后采用氢等离子体处理所述半导体层。
15.如权利要求11所述的方法，其中，所述形成半导体层的步骤包括：在所述绝缘基底上形成非晶硅层；并使所述非晶硅层结晶。
16.如权利要求15所述的方法，还包括在所述绝缘基底上形成包含氧化硅的缓冲层，其中，所述非晶硅层形成在所述缓冲层上。
17.如权利要求15所述的方法，还包括对应于所述沟道区在所述绝缘层上形成栅电极。
18.如权利要求15所述的方法，还包括：在所述绝缘层中形成接触孔，以暴露所述漏电极；形成像素电极，所述像素电极通过所述接触孔连接到所述漏电极。
19.如权利要求18所述的方法，还包括在所述像素电极上形成有机层。
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